JP3202669B2 - 電気的特性測定方法 - Google Patents
電気的特性測定方法Info
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置等の電
子装置の電気的特性測定装置及び測定方法に関し、特に
ウェハース状態の半導体装置の電気的特性時の接触用探
針と電極パッドとの接触抵抗の影響による誤判定を防止
する装置に関する。
子装置の電気的特性測定装置及び測定方法に関し、特に
ウェハース状態の半導体装置の電気的特性時の接触用探
針と電極パッドとの接触抵抗の影響による誤判定を防止
する装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の半導体装置の電気的特性
測定時の接触用探針と電極パッドとの接触抵抗の影響に
よる誤判定防止の測定方法としては、例えば昭58−3
9025号に示されるような方法にて接触抵抗の影響に
よる誤判定を防止している。
測定時の接触用探針と電極パッドとの接触抵抗の影響に
よる誤判定防止の測定方法としては、例えば昭58−3
9025号に示されるような方法にて接触抵抗の影響に
よる誤判定を防止している。
【0003】図2の図2−1〜図2−5は、昭58−3
9025号の公知例を示す。
9025号の公知例を示す。
【0004】以下に従来例及び公知例昭58−3902
5号の図2−1〜5の符号の説明を行う。
5号の図2−1〜5の符号の説明を行う。
【0005】図2−1〜図2−5において、1は半導体
装置(LSI)、2はプローブカード、11はウェハー
ス(LSI)、12は接触抵抗確認用素子、13は電極
パッド、14は絶縁層、15は抵抗層、16は接触用探
針、17は金属膜である。
装置(LSI)、2はプローブカード、11はウェハー
ス(LSI)、12は接触抵抗確認用素子、13は電極
パッド、14は絶縁層、15は抵抗層、16は接触用探
針、17は金属膜である。
【0006】図2−1はウェハース状態の半導体装置で
あり、ウェハースの面内に数個の接触抵抗確認用素子を
有している事を示す。この接触抵抗確認用素子(図2−
3)はウェハース表面に電極13を設け、この電極と接
触用探針16を接続させる事で電極13に接続されてい
る抵抗層15の抵抗を測定する事ができる。この抵抗層
15の抵抗値を測定し、その測定値より接触探針16の
接触状態の良否を判断する事ができ、良であれば測定を
続け、否であれば測定を停止する測定方法である。
あり、ウェハースの面内に数個の接触抵抗確認用素子を
有している事を示す。この接触抵抗確認用素子(図2−
3)はウェハース表面に電極13を設け、この電極と接
触用探針16を接続させる事で電極13に接続されてい
る抵抗層15の抵抗を測定する事ができる。この抵抗層
15の抵抗値を測定し、その測定値より接触探針16の
接触状態の良否を判断する事ができ、良であれば測定を
続け、否であれば測定を停止する測定方法である。
【0007】また図2−5の様に金属層17をウェハー
ス上に設けてこの抵抗層の測定値より接触探針16の接
触状態の良否を判断する事もできる。
ス上に設けてこの抵抗層の測定値より接触探針16の接
触状態の良否を判断する事もできる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】第1の問題点は、ウェ
ハース内の幾つかの半導体装置が接触抵抗確認用の専用
素子となってしまう事である。接触抵抗確認専用の半導
体装置を配置するので、ウェハース上に本来製造される
べき半導体装置の数が減少してしまう。また、ウェハー
ス上に2種類のレイアウトが存在する為、製造過程が複
雑になる。
ハース内の幾つかの半導体装置が接触抵抗確認用の専用
素子となってしまう事である。接触抵抗確認専用の半導
体装置を配置するので、ウェハース上に本来製造される
べき半導体装置の数が減少してしまう。また、ウェハー
ス上に2種類のレイアウトが存在する為、製造過程が複
雑になる。
【0009】その理由は、ウェハース上に本来製造すべ
き半導体装置とは異なる数個の接触抵抗確認専用素子を
作っている為である。接触抵抗確認専用素子をウェハー
ス上に配置する場合、ウェハース面内で接触抵抗を精度
よく測定するためには接触抵抗確認専用素子は数多く配
置しなければならないが、それだけウェハース上に配置
すべき半導体装置は少なくなり、歩留まりは低下し、コ
ストは上がってしまう。特に半導体装置の面積が大きい
程、顕著になる。
き半導体装置とは異なる数個の接触抵抗確認専用素子を
作っている為である。接触抵抗確認専用素子をウェハー
ス上に配置する場合、ウェハース面内で接触抵抗を精度
よく測定するためには接触抵抗確認専用素子は数多く配
置しなければならないが、それだけウェハース上に配置
すべき半導体装置は少なくなり、歩留まりは低下し、コ
ストは上がってしまう。特に半導体装置の面積が大きい
程、顕著になる。
【0010】またウェハース上に異なった2つのレイア
ウトを形成する為にはフォトレジストをパターニングす
る露光工程においてスループットが悪くなる。これはフ
ォトレジストをパターニングする場合、レチクルを透過
した光(G線など)で露光を行うが、そのレチクルに本
来形成すべき半導体装置パターンとは別に接触抵抗確認
用素子用のパターンがレチクル上に必要となる。レチク
ルの大きさには露光装置上制限が設けられているので接
触抵抗確認用素子用のパターンの分だけ半導体装置用に
使用できるレチクルの領域が狭くなる事になる。狭い露
光領域にてウェハー全体を露光する事になるので従来も
より数多く繰り返えし露光をする必要があり結果、スル
ープットが悪くなる。
ウトを形成する為にはフォトレジストをパターニングす
る露光工程においてスループットが悪くなる。これはフ
ォトレジストをパターニングする場合、レチクルを透過
した光(G線など)で露光を行うが、そのレチクルに本
来形成すべき半導体装置パターンとは別に接触抵抗確認
用素子用のパターンがレチクル上に必要となる。レチク
ルの大きさには露光装置上制限が設けられているので接
触抵抗確認用素子用のパターンの分だけ半導体装置用に
使用できるレチクルの領域が狭くなる事になる。狭い露
光領域にてウェハー全体を露光する事になるので従来も
より数多く繰り返えし露光をする必要があり結果、スル
ープットが悪くなる。
【0011】第2の問題点は、ウェハース面内に数個の
接触抵抗確認専用素子を形成しているが、この接触抵抗
測定方法では実際の半導体装置の測定時の接触状態を再
現していない場合があるという事である。
接触抵抗確認専用素子を形成しているが、この接触抵抗
測定方法では実際の半導体装置の測定時の接触状態を再
現していない場合があるという事である。
【0012】その理由は半導体装置の電極パッドと接触
用探針との接触抵抗はウェハース面内にて微妙に変化す
る。また電極パッド表面状態や接触用探針の針先の状態
の変化にも接触抵抗に影響を与える。この為、実際の半
導体装置上にて接触抵抗を測定しなければ測定時誤判定
してしまう可能性がある。
用探針との接触抵抗はウェハース面内にて微妙に変化す
る。また電極パッド表面状態や接触用探針の針先の状態
の変化にも接触抵抗に影響を与える。この為、実際の半
導体装置上にて接触抵抗を測定しなければ測定時誤判定
してしまう可能性がある。
【0013】つまり接触抵抗確認用素子上では接触抵抗
に問題はなくても、実際の半導体装置を測定する場合、
接触抵抗が高くなりその影響で誤判定してしまう可能性
がある。
に問題はなくても、実際の半導体装置を測定する場合、
接触抵抗が高くなりその影響で誤判定してしまう可能性
がある。
【0014】[発明の目的]本発明の目的は、電子装
置、特にウェハース状態での半導体装置の電気的特性測
定試験において、半導体装置の電極パッドとプローブカ
ードに取り付けられた接触用探針との接触抵抗が大きく
なり電気的特性測定時に接触抵抗の影響で誤判定してし
まう事を防ぐ事を目的としている。
置、特にウェハース状態での半導体装置の電気的特性測
定試験において、半導体装置の電極パッドとプローブカ
ードに取り付けられた接触用探針との接触抵抗が大きく
なり電気的特性測定時に接触抵抗の影響で誤判定してし
まう事を防ぐ事を目的としている。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の電
気的特性測定装置は、1つの電極パッドに対して従来と
同程度の接触面積を有する接触用探針を2本ずつ接触さ
せ接触抵抗値を測定し電気的特性測定状態が正常である
か否かを判定でき、接触抵抗の影響による誤判定を防止
できる。
気的特性測定装置は、1つの電極パッドに対して従来と
同程度の接触面積を有する接触用探針を2本ずつ接触さ
せ接触抵抗値を測定し電気的特性測定状態が正常である
か否かを判定でき、接触抵抗の影響による誤判定を防止
できる。
【0016】また求めた接触抵抗値より測定規格を接触
抵抗による電流減少分適正化したり、2本ずつ接触させ
る事で突発的な接触抵抗の増大による影響を少なくし電
気的特性測定時の誤判定を防止する事ができる。
抵抗による電流減少分適正化したり、2本ずつ接触させ
る事で突発的な接触抵抗の増大による影響を少なくし電
気的特性測定時の誤判定を防止する事ができる。
【0017】[作用]1つの電極パッドに対して従来と
同程度の接触面積を有する接触用探針を2本づつ接触さ
せ、この2本の接触用探針間に電流を流す事で接触抵抗
値がわかる。
同程度の接触面積を有する接触用探針を2本づつ接触さ
せ、この2本の接触用探針間に電流を流す事で接触抵抗
値がわかる。
【0018】この接触抵抗値が適正な値でなければ測定
を中断し誤判定による歩留まり低下を防ぐ。
を中断し誤判定による歩留まり低下を防ぐ。
【0019】妥当な測定値であれば半導体装置の電気的
特性測定を続ける。
特性測定を続ける。
【0020】また測定した接触抵抗値が電気的特性測定
試験の測定電流に対して影響を与える様に大きければ電
気的特性測定試験の測定規格適正化を行う事が出来る。
試験の測定電流に対して影響を与える様に大きければ電
気的特性測定試験の測定規格適正化を行う事が出来る。
【0021】また1つの電極パッドに対して従来と同程
度の接触面積を有する接触用探針を2本づつ接触させ、
2本それぞれで電流測定を行い、2つの測定値を加算す
る事で突発的な接触抵抗の増大の影響を少なくする事が
出来る。これは抵抗を並列接続したのと同じであるの
で、接触抵抗の影響を減少する事が出来る。
度の接触面積を有する接触用探針を2本づつ接触させ、
2本それぞれで電流測定を行い、2つの測定値を加算す
る事で突発的な接触抵抗の増大の影響を少なくする事が
出来る。これは抵抗を並列接続したのと同じであるの
で、接触抵抗の影響を減少する事が出来る。
【0022】また1本の接触用探針に突発的な抵抗がつ
いても、もう1本が正常に接触していればその影響は少
ない為である。
いても、もう1本が正常に接触していればその影響は少
ない為である。
【0023】以下更に、本発明の作用について説明する
と、本発明は、ウェハース状態の半導体装置の電気的特
性測定において、電極パッドと接触用探針との接触抵抗
による測定結果の誤判定を防止することを課題としてい
るが、この課題を解決するため、本発明は、図1に示す
ように、ウェハース状態の半導体装置の電極パッド3〜
10に接触用探針3−1〜10−2を接触させる。この
時一つの電極パッドに二本の接触用探針を接触させる。
この二本の片方を接地電位に固定、もう一方に適切な電
圧を印可する事で接触抵抗が求まる。この接触抵抗値が
適切な値でなければ電気的特性測定を中止し、適切な値
であれば電気的特性測定を継続する。
と、本発明は、ウェハース状態の半導体装置の電気的特
性測定において、電極パッドと接触用探針との接触抵抗
による測定結果の誤判定を防止することを課題としてい
るが、この課題を解決するため、本発明は、図1に示す
ように、ウェハース状態の半導体装置の電極パッド3〜
10に接触用探針3−1〜10−2を接触させる。この
時一つの電極パッドに二本の接触用探針を接触させる。
この二本の片方を接地電位に固定、もう一方に適切な電
圧を印可する事で接触抵抗が求まる。この接触抵抗値が
適切な値でなければ電気的特性測定を中止し、適切な値
であれば電気的特性測定を継続する。
【0024】また接触抵抗値が求まるのでこの接触抵抗
による測定電流の減少分を電流規格に加味する事で接触
抵抗による誤判定を防止する。
による測定電流の減少分を電流規格に加味する事で接触
抵抗による誤判定を防止する。
【0025】また、一つの電極パッドに二つの接触用探
針を接触させているので、一方が突発的に接触抵抗が高
くなってももう一方が正常な接触をしていれば誤判定は
防げる。
針を接触させているので、一方が突発的に接触抵抗が高
くなってももう一方が正常な接触をしていれば誤判定は
防げる。
【0026】
[第1の実施の形態] [構成の説明]次に、本発明の第1の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【0027】図1の図1−1、1−2はウェハース状態
の半導体装置の電気的特性試験を行っている図である。
図1−1は平面図。図1−2は側面図である。
の半導体装置の電気的特性試験を行っている図である。
図1−1は平面図。図1−2は側面図である。
【0028】図に示すようにプローブカード2には接触
用探針3−1,3−2,4−1,4−2,5−1,5−
2,6−1,6−2,7−1,7−2,8−1,8−
2,9−1,9−2,10−1,10−2が固定され、
接触用探針はそれぞれプローブカード2を介しては図示
されないLSIテスターの入出力端子および電源、接地
電位に接続される。接触用探針は半導体装置1の有する
電極パッド3〜10に接触している。
用探針3−1,3−2,4−1,4−2,5−1,5−
2,6−1,6−2,7−1,7−2,8−1,8−
2,9−1,9−2,10−1,10−2が固定され、
接触用探針はそれぞれプローブカード2を介しては図示
されないLSIテスターの入出力端子および電源、接地
電位に接続される。接触用探針は半導体装置1の有する
電極パッド3〜10に接触している。
【0029】但し、1つの電極パッドに対し従来と同程
度の接触面積を有する接触用探針2本が接触している。
接触用探針は各探針が電圧印加、電流印加、電圧測定、
電流測定が可能なようにそれぞれ独立してプローブカー
ドに固定され、図示されていないLSIテスターに接続
されている。
度の接触面積を有する接触用探針2本が接触している。
接触用探針は各探針が電圧印加、電流印加、電圧測定、
電流測定が可能なようにそれぞれ独立してプローブカー
ドに固定され、図示されていないLSIテスターに接続
されている。
【0030】[動作の説明]出力電流試験を例にとって
図1−1と図1−2にて動作説明を行う。
図1−1と図1−2にて動作説明を行う。
【0031】なお、説明にあたっては入力端子3本3,
4,5、出力端子3本6,7,8、電源端子1本9、接
地端子1本10を有した半導体装置を想定し説明を行
う。
4,5、出力端子3本6,7,8、電源端子1本9、接
地端子1本10を有した半導体装置を想定し説明を行
う。
【0032】入力端子の電極パッド3〜5には接触用探
針3−1,3−2,4−1,4−2,5−1,5−2が
接触している。出力端子の電極パッド6〜8には接触用
探針6−1,6−2,7−1,7−2,8−1,8−2
が接触している。
針3−1,3−2,4−1,4−2,5−1,5−2が
接触している。出力端子の電極パッド6〜8には接触用
探針6−1,6−2,7−1,7−2,8−1,8−2
が接触している。
【0033】電源端子の電極パッド9には接触用探針9
−1,9−2が接触し、GNDパッド10には接触用探
針10−1,10−2が接触している。
−1,9−2が接触し、GNDパッド10には接触用探
針10−1,10−2が接触している。
【0034】接触用探針は全て独立であり、探針毎電圧
電流印加、電圧電流測定が可能となるように図示されて
いないLSIテスターに接続されている。
電流印加、電圧電流測定が可能となるように図示されて
いないLSIテスターに接続されている。
【0035】動作の説明には出力電流試験を例にして説
明する。
明する。
【0036】出力電流試験の動作フローチャートを図3
に示す。
に示す。
【0037】出力電流試験を開始する場合、まず出力パ
ッド6〜8に接触している接触用探針6−2,7−2,
8−2を接地電位に固定する。出力パッド6〜8に接触
している接触用探針6−1,7−1,8−1には適切な
電圧Vnを印加する。この時の接触用探針6−1から6
−2へ流れる電流、接触用探針7−1から7−2へ流れ
る電流、接触用探針8−1から8−2へ流れる電流をそ
れぞれ測定する(In)。
ッド6〜8に接触している接触用探針6−2,7−2,
8−2を接地電位に固定する。出力パッド6〜8に接触
している接触用探針6−1,7−1,8−1には適切な
電圧Vnを印加する。この時の接触用探針6−1から6
−2へ流れる電流、接触用探針7−1から7−2へ流れ
る電流、接触用探針8−1から8−2へ流れる電流をそ
れぞれ測定する(In)。
【0038】次に接触用探針6−1,7−1,8−1に
印加した電圧Vnと測定した電流Inより接触抵抗Rn
を求める事ができる。
印加した電圧Vnと測定した電流Inより接触抵抗Rn
を求める事ができる。
【0039】接触抵抗Rnが求められたら、この接触抵
抗が妥当な値かを判断する為、規格値を設け、その規格
を越える様であれば測定状態が適正でないと判断し電気
的特性の測定を中断する。
抗が妥当な値かを判断する為、規格値を設け、その規格
を越える様であれば測定状態が適正でないと判断し電気
的特性の測定を中断する。
【0040】接触抵抗Rnが規格値より低い場合、半導
体装置の電気的特性試験測定を続ける。出力電流規格I
amin.に接触抵抗Rnによる出力電流減少分を加算
し適切な出力電流規格Ialimitを設定する。
体装置の電気的特性試験測定を続ける。出力電流規格I
amin.に接触抵抗Rnによる出力電流減少分を加算
し適切な出力電流規格Ialimitを設定する。
【0041】この出力電流規格Ialimitにて通常
の出力電流試験の良否判定を行う。
の出力電流試験の良否判定を行う。
【0042】[第2の実施の形態] [構成の説明]次に、本発明の第2の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【0043】第2の実施の形態の構成は第1の実施の形
態の構成と同じである。
態の構成と同じである。
【0044】[動作の説明]出力電流試験を例にとって
説明をする。図1の図1−1、1−2、及び図4のフロ
ーチャートを参照すると、まず出力パッド6〜8に接触
している接触用探針6−1,6−2,7−1,7−2,
8−1,8−2をそれぞれ図示していないLSIテスタ
ーの電流計に接続する。GNDパッド10に接触してい
る接触用探針10−1,10−2は共に接地電位に接続
する。電源パッド9に接触している接触用探針9−1,
9−2を電源電位に接続する。
説明をする。図1の図1−1、1−2、及び図4のフロ
ーチャートを参照すると、まず出力パッド6〜8に接触
している接触用探針6−1,6−2,7−1,7−2,
8−1,8−2をそれぞれ図示していないLSIテスタ
ーの電流計に接続する。GNDパッド10に接触してい
る接触用探針10−1,10−2は共に接地電位に接続
する。電源パッド9に接触している接触用探針9−1,
9−2を電源電位に接続する。
【0045】出力電流試験を開始する場合、まず出力パ
ッド6〜8に接触している接触用探針6−2,7−2,
8−2を接地電位に固定する。同様に出力パッド6〜8
に接触している接触用探針6−1,7−1,8−1に適
切な電圧Vnを印加する。この時の接触用探針6−1か
ら6−2へ流れる電流、接触用探針7−1から7−2へ
流れる電流、接触用探針8−1から8−2へ流れる電流
をそれぞれ測定する(In)。
ッド6〜8に接触している接触用探針6−2,7−2,
8−2を接地電位に固定する。同様に出力パッド6〜8
に接触している接触用探針6−1,7−1,8−1に適
切な電圧Vnを印加する。この時の接触用探針6−1か
ら6−2へ流れる電流、接触用探針7−1から7−2へ
流れる電流、接触用探針8−1から8−2へ流れる電流
をそれぞれ測定する(In)。
【0046】次に接触用探針6−1,7−1,8−1に
印加した電圧Vnと測定した電流Inより接触抵抗Rn
を求める事が出来る。
印加した電圧Vnと測定した電流Inより接触抵抗Rn
を求める事が出来る。
【0047】接触抵抗Rnが求められたら、この接触抵
抗が妥当な値か判断する為、規格値を設け、その規格を
越える様であれば測定状態が適正でないと判断し電気的
特性の測定を中断する。
抗が妥当な値か判断する為、規格値を設け、その規格を
越える様であれば測定状態が適正でないと判断し電気的
特性の測定を中断する。
【0048】入力パッド3,4,5に接触している接触
用探針3−2,4−2,5−2をオープンにし、接触用
探針3−1,4−1,5−1を入力ピンに指定し図示し
ていないLSIテスターに接続する。
用探針3−2,4−2,5−2をオープンにし、接触用
探針3−1,4−1,5−1を入力ピンに指定し図示し
ていないLSIテスターに接続する。
【0049】そして出力電流試験を実施すると接触用探
針6−1,6−2,7−1,7−2,8−1,8−2に
てそれぞれ電流が測定される。同じ出力パッドに接触し
ている従来と同程度の接触面積を有する2本の接触用探
針で測定されたそれぞれの電流値を加算する。
針6−1,6−2,7−1,7−2,8−1,8−2に
てそれぞれ電流が測定される。同じ出力パッドに接触し
ている従来と同程度の接触面積を有する2本の接触用探
針で測定されたそれぞれの電流値を加算する。
【0050】つまり接触用探針6−1の電流値と接触用
探針6−2の電流値を加算、接触用探針7−1の電流値
と接触用探針7−2の電流値を加算接触用探針8−1の
電流値と接触用探針8−2の電流値を加算するそして出
力電流試験規格と比較し、出力電流試験の良否判定を行
う。
探針6−2の電流値を加算、接触用探針7−1の電流値
と接触用探針7−2の電流値を加算接触用探針8−1の
電流値と接触用探針8−2の電流値を加算するそして出
力電流試験規格と比較し、出力電流試験の良否判定を行
う。
【0051】この様に同じ出力パッドに接触している従
来と同程度の接触面積を有する2本の接触用探針で測定
されたそれぞれの電流値を加算する事で電極パッドと接
触用探針との接触抵抗が突発的に高くてもその影響を小
さくすることが出来、誤判定を少なくする事が出来る。 [第3の実施の形態] [構成の説明] 図5を参照すると半導体装置の電極パッド1つに対して
プローブカードに固定されているそれぞれが従来と同程
度の接触面積を有する二股の接触用探針を接触させる。
来と同程度の接触面積を有する2本の接触用探針で測定
されたそれぞれの電流値を加算する事で電極パッドと接
触用探針との接触抵抗が突発的に高くてもその影響を小
さくすることが出来、誤判定を少なくする事が出来る。 [第3の実施の形態] [構成の説明] 図5を参照すると半導体装置の電極パッド1つに対して
プローブカードに固定されているそれぞれが従来と同程
度の接触面積を有する二股の接触用探針を接触させる。
【0052】第1の実施の形態では接触用探針はそれぞ
れ独立して図示していないLSIテスターに接続されて
いるが、第3の実施の形態では半導体装置の電極パッド
1つに対してプローブカードに固定されている二股の接
触用探針を図示しないLSIテスターに接続される。
れ独立して図示していないLSIテスターに接続されて
いるが、第3の実施の形態では半導体装置の電極パッド
1つに対してプローブカードに固定されている二股の接
触用探針を図示しないLSIテスターに接続される。
【0053】[動作の説明]この様にすると第1の実施
の形態で説明した様な接触用探針と電極パッドとの接触
抵抗は測定できないが、複雑な測定手順が簡素化でき突
発的な接触抵抗の増加による誤判定を減少できる。動作
自体は従来の測定方法のままである。
の形態で説明した様な接触用探針と電極パッドとの接触
抵抗は測定できないが、複雑な測定手順が簡素化でき突
発的な接触抵抗の増加による誤判定を減少できる。動作
自体は従来の測定方法のままである。
【0054】なお、上記各実施例は、半導体装置につい
て説明したが、本発明は、これに限ることはなく、電極
パッドに接触用探針を接触させることができる全ての電
子装置に適用可能である。
て説明したが、本発明は、これに限ることはなく、電極
パッドに接触用探針を接触させることができる全ての電
子装置に適用可能である。
【0055】
【発明の効果】第1の効果は、ウェハース状態の半導体
装置の電気的特性測定において、電極パッドと接触用探
針との接触抵抗値を求める事が出来、その値によって測
定状態が良好なのか、不具合があるのかが判断出来る。
装置の電気的特性測定において、電極パッドと接触用探
針との接触抵抗値を求める事が出来、その値によって測
定状態が良好なのか、不具合があるのかが判断出来る。
【0056】その理由は、半導体装置の1つの電極パッ
ドに対し2本の接触用探針を接触させこの2本の接触用
探針間に電流を流す事で接触抵抗が求められる。この接
触抵抗値が適当であれば半導体装置の電気的特性測定を
継続し、異常に高ければ半導体装置の電気的特性測定を
停止し、接触抵抗による誤判定の発生防止が可能とな
る。
ドに対し2本の接触用探針を接触させこの2本の接触用
探針間に電流を流す事で接触抵抗が求められる。この接
触抵抗値が適当であれば半導体装置の電気的特性測定を
継続し、異常に高ければ半導体装置の電気的特性測定を
停止し、接触抵抗による誤判定の発生防止が可能とな
る。
【0057】第2の効果は、ウェハース状態の半導体装
置の電気的特性測定において、電極パッドと接触用探針
との接触抵抗値を求める事が出来、その接触抵抗値によ
る電流減少分測定規格を適正化する事で接触抵抗の影響
による誤判定の発生防止が可能となる。
置の電気的特性測定において、電極パッドと接触用探針
との接触抵抗値を求める事が出来、その接触抵抗値によ
る電流減少分測定規格を適正化する事で接触抵抗の影響
による誤判定の発生防止が可能となる。
【0058】その理由は、半導体装置の1つの電極パッ
ドに対し2本の接触用探針を接触させこの2本の接触用
探針間に電流を流す事で接触抵抗値が求められる。この
接触抵抗値による電流減少分を計算し測定規格を適正化
する事で接触抵抗の影響による誤判定の発生防止が可能
となる。
ドに対し2本の接触用探針を接触させこの2本の接触用
探針間に電流を流す事で接触抵抗値が求められる。この
接触抵抗値による電流減少分を計算し測定規格を適正化
する事で接触抵抗の影響による誤判定の発生防止が可能
となる。
【0059】第3の効果は、ウェハース状態の半導体装
置の電気的特性測定において、1つの電極パッドに対し
従来と同程度の接触面積を有する2本の接触用探針を接
触させ測定する事で、突発的な接触抵抗の増加による誤
判定を減少する事が出来る。
置の電気的特性測定において、1つの電極パッドに対し
従来と同程度の接触面積を有する2本の接触用探針を接
触させ測定する事で、突発的な接触抵抗の増加による誤
判定を減少する事が出来る。
【0060】その理由は、従来と同程度の接触面積を有
する2本の接触用探針それぞれで電流測定を行い、それ
ぞれの測定値を加算する事で一方の接触用探針の接触抵
抗が突発的に増加してもその影響を減少する事が出来
る。これは抵抗を並列接続したのと同じであるので、接
触抵抗の影響を減少する事が出来る事がわかる。
する2本の接触用探針それぞれで電流測定を行い、それ
ぞれの測定値を加算する事で一方の接触用探針の接触抵
抗が突発的に増加してもその影響を減少する事が出来
る。これは抵抗を並列接続したのと同じであるので、接
触抵抗の影響を減少する事が出来る事がわかる。
【0061】また一方の接触用探針に突発的な接触抵抗
の増大があった場合、もう一方が正常な接触をしていれ
ばその影響を少なくでき、半導体装置の電気的特性試験
での誤判定を防止できることがわかる。
の増大があった場合、もう一方が正常な接触をしていれ
ばその影響を少なくでき、半導体装置の電気的特性試験
での誤判定を防止できることがわかる。
【図1】本発明の平面図及び側面図である。
【図2】従来図(特開昭58−39025)である。
【図3】本発明のフローチャートである。
【図4】本発明のフローチャートである。
【図5】本発明の平面図である。
1 半導体装置(LSI) 2 プローブカード 3,4,5 入力用電極パッド 3−1,3−2 入力用電極パッド3用接触探針 3−3 入力用電極パッド3用二股接触探針 4−1,4−2 入力用電極パッド4用接触探針 4−3 入力用電極パッド4用二股接触探針 5−1,5−2 入力用電極パッド5用接触探針 5−3 入力用電極パッド5用二股接触探針 6,7,8 出力用電極パッド 6−1,6−2 出力用電極パッド6用接触探針 6−3 出力用電極パッド6用二股接触探針 7−1,7−2 出力用電極パッド7用接触探針 7−3 出力用電極パッド7用二股接触探針 8−1,8−2 出力用電極パッド8用接触探針 8−3 出力用電極パッド8用二股接触探針 9 電源パッド 9−1,9−2 電源パッド9用接触探針 9−3 電源パッド9用二股接触探針 10 GNDパッド 10−1,10−2 GNDパッド10用接触探針 10−3 GNDパッド10用二股接触探針 11 ウェハース(LSI) 12 接触抵抗確認用素子 13 電極パッド 14 絶縁層 15 抵抗層 16 接触用探針 17 金属膜
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01R 27/02 G01R 1/06 G01R 31/26 H01L 21/66
Claims (3)
- 【請求項1】 電子装置の所定の電極パッドに、接触用
探針を2本づつ接触させるステップと、該電子装置の同
一の電気特性を前記2本の接触用探針によりそれぞれ個
別に測定するステップと、前記測定した2個の測定値を
加算するステップと、を有することを特徴とする電気的
特性測定方法。 - 【請求項2】 半導体装置の所定の電極パッドに、接触
用探針を2本づつ接触させるステップと、該半導体装置
の同一の電気特性を前記2本の接触用探針によりそれぞ
れ個別に測定するステップと、前記測定した2個の測定
値を加算するステップと、を有することを特徴とする電
気的特性測定方法。 - 【請求項3】 前記2本の接触用探針と前記電極パッド
との接触抵抗を測定し、その値が所定の値を超える場合
は電気的特性の測定を中止することを特徴とする請求項
1又は2に記載の電気的特性測定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29694597A JP3202669B2 (ja) | 1997-10-29 | 1997-10-29 | 電気的特性測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29694597A JP3202669B2 (ja) | 1997-10-29 | 1997-10-29 | 電気的特性測定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11133075A JPH11133075A (ja) | 1999-05-21 |
JP3202669B2 true JP3202669B2 (ja) | 2001-08-27 |
Family
ID=17840223
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29694597A Expired - Fee Related JP3202669B2 (ja) | 1997-10-29 | 1997-10-29 | 電気的特性測定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3202669B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6791344B2 (en) | 2000-12-28 | 2004-09-14 | International Business Machines Corporation | System for and method of testing a microelectronic device using a dual probe technique |
JP4286182B2 (ja) | 2004-05-13 | 2009-06-24 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 電気的接続方法 |
WO2007018186A1 (ja) * | 2005-08-11 | 2007-02-15 | Tokyo Electron Limited | 微小構造体の検査装置,検査方法および検査プログラム |
US11187746B2 (en) * | 2019-03-26 | 2021-11-30 | Nuvoton Technology Corporation | Contact quality testing |
-
1997
- 1997-10-29 JP JP29694597A patent/JP3202669B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11133075A (ja) | 1999-05-21 |
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