JP3208047B2 - 加熱炉 - Google Patents
加熱炉Info
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Description
ント基板などの製造工程において、基板を加熱するため
の加熱炉に関する。
低消費電力である特長を持つために、ディスプレイ用と
して広く使用されるようになってきた。液晶パネルの製
造工程では、液晶パネル用のガラス基板上に塗布された
シ−ル剤を加熱硬化させる工程があるが、その加熱手段
として、従来、ガラス基板をホットプレート上に載置し
て、所望の温度でシ−ル剤の加熱を行なうホットプレ−
ト式の加熱炉を使用している。
されているかかる従来の加熱炉の一例の概略構造を示す
縦断面図、図10は図9の分断線E−Eに沿う断面図で
あって、40は加熱炉の搬入部、41は炉体、42は加
熱炉の搬出部、43は基板搬送機構、44は炉体ケ−
ス、45はモ−タ、46はボ−ルネジ、47はナット、
48はリニアガイド、49は横移動機構、50はモ−
タ、51はボ−ルネジ、52はナット、53はリニアガ
イド、54はカム、55はガイド、56は縦移動機構、
57は基板移動板、58は架台フレーム、59は基板、
60a〜60cはホットプレ−ト(以下、特定のホット
プレートを表わすときには、符号の末尾に英小文字を付
けて60a,60b,60cといい、総称するときに
は、ホットプレート60という)、61は柱、62は排
気管である。
た基板59は、加熱炉内に搬入する前に、搬入部40で
保持される。炉体41の内部には、基板59を搭載して
加熱するためのホットプレ−ト60a〜60cが設けら
れている。シール剤の加熱硬化処理が終了した基板59
は加熱炉の搬出部42に搬送され、ここから次工程の装
置に搬出される。
出部42へ向って基板59を搬送する基板搬送機構43
がホットプレート60の下方に設けられ、これらホット
プレート60と基板搬送機構43が炉体ケ−ス44で覆
われている。この炉体ケ−ス44の天井部には、炉体ケ
−ス44内部で発生するガスを排出する排気管62が設
けられている。
おり、炉体ケ−ス44と柱61は装置下部の架台フレー
ム58に固定されている。基板搬送機構43はモ−タ4
5やボ−ルネジ46,ナット47,リニアガイド48な
どからなる横移動機構49と、モ−タ50やボ−ルネジ
51,ナット52,リニアガイド53,カム54,ガイ
ド55などからなる縦移動機構56と、炉体ケ−ス44
を貫通して搬入部40から搬出部42にかけて延在する
基板移動板57とで構成されている。
はモ−タ45の回転をボ−ルネジ46とナット47によ
り直線移動に変換し、リニアガイド48上で基板移動板
57を図9での左右方向に駆動する。横移動機構49が
基板移動板57を駆動する距離は、ホットプレ−ト60
a〜60cの中心間距離に等しい。
をボ−ルネジ51とナット52により直線移動に変換
し、カム54をリニアガイド53上で駆動することによ
り、カム54上にあるガイド55を上下に駆動し、これ
によって基板移動板57を図9での上下方向に駆動す
る。
を内蔵し、さらに、図示しない制御器と接続されてい
る。モータ45,50は、一定方向に一定量回転する
と、信号を制御器に送り、制御器は、この信号に応じ
て、モータ45,50の停止,正転及び逆転などを制御
する。
硬化が進行して物性が変化する特有の臨界温度を有して
おり、この臨界温度を越えると、急速に硬化する。従っ
て、臨界温度を越えて加熱するときの温度と時間が基板
59全面で一様でないと、シール剤の硬化にむらが生
じ、硬さや接着性などの特性が不均一となって基板59
の品質が低下する。
板59の温度が上昇して安定化するまで基板59面上の
温度差が大きくなり、これがシール剤の特性むらの原因
となるし、さらに熱応力が大きくなって破損することも
ある。このため、一旦シール剤が硬化しにくい臨界温度
以下の温度で基板59を予熱している。そこで、一般
に、ホットプレート60の温度は、この予熱ができるよ
うにするため、搬入部40側からホットプレート60の
配列順に段階的に高くするようにすることが行なわれて
いる。
間などを確保し、製造ラインの要求する間隔で基板59
を供給するために、ホットプレート60の温度と数量
を、予熱を行なう部分については、搬入側から順に段階
的に高くする温度と基板59を搬送する間隔によって定
まる保持時間などの条件でもって、また、臨界温度以上
の所望する温度で加熱する部分については、保持する温
度と基板59を搬送する間隔により定まる保持時間など
の条件に応じて定めている。
ホットプレート60aは予熱を行なう部分であって、温
度は臨界温度より低く、ホットプレート60b,60c
は臨界点以上の所望する温度で加熱(本加熱)する部分
であって、温度は臨界温度以上の所望する同一温度に保
持している。
塗布されたシール剤を加熱硬化するための動作を説明す
る。
と、モータ50が回転してカム54を搬入部40側へ移
動させ、これとともにガイド55が上方に移動して基板
移動板57が持ち上がる。この過程で基板移動板57が
搬入部40に搭載されている基板59を乗せて上昇さ
せ、基板59は搬入部40から離れる。基板移動板57
が所定の高さまで持ち上がると、モータ50が停止して
その高さに保持される。
7を搬出部42側に移動させる。そして、基板移動板5
7に載置されている基板59がホットプレート60aの
上方まで搬送されると、モータ45が停止する。かかる
状態で、モータ50が上記とは逆方向に回転し、カム5
4を搬出部42側へ移動させて基板移動板57をホット
プレート60の面より下げて停止する。これにより、基
板59はホットプレート60a上に搭載される。
に回転し、これとともに、基板移動板57が搬入部40
側に移動する。そして、基板移動板57が元の位置に戻
ると、モータ45が停止して、1回の動作を終了する。
なわれる所定時間経過後、再び基板移動板57が上記の
動作を繰り返し、基板59をホットプレート60aから
ホットプレート60bに移す2回目の動作が行なわれ、
次いで、3回目の動作で基板59がホットプレート60
bからホットプレート60cに移され、加熱処理終了後
の4回目の動作でホットプレート60cから搬出部42
に搬出される。
加熱炉においては、以下のような問題がある。
ているので、搬送するときには、基板移動板57によっ
て下面が支えられる。このため、ホットプレート60
は、図10に示すように、基板59の基板移動板57で
支えられる部分以外の部分を搭載するように設けられて
いる。
るために、基板59の送り方向の両側に基板59を支え
る基板移動板57が移動可能に設けられており、このた
め、ホットプレート60は基板59の送り方向と直角な
方向での幅寸法が制限され、基板59が大きくなれば、
基板59のホットプレート60上からはみ出す部分の面
積が大きくなる。このため、基板59のこのはみ出した
周縁端部の温度が上昇しにくく、さらに、基板59の移
動中には、基板59を支える基板移動板57との接触に
より基板移動板57に熱が奪われ、ホットプレート60
面から離れることで温度が低下する。炉体ケース44は
加熱温度が異なる複数のホットプレート60と基板移動
板57やその稼働部を収容しているため、その容積及び
全高は大きく、炉体ケース44内における大きな温度差
で炉体ケース44内全体で対流が生じる。この対流は基
板移動板57の上下左右の動きで乱れを生じ易く、それ
によってホットプレート60間を移動する基板59の表
面温度が一定せず、シール剤の硬化が不均一となる。
移動を繰り返すことにより、基板59と基板移動板57
及びホットプレート60との接触回数が多くなるため、
発塵量が多くなる。そして、基板59の温度低下を防止
するために、ホットプレート60間における移動時間は
短時間とすることが望ましいが、このために基板59を
ホットプレート60間で高速度で移動させるようにする
と、炉体41内部の気流が大きく乱れて塵埃が舞い上が
り、一層清浄度が低下する。また、基板移動板57の駆
動部がホットプレート60と同じ炉体ケース44の内部
にあり、さらに対流により外気が進入するので、清浄度
が低下する。以上のことからして、基板59に塵埃が付
着することにより、その品質が低下する。
加熱硬化した後の基板59を加熱炉に接続される下流の
装置に供給する量を確保するためには、炉体が長くなっ
て大きな据付け面積が必要となり、特に、基板59の製
造装置はクリ−ンル−ムに設置することが多いので、設
置面積が問題となる。
ペーストなどの焼成でも見受けられる。
板面表面に塗布したシール剤やペーストなどを均一に加
熱硬化することができ、高品質な基板を得ることができ
るようにした設置面積の小さな加熱炉を提供することに
ある。
に、本発明は、加熱板を貫通する複数の小孔と、該小孔
を貫通する複数の小径の棒形状で加熱板より上方に突出
可能に設けた基板の保持手段と、該基板の保持手段を昇
降させる昇降手段と、該基板の昇降手段を制御して該加
熱板より上方に突出する該基板の保持手段の長さを制御
し予熱,本加熱,冷却の各温度に該基板の温度を制御す
る手段と、該加熱板と該基板の該保持手段を包含し外気
と遮る容器とを備え、該容器の一面に該基板を水平方向
に移動して該容器内の該基板の保持手段上に搭載する開
口部を設け、該昇降手段を該容器の外部に配置し、該容
器内の該開口部近傍で該開口部よりも上方に、該開口部
とは反対側の方向に流れる気流もしくは該開口部に沿っ
て流れる気流を常に発生させる給気口を有する給気手段
を設けた構成とする。
熱板内を貫通して設けているので、加熱板の面積を広く
取れ、基板面を全て加熱板の面に密着することができ、
熱伝導により基板面を全て均等に加熱できる。
で予熱,本加熱及び冷却を行なうことができるので、全
容積や容器内の全高を抑えることができる。従って、容
器内の温度は均一化して温度差が少なくなり、対流の発
生は少なく加熱温度は安定する。基板の保持手段は基板
との接触面積が僅かであるので、摩擦による発塵は少な
く、加熱板への基板の搭載は加熱板に近付けた予熱位置
から搭載することで搭載時の加熱板周囲の気流の乱れは
少なくでき、また、容器内の対流を抑えているので、塵
埃を舞い上げることがなく、清浄度の低下を防止でき
る。
る。
観を示す正面図であって、1は架台フレーム、2は炉
体、3は制御部、4はベース板、5は支柱、6は枠組、
8は隔壁、9は開口部である。
あって、10は扉(点検扉)、11は昇降手段、12は
基板、13は排気管、14は搬送ロボットであり、図1
に対応する部分には同一符号を付けている。
図であって、15は昇降ピン、16はホットプレ−ト、
17は支柱、18は放熱防止カバー、19は位置ずれ防
止ピン、20は真空吸着孔、21は真空配管、22は加
熱用ヒ−タ、23は給気管、24は縦駆動板、25は横
枠であり、前出図面に対応する部分には同一符号を付け
ている。
図であって、前出図面に対応する部分には同一符号を付
けている。
炉は、脚部を有する架台フレーム1により床面に設置さ
れている。架台フレーム1は加熱を行なう炉体2を収納
する空間部分Iと、後述する基板12の保持手段を昇降
させる基板12の温度制御手段や加熱炉全体の制御手段
となる制御部3を収容する空間部分IIとの上下2段に分
割されている。
向きに配置されるベース板4とこれを支えて縦向きに配
置される支柱5との組合せからなる枠組6が2組設けら
れ、これらが横方向に配置されている。1つの枠組6で
は、この上部空間部分Iの天井側のベース板4と底面側
のベース板4とこれらの間のペース板4とが互いに水平
に配置され、これらが左右両側2ヵ所ずつで支柱5によ
り支えられている。この1つの枠組6で上下2つの空間
ができて、夫々に炉体2が設置される。従って、架台フ
レーム1の上部空間部分Iには、上側に2台ずつ,下側
に2台ずつ計4台の炉体2が設置される。
8で覆われ、この隔壁8の底部がベース板4に固定され
ている。この隔壁8には、図1や図3に示すように、基
板12の搬入搬出を行なう開口部9が設けている。ま
た、隔壁8による容器の両側には、図4に示すように、
取外し可能に扉(点検扉)10が設けられている。そし
て、隔壁8の片側の点検扉10は加熱炉の外面側となる
ので、点検扉10を外して炉体2の保守を行なうことが
できる。
々ベース板4に固定されている。昇降手段11は内部に
図示しない駆動モータ、ボールネジなどよりなる往復運
動機構を有しており、その動作は制御部3で制御され
る。図3に示すように、昇降手段11には、この往復運
動機構によって上下方向に駆動される縦駆動板24が接
続され、この縦駆動板24は炉体2内に伸延している。
に、縦駆動板24に複数の横枠25が接続されており、
横枠25の上面に昇降ピン15が接続されている。昇降
ピン15は小径の棒形状のものであり、基板12の保持
手段である。また、炉体2内には、基板12と接触して
これを加熱する加熱板としてのホットプレ−ト16が配
置され、このホットプレ−ト16は支柱17を介してベ
ース板4に固定されている。
カバー18が設けられている。放熱防止カバー18はス
テンレス鋼などの金属板からなり、ホットプレート16
から僅かに離れてそれを覆うようにしている。これによ
り、ホットプレート16と放熱防止カバー18との間に
空気層が形成され、この空気層によってホットプレート
16の放熱量を抑え、温度の安定を図っている。ホット
プレ−ト16と放熱防止カバー18には、これらを垂直
方向に貫通する小孔が設けられている。
複数個配設された昇降ピン15上に搭載される。昇降ピ
ン15は対象となる全ての基板12の形状に対応するよ
うに適宜な配置で設けられており、そのホットプレート
16面より突き出る夫々の長さが互いに等しくなるよう
にしている。また、隔壁8に設けた開口部9と昇降ピン
15の位置関係は、基板12が開口部9から水平に移動
して炉体2内に搬入されたとき、この基板12がそのま
ま昇降ピン15上に搭載できるように設定されている。
て昇降する縦駆動板24や昇降ピン15であり、昇降手
段11は炉体2外に配置され、開口部9から水平方向に
基板12が搬入されるので、炉体2内は縦駆動板24や
昇降ピン15の駆動範囲と基板12の搬入に必要な空間
があればよく、これらによって隔壁8は全高が抑えられ
ている。
の位置ずれ防止ピン19と一定間隔で配置された複数個
の真空吸着孔20とが配置されている。位置ずれ防止ピ
ン19は、基板12の形状に応じてその固定位置を変更
できるように、ねじ止めなどで脱着可能にホットプレー
ト16に固定された棒状のものであって、基板12が搭
載される部分を周りから囲むように設けられたものであ
り、例えば、長方形の基板12に対してその四辺方向に
位置する。
ヒ−タ22と真空吸着孔20に連結された真空配管21
とが設けられており、さらに、真空配管21には、制御
部3によって駆動制御される図示しない真空ポンプが接
続されている。
は、給気手段としての給気管23が設けられている。給
気管23は多数のノズルを開口部9と反対側の略水平方
向に向けて設けられたパイプ状のものであって、気体
(例えば、窒素ガス)をその内部に通してこれらノズル
から炉体2内に給気する。
には、炉体2内で発生する塵埃やシール剤の硬化処理に
より発生するガスを排気するための排気管13が設けら
れている。炉体2内の内圧を上げるために、給気管23
による窒素ガスの給気量より排気管13による排気量を
少なくしている。
搬出は、図2に示すように、図示する形状の搬送ヘッド
を持ち、制御部3の制御によって炉体2内の昇降ピン1
5と連動して動作する搬送ロボット14などが使用され
る。
作を図5により説明する。なお、図5は、図4と同様
に、図2の分断線C−Cから開口部9側をみた図であ
る。
2が、搬入ロボット14(図2)により、開口部9から
水平方向に炉体2内に搬入され、上昇している昇降ピン
15上に搭載される。このとき、ホットプレ−ト16
は、基板12に塗布されたシール剤が急速に硬化する臨
界温度を越える所望の温度に保持されている。ホットプ
レート16は隔壁8によって外気と遮断されているか
ら、その温度は安定しており、また、炉体2内は、ホッ
トプレート16の熱により、外気温よりも高温に保たれ
ている。
の窒素ガスを開口部9と反対側の方向に向けて略水平に
吹き出している。給気管23のノズルから供給する窒素
ガスは高清浄度のものであって、この窒素ガスの供給に
より、炉体2内は高清浄度が維持されている。また、排
気管13(図2)は、常に、炉体2内の空気を排出し、
炉体2内で発生するわずかな塵埃やシール剤の加熱で発
生するガスを排気している。
板12は、ホットプレ−ト16からの輻射や炉体2内の
気温により、その表面温度が上昇する。このときの基板
12とホットプレート16との間隔は、ホットプレート
16の温度やシール剤などの条件に応じて異なる。
11(図3)によって昇降ピン15が下げられ、基板1
2をホットプレ−ト16に近づけて保持する。このとき
の基板12とホットプレート16との間隔は、所望する
予熱温度に応じて異なる。この状態で基板12をホット
プレ−ト16の輻射により加熱する。基板12の温度は
さらに上昇するが、この基板12はホットプレ−ト16
から離れているため、ホットプレ−ト16の表面温度ま
では上昇しない。従って、基板12とホットプレート1
6との距離を調整することにより、基板12を所望する
温度に予熱できる。基板12が所望の温度に達すると、
昇降ピン15をさらに降下し、また、真空配管21に接
続している前述した真空ポンプを作動させ、真空吸着孔
20から吸気させる。
5をさらに降下させることにより、基板12は位置ずれ
防止ピン19に囲まれて降下し、遂に、ホットプレ−ト
16上に載置される。すると、基板12は、真空吸着孔
20が作動していることにより、ホットプレート16に
真空吸着して密着固定し、例え基板12に反りがあって
も、ホットプレ−ト16との間に隙間が生じないし、加
熱中に位置ずれが生じるようなこともない。
降ピン15の工作精度などが原因となって、基板12の
全面がホットプレート16に同時に接触し難い。このた
め、基板12は先にホットプレート16に接触した部分
から真空吸着孔20に引き寄せられ、これとともに搭載
位置からずれようとするが、位置ずれ防止ピン19で周
りが囲まれているので、機械的に所望する範囲内にずれ
防止がなされる。基板12をホットプレ−ト16に所望
の時間密着させて保持する。
密着することにより、熱伝導による加熱で一様な温度と
なる。これにより、基板12に塗布されたシール剤が均
質に加熱硬化される。
時間保持した後、真空吸着孔20による吸着を停止し、
昇降ピン15を上昇させ、図5(d)に示すように、再
び基板12を昇降ピン15に搭載した位置まで戻して保
持する。このとき、基板12はホットプレート16から
離れ、次第に温度が低下する。
ら離れると、給気管23のノズルから吹き出す窒素ガス
が基板12の表面に吹き付けられ、これにより、基板1
2の冷却が促進する。窒素ガスによる冷却でもって、基
板12の余熱によるシール剤の硬化の進行を防止でき
る。
置の時間的な変化は、基板12に塗布されたシール剤の
特性やホットプレート16の設定温度などの諸条件に応
じて異なる。基板12の温度が所望の値になって冷却が
完了すると、搬送ロボット14(図2)により、基板1
2は炉体2外に搬出され、基板12のシール剤の加熱硬
化処理が終了する。
16から離れた位置で予熱することにより、基板12を
臨界温度以下の温度で予熱し、基板12をホットプレー
ト16に密着する時間を調整し、加熱後にホットプレー
ト16から離して臨界温度以下の温度に冷却することに
より、所望するシール剤の特性を得ることができる。
により、外気の影響を受けにくくなり、その表面温度が
安定化して基板12を一様な温度で加熱できるので、基
板12に塗布したシール剤を均一に加熱硬化することが
できる。
る昇降手段11のみであるので、構造が簡素化し、炉体
2の駆動部の制御は昇降ピン15の上下位置であるの
で、制御が単純化する。搬送ロボット14は隔壁8の前
面部に設けられた開口部9から基板12を搬入し、昇降
ピン15上に搭載し、加熱終了後に同じ位置で昇降ピン
15上にある基板12を搬出するので、制御が容易であ
る。
4の昇降範囲に隔壁8を切り欠いた部分から低温の外気
が侵入し、ホットプレート16上に沿って移動し、開口
部9より流出する気流が発生するが、給気管23のノズ
ルを開口部9と反対側の略水平方向に向けて設けたこと
により、開口部9へ向かう気流が打ち消される。
によって炉体2内の内圧は僅かに上昇するので、隔壁8
外から侵入しようとする気流が打ち消される。隔壁8で
囲まれた容積を抑えることができるので、ホットプレー
ト16の周囲の空間は僅かであり、ホットプレートの1
6の熱で炉体2内の温度は均一化し易く、炉体2内の上
部と下部の温度差が小さくなり、対流の発生量を抑える
ことができる。対流は基板12の動きで乱されないの
で、ホットプレート16の加熱温度が均一化し、基板1
2に塗布したシール剤を均一に加熱硬化することができ
る。
である窒素ガスとし、外気の侵入を抑えているので、炉
体2内の窒素ガスの濃度は高くなり、シール剤の酸化を
防止できる。
側の略水平方向に向けて設けたが、給気管23のノズル
方向や給気量は、隔壁8の開口部9の位置やホットプレ
レート16の位置や温度などにより生ずる対流の方向や
流量などにより、その最適な給気管23のノズル方向や
給気量などは変更できる。一例として、隔壁8の全高が
低くて内部での対流を抑えてあるものについては、隔壁
8の開口部9に沿って流れる気流を発生させてエアーカ
ーテンを形成し、外気の侵入を抑えるようにしてもよ
い。
ている。炉体2の適正な個数は、炉体2内に基板12が
ある時間と、基板12を炉体2へ搬入及び搬出する時間
との合計時間を所望する基板12の供給時間で除した値
となる。各炉体2に一定間隔で順番に基板12を搬入
し、シール剤の加熱硬化処理を終了した基板12を順番
に取り出すことにより、シール剤の加熱硬化工程を終了
した基板12を一定の間隔で次段の装置へ供給できる。
従って、複数個の炉体2を備えることにより、基板12
を次段の装置などへ供給する間隔を確保できる。
しても、各炉体2を個別に温度管理することにより、故
障した炉体2を除いて運転することができ、製造ライン
を停止せずに保守できる。
図4)は、基板12の搬入される面とは直角方向の側面
に設けているので、片側の点検扉10を開けて保守や点
検を行なっても、保守や点検を行なっている以外の炉体
2への基板12の搬入を妨げることがなく、加熱炉全体
を停止させることはない。
段、左右に2列の配置としたが、炉体2の配置は基板1
2を搬送する搬送ロボット14などとの組み合わせによ
り変更してもよい。炉体2は垂直方向のみに配置しても
よく、水平方向のみに配置してもよい。炉体2の配置
は、設置される室内の床面積や室内高さ,炉体数,搬送
ロボット14の移送範囲などの条件により、適正なもの
に選定できる。炉体2の全高は低いから、炉体2を垂直
方向に複数段重ねても、全体的にさほど高くならずに据
付け面積を小さくすることができる。
り炉体2内への外気の進入を抑え、清浄度を高くして塵
埃の基板12への付着を防止している。基板12が加熱
中にホットプレ−ト16に触れる回数は1回だけであ
り、また、基板12をホットプレート16に極く近い予
熱位置から搭載するので、ホットプレート16の周囲の
気流の乱れは少なく、塵埃を舞い上げることは少なくて
清浄度を維持できる。
積は僅かであるので、基板12と昇降ピン15の摩擦に
よる塵埃の発生を抑えている。炉体2内は対流を抑えて
いるので、発生した塵埃は上方へ移動しにくく、基板1
2の清浄度を保つことができる。また、駆動部分である
昇降手段11は隔壁8外にあるため、内部の発塵量は少
なく、さらに、発生した塵埃を排気管13が排気するの
で、内部の清浄度を良好に保つことができて、塵埃の付
着の少ない高品質な基板12を得ることができる。
ットプレ−ト16の他の具体例を示すヒータ22の長手
方向の断面図であって、26はギャップピンである。
は、図3に示した真空吸着孔20に換えて、ギャップピ
ン26をホットプレ−ト16の表面上に多数個配設し、
基板12をホットプレ−ト16から僅かに離して保持す
るようにしている。ギャップピン26は、基板12をそ
の予熱位置よりさらに近づけてホットプレート16面か
ら均等な間隔で基板12を保持するものである。
より均等に加熱でき、均質なシール剤特性を得ることが
できる。
外観を示す正面図であって、27は冷却手段、28は冷
却板であり、前出図面に対応する部分には同一符号を付
けて重複する説明を省略する。
図であって、29は冷却水配管であり、図7に対応する
部分には同一符号を付けている。
ところは、図7に示すように、図1に示した4個の炉体
2のうちの1個を冷却手段27に置き換えたことであ
る。
に、炉体2から隔壁8を取り除き、さらに、ホットプレ
−ト16のヒ−タ22を冷却水配管29に置き換えた冷
却板28を設けたものである。冷却水配管29はその内
部に冷却水を導入し、冷却板28を常温まで冷却する。
冷却手段27は、炉体2と同様に、枠組6内に配置され
ている。
例の動作を示す図5(a)〜図5(d)の工程とほぼ同
一であって、図5(d)の状態で給気管23から気流を
基板12に吹き付けて基板12の温度が所望の温度より
低下すると、搬送ロボット14(図2)によって炉体2
内から取り出し、冷却手段27に移して冷却を行なう。
板12を保持した昇降ピン15を昇降手段11によって
降下させることにより、基板12を冷却板28上に搭載
して基板12の冷却を行なう。
却水によって常時冷却されており、基板12が冷却板2
8と全面で接触することにより、熱伝導により基板12
の熱が奪われ、速やかに基板12の温度が低下する。基
板12が所望する温度まで低下すると、再び昇降ピン1
5を上昇させ、冷却板28の上方で基板12を昇降ピン
15により保持する。次に、冷却手段27で冷却した基
板12を搬送ロボット14(図2)で冷却手段27外へ
搬出し、加熱硬化処理を終える。
造は図8に示したものに限定することなく、どの様な構
造であってもよい。
温で短時間で加熱硬化させ、その後強制的に冷却できる
ので、加熱硬化の工程に要する時間を短縮でき、加熱炉
の基板製造能力を向上させることができる。
明はかかる実施例のみに限定されるものではない。
さを全て同じとしたが、基板12の中央部側を保持する
ホットプレート16の中央部側に位置する昇降ピン15
の長さを、ホットプレート16の端部に近い昇降ピン1
5の長さよりも短くしてもよい。一例として、基板12
の中央及び4隅の5個の昇降ピン15で支えるものにつ
いては、4隅の昇降ピン15の長さより中央部の昇降ピ
ン15の長さを僅かに短くする。昇降ピン15で基板1
2を支える際に、基板12は中央部が下方にたわむの
で、端部の各昇降ピン15が基板12を支える力が大き
く、かつ均一化してずれにくくなる。また、基板12を
ホットプレート16に搭載する際も、中央部より先にホ
ットプレート16に接触して吸着されるので、ホットプ
レート16に搭載時に生じるずれを抑えることができ
る。
基板表面に塗布したペーストを均一に加熱硬化すること
ができて、高品質な基板を製造することができるし、ま
た、設置面積も小さなものとすることができる。
図である。
す縦断面図である。
面図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 加熱板上に基板を搭載して加熱する加熱
炉において、 該加熱板を貫通する複数の小孔と、 該小孔を貫通する複数の小径の棒形状で該加熱板より上
方に突出可能に設けた該基板の保持手段と、 該基板の保持手段を昇降させる昇降手段と、 該昇降手段を制御して該加熱板より上方に突出する該基
板の保持手段の長さを制御することにより、予熱,本加
熱及び冷却の各温度に該基板の温度を制御する制御手段
と、 該加熱板と該基板の保持手段を包含し、外気を遮る容器
とを備え、 該容器の1つの面に、該基板を水平方向に移動させて該
容器内の該基板の保持手段上に搭載する開口部を設け、 該昇降手段を該容器の外部に配置し、 該容器内の該開口部近傍で該開口部よりも上方に、該開
口部とは反対側の方向に流れる気流を常に発生させる給
気口を有する給気手段を設けた ことを特徴とする加熱
炉。 - 【請求項2】 加熱板上に基板を搭載して加熱する加熱
炉において、 該加熱板を貫通する複数の小孔と、 該小孔を貫通する複数の小径の棒形状で該加熱板より上
方に突出可能に設けた該基板の保持手段と、 該基板の保持手段を昇降させる昇降手段と、 該昇降手段を制御して該加熱板より上方に突出する該基
板の保持手段の長さを制御することにより、予熱,本加
熱及び冷却の各温度に該基板の温度を制御する制御手段
と、 該加熱板と該基板の保持手段を包含し、外気を遮る容器
と を備え、 該容器の1つの面に、該基板を水平方向に移動させて該
容器内の該基板の保持手段上に搭載する開口部を設け、 該昇降手段を該容器の外部に配置し、 該容器内の該開口部近傍で該開口部よりも上方に、該開
口部に沿って流れる気流を常に発生させる給気口を有す
る給気手段を設けた ことを特徴とする加熱炉。 - 【請求項3】 請求項1または2に記載の加熱炉におい
て、 容器に基板を搬入する開口部を有する面と交差する方向
の面に容器内を露出させる扉を設けたことを特徴とする
加熱炉。 - 【請求項4】 請求項1または2に記載の加熱炉におい
て、 加熱板中央に設けた小径の棒形状とした基板保持手段の
加熱板より上方に露出する長さを加熱板端部に比べて短
くしたことを特徴とする加熱炉。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19049795A JP3208047B2 (ja) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | 加熱炉 |
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US08/686,692 US5716207A (en) | 1995-07-26 | 1996-07-26 | Heating furnace |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19049795A JP3208047B2 (ja) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | 加熱炉 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0942854A JPH0942854A (ja) | 1997-02-14 |
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Family
ID=16259082
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19049795A Expired - Lifetime JP3208047B2 (ja) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | 加熱炉 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3208047B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
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US10861731B2 (en) * | 2017-01-19 | 2020-12-08 | Axcelis Technologies, Inc. | Radiant heating presoak |
CN117428323B (zh) * | 2023-12-21 | 2024-03-08 | 常州贺斯特科技股份有限公司 | 一种焊接设备及其工作方法 |
-
1995
- 1995-07-26 JP JP19049795A patent/JP3208047B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
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