JPH04298745A - 位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents
位相シフトマスクの製造方法Info
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- JPH04298745A JPH04298745A JP3064231A JP6423191A JPH04298745A JP H04298745 A JPH04298745 A JP H04298745A JP 3064231 A JP3064231 A JP 3064231A JP 6423191 A JP6423191 A JP 6423191A JP H04298745 A JPH04298745 A JP H04298745A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は位相シフトマスクの製造
方法に関する。
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の位相シフトマスクの製造方法を図
面を用いて説明する。
面を用いて説明する。
【０００３】まず図２（ａ）に示すように、ガラス基板
１上に遮光膜としてクロム（Ｃｒ）膜を形成したのちパ
ターニングし、第１Ｃｒパターン１３Ａを形成する。次
に図２（ｂ）に示すように、紫外光等に感度を有するポ
ジ型のフォトレジスト（以下ポジレジストと記す）膜１
４を塗布し、裏面より紫外光等を照射する。次に図２（
ｃ）に示すように、このポジレジスト膜を現像しレジス
トパターン１４Ａを形成する。次に図２（ｄ）に示すよ
うに、このレジストパターン１４Ａをマスクとして第１
Ｃｒパターン１３Ａをサイドエッチングし第２Ｃｒパタ
ーン１３Ｂを形成する。以上の工程によりレジストパタ
ーン１４Ａを補助パターンとしたシフタとして利用する
自己整合型の位相シフトマスクが形成される。
１上に遮光膜としてクロム（Ｃｒ）膜を形成したのちパ
ターニングし、第１Ｃｒパターン１３Ａを形成する。次
に図２（ｂ）に示すように、紫外光等に感度を有するポ
ジ型のフォトレジスト（以下ポジレジストと記す）膜１
４を塗布し、裏面より紫外光等を照射する。次に図２（
ｃ）に示すように、このポジレジスト膜を現像しレジス
トパターン１４Ａを形成する。次に図２（ｄ）に示すよ
うに、このレジストパターン１４Ａをマスクとして第１
Ｃｒパターン１３Ａをサイドエッチングし第２Ｃｒパタ
ーン１３Ｂを形成する。以上の工程によりレジストパタ
ーン１４Ａを補助パターンとしたシフタとして利用する
自己整合型の位相シフトマスクが形成される。
【０００４】この方法は例えば、橋本等により第３７回
応用物理学関係連合講演会の講演予稿集２８ａ−ＰＤ−
２（１９９０年）に報告されている。
応用物理学関係連合講演会の講演予稿集２８ａ−ＰＤ−
２（１９９０年）に報告されている。
【０００５】位相シフトマスクは、シフタのある部分を
透過する光の位相が、シフタのない部分を透過する光の
位相に対し、１８０°ずれるように、シフタの膜厚が制
御されて形成される。遮光パターンのエッジにおいては
上記の互いに１８０°位相がずれた光が干渉して弱めあ
うことにより、遮光パターンのエッジが強調されること
となる。このエッジ強調の効果により、縮小投影露光法
の解像度および焦点深度の向上が達成される。
透過する光の位相が、シフタのない部分を透過する光の
位相に対し、１８０°ずれるように、シフタの膜厚が制
御されて形成される。遮光パターンのエッジにおいては
上記の互いに１８０°位相がずれた光が干渉して弱めあ
うことにより、遮光パターンのエッジが強調されること
となる。このエッジ強調の効果により、縮小投影露光法
の解像度および焦点深度の向上が達成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この従来の自己製造型
の位相シフトマスクでは、シフタ膜としてフォトレジス
ト膜を使用している為、物理的，化学的強度が弱く、洗
浄等を行なうことが難かしいと共に膜厚の制御が困難で
あるという問題点がある。更に遮光膜としてのクロム膜
のサイドエッチング量は典型的には１〜２μｍであるが
、このサイドエッチング量の制御が困難であるという問
題点もあった。
の位相シフトマスクでは、シフタ膜としてフォトレジス
ト膜を使用している為、物理的，化学的強度が弱く、洗
浄等を行なうことが難かしいと共に膜厚の制御が困難で
あるという問題点がある。更に遮光膜としてのクロム膜
のサイドエッチング量は典型的には１〜２μｍであるが
、このサイドエッチング量の制御が困難であるという問
題点もあった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の位相シフトマス
クの製造方法は、ガラス基板上に形成するクロム等の遮
光膜の下にあらかじめシフタ膜を膜づけしておき、裏面
からの紫外光等の照射，現像の後にまずシフタ膜を続い
て遮光膜をエッチングすることにより、シフタ膜による
補助パターンを形成するものである。
クの製造方法は、ガラス基板上に形成するクロム等の遮
光膜の下にあらかじめシフタ膜を膜づけしておき、裏面
からの紫外光等の照射，現像の後にまずシフタ膜を続い
て遮光膜をエッチングすることにより、シフタ膜による
補助パターンを形成するものである。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図１（ａ）〜（ｆ）は、本発明の一実施例を説明する
ためのマスクの断面図である。
。図１（ａ）〜（ｆ）は、本発明の一実施例を説明する
ためのマスクの断面図である。
【０００９】まず図１（ａ）に示すように、ガラス基板
１の上にシフタ膜としてＳｉＯ２ 膜２を形成する。次
で全面に遮光膜としてＣｒ膜を堆積したのちＥＢリソグ
ラフィー等の手段でＣｒ膜をパターニングし第１Ｃｒパ
ターン３Ａを形成する。次に図１（ｂ）に示すように、
紫外光等に感度を有するポジレジスト膜４を塗布法によ
り形成して、裏面より紫外光５等を照射する。
１の上にシフタ膜としてＳｉＯ２ 膜２を形成する。次
で全面に遮光膜としてＣｒ膜を堆積したのちＥＢリソグ
ラフィー等の手段でＣｒ膜をパターニングし第１Ｃｒパ
ターン３Ａを形成する。次に図１（ｂ）に示すように、
紫外光等に感度を有するポジレジスト膜４を塗布法によ
り形成して、裏面より紫外光５等を照射する。
【００１０】次に図１（ｃ）に示すように、ポジレジス
ト膜４を現像してレジストパターン４Ａを形成する。次
に図１（ｄ）に示すように、このレジストパターン４Ａ
をマスクとしてＳｉＯ２ 膜２をエッチングしシフタ２
Ａを形成する。
ト膜４を現像してレジストパターン４Ａを形成する。次
に図１（ｄ）に示すように、このレジストパターン４Ａ
をマスクとしてＳｉＯ２ 膜２をエッチングしシフタ２
Ａを形成する。
【００１１】次に図１（ｅ）に示すように、レジストパ
ターン４Ａをマスクとして第１Ｃｒパターン３Ａをサイ
ドエッチングし第２Ｃｒパターン３Ｂを形成する。次に
図１（ｆ）に示すように、レジストパターン４Ａを剥離
することによりシフタ２Ａを補助パターンとした位相シ
フトマスクが完成させる。
ターン４Ａをマスクとして第１Ｃｒパターン３Ａをサイ
ドエッチングし第２Ｃｒパターン３Ｂを形成する。次に
図１（ｆ）に示すように、レジストパターン４Ａを剥離
することによりシフタ２Ａを補助パターンとした位相シ
フトマスクが完成させる。
【００１２】本実施例により形成された位相シフトマス
クは、物理的，化学的強度の強いＳｉＯ２ 膜をシフタ
として使用することができるため、洗浄等を行なうこと
が可能である。またＣＶＤ法やスパッタ法等による膜付
けができる為膜厚制御が容易である。さらにシフタとし
てのＳｉＯ２ 膜２のエッチング時によるレジストパタ
ーン４Ａの膜減りがある為、第１Ｃｒ膜３Ａのサイドエ
ッチング量が従来の方法に比べ約１／２以下ですむとい
う利点がある。
クは、物理的，化学的強度の強いＳｉＯ２ 膜をシフタ
として使用することができるため、洗浄等を行なうこと
が可能である。またＣＶＤ法やスパッタ法等による膜付
けができる為膜厚制御が容易である。さらにシフタとし
てのＳｉＯ２ 膜２のエッチング時によるレジストパタ
ーン４Ａの膜減りがある為、第１Ｃｒ膜３Ａのサイドエ
ッチング量が従来の方法に比べ約１／２以下ですむとい
う利点がある。
【００１３】この実施例により製造した位相シフトマス
クにより、縮小投影露光法で０．３μｍ程度のパターン
を容易に形成することが可能となった。
クにより、縮小投影露光法で０．３μｍ程度のパターン
を容易に形成することが可能となった。
【００１４】また、図１（ａ）の工程でＥＢリソグラフ
ィーを用いる場合、ガラス基板上に電子が蓄積してしま
う現象が発生し第１Ｃｒパターンの位置精度に重大な影
響（例えば位置誤差約１μｍ）を与える場合がある。こ
の場合はシフタ膜としてポリシリコン膜やＴｉＮ膜等の
導電性を有する物質を用いることにより、電子の蓄積を
防止することができる。
ィーを用いる場合、ガラス基板上に電子が蓄積してしま
う現象が発生し第１Ｃｒパターンの位置精度に重大な影
響（例えば位置誤差約１μｍ）を与える場合がある。こ
の場合はシフタ膜としてポリシリコン膜やＴｉＮ膜等の
導電性を有する物質を用いることにより、電子の蓄積を
防止することができる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、クロム等
の第１の遮光パターンの下にあらかじめシフタ膜を膜づ
けしておき、裏面からの紫外光等の照射，現像により第
１の遮光パターン上にレジストパターンを設け、続いて
第１の遮光パターンをサイドエッチングすることにより
、物理的，化学的強度が強く、しかも成膜時の膜厚制御
性も良い無機膜からなるシフタを有する位相シフトマス
クが得られるという効果を有する。
の第１の遮光パターンの下にあらかじめシフタ膜を膜づ
けしておき、裏面からの紫外光等の照射，現像により第
１の遮光パターン上にレジストパターンを設け、続いて
第１の遮光パターンをサイドエッチングすることにより
、物理的，化学的強度が強く、しかも成膜時の膜厚制御
性も良い無機膜からなるシフタを有する位相シフトマス
クが得られるという効果を有する。
【図１】本発明の一実施例を説明するためのマスクの断
面図。
面図。
【図２】従来の位相シフトマスクの製造方法を説明する
ためのマスクの断面図。
ためのマスクの断面図。
１ ガラス基板
２ ＳｉＯ２ 膜
２Ａ シフタ
３Ａ，１３Ａ 第１のＣｒパターン３Ｂ，１３Ｂ
第２のＣｒパターン４，１４ ポジレジ
スト膜 ４Ａ，１４Ａ レジストパターン５ 紫外
光
第２のＣｒパターン４，１４ ポジレジ
スト膜 ４Ａ，１４Ａ レジストパターン５ 紫外
光
Claims (1)
- 【請求項１】 ガラス基板の表面上にシフタ膜および
遮光膜を順次形成する工程と、前記遮光膜をパターニン
グし第１遮光パターンを形成する工程と、前記第１遮光
パターンを含む全面にポジ型のフォトレジスト膜を形成
したのち前記ガラス基板の裏面より露光して現像し前記
第１遮光パターン上にレジストパターンを形成する工程
と、このレジストパターンをマスクとして前記シフタ膜
をエッチングしたのち同一レジストパターンを用いて前
記第１遮光パターンをサイドエッチングし第２遮光パタ
ーンを形成する工程とを含むことを特徴とする位相シフ
トマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3064231A JPH04298745A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3064231A JPH04298745A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04298745A true JPH04298745A (ja) | 1992-10-22 |
Family
ID=13252142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3064231A Pending JPH04298745A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04298745A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07140633A (ja) * | 1992-11-13 | 1995-06-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | リム型の位相シフト・マスクの形成方法 |
| DE4438616B4 (de) * | 1993-10-29 | 2004-02-05 | Hyundai Display Technology, Inc. | Halbton-Phasenverschiebermaske |
-
1991
- 1991-03-28 JP JP3064231A patent/JPH04298745A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07140633A (ja) * | 1992-11-13 | 1995-06-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | リム型の位相シフト・マスクの形成方法 |
| DE4438616B4 (de) * | 1993-10-29 | 2004-02-05 | Hyundai Display Technology, Inc. | Halbton-Phasenverschiebermaske |
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