JP3277974B2 - Solid-state imaging device - Google Patents
Solid-state imaging deviceInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像素子、特に画
素を成し縦横に配置された多数の受光素子及び該受光素
子の各垂直列に対応して設けられその垂直列の受光素子
からの電荷を垂直方向に転送する垂直レジスタからなる
撮像領域と、該撮像領域からの電荷を水平方向に転送す
る水平レジスタを有する固体撮像素子に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solid-state image pickup device, in particular, a large number of light receiving elements which form pixels and are arranged vertically and horizontally, and a light receiving element of the vertical line provided corresponding to each vertical column of the light receiving elements. The present invention relates to a solid-state imaging device having an imaging region including a vertical register that transfers electric charges in a vertical direction, and a horizontal register that transfers electric charges from the imaging region in a horizontal direction.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＣＣＤ型の固体撮像素子は、一般に、画
素を成す受光素子をマトリックス状に配置し、各受光素
子で光電変換された信号を、受光素子の各垂直列に対応
して設けられた垂直レジスタに読み出し、該垂直レジス
タによって垂直方向に転送し、水平転送レジスタによっ
て水平方向に転送し、ＦＤＡ（或いはＦＧＡ）等の出力
部により電圧に変換して外部に出力するようにされてい
る。図４はそのような固体撮像素子の従来例の最も一般
的なものの概略構成を示す平面図である。2. Description of the Related Art In general, a CCD type solid-state imaging device is configured such that light receiving elements forming pixels are arranged in a matrix, and a signal photoelectrically converted by each light receiving element is provided corresponding to each vertical column of the light receiving elements. The data is read out to the vertical register, transferred in the vertical direction by the vertical register, transferred in the horizontal direction by the horizontal transfer register, converted to a voltage by an output unit such as FDA (or FGA), and output to the outside. . FIG. 4 is a plan view showing a schematic configuration of the most general example of such a conventional solid-state imaging device.
【０００３】図面において、１は矩形の撮像領域で、こ
の中に画素を成す受光素子３がマトリックス状に配設さ
れ、更に、該受光素子３の各垂直列に対応して垂直レジ
スタ４、４・・・が配設されている。２は撮像領域１の
上側と下側のうちのいずれか一方の側、例えば下側に設
けられた水平レジスタである。５は該水平レジスタ２の
転送先側に設けられた出力部で、ＦＤＡ（或いはＦＧ
Ａ）方式により水平レジスタ２からの信号電荷を電圧に
変換する。６はバッファアンプである。In the drawing, reference numeral 1 denotes a rectangular imaging area in which light receiving elements 3 forming pixels are arranged in a matrix, and further, vertical registers 4, 4 corresponding to respective vertical columns of the light receiving elements 3 are provided. Are arranged. Reference numeral 2 denotes a horizontal register provided on one of the upper side and the lower side of the imaging region 1, for example, on the lower side. Reference numeral 5 denotes an output unit provided on the transfer destination side of the horizontal register 2, and is an FDA (or FG).
A) The signal charge from the horizontal register 2 is converted into a voltage by the method A). 6 is a buffer amplifier.
【０００４】このように従来の固体撮像素子は、撮像領
域１の上下のいずれか一方の側のみに水平レジスタ２が
設けられていた。図５はその従来例の垂直レジスタの転
送電極のパターンを示す平面図である。７、８、９、１
０は垂直レジスタ４、４、・・・の転送電極で、２層の
ポリシリコン層からなり、共に水平方向に配設され受光
素子３、３、・・・と重ならないように歯が形成された
櫛形のパターンを有しており、４相駆動パルスφＶ１、
φＶ２、φＶ３、φＶ４により駆動される。As described above, in the conventional solid-state imaging device, the horizontal register 2 is provided only on one of the upper and lower sides of the imaging area 1. FIG. 5 is a plan view showing a transfer electrode pattern of the conventional vertical register. 7, 8, 9, 1
Reference numeral 0 denotes a transfer electrode of the vertical register 4, 4,..., Which is formed of two polysilicon layers, both of which are arranged in the horizontal direction and have teeth formed so as not to overlap the light receiving elements 3, 3,. And a four-phase driving pulse φV1,
Driven by φV2, φV3, φV4.
【０００５】具体的には、転送電極７、７、・・・は第
２層目のポリシリコン層からなり、その櫛歯にあたる部
分はすべて上向き（反水平レジスタ側向き）であり、駆
動パルスφＶ１を受ける。転送電極８、８、・・・は第
１層目のポリシリコン層からなり、転送電極７、７、・
・・と転送電極８、８、・・・とは概ね重なっているが
その櫛歯にあたる部分はすべて下向き（水平レジスタ側
向き）であり、駆動パルスφＶ２を受ける。転送電極
９、９、・・・は第２層目のポリシリコン層からなり、
その櫛歯にあたる部分はすべて上向き（反水平レジスタ
側向き）であり、駆動パルスφＶ３を受ける。転送電極
１０、１０、・・・は第１層目のポリシリコン層からな
り、転送電極９、９、・・・と転送電極１０、１０、・
・・とは概ね重なっているが、その櫛歯にあたる部分は
すべて下向き（水平レジスタ側向き）であり、駆動パル
スφＶ４を受ける。Specifically, the transfer electrodes 7, 7,... Are composed of a second polysilicon layer, and all the portions corresponding to the comb teeth are directed upward (toward the horizontal register side), and the drive pulse φV1 Receive. The transfer electrodes 8, 8,... Are formed of a first polysilicon layer, and the transfer electrodes 7, 7,.
.. And the transfer electrodes 8, 8,... Substantially overlap each other, but the portions corresponding to the comb teeth are all downward (toward the horizontal register) and receive the drive pulse φV2. The transfer electrodes 9, 9,... Are composed of a second polysilicon layer,
The portions corresponding to the comb teeth are all upward (toward the horizontal register side) and receive the drive pulse φV3. The transfer electrodes 10, 10,... Are formed of a first polysilicon layer, and the transfer electrodes 9, 9,.
.. Are almost overlapped, but the portions corresponding to the comb teeth are all downward (toward the horizontal register) and receive the drive pulse φV4.
【０００６】そして、各垂直レジスタ４、４、・・・は
４相の駆動パルスφＶ１、φＶ２、φＶ３、φＶ４によ
り駆動される上記転送電極７、８、９、１０、７、８、
９、１０、・・・により各受光素子３、３、・・・から
の信号電荷を水平レジスタ２のある下側に向けて転送す
る。図６（Ａ）、（Ｂ）はその駆動パルスのタイミング
チャ−トであり、（Ａ）は垂直転送時及び水平転送時を
示し、（Ｂ）は垂直転送時のみを時間軸を拡大して示
す。Each of the vertical registers 4, 4,... Is driven by four-phase driving pulses φV1, φV2, φV3, φV4, and the transfer electrodes 7, 8, 9, 10, 7, 8,.
The signal charges from each of the light receiving elements 3, 3,... Are transferred toward the lower side of the horizontal register 2 by 9, 10,. 6 (A) and 6 (B) are timing charts of the driving pulse, FIG. 6 (A) shows the vertical transfer and the horizontal transfer, and FIG. 6 (B) shows only the vertical transfer by expanding the time axis. Show.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の固体
撮像素子には、固体撮像素子に要求される小サイズ化に
伴って或いは高解像度化のための画素数の増加に伴って
水平レジスタに必要となる各ビットの微細化に対応する
のが難しいという問題があった。というのは、固体撮像
素子において最も微細加工を要求されるのが水平レジス
タであるといって過言ではないが、固体撮像素子の小サ
イズ化、高解像度化は水平レジスタのより一層の微細化
を必要とするからである。また、水平レジスタの微細加
工が可能であっても、画素数増加に伴って水平レジスタ
の駆動周波数が高くなり、その結果、必然的に、固体撮
像素子の消費電力の増大を招くし、また、不要輻射の増
加という問題も生じ、好ましくない。In the conventional solid-state image pickup device, the horizontal register is required to have a smaller size required for the solid-state image pickup device or an increase in the number of pixels for higher resolution. There is a problem that it is difficult to cope with miniaturization of each bit. This is because it is not an exaggeration to say that the horizontal register is the most demanded of the solid-state imaging device for fine processing, but the miniaturization and high resolution of the solid-state imaging device require the finer horizontal register. It is necessary. Further, even if the fine processing of the horizontal register is possible, the driving frequency of the horizontal register increases with the increase in the number of pixels. As a result, the power consumption of the solid-state imaging device inevitably increases. There is also a problem that unnecessary radiation increases, which is not preferable.
【０００８】尤も、水平レジスタの微細化を回避するた
めに、撮像領域の上下いずれか一方、例えば下側に設け
た水平レジスタを２段構成にし、その二つの水平レジス
タの間に転送ゲート部を設け、その二つの水平レジスタ
により１水平ライン分ずつ信号電荷を平行して水平方向
に転送するようにしたタイプのものもあるが、そのよう
な固体撮像素子によれば、水平レジスタ間の転送を完全
にすることと、水平レジスタの取扱い電荷量を充分に確
保することとを両立させなければならないという難しい
問題に直面する。However, in order to avoid the miniaturization of the horizontal register, a horizontal register provided at one of the upper and lower sides of the imaging area, for example, a lower side is formed in two stages, and a transfer gate section is provided between the two horizontal registers. There is also a type in which the signal charges are transferred in a horizontal direction in parallel by one horizontal line by the two horizontal registers, but according to such a solid-state imaging device, the transfer between the horizontal registers is performed. This poses a difficult problem that it is necessary to achieve both completeness and a sufficient amount of electric charges handled by the horizontal register.
【０００９】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、水平レジスタのビットの縮小を伴う
ことなく画素数の増加、固体撮像素子サイズの縮小を図
ると共に、水平駆動周波数の低減を図り、延いては、消
費電力の低減、不要輻射の低減を図ることを目的とす
る。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a problem, and aims to increase the number of pixels and the size of a solid-state image sensor without reducing the bit of a horizontal register, and to reduce the horizontal drive frequency. It is an object of the present invention to reduce power consumption, and further reduce power consumption and unnecessary radiation.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】請求項１の固体撮像素子
は、撮像領域の上下両側に水平レジスタを設け、３相駆
動パルスにより駆動される垂直転送電極が各水平行間を
通る略帯状の第１の垂直転送電極と、帯状体に各垂直レ
ジスタ上において隣接垂直レジスタ上で互いに逆方向に
延びる歯を設けた平面形状を有する第２の垂直転送電極
と、帯状体に各垂直レジスタ上において第３の垂直転送
電極の上記歯とは逆方向に延びる歯を設けた平面形状を
有する第３の垂直転送電極からなることを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a solid-state image sensor, wherein horizontal registers are provided on both upper and lower sides of an image pickup area, and a vertical transfer electrode driven by a three-phase drive pulse passes between the horizontal lines. One vertical transfer electrode, a second vertical transfer electrode having a planar shape in which a strip is provided with teeth extending in opposite directions on adjacent vertical registers on each vertical register, and a strip on each vertical register. A third vertical transfer electrode having a planar shape provided with teeth extending in a direction opposite to the teeth of the third vertical transfer electrode.
【００１１】[0011]
【作用】請求項１の固体撮像素子によれば、撮像領域の
上下両側に水平レジスタを設け、三層駆動パルスを受け
る第１の垂直転送電極に対する第２と第３の垂直転送電
極の垂直方向における配列が隣接垂直レジスタで互いに
逆になっているので、隣接垂直レジスタが共通の駆動パ
ルスにより駆動されながら信号電荷を互いに逆方向に転
送することができる。従って、上下両側に設けた上記各
水平レジスタはそれぞれ撮像領域の一つ置きの垂直レジ
スタからの電荷を転送すれば良いので、水平レジスタの
ビットの配置ピッチを、撮像領域の受光素子の水平方向
における配置ピッチの２倍にすることができ、要求され
る水平レジスタの加工精度が低くて済む。According to the solid-state imaging device of the first aspect, horizontal registers are provided on the upper and lower sides of the imaging region, and the vertical direction of the second and third vertical transfer electrodes with respect to the first vertical transfer electrode receiving the three-layer drive pulse is provided. Are reversed in adjacent vertical registers, so that signal charges can be transferred in opposite directions while the adjacent vertical registers are driven by the common drive pulse. Therefore, since each of the horizontal registers provided on the upper and lower sides only needs to transfer the charge from every other vertical register in the imaging region, the arrangement pitch of the bits of the horizontal register is set in the horizontal direction of the light receiving element in the imaging region. The arrangement pitch can be doubled, and the required processing accuracy of the horizontal register is low.
【００１２】また、水平レジスタを駆動する水平駆動周
波数も水平レジスタが撮像領域の上下一方にしかない場
合の２分の１で済むので固体撮像素子の消費電力が少な
くて済むのみならず不要輻射も少なくできる。しかも、
その二つの水平レジスタ間で信号電荷の転送をする必要
がないので、水平レジスタ間の転送を完全にすること水
平レジスタの取り扱い電荷量を充分に確保することを両
立させるという難しい問題もなくなる。Further, since the horizontal driving frequency for driving the horizontal register is only one half of that in the case where the horizontal register is provided only at one of the upper and lower sides of the image pickup area, not only the power consumption of the solid-state image sensor is reduced, but also unnecessary radiation is reduced. it can. Moreover,
Since there is no need to transfer the signal charge between the two horizontal registers, there is no difficult problem that the transfer between the horizontal registers is completely completed and the sufficient amount of charges to be handled by the horizontal register is compatible.
【００１３】[0013]
【実施例】以下、本発明を図示実施例に従って詳細に説
明する。図１（Ａ）、（Ｂ）は本発明固体撮像素子の一
つの実施例を示すもので、（Ａ）は固体撮像素子の概略
構成を示す平面図、（Ｂ）は垂直レジスタの転送電極、
即ち垂直転送電極のパターンを示す平面図である。図面
において、１は矩形の撮像領域で、この中に画素を成す
受光素子３がマトリックス状に配設され、更に、該受光
素子３の各垂直列に対応して垂直レジスタ４ａ、４ｂ、
４ａ、４ｂ、・・・が配設されている。垂直レジスタ４
ａは信号電荷を図１における下向きに転送するレジスタ
であり、垂直レジスタ４ｂは信号電荷を図１における上
向きに転送するレジスタであり、垂直レジスタ４ａと垂
直レジスタ４ｂとは交互に配設されている。このように
信号電荷を下向きに転送する垂直レジスタ４ａと、上向
きに転送する垂直レジスタ４ｂとを交互に配設した構成
を有することが本固体撮像素子の一つの特徴である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail with reference to the illustrated embodiments. 1A and 1B show one embodiment of the solid-state imaging device of the present invention, wherein FIG. 1A is a plan view showing a schematic configuration of the solid-state imaging device, FIG. 1B is a transfer electrode of a vertical register,
That is, it is a plan view showing a pattern of a vertical transfer electrode. In the drawing, reference numeral 1 denotes a rectangular imaging area in which light receiving elements 3 forming pixels are arranged in a matrix, and furthermore, vertical registers 4a, 4b,
4a, 4b,... Are provided. Vertical register 4
a is a register for transferring signal charges downward in FIG. 1; a vertical register 4b is a register for transferring signal charges upward in FIG. 1; and the vertical registers 4a and the vertical registers 4b are arranged alternately. . One of the features of the solid-state imaging device is that it has a configuration in which the vertical registers 4a for transferring signal charges downward and the vertical registers 4b for transferring signal charges upward are alternately arranged.
【００１４】２Ａは撮像領域１の下側に設けられた水平
レジスタ、２Ｂは撮像領域１の上側に設けられた水平レ
ジスタである。水平レジスタ２Ａは垂直レジスタ４ａ、
４ａ、・・・により図１における下向きに転送されてき
た信号電荷を水平方向に転送する。水平レジスタ２Ｂは
垂直レジスタ４ｂ、４ｂ、・・・により上向きに転送さ
れてきた信号電荷を水平方向に転送する。このように、
撮像領域１の上下両側に水平レジスタを有することが本
固体撮像素子の最大の特徴である。５ａ、５ｂは該水平
レジスタ２Ａ、２Ｂの転送先側に設けられた出力部で、
ＦＤＡ（あるいはＦＧＡ）方式により水平レジスタ２
Ａ、２Ｂからの信号電荷を電圧に変換する。６ａ、６ｂ
はバッファアンプである。Reference numeral 2A denotes a horizontal register provided below the image pickup area 1, and 2B denotes a horizontal register provided above the image pickup area 1. The horizontal register 2A is a vertical register 4a,
4a, the signal charges transferred downward in FIG. 1 are transferred in the horizontal direction. The horizontal register 2B transfers the signal charges transferred upward by the vertical registers 4b, 4b,... In the horizontal direction. in this way,
The main feature of the present solid-state imaging device is to have horizontal registers on the upper and lower sides of the imaging region 1. 5a and 5b are output units provided on the transfer destination side of the horizontal registers 2A and 2B.
Horizontal register 2 by FDA (or FGA) method
The signal charges from A and 2B are converted into voltages. 6a, 6b
Is a buffer amplifier.
【００１５】７、８、９、１０は垂直レジスタ４、４、
・・・の転送電極で、２層のポリシリ層からなり、共に
水平方向に配設され垂直レジスタ４ａ、４ｂ上にて上或
いは下側に延びる歯を有するようなパターンを有してお
り、４相駆動パルスφＶ１、φＶ２、φＶ３、φＶ４に
より駆動される。具体的には、転送電極７、７、・・・
は第２層目のポリシリコン層（図面において右に行く程
上がるハッチングを施してある。）からなり、垂直レジ
スタ４ａ上においては上に延びる比較的長い歯を有し、
垂直レジスタ４ｂ上においては下に延びる比較的長い歯
を有するパターンになっており、駆動パルスφＶ１を受
ける。7, 8, 9, 10 are vertical registers 4, 4,
.. Are formed of two polysilicon layers, both of which are arranged in the horizontal direction and have a pattern having teeth extending upward or downward on the vertical registers 4a, 4b. It is driven by phase drive pulses φV1, φV2, φV3, φV4. Specifically, the transfer electrodes 7, 7,...
Is composed of a second polysilicon layer (hatched upward in the drawing), has relatively long teeth extending upward on the vertical register 4a,
The vertical register 4b has a pattern having relatively long teeth extending downward and receives the drive pulse φV1.
【００１６】次に、転送電極８、８、・・・は第１層目
のポリシリコン層（図面において右に行く程下がるハッ
チングを施してある。そして、第１層目のポリシリコン
に第２層目のポリシリコン層がオーバーラップする部分
は斜め格子状のハッチングになる。）からなり、垂直レ
ジスタ４ａ上においては下に延びる比較的短い歯を有
し、垂直レジスタ４ｂ上においては上に延びる比較的短
い歯を有するパターンになっており、駆動パルスφＶ２
を受ける。次に、転送電極９、９、・・・は第２層目の
ポリシリコン層からなり、垂直レジスタ４ａ上において
は上に延びる比較的長い歯を有し、垂直レジスタ４ｂ上
においては下に延びる比較的長い歯を有するパターンに
なっており、駆動パルスφＶ３を受ける。The transfer electrodes 8, 8,... Are provided with a first polysilicon layer (hatched to the right in the drawing, and a second polysilicon layer is formed on the first polysilicon layer). A portion where the second polysilicon layer overlaps is hatched in an oblique lattice pattern), has relatively short teeth extending downward on the vertical register 4a, and extends upward on the vertical register 4b. The pattern has relatively short teeth, and the driving pulse φV2
Receive. .. Are formed of a second polysilicon layer, have relatively long teeth extending upward on the vertical register 4a, and extend downward on the vertical register 4b. It has a pattern with relatively long teeth and receives a drive pulse φV3.
【００１７】そして、転送電極１０、１０、・・・は第
１層目のポリシリコン層からなり、水平レジスタ４ａ上
においては下向きに比較的短く延びる歯を有し、水平レ
ジスタ４ｂ上においては上向きに比較的短く延びる歯を
有するパターンになっており、駆動パルスφＶ４を受け
る。そして、画素を成す各受光素子３は上記各垂直転送
電極７、８、９、１０により囲繞されている。The transfer electrodes 10, 10,... Are made of a first polysilicon layer and have relatively short teeth extending downward on the horizontal register 4a and upward on the horizontal register 4b. , And has a pattern having teeth extending relatively short, and receives a drive pulse φV4. Each light receiving element 3 forming a pixel is surrounded by each of the vertical transfer electrodes 7, 8, 9, and 10.
【００１８】このように本固体撮像素子の垂直転送電極
７、８、９、１０は、垂直レジスタ一つ毎に電極の垂直
方向における配列関係が逆になっており、その点で通常
の固体撮像素子のそれと大きく異なっており、従って、
隣接垂直レジスタ４ａ・４ｂの電荷転送方向が互いに逆
になるのである。As described above, the vertical transfer electrodes 7, 8, 9, and 10 of the solid-state image pickup device have the arrangement of the electrodes in the vertical direction reversed for each vertical register. Is very different from that of the element,
The charge transfer directions of the adjacent vertical registers 4a and 4b are opposite to each other.
【００１９】図２（Ａ）、（Ｂ）は図１に示した実施例
の動作を示すもので、（Ａ）は垂直レジスタ４ａ、４ｂ
を駆動する４相駆動パルスφＶ１、φＶ２、φＶ３、φ
Ｖ４のタイミングチャート、（Ｂ）は転送状態の変化を
示す変化図であり、（Ａ）、（Ｂ）の両図において上半
分はオッドフィールドを、下半分はイーブンフィールド
を示し、そして、（Ｂ）においては左半分は垂直レジス
タ４Ａの動作を、右半分は垂直レジスタ４Ｂの動作を示
す。本動作はフィールド読みだし動作である。本固体撮
像素子の４相駆動パルスは通常の垂直レジスタの４相駆
動パルスと特に異なるところはないが、垂直転送電極
７、８、９、１０、７、８、９、１０、・・・が上述し
た形状を有するので、図１（Ｂ）に示すような垂直レジ
スタ４ａと垂直レジスタ４ｂとで電極の垂直方向におけ
る配列が逆になり、それ故に、転送方向が異なるのであ
る。かかる転送動作について具体的に説明する。尚、Ｈ
Ｄは水平同期パルスである。FIGS. 2A and 2B show the operation of the embodiment shown in FIG. 1. FIG. 2A shows the vertical registers 4a and 4b.
Phase driving pulses φV1, φV2, φV3, φ
(B) is a change diagram showing the change of the transfer state. In both figures (A) and (B), the upper half shows the odd field, the lower half shows the even field, and (B) In ()), the left half shows the operation of the vertical register 4A, and the right half shows the operation of the vertical register 4B. This operation is a field reading operation. Although the four-phase drive pulse of the solid-state imaging device is not particularly different from the four-phase drive pulse of the normal vertical register, the vertical transfer electrodes 7, 8, 9, 10, 7, 8, 9, 10,. Because of the above-described shape, the vertical register 4a and the vertical register 4b as shown in FIG. 1B have the electrodes arranged in the reverse direction in the vertical direction, and therefore have different transfer directions. The transfer operation will be specifically described. Note that H
D is a horizontal synchronization pulse.
【００２０】先ず、オッドフィールドのときの動作を説
明すると、図２中のの時にはφＶ１が読み出しレベル
になり、受光素子３、３、・・・から垂直レジスタ４
ａ、４ｂのφＶ１下への読み出しが一斉に行われる。
尚、理解し易くするために、図１（Ｂ）において、この
とき読み出しが行われる受光素子のうち垂直レジスタ４
ａに信号電荷を送り出す受光素子には３ａ、垂直レジス
タ４ｂに信号電荷を送り出す受光素子には３ｂの符号を
付し、また、少し後のの時に読み出しが行われる受光
素子のうち垂直レジスタ４ａに信号電荷を読み出す受光
素子には３ａ′、垂直レジスタ４ｂに信号電荷を読み出
す受光素子には３ｂ′の符号を付した。の時にφＶ１
は通常のハイレベルになり、そして、の時にφＶ３が
読み出しレベルになり、受光素子３ａ′、３ｂ′から垂
直レジスタ４ａ、４ｂのφＶ３下への読み出しが一斉に
行われる。尚、の時φＶ３は通常のハイレベルにな
る。First, the operation in the odd field will be described. In the case of FIG. 2, φV1 becomes the read level, and the light receiving elements 3, 3,.
Reading of a and 4b below φV1 is performed simultaneously.
For easy understanding, in FIG. 1B, the vertical register 4 of the light receiving elements to be read at this time is used.
A light receiving element that sends out signal charges to a is denoted by 3a, and a light receiving element that sends out signal charges to the vertical register 4b is denoted by 3b. The light receiving element for reading the signal charge is denoted by 3a ', and the light receiving element for reading the signal charge to the vertical register 4b is denoted by 3b'. ΦV1
Goes to a normal high level, and at that time, φV3 goes to the read level, and reading from the light receiving elements 3a ′, 3b ′ to φV3 below the vertical registers 4a, 4b is performed simultaneously. At this time, φV3 becomes a normal high level.
【００２１】そして、の時にφＶ１、φＶ２、φＶ３
がハイレベルになる。すると、φＶ４下の部分を障壁と
してφＶ１、φＶ３下の信号電荷がφＶ１、φＶ２、φ
Ｖ３下において混合する。具体的には、垂直レジスタ４
ａの場合、受光素子３ａからのφＶ１下の信号電荷とそ
れより図１における下側にある受光素子３ａ′からのφ
Ｖ３下の信号電荷とが混合する。それに対して、垂直レ
ジスタ４ｂの場合、受光素子３ｂからのφＶ１下の信号
電荷とそれより上の受光素子３ｂ′からのφＶ３下の信
号電荷とが混合する。次に、の時にはφＶ１がロウレ
ベルになり、その結果、垂直レジスタ４ａの場合は下側
に、垂直レジスタ４ｂの場合は上側に信号電荷が移動す
る。以後この動作が繰り返される。このように、垂直レ
ジスタ４ａと垂直レジスタ４ｂとは互いに逆方向に信号
電荷の転送をするのである。At the time, φV1, φV2, φV3
Becomes high level. Then, the signal charge under φV1, φV3 is changed to φV1, φV2, φ with the portion under φV4 as a barrier.
Mix under V3. Specifically, the vertical register 4
In the case of a, the signal charge below φV1 from the light receiving element 3a and the signal charge below φV1 from the light receiving element 3a ′ in FIG.
The signal charges under V3 are mixed. On the other hand, in the case of the vertical register 4b, the signal charge below φV1 from the light receiving element 3b and the signal charge below φV3 from the light receiving element 3b ′ above it are mixed. Next, at the time, φV1 becomes low level. As a result, the signal charge moves to the lower side in the case of the vertical register 4a and to the upper side in the case of the vertical register 4b. Thereafter, this operation is repeated. As described above, the vertical register 4a and the vertical register 4b transfer signal charges in mutually opposite directions.
【００２２】次に、イーブンフィールドにおける動作を
説明する。イーブンフィールド動作は基本的にオッドフ
ィールド動作と異なるところがないが、の時φＶ２で
はなくφＶ４がハイレベルになり、φＶ３、φＶ４、φ
Ｖ１下において信号電荷が混合され、そして、φＶ４下
ではなくφＶ２下に信号電荷に対する障壁ができる点で
オッドフィールド動作と異なっており、従って、混合す
る受光素子の水平行の組み合わせをオッドフィールドと
イーブンフィールドとで切り換えることができ、延いて
はフィールド読み出しによるインターレースができるの
である。Next, the operation in the even field will be described. Even field operation is basically the same as odd field operation, but at this time, φV4 instead of φV2 becomes high level, and φV3, φV4, φ
It differs from the odd-field operation in that the signal charges are mixed under V1 and a barrier to the signal charges is formed under φV2 instead of under φV4. It is possible to switch between fields and interlaced by field reading.
【００２３】水平レジスタ２Ａ、２Ｂは互いに同時に平
行して動作し、垂直レジスタ４ａ、４ｂから垂直方向に
転送されてきた信号電荷を受ける毎に水平転送し、そし
て、出力部５ａ、５ｂにおいてそれを電圧に変換してバ
ッファ６ａ、６ｂを介して外部に出力する。尚、この二
つの出力は適宜な画像メモリに一旦記憶し、それを適宜
な順序で読み出し、これを映像出力として再生回路にお
いて再生する。というのは、二つの水平レジスタ２Ａ、
２Ｂから出力される信号電荷の順序は、互いに逆にな
り、水平レジスタ２Ａの場合、下の画素から上の画素へ
という順に信号が出力されるのに対し、水平レジスタ２
Ｂの場合、上の画素から下の画素へという順に信号の出
力が為されるから、信号の出力の順序を普通の固体撮像
素子において読み出される順序通りに直すことが必要で
あり、それには、画像メモリをバッファとして利用する
のが好適であるからである。The horizontal registers 2A and 2B operate simultaneously and in parallel with each other, each time the signal charges transferred in the vertical direction from the vertical registers 4a and 4b are received, they are transferred horizontally, and then the signals are output from the output units 5a and 5b. It is converted into a voltage and output to the outside via the buffers 6a and 6b. The two outputs are temporarily stored in an appropriate image memory, read out in an appropriate order, and reproduced as a video output in a reproduction circuit. This is because two horizontal registers 2A,
The order of the signal charges output from the horizontal register 2B is opposite to that of the horizontal register 2A. In the case of the horizontal register 2A, signals are output in order from the lower pixel to the upper pixel, whereas
In the case of B, signals are output in order from the upper pixel to the lower pixel, so it is necessary to change the order of signal output to the order read out in a normal solid-state imaging device. This is because it is preferable to use the image memory as a buffer.
【００２４】このような固体撮像素子によれば、撮像領
域１の上下両側に水平レジスタ２Ａ、２Ｂを設け、各水
平レジスタ２Ａ、２Ｂはそれぞれ一つ置きの垂直レジス
タ４ａ、４ａ、・・・或いは垂直レジスタ４ｂ、４ｂ、
・・・からの電荷を転送するようにしたので、水平レジ
スタ２Ａ、２Ｂのビットの配置ピッチを、受光素子３、
３、・・・の水平方向における配置ピッチの２倍にする
ことができ、水平レジスタ２Ａ、２Ｂに要求される加工
精度が低くて済み、また、水平レジスタ２Ａ、２Ｂを駆
動する二相の水平駆動パルスφＨ１、φＨ２の周波数、
即ち水平駆動周波数も水平レジスタが撮像領域の上下の
いずれか一方にしかない従来の場合の２分の１で済み、
従って、固体撮像素子の消費電力が少なくて済むのみな
らず、不要輻射を少なくできる。しかも、その二つの水
平レジスタ間で信号電荷の転送をする必要がないので、
水平レジスタ間の転送を完全にすることと水平レジスタ
の取り扱い電荷量を充分に確保することを両立させると
いう問題がない。尚、フレーム読み出し方式にしても本
発明を適用することができる。According to such a solid-state imaging device, the horizontal registers 2A and 2B are provided on both the upper and lower sides of the imaging area 1, and each of the horizontal registers 2A and 2B is provided with every other vertical register 4a, 4a,. Vertical registers 4b, 4b,
.. Are transferred, the bit pitch of the horizontal registers 2A and 2B is set to
.. Can be made twice as long as the horizontal arrangement pitch of the horizontal registers 2A and 2B, and the processing accuracy required for the horizontal registers 2A and 2B is low. Frequency of drive pulses φH1, φH2,
In other words, the horizontal drive frequency is half that of the conventional case in which the horizontal register is provided only at one of the upper and lower sides of the imaging area,
Therefore, not only the power consumption of the solid-state imaging device can be reduced, but also unnecessary radiation can be reduced. Moreover, since there is no need to transfer signal charges between the two horizontal registers,
There is no problem of achieving both transfer between the horizontal registers completely and ensuring a sufficient amount of electric charges handled by the horizontal registers. The present invention can be applied to a frame reading method.
【００２５】図３（Ａ）乃至（Ｃ）は本発明固体撮像素
子の他の実施例を示すもので、（Ａ）は垂直転送電極の
パターンを示すための平面図、（Ｂ）は垂直レジスタを
駆動する３相駆動パルスのタイムチャートで、上の部分
は略一水平期間分を示し、下の部分はそのうちの垂直転
送部分を時間軸及び振幅軸を拡大して示し、（Ｃ）は転
送状態の変化を示す変化図であり、左半分は電荷を下向
き[ 図３（Ａ）における下向き] に転送する垂直レジス
タ４ａの動作を示し、右半分は電荷を上向き[図３
（Ａ）における上向き] に転送する垂直レジスタ４ｂの
動作を示す。本固体撮像素子は、図１、図２に示した固
体撮像素子とは、三相駆動パルスにより垂直レジスタ４
ａ、４ｂを駆動する点で相違するが、それ以外の点では
共通し、概略構成平面図は図１と全く同じになるので省
略すると共に、説明においても既に説明したのと共通す
る部分については省略し、相違する部分についてのみ説
明することとする。尚、本例の動作はノンインターレー
ス全画素読み出し動作である。FIGS. 3A to 3C show another embodiment of the solid-state imaging device according to the present invention, wherein FIG. 3A is a plan view showing a pattern of a vertical transfer electrode, and FIG. In the time chart of the three-phase driving pulse for driving the data, the upper part shows approximately one horizontal period, the lower part shows the vertical transfer part of the time axis and the amplitude axis in an enlarged manner, and FIG. FIG. 4 is a change diagram showing a change in state, in which the left half shows the operation of the vertical register 4a for transferring electric charges downward [downward in FIG. 3A], and the right half shows electric charges upward [FIG.
The operation of the vertical register 4b for transferring the data upward is shown in FIG. The present solid-state imaging device is different from the solid-state imaging device shown in FIGS.
a and 4b are driven, but they are common in the other points, and the schematic configuration plan view is completely the same as that of FIG. 1. Therefore, the description is omitted. The description will be omitted, and only the differences will be described. Note that the operation of this example is a non-interlaced all-pixel reading operation.
【００２６】図３（Ａ）において、１１、１２、１３は
垂直レジスタ４ａ、垂直レジスタ４ｂを駆動する垂直転
送電極で、いずれもポリシリコン層からなる。垂直転送
電極１１は第１層のポリシリコン（単に実線で示す。）
からなり、平面形状は帯状であり、受光素子の各隣接水
平行間に真っ直ぐに形成されており、φＶ１を受ける。
垂直転送電極１２は第２層目のポリシリコン（右へ行く
ほど上に行くハッチングを施した。）からなり、帯状体
に垂直レジスタ４ａ上においては上に延びる歯を、垂直
レジスタ４ｂ上においては下に延びる歯を設けたパター
ンに形成されており、φＶ２を受ける。垂直転送電極１
３は第３層目のポリシリコン層（単に実線で示す。）か
らなり、帯状体に垂直レジスタ４ａ上においては下に延
びる歯を、垂直レジスタ４ｂ上においては上に延びる歯
を設けたパターンに形成されており、φＶ３を受ける。In FIG. 3A, reference numerals 11, 12, and 13 denote vertical transfer electrodes for driving the vertical registers 4a and 4b, each of which is made of a polysilicon layer. The vertical transfer electrode 11 is a first layer of polysilicon (shown simply by a solid line).
, And has a band-like planar shape, is formed straight between adjacent horizontal rows of the light receiving element, and receives φV1.
The vertical transfer electrode 12 is made of a second layer of polysilicon (hatched upward as it goes to the right), and the strips have teeth extending upward on the vertical register 4a, and teeth extending on the vertical register 4b. It is formed in a pattern with teeth extending downward and receives φV2. Vertical transfer electrode 1
Numeral 3 is a third polysilicon layer (shown simply by a solid line). The strip has a pattern in which teeth extending downward on the vertical register 4a and teeth extending upward on the vertical register 4b are provided. And receives φV3.
【００２７】この固体撮像素子は、φＶ１を受ける垂直
転送電極１１に対するφＶ２を受ける垂直転送電極１２
とφＶ３を受ける垂直転送電極１３の垂直方向における
配列関係が垂直レジスタ４ａと、垂直レジスタ４ｂとで
互いに逆になっている。即ち、垂直レジスタ４ａにおい
ては垂直転送電極１１に対して垂直転送電極１２が上、
垂直転送電極１３が下であるのに対して、垂直レジスタ
４ｂにおいては垂直転送電極１１に対して垂直転送電極
１２が下で、垂直転送電極１３が上である。従って、垂
直レジスタ４ａと垂直レジスタ４ｂとは共通の駆動パル
スφＶ１、φＶ２、φＶ３により駆動されながら信号電
荷を互いに逆方向に転送することができるのである。こ
の点について、具体的に説明する。尚、ＨＤは水平同期
パルスである。This solid-state imaging device has a vertical transfer electrode 12 receiving φV2 and a vertical transfer electrode 12 receiving φV2.
And the vertical transfer electrodes 13 receiving φV3 are opposite to each other in the vertical register 4a and the vertical register 4b. That is, in the vertical register 4a, the vertical transfer electrode 12 is positioned above the vertical transfer electrode 11;
In the vertical register 4b, the vertical transfer electrode 12 is lower than the vertical transfer electrode 11 and the vertical transfer electrode 13 is upper in the vertical register 4b. Therefore, the vertical register 4a and the vertical register 4b can transfer signal charges in mutually opposite directions while being driven by the common drive pulses φV1, φV2, φV3. This will be specifically described. HD is a horizontal synchronization pulse.
【００２８】図３（Ｂ）に示すように、φＶ２、φＶ３
を読み出しレベルにすることにより各受光素子３、３、
・・・からの信号電荷の読み出しを行う。そして、その
φＶ２、φＶ３は通常のハイレベルになり、更に、φＶ
３はロウレベルになる。その結果、信号電荷はφＶ２を
受ける電極下にアキュムレートされた状態になる。これ
がの状態である。次のの時にφＶ１がハイレベルに
なり、φＶ２を受ける垂直転送電極１２下の信号電荷は
φＶ１を受ける垂直転送電極１１下まで広がる。この広
がる方向は、必然的に、垂直レジスタ４ａの場合下向き
の方向であるのに対して、垂直レジスタ４ｂは上向き方
向であり、隣接垂直レジスタ４ａ・４ｂ間で互いに逆方
向である。As shown in FIG. 3B, φV2, φV3
At the read level, the light receiving elements 3, 3,.
.. Are read out. Then, φV2 and φV3 go to the normal high level.
3 goes low. As a result, the signal charges are accumulated under the electrode receiving φV2. This is the state. At the next time, φV1 goes high, and the signal charge under the vertical transfer electrode 12 receiving φV2 spreads below the vertical transfer electrode 11 receiving φV1. This spreading direction is inevitably the downward direction in the case of the vertical register 4a, while the vertical register 4b is the upward direction, which is the opposite direction between the adjacent vertical registers 4a and 4b.
【００２９】次のの時にφＶ２がロウレベルになり、
信号電荷はφＶ１を受ける垂直転送電極１１下のみに存
在する状態になる。次のの時にφＶ３がハイレベルに
なり、垂直転送電極１１下の電荷は垂直転送電極１３下
に広がる。次のの時にφＶ１がロウレベルになり、垂
直転送電極１１及び垂直転送電極１３下にあった信号電
荷は垂直転送電極１３下のみに存在する状態になる。こ
のようにして信号電荷は転送されて行くが、図３（Ｃ）
に示すように、垂直レジスタ４ａと垂直レジスタ４ｂと
では信号電荷の転送方向が互いに逆になるのである。At the next time, φV2 goes low,
The signal charge is present only under the vertical transfer electrode 11 receiving φV1. At the next time, φV3 becomes high level, and the electric charge under the vertical transfer electrode 11 spreads under the vertical transfer electrode 13. At the next time, φV1 becomes low level, and the signal charge under the vertical transfer electrode 11 and the vertical transfer electrode 13 exists only under the vertical transfer electrode 13. The signal charges are transferred in this manner, but as shown in FIG.
As shown in (1), the transfer directions of the signal charges in the vertical register 4a and the vertical register 4b are opposite to each other.
【００３０】この固体撮像素子においても図１、図２に
示した固体撮像素子と全く同じように、撮像領域１の上
下両側に水平レジスタ２Ａ、２Ｂを設け、各水平レジス
タ２Ａ、２Ｂはそれぞれ一つ置きの垂直レジスタ４ａ、
４ａ、・・・或いは垂直レジスタ４ｂ、４ｂ、・・・か
らの信号電荷を転送するようにしたので、水平レジスタ
２Ａ、２Ｂのビットの配置ピッチを、受光素子３、３、
・・・の水平方向における配置ピッチの２倍にすること
ができ、水平レジスタ２Ａ、２Ｂに要求される加工精度
が低くて済み、また、水平レジスタ２Ａ、２Ｂを駆動す
る二相の水平駆動パルスφＨ１、φＨ２の周波数、即ち
水平駆動周波数も水平レジスタが撮像領域の上下のいず
れか一方にしかない従来の場合の２分の１で済む。従っ
て、固体撮像素子の消費電力が少なくて済むのみならず
不要輻射も少なくできる。しかも、その二つの水平レジ
スタ２Ａ・２Ｂ間で信号電荷の転送をする必要がないの
で、二つの水平レジスタ間の転送を完全にすることと水
平レジスタの取り扱い電荷量を充分に確保することの両
立を図るという難しい問題がなくなる。In this solid-state image pickup device, horizontal registers 2A and 2B are provided on the upper and lower sides of the image pickup area 1 just like the solid-state image pickup device shown in FIGS. Every other vertical register 4a,
Or the signal charges from the vertical registers 4b, 4b,..., The bit arrangement pitch of the horizontal registers 2A, 2B is changed to the light receiving elements 3, 3,.
.. Can be made twice as long as the horizontal arrangement pitch, the processing accuracy required for the horizontal registers 2A and 2B can be reduced, and two-phase horizontal drive pulses for driving the horizontal registers 2A and 2B can be used. The frequency of φH1 and φH2, that is, the horizontal driving frequency, is only half that in the conventional case where the horizontal register is located at either the upper or lower side of the imaging area. Therefore, not only the power consumption of the solid-state imaging device is reduced, but also unnecessary radiation can be reduced. Moreover, since it is not necessary to transfer the signal charge between the two horizontal registers 2A and 2B, it is possible to complete the transfer between the two horizontal registers and to ensure a sufficient amount of charge to be handled by the horizontal register. Eliminate the difficult problem of planning.
【００３１】[0031]
【発明の効果】請求項１の固体撮像素子によれば、撮像
領域の上下両側に水平レジスタを設け、三層駆動パルス
を受ける第１の垂直転送電極に対する第２と第３の垂直
転送電極の垂直方向における配列が隣接垂直レジスタで
互いに逆になっているので、隣接垂直レジスタが共通の
駆動パルスにより駆動されながら信号電荷を互いに逆方
向に転送することができる。従って、上下両側に設けた
上記各水平レジスタはそれぞれ撮像領域の一つ置きの垂
直レジスタからの電荷を転送すれば良いので、水平レジ
スタのビットの配置ピッチを、撮像領域の受光素子の水
平方向における配置ピッチの２倍にすることができ、要
求される水平レジスタの加工精度が低くて済む。According to the solid-state image pickup device of the first aspect, horizontal registers are provided on the upper and lower sides of the image pickup area, and the second and third vertical transfer electrodes with respect to the first vertical transfer electrode receiving the three-layer driving pulse are provided. Since the arrangement in the vertical direction is opposite to each other in the adjacent vertical registers, the adjacent vertical registers can transfer the signal charges in the opposite directions while being driven by the common drive pulse. Therefore, since each of the horizontal registers provided on the upper and lower sides only needs to transfer the charge from every other vertical register in the imaging region, the arrangement pitch of the bits of the horizontal register is set in the horizontal direction of the light receiving element in the imaging region. The arrangement pitch can be doubled, and the required processing accuracy of the horizontal register is low.
【００３２】また、水平レジスタを駆動する水平駆動周
波数も水平レジスタが撮像領域の上下一方にしかない場
合の２分の１で済むので固体撮像素子の消費電力が少な
くて済むのみならず不要輻射も少なくできる。しかも、
その二つの水平レジスタ間で信号電荷の転送をする必要
がないので、水平レジスタ間の転送を完全にすること水
平レジスタの取り扱い電荷量を充分に確保することを両
立させるという難しい問題もなくなる。Further, since the horizontal driving frequency for driving the horizontal register is only one half of that in the case where the horizontal register is located only at one of the upper and lower sides of the imaging area, not only the power consumption of the solid-state imaging device is reduced, but also unnecessary radiation is reduced. it can. Moreover,
Since there is no need to transfer the signal charge between the two horizontal registers, there is no difficult problem that the transfer between the horizontal registers is completely completed and the sufficient amount of charges to be handled by the horizontal register is compatible.
【図１】（Ａ）、（Ｂ）は本発明固体撮像素子の一つの
実施例を示すもので、（Ａ）は固体撮像素子の概略構成
を示す平面図、（Ｂ）は垂直レジスタの垂直転送電極の
パターンを示す平面図である。FIGS. 1A and 1B show one embodiment of the solid-state imaging device of the present invention, wherein FIG. 1A is a plan view showing a schematic configuration of the solid-state imaging device, and FIG. FIG. 3 is a plan view showing a pattern of a transfer electrode.
【図２】（Ａ）、（Ｂ）は上記実施例の動作説明をする
ためのもので、（Ａ）は垂直レジスタを駆動する４相駆
動パルスのタイミングチャート、（Ｂ）は転送状態の変
化を示す図である。FIGS. 2A and 2B are diagrams for explaining the operation of the above embodiment, in which FIG. 2A is a timing chart of a four-phase driving pulse for driving a vertical register, and FIG. FIG.
【図３】（Ａ）乃至（Ｃ）は本発明固体撮像素子の他の
実施例を示すもので、（Ａ）は垂直レジスタの垂直転送
電極のパターンを示す平面図、（Ｂ）は垂直レジスタを
駆動する３相駆動パルスのタイミングチャート、（Ｃ）
は転送状態の変化を示す変化図である。FIGS. 3A to 3C show another embodiment of the solid-state imaging device according to the present invention, wherein FIG. 3A is a plan view showing a pattern of a vertical transfer electrode of a vertical register, and FIG. Timing chart of a three-phase drive pulse for driving the (C)
FIG. 4 is a change diagram showing a change in a transfer state.
【図４】固体撮像素子の従来例の概略構成を示す平面図
である。FIG. 4 is a plan view showing a schematic configuration of a conventional example of a solid-state imaging device.
【図５】上記従来例の垂直転送電極のパターンを示す平
面図である。FIG. 5 is a plan view showing a pattern of a vertical transfer electrode of the conventional example.
【図６】（Ａ）、（Ｂ）は４相駆動垂直レジスタを駆動
する４相駆動パルスのタイミングチャートであり、
（Ａ）は垂直転送及び水平転送時を、（Ｂ）は垂直転送
時を示す。FIGS. 6A and 6B are timing charts of a four-phase drive pulse for driving a four-phase drive vertical register;
(A) shows vertical transfer and horizontal transfer, and (B) shows vertical transfer.
１ 撮像領域 ２Ａ 下側水平レジスタ ２Ｂ 上側水平レジスタ ３ 受光素子（画素） ４ａ 電荷を下側に転送する垂直レジスタ ４ｂ 電荷を上側に転送する垂直レジスタ ７、８、９、１０ 垂直転送電極 １１、１２、１３ 垂直転送電極 φＶ１〜φＶ４ ４相駆動パルス φＶ１〜φＶ３ ３相駆動パルス DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Image pick-up area 2A Lower horizontal register 2B Upper horizontal register 3 Light receiving element (pixel) 4a Vertical register 4b which transfers electric charge to the lower side Vertical register 7 which transfers electric charge to the upper side 7, 8, 9, 10 Vertical transfer electrode 11, 12 , 13 Vertical transfer electrode φV1 to φV4 4-phase drive pulse φV1 to φV3 3-phase drive pulse
Claims (1)
素子及び該受光素子の各垂直列に対応して設けられその
垂直列の受光素子からの電荷を垂直方向に転送する垂直
レジスタからなる撮像領域と、 上記撮像領域の上下両側に設けられた上側水平レジスタ
及び下側水平レジスタと、 を有し、 垂直レジスタを駆動する垂直転送電極として、受光素子
の各隣接水平行間を通る略帯状の第１の垂直転送電極
と、同じく各隣接水平行間を通り、略帯状体に、奇数列
の受光素子からの信号電荷を転送する各垂直レジスタ上
においては上側と下側のうちの一方の側に延び、偶数列
の受光素子からの信号電荷を転送する垂直レジスタ上に
おいては上側と下側のうちの他方の側に延びる歯を設け
た平面形状を有する第２の垂直転送電極と、同じく各隣
接水平行間を通り、略帯状体に、各垂直レジスタ上にお
いて上記第２の垂直転送電極とは逆方向に延びる歯を設
けた平面形状を有する第３の垂直転送電極を有し、 上記垂直転送電極は、３相駆動パルスを受けて奇数列の
受光素子からの信号電荷を転送する各垂直レジスタを上
記上側及び下側水平レジスタのうちの一方の水平レジス
タへ向けて、偶数列の受光素子からの信号電荷を転送す
る各垂直レジスタを上記上側及び下側水平レジスタのう
ちの他方に向けて、互いに逆方向に信号電荷の転送をす
るよう駆動するようにされてなることを特徴とする固体
撮像素子A plurality of light-receiving elements which form pixels and are arranged vertically and horizontally, and a vertical register which is provided corresponding to each vertical column of the light-receiving elements and transfers electric charges from the light-receiving elements in the vertical column in a vertical direction. And an upper horizontal register and a lower horizontal register provided on both the upper and lower sides of the imaging area. As a vertical transfer electrode for driving the vertical register, a substantially band shape passing between each adjacent horizontal line of the light receiving element. The first vertical transfer electrode and one of the upper and lower sides on each vertical register for transferring the signal charges from the light receiving elements in the odd-numbered columns to a substantially band-like body, also passing between adjacent horizontal rows. And a second vertical transfer electrode having a planar shape provided with teeth extending on the other of the upper side and the lower side on the vertical register for transferring the signal charges from the light receiving elements in the even-numbered columns. Adjacent horizontal row A third vertical transfer electrode having a planar shape provided with teeth extending in a direction opposite to the second vertical transfer electrode on each vertical register in a substantially strip shape passing through the gap, and the vertical transfer electrode includes: The respective vertical registers for receiving the three-phase drive pulse and transferring the signal charges from the odd-numbered light receiving elements are directed to one of the upper and lower horizontal registers, and the signals from the even-numbered light receiving elements are A solid-state imaging device, wherein each of the vertical registers for transferring electric charges is driven toward the other of the upper and lower horizontal registers so as to transfer signal charges in opposite directions to each other.
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |