JP3266592B2 - Csp素子が形成されたウェハ及びbga素子のテストソケット - Google Patents
Csp素子が形成されたウェハ及びbga素子のテストソケットInfo
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- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
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- H01R12/50—Fixed connections
- H01R12/51—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures
- H01R12/55—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures characterised by the terminals
- H01R12/57—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures characterised by the terminals surface mounting terminals
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- H01R12/716—Coupling device provided on the PCB
-
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K1/111—Pads for surface mounting, e.g. lay-out
- H05K1/112—Pads for surface mounting, e.g. lay-out directly combined with via connections
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
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Description
【0001】
【発明の属する技術の分野】本発明は、BGA素子のテス
トソケットに係るもので、特に、CSP素子が形成された
ウェハ及びBGA素子に形成されたソルダボールとの電気
的導電性を向上させるためにワイピング作用(wiping ac
tion)の可能な接触素子を有するCSP素子が形成されたウ
ェハ及びBGA素子のテストソケットに関する。
トソケットに係るもので、特に、CSP素子が形成された
ウェハ及びBGA素子に形成されたソルダボールとの電気
的導電性を向上させるためにワイピング作用(wiping ac
tion)の可能な接触素子を有するCSP素子が形成されたウ
ェハ及びBGA素子のテストソケットに関する。
【0002】
【従来の技術】BGA(ball grid array)形態にパッケージ
されたBGA素子は、高温テストの際に、ソルダボール表
面に大気中の空気と反応して容易に自然酸化膜が形成さ
れる。このような自然酸化膜はBGA素子のテストの際、
ソルダボールとテスト装置との電気的連結の接続を不良
に作る原因となって、テスト装置により正確にBGA素子
をテストすることができなくなる。
されたBGA素子は、高温テストの際に、ソルダボール表
面に大気中の空気と反応して容易に自然酸化膜が形成さ
れる。このような自然酸化膜はBGA素子のテストの際、
ソルダボールとテスト装置との電気的連結の接続を不良
に作る原因となって、テスト装置により正確にBGA素子
をテストすることができなくなる。
【0003】それで、ソルダ表面に形成された自然酸化
膜を除去するためにワイピング作用が要求されている。
膜を除去するためにワイピング作用が要求されている。
【0004】ワイピング作用の可能な従来のBGA素子の
テストソケットを添付図を用いて説明する。
テストソケットを添付図を用いて説明する。
【0005】図26は、従来のBGA素子のテストソケッ
トの断面図で、一定した間隔でソルダボール1aが配列
されたBGA素子1がテストソケットによりロードボード
(loadboard)4に接触した状態を示す。テストソケット
の接触子3はハウジング2に2次元配列に設置され、そ
の一端3aはBGA素子1のソルダボール1aに接触され、
他端3bはロードボード4に接触される。この状態でロ
ードボード4を通してテスト信号をBGA素子1に伝送さ
せてテストを実施する。
トの断面図で、一定した間隔でソルダボール1aが配列
されたBGA素子1がテストソケットによりロードボード
(loadboard)4に接触した状態を示す。テストソケット
の接触子3はハウジング2に2次元配列に設置され、そ
の一端3aはBGA素子1のソルダボール1aに接触され、
他端3bはロードボード4に接触される。この状態でロ
ードボード4を通してテスト信号をBGA素子1に伝送さ
せてテストを実施する。
【0006】BGA素子1にテスト信号を伝送するとき、
素子が数百MHz以上の高周波領域で動作する場合に接触
子3が長いと、接触子3に寄生インダクタンス及びキャ
パシタンスが発生される。これを最小化するため接触子
3をS字状にして、長さが短くなるように形成する。S字
状に形成された接触子3はソルダボール1aとの接触の
ときに、接触子3の一端3aによりソルダボール1a表面
を触れ合うように接触され、このとき、ソルダボール1
aに形成された自然酸化膜を除去するワイピング作用が
実施される。
素子が数百MHz以上の高周波領域で動作する場合に接触
子3が長いと、接触子3に寄生インダクタンス及びキャ
パシタンスが発生される。これを最小化するため接触子
3をS字状にして、長さが短くなるように形成する。S字
状に形成された接触子3はソルダボール1aとの接触の
ときに、接触子3の一端3aによりソルダボール1a表面
を触れ合うように接触され、このとき、ソルダボール1
aに形成された自然酸化膜を除去するワイピング作用が
実施される。
【0007】ワイピング作用をするため、接触子3を固
定するハウジング2は非導電性の弾性体で形成される。
非導電性の弾性体で形成されたハウジング2に装着され
た接触子3は、BGA素子1により押される力により曲げ
られた一端3aが固定部材として運動する。この運動に
よる弾性力で接触子3はソルダボール1aに適切な力を
加えて自然酸化膜を除去するワイピング作用を実施した
後、BGA素子1が離脱する場合に元来の状態に復元す
る。
定するハウジング2は非導電性の弾性体で形成される。
非導電性の弾性体で形成されたハウジング2に装着され
た接触子3は、BGA素子1により押される力により曲げ
られた一端3aが固定部材として運動する。この運動に
よる弾性力で接触子3はソルダボール1aに適切な力を
加えて自然酸化膜を除去するワイピング作用を実施した
後、BGA素子1が離脱する場合に元来の状態に復元す
る。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このように
ワイピング作用が可能な従来の接触子3は、図26に示
すようにハウジング2の内側に2次元的に配列される。
ハウジング2に組み立てられる接触子3は個別的に製造
された後にハウジング2に組み立てられ、このため接触
子3の製造時間及び接触子3をハウジング2に組み立て
る工程数が増加して、テストソケットの製造時間が増加
されるという問題点があった。
ワイピング作用が可能な従来の接触子3は、図26に示
すようにハウジング2の内側に2次元的に配列される。
ハウジング2に組み立てられる接触子3は個別的に製造
された後にハウジング2に組み立てられ、このため接触
子3の製造時間及び接触子3をハウジング2に組み立て
る工程数が増加して、テストソケットの製造時間が増加
されるという問題点があった。
【0009】又、個別的に製造されてモジュール(modul
e)化された接触子3は、接触力により揺れが発生される
場合、BGA素子1のソルダボール1aと整列上の問題点が
発生し、接触子3の一端によるワイピング作用のときに
ソルダボール1aの一側に加圧力が作用して、この力に
よりBGA素子1に接触されたソルダボール1aの変形が発
生されるか又は脱落するようになる。即ち、BGA素子1
は高温テストのときにソルダボール1aの低い融点のた
め機械的強度が弱くなって、ソルダボール1aに非対称
側方向の力が加えられることにより、BGA素子1のソル
ダ1aが脱落又は損傷されるという憂いがあった。
e)化された接触子3は、接触力により揺れが発生される
場合、BGA素子1のソルダボール1aと整列上の問題点が
発生し、接触子3の一端によるワイピング作用のときに
ソルダボール1aの一側に加圧力が作用して、この力に
よりBGA素子1に接触されたソルダボール1aの変形が発
生されるか又は脱落するようになる。即ち、BGA素子1
は高温テストのときにソルダボール1aの低い融点のた
め機械的強度が弱くなって、ソルダボール1aに非対称
側方向の力が加えられることにより、BGA素子1のソル
ダ1aが脱落又は損傷されるという憂いがあった。
【0010】本発明の目的は、BGA素子をテスト装置に
接触させるためのBGA素子のテストソケットにおいて、
ワイピング作用のときにBGA素子のソルダボールに均一
な力を加えるように、2次元配列された接触子が一体に
形成された接触子ブロックを備えたBGA素子のテストソ
ケットを提供することにある。
接触させるためのBGA素子のテストソケットにおいて、
ワイピング作用のときにBGA素子のソルダボールに均一
な力を加えるように、2次元配列された接触子が一体に
形成された接触子ブロックを備えたBGA素子のテストソ
ケットを提供することにある。
【0011】本発明の他の目的は、BGA素子のテストソ
ケットにおいてソルダボールに形成された自然酸化膜を
除去するためのワイピング作用のときに、ソルダボール
の表面に均一な力が加えられるように接触子を接触させ
て接触力によるソルダボールの脱落及び変形を防止し得
るBGA素子のテストソケットを提供することにある。
ケットにおいてソルダボールに形成された自然酸化膜を
除去するためのワイピング作用のときに、ソルダボール
の表面に均一な力が加えられるように接触子を接触させ
て接触力によるソルダボールの脱落及び変形を防止し得
るBGA素子のテストソケットを提供することにある。
【0012】本発明の又他の目的は、CSP素子が形成さ
れたウェハ上のソルダボールとテスト装置を電気的に連
結するとき、ソルダボールの表面に均一な力を加えるよ
うに接触子をモジュール化して、CSP素子の形成された
ウェハをテスト装置と連結させ得るテストソケットを提
供することにある。
れたウェハ上のソルダボールとテスト装置を電気的に連
結するとき、ソルダボールの表面に均一な力を加えるよ
うに接触子をモジュール化して、CSP素子の形成された
ウェハをテスト装置と連結させ得るテストソケットを提
供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明は、BGA素子のソルダボールと接触時にソルダボ
ールの表面に均一な加圧力が加えられるように傾斜面を
有し、その中心に貫通溝が形成された長孔が2次元配列
に形成され、長孔の傾斜面及び貫通溝の表面に導電材質
が塗布された接触子ブロックと、接触子ブロックを装着
するため接触子ブロック設置溝が形成され、接触子ブロ
ック設置溝の上側にBGA素子が安着するように装着部が
形成されたハウジングと、から構成されることを特徴と
する。
本発明は、BGA素子のソルダボールと接触時にソルダボ
ールの表面に均一な加圧力が加えられるように傾斜面を
有し、その中心に貫通溝が形成された長孔が2次元配列
に形成され、長孔の傾斜面及び貫通溝の表面に導電材質
が塗布された接触子ブロックと、接触子ブロックを装着
するため接触子ブロック設置溝が形成され、接触子ブロ
ック設置溝の上側にBGA素子が安着するように装着部が
形成されたハウジングと、から構成されることを特徴と
する。
【0014】又、本発明は、BGA素子の装着部が形成さ
れ、前記装着部の内側には多数の接触子貫通溝が2次元
配列を有するように形成されたハウジングと、前記接触
子貫通溝に挿入されるように結合部が形成され、該結合
部の上面には前記BGA素子のソルダボールと接触時に表
面に同一な加圧力が加えられるように傾斜面を有する長
孔が形成された四角柱が形成され、四角柱と結合部の内
側に貫通溝が形成されて傾斜面と貫通溝の表面に導電材
質が塗布された多数の接触子と、から構成されることを
特徴とする。
れ、前記装着部の内側には多数の接触子貫通溝が2次元
配列を有するように形成されたハウジングと、前記接触
子貫通溝に挿入されるように結合部が形成され、該結合
部の上面には前記BGA素子のソルダボールと接触時に表
面に同一な加圧力が加えられるように傾斜面を有する長
孔が形成された四角柱が形成され、四角柱と結合部の内
側に貫通溝が形成されて傾斜面と貫通溝の表面に導電材
質が塗布された多数の接触子と、から構成されることを
特徴とする。
【0015】又、本発明は、ウェハを装着する装着部と
該装着部の内側に2次元配列に多数の接触子モジュール
設置溝が形成されたウェハハウジングと、接触子モジュ
ール設置溝に結合されてウェハ上に製造されたCSP素子
のソルダボールに対応するように接触子モジュールと、
から構成されることを特徴とする。
該装着部の内側に2次元配列に多数の接触子モジュール
設置溝が形成されたウェハハウジングと、接触子モジュ
ール設置溝に結合されてウェハ上に製造されたCSP素子
のソルダボールに対応するように接触子モジュールと、
から構成されることを特徴とする。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明によるBGA素子のテ
ストソケットの実施の形態について説明する。
ストソケットの実施の形態について説明する。
【0017】図1は、本発明に係るBGA素子のテストソ
ケットの斜視図で、図2は、図1に示したテストソケッ
トのA-A線断面図で、図3は、図1に示した接触子ブロ
ックを示した斜視図である。図示したように、本発明の
テストソケットは、BGA素子1のソルダボール1aと接触
の時にソルダボール1aの表面に均一な加圧力が加えら
れるように傾斜面11aを有する長孔11が2次元配列
に形成され、長孔11の中心に貫通溝12が形成され、
長孔11の傾斜面11a及び貫通溝12の表面に導電材
質13が塗布された接触子ブロック10と、前記接触子
ブロック10を装着するための接触子ブロック設置溝2
1が形成され、接触子ブロック設置溝21の上側にBGA
素子1が安着するように装着部22,23が形成された
ハウジング20と、から構成される。
ケットの斜視図で、図2は、図1に示したテストソケッ
トのA-A線断面図で、図3は、図1に示した接触子ブロ
ックを示した斜視図である。図示したように、本発明の
テストソケットは、BGA素子1のソルダボール1aと接触
の時にソルダボール1aの表面に均一な加圧力が加えら
れるように傾斜面11aを有する長孔11が2次元配列
に形成され、長孔11の中心に貫通溝12が形成され、
長孔11の傾斜面11a及び貫通溝12の表面に導電材
質13が塗布された接触子ブロック10と、前記接触子
ブロック10を装着するための接触子ブロック設置溝2
1が形成され、接触子ブロック設置溝21の上側にBGA
素子1が安着するように装着部22,23が形成された
ハウジング20と、から構成される。
【0018】前記接触子ブロック10は、非導電性弾性
体材質のシリコンゴム(silicon ruber)を用いて形成さ
れるが、このとき接触子ブロック10の形成時にBGA素
子1のソルダボール1a表面に均一な加圧力が加えられ
るように傾斜面11aを有する長孔11を2次元配列
し、モールディング(molding)方法により一体に形成す
る。2次元配列される長孔11が形成されない領域は段
差面10aを形成してハウジング20との組立領域とし
て用いる。
体材質のシリコンゴム(silicon ruber)を用いて形成さ
れるが、このとき接触子ブロック10の形成時にBGA素
子1のソルダボール1a表面に均一な加圧力が加えられ
るように傾斜面11aを有する長孔11を2次元配列
し、モールディング(molding)方法により一体に形成す
る。2次元配列される長孔11が形成されない領域は段
差面10aを形成してハウジング20との組立領域とし
て用いる。
【0019】接触子ブロック10に形成された長孔11
の内側面に傾斜面11aが連接するように形成され、こ
の傾斜面11aによりBGA素子1のソルダボール1aが接
触するときにソルダボール1aの表面に形成された自然
酸化膜を剥いで除去するワイピング作用が実行される。
又、傾斜面11aを長孔11で形成することにより、球
形に形成されたソルダボール1aとの接触時に長孔11
の円周長さが変わらないため、導電材質13の損傷を防
止する。即ち、長孔11の変形で長孔11の表面と貫通
溝12の表面に形成された導電材質が脱落するか又は壊
れて剥がれることを防止する。
の内側面に傾斜面11aが連接するように形成され、こ
の傾斜面11aによりBGA素子1のソルダボール1aが接
触するときにソルダボール1aの表面に形成された自然
酸化膜を剥いで除去するワイピング作用が実行される。
又、傾斜面11aを長孔11で形成することにより、球
形に形成されたソルダボール1aとの接触時に長孔11
の円周長さが変わらないため、導電材質13の損傷を防
止する。即ち、長孔11の変形で長孔11の表面と貫通
溝12の表面に形成された導電材質が脱落するか又は壊
れて剥がれることを防止する。
【0020】傾斜面11aを有する長孔11を一体に形
成した接触子ブロック10は、図3に示すように、ハウ
ジング20の接触子ブロック設置溝21に組み立てら
れ、接触子ブロック設置溝21の上側にはBGA素子1を
整列するための傾斜面22及びBGA素子1の過度な移動
を防止するための停止面23が形成された装着部22,
23が形成される。
成した接触子ブロック10は、図3に示すように、ハウ
ジング20の接触子ブロック設置溝21に組み立てら
れ、接触子ブロック設置溝21の上側にはBGA素子1を
整列するための傾斜面22及びBGA素子1の過度な移動
を防止するための停止面23が形成された装着部22,
23が形成される。
【0021】傾斜面22及び停止面23でなる装着部2
2,23にBGA素子1が整列されて安着されると、接触子
ブロック設置溝21に固定設置された接触子ブロック1
0と接触する。この状態でBGA素子1のソルダボール1a
は接触子ブロックに形成された長孔11の傾斜面11a
に整列されて自然酸化膜を除去するワイピング作用をす
る。
2,23にBGA素子1が整列されて安着されると、接触子
ブロック設置溝21に固定設置された接触子ブロック1
0と接触する。この状態でBGA素子1のソルダボール1a
は接触子ブロックに形成された長孔11の傾斜面11a
に整列されて自然酸化膜を除去するワイピング作用をす
る。
【0022】傾斜面11aの表面には導電材質13が塗
布されてソルダボール1aと電気的に接続され、ロード
ボード4と電気的に接続されるように長孔11の中心に
は接触子ブロック10を貫通する貫通溝12が長孔11
の形成時に一体に形成される。貫通溝12の表面には傾
斜面11aに形成された導電材質13と電気的に接続さ
れるように導電材質13が塗布されてロードボード4と
接続する。
布されてソルダボール1aと電気的に接続され、ロード
ボード4と電気的に接続されるように長孔11の中心に
は接触子ブロック10を貫通する貫通溝12が長孔11
の形成時に一体に形成される。貫通溝12の表面には傾
斜面11aに形成された導電材質13と電気的に接続さ
れるように導電材質13が塗布されてロードボード4と
接続する。
【0023】傾斜面11aと貫通溝12の表面に塗布さ
れた導電材質13は、図4(a)及び図4(b)に示さ
れている。図4(a)及び図4(b)は、図3に示した
長孔11をB及びC方向にそれぞれ切断した断面図であ
る。図示したように、長孔11の狭い幅を有するB方向
に切断した断面と長孔11の長い幅を有するC方向に切
断した全ての断面に導電材質13が塗布される。
れた導電材質13は、図4(a)及び図4(b)に示さ
れている。図4(a)及び図4(b)は、図3に示した
長孔11をB及びC方向にそれぞれ切断した断面図であ
る。図示したように、長孔11の狭い幅を有するB方向
に切断した断面と長孔11の長い幅を有するC方向に切
断した全ての断面に導電材質13が塗布される。
【0024】傾斜面11aと貫通溝12の全ての表面に
塗布された導電材質13は、貫通溝12の外側底面に延
長塗布させてロードボード4の接触パッド4aに電気的
に接続させる。傾斜面11aと貫通溝12の表面及び底
面まで塗布される導電材質13は、無電解メッキ方法を
用いてニッケル(Ni)と金(Au)を順次塗布して形成され
る。
塗布された導電材質13は、貫通溝12の外側底面に延
長塗布させてロードボード4の接触パッド4aに電気的
に接続させる。傾斜面11aと貫通溝12の表面及び底
面まで塗布される導電材質13は、無電解メッキ方法を
用いてニッケル(Ni)と金(Au)を順次塗布して形成され
る。
【0025】貫通溝12の底面外側に延長される導電材
質13の代わりにロードボード4と電気的に接続させる
ための実施例は、図5(a)に示すように、導電性ボー
ルでソルダボール1aを形成するか、図5(b)に示す
ように、ロードボード4に導電性ピン4bを形成する。
前記導電性ピン4bは導電性材質を形成して接触パッド
4aに突出されるように形成した後、貫通溝12内部の
導電材質13と接続させて電気的接続を行うこともでき
る。
質13の代わりにロードボード4と電気的に接続させる
ための実施例は、図5(a)に示すように、導電性ボー
ルでソルダボール1aを形成するか、図5(b)に示す
ように、ロードボード4に導電性ピン4bを形成する。
前記導電性ピン4bは導電性材質を形成して接触パッド
4aに突出されるように形成した後、貫通溝12内部の
導電材質13と接続させて電気的接続を行うこともでき
る。
【0026】BGA素子1とロードボード4を電気的に接
続させるための接触子ブロック10は、図4に示すよう
に、BGA素子1の整列のためそれぞれの長孔11を隣接
する長孔11と交差される方向に2次元配列して形成さ
れる。長孔11の配列による実施例を添付図を用いて説
明する。
続させるための接触子ブロック10は、図4に示すよう
に、BGA素子1の整列のためそれぞれの長孔11を隣接
する長孔11と交差される方向に2次元配列して形成さ
れる。長孔11の配列による実施例を添付図を用いて説
明する。
【0027】接触子ブロック10の第1変形例は、図6
に示すように、接触子ブロック30に2次元配列された
長孔11を一定した角度で傾けるように形成させ、長孔
11の一端とその隣接する長孔11の一端が所定角度を
なすように配列形成させてBGA素子1の接触のときに整
列させる。
に示すように、接触子ブロック30に2次元配列された
長孔11を一定した角度で傾けるように形成させ、長孔
11の一端とその隣接する長孔11の一端が所定角度を
なすように配列形成させてBGA素子1の接触のときに整
列させる。
【0028】接触子ブロックの第2変形例は図7に示さ
れている。図7に示すように、接触子ブロック40に円
形溝11を2次元配列させて形成し、円形溝11の内側
には傾斜面11aを形成し、その中心には貫通溝12を
形成する。傾斜面11aと貫通溝12の表面には導電材
質13を塗布し、ソルダボール1aの接触のときに円形
溝11の膨張による導電材質13の損傷を防止するた
め、図8に示すように、導電材質13を分離させて塗布
する。
れている。図7に示すように、接触子ブロック40に円
形溝11を2次元配列させて形成し、円形溝11の内側
には傾斜面11aを形成し、その中心には貫通溝12を
形成する。傾斜面11aと貫通溝12の表面には導電材
質13を塗布し、ソルダボール1aの接触のときに円形
溝11の膨張による導電材質13の損傷を防止するた
め、図8に示すように、導電材質13を分離させて塗布
する。
【0029】図8は、円形溝をD方向に切断した断面図
で、導電材質13を円形溝11の傾斜面11aと貫通溝
12表面に所定間隔でストライプ(strip)形態に塗布さ
れた状態を示している。導電材質13を分離させて塗布
することにより、ソルダボール1aとの接触による円形
溝11の変形に起因して導電材質13が損傷されること
を防止する。導電材質13をストライプ形態に塗布しな
い場合、図9に示すように、円形溝11の任意の位置に
円形溝11の変形を吸収できるように切開部43を形成
する。
で、導電材質13を円形溝11の傾斜面11aと貫通溝
12表面に所定間隔でストライプ(strip)形態に塗布さ
れた状態を示している。導電材質13を分離させて塗布
することにより、ソルダボール1aとの接触による円形
溝11の変形に起因して導電材質13が損傷されること
を防止する。導電材質13をストライプ形態に塗布しな
い場合、図9に示すように、円形溝11の任意の位置に
円形溝11の変形を吸収できるように切開部43を形成
する。
【0030】このようにシリコンラバーを用いてBGA素
子1とロードボード4を電気的に接続させるため、ワイ
ピング作用の可能な長孔11が形成された接触子ブロッ
ク10を一体に形成することにより、接触子モジュール
を容易に製造することができる。
子1とロードボード4を電気的に接続させるため、ワイ
ピング作用の可能な長孔11が形成された接触子ブロッ
ク10を一体に形成することにより、接触子モジュール
を容易に製造することができる。
【0031】図10乃至図25は、本発明によるテスト
ソケットの第2実施例を示す図で、図10は本発明によ
るBGA素子1のテストソケットの斜視図で、図11は図
10に示した接触子モジュールの拡大斜視図で、図12
は図11に示した接触子モジュールのA-A線断面図で、
図13は図10に示した接触子の斜視図である。図示し
たように、第2実施例でのテストソケットはBGA素子1
の装着部111a,111bが形成され、装着部111a,
111b内側には多数の接触子貫通溝112が2次元配
列を有するように形成されたハウジング110と、ハウ
ジング110の接触子貫通溝112に挿入されるように
結合部121が形成され、該結合部121の上面にはBG
A素子1のソルダボール1aと接触のときに表面に同一な
加圧力が加えられるように傾斜面122aを有する長孔
122bが形成された四角柱122が形成され、結合部
121内側に貫通溝123が形成されて長孔122bと
貫通溝123の表面に導電材質124が塗布された多数
の接触子120と、から構成される。
ソケットの第2実施例を示す図で、図10は本発明によ
るBGA素子1のテストソケットの斜視図で、図11は図
10に示した接触子モジュールの拡大斜視図で、図12
は図11に示した接触子モジュールのA-A線断面図で、
図13は図10に示した接触子の斜視図である。図示し
たように、第2実施例でのテストソケットはBGA素子1
の装着部111a,111bが形成され、装着部111a,
111b内側には多数の接触子貫通溝112が2次元配
列を有するように形成されたハウジング110と、ハウ
ジング110の接触子貫通溝112に挿入されるように
結合部121が形成され、該結合部121の上面にはBG
A素子1のソルダボール1aと接触のときに表面に同一な
加圧力が加えられるように傾斜面122aを有する長孔
122bが形成された四角柱122が形成され、結合部
121内側に貫通溝123が形成されて長孔122bと
貫通溝123の表面に導電材質124が塗布された多数
の接触子120と、から構成される。
【0032】前記ハウジング110には接触子120が
2次元配列に整列されてBGA素子1のソルダボール1aの
配列に対応されるように組み立てられる。ハウジング1
10は、接触子120を固定支持し、接触子120を通
して流れる電流がハウジング110に流れないように絶
縁性と機械的強度を有する材質で形成される。ハウジン
グ110にはBGA素子1を装着するための装着部111
a,111bが形成され、装着部はBGA素子1の装着のとき
にこれを整列するための傾斜面111aと、BGA素子1が
テストソケットと過度に接触することを防止するための
停止面111bとでなる。
2次元配列に整列されてBGA素子1のソルダボール1aの
配列に対応されるように組み立てられる。ハウジング1
10は、接触子120を固定支持し、接触子120を通
して流れる電流がハウジング110に流れないように絶
縁性と機械的強度を有する材質で形成される。ハウジン
グ110にはBGA素子1を装着するための装着部111
a,111bが形成され、装着部はBGA素子1の装着のとき
にこれを整列するための傾斜面111aと、BGA素子1が
テストソケットと過度に接触することを防止するための
停止面111bとでなる。
【0033】ハウジング110の装着部にBGA素子1が
装着された状態は、図13に示されている。図13に示
すように、ハウジング110の装着部の内側には接触子
120を挟んで組み立てるための接触子貫通溝112
(図10に図示せず)が2次元配列に形成される。接触
子貫通溝112には非導電性弾性体で形成された接触子
120が挿入組み立てられてBGA素子1のソルダボール
1aに対応されるように一つのモジュールで装着され
る。
装着された状態は、図13に示されている。図13に示
すように、ハウジング110の装着部の内側には接触子
120を挟んで組み立てるための接触子貫通溝112
(図10に図示せず)が2次元配列に形成される。接触
子貫通溝112には非導電性弾性体で形成された接触子
120が挿入組み立てられてBGA素子1のソルダボール
1aに対応されるように一つのモジュールで装着され
る。
【0034】接触子貫通溝112に組み立てられる接触
子120はシリコンラバーなどの非導電性弾性体で形成
され、結合部121と四角柱122で形成される。結合
部121は円柱で形成され、接触子貫通溝112に組み
立てられた後離脱しないように接触子貫通溝112に形
成された突出部112a(図10に図示せず)に対応さ
れる凹部111aが形成される。ハウジング110の貫
通溝112に組み立てられる結合部121の上面には、
図14乃至図16に示すように、四角柱122にBGA素
子1のソルダボール1aを加圧するための傾斜面122a
を有する長孔122bが形成される。
子120はシリコンラバーなどの非導電性弾性体で形成
され、結合部121と四角柱122で形成される。結合
部121は円柱で形成され、接触子貫通溝112に組み
立てられた後離脱しないように接触子貫通溝112に形
成された突出部112a(図10に図示せず)に対応さ
れる凹部111aが形成される。ハウジング110の貫
通溝112に組み立てられる結合部121の上面には、
図14乃至図16に示すように、四角柱122にBGA素
子1のソルダボール1aを加圧するための傾斜面122a
を有する長孔122bが形成される。
【0035】図14は、図12に示した接触子の平面図
で、図示したように、接触子120の四角柱122上面
に四角面の対角線長さ方向に長孔122bを形成する。
長孔122bの内側には所定角度で傾いた傾斜面122a
を形成し、傾斜面122aはBGA素子1のソルダボール1
aと接触の時に接触面を提供する。ソルダボール1aの接
触を提供する傾斜面122aは図15及び図16に示
す。
で、図示したように、接触子120の四角柱122上面
に四角面の対角線長さ方向に長孔122bを形成する。
長孔122bの内側には所定角度で傾いた傾斜面122a
を形成し、傾斜面122aはBGA素子1のソルダボール1
aと接触の時に接触面を提供する。ソルダボール1aの接
触を提供する傾斜面122aは図15及び図16に示
す。
【0036】図15は図13に示した接触子のB-B線断
面図で、図16は図13に示した接触子のC-C線断面図
である。図示したように、接触子120の四角柱122
に形成された長孔122bの内側に所定角度だけ傾斜し
て形成され、長孔122bの中心には貫通溝123が形
成される。貫通溝123は接触子120の内側に結合部
121の底面まで貫通するように形成される。
面図で、図16は図13に示した接触子のC-C線断面図
である。図示したように、接触子120の四角柱122
に形成された長孔122bの内側に所定角度だけ傾斜し
て形成され、長孔122bの中心には貫通溝123が形
成される。貫通溝123は接触子120の内側に結合部
121の底面まで貫通するように形成される。
【0037】接触子120に形成された傾斜面122a
と貫通溝123の表面には導電材質124が塗布され
る。導電材質124は無電解メッキ方法を用いてニッケ
ル及び金を順次メッキして形成され、ソルダボール1a
の接触のときにロードボード4と電気的に接続させる。
ロードボード4と電気的に接続させるため接触子120
の結合部底面には無電解メッキ方法を用いて導電材質1
24が塗布される。
と貫通溝123の表面には導電材質124が塗布され
る。導電材質124は無電解メッキ方法を用いてニッケ
ル及び金を順次メッキして形成され、ソルダボール1a
の接触のときにロードボード4と電気的に接続させる。
ロードボード4と電気的に接続させるため接触子120
の結合部底面には無電解メッキ方法を用いて導電材質1
24が塗布される。
【0038】ソルダボール1aとロードボード4との電
気的接続のための結合部121の底面には無電解メッキ
方法の他に、図17(a)及び図18Bのような導電ボ
ールを形成するか、ロードボード4に接触ピン124b
を形成することもできる。図17(a)及び図17
(b)は図16に示した接触子120の底面接点の実施
例を示した図で、図17(a)のように接触子120の
結合部121底面に導電ボールとしてソルダボール1a
を形成してロードボード4と電気的に接続させた状態を
示している。又、図17(b)では結合部121の底面
に導電材質124を塗布せずにロードボード4に導電性
を有するピンを形成して、接触子120の貫通溝123
に形成された導電材質124と接続されるようにする。
気的接続のための結合部121の底面には無電解メッキ
方法の他に、図17(a)及び図18Bのような導電ボ
ールを形成するか、ロードボード4に接触ピン124b
を形成することもできる。図17(a)及び図17
(b)は図16に示した接触子120の底面接点の実施
例を示した図で、図17(a)のように接触子120の
結合部121底面に導電ボールとしてソルダボール1a
を形成してロードボード4と電気的に接続させた状態を
示している。又、図17(b)では結合部121の底面
に導電材質124を塗布せずにロードボード4に導電性
を有するピンを形成して、接触子120の貫通溝123
に形成された導電材質124と接続されるようにする。
【0039】このようにソルダボール1aとロードボー
ド4を電気的に接続させるための接触子120は、ソル
ダボール1aとの接触のときに図18に示すように長孔
122bが変わるようになる。図18は、本発明に係る
接触子120の動作状態図である。図示したように、ソ
ルダボール1aが接触子120に加圧されると、長孔1
22bは一点鎖線で示した形状のように変化する。これ
は接触子120がソフトな弾性体でなっていてソルダボ
ール1aの形状に変形されるのである。
ド4を電気的に接続させるための接触子120は、ソル
ダボール1aとの接触のときに図18に示すように長孔
122bが変わるようになる。図18は、本発明に係る
接触子120の動作状態図である。図示したように、ソ
ルダボール1aが接触子120に加圧されると、長孔1
22bは一点鎖線で示した形状のように変化する。これ
は接触子120がソフトな弾性体でなっていてソルダボ
ール1aの形状に変形されるのである。
【0040】接触子120の長孔122bの形状が変形
されるため、ソルダボール1aの表面に形成された自然
酸化膜を浸透し、この力により摩擦力が発生してその結
果自然酸化膜を剥いで除去するワイピング作用をする。
ソルダボール1aに接触子120が加わる圧力は長孔1
22bによりソルダボール1aの表面に均一に分散されて
加えられ、このためソルダボール1aが変形されるか落
ちることを防止できる。このように長孔122bの変形
により傾斜面122aの表面に塗布された導電材質12
4は、長孔122bの変形量が長孔122bの円周と同一
な長さを有するように変形されて、落ちるか損傷される
のが防止される。
されるため、ソルダボール1aの表面に形成された自然
酸化膜を浸透し、この力により摩擦力が発生してその結
果自然酸化膜を剥いで除去するワイピング作用をする。
ソルダボール1aに接触子120が加わる圧力は長孔1
22bによりソルダボール1aの表面に均一に分散されて
加えられ、このためソルダボール1aが変形されるか落
ちることを防止できる。このように長孔122bの変形
により傾斜面122aの表面に塗布された導電材質12
4は、長孔122bの変形量が長孔122bの円周と同一
な長さを有するように変形されて、落ちるか損傷される
のが防止される。
【0041】長孔122bによりソルダボール1aの表面
に形成された自然酸化膜を除去すると同時に長孔122
bの内側に形成された傾斜面122aはソルダボール1a
の接触面を提供し、ソルダボール1aが適切に整列され
るようにする。このような接触子120をハウジング1
10に形成された接触子貫通溝112に挟む状態は、図
19に示すように挿入して組み立てる。接触子貫通溝1
12に組み立てられる接触子120の長孔はBGA素子1a
を整列するため、隣接する長孔122bと一端が互いに
所定角度をなすように配列設置される。
に形成された自然酸化膜を除去すると同時に長孔122
bの内側に形成された傾斜面122aはソルダボール1a
の接触面を提供し、ソルダボール1aが適切に整列され
るようにする。このような接触子120をハウジング1
10に形成された接触子貫通溝112に挟む状態は、図
19に示すように挿入して組み立てる。接触子貫通溝1
12に組み立てられる接触子120の長孔はBGA素子1a
を整列するため、隣接する長孔122bと一端が互いに
所定角度をなすように配列設置される。
【0042】ソルダボール1aの表面に形成された自然
酸化膜の除去のときに、ソルダボール1aの変形又は脱
落を防止する本発明に係る接触子120の実施例は、図
20乃至図23に示している。図20乃至図23は本発
明に係る接触子120の実施例を示す。
酸化膜の除去のときに、ソルダボール1aの変形又は脱
落を防止する本発明に係る接触子120の実施例は、図
20乃至図23に示している。図20乃至図23は本発
明に係る接触子120の実施例を示す。
【0043】先ず、図20及び図21に示した接触子1
20は、四角柱122(図13に示す)の代わりに円柱
131で形成され、その内部には傾斜面131aが形成
され、傾斜面131aの中心には貫通溝131bが形成さ
れる。傾斜面131aと貫通溝131bの表面には導電材
質124が塗布され、円柱131の一面には垂直方向に
切開部131cが形成される。前記切開部131cは、傾
斜面131aにソルダボール1aが接触される瞬間に円柱
131が変形されて円周長さが増加して、表面に塗布さ
れた導電材質124が落ちるか損傷されることを防止す
るために形成するものである。ここで、切開部131c
の代わりに導電材質のメッキのときに一定した間隔で傾
斜面131aの導電材質124が分離されるように形成
すると、円柱131の変形による導電材質124の損傷
を除去できる。
20は、四角柱122(図13に示す)の代わりに円柱
131で形成され、その内部には傾斜面131aが形成
され、傾斜面131aの中心には貫通溝131bが形成さ
れる。傾斜面131aと貫通溝131bの表面には導電材
質124が塗布され、円柱131の一面には垂直方向に
切開部131cが形成される。前記切開部131cは、傾
斜面131aにソルダボール1aが接触される瞬間に円柱
131が変形されて円周長さが増加して、表面に塗布さ
れた導電材質124が落ちるか損傷されることを防止す
るために形成するものである。ここで、切開部131c
の代わりに導電材質のメッキのときに一定した間隔で傾
斜面131aの導電材質124が分離されるように形成
すると、円柱131の変形による導電材質124の損傷
を除去できる。
【0044】図20乃至図21のような接触子120の
他に、図22乃至図23のような円柱131の代わりに
楕円柱141で形成することもできる。図20乃至図2
1のように、円柱131を楕円柱141で形成すること
により、円柱131に形成された切開部131cなしに
ソルダボール1aと接触させることができる。即ち、楕
円で形成することにより、ソルダボール1aとの接触の
ときにその変形される量が全体的に変化しないため、変
形のときに導電材質124の損傷を防止できる。
他に、図22乃至図23のような円柱131の代わりに
楕円柱141で形成することもできる。図20乃至図2
1のように、円柱131を楕円柱141で形成すること
により、円柱131に形成された切開部131cなしに
ソルダボール1aと接触させることができる。即ち、楕
円で形成することにより、ソルダボール1aとの接触の
ときにその変形される量が全体的に変化しないため、変
形のときに導電材質124の損傷を防止できる。
【0045】このような接触子120,130,140
は、一つのBGA素子1のソルダボール1aの数と一致する
数で2次元配列されてハウジング110に組み立てられ
る。このように一つのBGA素子1のソルダボール1aの数
と一致されるように配列された接触子120,130,1
40を一つの接触子モジュールに設定し、この接触子モ
ジュールを用いた本発明の実施例を添付図を用いて説明
する。
は、一つのBGA素子1のソルダボール1aの数と一致する
数で2次元配列されてハウジング110に組み立てられ
る。このように一つのBGA素子1のソルダボール1aの数
と一致されるように配列された接触子120,130,1
40を一つの接触子モジュールに設定し、この接触子モ
ジュールを用いた本発明の実施例を添付図を用いて説明
する。
【0046】図24は、本発明に係るテストソケットの
実施例のCSP素子が形成されたウェハのテストソケット
の平面図で、図25は、図24に示したCSP素子が形成
されたウェハのテストソケットの断面図である。図示し
たように、ウェハ210を装着する装着部221,22
2と装着部221,222の内側に2次元配列に多数の
接触子モジュール設置溝223が形成されたウェハハウ
ジング220と、接触子モジュール設置溝223に結合
されてウェハ210上に製造されたCSP素子(図示せ
ず)のソルダボール211に対応される接触子モジュー
ル231で構成される。
実施例のCSP素子が形成されたウェハのテストソケット
の平面図で、図25は、図24に示したCSP素子が形成
されたウェハのテストソケットの断面図である。図示し
たように、ウェハ210を装着する装着部221,22
2と装着部221,222の内側に2次元配列に多数の
接触子モジュール設置溝223が形成されたウェハハウ
ジング220と、接触子モジュール設置溝223に結合
されてウェハ210上に製造されたCSP素子(図示せ
ず)のソルダボール211に対応される接触子モジュー
ル231で構成される。
【0047】前記ハウジング220にはCSP素子が形成
されたウェハ210をウェハ状態にテストするときに装
着可能にウェハ装着部221,222が形成され、この
ようなウェハ装着部221,222にはCSP素子が形成さ
れたウェハ210を整列するための傾斜面221とウェ
ハ210の過度な移動を防止するための停止面222が
形成される。
されたウェハ210をウェハ状態にテストするときに装
着可能にウェハ装着部221,222が形成され、この
ようなウェハ装着部221,222にはCSP素子が形成さ
れたウェハ210を整列するための傾斜面221とウェ
ハ210の過度な移動を防止するための停止面222が
形成される。
【0048】前記停止面222の内側には接触子120
(図13に示す)がモジュール化された接触子モジュー
ル231を2次元配列に設置するための接触子モジュー
ル設置溝223が形成される。接触子モジュール設置溝
223には接触子モジュール231が挿入組み立てら
れ、接触子モジュール231の一つはウェハ210に製
造されたCSP素子の一つに形成された多数のソルダボー
ル1aと接触されるように接触子120の数が決定され
てモジュールで構成される。
(図13に示す)がモジュール化された接触子モジュー
ル231を2次元配列に設置するための接触子モジュー
ル設置溝223が形成される。接触子モジュール設置溝
223には接触子モジュール231が挿入組み立てら
れ、接触子モジュール231の一つはウェハ210に製
造されたCSP素子の一つに形成された多数のソルダボー
ル1aと接触されるように接触子120の数が決定され
てモジュールで構成される。
【0049】接触子モジュール231内に構成された接
触子120は図13に図示され、前記接触子120の代
わりに他の形態の接触子120も使用できる。接触子モ
ジュール231は、図24に示すように、2次元配列に
設置されて一つのウェハ210上に製造された多数のCS
P素子とテスト装置(図示せず)を接触させるように、
多数の接触子モジュール231で形成される。即ち、ウ
ェハ210上に製造されたCSP素子をそれぞれ分離させ
ない状態からウェハ210状態でCSP素子をテストでき
るように接触子120を構成して、テスト装置と連結さ
せるものである。
触子120は図13に図示され、前記接触子120の代
わりに他の形態の接触子120も使用できる。接触子モ
ジュール231は、図24に示すように、2次元配列に
設置されて一つのウェハ210上に製造された多数のCS
P素子とテスト装置(図示せず)を接触させるように、
多数の接触子モジュール231で形成される。即ち、ウ
ェハ210上に製造されたCSP素子をそれぞれ分離させ
ない状態からウェハ210状態でCSP素子をテストでき
るように接触子120を構成して、テスト装置と連結さ
せるものである。
【0050】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、BGA素子
のソルダボールに形成された自然酸化膜を除去するため
の接触子のワイピング作用のときに、ソルダボールと接
触される力を均一にすることにより、ソルダボールの変
形又は脱落を防止し、接触子をモジュール化することに
より、ウェーハ上に製造されたCSP素子をウェハ状態で
テスト装置と電気的に連結させ得るという効果がある。
のソルダボールに形成された自然酸化膜を除去するため
の接触子のワイピング作用のときに、ソルダボールと接
触される力を均一にすることにより、ソルダボールの変
形又は脱落を防止し、接触子をモジュール化することに
より、ウェーハ上に製造されたCSP素子をウェハ状態で
テスト装置と電気的に連結させ得るという効果がある。
【0051】又、BGA素子のソルダボールとテスト装置
のロードボードを電気的に接続させるための接触子ブロ
ックを一体に形成することにより、BGA素子のテストソ
ケットの製造工程数及び製造時間を短縮して製造原価を
節減すると共に生産性を向上させ得るという効果があ
る。
のロードボードを電気的に接続させるための接触子ブロ
ックを一体に形成することにより、BGA素子のテストソ
ケットの製造工程数及び製造時間を短縮して製造原価を
節減すると共に生産性を向上させ得るという効果があ
る。
【図1】本発明によるBGA素子のテストソケットの斜視
図である。
図である。
【図2】図1に示したテストソケットのA-A断面図であ
る。
る。
【図3】図1に示した接触子ブロックを示した斜視図で
ある。
ある。
【図4】図3に示した長孔をB及びC方向にそれぞれ切断
した断面図である。
した断面図である。
【図5】図3に示した長孔の底面接点の実施例を示した
断面図である。
断面図である。
【図6】本発明の接触子ブロックの第1実施例を示した
斜視図である。
斜視図である。
【図7】本発明の接触子ブロックの第2実施例を示した
斜視図である。
斜視図である。
【図8】図7に示した円形溝の断面図である。
【図9】図7に示した円形溝の実施例を示した斜視図で
ある。
ある。
【図10】本発明によるBGA素子用テストソケットの第
2実施例を示した斜視図である。
2実施例を示した斜視図である。
【図11】図10に示した接触子モジュールの拡大斜視
図である。
図である。
【図12】図11に示した接触子モジュールのA-A線断
面図である。
面図である。
【図13】図11に示した接触子の斜視図である。
【図14】図12に示した接触子の平面図である。
【図15】図13に示した接触子のB-B線断面図であ
る。
る。
【図16】図13に示した接触子のC-C線断面図であ
る。
る。
【図17】図6に示した接触子の底面接点の実施例を示
した図である。
した図である。
【図18】本発明による接触子の動作状態図である。
【図19】本発明によるハウジングと接触子の結合動作
を示した状態図である。
を示した状態図である。
【図20】本発明による接触子の実施例を示した図であ
る。
る。
【図21】本発明による接触子の実施例を示した図であ
る。
る。
【図22】本発明による接触子の実施例を示した図であ
る。
る。
【図23】本発明による接触子の実施例を示した図であ
る。
る。
【図24】本発明によるテストソケットの実施例のCSP
素子が形成されたウェハのテストソケットの平面図であ
る。
素子が形成されたウェハのテストソケットの平面図であ
る。
【図25】図24に示したCSP素子が形成されたウェハ
のテストソケットの断面図である。
のテストソケットの断面図である。
【図26】従来BGA素子のテストソケットの断面図であ
る。
る。
10:接触子ブロック 11:長孔 11a:傾斜面 12:貫通溝 13:導電材質 20:ハウジング 21:接触子ブロック設置溝
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平10−335035(JP,A) 特開 平7−273422(JP,A) 特開 平10−302924(JP,A) 特表 平10−508417(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01R 33/76 G01R 31/26
Claims (7)
- 【請求項1】 その内側に傾斜面の形成された長孔と貫
通溝を有する接触子ブロックと装着部を備えたBGA素
子のテストソケットにおいて、 前記接触子ブロックの長孔に形成された傾斜面と貫通溝
の表面には導電材質が塗布されており、前記装着部には
BGA素子を安着し得るよう接触子ブロック設置溝が形
成されることを特徴とするBGA素子のテストソケッ
ト。 - 【請求項2】 前記長孔は、相互交差されるよう配列さ
れることを特徴とする請求項1に記載のBGA素子のテ
ストソケット。 - 【請求項3】 前記長孔は、一定した角度で傾けるよう
に形成され、前記長孔の一端と隣接する長孔の一端が所
定角度をなすように配列形成されることを特徴とする請
求項1に記載のBGA素子のテストソケット。 - 【請求項4】 前記接触ブロックは傾斜面と貫通溝に形
成された導電材質を分離させず形成するために円形溝に
対向し垂直に切開された一対の切開溝をさらに含むこと
を特徴とする請求項1に記載のBGA素子のテストソケ
ット。 - 【請求項5】 ハウジングと接触子を備えたBGA素子
のテストソケットにおいて、 前記ハウジングは、傾斜面とBGA素子の過度な移動を
防止するための停止面を備えた装着部の内側に多数の接
触子貫通溝が2次元配列に形成され、前記接触子は傾斜
面を有する長孔が所定方向に配置されると共に、長孔が
形成された四角柱が形成され、前記ハウジングは結合部
と結合されて、前記結合部の内側には貫通孔が形成さ
れ、前記長孔の内側に導電材質が塗布されることを特徴
とするBGA素子のテストソケット。 - 【請求項6】 前記長孔は、前記テストソケットの対角
線方向に形成されることを特徴とする請求項5に記載の
BGA素子のテストソケット。 - 【請求項7】 ハウジングと接触子を備えたBGA素子
のテストソケットにおいて、 前記ハウジングは、傾斜面とBGA素子の過度な移動を
防止するための停止面を備えた装着部の内側に多数の接
触子貫通溝が2次元配列に形成され、前記接触子は傾斜
面を有する長孔が所定方向に配置されると共に、長孔が
形成された楕円柱が形成され、前記ハウジングは結合部
と結合されて、前記結合部の内側には貫通孔が形成さ
れ、前記長孔の内側に導電材質が塗布されることを特徴
とするBGA素子のテストソケット。
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