JP3250377B2 - メモリコントロール装置 - Google Patents

メモリコントロール装置

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JP3250377B2 JP13900994A JP13900994A JP3250377B2 JP 3250377 B2 JP3250377 B2 JP 3250377B2 JP 13900994 A JP13900994 A JP 13900994A JP 13900994 A JP13900994 A JP 13900994A JP 3250377 B2 JP3250377 B2 JP 3250377B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ダイナミックランダム
アクセスメモリ(以下「DRAM」という)、や疑似S
RAM等の動的メモリを含んだメモリシステムの制御を
行うメモリコントロール装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、DRAMがデータを記憶する場
合、キャパシタに蓄えた電荷の有無でハイ/ロウの記憶
状態を保持するが、保持時間の経過とともに漏れ電流な
どにより電荷が少しずつ失われるため、再度ハイ/ロウ
の電位に設定し直す動作(以下「リフレッシュ動作」と
いう)が必要になる。このDRAM等のリフレッシュ動
作はメモリコントロール装置による制御で行っている。
【0003】従来のメモリコントロール装置について図
面を参照して説明する。図4は従来のメモリコントロー
ル装置の構成を示す。図4において、101はメモリコ
ントロール装置全体、102は中央演算処理装置(以下
「CPU」という)が発生するアドレス値がどのメモリ
を示しているかを判定するアドレスデコーダ、103は
CPUが発生するアドレス有効信号とアドレスデコーダ
が発生する値を入力し、実際のメモリチップにチップセ
レクト信号を発生するチップセレクト発生装置、104
は定められたタイミングでリフレッシュ要求信号を発生
するリフレッシュ要求発生装置、105はメモリへのア
クセスの終了を示すデータアクノリッジ信号を発生する
データアクノリッジ発生装置(DK発生装置)、106
はDRAMを制御するための信号であるRAS(ロウア
ドレスストローブ)信号、CAS(カラムアドレススト
ローブ)信号を発生するRAS・CAS発生装置、10
8はCPUが発生するアドレスデータ、109はアドレ
スデコーダ102が発生するメモリ領域信号、110は
メモリ領域信号バスのうちDRAM領域を示す信号、1
11はチップセレクト信号、112はアドレス有効信
号、113はリフレッシュ要求信号、114はRAS信
号、115はCAS信号、107はCPUに対してバス
権を要求するバス使用権要求信号発生装置、116はC
PUに対してバス権を要求するバス使用権要求信号、1
17はCPUから発せられるバス開放信号、118はリ
フレッシュサイクル開始指示信号である。
【0004】以上のように構成されたメモリコントロー
ル装置では、DRAMの制御にRAS信号とCAS信号
が用いられるが、これら二つの信号の入力タイミングを
変えることにより、リフレッシュモードと通常の書き込
み/読み出しモードとを切り換えている。
【0005】図5に現在一般的に用いられているRAS
信号とCAS信号の入力タイミングを示す。同図(a)
は通常の書き込み/読み出しを行う場合を示し、図
(b)はリフレッシュを行う場合を示す。このようにD
RAMに入力する制御信号(RAS,CAS)のタイミ
ングを異ならせてモードを変えているので、DRAMを
リフレッシュしている最中に、CPUからDRAMに対
して書き込みや読み出しのアクセスをすることができな
い。したがって、DRAMのリフレッシュを行う場合に
はCPUの動作を停止する必要がある。
【0006】このDRAMのリフレッシュを行う場合の
動作について説明する。CPUがメモリアクセスする際
に発するアドレスデータ108にもとづいて、アドレス
デコーダ102でどのメモリ領域をアクセスしているか
を判定し、メモリ領域信号109を出力する。このメモ
リ領域信号109とともにアクセスの開始を示すアドレ
ス有効信号112をチップセレクト発生装置103に入
力する。このとき、メモリ領域信号109の値がDRA
M領域以外の領域を示していれば、チップセレクト発生
装置103はアドレス有効信号112が有効を確認し、
各メモリ領域に配置されているメモリチップにチップセ
レクト信号111を発生する。また、メモリ領域信号1
09の値がDRAM領域を示していれば、DRAM領域
信号110によりRAS・CAS発生装置106はアド
レス有効信号112で有効を確認し、DRAMへRAS
・CASを発生しアクセスする。
【0007】一方、リフレッシュ要求発生装置104は
一定のタイミングでリフレッシュ要求信号113を発生
する。バス使用権要求信号発生装置107は、図6のタ
イミングチャートに示したように、リフレッシュ要求信
号113を受けると、CPUの動作を止めるためにCP
Uに対してバス開放要求信号116を発生する。この要
求に対して、CPUが現在バスにアクセスしていなけれ
ば、すぐにCPUが停止することを示す信号(バス開放
信号117)を出力する。もしCPUが現在バスにアク
セスしていれば、アクセス終了を待ってすぐにCPUが
バス開放信号117を出力する。このCPUを停止状態
を得るには、実際にCPUを止めるのではなく、データ
アクノリッジ(DK)信号発生装置105から出力する
データアクノリッジ信号をロウレベルにしてCPUに返
さないことで、CPUに対してメモリへのアクセスを終
了していないと認識させる。これによりCPUが実質的
に停止することになる。バス使用権要求信号発生装置1
07がバス開放信号117を受けるとリフレッシュサイ
クル開始信号118を発生する。リフレッシュサイクル
開始信号118がアクティブになると、リフレッシュ要
求発生装置104はリフレッシュ要求信号113をネゲ
ートし、RAS・CAS発生装置106は図5(b)に
示したリフレッシュ用のタイミングでRAS信号11
4、CAS信号115を出力しDRAMのリフレッシュ
を行う。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の構
成では、DRAMのリフレッシュサイクル時には、CP
Uに対してバス権を要求してCPUを停止させてからD
RAMリフレッシュを行うために、図4に示したタイミ
ングチャートの点線部の間、CPUが動作しないので、
システム全体の性能を劣化させてしまうという問題を有
していた。
【0009】本発明は上記課題を解決するもので、DR
AMのリフレッシュサイクル時でもCPUを停止させる
ことを極力減らして、高速な動作の可能なメモリコント
ロール装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明のメモリコントロ
ール装置は上記課題を解決するために、動的メモリのリ
フレッシュ動作を制御するリフレッシュ制御信号発生部
と、CPUの動作を制御するCPU制御部と、動的メモ
リ領域とそれ以外の領域とに共通に入力する信号(たと
えばライト信号)を制御する信号制御部とを有し、メモ
リ領域のうちの動的メモリ領域をアクセスする場合に、
CPU制御部によりCPUの動作を実質的に止めてリフ
レッシュ制御信号発生部を用いてリフレッシュ動作を行
い、また動的メモリ領域以外の領域をアクセスする場合
でも、動的メモリ領域と動的メモリ領域以外の領域とに
共通の信号を入力するときには、CPU制御部によりC
PUの動作を実質的に止めるとともに、信号制御部によ
り共通の信号の入力動作を実質的に止めてリフレッシュ
制御信号発生部を用いてリフレッシュ動作を行い、これ
ら以外の場合には、CPUの動作や信号の入力動作を止
めないでリフレッシュ動作を行うものである。
【0011】
【作用】本発明は上記の構成により、CPUに対してバ
ス権を要求することがなく、CPUがDRAM領域にア
クセスあるいは他のメモリ領域にライトアクセスをしな
い限りCPUがウェイト状態にならない。
【0012】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら説明する。
【0013】図1は本発明のメモリコントロール装置を
用いたコンピュータシステム全体の構成の一例を示す。
同図において、1は一つの半導体チップを示し、このチ
ップ1の上にCPU2、メモリコントロール装置3、リ
ードオンリメモリ(ROM)やランダムアクセスメモリ
(RAM)5が載置されている。これらの構成部分はア
ドレスバス8やデータバス9を介してアドレスやデータ
のやりとりをする構成になっている。また、CPU2か
らはメモリコントロール装置3に対してアドレス有効信
号(DS)20やリード/ライト信号21を送り込む構
成になっている。チップ1の外側にはDRAM6等の動
的メモリやSRAM7等の静的メモリが各メモリ領域に
設けられ、メモリコントロール装置3で制御される。特
にDRAM6等の動的メモリについての動作は、メモリ
コントロール装置3から送られるRAS信号とCAS信
号で制御される。メモリコントロール装置3はDRAM
6やSRAM7に対して情報の書き込み信号や読み出し
信号であるリード/ライト信号を送るが、このうちライ
ト信号WRはDRAM6とSRAM7の両方に共通に送
られている。メモリコントロール装置3からはメモリ領
域へのアクセスの完了を示すデータアクノリッジ信号
(DK)26がCPU2に送られる。
【0014】図2は本発明のメモリコントロール装置の
一実施例の構成を示す。同図において、10はCPUが
発生するアドレス値がどのメモリを示しているかを判定
するアドレスデコーダ、11はCPUが発生するアドレ
ス有効信号とアドレスデコーダが発生する値を入力し、
実際のメモリチップにチップセレクト信号を発生するチ
ップセレクト発生装置、12は定められたタイミングで
リフレッシュ要求信号を発生するリフレッシュ要求発生
装置、13はDRAMにRAS信号やCAS信号を所定
のタイミングで発生してリフレッシュ動作を制御するR
AS・CAS発生装置で、リフレッシュ制御信号発生部
として機能する。14はデータアクノリッジ発生装置
で、CPUにアクセスしたメモリのアクセスが終了した
ことを示すデータアクノリッジ信号を発生する。もし、
このデータアクノリッジ発生装置14からデータアクノ
リッジ信号を発生しなければ、CPUはアクセス終了を
認識することができないので、アクセス終了待ちの状態
となって、実質的に停止した状態となる。このデータア
クノリッジ発生装置14はCPU制御部として機能す
る。
【0015】15はOR回路からなり、CPUから出力
されるリード/ライト信号を実際のメモリチップに出力
可能かを判定し出力するリード/ライト信号制御装置
で、信号制御部として機能する。このリード/ライト信
号制御装置15に入力するリード/ライト信号21はC
PUから送られるハイ/ロウのデジタル信号で、ハイの
場合にはメモリをリードアクセスし、ロウの場合にはラ
イトアクセスする。リード/ライト信号制御装置15は
OR回路で構成しているので、リード/ライト信号21
のハイロウにかかわらず、リフレッシュサイクル信号2
5がハイ(アクティブ)になれば、出力のメモリリード
/ライト信号27はつねにハイになる。したがって、こ
のリード/ライト信号制御装置15によってライト信号
を止めて、つねにリード信号(ハイ)のみを出力するよ
うに制御できる。
【0016】16はCPUが発生するアドレスデータ、
17はアドレスデコーダ10が発生するメモリ領域信号
バス、18はメモリ領域信号バス17のうちDRAM領
域を示す信号、19はチップセレクト信号、20はアク
セスの開始を示すアドレス有効信号、22はリフレッシ
ュ要求信号、23はRAS信号、24はCAS信号、2
5はリフレッシュサイクル実行を示すリフレッシュサイ
クル信号、26はデータアクノリッジ信号、27はメモ
リチップへ出力されるメモリリード/ライト信号であ
る。
【0017】上記構成の装置の動作を説明すると、アド
レスデコーダ10でCPUが出力するアドレスデータ1
6からどのメモリ領域をアクセスしているかを判定しメ
モリ領域判定信号17を出力する。その値がDRAM以
外の領域を示していれば、チップセレクト発生装置11
はアドレス有効信号20が有効であることを確認して、
各メモリ領域に配置されているメモリチップに各々チッ
プセレクト信号19を発生し、データアクノリッジ発生
装置14は各々のメモリチップに対応したタイミングで
データアクノリッジ信号26を発生する。
【0018】アドレスデコーダ10がアクセス領域をD
RAM領域と判定した場合には、メモリ領域判定信号1
7のうちのDRAM領域信号18がアクティブとなる。
DRAM領域信号18がアクティブになるとRAS・C
AS発生装置13はアドレス有効信号20で有効を確認
し、DRAMへ制御信号であるRAS信号23とCAS
信号24を発生する。また、データアクノリッジ信号発
生装置14はDRAMアクセス用のタイミングでデータ
アクノリッジ信号を発生する。
【0019】一方、リフレッシュ要求発生装置12は一
定のタイミングでリフレッシュ要求信号22を発生して
おり、RAS・CAS発生装置13は、このリフレッシ
ュ要求信号22を受けると、アドレス有効信号20から
現在メモリアクセスが実行されているかを判定する。判
定結果から、メモリアクセスが実行されていなければ、
ただちに、そしてメモリアクセスが実行されていれば、
データアクノリッジ信号26を受けてアクセス終了を確
認した後、リフレッシュサイクル信号25を出力して、
DRAMに対してリフレッシュ用のタイミング(すなわ
ち図5(b)に示したタイミング)でRAS信号23と
CAS信号24を発生する。
【0020】リフレッシュサイクル信号25が出力され
ると、リフレッシュ要求発生装置12はリフレッシュ要
求信号22をネゲートする。そして、リフレッシュサイ
クル実行中にCPUがメモリアクセスしてきた場合で
も、条件によってはCPUを止めずにデータアクノリッ
ジ発生装置14がデータアクノリッジ信号を出力する。
すなわち、データアクノリッジ発生装置14はメモリ領
域判定信号17からアクセス領域がDRAM以外であ
り、かつリード/ライト信号21からライトアクセスで
はないことを判定すると、図3のタイミングチャートの
リードサイクルに示したように、通常のアクセスと同じ
タイミングでデータアクノリッジ信号を出力する。
【0021】一方、アクセス領域がDRAM領域である
か、あるいはDRAM領域以外でも他の領域にライトア
クセスする場合には、図3のタイミングチャートのライ
トサイクルとして示したように、リフレッシュサイクル
終了後に、通常のアクセスを開始したタイミングでデー
タアクノリッジ信号26を出力する。すなわち、この場
合にはリフレッシュ動作が終わるまで、CPUにデータ
アクノリッジ信号26を送らないので、CPUはアクセ
ス終了の合図(データアクノリッジ信号)を待つ状態が
続き、CPUが実質的に停止した状態となる。また、リ
ード/ライト信号制御装置15は、リフレッシュサイク
ル期間中はメモリチップに対してリード信号のみを出力
して、ライト信号を出力しないように制御する。
【0022】以上のような制御を行う理由は、DRAM
をリフレッシュするためにアクセスする場合と通常にD
RAM領域にアクセスする場合とでは、制御信号である
RAS信号とCAS信号のタイミングが異なるので、両
方の動作を同時には行えず、DRAMのリフレッシュ動
作中は、CPUを実質的に停止させてDRAM領域への
通常のアクセスを止めておく必要があるからである。リ
ード/ライト信号のうち、ライト信号はDRAM領域と
他のメモリ領域に共通に入力されるので、DRAM以外
の領域であってもリフレッシュ動作中にライトアクセス
することができず、この場合もCPUを実質的に止める
必要がある。また、ライト信号も止めておく必要があ
る。
【0023】一方、上記の条件に該当しない場合、すな
わち、アクセス領域がDRAM領域以外であり、かつ他
の領域へライトアクセスしない場合には、たとえDRA
Mのリフレッシュ動作中であっても、CPUを止めな
い。したがって、従来のようにリフレッシュ動作中に一
律にCPUの動作を止めていた場合と異なり、本実施例
ではCPUを停止させることの少ないメモリコントロー
ル装置を提供することができる。
【0024】なお、本実施例ではDRAMを例に説明し
たがこれに限らず、本発明は疑似SRAM等を含む動的
メモリ全てに適用できる。
【0025】また、DRAM領域とそれ以外の領域に入
力する信号としてライト信号を例に説明したが必ずしも
これに限られるわけではない。
【0026】
【発明の効果】本発明によれば、DRAMリフレッシュ
サイクル時でもCPUをウェイト状態にすることが軽減
され、メモリシステムのオーバーヘッドを小さくし、高
速なメモリシステムを実現でき、その実用的効果は大き
い。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のメモリコントロール装置を用いたシス
テム構成図
【図2】本発明の一実施例におけるメモリコントロール
装置の構成図
【図3】本発明のメモリコントロール装置でのDRAM
リフレッシュタイミング図
【図4】従来のメモリコントロール装置の構成図
【図5】RAS信号とCAS信号のタイミング図
【図6】従来のメモリコントロール装置でのDRAMリ
フレッシュタイミング図
【符号の説明】
1 半導体チップ 2 CPU 3 メモリコントロール装置 5 ROM、RAM 6 DRAM 7 SRAM 8 データバス 9 アドレスバス 10 アドレスデコーダ 11 チップセレクト発生装置 12 リフレッシュ要求発生装置 13 RAS・CAS発生装置 14 データアクノリッジ発生装置 15 リード/ライト信号制御装置 16 アドレスデータ 17 メモリ領域判定信号 18 DRAM領域判定信号 19 チップセレクト信号 20 アドレス有効信号 21 リード/ライト信号 22 リフレッシュ要求信号 23 RAS信号 24 CAS信号 25 リフレッシュサイクル信号 26 データアクノリッジ信号 27 メモリリード/ライト信号 107 バス使用権要求信号発生装置 116 バス開放要求信号 117 バス開放信号 118 リフレッシュサイクル開始要求信号
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−153985(JP,A) 特開 平4−109490(JP,A) 松本三郎,DRAM活用の基礎技術, トランジスタ技術SPECIAL,日 本,CQ出版株式会社,1991年1月1 日,第25号,p.49−57,特に図14 (注) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G06F 12/00 G11C 11/406

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 動的メモリのリフレッシュ動作を制御す
    るリフレッシュ制御信号発生部と、中央演算処理装置の
    動作を実質的に制御する中央演算処理装置制御部と、動
    的メモリ領域とそれ以外の領域とに共通に入力する信号
    を制御する信号制御部とを有し、前記動的メモリ領域を
    アクセスする場合には、前記中央演算処理装置制御部に
    より前記中央演算処理装置の動作を実質的に止めて前記
    リフレッシュ制御信号発生部を用いてリフレッシュ動作
    を行い、また前記動的メモリ領域と動的メモリ領域以外
    の領域とに共通の信号を入力する場合には、前記中央演
    算処理装置制御部により中央演算処理装置の動作を実質
    的に止めるとともに、前記信号制御部により前記共通の
    信号の入力動作を実質的に止めて前記リフレッシュ制御
    信号発生部を用いてリフレッシュ動作を行い、これら以
    外の場合には、前記中央演算処理装置の動作や信号の入
    力動作を止めないでリフレッシュ動作を行うことを特徴
    とするメモリコントロール装置。
  2. 【請求項2】 動的メモリのリフレッシュ動作を制御す
    るリフレッシュ制御信号発生部と、中央演算処理装置に
    対してメモリ領域へのアクセスの終了を示すデータアク
    ノリッジ信号を発生するデータアクノリッジ発生部と、
    動的メモリ領域とそれ以外の領域とに共通に入力するラ
    イト信号を制御するライト信号制御部とを有し、前記動
    的メモリ領域をアクセスする場合には、前記データアク
    ノリッジ発生部からのデータアクノリッジ信号を止める
    ことで前記中央演算処理装置の動作を実質的に止めて、
    前記リフレッシュ制御信号発生部によりリフレッシュ動
    作を行い、また動的メモリ領域以外の領域に前記ライト
    信号を入力する場合には、前記データアクノリッジ発生
    部を用いて中央演算処理装置の動作を実質的に止めると
    ともに、前記ライト信号制御部により前記ライト信号の
    入力動作を実質的に止めて、前記リフレッシュ制御信号
    発生部でリフレッシュ動作を行い、これら以外の場合に
    は、前記中央演算処理装置の動作や信号の入力動作を止
    めないでリフレッシュ動作を行うことを特徴とするメモ
    リコントロール装置。
  3. 【請求項3】 中央演算処理装置から送られてくるアド
    レスにもとづいて前記中央演算処理装置がアクセスする
    領域がどの領域かを判定するアドレスデコーダと、前記
    アドレスデコーダの出力値と前記中央演算処理装置から
    のアクセス開始を示すアドレス有効信号とを入力し、前
    記アクセスする領域内のメモリにチップセレクト信号を
    出力するチップセレクト発生装置と、一定のタイミング
    でリフレッシュ要求信号を出力するリフレッシュ要求発
    生装置と、前記アドレスデコーダの出力値、前記アドレ
    ス有効信号、前記リフレッシュ要求信号、およびアクセ
    ス終了を示すデータアクノリッジ信号を入力し、前記リ
    フレッシュ要求信号がディセーブルの場合には、前記ア
    ドレスデコーダの出力が動的メモリ領域を示したときに
    動的メモリアクセスタイミングでメモリ制御信号を発生
    し、前記リフレッシュ要求信号がイネーブルの場合に
    は、現在実行中のメモリアクセスがあればデータアクノ
    リッジ信号発生を待ち、メモリアクセスがなければただ
    ちに動的メモリリフレッシュタイミングでメモリ制御信
    号を発生し、さらに動的メモリリフレッシュ用に前記メ
    モリ制御信号を発生している間、リフレッシュサイクル
    信号を出力するメモリ制御信号発生装置と、前記アドレ
    スデコーダの出力値、前記アドレス有効信号、前記リー
    ド/ライト信号、および前記リフレッシュサイクル信号
    を入力し、リフレッシュサイクル期間中ではない場合に
    は、アクセス領域のメモリシステムに応じてデータアク
    ノリッジ信号を発生し、リフレッシュサイクル期間中の
    場合には、動的メモリ領域をアクセスするときまたは他
    の領域をライトアクセスするときにリフレッシュ終了後
    アクセスを開始したタイミングでデータアクノリッジ信
    号を発生し、それ以外の場合には、リフレッシュサイク
    ル期間中でない場合と同じようにデータアクノリッジ信
    号を発生するデータアクノリッジ発生装置と、前記リー
    ド/ライト信号および前記リフレッシュサイクル信号を
    入力し、リフレッシュサイクル期間中はメモリシステム
    へのリード/ライト信号をつねにリード信号に固定し出
    力するライト信号制御装置を備えたメモリコントロール
    装置。
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Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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松本三郎,DRAM活用の基礎技術,トランジスタ技術SPECIAL,日本,CQ出版株式会社,1991年1月1日,第25号,p.49−57,特に図14(注)

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