JPH03265105A - 軟磁性積層膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、磁気ヘッド等に適した飽和磁束密度の高い
軟磁性積層膜に関する。

［従来の技術］ 磁気記録の分野においては、記録密度を高ぬるために磁
気テープ等の記録媒体の高保磁力化が推進されているが
、それに対応する磁気ヘッドの材料として飽和磁束密度
（Ｂ　ｓ）の高いものが要求されている。

従来の高飽和磁束密度の軟磁性材料（膜）として、Ｆ　
ｅ−Ｓ　ｉ−Ａ　Ｉ合金（センダスト）が代表的なもの
であるが、近年、強磁性金属元素であるＣｏを主体とす
る非晶質の合金膜が開発されている。

また最近の試みとして、Ｆｅを主成分とする微細結晶か
らなる合金膜（Ｆ　ｅ−Ｃ、Ｆ　ｅ−Ｓ　ｉ等）により
、Ｆｅの結晶磁気異方性の影響（軟磁性に対する悪影響
）を結晶の微細化により軽減し、高飽和磁束密度でかつ
軟磁気特性の優れた膜を得た例がある。

［発明が解決しようとする課題］ ところで、磁気ヘッドを組み込んだ装置は小型化、軽量
化する傾向にあり、移動に伴う振動にさらされたり、悪
環境のもとで使用されたりすることが多くなっている。

そこで、磁気ヘッドには、磁気特性が優秀であって磁気
テープに対する耐摩耗性が優れていることは勿論、湿度
や腐食性の雰囲気中での耐用性、すなわち耐環境性や、
耐振動性等が高いことが要求されている。そのため、ギ
ャップ形成やケースへの組み込み等をガラス溶着で行う
ことが必要となり、磁気ヘッドの素材はヘッドの製造工
程におけるガラス溶着工程の高温に耐え得ることが必要
である。

しかしながら、前記従来の軟磁性合金膜において、セン
ダストからなるものは、飽和磁束密度が約１００００Ｇ
（ガウス）程度であり、今後−層の高密度化の要求に対
しては不充分である。また、Ｃｏ系のアモルファス合金
膜では１３０００Ｇ以上の高い飽和磁束密度のものも得
られているが、従来のアモルファス合金の飽和磁束密度
を高くしようとすると、アモルファス形成元素であるＴ
ｉ。

Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ等の添加量を少なく
する必要があるが、添加量を少なくすると、アモルファ
ス構造の安定性が低下し、ガラス溶着に必要な温度（約
５００℃以上）には耐え得ない問題がある。

更に、上述したＦｅを主成分とする微細結晶からなる合
金膜（Ｆ　ｅ−Ｃ、Ｆ　ｅ−９ｉ等）は、高温で結晶成
長を起こし、軟磁気特性が劣化する（Ｆｅ−Ｃの場合、
４００℃が最高）ために、やはりガラス溶着に適したも
のとは言い難い。

このような背景から本願発明者らは、特願平ｌ−２７８
２２０号などにおいて、前記の問題を解決した軟磁性合
金膜を特許出願している。

特願平１−２７８２２０号明細書において特許出願して
いる軟磁性合金膜の１つは、組成式が、Ｆｅｘ　ＭｚＣ
ｗで示され、組成比Ｘは原子％で５０〜９６、Ｚは２〜
３０１．は０．５〜２５、Ｘ＋ｚ　十ｗ　＝　１００な
る関係を満足するものであった。

また、他の１つは、組成式が、ＦｅｘＴｙＭｚＣＷで示
され、組成比Ｘは原子％で５θ〜９６、ｙは０．１−１
０．２は２〜３０１．は０．５〜２５、Ｘ　＋　ｙ　＋
　ｚ　＋　’ｗ　＝　１００なる関係を満足するもので
あった。

この特許出願で提供した軟磁性合金膜は、一部組酸のも
のは１８０００Ｇ程度の高い飽和磁束密度を有し、従来
の各種材料に比較すると高い熱安定性を備え、十分な耐
食性と耐環境性を有しているものであった。ところが、
この軟磁性合金膜では、飽和磁束密度２００００Ｇ前後
のものは得られず、特に高い記録特性が要求される磁気
ヘッド用としては対応できない問題があった。

本発明は上述の問題点を解決し、軟磁気特性に優れ、そ
の特性が熱的に安定であり、信頼性の高いガラス溶着が
できるとともに、２００００Ｇ前後の高い飽和磁束密度
を示し、無磁場熱処理によっても十分に高い磁気特性を
得ることができる軟磁性積層膜を提供することを目的と
するものである。

［課題を解決するための手段〕 請求項１に記載した発明は前記課題を解決するために、
ＦｅｚＭｚＣｖｙなる組成式で示される軟磁性合金層と
Ｆｅ層とが交互に積層されてなり、前記軟磁性合金層は
全体が平均粒径０．０８μｍ以下の微細な結晶粒からな
り、微細結晶粒の一部に元素Ｍの炭化物の結晶相を含む
ことを特徴とするものである。ただし前記組成式におい
てＭはＴｉＺ　ｒ、Ｈｆ、Ｖ　、Ｎ　ｂ、Ｔ　ａ、Ｍｏ
、Ｗのうち、少なくとも１種からなる金属元素又はその
混合物であり、組成比Ｘ　、Ｚ　、ｗは原子％で５０≦
ｘ≦９６．２≦２≦３０．０．５≦７≦２５、ｘ＋ｚ＋
ｗ＝１００なる関係を満足するものとする。

請求項２に記載した発明は前記課題を解決するためｌこ
’、ＦｅｘＴｙＭｚＣｗなる組成式で示される軟磁性合
金層とＦｅ層とが交互に積層されてなり、前記軟磁性合
金層は全体か平均粒径０．０８μｍ以下の微細な結晶粒
、９らなり、微細結晶粒の一部に元素Ｍの炭化物の結晶
相を含むものである。

ただし前記組成式において、ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ
Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗのうち、少なくとも１種からなる
金属元素又はその混合物、ＴはＣｏ、Ｎｉのうち、少な
くとも１種を示し、組成比Ｘ　、）’　、Ｚ　、ｗは原
子％で５０≦ｘ≦９６．０．１≦ｙ≦２０．２≦２≦３
０．０．５≦ｗ≦２５、ｘ＋Ｚ＋、−１００なる関係を
満足するものとする。

請求項３に記載した発明は前記課題を解決するために、
請求項１または２に記載の軟磁性合金層が平均結晶粒径
０．０８μｍ以下の微細な結晶粒と非晶質相との混在し
た組織を有し、微細結晶粒の一部に元素Ｍの炭化物の結
晶相を含むものである。

請求項４に記載した発明は前記課題を解決するために、
請求項１，２または３に記載したＦｅ層と軟磁性合金層
との界面において、軟磁性合金層の構成元素の濃度勾配
をつけてなるものである。

以下に本発明を更に詳細に説明する。

第１図は本発明の軟磁性積層膜の一実施例を示すもので
、この実施例の積層膜１は、基板２の上に、純鉄からな
るＦｅ層３と、Ｆｅ−Ｍ−Ｃ系あるいはＦ　ｅ−Ｔ　−
Ｎ−Ｃ系の軟磁性合金層４とを交互に積層してなるもの
である。なお、積層膜１においてその最上部には軟磁性
合金膜４が形成されている。

また、前記積層膜１の厚さ方向の濃度分布は第２図に示
すようになっている。

前記軟磁性合金層４の一例は、ｐｅｘＭｚＣｗなる組成
式で示され、全体が平均粒径０．０８μ印以下の微細な
結晶粒からなり、微細結晶粒の一部に元素Ｍの炭化物の
結晶相を含むものである。ただし前記組成式においてＭ
はＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ　、ＮｂＴ　ａ、Ｍｏ、Ｗのう
ち、少なくとも１種からなる金属元素又はその混合物で
あり、組成比ｘ　、ｚ　、ｗは原子％で５０≦ｘ≦９６
．２≦Ｚ≦３０，０．５≦ｗ≦２５、ｘ　＋　ｚ　＋　
ｗ　＝　１００なる関係を満足するものとする。

また、前記軟磁性合金層４の他の１つの例は、ＦｅｘＴ
ｙＭｚＣｗなる組成式で示され、全体が平均粒径０，０
８μｍ以下の微細な結晶粒からなり、微細結晶粒の一部
に元素Ｍの炭化物の結晶相を含むものである。ただし前
記組成式において、ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｍｏ、Ｗのうち、少なくとも１種からなる金属元
素又はその混合物、ＴはＧｏ、Ｎｉのうち、少なくとも
１種を示し、組成比Ｘ　、１／　、Ｚ　＋Ｗは原子％で
５０≦ｘ≦９６．０．１≦ｙ≦２０．２≦２≦３０．０
．５≦ｗ≦２５．８十ｚ　＋　ｗ　＝　Ｉ　００なる関
係を満足するものとする。

前記軟磁性積層膜を成膜する方法としては、スパッタ、
蒸着等のＨＭ形成装置により作製する。

スパッタ装置としては、ＲＦ２極スパッタ、ＤＣスパッ
タ、マグネトロンスパッタ、３極スパツタ、イオンビー
ムスパッタ、対向ターゲット式スパッタ、等の既存のも
のを使用することができるが、同一真空槽内に２基以上
のターゲットを装着可能で、真空を破らずに多層膜の作
製が可能な形式の装置を用いることか好ましい。

第３図は前記積層膜１を製造する場合に用いて好適な成
膜装置の一例を示すもので、図中５は支持軸６によって
回転自在支持された基板ホルダ、７．８は基板ホルダ５
の上方に設けられたカソードであって、カソード７．８
の間には隔壁９が設けられ、装置全体が図示路の真空容
器に収納されている。そして、基板ホルダ５の上面には
基板ｌＯが設置されるとともに、カソード７の下面には
純鉄製のターゲット１１が設けられ、カソード８の下面
にはグラファイト板などのベレット１２とＨｆなどの元
素Ｍからなるベレット１３とを備えた純鉄製のターゲッ
ト１４が設けられている。

前記構成の装置によって積層膜ｌを形成するには、両方
のカソード７．８でスパッタを行って各ターゲットから
スパッタ粒子を発生させるとともｊこ、基板ホルダ５を
所定時間毎に１８０°回転させて基板ＩＯをカソード７
の下方側とカソード８の下方側の両方を交互に往来させ
ることによって行う。

以上の操作によって基板ｌＯの上には、カソード７から
スパッタされた粒子によってＦｅ層３が形成され、カソ
ード８からスパッタされた粒子によって軟磁性合金層４
が形成され、この繰り返しによって第１図に示す積層膜
Ｉが形成される。

基板ホルダ５の交互回転によって基板ｌ上に所定の厚さ
の積層膜１を形成したならば、成膜操作を停止する。

このようにして作製したままの積層膜ｌにおける各軟磁
性合金層［Ｆ　ｅ−（Ｔ　）−Ｍ−Ｃ膜］は、一応の軟
磁気特性を示すが、これらの軟磁性合金膜はアモルファ
ス相をかなりの割合で含んだものであり、飽和磁束密度
が十分には高くなく、軟磁気特性も十分ではなく、不安
定であるので、４００〜７００℃程度に加熱する熱処理
を施すことによって微細結晶を析出させる。そして、こ
の熱処理を静磁場あるいは回転磁場中で行うことにより
、優れた軟磁気特性が得られる。また、この熱処理は磁
気ヘッドの製造工程におけるガラス溶着工程を兼ねて行
うことができる。

なお、前記微細結晶の析出工程は、完全に行なわれる必
要はなく、微細結晶が相当数（好ましくは５０％以上）
析出していれば良いので、アモルファス成分が一部残留
していても差し支えなく、残留したアモルファス成分が
特性向上の障害となることはない。

また、Ｃを膜中に添加する方法として、前記のようにタ
ーゲツト板にグラファイトのベレット１２を配置して複
合ターゲットとし、これをスパッタする方法の他に、Ｃ
を含まないターゲット（Ｆｅ−Ｍ系あるいはＦ　ｅ−Ｔ
−Ｍ系）を用い、Ａｒ等の不活性ガス中にメタン（ＣＨ
，）等の炭化水素ガスを混合したガス雰囲気でスパッタ
する反応性スパッタ法等を用いることもできる。この反
応性スパッタ法では膜中のＣ濃度の制御が容易であるが
Ｆｅ層３を成膜する際にはＣＨ，ガスの供給を停止して
から成膜する必要がある。

以下、軟磁性合金層４の成分を限定した理由について述
べる。なお、Ｆｅと元素Ｔと元素ＭとＣの成分限定理由
は特願平１−２７８２２０号の場合と大略同一である。

Ｆｅは主成分であり、磁性を担う元素であって、少なく
ともフェライト（Ｂｓ　　５０００Ｇ）以上の飽和磁束
密度を得るためには、Ｘ≧５０％が必要である。また、
良好な軟磁気特性を得るためには、Ｘ５９６％でなけれ
ばならない。

元素Ｔ（即ちＣｏ、Ｎｉ）は、磁歪の調整の目的で添加
する元素である。Ｆｅ−Ｍ−Ｃ膜の場合、熱処理温度が
低いと磁歪が正になり、熱処理温度が高いと磁歪が負に
なる。高い熱処理温度（ガラス溶着温度）を必要とする
場合、磁歪を正にする効果のあるＮｉ、Ｃｏを適量添加
することにより、磁歪をほぼ零にすることができる。な
お、熱処理温度が適当な場合、元素Ｔの添加は特に必要
ないが、Ｔの添加は正の磁歪が＋１０−５台以上まで大
きくならないようにｙの値を調整しなくてはならない。

ここでｙの値について、特願平１−２７８２２０号にお
いては、０，１≦ｙ≦ｗ０であったものを、この発明に
おいて０，１≦ｙ≦２０まで拡大しているのは、Ｆｅ層
３の磁歪が負で大きい値を持ったぬに、積層Ｈ１の全体
の磁歪を＋１０−５台にまで大きくしないためのｙの許
容量が増加するためである。

元素Ｍは軟磁気特性を良好にするために必要であり、ま
たＣと結合して炭化物の微細結晶を形成する。良好な軟
磁気特性を維持するためには、２層２％とする必要があ
るが、多すぎると飽和磁束密度が低下してしまうので、
２６３０％とする必要がある。

Ｃは軟磁気特性を良好にするため、及び、耐熱性を向上
させるために必要であり、Ｃは元素Ｍと結合して炭化物
の微細結晶を形成する。良好な軟磁気特性、及び、熱的
安定性を維持するためには１．５０．５％とする必要が
あるが、多すぎると飽和磁束密度が低下してしまうので
、１層２５％とする必要がある。

元素Ｍの炭化物の微細結晶は磁壁のピンニングサイトと
して働き、透磁率の高周波特性を向上させる働きがある
とともに、膜中に均一に分散させることで、Ｆｅの微細
結晶が熱処理により成長して軟磁性を損うことを防止す
る働きがある。つまり、Ｐｅの結晶粒が成長して大きく
なると結晶磁気異方性の悪影響か大きくなり、軟磁気特
性が悪化するが、元素Ｍの炭化物の微細結晶がＦｅの粒
成長の障壁として働くことにより軟磁気特性の悪化を防
止する。

上記軟磁性合金層４においてはその組成がＦｅに富む微
細な結晶を主体とし、飽和磁束密度を低下させる成分の
添加が制限されているから、非晶質状態に比べ鉄原子１
個あたりの磁気モーメントおよびキュリー温度が高くな
っており、高い飽和磁束密度が得られる。また、元素Ｍ
及びＣが含まれているとともに、金属組織が基本的に０
．０８μｍ以下の微細な結晶粒からなっており、結晶磁
気異方性による軟磁性への悪影響が軽減されるので、良
好な軟磁気特性が得られる。更に、元素Ｍの炭化物が析
出してＦｅを主成分とする結晶粒の成長を抑えるので、
ガラス溶着工程において加熱されても、結晶粒が粗大化
することがない。

前記のように製造された積層膜Ｉにあっては、飽和磁束
密度が２１．５ｋＧの２０層３と最高１８ｋＧの飽和磁
束密度を有する軟磁性合金膜ｌとを交互に積層している
ために、全体で２００００Ｇを越える極めて高い飽和磁
束密度を得ることができる。また、Ｆ　ｅ−（Ｔ　）−
Ｍ−Ｃ系の軟磁性合金層４は、膜自体微細結晶を主体と
し、軟磁気特性が優れていること、および、Ｆｅ層層中
中結晶粒は上下から軟磁性合金層４．４により挾まれて
膜厚方向には成長し難いので２０層３の結晶粒も微細と
なり、２０層３の軟磁気特性も良好であることにより、
積層膜Ｉは優れた軟磁気特性を有する。

なお、２０層３の軟磁気特性を良好にするために、２０
層３の１層あたりの厚さは２０００Å以下とすることが
好ましい。また、軟磁性合金層４の層の厚さについては
、特に制限はないが、２０層３に対してあまり厚くする
と高い飽和磁束密度を得難い。また、２０層３および軟
磁性合金層４のいずれをも薄くしすぎると熱処理による
両者の層間の原子拡散により各成分の濃度が膜厚方向で
ほぼ均一に混じってしまい、積層化の効果が出ない。な
お、層厚の下限は約５０人である。

２０層３は熱処理後は負の磁歪を示す。このため、軟磁
性合金層４をＭ、Ｃ濃度比の調整あるいはＴ＃度の調整
により正磁歪に調節することで、膜全体の平均の磁歪を
小さくすることが好ましい。

また、磁歪の調整は、熱処理温度あるいは２０層３と軟
磁性合金膜４との層厚比を変えることによっても可能で
あり、種々の用途に応じた設定が可能である。

第４図は請求項４に記載した発明の一実施例を示すもの
であって、この実施例の積層膜２１は、純鉄からなるＦ
ｅＦｆｉ２３と先の実施例と同等の軟磁性合金層２４と
の間に、Ｆｅ層２３と軟磁性合金層２４の中間濃度の拡
散層２５を介在させた構成である。この拡散層２５は、
Ｆｅ層２３側に向かうにつれて元素Ｔ、ＭとＣなどの添
加元素の濃度が徐々に減少し、軟磁性合金層２４側に向
かうにつれて元素Ｍ、ＴとＣなどの添加元素の濃度が徐
々に増加するように濃度勾配がつけられている。

従ってこの実施例の積層膜２１では厚さ方向の濃度分布
は第５図に示すようになっている。

前記構成の積層膜２１を得るには、第１図に示す構成の
積層膜ｌを所要時間熱処理して２０層３と軟磁性合金層
４との間に元素拡散を生じさけることで得ることができ
る。

この構成の積層膜においても先に記載した実施例と同等
の効果をえることができる。

［実施例コ （１）成膜 第３図に示１”ＲＦ２極スパッタ装置を用い、純鉄製の
ターゲットを備えたカソードとグラファイトペレットお
よびＨｆベレットを付けた鉄製ターゲットを備えたカソ
ードの両方を同時に放電させるとともに、基板ホルダを
回転させることにより、基板を両力ソードの間を行き来
するように移動させてＦｅ層とＦｅＨｆＣ層とを交互に
積層させた多層膜を形成した。この多層膜において、Ｆ
ｅ層１層あたりの膜厚と、ＦｅＨｆ０層１層あたりの膜
厚とそれらの積層数は第１表に示す通りであり、全体の
膜厚は５〜６μｍとした。この積層膜においＦｅＨｆＣ
膜の組成は、Ｆ　ｅｓｓ、ｓＨｆｓ、ｓＣ＋ｏ、ｅであ
った。

（２）熱処理および測定 成膜後、成膜したままの状態での磁気特性の測定と、無
磁場熱処理後の磁気特性の測定を行った。

その結果を第１表に示す。

（以下、余白） 第１表に示す試料ａ、ｂ、ｃの積層膜においては、Ｆｅ
層とＦｅＨｆＣ層の各々について１層あたりの厚さを５
９人、１１５人、２１０人と変化させたが、いずれも熱
処理後に２００００Ｇ以上の高い飽和磁束密度と良好な
軟磁気特性を示した。特に１層あたり、２１０Ａの厚さ
で合計２７５層積層した試料Ｃの積層膜は、５５０℃（
２０分保持）の熱処理後に３１４０という高い透磁率を
示し、熱処理温度を６５０℃に上げても透磁率２５２０
という優れた熱安定性を示した。しかし、この試料Ｃの
積層膜の磁歪定数は−１，９ＸＩ（Ｉ’と若干負に大き
い。これは、Ｆｅ層に対してＦｅＨｆＣ層の厚さを厚く
することによって小さくすることかでき、第１表の試料
ｄに示すようにｌｏ−７台のλＳが得られる。また、磁
歪定数λＳの調整はＦｅＨｆＣ層の組成を変える（Ｆ　
ｅＨｆＣ層のλＳがより正になるようにする）ことによ
って可能であり、第２表に示すようにＣ濃度を増やすこ
と、あるいは元素Ｔ（ＣｏあるいはＮｉ）を添加するこ
とにより同様にｌｏ−７台のλＳとすることが可能であ
る。

［発明の効果］ 以上詳述したようにこの発明の積層膜に用いられている
軟磁性合金層は、Ｆｅを主成分とする微細な結晶粒から
なっているので、従来のアモルファス合金膜とは異なり
、無磁場中で熱処理を行っても高い飽和磁束密度と高い
透磁率を発揮する膜を得ることができ、磁場をかけて熱
処理する場合よりも工程の簡略化をなしえる。また、前
記軟磁性合金層には元素Ｍ（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｈｆ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｍ。

Ｗ）及びＣという軟磁性を良好とする成分が添加される
とともに、金属組織が微細な結晶粒から成り、結晶磁気
異方性による軟磁性への悪影響が軽減されるので、良好
な軟磁気特性が得られる。

更に、前記軟磁性合金層は微細な結晶粒からなるととも
に、添加された元素ＭがＣと炭化物を形成するから、ガ
ラス溶着工程において加熱されても、結晶粒が粗大化す
ることがなく、上記の特性を維持する。

更にまた、上記組成に加えて元素Ｔ（Ｃｏ、Ｎｉ）を添
加し、磁歪を調整することにより、磁気ヘット製造工程
等で生じる種々の歪による軟磁気特性の劣化を防ぐこと
ができるものである。

即ち、本発明の軟磁性積層膜は、前述の如く優れた軟磁
気特性を有する軟磁性合金層と、優れた飽和磁束密度を
有するＦｅ層とを積層したものであるために、Ｆ　ｅ−
（Ｔ　ＩＭ−Ｃ系の軟磁性合金膜単独の優れた軟磁気特
性と耐熱性を維持しながら、２００００Ｇ以上の優れた
飽和磁束密度が得られる。

従って本発明の軟磁性積層膜は、２００００Ｇ以上の飽
和磁束密度が要求される高密度記録用の磁気ヘッドの素
材として好適である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の積層膜を示す断面図、第２
図は第１図に示す積層膜の厚さ方向の濃度分布を示す線
図、第３図は第１図に示す積層膜を製造するのに用いて
好適なスパッタ装置の一例を示す偕成図、第４図は本発
明の他の実施例の積層膜を示す断面図、第５図は第４図
に示す積層膜の濃度分布を示す線図である。 １・積層膜、２・・基板、３・・・Ｆｅ層、４・・軟磁
性合金層、５・基板ホルダ、７，８・・・カソード、Ｉ
Ｏ・・基板、１トターゲット、１２．１３・・・ペレッ
ト、１４・・・ターゲット。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）ＦｅｘＭｚＣｗなる組成式で示される軟磁性合金
   層とＦｅ層とが交互に積層されてなり、前記軟磁性合金
   層は全体が平均粒径０．０８μｍ以下の微細な結晶粒か
   らなり、微細結晶粒の一部に元素Ｍの炭化物の結晶相を
   含むことを特徴とする軟磁性積層膜。 ただし前記組成式において、ＭはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ
   ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗのうち、少なくとも１種からな
   る金属元素又はその混合物であり、組成比ｘ，ｚ，ｗは
   原子％で ５０≦ｘ≦９６ ２≦ｚ≦３０ ０．５≦ｗ≦２５ ｘ＋ｚ＋ｗ＝１００ なる関係を満足するものとする。 （２）ＦｅｘＴｙＭｚＣｗなる組成式で示される軟磁性
   合金層とＦｅ層とが交互に積層されてなり、前記軟磁性
   合金層は全体が平均粒径０．０８μｍ以下の微細な結晶
   粒からなり、微細結晶粒の一部に元素Ｍの炭化物の結晶
   相を含むことを特徴とする軟磁性積層膜。 ただし前記組成式において、ＭはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ
   ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗのうち、少なくとも１種からな
   る金属元素又はその混合物、ＴはＣｏ，Ｎｉのうち、少
   なくとも１種を示し、組成比ｘ，ｙ，ｚ，ｗは原子％で ５０≦ｘ≦９６ ０．１≦ｙ≦２０ ２≦ｚ≦３０ ０．５≦ｗ≦２５ ｘ＋ｚ＋ｗ＝１００ なる関係を満足するものとする。 （３）請求項１または２に記載の軟磁性合金層が平均結
   晶粒径０．０８μｍ以下の微細な結晶粒と非晶質相との
   混在した組織を有し、微細結晶粒の一部に元素Ｍの炭化
   物の結晶相を含むことを特徴とする軟磁性積層膜。 （４）請求項１，２または３に記載したＦｅ層と軟磁性
   合金層との界面に、軟磁性合金層の構成元素の濃度勾配
   がっけられてなることを特徴とする軟磁性積層膜。