JPH05241320A - 位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents

位相シフトマスクの製造方法

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JPH05241320A
JPH05241320A JP4266692A JP4266692A JPH05241320A JP H05241320 A JPH05241320 A JP H05241320A JP 4266692 A JP4266692 A JP 4266692A JP 4266692 A JP4266692 A JP 4266692A JP H05241320 A JPH05241320 A JP H05241320A
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JP
Japan
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resist
resist film
pattern
film
shifter
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JP4266692A
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Naoyuki Ishiwatari
直行 石渡
Takeo Kikuchi
健雄 菊地
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 透過型位相シフトマスクに関し，マスク上に
通常の遮光膜パターンも形成できることを目的とする。 【構成】 透明基板１上にシフタ層２と遮光膜３と第１
のレジスト膜４を順に被着し，シフタパターンおよび所
望の遮光膜パターンを転写した該第１のレジスト膜から
なるレジストパターンを形成し，これをマスクにして該
遮光膜をエッチングし，次いで，シフタ層をエッチング
し，次いで，第１のレジスト膜を除去し，次いで，基板
上全面に第２のレジスト膜５を被着し，シフタパターン
形成領域上の第２のレジスト膜を除去し，第２のレジス
ト膜からなるレジストパターンをマスクにしたエッチン
グにより遮光膜を除去してシフタを形成し，次いで，第
２のレジスト膜を除去するように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は透過型位相シフトマスク
の製造方法に関する。近年，半導体装置の微細化が進
み，ウエハ上に 0.3〜0.5 μｍのパターン形成技術が要
求されている。その手段として位相シフトマスク（レチ
クル）を用いて露光の際の解像力を向上させる方法が用
いられている。
【０００２】
【従来の技術】図３(A) 〜(D) は従来例による透過型位
相シフトマスクの製造工程の説明図である。
【０００３】図３(A) において，石英基板１上にシフタ
層２とレジスト膜４とを順に被着する。図３(B) におい
て，電子ビーム(EB)露光, 現像を行ってレジスト膜４を
パターニングする。
【０００４】図３(C) において，レジストパターンをマ
スクにして，シフタ層２をエッチングしてシフタを形成
する。図３(D) において，レジスト膜を剥離して，透過
型位相シフトマスクが完成する。周知のように，透過型
位相シフトマスクはシフタエッジにおいてマスクの透過
光の位相が反転するようにエッジ両側の厚さが調整され
ているため，シフタエッジが微小幅の黒パターンと等価
になることを利用している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来例の方法で作製さ
れた透過型位相シフトマスクは，本来，遮光膜で形成し
なければならないパターン，例えばステッパの位置合わ
せマーク等の形成が不可能であった。従って，透過型位
相シフトマスクではウエハ上での位置合わせができない
ことから実用性に問題があった。
【０００６】本発明は透過型位相シフトマスクにおい
て，通常の遮光膜パターンを形成できる方法の提供を目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は，透明
基板１上にシフタ層２と遮光膜３と第１のレジスト膜４
を順に被着し，該第１のレジスト膜４をパターニングし
て，シフタパターンおよび所望の遮光膜パターンを転写
した該第１のレジスト膜４からなるレジストパターンを
形成し，該第１のレジスト膜４からなるレジストパター
ンをマスクにして該遮光膜３をエッチングする工程と，
次いで，該第１のレジスト膜４からなるレジストパター
ンをマスクにして，シフタ層２をエッチングし，該第１
のレジスト膜４を除去する工程と，次いで，該透明基板
上全面に第２のレジスト膜５を被着し，シフタパターン
形成領域上の該第２のレジスト膜５を除去する工程と，
次いで，該第２のレジスト膜５からなるレジストパター
ンをマスクにしたエッチングにより遮光膜を除去してシ
フタを形成し，該第２のレジスト膜５を除去する工程と
を有する位相シフトマスクの製造方法により達成され
る。
【０００８】
【作用】本発明では，石英基板上にシフタ層と遮光膜の
２層を形成し，この２層の膜に従来例と同様にシフタパ
ターンおよび位置合わせパターンを形成し，シフタパタ
ーン上の遮光膜を除去するようにしている。
【０００９】この工程により，遮光部を必要とする領域
を選択的に設定することができるため，例えばマスク上
にステッパの位置合わせマーク等の形成が可能となる。
【００１０】
【実施例】図１(A),(B) および図２(C) 〜(E) は本発明
の実施例の説明図である。図の左側は平面図，右側は断
面図である。
【００１１】図１(A) において，石英基板１上にシフタ
層２と遮光膜３と第１のレジスト膜４を順に被着し，電
子ビーム露光, 現像を行って第１のレジスト膜４をパタ
ーニングし，このレジストパターンをマスクにしたエッ
チングにより遮光膜パターンを形成する。
【００１２】図１(B) において，第１のレジスト膜４か
らなるレジストパターンをマスクにして，シフタ層２を
エッチングする。次いで，第１のレジスト膜４からなる
レジストパターンを剥離する。
【００１３】図２(C) において，基板上全面に第２のレ
ジスト膜５を被着する。図２(D) において，第２のレジ
スト膜５をパターニングして遮光膜を除去する領域（主
にデバイス回路を形成する領域）の第２のレジスト膜５
を除去する。
【００１４】図２(E) において，第２のレジスト膜５か
らなるレジストパターンをマスクにしたエッチングによ
り遮光膜を除去してシフタを形成する。次いで，残って
いる第２のレジスト膜５を剥離して，マスクを完成す
る。
【００１５】ここで，シフタ層２は石英基板自身あるい
は蒸着，スパッタ等による二酸化シリコン(SiO2)薄膜，
スピンオングラス(SOG) 薄膜等を用いる。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば，透過型位相シフトマス
クにおいて，位置合わせマーク等の遮光膜パターンをマ
スク上に形成することができ，透過型位相シフトマスク
の実用化に寄与することができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施例の説明図（１）
【図２】 本発明の実施例の説明図（２）
【図３】 従来例の説明図
【符号の説明】
１ 透明基板で石英基板 ２ シフタ層 ３ 遮光膜 ４ 第１のレジスト膜 ５ 第２のレジスト膜

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 透明基板(1) 上にシフタ層(2) と遮光膜
    (3）と第１のレジスト膜(4）を順に被着し，該第１のレ
    ジスト膜(4）をパターニングして，シフタパターンおよ
    び所望の遮光膜パターンを転写した該第１のレジスト膜
    (4）からなるレジストパターンを形成し，該第１のレジ
    スト膜(4）からなるレジストパターンをマスクにして該
    遮光膜(3）をエッチングする工程と，次いで，該第１の
    レジスト膜(4）からなるレジストパターンをマスクにし
    て，シフタ層(2) をエッチングし，該第１のレジスト膜
    (4）を除去する工程と，次いで，該透明基板上全面に第
    ２のレジスト膜(5) を被着し，シフタパターン形成領域
    上の該第２のレジスト膜(5) を除去する工程と，次い
    で，該第２のレジスト膜(5) からなるレジストパターン
    をマスクにしたエッチングにより遮光膜を除去してシフ
    タを形成し，該第２のレジスト膜(5) を除去する工程と
    を有することを特徴とする位相シフトマスクの製造方
    法。
JP4266692A 1992-02-28 1992-02-28 透過型位相シフトマスクおよびその製造方法 Expired - Lifetime JP3282207B2 (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005345737A (ja) * 2004-06-02 2005-12-15 Hoya Corp マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法及びテンプレートの製造方法
JP2011002859A (ja) * 2010-10-04 2011-01-06 Hoya Corp 位相シフトマスクの製造方法及びテンプレートの製造方法

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JP2005345737A (ja) * 2004-06-02 2005-12-15 Hoya Corp マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法及びテンプレートの製造方法
JP4619043B2 (ja) * 2004-06-02 2011-01-26 Ｈｏｙａ株式会社 位相シフトマスクの製造方法及びテンプレートの製造方法
JP2011002859A (ja) * 2010-10-04 2011-01-06 Hoya Corp 位相シフトマスクの製造方法及びテンプレートの製造方法

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