JP3246712B2 - エテニルアミド化合物の製造方法 - Google Patents
エテニルアミド化合物の製造方法Info
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- JP3246712B2 JP3246712B2 JP29709995A JP29709995A JP3246712B2 JP 3246712 B2 JP3246712 B2 JP 3246712B2 JP 29709995 A JP29709995 A JP 29709995A JP 29709995 A JP29709995 A JP 29709995A JP 3246712 B2 JP3246712 B2 JP 3246712B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C231/00—Preparation of carboxylic acid amides
- C07C231/02—Preparation of carboxylic acid amides from carboxylic acids or from esters, anhydrides, or halides thereof by reaction with ammonia or amines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07B—GENERAL METHODS OF ORGANIC CHEMISTRY; APPARATUS THEREFOR
- C07B43/00—Formation or introduction of functional groups containing nitrogen
- C07B43/06—Formation or introduction of functional groups containing nitrogen of amide groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C231/00—Preparation of carboxylic acid amides
- C07C231/10—Preparation of carboxylic acid amides from compounds not provided for in groups C07C231/02 - C07C231/08
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はエテニルアミド化合
物の製造方法に関する。詳しくはシッフ塩基化合物とハ
ロゲン化アシル化合物との反応によりエテニルアミド化
合物を高収率で製造する方法を提供する。
物の製造方法に関する。詳しくはシッフ塩基化合物とハ
ロゲン化アシル化合物との反応によりエテニルアミド化
合物を高収率で製造する方法を提供する。
【０００２】
【従来の技術】シッフ塩基化合物とハロゲン化アシル化
合物との反応によりエテニルアミド化合物を製造するす
る方法は既に知られている。例えばアメリカ特許第4,60
0,433号には、常圧下、トルエン溶媒中でシッフ塩基化
合物と塩化アシル化合物とを反応させてエテニルアミド
化合物を製造するする方法が開示されている。しかしな
がら、シッフ塩基化合物及びハロゲン化アシル化合物の
置換基の種類によっては、上記の方法では所望の純度の
エテニルアミド化合物が得られず、蒸留又は再結晶など
の操作により精製する必要があった。
合物との反応によりエテニルアミド化合物を製造するす
る方法は既に知られている。例えばアメリカ特許第4,60
0,433号には、常圧下、トルエン溶媒中でシッフ塩基化
合物と塩化アシル化合物とを反応させてエテニルアミド
化合物を製造するする方法が開示されている。しかしな
がら、シッフ塩基化合物及びハロゲン化アシル化合物の
置換基の種類によっては、上記の方法では所望の純度の
エテニルアミド化合物が得られず、蒸留又は再結晶など
の操作により精製する必要があった。
【０００３】
【発明が解決しようという課題】本発明者らは、エテニ
ルアミド化合物製造方法につき、反応系内にハロゲン化
水素補足剤を共存させて常圧で反応させる方法等を既に
提案した（特開昭６１ー２９３９５６）。しかしなが
ら、我々の提案をも含め、従来技術によって所望の純度
の目的エテニルアミド化合物を得るためには、反応後に
濾過あるいは溶媒抽出等により、ハロゲン化水素補足剤
の使用に由来する副生成物を除くことが必須であり、さ
らにそれに加えて蒸留又は再結晶等の操作により精製す
る必要があった。これらの操作は工業的には望ましいも
のではなく、例えば、再結晶操作を工業的に行うために
は、多大の労力と長い時間を要する。また、目的とする
エテニルアミド化合物を蒸留精製するためには、通常 1
mmHg以下の高真空下で行わなければ、熱分解のために蒸
留精製が達成されない。また、1mmHg以下の高真空蒸留
を工業的に実施するのは再結晶の場合と同様に多大の労
力と長い時間を必要とする。このような観点から、エテ
ニルアミド化合物のより簡便な工業的製法が強く望まれ
ていた。
ルアミド化合物製造方法につき、反応系内にハロゲン化
水素補足剤を共存させて常圧で反応させる方法等を既に
提案した（特開昭６１ー２９３９５６）。しかしなが
ら、我々の提案をも含め、従来技術によって所望の純度
の目的エテニルアミド化合物を得るためには、反応後に
濾過あるいは溶媒抽出等により、ハロゲン化水素補足剤
の使用に由来する副生成物を除くことが必須であり、さ
らにそれに加えて蒸留又は再結晶等の操作により精製す
る必要があった。これらの操作は工業的には望ましいも
のではなく、例えば、再結晶操作を工業的に行うために
は、多大の労力と長い時間を要する。また、目的とする
エテニルアミド化合物を蒸留精製するためには、通常 1
mmHg以下の高真空下で行わなければ、熱分解のために蒸
留精製が達成されない。また、1mmHg以下の高真空蒸留
を工業的に実施するのは再結晶の場合と同様に多大の労
力と長い時間を必要とする。このような観点から、エテ
ニルアミド化合物のより簡便な工業的製法が強く望まれ
ていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記技術課
題を解決すべく鋭意研究を行ってきた。その結果、シッ
フ塩基化合物をそのまま、あるいは適当な有機溶媒に溶
解し、減圧下にアシル化反応を行うと低温で反応が進行
し、しかも精製することなく所望の純度の目的エテニル
アミド化合物が得られることを見出だし、本発明を完成
し、ここに提案するに至った。
題を解決すべく鋭意研究を行ってきた。その結果、シッ
フ塩基化合物をそのまま、あるいは適当な有機溶媒に溶
解し、減圧下にアシル化反応を行うと低温で反応が進行
し、しかも精製することなく所望の純度の目的エテニル
アミド化合物が得られることを見出だし、本発明を完成
し、ここに提案するに至った。
【０００５】即ち、本発明は、イミノ基を構成する炭素
原子に隣接する炭素原子上に水素原子を有するシッフ塩
基化合物（以下、単にシッフ塩基化合物ともいう）とハ
ロゲン化アシル化合物とから、脱ハロゲン化水素反応に
より当該水素原子を脱離せしめて、分子内にアミド結合
及び該アミド結合の窒素原子のα位とβ位の炭素−炭素
間に二重結合を有するエテニルアミド化合物を製造する
方法において、減圧下に反応させることを特徴とする前
記エテニルアミド化合物の製造方法である。
原子に隣接する炭素原子上に水素原子を有するシッフ塩
基化合物（以下、単にシッフ塩基化合物ともいう）とハ
ロゲン化アシル化合物とから、脱ハロゲン化水素反応に
より当該水素原子を脱離せしめて、分子内にアミド結合
及び該アミド結合の窒素原子のα位とβ位の炭素−炭素
間に二重結合を有するエテニルアミド化合物を製造する
方法において、減圧下に反応させることを特徴とする前
記エテニルアミド化合物の製造方法である。
【０００６】本発明に用いられるシッフ塩基化合物は、
シッフ塩基の基本骨格をなすイミノ基を構成する炭素原
子に隣接する炭素原子上に水素原子を有する化合物であ
り、当該水素原子が後述のハロゲン化アシル化合物のハ
ロゲン原子と脱ハロゲン化水素反応を起こして脱離し、
分子内にアミド結合及び該アミド結合の窒素原子のα位
とβ位の炭素−炭素間に二重結合を有するエテニルアミ
ド化合物を作り得るものであり、下記一般式（１）で表
される。
シッフ塩基の基本骨格をなすイミノ基を構成する炭素原
子に隣接する炭素原子上に水素原子を有する化合物であ
り、当該水素原子が後述のハロゲン化アシル化合物のハ
ロゲン原子と脱ハロゲン化水素反応を起こして脱離し、
分子内にアミド結合及び該アミド結合の窒素原子のα位
とβ位の炭素−炭素間に二重結合を有するエテニルアミ
ド化合物を作り得るものであり、下記一般式（１）で表
される。
【０００７】
【０００８】
【化４】
【０００９】一般式（１）中、Ｒ1は、置換もしくは非
置換の炭素数６〜１４のアリ−ル基、または酸素原子、
イオウ原子及び窒素原子からなる群から選ばれた１個あ
るいは２個のヘテロ原子を含んでなる置換もしくは非置
換の炭素数３〜８のヘテロアリ−ル基である。
置換の炭素数６〜１４のアリ−ル基、または酸素原子、
イオウ原子及び窒素原子からなる群から選ばれた１個あ
るいは２個のヘテロ原子を含んでなる置換もしくは非置
換の炭素数３〜８のヘテロアリ−ル基である。
【００１０】具体的には、上記アリール基としては、フ
ェニル基、アントラニル基、フェナンスレニル基が例示
され、ヘテロアリール基としては、フリル基、チエニル
基、ピロリル基、ピロリル基、ピリジル基、ピリミジニ
ル基、ベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、インドリル
基、キノリル基、チアゾリル基、ピラゾリル基、オキサ
ゾリル基、ベンゾオキサゾリル基が例示される。
ェニル基、アントラニル基、フェナンスレニル基が例示
され、ヘテロアリール基としては、フリル基、チエニル
基、ピロリル基、ピロリル基、ピリジル基、ピリミジニ
ル基、ベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、インドリル
基、キノリル基、チアゾリル基、ピラゾリル基、オキサ
ゾリル基、ベンゾオキサゾリル基が例示される。
【００１１】置換アリール基及び置換ヘテロアリール基
の置換基としてはメチル基、エチル基、プロピル基等の
アルキル基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、フッ素
原子等のハロゲン原子、メトキシ基、エトキシ基、プロ
ポキシ基等のアルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、メチ
ルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基等のアルキル
チオ基及びアミノ基が挙げられる。
の置換基としてはメチル基、エチル基、プロピル基等の
アルキル基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、フッ素
原子等のハロゲン原子、メトキシ基、エトキシ基、プロ
ポキシ基等のアルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、メチ
ルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基等のアルキル
チオ基及びアミノ基が挙げられる。
【００１２】置換アリール基及び置換へテロアリール基
を具体的に例示すれば、メチルフェニル基、エチルフェ
ニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、ヘキ
シルフェニル基、ジメチルフェニル基、メチル（エチ
ル）フェニル基、エチル（プロピル）フェニル基、クロ
ロフェニル基、ブロモフェニル基、フルオロフェニル
基、ジクロロフェニル基、メトキシフェニル基、エトキ
シフェニル基、プロポキシフェニル基、ジメトキシフェ
ニル基、シアノフェニル基、ニトロフェニル基、クロロ
（メチル）フェニル基、メチル（メトキシ）フェニル
基、メチルチオフェニル基、（トリフルオロメチル）フ
ェニル基、（ジメチル）アミノフェニル基、クロロ（ニ
トロ）フェニル基、メチルナフチルナフチル基、クロロ
ナフチル基、メトキシナフチル基、ジメチルナフチル
基、メチルフリル基、メトキシチエニル基、クロロチエ
ニル基、メチルチエニル基、メチルピロリル基、クロロ
ピロリル基、メチルピリジル基、クロロピリジル基、ジ
メトキシピリミジニル基、メチルピリミジニル基、クロ
ロピリミジニル基、メチルベンゾフリル基、メトキシベ
ンゾフリル基、クロロベンゾフリル基、メチルベンゾチ
エニル基、メチルインドリル基、メチルキノリル基、メ
チルチアゾリル基、メチルピラゾリル基、メチルオキサ
ゾリル基、メチルベンゾオキサゾリル基等が挙げられ
る。
を具体的に例示すれば、メチルフェニル基、エチルフェ
ニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、ヘキ
シルフェニル基、ジメチルフェニル基、メチル（エチ
ル）フェニル基、エチル（プロピル）フェニル基、クロ
ロフェニル基、ブロモフェニル基、フルオロフェニル
基、ジクロロフェニル基、メトキシフェニル基、エトキ
シフェニル基、プロポキシフェニル基、ジメトキシフェ
ニル基、シアノフェニル基、ニトロフェニル基、クロロ
（メチル）フェニル基、メチル（メトキシ）フェニル
基、メチルチオフェニル基、（トリフルオロメチル）フ
ェニル基、（ジメチル）アミノフェニル基、クロロ（ニ
トロ）フェニル基、メチルナフチルナフチル基、クロロ
ナフチル基、メトキシナフチル基、ジメチルナフチル
基、メチルフリル基、メトキシチエニル基、クロロチエ
ニル基、メチルチエニル基、メチルピロリル基、クロロ
ピロリル基、メチルピリジル基、クロロピリジル基、ジ
メトキシピリミジニル基、メチルピリミジニル基、クロ
ロピリミジニル基、メチルベンゾフリル基、メトキシベ
ンゾフリル基、クロロベンゾフリル基、メチルベンゾチ
エニル基、メチルインドリル基、メチルキノリル基、メ
チルチアゾリル基、メチルピラゾリル基、メチルオキサ
ゾリル基、メチルベンゾオキサゾリル基等が挙げられ
る。
【００１３】一般式（１）中、Ｒ2及びＲ3は同種又は異
種の水素原子又はアルキル基であり、更にＲ2及びＲ3は
相互に連結して環を形成してもよい。
種の水素原子又はアルキル基であり、更にＲ2及びＲ3は
相互に連結して環を形成してもよい。
【００１４】上記アルキル基は特に限定されず、公知の
ものが使用できるが、一般には炭素数１〜１２個の直鎖
状もしくは分岐状のアルキル基が好適である。具体的に
は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペン
チル基、ヘキシル基等が挙げられる。Ｒ2及びＲ3が相互
に連結して形成する環としてはシクロペンチル、シクロ
ヘキシル等のシクロアルキル環が挙げられる。
ものが使用できるが、一般には炭素数１〜１２個の直鎖
状もしくは分岐状のアルキル基が好適である。具体的に
は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペン
チル基、ヘキシル基等が挙げられる。Ｒ2及びＲ3が相互
に連結して形成する環としてはシクロペンチル、シクロ
ヘキシル等のシクロアルキル環が挙げられる。
【００１５】一般式（１）中、Ｒ4は置換もしくは非置
換の炭素数１〜１２のアルキル基、置換もしくは非置換
の炭素数２〜１２のアルケニル基、置換もしくは非置換
の炭素数２〜１２のアルキニル基、置換もしくは非置換
の炭素数６〜１４のアリール基、置換もしくは非置換の
炭素数３〜８のヘテロアリール基、置換もしくは非置換
の炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換もしくは非置
換の炭素数４〜６のシクロアルケニル基、または置換も
しくは非置換の炭素数４〜５のヘテロシクロアルキル基
である。
換の炭素数１〜１２のアルキル基、置換もしくは非置換
の炭素数２〜１２のアルケニル基、置換もしくは非置換
の炭素数２〜１２のアルキニル基、置換もしくは非置換
の炭素数６〜１４のアリール基、置換もしくは非置換の
炭素数３〜８のヘテロアリール基、置換もしくは非置換
の炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換もしくは非置
換の炭素数４〜６のシクロアルケニル基、または置換も
しくは非置換の炭素数４〜５のヘテロシクロアルキル基
である。
【００１６】具体的には、上記アルキル基としては、メ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル
基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が
例示され、アルケニル基としては、エテニル基、プロペ
ニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、オ
クテニル基等が例示され、アルキニル基としては、プロ
ピニル基、ブチニル基等が例示され、アリール基として
は、フェニル基、アントラニル基、フェナンスレニル基
が例示され、ヘテロアリール基としては、フリル基、チ
エニル基、ピロリル基、ピロリル基、ピリジル基、ピリ
ミジニル基、ベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、イン
ドリル基、キノリル基、チアゾリル基、ピラゾリル基、
オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基等が例示され、
シクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロ
ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シク
ロヘプチル基等が例示され、シクロアルケニル基として
は、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等が例示
され、ヘテロシクロアルキル基としては、テトラヒドロ
フリル基、テトラヒドロチエニル基、ピロリジル基等が
例示される。
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル
基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が
例示され、アルケニル基としては、エテニル基、プロペ
ニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、オ
クテニル基等が例示され、アルキニル基としては、プロ
ピニル基、ブチニル基等が例示され、アリール基として
は、フェニル基、アントラニル基、フェナンスレニル基
が例示され、ヘテロアリール基としては、フリル基、チ
エニル基、ピロリル基、ピロリル基、ピリジル基、ピリ
ミジニル基、ベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、イン
ドリル基、キノリル基、チアゾリル基、ピラゾリル基、
オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基等が例示され、
シクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロ
ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シク
ロヘプチル基等が例示され、シクロアルケニル基として
は、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等が例示
され、ヘテロシクロアルキル基としては、テトラヒドロ
フリル基、テトラヒドロチエニル基、ピロリジル基等が
例示される。
【００１７】置換アリール基、置換ヘテロアリール基、
置換シクロアルキル基、置換シクロアルケニル基及び置
換へテロシクロアルキル基の置換基としては、メチル
基、エチル基、プロピル基等のアルキル基、塩素原子、
臭素原子、ヨウ素原子、フッ素原子等のハロゲン原子、
メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等のアルコキシ
基、シアノ基、ニトロ基、メチルチオ基、エチルチオ
基、プロピルチオ基等のアルキルチオ基及びアミノ基が
挙げられる。
置換シクロアルキル基、置換シクロアルケニル基及び置
換へテロシクロアルキル基の置換基としては、メチル
基、エチル基、プロピル基等のアルキル基、塩素原子、
臭素原子、ヨウ素原子、フッ素原子等のハロゲン原子、
メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等のアルコキシ
基、シアノ基、ニトロ基、メチルチオ基、エチルチオ
基、プロピルチオ基等のアルキルチオ基及びアミノ基が
挙げられる。
【００１８】置換アリール基、置換へテロアリール基、
置換シクロアルキル基、置換シクロアルケニル基及び置
換ヘテロシクロアルキル基を具体的に例示すれば、メチ
ルフェニル基、エチルフェニル基、プロピルフェニル
基、ブチルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ジメチル
フェニル基、メチル（エチル）フェニル基、エチル（プ
ロピル）フェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニ
ル基、フルオロフェニル基、ジクロロフェニル基、メト
キシフェニル基、エトキシフェニル基、プロポキシフェ
ニル基、ジメトキシフェニル基、シアノフェニル基、ニ
トロフェニル基、クロロ（メチル）フェニル基、メチル
（メトキシ）フェニル基、メチルチオフェニル基、（ト
リフルオロメチル）フェニル基、（ジメチル）アミノフ
ェニル基、クロロ（ニトロ）フェニル基、メチルナフチ
ルナフチル基、クロロナフチル基、メトキシナフチル
基、ジメチルナフチル基、メチルフリル基、メトキシチ
エニル基、クロロチエニル基、メチルチエニル基、メチ
ルピロリル基、クロロピロリル基、メチルピリジル基、
クロロピリジル基、ジメトキシピリミジニル基、メチル
ピリミジニル基、クロロピリミジニル基、メチルベンゾ
フリル基、メトキシベンゾフリル基、クロロベンゾフリ
ル基、メチルベンゾチエニル基、メチルインドリル基、
メチルキノリル基、メチルチアゾリル基、メチルピラゾ
リル基、メチルオキサゾリル基、メチルベンゾオキサゾ
リル基、クロロエテニル基、ブロモエテニル基、クロロ
プロペニル基、クロロヘキセニル基、メチルシクロプロ
ピル基、エチルシクロプロピル基、クロロシクロプロピ
ル基、メトキシシクロプロピル基、メチルシクロペンチ
ル基、クロロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、メ
チルシクロペンテニル基、クロロシクロヘキセニル基、
メチルシクロヘキセニル基、Ｎ−メチルピロリジル、Ｎ
−エチルピロリジル基等が挙げられる。
置換シクロアルキル基、置換シクロアルケニル基及び置
換ヘテロシクロアルキル基を具体的に例示すれば、メチ
ルフェニル基、エチルフェニル基、プロピルフェニル
基、ブチルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ジメチル
フェニル基、メチル（エチル）フェニル基、エチル（プ
ロピル）フェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニ
ル基、フルオロフェニル基、ジクロロフェニル基、メト
キシフェニル基、エトキシフェニル基、プロポキシフェ
ニル基、ジメトキシフェニル基、シアノフェニル基、ニ
トロフェニル基、クロロ（メチル）フェニル基、メチル
（メトキシ）フェニル基、メチルチオフェニル基、（ト
リフルオロメチル）フェニル基、（ジメチル）アミノフ
ェニル基、クロロ（ニトロ）フェニル基、メチルナフチ
ルナフチル基、クロロナフチル基、メトキシナフチル
基、ジメチルナフチル基、メチルフリル基、メトキシチ
エニル基、クロロチエニル基、メチルチエニル基、メチ
ルピロリル基、クロロピロリル基、メチルピリジル基、
クロロピリジル基、ジメトキシピリミジニル基、メチル
ピリミジニル基、クロロピリミジニル基、メチルベンゾ
フリル基、メトキシベンゾフリル基、クロロベンゾフリ
ル基、メチルベンゾチエニル基、メチルインドリル基、
メチルキノリル基、メチルチアゾリル基、メチルピラゾ
リル基、メチルオキサゾリル基、メチルベンゾオキサゾ
リル基、クロロエテニル基、ブロモエテニル基、クロロ
プロペニル基、クロロヘキセニル基、メチルシクロプロ
ピル基、エチルシクロプロピル基、クロロシクロプロピ
ル基、メトキシシクロプロピル基、メチルシクロペンチ
ル基、クロロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、メ
チルシクロペンテニル基、クロロシクロヘキセニル基、
メチルシクロヘキセニル基、Ｎ−メチルピロリジル、Ｎ
−エチルピロリジル基等が挙げられる。
【００１９】置換アルキル基、置換アルケニル基、およ
び置換アルキニル基の置換基としては、塩素原子、臭素
原子、ヨウ素原子、フッ素原子等のハロゲン原子、メト
キシ基、エトキシ基、プロポキシ基等のアルコキシ基、
シアノ基、ニトロ基、メチルチオ基、エチルチオ基、プ
ロピルチオ基等のアルキルチオ基、アルコキシアルキル
基及びアミノ基が挙げられる。
び置換アルキニル基の置換基としては、塩素原子、臭素
原子、ヨウ素原子、フッ素原子等のハロゲン原子、メト
キシ基、エトキシ基、プロポキシ基等のアルコキシ基、
シアノ基、ニトロ基、メチルチオ基、エチルチオ基、プ
ロピルチオ基等のアルキルチオ基、アルコキシアルキル
基及びアミノ基が挙げられる。
【００２０】具体的な上記置換アルキル基としては、フ
ルオロメチル基、トリフルオロメチル基、クロロメチル
基、クロロエチル基、ブロモエチル基、クロロプロピル
基、クロロヘキシル基、メトキシメチル基、メトキシエ
チル基、メトキシプロピル基、メトキシブチル基、エト
キシメチル基、エトキシエチル基、エトキシプロピル
基、ブトキシメチル基、ブトキシエチル基、フェノキシ
メチル基、フェノキシエチル基、シアノプロピル基、シ
アノブチル基、ニトロエチル基、ニトロプロピル基、エ
チルチオメチル基、プロピルチオメチル基、メチルチオ
エチル基、エチルチオエチル基、Ｎ，Ｎージエチルアミ
ノエチル基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノプロピル基、フェ
ニルメチル基、フェニルエチル基、フェニルメチル基、
メトキシチエニルメチル基、メトキシカルボニルメチル
基、メトキシカルボニルエチル基、エトキシカルボニル
エチル基等が例示される。具体的な置換アルケニル基と
しては、クロロプロペニル基、シアノブテニル基、メト
キシペンテニル基等が、置換アルキニル基としては、ク
ロロペンチニル基、エトキシブチニル基、ニトロヘキシ
ニル基等が挙げられる。
ルオロメチル基、トリフルオロメチル基、クロロメチル
基、クロロエチル基、ブロモエチル基、クロロプロピル
基、クロロヘキシル基、メトキシメチル基、メトキシエ
チル基、メトキシプロピル基、メトキシブチル基、エト
キシメチル基、エトキシエチル基、エトキシプロピル
基、ブトキシメチル基、ブトキシエチル基、フェノキシ
メチル基、フェノキシエチル基、シアノプロピル基、シ
アノブチル基、ニトロエチル基、ニトロプロピル基、エ
チルチオメチル基、プロピルチオメチル基、メチルチオ
エチル基、エチルチオエチル基、Ｎ，Ｎージエチルアミ
ノエチル基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノプロピル基、フェ
ニルメチル基、フェニルエチル基、フェニルメチル基、
メトキシチエニルメチル基、メトキシカルボニルメチル
基、メトキシカルボニルエチル基、エトキシカルボニル
エチル基等が例示される。具体的な置換アルケニル基と
しては、クロロプロペニル基、シアノブテニル基、メト
キシペンテニル基等が、置換アルキニル基としては、ク
ロロペンチニル基、エトキシブチニル基、ニトロヘキシ
ニル基等が挙げられる。
【００２１】以上列挙した基を有する化合物には多くの
場合、種々の位置異性体が存在するが、特に限定されず
本発明に供することができる。例えばメチルフェニル基
としては、ｏ−メチルフェニル基、ｍ−メチルフェニル
基、ｐ−メチルフェニル基が挙げられ、ブチル基として
はｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔーブチル
基が挙げられる。
場合、種々の位置異性体が存在するが、特に限定されず
本発明に供することができる。例えばメチルフェニル基
としては、ｏ−メチルフェニル基、ｍ−メチルフェニル
基、ｐ−メチルフェニル基が挙げられ、ブチル基として
はｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔーブチル
基が挙げられる。
【００２２】さらにまた、置換基は以上の具体例に限定
されるものではなく、本発明の製造方法によって目的の
基本構造を有するエテニルアミド化合物が得られるもの
であれば必要に応じて適宜選択して使用できる。
されるものではなく、本発明の製造方法によって目的の
基本構造を有するエテニルアミド化合物が得られるもの
であれば必要に応じて適宜選択して使用できる。
【００２３】本発明において用いられるハロゲン化アシ
ル化合物は、上述のシッフ塩基化合物と脱ハロゲン化反
応を起こしうるものであり、下記一般式（２）で表され
る。
ル化合物は、上述のシッフ塩基化合物と脱ハロゲン化反
応を起こしうるものであり、下記一般式（２）で表され
る。
【００２４】
【化５】
【００２５】上記一般式（２）中、Ｒ5は置換もしくは
非置換の炭素数１〜１２のアルキル基、置換もしくは非
置換の炭素数６〜１４のアリ−ル基、または酸素原子、
イオウ原子及び窒素原子からなる群から選ばれた１個あ
るいは２個のヘテロ原子を含んでなる置換もしくは非置
換の炭素数３〜８のヘテロアリ−ル基である。
非置換の炭素数１〜１２のアルキル基、置換もしくは非
置換の炭素数６〜１４のアリ−ル基、または酸素原子、
イオウ原子及び窒素原子からなる群から選ばれた１個あ
るいは２個のヘテロ原子を含んでなる置換もしくは非置
換の炭素数３〜８のヘテロアリ−ル基である。
【００２６】上記置換もしくは非置換のアルキル基、置
換もしくは非置換のアリ−ル基又は置換もしくは非置換
のヘテロアリ−ル基としては、前記Ｒ4で列挙したもの
が好適なものとして挙げられる。
換もしくは非置換のアリ−ル基又は置換もしくは非置換
のヘテロアリ−ル基としては、前記Ｒ4で列挙したもの
が好適なものとして挙げられる。
【００２７】また、Ｘで示されるハロゲン原子は、塩
素、臭素、フッ素、ヨウ素の中から選ばれるが、工業的
な理由から塩素原子が好適である。
素、臭素、フッ素、ヨウ素の中から選ばれるが、工業的
な理由から塩素原子が好適である。
【００２８】本発明に於て得られるエテニルアミド化合
物は、分子内にアミド結合及び該アミド結合の窒素原子
のα位とβ位の炭素−炭素間に二重結合を有するエテニ
ルアミド化合物であり、下記一般式（３）で表される。
物は、分子内にアミド結合及び該アミド結合の窒素原子
のα位とβ位の炭素−炭素間に二重結合を有するエテニ
ルアミド化合物であり、下記一般式（３）で表される。
【００２９】
【化６】
【００３０】上記一般式（３）において、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ
3，Ｒ4，Ｒ 5 の定義は前出の一般式（１）および（２）
と同義である。
3，Ｒ4，Ｒ 5 の定義は前出の一般式（１）および（２）
と同義である。
【００３１】本発明においては、ハロゲン化アシル化合
物はシッフ塩基化合物に対して、１〜１．３倍等量用い
るのが望ましい。反応に際し、両原料の仕込み方法は特
に限定されず、反応容器内に一方の原料を加えた後、あ
るいは一方の原料を加えてさらに、後述する溶媒を用い
て完全に溶かして溶液とするか、もしくは一部あるいは
大部分が不溶の状態の溶液とした後、もう一方の原料を
減圧下に徐々に加えてもよい。また、当初から反応容器
内に両原料と反応溶媒を仕込んでもよい。
物はシッフ塩基化合物に対して、１〜１．３倍等量用い
るのが望ましい。反応に際し、両原料の仕込み方法は特
に限定されず、反応容器内に一方の原料を加えた後、あ
るいは一方の原料を加えてさらに、後述する溶媒を用い
て完全に溶かして溶液とするか、もしくは一部あるいは
大部分が不溶の状態の溶液とした後、もう一方の原料を
減圧下に徐々に加えてもよい。また、当初から反応容器
内に両原料と反応溶媒を仕込んでもよい。
【００３２】本発明における減圧の圧力範囲は一般には
１．３×１０2以上１×１０5pa未満、好ましくは１．
３×１０3〜６．７×１０4paであり、反応開始から終了
に至るまで、必ずしも圧力を一定に保つ必要はない。む
しろ、状況に応じて適宜圧力を変化させる方が好適な結
果を与える場合も多い。該反応を減圧下で行った場合、
反応溶媒の沸騰温度を低下させ、反応で副生するハロゲ
ン化水素が気化する溶媒ガスに伴われて反応系外に速や
かに逸散し、該反応速度を大きくすると共に、強酸性化
合物であるハロゲン化水素による望ましくない副反応を
抑えることができ、従って目的とするエテニルアミド化
合物をより効率的に、しかもより純度よく得ることがで
きる。該反応を１×１０5paあるいはそれ以上の圧力で
行った場合には、反応時に副生するハロゲン化水素が、
原料であるシッフ塩基と相互作用をすることにより、該
反応を遅延させるばかりではなく、目的とするエテニル
アミド化合物にも望ましくない作用を及ぼし、不純物を
増加させるという悪影響を及ぼす。
１．３×１０2以上１×１０5pa未満、好ましくは１．
３×１０3〜６．７×１０4paであり、反応開始から終了
に至るまで、必ずしも圧力を一定に保つ必要はない。む
しろ、状況に応じて適宜圧力を変化させる方が好適な結
果を与える場合も多い。該反応を減圧下で行った場合、
反応溶媒の沸騰温度を低下させ、反応で副生するハロゲ
ン化水素が気化する溶媒ガスに伴われて反応系外に速や
かに逸散し、該反応速度を大きくすると共に、強酸性化
合物であるハロゲン化水素による望ましくない副反応を
抑えることができ、従って目的とするエテニルアミド化
合物をより効率的に、しかもより純度よく得ることがで
きる。該反応を１×１０5paあるいはそれ以上の圧力で
行った場合には、反応時に副生するハロゲン化水素が、
原料であるシッフ塩基と相互作用をすることにより、該
反応を遅延させるばかりではなく、目的とするエテニル
アミド化合物にも望ましくない作用を及ぼし、不純物を
増加させるという悪影響を及ぼす。
【００３３】本発明で採用される減圧とする手段は、特
に限定されず、例えば油回転真空ポンプ、ダイヤフラム
真空ポンプ、水流ポンプ等公知の装置を用いて達成され
る手段が支障なく用いられる。
に限定されず、例えば油回転真空ポンプ、ダイヤフラム
真空ポンプ、水流ポンプ等公知の装置を用いて達成され
る手段が支障なく用いられる。
【００３４】また、反応温度は一般には 40〜100℃でよ
く、反応系が還流状態になるように圧力と温度を設定す
ることが望ましく、好適な結果が得られる限りにおいて
は、必ずしも反応温度を一定に保つ必要はない。該反応
を還流状態で行う場合、原料のシッフ塩基化合物とハロ
ゲン化アシル化合物のいずれもが １．３×１０2以上１
×１０5pa未満の圧力範囲で 100℃以下の沸点を有しな
い場合には、いずれの原料をも溶解し、かついずれの原
料よりも低沸点である溶媒を反応系に加え、その溶媒が
還流するように圧力と温度を設定すればよい。当該溶媒
としてはベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン、ヘ
プタン、クロロホルム、四塩化炭素等の原料と反応しな
い公知のものが好適に使用される。
く、反応系が還流状態になるように圧力と温度を設定す
ることが望ましく、好適な結果が得られる限りにおいて
は、必ずしも反応温度を一定に保つ必要はない。該反応
を還流状態で行う場合、原料のシッフ塩基化合物とハロ
ゲン化アシル化合物のいずれもが １．３×１０2以上１
×１０5pa未満の圧力範囲で 100℃以下の沸点を有しな
い場合には、いずれの原料をも溶解し、かついずれの原
料よりも低沸点である溶媒を反応系に加え、その溶媒が
還流するように圧力と温度を設定すればよい。当該溶媒
としてはベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン、ヘ
プタン、クロロホルム、四塩化炭素等の原料と反応しな
い公知のものが好適に使用される。
【００３５】溶媒を用いない場合、反応圧力を一定に保
って反応を行うことが難しいため、通常は初期において
は高めに、反応が進行するにつれて徐々に低めに設定す
ることが好ましい。溶媒を用いた場合、通常の溶媒は反
応終了後、溶媒の種類に応じて １．３×１０2以上１×
１０１5pa未満の圧力範囲で容易に除去される。本発明
においては、通常溶媒を留去した後の残査をさらに精製
することなく、そのまま目的のエテニルアミド化合物と
して使用できるのが最大の特徴である。
って反応を行うことが難しいため、通常は初期において
は高めに、反応が進行するにつれて徐々に低めに設定す
ることが好ましい。溶媒を用いた場合、通常の溶媒は反
応終了後、溶媒の種類に応じて １．３×１０2以上１×
１０１5pa未満の圧力範囲で容易に除去される。本発明
においては、通常溶媒を留去した後の残査をさらに精製
することなく、そのまま目的のエテニルアミド化合物と
して使用できるのが最大の特徴である。
【００３６】本発明で得られる化合物は通常暗褐色〜淡
黄褐色の固体または粘体である。
黄褐色の固体または粘体である。
【００３７】本発明の反応では目的生成物の他にハロゲ
ン化水素が等モル量発生する。本発明によれば、減圧下
で反応を行うことにより、副生するハロゲン化水素の反
応系外への除去が促進される。常圧反応における純度不
良の原因となる副生成物は主にハロゲン化水素の作用に
よるものであり、ハロゲン化水素の除去が副反応の抑制
に有効であると考えられる。
ン化水素が等モル量発生する。本発明によれば、減圧下
で反応を行うことにより、副生するハロゲン化水素の反
応系外への除去が促進される。常圧反応における純度不
良の原因となる副生成物は主にハロゲン化水素の作用に
よるものであり、ハロゲン化水素の除去が副反応の抑制
に有効であると考えられる。
【００３８】
【発明の効果】本発明の反応によって得られる目的生成
物の収率・純度はともに９０〜９９．９％に達する。従
って反応時に溶媒を使用しても、溶媒を留去した後の残
査をさらに精製することなく、そのまま目的のエテニル
アミド化合物として使用できる。
物の収率・純度はともに９０〜９９．９％に達する。従
って反応時に溶媒を使用しても、溶媒を留去した後の残
査をさらに精製することなく、そのまま目的のエテニル
アミド化合物として使用できる。
【００３９】
【実施例】以下、本発明について実施例と比較例を示す
が、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
が、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００４０】実施例１ Ｎ−（１ーメチルベンジリデン）ー２’、６’ージメチ
ルアニリン（４５．７ｇ）をトルエン（１００ｍｌ）に
溶解し、室温で攪はんしながら塩化クロロアセチル（２
４．８ｇ）を滴下し、滴下終了後 1.3×104paの減圧
下、７時間加熱還流した（還流温度７０℃）。反応終了
後 2.7×103paの減圧下、トルエンを留去すると反応生
成物が５９．４ｇ得られた。主成分はＮ−［（１−フェ
ニル）エテニル］−Ｎ−クロロアセト−２’、６’ージ
メチルアニリドであり、粗収率は１００％であった。反
応生成物中の主成分の純度は９９％であった。
ルアニリン（４５．７ｇ）をトルエン（１００ｍｌ）に
溶解し、室温で攪はんしながら塩化クロロアセチル（２
４．８ｇ）を滴下し、滴下終了後 1.3×104paの減圧
下、７時間加熱還流した（還流温度７０℃）。反応終了
後 2.7×103paの減圧下、トルエンを留去すると反応生
成物が５９．４ｇ得られた。主成分はＮ−［（１−フェ
ニル）エテニル］−Ｎ−クロロアセト−２’、６’ージ
メチルアニリドであり、粗収率は１００％であった。反
応生成物中の主成分の純度は９９％であった。
【００４１】実施例２ Ｎ−［（１−フェニル−２，２−ジメチル）エチリデ
ン］−２−メトキシエチルアミン（２０．６ｇ）をトル
エン（６０ｍｌ）に溶解し、そこに塩化クロロアセチル
（１５．２ｇ）を室温で滴下し、滴下終了後 1.3×104p
aの減圧下、４時間加熱還流した（還流温度７０℃）。
反応終了後 2.7×103paの減圧下、トルエンを留去する
と反応生成物が２７．６ｇ得られた。主成分はＮ−
［（１−フェニル−２，２−ジメチル）エテニル］−Ｎ
−クロロアセト−２−メトキシエチルアミドであり、粗
収率は９９％であった。反応生成物中の主成分の純度は
９９％であった。
ン］−２−メトキシエチルアミン（２０．６ｇ）をトル
エン（６０ｍｌ）に溶解し、そこに塩化クロロアセチル
（１５．２ｇ）を室温で滴下し、滴下終了後 1.3×104p
aの減圧下、４時間加熱還流した（還流温度７０℃）。
反応終了後 2.7×103paの減圧下、トルエンを留去する
と反応生成物が２７．６ｇ得られた。主成分はＮ−
［（１−フェニル−２，２−ジメチル）エテニル］−Ｎ
−クロロアセト−２−メトキシエチルアミドであり、粗
収率は９９％であった。反応生成物中の主成分の純度は
９９％であった。
【００４２】実施例３ Ｎ−［（１−フェニル−２，２−ジメチル）エチリデ
ン］−２−エトキシエチルアミン（２６．３ｇ）をトル
エン（４０ｍｌ）に溶解し、そこに塩化クロロアセチル
（１４．２ｇ）を室温で滴下し、滴下終了後 １．３×
１０４ｐａの減圧下、４時間加熱還流した（還流温度７
０℃）。反応終了後 ２．７×１０３ｐａの減圧下、ト
ルエンを留去すると反応生成物が３４．４ｇ得られた。
主成分はＮ−［（１−フェニル−２，２−ジメチル）エ
テニル］−Ｎ−クロロアセト−２−エトキシエチルアミ
ドであり、粗収率は９７％であった。反応生成物中の主
成分の純度は９９％であった。
ン］−２−エトキシエチルアミン（２６．３ｇ）をトル
エン（４０ｍｌ）に溶解し、そこに塩化クロロアセチル
（１４．２ｇ）を室温で滴下し、滴下終了後 １．３×
１０４ｐａの減圧下、４時間加熱還流した（還流温度７
０℃）。反応終了後 ２．７×１０３ｐａの減圧下、ト
ルエンを留去すると反応生成物が３４．４ｇ得られた。
主成分はＮ−［（１−フェニル−２，２−ジメチル）エ
テニル］−Ｎ−クロロアセト−２−エトキシエチルアミ
ドであり、粗収率は９７％であった。反応生成物中の主
成分の純度は９９％であった。
【００４３】実施例４ Ｎ−［（１−フェニル−２，２−ジメチル）エチリデ
ン］−２−エトキシエチルアミン（４３．８ｇ）をトル
エン（５０ｍｌ）に溶解し、そこに塩化クロロアセチル
（２３．７ｇ）を室温で滴下し、滴下終了後 1.3×104p
aの減圧下、４時間加熱還流した（還流温度７０℃）。
反応終了後 2.7×103paの減圧下、トルエンを留去する
と反応生成物が５７．９ｇ得られた。主成分はＮ−
［（１−フェニル−２，２−ジメチル）エテニル］−Ｎ
−クロロアセト−２−エトキシエチルアミドであり、粗
収率は９８％であった。反応生成物中の主成分の純度は
９７％であった。
ン］−２−エトキシエチルアミン（４３．８ｇ）をトル
エン（５０ｍｌ）に溶解し、そこに塩化クロロアセチル
（２３．７ｇ）を室温で滴下し、滴下終了後 1.3×104p
aの減圧下、４時間加熱還流した（還流温度７０℃）。
反応終了後 2.7×103paの減圧下、トルエンを留去する
と反応生成物が５７．９ｇ得られた。主成分はＮ−
［（１−フェニル−２，２−ジメチル）エテニル］−Ｎ
−クロロアセト−２−エトキシエチルアミドであり、粗
収率は９８％であった。反応生成物中の主成分の純度は
９７％であった。
【００４４】比較例１ Ｎ−［（１−フェニル−２，２−ジメチル）エチリデ
ン］−２−メトキシエチルアミン（２０．６ｇ）をトル
エン（６０ｍｌ）に溶解し、そこに塩化クロロアセチル
（１５．２ｇ）を室温下滴下し、滴下終了後常圧下、４
時間加熱還流した（還流温度１１０℃）。反応終了後
2.7×103paの減圧下、トルエン溶媒を留去すると反応生
成物が２７．８ｇ得られた。主成分はＮ−［（１−フェ
ニル−［（１−フェニル−２，２−ジメチル）エテニ
ル］−Ｎ−クロロアセトー２−メトキシエチルアミドで
あったが、反応生成物中の主成分の純度は８４％であっ
た。
ン］−２−メトキシエチルアミン（２０．６ｇ）をトル
エン（６０ｍｌ）に溶解し、そこに塩化クロロアセチル
（１５．２ｇ）を室温下滴下し、滴下終了後常圧下、４
時間加熱還流した（還流温度１１０℃）。反応終了後
2.7×103paの減圧下、トルエン溶媒を留去すると反応生
成物が２７．８ｇ得られた。主成分はＮ−［（１−フェ
ニル−［（１−フェニル−２，２−ジメチル）エテニ
ル］−Ｎ−クロロアセトー２−メトキシエチルアミドで
あったが、反応生成物中の主成分の純度は８４％であっ
た。
【００４５】比較例２ Ｎ−（１ーメチルベンジリデン）ー２’，６’ージメチ
ルアニリン（４．５７ｇ）をトルエン（５０ｍｌ）に溶
解し、氷浴中でトリエチルアミン（２．２０ｇ）を加 え、次いで塩化クロロアセチル（２．４８ｇ）のトルエ
ン溶液（１０ｍｌ）を室温で下滴し、滴下終了後常圧
下、２時間加熱還流した（還流温度１１０℃）。反応終
了後反応混合物を冷却し、生成した沈殿物を濾別し、濾
液を重炭酸ナトリウム水溶液で、次いで水で洗浄し、有
機層を無水硫酸ソーダで乾燥後した後、真空にて濃縮し
た。得られた生成物をベンゼン／ヘキサン混合溶媒で再
結晶することにより、Ｎ−［１ー（フェニル）エテニ
ル］ーＮークロロアセトー２’，６’ージメチルアニリ
ドを純度９６％で得たが、その収率は７５％であった。
ルアニリン（４．５７ｇ）をトルエン（５０ｍｌ）に溶
解し、氷浴中でトリエチルアミン（２．２０ｇ）を加 え、次いで塩化クロロアセチル（２．４８ｇ）のトルエ
ン溶液（１０ｍｌ）を室温で下滴し、滴下終了後常圧
下、２時間加熱還流した（還流温度１１０℃）。反応終
了後反応混合物を冷却し、生成した沈殿物を濾別し、濾
液を重炭酸ナトリウム水溶液で、次いで水で洗浄し、有
機層を無水硫酸ソーダで乾燥後した後、真空にて濃縮し
た。得られた生成物をベンゼン／ヘキサン混合溶媒で再
結晶することにより、Ｎ−［１ー（フェニル）エテニ
ル］ーＮークロロアセトー２’，６’ージメチルアニリ
ドを純度９６％で得たが、その収率は７５％であった。
【００４６】実施例５ 実施例１に記載したのと同様な方法で種々の下記一般式
で示されるエテニルアミド化合物を合成した。反応温
度、反応圧力、溶媒の種類、粗収率、生成物純度を表１
に示した。
で示されるエテニルアミド化合物を合成した。反応温
度、反応圧力、溶媒の種類、粗収率、生成物純度を表１
に示した。
【００４７】
【化７】
【００４８】
【表１】
【００４９】
【表２】
【００５０】
【表３】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｃ０７Ｃ 233/25 Ｃ０７Ｃ 233/25 233/65 233/65 255/60 255/60 323/32 323/32 323/41 323/41 Ｃ０７Ｄ 207/335 Ｃ０７Ｄ 207/335 213/40 213/40 307/52 307/52 333/20 333/20 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C07C 231/10 C07C 233/05 C07C 233/07 C07C 233/15 C07C 233/18 C07C 233/25 C07C 233/65 C07C 255/60 C07C 323/32 C07C 323/41 C07D 207/335 C07D 213/40 C07D 307/52 C07D 333/20 ＣＡＳＲＥＡＣＴ（ＳＴＮ)
Claims (1)
- 【請求項１】 イミノ基を構成する炭素原子に隣接する
炭素原子上に水素原子を有する、下記一般式（１）で表
されるシッフ塩基化合物 【化１】 （式中、Ｒ 1 は置換もしくは非置換の炭素数６〜１４の
アリ−ル基、または酸素原子、イオウ原子及び窒素原子
からなる群から選ばれた１個あるいは２個のヘテロ原子
を含んでなる置換もしくは非置換の炭素数３〜８のヘテ
ロアリ−ル基であり、Ｒ 2 およびＲ 3 は、同種又は異種の
水素原子又はアルキル基で、Ｒ 2 及びＲ 3 は相互に連結し
て環状を形成してもよく、Ｒ 4 は置換もしくは非置換の
炭素数１〜１２のアルキル基、置換もしくは非置換の炭
素数２〜１２のアルケニル基、置換もしくは非置換の炭
素数２〜１２のアルキニル基、置換もしくは非置換の炭
素数６〜１４のアリール基、置換もしくは非置換の炭素
数３〜８のヘテロアリール基、置換もしくは非置換の炭
素数３〜６のシクロアルキル基、置換もしくは非置換の
炭素数４〜６のシクロアルケニル基、または置換もしく
は非置換の炭素数４〜５のヘテロシクロアルキル基であ
る）と、下記一般式（２）で表されるハロゲン化アシル
化合物 【化２】 （式中、Ｒ 5 は置換もしくは非置換の炭素数１〜１２の
アルキル基、置換もしくは非置換の炭素数６〜１４のア
リ−ル基あるいは酸素原子、またはイオウ原子及び窒素
原子からなる群から選ばれた１個または２個のヘテロ原
子を含んでなる置換もしくは非置換の炭素数３〜８のヘ
テロアリ−ル基であり、Ｘはハロゲン原子である）とか
ら、脱ハロゲン化水素反応により当該水素原子を脱離せ
しめて、分子内にアミド結合及び該アミド結合の窒素原
子のα位とβ位の炭素−炭素間に二重結合を有する、下
記一般式（３）で表されるエテニルアミド化合物 【化３】 （式中、Ｒ 1 ，Ｒ 2 ，Ｒ 3 ，Ｒ 4 ，Ｒ 5 の定義は上式に同
じ）を製造する方法において、減圧下に反応させること
を特徴とする前記エテニルアミド化合物の製造方法。
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