JP3278057B2 - 半導体製造プロセスの光近接効果補正方法およびマスクデータ形成方法 - Google Patents
半導体製造プロセスの光近接効果補正方法およびマスクデータ形成方法Info
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Description
スの光近接効果補正方法およびマスクデータ形成方法に
関する。
工程では、露光転写の際に、互いに近接する近接光部分
どうしの光干渉により精密に同形転写されない光近接効
果が生じる。このような光近接効果により発生するパタ
ーン寸法誤差の低減が求められている。パターン寸法誤
差の低減は、特開平5−80486号公報で知られてい
るように、近接効果を補正することにより行われてい
る。その補正の技術は、日本国特許2616467号公
報で知られているように、補正対象パターンの線幅の修
正を計算により行う計算技術である。
ptical/Laser Microlithogr
aphy VII,Vol2197,SPIE Sym
posium on Microlithograph
y 1994」のpage1からpage16に、「A
utomated optical proximit
y correction − a rules−ba
sed approach」と題するOberdan
W.Ottoらが開示した技術が知られている。
おいて、設計パターンの大きさ(配線幅)は、様々であ
り、また、設計パターン同士のスペース幅や位置関係も
様々である。ここで、配線パターンとコンタクトパター
ンとが組み合わさると、さらにそのパターン形状は多様
なものとなる。
行う場合、設計パターンに対して一律に一定形状の補正
パターンを付加するだけでは、十分な近接効果補正が行
われない場合がある。この場合、一定形状の補正パター
ンを付加するのみでは十分な補正が行われないものが生
じないように、設計ルールで制限することも考えられ
る。しかしながら、設計ルールの制限方法や、設計ルー
ルの検証方法が確立していない。また、このような制
限、検証は、設計効率を低下させ、検証処理時間も大幅
に増加するものと思われる。
ので、設計パターンの大きさ・形状や、設計パターン同
士のスペース幅や位置関係が多様な状況下においても、
十分な光近接効果補正を行うことのできる、半導体製造
プロセスの光近接効果補正方法およびマスクデータ形成
方法を提供することを目的としている。
の手段が請求項に対応して表現される次の記載中に現れ
る()つきの数字は、請求項の記載事項が詳しく後述さ
れる実施の複数の形態のうちの少なくとも1つの形態の
部材、工程、動作に対応することを示すが、本発明の解
決手段がそれらの数字が示す実施の形態の部材に限定し
て解釈されるためのものではなく、その対応関係を明白
にするためのものである。
効果補正方法は、第1の設計パターン(Pd)の第2の
設計パターン(Pd)と対向する位置に第1の補正領域
(11)を付加してなる、第1の補正済設計パターンを
作成するステップと、前記第1の補正済設計パターン
と、前記第2の設計パターン(Pd)との間隔を検出す
るステップと、前記検出された前記間隔が設定値(sp
1)以下であるかを判定するステップと、前記判定の結
果、前記間隔が設定値(sp1)以下であると判定され
たときに、前記間隔が前記設定値(sp1)を超えるよ
うに、前記第1の補正領域(11)の少なくとも一部を
削除するステップとを備えている。
効果補正方法は、第1の設計パターン(Pd)の第2の
設計パターン(Pd)と対向する位置に第1の補正領域
(11)を付加してなる、第1の補正済設計パターンを
作成するステップと、前記第2の設計パターン(Pd)
の前記第1の設計パターン(Pd)と対向する位置に第
2の補正領域(11)を付加してなる、第2の補正済設
計パターンを作成するステップと、前記第1の補正済設
計パターンと、前記第2の補正済設計パターンとの間隔
を検出するステップと、前記検出された前記間隔が設定
値(sp1)以下であるかを判定するステップと、前記
判定の結果、前記間隔が設定値(sp1)以下であると
判定されたときに、前記間隔が前記設定値(sp1)を
超えるように、前記第1の補正領域(11)および前記
第2の補正領域(11)のうちの少なくともいずれか一
方の少なくとも一部を削除するステップとを備えてい
る。
補正方法において、前記設定値(sp1)は、前記第1
の補正済設計パターンおよび前記第2の設計パターン
(Pd)に対して露光する露光装置の実用解像度に基づ
く値である。
補正方法において、前記設定値(sp1)は、前記第1
の補正済設計パターンおよび前記第2の補正済設計パタ
ーンに対して露光する露光装置の実用解像度に基づく値
である。
補正方法において、前記第1の設計パターン(Pd)
は、実質的に短辺部および長辺部とを有する矩形状に形
成され、更に、前記第1の補正領域(11)において、
寸法が特定値(w2)以下である領域を検出するステッ
プと、前記検出された前記領域(15a,15b)を前
記第1の補正領域(11)から削除するステップとを備
えている。
補正方法において、更に、前記第1の補正領域(11)
および前記第2の補正領域(11)のそれぞれにおい
て、寸法が特定値(w2)以下である領域を検出するス
テップと、前記検出された前記領域(15a,15b)
を前記第1の補正領域(11)および前記第2の補正領
域(11)のそれぞれから削除するステップとを備えて
いる。
補正方法において、前記検出された前記領域(15a,
15b)は、前記判定結果に基づいて前記第1の補正領
域(11)の少なくとも一部を削除した結果として生じ
た、突起形状を有している。
補正方法において、前記検出された前記領域(15a,
15b)は、前記判定結果に基づいて前記第1の補正領
域(11)および前記第2の補正領域(11)のうちの
少なくともいずれか一方の少なくとも一部を削除した結
果として生じた、突起形状を有している。
補正方法において、前記第1の補正領域(11)は、前
記第1の設計パターン(Pd)の末端部分を包囲する単
一領域として付加される。
補正方法において、前記第1の補正領域(11)は、前
記第1の設計パターン(Pd)の末端部分を包囲する単
一領域として付加され、前記第2の補正領域(11)
は、前記第2の設計パターン(Pd)の末端部分を包囲
する単一領域として付加される。
補正方法は、パターン(21)に含まれる複数のコーナ
ー部分(24)を検出するステップと、前記複数のコー
ナー部分(24)に挟まれた前記パターン(21)に含
まれる第1の辺(25)を検出するステップと、前記第
1の辺(25)に平行な前記パターン(21)に含まれ
る第2の辺(28)を検出するステップと、前記複数の
コーナー部分(24)のうち前記第1の辺(25)およ
び前記第2の辺(28)のいずれかに接するコーナー部
分(α)を特定コーナー部分(α)として検出するステ
ップと、前記第1の辺(25)または前記第2の辺(2
8)と隣接する垂直な辺の長さ(Ls1,Ls2)を検
出するステップと、前記検出された前記長さ(Ls1,
Ls2)が設定値(height)以上であるか否かを
判定するステップと、前記判定された結果、前記長さ
(Ls1,Ls2)が設定値(height)以上であ
る場合に、前記隣接する垂直な辺に接する前記特定コー
ナー部分(α)に相当する位置まで、前記第1の辺(2
5)を、前記第1の辺(25)の延在方向に延長するス
テップと、前記延長されてなる第3の辺(29)に基づ
いて、補正領域(36)を決定するステップと、前記補
正領域(36)を前記パターン(21)に付加するステ
ップとを備えている。
補正方法において、更に、前記パターン(21)にその
少なくとも一部が接している特定パターン(22)の周
囲を囲む周域(23)を指定するステップを備え、前記
光近接効果補正方法を構成する複数の前記ステップのそ
れぞれは、前記指定された前記周域(23)内で行い、
前記パターン(21)は、配線パターンであり、前記特
定パターン(22)は、コンタクトパターンまたはスル
ーホールパターンである。
補正方法において、更に、前記パターン(21)にその
少なくとも一部が接している特定パターン(22)の周
囲を囲む周域(23)を指定するステップを備え、前記
光近接効果補正方法を構成する複数の前記ステップのそ
れぞれは、前記指定された前記周域(23)内で行い、
前記パターン(21)は、コンタクトパターンであり、
前記特定パターン(22)は、ゲートパターンである。
補正方法において、前記周域(23)は、前記特定パタ
ーン(22)を完全に包囲する輪環状領域である。
タ形成方法は、設計パターン(Pd,21)における少
なくとも一部を示すデータ(25)に基づいて前記設計
パターン(Pd,21)に補正領域(11,31g,3
1l,31q)を付加してなる第1次補正済パターンを
作成するステップと、前記第1次補正済パターンの前記
補正領域(11,31g,31l,31q)に相当する
部分を、前記データとは異なる設定データ(EP2)に
基づいて修正してなる、第2次補正済パターンを作成す
るステップと、前記第2次補正済パターンに基づいてマ
スクデータを作成するステップと、前記マスクデータの
欠陥検査を行うステップとを備え、前記第2次補正済パ
ターンを作成するステップは、前記欠陥検査を行うステ
ップにおいて所定の大きさ(w2)以下の凹部(E,
D)および凸部(15a,15b,M)のいずれかを示
すデータが不良として検出されないように、前記第1次
補正済パターンを修正する。
タ形成方法は、設計パターン(Pd)における少なくと
も一部を示すデータに基づいて、前記設計パターン(P
d)に補正領域(11)を付加してなる第1次補正済パ
ターンを作成するステップと、前記第1次補正済パター
ンの前記補正領域(11)に相当する部分を、前記デー
タとは異なる設定データ(EP2)に基づいて修正して
なる、第2次補正済パターンを作成するステップと、前
記第2次補正済パターンに基づいてマスクデータを作成
するステップとを備え、前記第2次補正済パターンを作
成するステップは、前記第1次補正済パターンの前記補
正領域(11)に相当する部分と、他の設計パターン
(Pd)および他の第1次補正済パターンのいずれかと
の間の間隔が設定値(sp1,W1)以下とならないよ
うに、前記第1次補正済パターンの前記補正領域(1
1)に相当する部分の少なくとも一部を削除して、前記
第2次補正済パターンを作成する。
明の光近接効果補正方法の一実施形態について説明す
る。
本実施形態は、半導体製造プロセスの光近接効果補正方
法に係り、修正前のレイアウトデータの中の配線パター
ンを修正し、修正された配線パターンからマスク描画デ
ータを作成する技術である。
は、修正前のレイアウトデータが格納されている。その
修正前のレイアウトデータには、配線層パターン又はそ
の要素である配線(設計パターン)Pdと、コンタクト
層パターン又はその要素であるコンタクトCtとが含ま
れている。
められた最小スペース幅sp2(例えば0.18μmま
たは0.24μm)以上の間隔で設計される。前記設計
パターンPdの端部に対して、前記端部の三辺を囲うよ
うに平面視コ字状の単一の補正パターン11が付加され
て、近接効果補正が行われる。
と、前記補正パターン11が付加される結果、最小スペ
ース幅sp3は、設計時の最小スペース幅sp2よりも
2*W3だけ狭くなる。なお、ここでスペース幅とは、
図中左右方向の幅であり、パターン幅とは図中上下方向
の幅である。
マスクでは、マスク転写時に解像度が劣化するという問
題があった。設計当初の設計パターンPdでは、前記最
小設計ルールにより前記設計パターンPd間のスペース
(sp2)が、露光装置の実用解像度を下回らないよう
に設計される。しかしながら、前記近接効果補正が行わ
れた後は、前記補正パターン11間の最小スペース幅
(sp3=sp2−2*W3)が前記実用解像度を下回
るためである。
ターンPdに補正パターン11が付加された近接効果補
正マスクに対して、前記補正パターン11間のスペース
幅を検査する。前記検査した結果、前記補正パターン1
1間のスペース幅がsp1以下である箇所をエラーパタ
ーン1(EP1)として抽出する。
ン1の周囲、すなわちスペース幅およびパターン幅を一
定幅W1だけ拡大させてなるエラーパターン2(EP
2)を作成する。
ーン11,11からエラーパターン2と重なる部分を削
除することにより、前記補正パターン11,11間のス
ペース幅が拡大するように前記補正パターン11,11
を修正する(この修正された補正パターンを符号11
a,11bで示す)。これにより、前記補正パターン1
1a,11b間のスペースが、露光装置の実用解像度を
下回ることが無く、マスク転写時の解像度の劣化が防止
される。
れら補正パターン11a,11bを修正配線部分とし、
この修正配線部分11a,11bを配線パターンPdに
付加して修正配線パターンを作成し、コンピュータ66
の中の修正後レイアウトデータ格納部(図示せず)にそ
の修正配線パターンを格納する。コンピュータ66は、
次のステップで、修正配線パターンからマスク描画用デ
ータを作成する。
1の幅Lk(図10参照)および前記一定幅W1の値の
求め方について説明する。
変化を示したものである。同グラフ図において縦軸は、
後退量(nm)を示している。ここで、後退量とは、図
9に示すように、補正パターンPhを付加した設計パタ
ーンPが、露光転写後、光近接効果により短縮したとき
に、設計パターンPから短縮した量Lbを示す。後退量
Lbが0であるとは、補正が最適に行われて露光転写後
に設計通りのパターンが得られた状態を意味している。
つまり、後退量Lbが0であるとは、補正パターンPh
の部分のみが短縮した状態である。
こで、補正幅とは、図10に示すように、設計パターン
Pに付加される補正パターンPhの幅Lkである。補正
パターンPhは、単一の平面視コ字状に形成され、設計
パターンPの短辺Psと長辺Plとに対してそれぞれ、
同じ隔離距離Lkを有するものである。
ターンPの配置状態と、その設計パターンPの配線幅H
kの組み合わせである。すなわち、「孤立0.24」と
は、設計パターンPが図10に示すように単独で配置さ
れ、その設計パターンPの配線幅Hkが0.24μmで
あることを示している。「対向0.30」とは、図11
に示すように、設計パターンPが互いに対向配置され、
それらの設計パターンPの各配線幅Hkが0.30μm
であることを示している。この対向配置において、設計
パターンP同士の短辺Ps間距離および長辺Pl間距離
Hlは、共に最小設計ルールで定められた値(例えば
0.24μm)である。
一定幅W1の値は、次の観点から求められる。設計パタ
ーンP(Pd)の配線幅Hkや、配置状態(孤立か対向
か)は一律ではないため、全てのケースの設計パターン
Pに対して、より望ましい状態、すなわち、後退量が少
ない状態となるような値とする。
「対向0.24」および「孤立0.30」の状態では、
補正パターン11の幅Lkが、「0.06μm」である
ときに、後退量がいずれも「0」に接近している。例え
ば、「0.24μm幅孤立パターン」では、補正量が
「0.06μm」であるとき、後退量は50nmにまで
低減している。したがって、ここではまず、補正パター
ン11の幅Lkを、一律「0.06μm」に設定する。
ーン」では、逆に70nmパターンが伸びる。つまり、
補正オーバー(後退方向とは反対向きの設計(パター
ン)値を超えた位置に配線パターンが形成され、解像度
が低下する)となり、僅かな露光量の変動でパターンが
解像されなくなる。
「0.30μm幅対向パターン」である場合には、前記
一定幅W1を「0.02μm」に設定する。これによ
り、補正パターン11の幅Lkが、当初の0.06μm
から0.04μmまで減り、後退量が0(パターン値通
り)となって、対向する他の配線パターンとの誤接続が
防止される。
「対向」状態にあるかどうかを調べるのが上記図2に示
したステップ(前記補正パターン11間のスペース幅を
検査するステップ)である。
正した状態においては、図4に示すように、前記修正さ
れた補正パターン11a、11bの端部に微小な突起部
15a,15bが残る。この突起部15a、15bは、
マスク欠陥検査時に、例えばマスクに付着したゴミとし
て検出される(疑似欠陥)ことがあり、良好なマスク欠
陥検査を妨げる要因となっていた。
陥検査時に前記疑似欠陥となり易いのは、次の理由によ
るものである。マスクパターンの突起部分15a、15
bの大きさが微小であり、マスク製造の実用解像度以下
となることから、マスク転写時のパターン形状劣化が著
しく、さらにマスク欠陥検査用のCCDカメラ等の撮像
手段の解像度の限界とも相俟って、撮像画像とマスク転
写前の基準パターン(リファレンスパターン)との差が
大きいものとして検出されるからである。
れた補正パターン11a,11bに対して、パターン幅
が一定幅w2以下である箇所を抽出し、その箇所を前記
修正された補正パターン11a,11bから削除するこ
ととした。
欠陥を誤検出することが無く、マスク欠陥検査を容易に
することができる。
術を開示する。
1,11が付加された近接効果補正マスクに対して、補
正パターン11,11間のスペース幅が設定値sp1以
下である箇所を、エラーパターン1(EP1)として抽
出する。次いで、エラーパターン1(EP1)を一定幅
W1だけ大きくしたエラーパターン2(EP2)を作成
し、補正パターン11,11からエラーパターン2(E
P2)と重なる部分を削除することにより、補正パター
ン11,11間のスペース幅を修正する。次に、修正さ
れた補正パターン11a,11b間のパターン幅が設定
値w2以下である箇所を抽出し、修正された補正パター
ン11a,11bから削除する。
検査時の前記疑似欠陥となり易い前記突起部15a、1
5bが生じるのは、図1に示すように、互いに対向する
前記設計パターンPd,Pdの軸線Lc,Lc同士がず
れているからである。図6に示すように、前記設計パタ
ーンPd,Pdの軸線Lc,Lc同士が同一線上にある
場合には、前記エラーパターン2(EP2)と重なる部
分を削除した後に、前記突起部15a、15bが残るこ
とはない。符号Kで示す箇所が削除されるのみで、前記
突起部15a、15bは残らない。
となり易いのは、図1から図4に示した、前記設計パタ
ーンPd,Pdの軸線Lc,Lcがずれているケースに
加えて次のものが考えられる。
ーンPd,Pdが同軸であっても、付加される補正パタ
ーン11c,11dの幅が異なる場合、前記補正パター
ン11c,11dの削除修正後、幅が大きい方の補正パ
ターン11dの両側に微小な突起部16a,16bが残
る。それらの突起部16a,16bが前記疑似欠陥とし
て検出されることがある。この図7の場合、突起部16
a,16bを削除するには、図4において突起部15
a,15bを削除した方法と同様の方法を採ればよい。
ーンPd,Pdの軸線Lc、Lcが大きくずれており、
その結果、前記補正パターン11e,11fの削除修正
では、図中17a、17bで示した微小領域のみが削除
される。このとき、その削除部分17a,17bが微小
であるために、マスク欠陥検査では、マスクに”欠け”
(疑似欠陥)が生じているとして誤検出されることが考
えられる。ここで、微小な削除部分17a、17bが発
生しないようにするには、次のようにすればよい。図2
において、補正パターン間のスペース幅がsp1以下で
ある箇所をエラーパターン1(EP1)として抽出する
場合、抽出されたエラーパターン1の幅(パターン幅)
がw2以下である場合には、当該エラーパターン1を削
除し、その後の図3、図4の処理を行わない。このよう
な場合には、補正パターンの削除処理が行われないた
め、微小な削除部分17a,17bが生じることはな
い。
ンPdの端部の三辺を囲うように平面視コ字状の補正パ
ターン11を形成し、その補正パターン11に対して上
記所定の修正を行った。
正図形は、以下の背景をもとに付加されるものである。
コンタクトCtと配線Pdが重ねられたパターン41
と、配線Pdのみのパターン42とを用いて設計される
ことが多い。パターン41のうちのコンタクトCtを、
配線Pdのパターン42に接続するには、パターン41
とパターン42が接してさえいればよいので、符号43
で示すように、配線パターン42の配線幅Ha等とは異
なる配線幅Hbでパターン41の一部分のみが突き出て
いるようなパターン配置も可能であり、実際にこのよう
な配置に設計されている場合もある。このために、細か
な切り欠き状のパターン43が生じる。
と、CADのチェック項目が多くなり、演算速度が低下
するから禁止されない。このため、パターンPdの終端
部等でコンタクトCtがパターン42のインラインに無
いようなパターン配置43が生じる。
に、設計ルールで制限することも考えられるが、設計ル
ールの制限方法や、設計ルールの検証方法が確立してい
ない。また、このような制限、検証は設計効率を低下さ
せ、検証処理時間も大幅に増えるものと考えられる。し
たがって、特に、パターン41の一部分のみが突き出て
いるようなパターン43の近接効果補正をどのように行
うかが問題となる。
と異なり、次のようにして補正パターン(補正図形)の
付加を行う。
ュータ66には、修正前のレイアウトデータが格納され
ている。この修正前のレイアウトデータに対し、以下の
手順で補正図形を付加する。
よび図14に示されるように、配線層パターン又はその
要素である配線21と、コンタクト層パターン又はその
要素であるコンタクト22とが含まれている。
ト22の互いに隣接する直線状特定辺22a、22bか
ら距離Cだけ離れた領域23が、角マージン領域23と
して設定される。 (2)次に、コンピュータ66は、第2ステップで、角
マージン領域23にある配線パターン21の90°の角
24,24…を検出する。
方形コンタクト22を包囲する幅がCである矩形状輪環
領域23の中にある角24,24…に対してのみ、近接
効果補正が行われるので、コンタクト22が無い配線部
分では、近接効果補正は行われない。これにより、補正
が不要なコンタクト22の無い部分での修正パターンの
図形数を減らすことができるため、マスクデータのデー
タサイズの増大を低減することができる。
は、検出された角24,24…に挟まれた辺25を、配
線パターン21の終端辺25であるとみなす。
び図16に示すように、終端辺25および終端辺25に
隣り合う辺26,26…に対して一定幅H、一定長Lの
補正図形31g,31l,31qを付加する。 (5)コンピュータ66は、第5ステップで、これら補
正図形31g,31l,31qを修正配線部分とし、こ
の修正配線部分31g,31l,31qを配線パターン
21に付加して修正配線パターンを作成し、コンピュー
タ66の中の修正後レイアウトデータ格納部(図示せ
ず)にその修正配線パターンを格納する。 (6)コンピュータ66は、第6ステップで、修正配線
パターンからマスク描画用データを作成する。
が無い場合では、補正図形31lは、配線パターン21
の側辺29aからの幅が、例えば0.06μm程度とな
る(符号Hn参照)。しかしながら、図15の例では、
配線パターン21の幅Hpよりも短い終端辺25の幅H
mをもとに、補正図形31lが設定されていることか
ら、付加される補正図形31lは、側辺29aからの幅
Heが、0.01〜0.02μm程度のものとなる。
1〜0.02μm程度の補正図形31lの部分Mが、マ
スクの欠陥検査の際に、補正図形31lとは認識されず
に、ゴミであると誤検出される場合があった。この場
合、補正図形31lにおける側辺29aからの突き出し
幅He(上記図15の例では0.01〜0.02μm)
は、配線幅Hpと終端辺の幅Hmとの差(配線パターン
21の終端部に生じた切り欠きKr)により変動し、一
定値ではない。このことがマスクの欠陥検査をより一層
難しくしていた。
25,25の関係から、補正図形31qと補正図形31
gとの隣接する部分では、符号Eに示すような補正図形
31g,31qで覆われない領域が生じることがある。
この領域Eについても、マスク検査の際に、”欠け”で
あると誤認識されることがあった。前述した領域Dにつ
いても同様に、マスク検査の際に、”欠け”であると誤
認識されることがあった。
を開示する。配線パターン21の終端を補正する場合
に、配線パターン21の終端にある微小な凹凸(コンタ
クトパターン22の一部など)を無視して作成したパタ
ーンの辺をもとにして、補正図形31を発生するもので
ある。
幅W11の配線パターンPdに対しては、長さL1の補
正図形33が付加される。これに対し、図18に示すよ
うに、コンタクトと配線22の一部のみがパターン配線
Pdの終端部から突き出ている場合には、その突き出た
コンタクト22の幅W22を基準に(配線パターンPd
の終端辺25として)、補正図形34の大きさが決定さ
れるため、長さL2(L2<L1)の補正図形34しか
付加されない。したがって、図18に示すような場合に
は、突き出たコンタクト22の幅W22ではなく、配線
パターンの幅W 11を基準に補正図形の大きさを決定す
る。
に説明する。
ず従来の方法を用いて、コンタクトパターン22に基づ
いて、角マージン23を指定する。 (2)この指定された角マージン23内にある配線パタ
ーン21の角24,24…を検出する。 (3)検出された角24,24…に挟まれた辺25を配
線パターン21の終端辺25とする。図19および図2
0では、1つの終端辺25が検出され、図21では、2
つの終端辺25(25a、25b)が検出される。上記
(1)から(3)までは、上記従来の方法と同じであ
る。
マージン23内で、着目した1つの終端辺25(25
a)に平行な辺28を探す。 (5)着目終端辺25(25a)または前記平行な辺2
8にある内側90度の角αを探す。ここで、角が「内
側」であるとは、当該角の頂部(角を形成する凸部)が
図19から図21において上側(左上側か右上側のいず
れか)を向いているものを指し、下側(左下側か右下側
のいずれか)を除外する意味である。
記平行な辺28に接し垂直な辺の長さLs1,Ls2
が、予め設定された値height以上か否かを調べ
る。ここで、「垂直な辺」とは、図19から図21にお
いて、上下方向に延びる辺を指し、左右方向に延びる辺
を除外する意味である。ここで、設定値heightと
は、例えば0.04μmである。
Ls2)が設定値height以上であれば、前記垂直
な辺に接する内側の角αを、基準角θとして認定する。
ここで、図19,図21における前記長さLs1および
図20における前記長さLsは、設定値heightを
下回るため、これらの長さLs1,Lsを有する辺に接
する内側の角αは、基準角θとして認定されない。 (8)次に、図19および図21に示すように、終端辺
25(25a,25b)を、終端辺25(25a,25
b)の延在方向に前記基準角θに相当する位置まで延長
する。その延長された辺を補正基準辺29とする。
の方法で補正図形36を付加する。補正基準辺29をも
とに作成された補正図形36を、図22および図23に
示す。図22は、図19に対応し、図15が修正された
ものである。図23は、図21に対応し、図16が修正
されたものである。
プで、これら補正図形36を修正配線部分とし、この修
正配線部分を配線パターン21に付加して修正配線パタ
ーンを作成し、コンピュータ66の中の修正後レイアウ
トデータ格納部(図示せず)にその修正配線パターンを
格納する。 (11)コンピュータ66は、次のステップで、修正配
線パターンからマスク描画用データを作成する。
る微小な凹凸による影響が除去されて、適切な近接効果
補正が可能となる。
(6),(7)のステップの結果、基準角θが存在しな
い場合には、補正図形は付加されない。ここで、図20
のように、前記距離Lsが設定値height以下であ
る場合に補正しない理由について説明する。
端辺25の突起量が設定値height以下である配線
パターン21が互いに対向している場合、補正図形36
を付加すると、補正過剰となり、配線パターン21,2
1間の隙間Sの一部を埋めるように接続してしまうから
である(符号51参照)。
36,36間の距離が、図24と同じQであるケースと
比較して説明する。図24では、図25に比べて、配線
パターン21,21同士が高範囲に亘って対向してお
り、隙間Sがこの高範囲に亘って向かい合う間に形成さ
れているため、隙間Sの一部を埋めるように接続されや
すいのである。
果補正方法は、第1の設計パターン(Pd)の第2の設
計パターン(Pd)と対向する位置に第1の補正領域
(11)を付加してなる、第1の補正済設計パターンを
作成するステップと、前記第1の補正済設計パターン
と、前記第2の設計パターン(Pd)との間隔を検出す
るステップと、前記検出された前記間隔が設定値(sp
1)以下であるかを判定するステップと、前記判定の結
果、前記間隔が設定値(sp1)以下であると判定され
たときに、前記間隔が前記設定値(sp1)を超えるよ
うに、前記第1の補正領域(11)の少なくとも一部を
削除するステップとを備えているため、前記間隔が露光
装置の実用解像度を下回ることが無く、マスク転写時の
解像度の劣化が防止される。
近接効果補正方法の第1の実施形態の一のステップを示
す平面図である。
平面図である。
示す平面図である。
示す平面図である。
関係を示すグラフ図である。
めの平面図である。
めの平面図である。
めの平面図である。
るための平面図である。
明するための平面図である。
明するための平面図である。
の光近接効果補正方法の第2の実施形態の背景を説明す
るための平面図である。
平面図である。
他の平面図である。
更に他の平面図である。
更に他の平面図である。
更に他の平面図である。
更に他の平面図である。
明するための平面図である。
明するための他の平面図である。
明するための更に他の平面図である。
説明するための平面図である。
説明するための他の平面図である。
平面図である。
他の平面図である。
Claims (15)
- 【請求項1】 第1の設計パターンの第2の設計パター
ンと対向する位置に第1の補正領域を付加してなる、第
1の補正済設計パターンを作成するステップと、前記第
1の補正済設計パターンと、 前記第2の設計パターンとの間隔を検出するステップ
と、前記検出された前記間隔が設定値以下であるかを判
定するステップと、 前記判定の結果、前記間隔が設定値以下であると判定さ
れたときに、前記間隔が前記設定値を超えるように、前
記第1の補正領域の少なくとも一部を削除するステップ
とを備え、 前記設定値は、前記第1の補正済設計パターンおよび前
記第2の設計パターンに対して露光する露光装置の実用
解像度に基づく値である半導体製造プロセスの光近接効
果補正方法。 - 【請求項2】 第1の設計パターンの第2の設計パター
ンと対向する位置に第1の補正領域を付加してなる、第
1の補正済設計パターンを作成するステップと、 前記第1の補正済設計パターンと、前記第2の設計パタ
ーンとの間隔を検出するステップと、 前記検出された前記間隔が設定値以下であるかを判定す
るステップと、 前記判定の結果、前記間隔が設定値以下であると判定さ
れたときに、前記間隔が前記設定値を超えるように、前
記第1の補正領域の少なくとも一部を削除するステップ
とを備え、 前記第1の補正領域は、前記第1の設計パターンの末端
部分を包囲する単一領域として付加される半導体製造プ
ロセスの光近接効果補正方法。 - 【請求項3】 請求項1または2に記載の半導体製造プ
ロセスの光近接効果補正方法において、 前記第1の設計パターンは、実質的に短辺部および長辺
部とを有する矩形状に形成され、 更に、 前記第1の補正領域において、寸法が特定値以下である
領域を検出するステップと、 前記検出された前記領域を前記第1の補正領域から削除
するステップとを備え、 前記検出された前記領域は、前記判定結果に基づいて前
記第1の補正領域の少なくとも一部を削除した結果とし
て生じた、突起形状を有している半導体製造プロセスの
光近接効果補正方法。 - 【請求項4】 第1の設計パターンの第2の設計パター
ンと対向する位置に第1の補正領域を付加してなる、第
1の補正済設計パターンを作成するステップと、 前記第2の設計パターンの前記第1の設計パターンと対
向する位置に第2の補正領域を付加してなる、第2の補
正済設計パターンを作成するステップと、 前記第1の補正済設計パターンと、前記第2の補正済設
計パターンとの間隔を検出するステップと、 前記検出された前記間隔が設定値以下であるかを判定す
るステップと、 前記判定の結果、前記間隔が設定値以下であると判定さ
れたときに、前記間隔が前記設定値を超えるように、前
記第1の補正領域および前記第2の補正領域のうちの少
なくともいずれか一方の少なくとも一部を削除するステ
ップとを備え、 前記設定値は、前記第1の補正済設計パターンおよび前
記第2の補正済設計パターンに対して露光する露光装置
の実用解像度に基づく値である半導体製造プロセスの光
近接効果補正方法。 - 【請求項5】 第1の設計パターンの第2の設計パター
ンと対向する位置に第1の補正領域を付加してなる、第
1の補正済設計パターンを作成するステップと、 前記第2の設計パターンの前記第1の設計パターンと対
向する位置に第2の補正領域を付加してなる、第2の補
正済設計パターンを作成するステップと、 前記第1の補正済設計パターンと、前記第2の補正済設
計パターンとの間隔を検出するステップと、 前記検出された前記間隔が設定値以下であるかを判定す
るステップと、 前記判定の結果、前記間隔が設定値以下であると判定さ
れたときに、前記間隔が前記設定値を超えるように、前
記第1の補正領域および前記第2の補正領域のうちの少
なくともいずれか一方の少なくとも一部を削除するステ
ップとを備え、 前記第1の補正領域は、前記第1の設計パターンの末端
部分を包囲する単一領域として付加され、 前記第2の補正領域は、前記第2の設計パターンの末端
部分を包囲する単一領域として付加される半導体製造プ
ロセスの光近接効果補正方法。 - 【請求項6】 請求項4または5に記載の半導体製造プ
ロセスの光近接効果補正方法において、 更に、 前記第1の補正領域および前記第2の補正領域のそれぞ
れにおいて、寸法が特定値以下である領域を検出するス
テップと、 前記検出された前記領域を前記第1の補正領域および前
記第2の補正領域のそれぞれから削除するステップとを
備え、 前記検出された前記領域は、前記判定結果に基づいて前
記第1の補正領域および前記第2の補正領域のうちの少
なくともいずれか一方の少なくとも一部を削除した結果
として生じた、突起形状を有している半導体製造プロセ
スの光近接効果補正方法。 - 【請求項7】 半導体製造プロセスの露光工程で用いる
フォトマスク製造用に設計されたレイアウトデータ内の
第1の設計パターンの角を有する辺に対して概ね平行な
辺を持つ第1の補正領域を前記第1の設計パターンに付
加してなる、第1の補正済設計パターンを作成するステ
ップと、 前記レイアウトデータ内であって前記第1の設計パター
ンと隣り合う位置にある第2の設計パターンと、前記第
1の補正済設計パターンとの間隔を検出するステップ
と、 前記第1の設計パターンおよび前記第2の設計パターン
を示すデータに基づいて、設定値と、前記第1の補正領
域の少なくとも一部が削除されるときに前記第1の補正
領域から削除されるべき削除幅を設定するステップと、 前記検出された間隔が前記設定値以下であるかを判定す
るステップと、 前記判定の結果、前記間隔が前記設定値以下であると判
定されたときに、前記間隔が前記設定値を超えるよう
に、前記第1の補正領域の少なくとも一部を前記削除幅
だけ削除するステップとを備えた半導体製造プロセスの
光近接効果補正方法。 - 【請求項8】 請求項7記載の半導体製造プロセスの光
近接効果補正方法において、 前記設定値は、前記第1の補正済設計パターンおよび前
記第2の設計パターンに対して露光するときの露光装置
の実用解像度に基づく値である半導体製造プロセスの光
近接効果補正方法。 - 【請求項9】 請求項7または8に記載の半導体製造プ
ロセスの光近接効果補正方法において、 前記第1の補正領域は、前記第1の設計パターンの末端
部分を包囲する単一領域として付加される半導体製造プ
ロセスの光近接効果補正方法。 - 【請求項10】 請求項7から9のいずれか1項に記載
の半導体製造プロセスの光近接効果補正方法において、 更に、 特定値を設定するステップと、 前記第1の補正領域内で幅が前記特定値以下である領域
を検出するステップと、 前記検出された前記領域を前記第1の補正領域から削除
するステップとを備えた半導体製造プロセスの光近接効
果補正方法。 - 【請求項11】 半導体製造プロセスの露光工程で用い
るフォトマスク製造用に設計されたレイアウトデータ内
の第1の設計パターンの角を有する辺に対して概ね平行
な辺を持つ第1の補正領域を前記第1の設計パターンに
付加してなる、第1の補正済設計パターンを作成するス
テップと、 前記レイアウトデータ内であって前記第1の設計パター
ンと隣り合う位置にある第2の設計パターンの角を有す
る辺に対して概ね平行な辺を持つ第2の補正領域を前記
第2の設計パターンに付加してなる、第2の補正済設計
パターンを作成するステップと、 前記第1の補正済設計パターンと、前記第2の補正済設
計パターンとの間隔を検出するステップと、 前記第1の設計パターンおよび前記第2の設計パターン
を示すデータに基づいて、設定値と、前記第1の補正領
域と前記第2の補正領域のうちの少なくともいずれか一
方の少なくとも一部が削除されるときに前記第1の補正
領域と前記第2の補正領域のうちの一方又は両方から削
除されるべき削除幅を設定するステップと、 前記検出された間隔が前記設定値以下であるかを判定す
るステップと、 前記判定の結果、前記間隔が前記設定値以下であると判
定されたときに、前記間隔が前記設定値を超えるよう
に、前記第1の補正領域と前記第2の補正領域のうちの
少なくともいずれか一方の少なくとも一部を前記削除幅
だけ削除するステップとを備えた半導体製造プロセスの
光近接効果補正方法。 - 【請求項12】 請求項11記載の半導体製造プロセス
の光近接効果補正方法において、 前記設定値は、前記第1の補正済設計パターンおよび前
記第2の補正済設計パターンに対して露光するときの露
光装置の実用解像度に基づく値である半導体製造プロセ
スの光近接効果補正方法。 - 【請求項13】 請求項11または12に記載の半導体
製造プロセスの光近接効果補正方法において、 前記第1の補正領域は、前記第1の設計パターンの末端
部分を包囲する単一領域として付加され、 前記第2の補正領域は、前記第2の設計パターンの末端
部分を包囲する単一領域として付加される半導体製造プ
ロセスの光近接効果補正方法。 - 【請求項14】 請求項11から13のいずれか1項に
記載の半導体製造プロセスの光近接効果補正方法におい
て、 更に、 特定値を設定するステップと、 前記第1の補正領域および前記第2の補正領域のうちの
少なくともいずれか一方内で幅が前記特定値以下である
領域を検出するステップと、 前記検出された前記領域を前記第1の補正領域および前
記第2の補正領域のうちの少なくともいずれか一方から
削除するステップとを備えた半導体製造プロセスの光近
接効果補正方法。 - 【請求項15】 設計パターンにおける少なくとも端部
を示すデータに基づいて、前記設計パターンに前記設計
パターンの末端部分を包囲する補正領域を付加してなる
第1次補正済パターンを作成するステップと、 前記第1次補正済パターンの前記補正領域に相当する部
分を修正してなる、第2次補正済パターンを作成するス
テップと、 前記第2次補正済パターンに基づいてマスクデータを作
成するステップとを備え、 前記第2次補正済パターンを作成するステップは、前記
第1次補正済パターンの前記補正領域に相当する部分
と、他の設計パターンおよび他の第1次補正済パターン
のいずれかとの間の間隔が、前記設計パターンと前記他
の設計パターンおよび前記他の第1次補正済パターンの
いずれかに対して露光するときの露光装置の実用解像度
に基づく設定値以下とならないように、前記第1次補正
済パターンの前記補正領域に相当する部分の少なくとも
一部を削除して、前記第2次補正済パターンを作成する
半導体製造プロセスのマスクデータ形成方法。
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