JP3233538B2 - 軟磁性合金、軟磁性薄膜および多層膜 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、軟磁性合金と、軟磁性
薄膜と、多層膜とに関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気記録の分野では高記録密度化に伴な
い高保磁力を有する磁気記録媒体が用いられるようにな
っている。この場合、良好な磁気記録を行なうために
は、磁気ヘッドから密度の高い磁束を発生させる必要が
あるので、飽和磁束密度（Ｂs ）の高い軟磁性薄膜や軟
磁性多層膜を利用したメタル・イン・ギャップ（ＭＩ
Ｇ）型磁気ヘッド、積層型磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッド
などが用いられるようになってきている。これらの磁気
ヘッドに用いられる軟磁性薄膜や軟磁性多層膜には、高
いＢs の他、保磁力（Ｈc ）が低く透磁率（μ）が高い
ことも要求される。特に高密度記録媒体用の磁気ヘッド
では、高周波（例えば１０MHz 程度）での透磁率が大き
いことが重要である。

【０００３】Ｂs が１５kG以上と高い軟磁性材料はいく
つか提案されているが、他の特性が十分とはいえない。

【０００４】例えば、高いＢs を示す系としてはＦｅま
たはＦｅ−Ｃｏ合金を基本成分とする系が知られてい
る。しかし、Ｆｅ−Ｃｏ合金系の材料は磁歪が大きい。
このため、スパッタ法により形成する際に基板温度や熱
処理温度を最適化したとしてもＨc が高くなり、十分な
軟磁気特性が得られない。

【０００５】Ｆｅ系材料の軟磁気特性を改善するための
技術としては、ＦｅにＮとＯとを数パーセント以下添加
することが提案されている（特開平２−５７６６５号公
報）。このものは、Ｂs が１５kG以上、Ｈc が１．５ O
e 以下であって良好な軟磁気特性を示すが、耐食性が低
く、常温で通常の湿度の環境で容易に酸化が進み、磁気
特性が大幅に劣化するという問題がある。また、耐熱性
にも問題があり、素子作製の際に必然的に加わる熱によ
り、特性の劣化が生じてしまう。

【０００６】第１６回日本応用磁気学会学術講演概要集
の７ｐＦ−１５には、Ｃｏ＝５０〜６０wt% 、Ｆｅ＝２
０〜３０wt% 、Ｎｉ＝２０〜３０wt% を含有するめっき
膜で、１９kG以上の高Ｂs と良好な耐食性とが得られる
ことが報告されている。しかし、このめっき膜は透磁率
（μ）が６００〜７００程度であり、パーマロイに比べ
て低い。また、同文献には、透磁率の測定周波数は記載
されていない。

【０００７】特公昭６３−５３２７７号公報の第１図の
３元組成図には、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉめっき膜におけるλ
s ＝０線が示されているが、同公報では高周波における
透磁率は測定しない。なお、前述した第１６回日本応用
磁気学会学術講演概要集に記載されている高Ｂs のＦｅ
−Ｃｏ−Ｎｉめっき膜では、λs の絶対値が大きいため
に透磁率が低くなっていると考えられる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、Ｆｅ
−Ｃｏ−Ｎｉ系軟磁性合金、特に薄膜について、高Ｂs
を実現すると共に、高周波における高透磁率を実現する
ことである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（３）のいずれかの構成により達成される。 （１） Ｆｅ、ＣｏおよびＮｉに、Ｔｉおよび／または
Ｈｆを添加し、各元素の原子比が、 式 （Ｆｅ_x Ｃｏ_y Ｎｉ_z ）_100-a-b Ｔｉ_a Ｈｆ_b において ０．１０≦ｘ≦０．５５、 ０．２０≦ｙ≦０．８５、 ０．０５≦ｚ≦０．２８、 ３ｘ−５ｚ≦０．６０、 ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、 ０≦ａ≦５、 ０≦ｂ≦３、 ０．１≦ａ＋ｂ≦５ で表わされ、実質的に面心立方晶単相から構成され、飽
和磁歪値をλs とし、面心立方晶の（１１１）面間隔を
ｄ（１１１）とし、ＴｉおよびＨｆのいずれも含まない
ときの面心立方晶の（１１１）面間隔をｄ₀（１１１）
とし、 Δｄ（１１１）＝ｄ（１１１）−ｄ₀ （１１１） としたとき、 １．０×１０^-8 ≦λs ・Δｄ（１１１）／ｄ₀ （１１１） ≦３．０×１０^-8 である軟磁性合金。 （２） 上記（１）の軟磁性合金から構成されている軟
磁性薄膜。 （３） 少なくとも１層が上記（２）の軟磁性薄膜であ
る多層膜。

【００１０】

【作用および効果】本発明では、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系軟
磁性合金、特に薄膜において、主組成であるＦｅ、Ｃｏ
およびＮｉの組成範囲を限定すると共にＴｉおよび／ま
たはＨｆを添加し、λs ・Δｄ（１１１）／ｄ₀ （１１
１）が所定範囲に存在するようにする。ＴｉやＨｆの添
加により結晶粒は微細になり、また、磁歪および格子面
間隔は変化する。本発明では、ＴｉやＨｆを所定量添加
すると共に、Ｆｅ、ＣｏおよびＮｉの組成比を所定範囲
とすることにより、結晶粒の微細化と磁気弾性効果とが
相乗的に作用し、優れた軟磁気特性、特に１０MHz 程度
の高周波において高透磁率が得られる。なお、磁気弾性
効果は、格子が歪むことによる磁歪と内部応力とに起因
する。また、優れた軟磁気特性に加え、５００℃の熱処
理にも耐える耐熱性が得られ、１５kG以上の高い飽和磁
化を得ることが可能となる。

【００１１】従来、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金において、
高Ｂs と高透磁率とを両立させることは難しく、特に高
周波において高透磁率を実現する提案はなされていなか
ったが、本発明により、高いＢs が得られる組成範囲に
おいても高周波での高透磁率が得られるようになった。

【００１２】特開平２−６８９０６号公報の表１には、
スパッタ蒸着法により形成されたＦｅ₄₂Ｃｏ₁₈Ｎｉ₃₅Ｔ
ｉ₄ およびＦｅ₄₃Ｃｏ₁₉Ｎｉ₃₅Ｈｆ₃ が記載されてい
る。これらの組成は、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金にＴｉまた
はＨｆを添加する点では本発明と類似するが、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉの比率が本発明で限定する範囲から大きく外れ
ているため、λs ・Δｄ（１１１）／ｄ₀ （１１１）が
本発明で限定する範囲内とはならず、当然、本発明と同
等の効果は実現しない。同公報には初透磁率の記載があ
るだけで、１０MHz 程度の高周波での透磁率については
全く注目していない。

【００１３】また、特開昭６４−８６０５号公報には、
Ｆｅ₂₉Ｃｏ₄₀Ｎｉ₂₉Ｔｉ₂ 薄膜とＦｅ₈₆Ｓｉ₁₄薄膜とを
交互に積層した軟磁性薄膜が記載されている。Ｆｅ₂₉Ｃ
ｏ₄₀Ｎｉ₂₉Ｔｉ₂ 薄膜は、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金にＴｉ
を添加する点では本発明と類似するが、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎ
ｉの比率が本発明で限定する範囲から外れているため、
本発明と同等の効果は実現しない。同公報では、１０MH
z 程度の高周波での透磁率については全く注目していな
い。

【００１４】

【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。

【００１５】本発明の軟磁性合金は、Ｆｅ、Ｃｏおよび
Ｎｉを主成分とし、添加物としてＴｉおよび／またはＨ
ｆを含む。これらの各元素の原子比は、 式 （Ｆｅ_x Ｃｏ_y Ｎｉ_z ）_100-a-b Ｔｉ_a Ｈｆ_b において ０．１０≦ｘ≦０．５５、 ０．２０≦ｙ≦０．８５、 ０．０５≦ｚ≦０．２８、 ３ｘ−５ｚ≦０．６０、 ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、 ０≦ａ≦５、 ０≦ｂ≦３、 ０．１≦ａ＋ｂ≦５ で表わされ、好ましくは ０．１０≦ｘ≦０．４５、 ０．４０≦ｙ≦０．８５、 ０．０５≦ｚ≦０．１５、 ３ｘ−５ｚ≦０．６０、 ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、 ０．５≦ａ≦２、 ０．５≦ｂ≦１、 ０．５≦ａ＋ｂ≦３ である。Ｆｅ、ＣｏおよびＮｉそれぞれの原子比を表わ
すｘ、ｙおよびｚの限定範囲を、図１に示す。具体的に
は、３ｘ−５ｚ＞０．６０となると、体心立方晶が析出
しやすくなる。また、ｚが小さすぎると、体心立方晶が
析出しやすくなる。また、ｚが大きすぎると、高いＢs
が得られなくなる。ｘが小さすぎると、六方最密晶が析
出し、面心立方構造が得られなくなる。また、ａ＋ｂが
小さすぎると、ＴｉやＨｆの添加による効果が不十分と
なり、高周波において高透磁率が得られない。ａ、ｂお
よびａ＋ｂの少なくとも一つが大きすぎると、体心立方
晶の析出やＨｆ−Ｃｏ等の化合物相の析出などにより、
高周波において高透磁率が得られなくなる。

【００１６】なお、耐食性向上や耐摩耗性向上のため
に、Ｆｅの一部をＣｒ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｍ
ｎ、Ｐ、Ｂ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｐｔ等から選択される少なく
とも１種の元素で置換してもよい。Ｂs の低下を抑える
ためには、これらの元素の含有率を３重量％以下とする
ことが好ましい。

【００１７】本発明の軟磁性合金は、実質的に面心立方
晶単相から構成される。体心立方晶単相となったり、面
心立方晶と体心立方晶相との混晶となったりすると、本
発明の効果が得られなくなる。ただし、本発明における
主成分の組成範囲は、体心立方晶相が共析する組成範囲
と隣接しているので、極めて微量の体心立方晶が局部的
に偏析して特殊構造が形成され、これにより高特性が得
られている可能性も考えられる。従って、本発明におけ
る「実質的に面心立方晶単相」とは、汎用のＸ線回折装
置を用いた場合の評価結果とし、上記したような特殊構
造を含む概念とする。なお、結晶構造はＸ線回折により
確認することができる。

【００１８】本発明の軟磁性合金の平均結晶粒径は、２
０〜３５０A であることが好ましい。ＴｉやＨｆの添加
によりこのように結晶粒が微細化されるので、良好な軟
磁気特性が得られる。

【００１９】本発明の軟磁性合金では、飽和磁歪値をλ
s とし、面心立方晶の（１１１）面間隔をｄ（１１１）
とし、 Δｄ（１１１）＝ｄ（１１１）−ｄ₀ （１１１） としたとき、 １．０×１０^-8≦λs ・Δｄ（１１１）／ｄ₀ （１１
１）≦３．０×１０^-8 であり、好ましくは １．０×１０^-8≦λs ・Δｄ（１１１）／ｄ₀ （１１
１）≦２．０×１０^-8 である。ただし、ｄ₀ （１１１）は、Ｆｅ、Ｃｏおよび
Ｎｉの比率が同じでＴｉおよびＨｆのいずれも含まない
ときの面心立方晶の（１１１）面間隔である。本発明の
軟磁性合金は実質的に面心立方晶から構成され、（１１
１）面が優先配向している。軟磁気特性には磁気弾性効
果が寄与するので、本発明では、磁気弾性効果による寄
与を見積もる指標としてλs ・Δｄ（１１１）／ｄ₀
（１１１）を規定し、軟磁気特性、特に高周波での透磁
率との相関を調べた。そして、上記範囲において高周波
で高透磁率、例えば１０MHz で５００以上の透磁率が得
られることを見いだした。なお、ｄ（１１１）は、Ｃｕ
Ｋα₁ 線を用いたＸ線回折において、面心立方晶の（１
１１）面の回折角２θから算出することができる。

【００２０】本発明の軟磁性合金は、Ｘ線回折における
（２００）面のピーク強度および（１１１）面のピーク
強度をそれぞれＩ（２００）およびＩ（１１１）とした
とき、通常、 Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）≦０．４ である。面心立方晶の場合、（１１１）面が優先配向す
る。磁歪は結晶配向に依存するため、例えば特願平５−
１６６４０６号では、Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）が所
定範囲となるように組成および作製条件を最適化してい
る。これに対し本発明では、λs ・Δｄ（１１１）／ｄ
₀ （１１１）を制御することにより高透磁率を得るの
で、単にλs のみを低減する必要はない。したがって、
λs の低減を目的としてＩ（２００）／Ｉ（１１１）を
厳密に制御する必要がなく、生産性が良好となる。

【００２１】次に、本発明の軟磁性合金の製造方法につ
いて説明する。

【００２２】本発明の軟磁性合金は、用途に応じて薄膜
状、薄帯状、板状等の各種形状に形成される。

【００２３】薄膜状の軟磁性合金の製造には、スパッタ
法、蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法などの
ように気相中で薄膜を形成する方法や、電気めっき法な
どのように液相中で薄膜を形成する方法を用いることが
できるが、一般には気相中で薄膜を形成する方法を用い
ることが好ましい。

【００２４】スパッタ法を用いる場合、ターゲットには
合金の鋳造体や焼結体を用いればよく、複合ターゲット
を用いてもよい。また、結晶配向制御のためにバイアス
スパッタ法を用いてもよい。バイアス電圧は−３０〜−
２００V とすることが好ましい。

【００２５】蒸着法を用いる場合には、基板温度を４０
０℃以下とすることが好ましい。

【００２６】スパッタ法や蒸着法により形成された薄膜
には内部応力が存在し、このために良好な軟磁気特性が
得られにくいので、膜形成後に応力緩和のための熱処理
を施すことが好ましい。この熱処理は、真空中または不
活性ガス雰囲気中で行なうことが好ましく、保持温度は
３００〜７００℃とすることが好ましく、処理時間は１
〜２時間とすることが好ましい。

【００２７】電気めっき法を用いる場合には、スパッタ
法や蒸着法などにより導電性膜を形成して下地膜とし、
この上に軟磁性合金の薄膜を形成する。下地膜には、パ
ーマロイやＦｅを用いることが好ましい。これにより、
目的とする結晶配向が得やすくなる。

【００２８】軟磁性合金の薄膜には、目的とする方向に
一軸異方性を付与することが好ましい。一軸異方性付与
の方法としては、磁界中成膜や成膜後の磁界中アニール
を用いることができる。

【００２９】なお、磁界中成膜や磁界中アニールは、前
述した各方法のいずれを用いる場合にも適用できる。そ
して、スパッタ法または蒸着法を用いた場合には、磁界
中アニールを前述した応力緩和のための熱処理に代える
ことができる。

【００３０】上述した各方法により形成される軟磁性薄
膜の厚さは、目的に応じて適宜決定すればよく、特に限
定されないが、低い保磁力を得るためには、通常、０．
５〜１０μm 程度とすることが好ましく、また、薄膜磁
気ヘッドに適用する場合は０．５〜４．５μm 程度、薄
膜トランスに適用する場合は３〜１０μm 程度とするこ
とが好ましい。

【００３１】本発明の軟磁性薄膜は、多層膜に適用する
こともできる。多層膜の他の層には、ＳｉＯ₂ 、Ｓｉ₃
Ｎ₄ 等の非磁性絶縁薄膜や、他の軟磁性薄膜を用いれば
よい。多層膜とすることにより良好な軟磁気特性が得ら
れ、損失の少ない磁気ヘッドが実現する。

【００３２】薄帯状の軟磁性合金の製造には、液体急冷
法を用いることが好ましい。液体急冷法では、溶融合金
を射出して冷却ロール等の冷却基体表面に接触させて急
速に冷却し、薄帯状の軟磁性合金を製造する。液体急冷
法には、溶融合金を一方向から冷却する単ロール法や、
対向する二方向から冷却する双ロール法などがあるが、
本発明では単ロール法を用いることが好ましい。前述し
た結晶配向の軟磁性合金を製造するためには、溶融合金
の冷却速度や薄帯の厚さなどの各種条件を適宜選択すれ
ばよい。これら各条件の好ましい範囲は合金組成によっ
ても異なるが、例えば、冷却速度は一般に１×１０³ 〜
１×１０⁶ K/s 、特に１×１０⁴ 〜１×１０⁶ K/s とす
ることが好ましく、薄帯の厚さは一般に３〜１００μm
、特に１０〜７０μm とすることが好ましい。

【００３３】これらの方法の他、鋳造法などで所定形状
の軟磁性合金を製造してもよい。

【００３４】薄膜状の軟磁性合金は、例えば、ＭＩＧ
型、積層型、薄膜型の誘導型磁気ヘッド、磁気抵抗効果
型磁気ヘッドの磁気シールド膜や磁気抵抗効果膜、薄膜
トランスなどに適用され、薄帯状の軟磁性合金は、例え
ば、チョークコイル、トランスなどに適用され、鋳造法
により板状などに形成された軟磁性合金は、例えば、磁
気シールド板などに適用されるが、本発明の軟磁性合金
は、これら以外の各種磁気デバイスへの適用も可能であ
る。

【００３５】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。

【００３６】スライドガラス（ＭＡＴＳＵＮＡＭＩ社
製）基板上にＲＦマグネトロンスパッタ法により軟磁性
薄膜を形成し、測定用サンプルとした。

【００３７】ターゲットには、直径９０mmのＦｅ−Ｃｏ
合金ターゲット上にＮｉのチップを円環状に配置した複
合ターゲットを用い、ＴｉやＨｆを添加する場合には、
同様にＴｉチップやＨｆチップを円環状に配置した。ス
パッタはＡｒガス中で行なった。到達圧力は５×１０^-7
Torr以下、成膜中の圧力は１０×１０^-3Torr、ＲＦパワ
ーは２００〜４００Ｗ、膜形成速度は４０〜１５０A/s
、膜厚は約５０００ Aとした。スパッタ時の基板の冷
却は特に行なわなかった。

【００３８】膜形成後、膜中の応力を緩和するために、
１×１０^-5Torr以下の圧力下で５００℃に１時間保持し
た。

【００３９】各サンプルについて、以下に示す測定を行
なった。結果を各表に示す。

【００４０】膜組成 蛍光Ｘ線分析により測定した。

【００４１】飽和磁束密度（Ｂs ）、保磁力（Ｈc ） ＶＳＭ（試料振動式磁力計）を用い、最大印加磁界１０
kOe で測定した。

【００４２】飽和磁歪値（λs ） サンプルをその膜面内で回転する１００ Oe の磁界中に
配置し、レーザー光線を使用してサンプルの磁歪による
伸縮を反りとして同期整流方式で検出し、λsを算出し
た。なお、飽和磁歪値測定用のサンプルには、厚さ０．
１５mmのガラス板を基板として使用した。

【００４３】Δｄ（１１１）／ｄ₀ （１１１） 面心立方構造の（１１１）面間隔ｄ（１１１）は、Ｃｕ
Ｋα₁ 線を用いたＸ線回折により、面心立方構造の（１
１１）面の回折角２θを求め、これから算出した。そし
て、主成分の組成比が同じでＴｉおよびＨｆのいずれも
含まないサンプルの（１１１）面間隔ｄ₀ （１１１）を
用いて、 Δｄ（１１１）＝ｄ（１１１）−ｄ₀ （１１１） によりΔｄ（１１１）を求め、算出した。

【００４４】平均結晶粒径 ＣｕＫα₁ 線を用いたＸ線回折により、面心立方構造の
（１１１）面のピークの半値幅から求めた。

【００４５】結晶配向 ＣｕＫα₁ 線を用いたＸ線回折により、面心立方構造の
ピーク強度比Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）を求めた。

【００４６】交流透磁率（μ） ネットワークアナライザーを用い、Ｓパラメーター法に
より磁化困難軸方向で測定した。測定周波数は１０MHz
とした。

【００４７】なお、各表において、ｆｃｃは面心立方
晶、ｂｃｃは体心立方晶、Ｈｆ−ＣｏはＣｏ₂₃Ｈｆ₆ で
ある。

【００４８】

【表１】

【００４９】

【表２】

【００５０】

【表３】

【００５１】各表に示されるように、所定の組成を有
し、かつλs ・Δｄ（１１１）／ｄ₀（１１１）が所定
の範囲内に存在する本発明の軟磁性合金では、高Ｂs が
得られると共に高周波において高透磁率が得られること
がわかり、λs の低さが高周波での透磁率の高さに直結
しないこともわかる。

【００５２】これに対し、表１および表２に示されるよ
うに、Ｔｉ、ＨｆまたはＴｉ＋Ｈｆの添加量が限定範囲
を超えるサンプルでは、高周波での透磁率が低く、Ｂs
も低くなっている。

【００５３】表３の比較サンプルNo. ３０１〜３０５
は、前述した特開昭６４−８６０５号公報記載のＦｅ₂₉
Ｃｏ₄₀Ｎｉ₂₉Ｔｉ₂ 薄膜と主成分（Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ）
中の元素比率がほぼ同じサンプルである。これらの比較
サンプルでは、主成分組成が本発明における限定範囲か
ら外れているため、ＴｉやＨｆの添加によりかえって透
磁率が低くなってしまっている。

【００５４】表３の比較サンプルNo. ３０６〜３１０
は、前述した特開平２−６８９０６号公報記載のＦｅ₄₂
Ｃｏ₁₈Ｎｉ₃₅Ｔｉ₄ およびＦｅ₄₃Ｃｏ₁₉Ｎｉ₃₅Ｈｆ₃ と
主成分の元素比率がほぼ同じサンプルである。これらの
比較サンプルでは、主成分組成が本発明における限定範
囲から外れているため、ＴｉやＨｆの添加によりかえっ
て透磁率が低くなってしまっている。

【００５５】表３の比較サンプルNo. ３１１〜３１４
も、主組成が本発明における限定範囲を外れているた
め、ＴｉやＨｆの添加によりかえって透磁率が低くなっ
てしまっている。

【００５６】表３のサンプルNo. ３１６および３１８
は、Ｎｉ量を表わすｚが好ましい範囲を外れているが、
サンプルNo. ３１５および３１７とそれぞれ比較する
と、Ｔｉ添加による特性改善は認められる。

【００５７】なお、厚さ５００ Aの軟磁性薄膜と厚さ５
０ Aの非磁性絶縁薄膜（Ｓｉ₃ Ｎ₄）とを交互に２０層
づつ積層した多層膜において、軟磁性薄膜を上記各サン
プルと同様にして形成したところ、上記各サンプルと同
様にＴｉおよび／またはＨｆ添加の効果が明らかであっ
た。

【００５８】以上の実施例の結果から、本発明の効果が
明らかである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の軟磁性合金の主成分の比率を示す３成
分組成図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野口 潔 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 テ ィーディーケイ株式会社内 (72)発明者 大池 太郎 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 テ ィーディーケイ株式会社内 (72)発明者 篠浦 治 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 テ ィーディーケイ株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−68906（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C22C 38/00 303 C22C 19/07 C22C 38/14 H01F 1/14 H01F 10/16

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 Ｆｅ、ＣｏおよびＮｉに、Ｔｉおよび／
   またはＨｆを添加し、各元素の原子比が、 式 （Ｆｅ_x Ｃｏ_y Ｎｉ_z ）_100-a-b Ｔｉ_a Ｈｆ_b において ０．１０≦ｘ≦０．５５、 ０．２０≦ｙ≦０．８５、 ０．０５≦ｚ≦０．２８、 ３ｘ−５ｚ≦０．６０、 ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、 ０≦ａ≦５、 ０≦ｂ≦３、 ０．１≦ａ＋ｂ≦５ で表わされ、 実質的に面心立方晶単相から構成され、 飽和磁歪値をλs とし、面心立方晶の（１１１）面間隔
   をｄ（１１１）とし、ＴｉおよびＨｆのいずれも含まな
   いときの面心立方晶の（１１１）面間隔をｄ₀（１１
   １）とし、 Δｄ（１１１）＝ｄ（１１１）−ｄ₀ （１１１） としたとき、 １．０×１０^-8 ≦λs ・Δｄ（１１１）／ｄ₀ （１１１） ≦３．０×１０^-8 である軟磁性合金。
2. 【請求項２】 請求項１の軟磁性合金から構成されてい
   る軟磁性薄膜。
3. 【請求項３】 少なくとも１層が請求項２の軟磁性薄膜
   である多層膜。