JPH04298745A - 位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents
位相シフトマスクの製造方法Info
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- JPH04298745A JPH04298745A JP3064231A JP6423191A JPH04298745A JP H04298745 A JPH04298745 A JP H04298745A JP 3064231 A JP3064231 A JP 3064231A JP 6423191 A JP6423191 A JP 6423191A JP H04298745 A JPH04298745 A JP H04298745A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は位相シフトマスクの製造
方法に関する。
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の位相シフトマスクの製造方法を図
面を用いて説明する。
面を用いて説明する。
【0003】まず図2(a)に示すように、ガラス基板
1上に遮光膜としてクロム(Cr)膜を形成したのちパ
ターニングし、第1Crパターン13Aを形成する。次
に図2(b)に示すように、紫外光等に感度を有するポ
ジ型のフォトレジスト(以下ポジレジストと記す)膜1
4を塗布し、裏面より紫外光等を照射する。次に図2(
c)に示すように、このポジレジスト膜を現像しレジス
トパターン14Aを形成する。次に図2(d)に示すよ
うに、このレジストパターン14Aをマスクとして第1
Crパターン13Aをサイドエッチングし第2Crパタ
ーン13Bを形成する。以上の工程によりレジストパタ
ーン14Aを補助パターンとしたシフタとして利用する
自己整合型の位相シフトマスクが形成される。
1上に遮光膜としてクロム(Cr)膜を形成したのちパ
ターニングし、第1Crパターン13Aを形成する。次
に図2(b)に示すように、紫外光等に感度を有するポ
ジ型のフォトレジスト(以下ポジレジストと記す)膜1
4を塗布し、裏面より紫外光等を照射する。次に図2(
c)に示すように、このポジレジスト膜を現像しレジス
トパターン14Aを形成する。次に図2(d)に示すよ
うに、このレジストパターン14Aをマスクとして第1
Crパターン13Aをサイドエッチングし第2Crパタ
ーン13Bを形成する。以上の工程によりレジストパタ
ーン14Aを補助パターンとしたシフタとして利用する
自己整合型の位相シフトマスクが形成される。
【0004】この方法は例えば、橋本等により第37回
応用物理学関係連合講演会の講演予稿集28a−PD−
2(1990年)に報告されている。
応用物理学関係連合講演会の講演予稿集28a−PD−
2(1990年)に報告されている。
【0005】位相シフトマスクは、シフタのある部分を
透過する光の位相が、シフタのない部分を透過する光の
位相に対し、180°ずれるように、シフタの膜厚が制
御されて形成される。遮光パターンのエッジにおいては
上記の互いに180°位相がずれた光が干渉して弱めあ
うことにより、遮光パターンのエッジが強調されること
となる。このエッジ強調の効果により、縮小投影露光法
の解像度および焦点深度の向上が達成される。
透過する光の位相が、シフタのない部分を透過する光の
位相に対し、180°ずれるように、シフタの膜厚が制
御されて形成される。遮光パターンのエッジにおいては
上記の互いに180°位相がずれた光が干渉して弱めあ
うことにより、遮光パターンのエッジが強調されること
となる。このエッジ強調の効果により、縮小投影露光法
の解像度および焦点深度の向上が達成される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】この従来の自己製造型
の位相シフトマスクでは、シフタ膜としてフォトレジス
ト膜を使用している為、物理的,化学的強度が弱く、洗
浄等を行なうことが難かしいと共に膜厚の制御が困難で
あるという問題点がある。更に遮光膜としてのクロム膜
のサイドエッチング量は典型的には1〜2μmであるが
、このサイドエッチング量の制御が困難であるという問
題点もあった。
の位相シフトマスクでは、シフタ膜としてフォトレジス
ト膜を使用している為、物理的,化学的強度が弱く、洗
浄等を行なうことが難かしいと共に膜厚の制御が困難で
あるという問題点がある。更に遮光膜としてのクロム膜
のサイドエッチング量は典型的には1〜2μmであるが
、このサイドエッチング量の制御が困難であるという問
題点もあった。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の位相シフトマス
クの製造方法は、ガラス基板上に形成するクロム等の遮
光膜の下にあらかじめシフタ膜を膜づけしておき、裏面
からの紫外光等の照射,現像の後にまずシフタ膜を続い
て遮光膜をエッチングすることにより、シフタ膜による
補助パターンを形成するものである。
クの製造方法は、ガラス基板上に形成するクロム等の遮
光膜の下にあらかじめシフタ膜を膜づけしておき、裏面
からの紫外光等の照射,現像の後にまずシフタ膜を続い
て遮光膜をエッチングすることにより、シフタ膜による
補助パターンを形成するものである。
【0008】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図1(a)〜(f)は、本発明の一実施例を説明する
ためのマスクの断面図である。
。図1(a)〜(f)は、本発明の一実施例を説明する
ためのマスクの断面図である。
【0009】まず図1(a)に示すように、ガラス基板
1の上にシフタ膜としてSiO2 膜2を形成する。次
で全面に遮光膜としてCr膜を堆積したのちEBリソグ
ラフィー等の手段でCr膜をパターニングし第1Crパ
ターン3Aを形成する。次に図1(b)に示すように、
紫外光等に感度を有するポジレジスト膜4を塗布法によ
り形成して、裏面より紫外光5等を照射する。
1の上にシフタ膜としてSiO2 膜2を形成する。次
で全面に遮光膜としてCr膜を堆積したのちEBリソグ
ラフィー等の手段でCr膜をパターニングし第1Crパ
ターン3Aを形成する。次に図1(b)に示すように、
紫外光等に感度を有するポジレジスト膜4を塗布法によ
り形成して、裏面より紫外光5等を照射する。
【0010】次に図1(c)に示すように、ポジレジス
ト膜4を現像してレジストパターン4Aを形成する。次
に図1(d)に示すように、このレジストパターン4A
をマスクとしてSiO2 膜2をエッチングしシフタ2
Aを形成する。
ト膜4を現像してレジストパターン4Aを形成する。次
に図1(d)に示すように、このレジストパターン4A
をマスクとしてSiO2 膜2をエッチングしシフタ2
Aを形成する。
【0011】次に図1(e)に示すように、レジストパ
ターン4Aをマスクとして第1Crパターン3Aをサイ
ドエッチングし第2Crパターン3Bを形成する。次に
図1(f)に示すように、レジストパターン4Aを剥離
することによりシフタ2Aを補助パターンとした位相シ
フトマスクが完成させる。
ターン4Aをマスクとして第1Crパターン3Aをサイ
ドエッチングし第2Crパターン3Bを形成する。次に
図1(f)に示すように、レジストパターン4Aを剥離
することによりシフタ2Aを補助パターンとした位相シ
フトマスクが完成させる。
【0012】本実施例により形成された位相シフトマス
クは、物理的,化学的強度の強いSiO2 膜をシフタ
として使用することができるため、洗浄等を行なうこと
が可能である。またCVD法やスパッタ法等による膜付
けができる為膜厚制御が容易である。さらにシフタとし
てのSiO2 膜2のエッチング時によるレジストパタ
ーン4Aの膜減りがある為、第1Cr膜3Aのサイドエ
ッチング量が従来の方法に比べ約1/2以下ですむとい
う利点がある。
クは、物理的,化学的強度の強いSiO2 膜をシフタ
として使用することができるため、洗浄等を行なうこと
が可能である。またCVD法やスパッタ法等による膜付
けができる為膜厚制御が容易である。さらにシフタとし
てのSiO2 膜2のエッチング時によるレジストパタ
ーン4Aの膜減りがある為、第1Cr膜3Aのサイドエ
ッチング量が従来の方法に比べ約1/2以下ですむとい
う利点がある。
【0013】この実施例により製造した位相シフトマス
クにより、縮小投影露光法で0.3μm程度のパターン
を容易に形成することが可能となった。
クにより、縮小投影露光法で0.3μm程度のパターン
を容易に形成することが可能となった。
【0014】また、図1(a)の工程でEBリソグラフ
ィーを用いる場合、ガラス基板上に電子が蓄積してしま
う現象が発生し第1Crパターンの位置精度に重大な影
響(例えば位置誤差約1μm)を与える場合がある。こ
の場合はシフタ膜としてポリシリコン膜やTiN膜等の
導電性を有する物質を用いることにより、電子の蓄積を
防止することができる。
ィーを用いる場合、ガラス基板上に電子が蓄積してしま
う現象が発生し第1Crパターンの位置精度に重大な影
響(例えば位置誤差約1μm)を与える場合がある。こ
の場合はシフタ膜としてポリシリコン膜やTiN膜等の
導電性を有する物質を用いることにより、電子の蓄積を
防止することができる。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、クロム等
の第1の遮光パターンの下にあらかじめシフタ膜を膜づ
けしておき、裏面からの紫外光等の照射,現像により第
1の遮光パターン上にレジストパターンを設け、続いて
第1の遮光パターンをサイドエッチングすることにより
、物理的,化学的強度が強く、しかも成膜時の膜厚制御
性も良い無機膜からなるシフタを有する位相シフトマス
クが得られるという効果を有する。
の第1の遮光パターンの下にあらかじめシフタ膜を膜づ
けしておき、裏面からの紫外光等の照射,現像により第
1の遮光パターン上にレジストパターンを設け、続いて
第1の遮光パターンをサイドエッチングすることにより
、物理的,化学的強度が強く、しかも成膜時の膜厚制御
性も良い無機膜からなるシフタを有する位相シフトマス
クが得られるという効果を有する。
【図1】本発明の一実施例を説明するためのマスクの断
面図。
面図。
【図2】従来の位相シフトマスクの製造方法を説明する
ためのマスクの断面図。
ためのマスクの断面図。
1 ガラス基板
2 SiO2 膜
2A シフタ
3A,13A 第1のCrパターン3B,13B
第2のCrパターン4,14 ポジレジ
スト膜 4A,14A レジストパターン5 紫外
光
第2のCrパターン4,14 ポジレジ
スト膜 4A,14A レジストパターン5 紫外
光
Claims (1)
- 【請求項1】 ガラス基板の表面上にシフタ膜および
遮光膜を順次形成する工程と、前記遮光膜をパターニン
グし第1遮光パターンを形成する工程と、前記第1遮光
パターンを含む全面にポジ型のフォトレジスト膜を形成
したのち前記ガラス基板の裏面より露光して現像し前記
第1遮光パターン上にレジストパターンを形成する工程
と、このレジストパターンをマスクとして前記シフタ膜
をエッチングしたのち同一レジストパターンを用いて前
記第1遮光パターンをサイドエッチングし第2遮光パタ
ーンを形成する工程とを含むことを特徴とする位相シフ
トマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3064231A JPH04298745A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3064231A JPH04298745A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04298745A true JPH04298745A (ja) | 1992-10-22 |
Family
ID=13252142
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3064231A Pending JPH04298745A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04298745A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07140633A (ja) * | 1992-11-13 | 1995-06-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | リム型の位相シフト・マスクの形成方法 |
DE4438616B4 (de) * | 1993-10-29 | 2004-02-05 | Hyundai Display Technology, Inc. | Halbton-Phasenverschiebermaske |
-
1991
- 1991-03-28 JP JP3064231A patent/JPH04298745A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07140633A (ja) * | 1992-11-13 | 1995-06-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | リム型の位相シフト・マスクの形成方法 |
DE4438616B4 (de) * | 1993-10-29 | 2004-02-05 | Hyundai Display Technology, Inc. | Halbton-Phasenverschiebermaske |
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