JPH10294275A - 熱処理装置および熱処理方法 - Google Patents

熱処理装置および熱処理方法

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JPH10294275A
JPH10294275A JP11633997A JP11633997A JPH10294275A JP H10294275 A JPH10294275 A JP H10294275A JP 11633997 A JP11633997 A JP 11633997A JP 11633997 A JP11633997 A JP 11633997A JP H10294275 A JPH10294275 A JP H10294275A
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JP
Japan
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plate
substrate
mounting plate
heat treatment
cooling
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Application number
JP11633997A
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English (en)
Inventor
Masao Tsuji
雅夫 辻
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Priority to JP11633997A priority Critical patent/JPH10294275A/ja
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板を均一かつ清浄に熱処理することのでき
る熱処理装置及び熱処理方法を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 熱処理装置は、処理室12内に配設され
た載置プレート13と、載置プレート13の下面に当接
することにより載置プレート13を介して基板Wを加熱
する加熱プレート14と、載置プレート13の下面に当
接することにより載置プレート13を介して基板Wを冷
却する冷却プレートと15と、基板Wを支持して昇降す
る支持ピン16とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハや
液晶表示パネル用ガラス基板あるいは、半導体製造装置
用マスク基板等の基板を加熱および冷却することによ
り、当該基板を熱処理する熱処理装置および熱処理方法
に関する。
【0002】
【従来の技術】基板に対してレジスト塗布処理や現像処
理等の薬液処理を施す基板処理装置においては、薬液処
理の前後に基板を加熱処理装置により一旦加熱した後、
この基板を冷却処理装置により常温まで冷却する熱処理
が実行される。
【0003】このような熱処理を実行する加熱処理装置
や冷却処理装置などの熱処理装置は、ヒータなどの加熱
手段を内蔵した加熱プレートまたはペルチェ素子などの
冷却手段を内蔵した冷却プレートを処理室内に備え、こ
の加熱プレート又は冷却プレートの上面に基板を載置し
た状態で基板を加熱または冷却する構成となっている。
また、例えば実開昭63−193833号公報に記載さ
れたように、加熱プレートまたは冷却プレートの上面よ
り微小高さ突出する球体を配設し、加熱プレートまたは
冷却プレート上に、いわゆるプロキシミティギャップと
称される微小な間隔を保って基板を近接支持させた状態
で、基板を加熱または冷却するものもある。
【0004】このような熱処理装置で基板を加熱及び冷
却処理する場合においては、搬送アームを有する基板搬
送機構により、基板を加熱処理装置に搬送して基板を加
熱処理した後、次にこの基板を冷却処理装置に搬送して
冷却処理する構成となっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の熱
処理装置においては、基板を加熱処理する加熱処理装置
と基板を冷却処理する冷却処理装置とが別々のユニット
として構成されていることから、基板に対して加熱処理
と冷却処理とを施すために、基板を加熱処理装置から冷
却処理装置まで搬送する必要がある。
【0006】このため、基板の搬送時に基板が外気の影
響を受けて冷却され、基板の熱履歴が均一とならず、こ
れに伴い基板の処理結果が不均一となる場合がある。
【0007】また、基板が加熱処理装置から冷却処理装
置まで搬送される間に汚染される場合がある。特に、化
学増幅型レジストを使用した場合等においては、基板の
搬送路に酸やアルカリ成分が存在した場合、基板がこれ
らの成分により汚染され、処理後の基板による製品の歩
留まりが低下する。
【0008】さらには、基板を加熱した後冷却処理する
までの時間が長時間となった場合や、この時間を一定に
維持できない場合には、基板の処理が不均一となり、処
理後の基板による製品の歩留まりが低下する。例えば、
化学増幅型レジストを使用した場合においては、露光に
よりレジスト中に含まれる光酸発生剤にて酸を発生さ
せ、加熱処理の一種であるポストエクスポージャーベー
ク(PEB)によりこの酸を活性化して架橋反応または
分解反応を起こさせた後、冷却処理を行うことでその反
応を停止し、しかる後現像処理を行う工程を経ることか
ら、加熱処理から冷却処理に至る搬送時間を一定の時間
で、かつ、極力短い時間とすることが好ましい。
【0009】この発明は上記課題を解決するためになさ
れたものであり、基板を均一かつ清浄に熱処理すること
のできる熱処理装置及び熱処理方法を提供することを目
的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、基板を載置するための載置部と、前記載置部に当接
または近接することにより、前記載置部を介して当該載
置部に載置された基板を加熱する加熱手段と、前記載置
部に当接または近接することにより、前記載置部を介し
て当該載置部に載置された基板を冷却する冷却手段とを
備えたことを特徴とする。
【0011】請求項2に記載の発明は、基板を載置する
ための載置プレートと、前記載置プレートの下面に当接
または近接することにより、前記載置プレートを介して
当該載置プレートに載置された基板を加熱する加熱プレ
ートと、前記載置プレートの下面に当接または近接する
ことにより、前記載置プレートを介して当該載置プレー
トに載置された基板を冷却する冷却プレートとを備えた
ことを特徴とする。
【0012】請求項3に記載の発明は、請求項2に記載
の発明において、前記加熱プレートまたは前記冷却プレ
ートのいずれか一方を、前記載置プレートの下面に当接
または近接する熱処理位置と、前記載置プレートの下方
から側方に退避した退避位置との間で移動させる移動手
段と、前記加熱プレートまたは前記冷却プレートの他方
を、前記載置プレートの下面に当接または近接する熱処
理位置と、前記載置プレートから下方に離隔した退避位
置との間で、前記載置プレートに対して相対的に昇降さ
せる昇降手段とを備えている。
【0013】請求項4に記載の発明は、請求項3に記載
の発明において、前記移動手段は前記加熱プレートを前
記熱処理位置と前記退避位置との間で移動させるととも
に、前記昇降手段は前記冷却プレートを前記熱処理位置
と前記退避位置との間で前記載置プレートに対して相対
的に昇降させている。
【0014】請求項5に記載の発明は、請求項2乃至4
いずれかに記載の発明において、前記支持プレートに穿
設された貫通孔を通過して前記基板をその下方から支持
することにより、当該基板を、前記載置プレート上に載
置された熱処理位置と、前記載置プレートの表面から上
方に離隔した受け渡し位置との間で、前記載置プレート
に対して相対的に昇降させる支持ピンをさらに有してい
る。
【0015】請求項6に記載の発明は、基板を載置プレ
ート上に載置する搬入工程と、加熱プレートを前記載置
プレートの下面に当接または近接させることにより、前
記載置プレートを介して前記基板を加熱する加熱工程
と、前記加熱プレートを前記載置プレートの下面から離
隔させた後、冷却プレートを前記載置プレートの下面に
当接または近接させることにより、前記載置プレートを
介して前記基板を冷却する冷却工程と、前記基板を前記
載置プレートから搬出する搬出工程とを備えている。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。図1は、この発明に係る熱処理
装置の側面概要図である。なお、この図においては、後
述する冷却プレート15の昇降機構や加熱プレート14
の移動機構等については、図示を省略している。
【0017】この熱処理装置は、処理室12内に配設さ
れた載置プレート13と、加熱プレート14と、冷却プ
レート15と、支持ピン16とを備える。
【0018】載置プレート13は、基板Wを載置して熱
処理するためのものであり、例えば、アルミニウムまた
はセラミック製からなるその厚みが3mm程度の板状部
材から構成される。なお、この載置プレートは、熱伝導
性を有する各種の部材から構成することができる。
【0019】この載置プレート13には、支持ピン16
を貫通するための貫通孔21が穿設されている。また、
この載置プレート13は、図5及び図6に示すように、
鉛直方向を向く一対の支持棒22によりその対角線上の
位置を支持されている。なお、載置プレート13は、一
対の支持棒22に付設されたストッパー23によりその
下方向への移動を規制されている。このため、載置プレ
ート13は、上方へは移動可能となっている。
【0020】再度図1を参照して、冷却プレート15
は、その内部にペルチェ素子と水冷機構とを内蔵する。
また、この冷却プレート15には、載置プレート13同
様、支持ピン16を貫通するための貫通孔24が穿設さ
れている。この冷却プレート15は、図5及び図6に示
すように、その一端に形成された突起部において前記支
持棒22と係合している。また、この冷却プレート15
は、他方に形成された突起部において鉛直方向を向くボ
ールネジ25と螺合している。このため、この冷却プレ
ート15は、モータ26の駆動でボールネジ25が回転
することにより、後述する載置プレート13の下面に当
接する冷却位置と載置プレート13から下方に離隔した
退避位置との間を昇降する。
【0021】再度図1を参照して、加熱プレート14
は、その内部にヒータを内蔵する。この加熱プレート1
4は、後述する移動機構により、後述する載置プレート
13の下面に当接する加熱位置と載置プレート13の下
方から側方に退避した退避位置との間を往復移動するよ
う構成されている。
【0022】図7は、加熱プレート14の移動機構を示
す斜視図である。加熱プレート14は、支持ブロック3
2に穿設された貫通孔を貫通して上下移動可能で、その
下端部に連結部材を介して車輪33が配設された一対の
昇降部材34に支持されている。支持ブロック32は、
同期ベルト35と連結されており、モータ36の駆動に
より、一対の案内部材37に案内されて水平方向に往復
移動する。また、車輪33が当接する案内面38は、そ
の一端が他の位置に比べ高くなる形状となっている。
【0023】このような構成において、モータ36の駆
動により支持ブロック32が図7に示す矢印方向に移動
すれば、加熱プレート14も支持ブロック32とともに
矢印方向に移動した後、車輪33が案内面38に案内さ
れて昇降部材34が上方向に移動することにより、後述
する加熱位置まで上昇する。
【0024】再度図1を参照して、支持ピン16は、支
持アーム42上に立設されている。この支持アーム42
は、案内部材43により上下方向に移動可能に支持され
ており、エアシリンダ44の駆動により上昇位置と下降
位置との間を昇降可能に構成されている。
【0025】支持アーム42には、蓋体45が付設され
ている。この蓋体42は、図1に示すように、支持アー
ム42が下降位置にある状態において載置プレート13
表面と当接することにより、熱処理すべき基板Wを覆う
処理空間を形成する。
【0026】また、支持アーム42端部の垂直部分に
は、開口部46が形成されている。この開口部46は、
支持アーム42が上昇位置にある状態において、処理室
12に形成された開口部47と対向し、これらの開口部
46、47により基板Wの通過口が形成される。
【0027】次に、この熱処理装置による基板Wの熱処
理動作について説明する。
【0028】先ず、熱処理を行うべき基板Wを処理室1
2内に搬入する。この状態においては、図2に示すよう
に、モータ26の駆動により、冷却プレート15を載置
プレート13の下面に当接する冷却位置に移動させる。
また、エアシリンダ44の駆動で支持アーム42を上昇
させることにより、支持ピン16を上昇位置に移動させ
る。さらに、加熱プレート14は、載置プレート13の
下方から側方に退避した退避位置に移動させておく。そ
して、図示しない基板搬送機構の搬送アームに支持され
た基板Wを、開口部46、47を通過させることにより
処理室12内に搬入し、支持ピン16上に載置する。
【0029】次に、図3に示すように、支持ピン16を
下降位置まで下降させる。これにより、基板Wが載置プ
レート13上に載置される。また、蓋体45が載置プレ
ート13表面と当接することにより、基板Wを覆う処理
空間が形成される。
【0030】また、冷却プレート15を載置プレート1
3から下方に離隔した退避位置まで移動させる。そし
て、モータ36の駆動により、加熱プレート14を退避
位置から図7に示す矢印方向に移動させる。これによ
り、加熱プレート14は、図3に示すように、載置プレ
ート13の下面に当接する加熱位置に移動する。
【0031】この状態において、載置プレート13は、
その下面に接触する加熱プレート14によって加熱され
る。従って、載置プレート13上に載置された基板W
は、載置プレート13を介して加熱プレート14により
加熱されることになる。
【0032】基板Wに対する加熱処理が終了すれば、加
熱プレート14を加熱位置から退避位置に移動させる。
そして、図4に示すように、冷却プレート15を載置プ
レート13の下面に当接する冷却位置に移動させる。
【0033】これにより、載置プレート13は、その下
面に接触する冷却プレート15によって冷却される。従
って、載置プレート13上に載置された基板Wは、載置
プレート13を介して冷却プレート15により冷却され
ることになる。
【0034】基板Wに対する冷却処理が終了すれば、図
2に示すように、支持ピン16を上昇位置に移動させる
ことにより、基板Wを載置テーブル13表面より上昇さ
せる。そして、図示しない基板搬送機構の搬送アームに
より基板Wを支持し、開口部46、47を通過させて後
段の処理工程に向け搬送する。
【0035】このような構成の熱処理装置においては、
基板Wを処理室12内の載置プレート13に載置したま
まの状態で、基板Wに対する加熱処理と冷却処理とを実
行することが可能となる。このため、従来のように、基
板Wを加熱処理装置から冷却処理装置まで搬送する必要
はない。従って、基板Wを均一かつ清浄な状態で、迅速
に加熱処理及び冷却処理することが可能となり、従来の
装置のように、基板が外気の影響を受けてその熱履歴が
不均一となったり汚染されたりすることを防止すること
ができる。
【0036】また、加熱処理と冷却処理とを単一の装置
で実行することができることから、基板Wに対する一連
の処理を実行するための基板処理装置全体の占有面積を
低減することが可能となる。
【0037】また、従来の加熱処理装置においては、基
板Wの搬入搬出時に基板を通過させるためにシャッター
等を開放する必要があることから、加熱装置の処理室内
においてシャッター側の温度が低下して処理室内に熱勾
配を生じ、基板W全体を均一に処理することができなか
ったが、上記の熱処理装置においては、処理室12内が
加熱状態とはなっていない常温の状態においてのみ、開
口部46、47による基板の通過領域が形成されること
から、処理室12内にこのような熱勾配が生じることを
防止することができる。
【0038】さらに、上記熱処理装置においては、熱処
理装置に基板Wを搬入しあるいは熱処理装置から基板W
を搬出する基板搬送装置に搬送アームは、常に常温状態
となった処理室12内に進入し、あるいは、常に冷却処
理を終了して常温となった基板Wと接触することにな
る。このため、搬送アームが暖められることを防止する
ことができ、レジスト塗布処理や現像処理等の薬液処理
を行う薬液処理ユニットに暖められた搬送アームが進入
し、あるいは薬液処理を施される基板Wが暖められた搬
送アームにより加熱されることに起因する基板Wの処理
不良を防止することが可能となる。
【0039】なお、上述した実施の形態においては、基
板Wを載置テーブル13に対してその全面に接触する状
態で載置する場合について説明したが、例えば実開昭6
3−193833号公報に記載されたように、載置プレ
ート13の上面より微小高さ突出する球体を配設し、こ
の載置プレート13における球体上に基板Wを載置する
ことにより、載置プレート13上に微小な間隔を保って
基板Wを近接支持させた状態で、基板Wを加熱または冷
却するようにしてもよい。
【0040】また、上述した実施の形態においては、加
熱プレート14及び冷却プレート15を載置プレート1
3の下面に当接されることにより、載置プレート13を
加熱しあるいは冷却する場合について説明したが、載置
プレート13と加熱プレート14あるいは冷却プレート
15とを微細な距離だけ離隔した近接状態で配置するこ
とにより、載置プレート13を加熱しあるいは冷却する
ようにしてもよい。
【0041】さらに、上述した実施の形態においては、
比較的移動が容易な加熱プレート14を熱処理位置と退
避位置との間で往復移動させるとともに、水冷ユニット
等を内蔵することから長距離の移動が困難な冷却プレー
ト15を熱処理位置と退避位置との間でのみ昇降させる
場合について説明したが、加熱プレート14を昇降させ
冷却プレート15を往復移動させるようにしてもよい。
【0042】また、上述した実施の形態においては、載
置プレート13を固定し、加熱プレート14、冷却プレ
ート15及び支持ピン16を昇降する構成としている
が、これに限られるものではなく、載置プレート13、
加熱プレート14、冷却プレート15及び支持ピン16
のうちのいずれか1個を固定し、他の3個を昇降する構
成であれば、いずれを固定してもよい。また、載置プレ
ート13、加熱プレート14、冷却プレート15及び支
持ピン16のすべてを昇降するようにすることも可能で
ある。
【0043】
【発明の効果】請求項1に記載の発明によれば、基板を
載置するための載置部と、載置部に当接または近接する
ことにより、載置部を介して当該載置部に載置された基
板を加熱する加熱手段と、載置部に当接または近接する
ことにより、載置部を介して当該載置部に載置された基
板を冷却する冷却手段とを備えたことから、基板を載置
部に載置したままの状態で加熱処理及び冷却処理するこ
とが可能となる。従って、基板を加熱処理装置から冷却
処理装置まで搬送する必要がなくなり、基板を清浄な状
態で均一かつ迅速に熱処理することができる。
【0044】請求項2に記載の発明によれば、基板を載
置するための載置プレートと、載置プレートの下面に当
接または近接することにより、載置プレートを介して当
該載置プレートに載置された基板を加熱する加熱プレー
トと、載置プレートの下面に当接または近接することに
より、載置プレートを介して当該載置プレートに載置さ
れた基板を冷却する冷却プレートとを備えたことから、
基板を載置プレートに載置したままの状態で加熱処理及
び冷却処理することが可能となる。従って、基板を加熱
処理装置から冷却処理装置まで搬送する必要がなくな
り、基板を清浄な状態で均一かつ迅速に熱処理すること
ができる。
【0045】請求項3に記載の発明によれば、加熱プレ
ートまたは冷却プレートのいずれか一方を熱処理位置と
退避位置との間で移動させる移動手段と、加熱プレート
または冷却プレートの他方を熱処理位置と退避位置との
間で載置プレートに対して相対的に昇降させる昇降手段
とを備えることから、加熱プレートまたは冷却プレート
を選択的に載置プレートに当接または近接させる動作を
効率的に実行することが可能となる。
【0046】請求項4に記載の発明によれば、加熱プレ
ートを熱処理位置と退避位置との間で移動させるととも
に、冷却プレートを熱処理位置と退避位置との間で載置
プレートに対して相対的に昇降させることから、水冷ユ
ニット等を内蔵することから長距離の移動が困難な冷却
プレートの移動量を最小限にとどめることが可能とな
る。
【0047】請求項5に記載の発明によれば、支持プレ
ートに穿設された貫通孔を通過して基板をその下方から
支持することにより、当該基板を、載置プレート上に載
置された熱処理位置と、載置プレートの表面から上方に
離隔した受け渡し位置との間で、載置プレートに対して
相対的に昇降させる支持ピンをさらに有していることか
ら、載置プレート上の基板を効率的に基板搬送装置との
間で受け渡すことが可能となる。
【0048】請求項6に記載の発明によれば、基板を載
置プレート上に載置する搬入工程と、加熱プレートを載
置プレートの下面に当接または近接させることにより、
載置プレートを介して基板を加熱する加熱工程と、加熱
プレートを載置プレートの下面から離隔させた後、冷却
プレートを載置プレートの下面に当接または近接させる
ことにより、載置プレートを介して基板を冷却する冷却
工程と、基板を載置プレートから搬出する搬出工程とを
備えることから、基板を載置プレートに載置したままの
状態で加熱処理及び冷却処理することが可能となる。従
って、基板を加熱処理装置から冷却処理装置まで搬送す
る必要がなくなり、基板を清浄な状態で均一かつ迅速に
熱処理することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明に係る熱処理装置の側面概要図であ
る。
【図2】この発明に係る熱処理装置の側面概要図であ
る。
【図3】この発明に係る熱処理装置の側面概要図であ
る。
【図4】この発明に係る熱処理装置の側面概要図であ
る。
【図5】冷却プレート15の昇降機構等を示す側面概要
図である。
【図6】冷却プレート15の昇降機構等を示す斜視図で
ある。
【図7】加熱プレート14の移動機構を示す斜視図であ
る。
【符号の説明】
12 処理室 13 載置プレート 14 加熱プレート 15 冷却プレート 16 支持ピン 25 ボールネジ 26 モータ 32 支持ブロック 33 車輪 35 同期ベルト 36 モータ 38 案内面 42 支持アーム 44 エアシリンダ 45 蓋体 W 基板

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を載置するための載置部と、 前記載置部に当接または近接することにより、前記載置
    部を介して当該載置部に載置された基板を加熱する加熱
    手段と、 前記載置部に当接または近接することにより、前記載置
    部を介して当該載置部に載置された基板を冷却する冷却
    手段と、 を備えたことを特徴とする熱処理装置。
  2. 【請求項2】 基板を載置するための載置プレートと、 前記載置プレートの下面に当接または近接することによ
    り、前記載置プレートを介して当該載置プレートに載置
    された基板を加熱する加熱プレートと、 前記載置プレートの下面に当接または近接することによ
    り、前記載置プレートを介して当該載置プレートに載置
    された基板を冷却する冷却プレートと、 を備えたことを特徴とする熱処理装置。
  3. 【請求項3】 請求項2に記載の熱処理装置において、 前記加熱プレートまたは前記冷却プレートのいずれか一
    方を、前記載置プレートの下面に当接または近接する熱
    処理位置と、前記載置プレートの下方から側方に退避し
    た退避位置との間で移動させる移動手段と、 前記加熱プレートまたは前記冷却プレートの他方を、前
    記載置プレートの下面に当接または近接する熱処理位置
    と、前記載置プレートから下方に離隔した退避位置との
    間で、前記載置プレートに対して相対的に昇降させる昇
    降手段と、 を備えた熱処理装置。
  4. 【請求項4】 請求項3に記載の熱処理装置において、 前記移動手段は前記加熱プレートを前記熱処理位置と前
    記退避位置との間で移動させるとともに、前記昇降手段
    は前記冷却プレートを前記熱処理位置と前記退避位置と
    の間で前記載置プレートに対して相対的に昇降させる熱
    処理装置。
  5. 【請求項5】 請求項2乃至4いずれかに記載の熱処理
    装置において、 前記支持プレートに穿設された貫通孔を通過して前記基
    板をその下方から支持することにより、当該基板を、前
    記載置プレート上に載置された熱処理位置と、前記載置
    プレートの表面から上方に離隔した受け渡し位置との間
    で、前記載置プレートに対して相対的に昇降させる支持
    ピンをさらに有する熱処理装置。
  6. 【請求項6】 基板を載置プレート上に載置する搬入工
    程と、 加熱プレートを前記載置プレートの下面に当接または近
    接させることにより、前記載置プレートを介して前記基
    板を加熱する加熱工程と、 前記加熱プレートを前記載置プレートの下面から離隔さ
    せた後、冷却プレートを前記載置プレートの下面に当接
    または近接させることにより、前記載置プレートを介し
    て前記基板を冷却する冷却工程と、 前記基板を前記載置プレートから搬出する搬出工程と、 を備えた熱処理方法。
JP11633997A 1997-04-17 1997-04-17 熱処理装置および熱処理方法 Pending JPH10294275A (ja)

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