WO2007018186A1 - 微小構造体の検査装置,検査方法および検査プログラム - Google Patents

微小構造体の検査装置,検査方法および検査プログラム Download PDF

Info

Publication number
WO2007018186A1
WO2007018186A1 PCT/JP2006/315610 JP2006315610W WO2007018186A1 WO 2007018186 A1 WO2007018186 A1 WO 2007018186A1 JP 2006315610 W JP2006315610 W JP 2006315610W WO 2007018186 A1 WO2007018186 A1 WO 2007018186A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
sound wave
microstructure
pair
output
wave signal
Prior art date
Application number
PCT/JP2006/315610
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Masami Yakabe
Naoki Ikeuchi
Original Assignee
Tokyo Electron Limited
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Limited filed Critical Tokyo Electron Limited
Priority to JP2007529578A priority Critical patent/JPWO2007018186A1/ja
Publication of WO2007018186A1 publication Critical patent/WO2007018186A1/ja

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/282Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
    • G01R31/2829Testing of circuits in sensor or actuator systems
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • B81C99/0035Testing
    • B81C99/005Test apparatus
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/18Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration in two or more dimensions
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P21/00Testing or calibrating of apparatus or devices covered by the preceding groups
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0805Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
    • G01P2015/0822Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
    • G01P2015/084Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass the mass being suspended at more than one of its sides, e.g. membrane-type suspension, so as to permit multi-axis movement of the mass
    • G01P2015/0842Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass the mass being suspended at more than one of its sides, e.g. membrane-type suspension, so as to permit multi-axis movement of the mass the mass being of clover leaf shape

Definitions

  • Inspection device for inspection of minute structure Inspection device for inspection of minute structure, inspection method and inspection program
  • the present invention relates to an inspection apparatus, an inspection method, and an inspection program of a microstructure. More specifically, the present invention relates to, for example, an inspection apparatus, inspection method, and inspection program for a microstructure for inspecting a micro electro mechanical system (MEMS).
  • MEMS micro electro mechanical system
  • MEMS is a device in which various functions such as mechanical 'electronic' light 'chemistry are integrated, in particular using semiconductor fine processing technology and the like.
  • MEMS technologies that have been put into practical use so far include MEMS devices such as acceleration sensors, pressure sensors, and air flow sensors, which are micro sensors, as various sensors for automobile 'medical treatment.
  • MEMS technology for an ink jet printer head, it becomes possible to increase the number of nozzles that eject ink and to eject ink accurately. This makes it possible to improve the image quality and achieve high speed printing.
  • a micro mirror array that is used as a reflector type projector is known as a general MEMS device.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-34371 discloses, by way of example, a resistance value of an acceleration sensor that changes by blowing air to an acceleration sensor formed on a wafer, and determines the characteristics of the acceleration sensor. An inspection method is proposed.
  • a structure having a minute moving part such as an acceleration sensor changes its response characteristic even to a minute movement. Therefore, in order to measure its characteristics, it is necessary to carry out highly accurate inspections.
  • the characteristics of the acceleration sensor must be measured by fine adjustment. For this purpose, it is necessary to control the flow rate of the gas and blow the gas uniformly to the device to carry out highly accurate inspection.
  • a complex and expensive tester must be provided.
  • an object of the present invention is to provide an inspection apparatus, an inspection method, and an inspection program of a microstructure which can inspect a structure having a minute movable part with a relatively simple configuration with high accuracy.
  • a microstructure for inspecting characteristics of a microstructure, using a probe card provided with a sound wave generating means for outputting a test sound wave to the microstructure having a movable portion.
  • Sound wave signal output means for outputting a sound wave signal for generating a test sound wave
  • an amplification means for driving the sound wave generation means with the sound wave signal output.
  • measuring means for measuring an output value output according to the movement of the movable portion of the microstructure by the generated test sound wave based on the sound wave signal output from the amplification means, and the measuring means And characterization means for characterizing the microstructure based on the measured output value.
  • the movable portion of the microstructure can be powered by the test sound wave based on the sound wave signal to evaluate the characteristics of the microstructure.
  • the microstructure is formed on a substrate provided with electrodes
  • the probe card includes at least one pair of probe needles connected to the same electrode of the microstructure, Resistance measurement means for measuring the resistance between at least one pair of probe needles when the pair of probe needles are in contact with the same electrode, a power source for supplying a voltage to the probe card, and at least one pair The voltage is applied from the power supply to at least one pair of probe needles in a state where the probe needles of the above are in contact with the same electrode, and the voltage is measured until the resistance value measured by the resistance value measuring means becomes less than the first predetermined value.
  • control means for controlling conduction between at least one pair of probe needles by raising
  • the apparatus includes a stage for raising and lowering the microstructure, and the control means controls the stage in response to the resistance value measured by the resistance value measuring means being equal to or less than a predetermined second value. Then insert at least one pair of probe needles into the electrode.
  • storage means for storing beforehand the relationship between the plurality of frequencies of the test sound wave or the sound wave signal and the output value as a table, and the characteristic evaluation means provides the corresponding output value when the test sound wave is given. Read out the table force of the storage means and evaluate whether the microstructure outputs the corresponding output value.
  • the sound wave signal output means generates one sine wave signal or a plurality of frequency signals as the sound wave signal.
  • the plurality of frequency signals are white noise signals.
  • Another aspect of the present invention is a method for inspecting a characteristic of a microstructure, using a probe card provided with a sound wave generating means for outputting a test sound wave to a microstructure having a movable part.
  • a method of inspecting a structure comprising the steps of: outputting a sound wave signal for generating a test sound wave from the sound wave generating means; amplifying the outputted sound wave signal to drive the sound wave generating means; Based on the step of measuring the output value output according to the movement of the movable portion of the microstructure by the test sound wave generated by the sound wave generation means, and evaluating the characteristics of the microstructure based on the measured output value And the step of
  • the characteristics of the microstructure can be evaluated by moving the movable portion of the microstructure with the test sound wave based on the sound wave signal.
  • the microstructure is formed on a substrate provided with electrodes
  • the probe card includes at least one pair of probe needles connected to the same electrode of the microstructure. Applying a voltage to at least one pair of probe needles while bringing at least one pair of probe needles into contact with the same electrode, and increasing the voltage until the measured resistance value falls below a first predetermined value Control the conduction between at least one pair of probe needles.
  • a characteristic of a microstructure is inspected by a computer using a probe card provided with a sound wave generating means for outputting a test sound wave to a microstructure having a movable part. And a step of outputting a sound wave signal for generating a test sound wave from the sound wave generating means, a step of amplifying the outputted sound wave signal and driving the sound wave generation means, sound wave Based on the signal, the step of measuring the output value output according to the movement of the movable part of the microstructure by the test sound wave generated by the sound wave generation means, and based on the measured output value, the microstructure Evaluating the characteristics of the body.
  • the movable portion of the microstructure is generated by the sound wave signal.
  • the characteristics of the microstructure can be measured by moving.
  • a sound wave signal is output to the sound wave generation means using the probe card provided with the sound wave generation means for outputting the test sound wave to the microstructure having the movable portion. Since the characteristics of the microstructure are evaluated based on the signal given in response to the movement of the movable portion of the microstructure by the sound wave signal, the structure having a minute movable portion can be obtained with a relatively simple configuration. It can inspect it accurately.
  • FIG. 1 is an external perspective view showing a wafer on which a microstructure is formed.
  • FIG. 2 is a schematic view showing a 3-axis acceleration sensor chip of an example of the microstructure shown in FIG.
  • FIG. 3 is a circuit diagram of a Wheatstone bridge.
  • FIG. 4 is a view for explaining a probe card.
  • FIG. 5 is a block diagram of a microstructure inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a flow chart for explaining the overall operation of the inspection apparatus for microstructures according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a flowchart of chuck height control shown in FIG.
  • FIG. 8 A diagram showing a flowchart of judgment processing of “flipping normal force” shown in FIG.
  • FIG. 9 A diagram showing a flowchart of judgment processing of “DC test normal force” shown in FIG.
  • FIG. 10 A diagram showing a flowchart of determination processing of “the excitation test normal force” shown in FIG.
  • FIG. 11 is a diagram showing a flowchart of an excitation / measurement sequence shown in FIG.
  • FIG. 1 is an external perspective view showing a wafer on which a 3-axis acceleration sensor chip to be inspected by the inspection apparatus for a microstructure according to an embodiment of the present invention is formed, and FIG. 2 is shown in FIG.
  • FIG. 3 is a schematic view showing a partially broken 3-axis acceleration sensor chip, and FIG. 3 is a circuit diagram of a Wheatstone bridge.
  • a plurality of three-axis accelerations as microstructures are provided on a wafer 1 as a substrate.
  • a sensor chip 2 is formed.
  • a plurality of electrode pads PD are formed in the periphery, and four weight mass AR at the center as a movable portion having at least two or more movements.
  • Each double pyramid AR is formed of a square pole, and one corner of the square pole is supported by being connected to the central part of four plate beams BM.
  • the beams BM are formed to be orthogonal to each other in two axes of X and Y.
  • On the surface of the beam BM extending in the X-axis direction four X-axis detecting piezoresistive elements are provided as diffusion resistors per one axis. In parallel to the four piezoresistive elements, four piezoresistive elements for Z-axis detection are provided.
  • On the surface of the beam BM extending in the Y-axis direction four piezoresistive elements for Y-axis detection are provided.
  • the three-axis acceleration sensor chip 2 shown in FIG. 2 can use an inexpensive IC process, and is small in size because the sensitivity element is not reduced even if the resistance element which is a detection element is formed small. And low cost is advantageous.
  • the four piezoresistive elements provided corresponding to each axis constitute resistances R1 to R4 of the Wheatstone bridge circuit as a detection circuit shown in FIG. 3, respectively.
  • Three Wheatstone bridge circuits are provided on the 3-axis acceleration sensor chip 2 corresponding to each of the X axis, Y axis, and Z axis.
  • a piezoresistive element has a property (piezoresistance effect) in which its resistance value changes with applied strain, and in the case of tensile strain, the resistance value increases, and in the case of compressive strain, the resistance value decreases. I will be less.
  • Apply the voltage Vdd to one end of the Wheatstone bridge circuit shown in Figure 3 and ground the other end to GND.
  • the output voltage Vout output from the middle point is expressed by voltages Vx (y) out and Vzout shown in the following equations with respect to the X, ⁇ , and Z axes.
  • Vx (y) out ⁇ R3 / (R2 + R3)-R4 / (Rl + R4) ⁇ -Vdd
  • Vzout ⁇ R3Z (Rl + R3)-R4 / (R2 + R4) ⁇ ⁇ Vdd
  • the Wheatstone bridge circuit corresponding to each of the X, Y, and ⁇ ⁇ axes can detect the acceleration component of each output axis as an output voltage which is independently separated.
  • the 3-axis acceleration sensor chip 2 can also detect a DC component of acceleration, and therefore can also be used as a tilt angle sensor that detects gravitational acceleration.
  • FIG. 4 is a conceptual view for explaining a probe card used in the inspection apparatus for microstructures according to an embodiment of the present invention.
  • Wafer 1 shown in FIG. 1 is mounted on chuck 8.
  • the chuck 8 incorporates a heater so that the wafer 1 can be set to various temperature environments, and is moved in three axes by a Z stage 9 which is a moving mechanism as a stage, an X stage 10, and a Y stage 11. It is possible to move.
  • the chuck 8 can rotate the wafer 1 forward and backward in the ⁇ direction.
  • the probe card 4 is disposed above the wafer 1.
  • the probe card 4 includes a circuit board 5 and a plurality of probe needles 6 are attached to the circuit board 5 so as to face the wafer 1.
  • the circuit board 5 is provided with a speaker 3 as a sound wave generating means and a microphone 7 so as to face the wafer 1.
  • the probe needle 6 is electrically connected by contacting the electrode pad PD of the 3-axis acceleration sensor chip 2.
  • the circuit board 5 has a predetermined area so that a test sound wave is output at a predetermined frequency and a predetermined sound pressure to the movable portion of the 3-axis acceleration sensor chip 2 of the wafer 1 from the spin force 3. An opening is formed.
  • the microphone 7 detects a test sound wave.
  • the test sound wave generated from the speaker 3 has a predetermined sound pressure between the wafer 1 and the probe card 4 among the plurality of 3-axis acceleration sensor chips 2 at a predetermined sound pressure.
  • the third axis acceleration sensor chip 2 is sealed so as to be applied only to the movable portion of the predetermined three-axis acceleration sensor chip 2.
  • the electrode pad PD is an inspection electrode electrically connected to the probe needle 6, and is formed around the 3-axis acceleration sensor chip 2 as shown in FIG. Therefore, by providing the opening in the area surrounded by the probe needle 6 and arranging the speaker 3 thereon, it is possible to output a test sound wave right above the movable part of the predetermined 3-axis acceleration sensor chip 2. .
  • FIG. 5 is a block diagram of a tester of an example of a microstructure inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • the tester 20 has a probe force via the switching circuit 30. It is connected to 4 and is also connected to Prono O.
  • the switching circuit 30 switches the connection between the tester 20 and the probe needle 6.
  • the tester 20 has a controller 21 that operates as a characteristic evaluation unit and a control unit, a function generator 22 that operates as a sound wave signal output unit, and a power amplifier 23 that operates as an amplification unit that electrically drives the speaker 3.
  • the controller 21 controls the overall operation of the tester 20, and is configured by a computer. Further, the controller 21 is connected to a prono O.
  • the prober 40 performs control for moving the chuck 8, the Z stage 9, the X stage 10, and the Y stage 11 shown in FIG. 4 in the respective axial directions.
  • the function generator 22 generates a test signal waveform such as a sine wave signal or white noise as a plurality of frequency signals.
  • the output of the function generator 22 is supplied to the power amplifier 23, amplified, and supplied to the speaker 3 mounted on the probe card 4.
  • the device measuring instrument 24 is composed of, for example, an AZD converter, and converts the output voltage value and consumption current value of the Wheatstone bridge circuit given from the probe needle 6 and the output value of the test sound wave detected by the microphone 7 into digital signals. And give it to the controller 21.
  • the resistance measuring instrument 25 measures a resistance value or the like given from the probe card 4 and outputs it to the controller 21.
  • Switching circuit 30 is rendered conductive in response to a pulse signal applied from pulse generator 26 to switch the 3 V voltage output from power supply circuit 27 or the 5 V voltage output from power supply circuit 28. Supply to probe card 4. Also, the switching circuit 30 conducts in response to the pulse signal supplied from the pulse generator 26, and is included in the probe card 4. The output voltage value and current consumption value output from the Wheatstone bridge circuit, the microphone 7 The test sound wave detected in the above is output to the device measuring instrument 24. Further, the switching circuit 30 conducts in response to the pulse signal supplied from the pulse generator 26, and outputs the resistance value between the probe needle 6 and the electrode pad PD to the resistance measuring instrument 25.
  • the power supply circuit 27 supplies a voltage of, for example, 3 V to the probe card 4 via the switching circuit 30 in order to electrically operate the three-axis acceleration sensor chip 2.
  • the power supply circuit 28 supplies the probe card 4 via the switching circuit 30 with a voltage of, for example, 5 V necessary for flipping.
  • the input unit 31 inputs information necessary for the examination, and the display unit 32 displays the examination result.
  • the memory 33 stores inspection results and the like, and also stores, as a table, a relationship between a plurality of frequencies or sound signals of the test sound wave and a voltage value indicating the movement of the microstructure 2.
  • the controller 21 reads out the corresponding voltage value from the table of the memory 33 when the test sound wave is applied, and evaluates whether the microstructure 2 outputs the corresponding voltage value. That is, the controller 21 evaluates the characteristics of the microstructure based on the movement data table of the microstructure 2 and the measurement values output from the device measuring instrument 24 and the resistance measuring instrument 25.
  • FIG. 6 is a flow chart for explaining the operation of the inspection apparatus for microstructures according to an embodiment of the present invention.
  • the inspection apparatus inspects the microstructure by executing a program based on the flowchart.
  • FIG. 6 an outline operation of the inspection apparatus for microstructures according to the embodiment of the present invention will be described.
  • the main processing steps shown in FIG. 6 will be described in detail later with reference to the flowcharts shown in FIG. 7 to FIG.
  • the operator places the wafer 1 on the chuck 8 shown in FIG.
  • the controller 21 determines that the wafer 1 has been loaded in step (abbreviated as SP in the drawing) SP1
  • it outputs a drive signal in step SP2 and the probe needles 6 of the probe substrate 5 are used as electrodes of the measurement chip.
  • the pad PD Move on the pad PD. That is, in order to enable the tester 20 to measure the output voltage of the Wheatstone bridge circuit described in FIG. 4, the probe needle 6 is opposed to the electrode pad PD by the stage 10 and the Y stage 11 Position the axis direction and the Y axis direction.
  • chuck height control is performed.
  • the chuck height control detects that the needle has touched the electrode pad PD by detecting the change in the electrical resistance between the pair of probe needles 6, and a certain height from that point is detected. Minutes (hereinafter referred to as overdrive amount Do. ) Only press probe needle 6 to electrode pad PD.
  • overdrive amount Do. Minutes (hereinafter referred to as overdrive amount Do. ) Only press probe needle 6 to electrode pad PD.
  • overdrive amount Do. Only press probe needle 6 to electrode pad PD.
  • the tip of one pair of probe needles 6 contacts the electrode pad PD, and the pair of probe needles 6 is pressed against the electrode pad PD with a fixed overdrive amount to control the chuck height. Do. In this way, even if the heights of the 3-axis acceleration sensor chips 2 are different, the needle pressure when pressing the pair of probe needles 6 against the electrode pad PD is made constant.
  • the pair of probe needles 6 be in contact with the same electrode pad PD from the perpendicular direction.
  • the effect of needle pressure is a force that may appear in the X and Y axes.
  • detection of whether or not the tip of the pair of probe needles 6 has come into contact with the electrode pad PD may be performed by, for example, laser measurement using the probe needles 6 and the electrode pads PD other than measuring the resistance value. The distance between them may be measured, or the image force between the tip of the probe needle 6 and the electrode pad PD may be extracted to measure the contact state.
  • the needle pressure is maintained at a constant small value by moving the probe needle 6 toward the electrode pad PD by a fixed overdrive amount from that point. Get down.
  • the amount of overdrive is set in advance to an appropriate value so as to reduce the contact resistance between the probe needle 6 and the electrode pad PD and to suppress the stress due to the needle pressure of the probe needle 6 to be negligible.
  • the probe needles 6 are brought into contact before measurement and then displaced by a predetermined overdrive amount. As a result, inspection can be performed under the same conditions for each 3-axis acceleration sensor chip 2 while minimizing the influence on the 3-axis acceleration sensor chip 2.
  • step SP4 the flitting control based on the flitting phenomenon is performed.
  • the “fritting phenomenon” means that when the potential gradient applied to the acid film formed on the surface of the metal (in this embodiment, the electrode pad PD) becomes about 10 5 to 10 6 V / cm The phenomenon that the oxide film is destroyed due to the current flow due to the nonuniformity of film thickness and metal composition.
  • a voltage is applied from the power supply circuit 28 to one of the pair of probe needles 6 while the tips of the pair of probe needles 6 are in contact with the same electrode pad PD. Then, when the voltage is gradually raised, a flitting phenomenon based on the voltage difference applied to the pair of probe needles 6 breaks the acid film between the pair of probe needles 6 in the electrode pad. Current flows. As a result, electrical continuity is established between the probe needle 6 and the electrode pad PD. Note that the flipping control is performed for each pair of probe needles 6.
  • step SP5 it is determined whether or not the force is normally applied. That is, the switching circuit 30 switches the connection of the pair of probe needles 6 from the power supply circuit 28 to the input side of the resistance measuring instrument 25. Thereby, the contact resistance value between the probe needle 6 and the electrode pad PD is measured by the resistance measuring instrument 25 and given to the controller 21. The controller 21 determines whether or not the flipping has been normally performed by determining the contact resistance value. If it is determined that the flipping is not properly performed, the Z stage 9 is driven to lower the wafer 1 in step SP6. Then, the processing of steps SP3 to SP5 is repeated.
  • step SP7 the pulse generator 26 also outputs a pulse signal to switch the switching circuit 30.
  • a voltage is also taken out of the electrode pad PD force and applied to the device measuring instrument 24, and the controller 21 tests the DC voltage based on the output of the device measuring instrument 24.
  • the DC voltage test is to determine whether the output voltage Vout of the Wheatstone bridge circuit corresponding to each of the X, ⁇ , and Z axes is a predetermined voltage.
  • step SP8 the controller 21 determines whether or not the DC test has been successfully performed. If it is determined that the normal operation has not been performed, it is determined in step SP9 whether or not the nth DC test has been performed. If it is the nth time or less, perform the DC test again in step SP8. When the DC test is performed n times, in step SP10, the result of the DC test is saved in the memory 33, and then the process proceeds to step SP14. In this case, do not perform an excitation test because the measurement chip is defective!
  • step SP8 When it is determined in step SP8 that the DC test has been performed normally, an excitation test is performed in step SP11. Excitation test from function generator 22 It is performed by generating a sine wave signal or a white noise signal. Then, the sine wave signal or the white noise signal is amplified by the power amplifier 23 and output to the speaker 3 mounted on the probe card 4. A test sound wave of a predetermined sound pressure is generated from the speaker 3 to vibrate the movable part of the measurement chip. Since the controller 21 stores in advance the relationship between the plurality of frequencies or sound wave signals of the test sound wave and the movement of the movable part by each test sound wave in the table of the memory 33, when the test sound wave is given to the movable part Measure the movement corresponding to.
  • the change in the resistance value of the piezoresistive element which changes based on this movement, is measured based on the voltage applied through the probe needle 6.
  • the characteristics are measured by a force or the like in which the resistance value of the measurement chip changes linearly. Since the applied acceleration and the output voltage of the Wheatstone bridge circuit have a substantially linear relationship, it is possible to determine whether the measurement chip is good or not by determining whether the change is linear.
  • by sweeping a sine wave signal to generate a test sound wave it is possible to measure the resonance frequency and the amplitude at the resonance frequency.
  • test sound wave given from the speaker 3 to the measurement chip by the microphone 7 is detected.
  • the detection signal is converted to a digital signal by the device measuring instrument 24 and given to the controller 21 to determine whether a predetermined test sound wave has reached the movable portion of the measuring chip.
  • step SP12 If it is determined in step SP11 that the vibration test has not been performed normally, it is determined in step SP12 whether it is the n-th vibration test. If it is the nth time or less, an excitation test is performed again in step SP11. When it is determined that the operation has been performed n times, data such as the linearity, the resonance frequency in each axis of X, ⁇ , Z, and the amplitude at the resonance frequency are saved in the memory 33 in step SP13.
  • step SP16 it is determined whether or not the measuring tip has a force. If it is determined that there is a measurement tip, in step SP2, the X-stage 10 and the Y-stage 11 are moved so as to correspond to the position of the next measurement tip. In step SP 16, when it is determined that there is no measuring tip to be tested next, the operator removes the measuring tip from the chuck 8. If it is determined in step SP17 that the wafer 1 has been unloaded, it is determined in step SP18 whether or not there is a change in the measured temperature. If there is no temperature change, a series of processing is finished. If there is a temperature change, the temperature of the chuck 8 is changed in step SP19, and the process proceeds to step SP2, and the same processing as described above is performed.
  • Data of measured values obtained as a result of the processing of steps SP1 to SP19 are output to the controller 21.
  • the controller 21 evaluates the characteristics of the microstructure 2 based on the measurement value data.
  • FIG. 7 is a flowchart showing details of chuck height control shown in step SP3 of FIG.
  • the switching circuit 30 is switched by the pulse signal from the pulse generator 26, and the probe needle 6 is connected to the input of the resistance measuring instrument 25 of the tester 20.
  • the resistance value between the pair of probe needles 6 is measured by the resistance measuring instrument 25 and the measured resistance value is output to the controller 21.
  • step SP33 the controller 21 determines whether or not the resistance value is equal to or less than the second predetermined value, and if it is equal to or less than the predetermined value, the probe needle 6 contacts the electrode pad PD. Is judged to be good.
  • step SP34 the Z stage 9 is raised by a predetermined height, and the probe needle 6 is inserted into the electrode pad PD.
  • step SP33 When it is determined in step SP33 that the resistance value is not less than the predetermined value, it is determined that the contact between the probe needle 6 and the electrode pad PD is not good, and in step SP35, the Z stage Adjust the height of chuck 8 by raising 9. By performing this chuck height control, the contact state between the probe needle 6 and the electrode pad PD can be improved even if the 3-axis acceleration sensor chip 2 has a variation in height due to warpage of the wafer 1 or the like. .
  • FIG. 8 is a flowchart showing details of whether the flipping in step SP5 shown in FIG. 6 is normal.
  • the electrode pad n is selected, and in step SP62, the resistance measuring device 25 measures the resistance value, and outputs data indicating the resistance value to the controller 21.
  • step SP63 it is determined whether or not the resistance value is smaller than a predetermined value which is a first value. , It is determined whether or not the force is normally applied. If it is determined in step SP63 that the resistance measurement value is not equal to or less than the predetermined value, it is determined in step SP64 that the fritting is defective.
  • FIG. 9 is a flowchart of the process of determining whether the DC test is normal in step SP8 shown in FIG.
  • the controller 21 measures the voltage supplied via the device measuring instrument 24 in step SP71, and measures the current in step SP72.
  • Step SP73 Determine if the DC voltage is within the specified voltage range or not! //.
  • step SP 74 the offset voltage of the output voltage Vout of the Wheatstone bridge circuit corresponding to the X axis, Y axis, and Z axis is measured.
  • step SP75 it is determined whether or not the offset voltage is within the range of the predetermined threshold voltage and the appropriate force. If the offset voltage is correct, it is determined in step SP76 that the DC test is normal. Then, in step SP77, the DC voltage of the test result is stored in the memory 33.
  • step SP 73 When it is determined in step SP 73 that the DC voltage is out of the predetermined threshold voltage range, or in step SP 75, it is determined that the offset voltage is out of the predetermined threshold voltage range. Sometimes, in step SP78, it is determined that the DC test is defective. Then, in step SP77, the memory 33 stores that the DC test is defective. The measurement chip determined to be a DC test failure is removed by the operator.
  • FIG. 10 is a diagram showing a flowchart of the determination processing of “vibration test OK force” of step SP 11 shown in FIG. 6, and FIG. 11 is a drawing of the excitation 'measurement sequence shown in FIG. It is a figure which shows a flowchart.
  • a vibration measurement sequence is executed in step SP80.
  • selection of a waveform to be set by the function generator 22 is performed in step SP91 shown in FIG.
  • the AC amplitude of the white noise signal is set by the function generator 22.
  • the white noise signal is output at the set AC amplitude.
  • the white noise signal is amplified by the power amplifier 23 and output to the speaker 3 mounted on the probe card 4. Even if the amplified white noise signal is applied to the speaker 3, the sound wave is not stably output immediately.
  • the process waits for a predetermined time at step SP94 until the sound wave based on the white noise signal is stably output from the speaker 3. Thereafter, based on the sound wave of the white noise signal output from the speaker 3, the movable portion of the measurement chip vibrates, and the output of the Wheatstone bridge circuit changes.
  • the controller 21 measures the output value of each of the X axis, the Y axis, and the Z axis by FFT (Fast Fourier Transform) based on the change in the output of the Wheatstone bridge circuit.
  • FFT Fast Fourier Transform
  • step SP96 By measuring with FFT, it is possible to extract which frequency component is included in the output signal and how much. Then, in step SP96, the peak frequency and the amplitude are measured from the FFT result. Output of white noise is stopped at step SP97. Since white noise is a noise signal that has components of uniform magnitude over the entire frequency band, it is possible to perform an excitation test in the entire frequency band by performing an excitation test with a test sound wave based on white noise.
  • step SP 91 When a sine wave signal is selected as the waveform in step SP 91, the frequency and amplitude of the sine wave signal are set by the function generator 22 in step SP 98. In step SP99, a sine wave signal is output from the function generator 22. The sine wave signal is amplified by the power amplifier 23 and output to the speaker 3 mounted on the probe card 4.
  • step SP100 Since the sound wave is not stably output immediately even if it is given to the amplified sine wave signal power speaker 3, the sound wave based on the sine wave signal is stably output from the speaker 3 in step SP100. Wait for a predetermined time.
  • step SP101 based on the output change of the Wheatstone bridge circuit that appears due to the vibration of the movable part of the measurement chip based on the sound wave of the sine wave signal, it is measured by the change force FFT of the X axis, Y axis and Z axis output. Then, in step SP102, the peak-to-peak frequency and amplitude are also measured for the FFT result force.
  • step SP103 it is selected whether or not to stop the output of the sine wave signal, and when it is selected to stop the output of the sine wave signal, in step SP104, the frequency characteristic also has peak value, frequency and amplitude.
  • step SP97 the output of the sine wave signal by the function generator 22 is stopped.
  • step SP105 the frequency of the sine wave signal is changed by + ⁇ , and the process returns to step SP99 to output the sine wave signal.
  • step SP81 a determination process of the excitation test is performed. This determination is made by determining whether the peak frequency of the X axis falls within the range of the minimum and maximum values of the X, Y, and Z axis thresholds. If it is determined in step SP82 that the vibration test has been performed normally, the result is stored in the memory 33 in step SP83. If the vibration test is not performed normally, it is determined that the vibration test is defective in step SP84, and the memory 33 stores that the vibration test is not good. The measurement chip whose vibration test is judged to be defective is removed by the operator.
  • the change in impedance value or impedance of a capacitive element, a reactance element, or the like is not limited thereto. It is also possible to detect changes in voltage, current, frequency, phase difference, delay time, etc. based on changes in value to determine characteristics.
  • the force described in the example using the speaker 3 as the sound wave output means is not limited to this, and other movable means capable of moving the movable portion of the 3-axis acceleration sensor chip 2 Do not use.
  • the force described in the case of testing the characteristics of the three-axis acceleration sensor chip 2 according to the present invention is not limited to the micro structure of other MEMS devices.
  • the present invention can also be applied to a case where a test is performed on a movable part of a structure.
  • the inspection apparatus and inspection method of a microstructure according to the present invention can be used to inspect an EMS device such as a 3-axis acceleration sensor.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Measurement Of Mechanical Vibrations Or Ultrasonic Waves (AREA)

Abstract

 3次元加速度センサの測定チップをチャックに装着し(SP1)、プローブ針を測定チップに移動させ(SP2)、フリッティング制御を行って(SP4)、プローブ針を測定チップの電極パッドに接続し、DCテストを行った(SP7~SP10)後、スピーカから測定チップの可動部にテスト音波を与えて加振テストを行い(SP11~SP13)、その結果に基づいて3次元加速度センサの特性を測定する。  

Description

明 細 書
微小構造体の検査装置,検査方法および検査プログラム
技術分野
[0001] この発明は、微小構造体の検査装置,検査方法および検査プログラムに関する。よ り特定的には、この発明は、例えば、 MEMS (Micro Electro Mechanical Syst ems)を検査する微小構造体の検査装置,検査方法および検査プログラムに関する 背景技術
[0002] 近年、特に半導体微細加工技術などを用いて、機械 '電子'光 '化学などの多用な 機能を集積ィ匕したデバイスである MEMSが注目されている。これまでに実用化され た MEMS技術としては、例えば自動車'医療用の各種センサとして、マイクロセンサ である加速度センサや圧力センサ,エアーフローセンサなどの MEMSデバイスがあ る。
[0003] また、インクジェットプリンタヘッドに、この MEMS技術を採用することにより、インク を噴出するノズル数の増加と正確なインクの噴出が可能となる。これにより、画質の向 上と印刷スピードの高速ィ匕を図ることが可能となっている。さらには、反射型のプロジ ェクタにぉ 、て用いられて 、るマイクロミラーアレイなども一般的な MEMSデバイスと して知られている。
[0004] 今後、 MEMS技術を利用したさまざまなセンサゃァクチユエータが開発されること により、光通信 'モパイル機器への応用、計算機の周辺機器への応用、さらにはバイ ォ分析や携帯用電源への応用へと展開することが期待されている。技術調査レポ一 ト第 3号 (経済産業省産業技術環境局技術調査室 製造産業局産業技術課発行)に は、 MEMSに関する技術の現状と課題という議題で種々の MEMS技術が紹介され ている。
[0005] 一方、 MEMSデバイスの発展に伴い、微細な構造などであるがゆえにそれを適正 に検査する方式も重要になってくる。従来においては、ノ ッケージ後にデバイスを回 転させたり、あるいは振動などの手段を用いて、その特性の測定を実行してきた。微 細加工技術後の製造の初期段階において、ウェハの状態が良好であるかなどの適 正な検査を実行して不良を検出することにより、歩留まりを向上させ、製造コストをより 低減することが可能になる。
[0006] 特開平 5— 34371号公報には、一例としてウェハ上に形成された加速度センサに 対して、空気を吹付けることにより変化する加速度センサの抵抗値を検出し、加速度 センサの特性を判別する検査方式が提案されて 、る。
[0007] 一般に、加速度センサなどの微小な可動部を有する構造体は、微小な動きに対し てもその応答特性が変化する。したがって、その特性を測定するためには、精度の高 い検査をする必要がある。特開平 5— 34371号公報に示されるような空気の吹付け によりデバイスに変化を加える場合には、微調整を施して加速度センサの特性を測 定しなければならない。このためには、気体の流量を制御するとともに均一にデバイ スに気体を吹付けて精度の高い検査を実行する必要がある。しかし、このような検査 は、極めて困難であり、例え実行するとしても、複雑かつ高価なテスタを設けなけれ ばならない。
発明の開示
[0008] そこで、この発明の目的は、比較的簡単な構成で微小な可動部を有する構造体を 精度よく検査できる微小構造体の検査装置,検査方法および検査プログラムを提供 することである。
[0009] この発明は、可動部を有する微小構造体に対して、テスト音波を出力する音波発生 手段を設けたプローブカードを用いて、微小構造体の特性を検査するための微小構 造体の検査装置であって、音波発生手段力 テスト音波を発生するための音波信号 を出力する音波信号出力手段と、音波信号出力手段力 出力された音波信号で音 波発生手段を駆動するための増幅手段と、増幅手段から出力された音波信号に基 づいて音波発生手段力 発生されたテスト音波による微小構造体の可動部の動きに 応じて出力される出力値を測定する測定手段と、測定手段によって測定された出力 値に基づ ヽて、微小構造体の特性を評価する特性評価手段とを備える。
[0010] このように音波信号に基づくテスト音波によって微小構造体の可動部を動力して、 微小構造体の特性を評価できる。 [0011] 好ましくは、微小構造体は、電極が設けられた基板上に形成されていて、プローブ カードは、微小構造体の同一の電極に接続される少なくとも 1対のプローブ針を含み 、少なくとも 1対のプローブ針を同一の電極に接触させたときの少なくとも 1対のプロ ーブ針間の抵抗値を測定する抵抗値測定手段と、プローブカードに電圧を供給する ための電源と、少なくとも 1対のプローブ針を同一の電極に接触させた状態で電源か ら少なくとも 1対のプローブ針に電圧を印加し、抵抗値測定手段によって測定された 抵抗値が予め定める第 1の値以下になるまで電圧を上昇させて、少なくとも 1対のプ ローブ針間の導通を制御する制御手段とを含む。
[0012] このような導通制御により、いわゆるフリツティング現象を利用して電極とプローブ針 との導通を確実にできる。
[0013] 好ましくは、微小構造体を上下させるためのステージを含み、制御手段は、抵抗値 測定手段によって測定された抵抗値が予め定める第 2の値以下であることに応じて、 ステージを制御して少なくとも 1対のプローブ針を電極に差込む。
[0014] 各微小構造体の高さが異なっていても、抵抗値を測定することで、針圧が一定にな るように少なくとも 1対のプローブ針と電極との接続状態を調整できる。
[0015] 好ましくは、テスト音波の複数の周波数もしくは音波信号と出力値との関係をテープ ルとして予め記憶する記憶手段を含み、特性評価手段は、テスト音波を与えたときに 対応する出力値を記憶手段のテーブル力 読み出して、微小構造体が対応する出 力値を出力しているかを評価する。
[0016] 好ましくは、微小構造体は、少なくとも 2つ以上の動きを有する可動部と、少なくとも 2つ以上の動きを検出する検出回路とを含み、プローブ針を介して微小構造体の電 極に直流電圧を印加したときに、検出回路から出力される直流電圧を測定する直流 電圧検査手段を含む。検出回路の出力を監視することで、電圧が所定の範囲内にあ るかを確認できる。
[0017] 好ましくは、音波信号出力手段は、音波信号として 1つの正弦波信号または複数の 周波数信号を発生する。複数の周波数信号は、ホワイトノイズ信号である。ホワイトノ ィズ信号で音圧を与えることで、全周波数帯域における加振テストを行うことができ、 音圧を一定にして正弦波信号の周波数をスイープさせることで得られる出力電圧特 性から共振周波数を特定することが可能になる。
[0018] この発明の他の局面は、可動部を有する微小構造体に対して、テスト音波を出力 する音波発生手段を設けたプローブカードを用いて、微小構造体の特性を検査する ための微小構造体の検査方法であって、音波発生手段からテスト音波を発生するた めの音波信号を出力する工程と、出力した音波信号を増幅して音波発生手段を駆 動する工程と、音波信号に基づいて音波発生手段から発生されたテスト音波による 微小構造体の可動部の動きに応じて出力される出力値を測定する工程と、測定され た出力値に基づいて、微小構造体の特性を評価する工程とを備える。
[0019] このような検査方法においても、音波信号に基づくテスト音波によって微小構造体 の可動部を動かして、微小構造体の特性を評価できる。
[0020] より好ましくは、微小構造体は、電極が設けられた基板上に形成されていて、プロ一 ブカードは、微小構造体の同一の電極に接続される少なくとも 1対のプローブ針を含 み、少なくとも 1対のプローブ針を同一の電極に接触させた状態で少なくとも 1対のプ ローブ針に電圧を印加し、測定された抵抗値が予め定める第 1の値以下になるまで 電圧を上昇させて、少なくとも 1対のプローブ針間の導通を制御する工程を含む。
[0021] 好ましくは、少なくとも 1対のプローブ針を同一の電極に接触させたときの少なくとも 1対のプローブ針間の抵抗値を測定する工程と、測定された抵抗値が予め定める第 2の値以下であることに応じて、少なくとも 1対のプローブ針を電極に差込む工程とを 含む。
[0022] この発明のさらに他の局面は、可動部を有する微小構造体に対して、テスト音波を 出力する音波発生手段を設けたプローブカードを用いて、コンピュータで微小構造 体の特性を検査するための微小構造体の検査プログラムであって、音波発生手段か らテスト音波を発生するための音波信号を出力するステップと、出力した音波信号を 増幅して音波発生手段を駆動するステップと、音波信号に基づ 、て音波発生手段か ら発生されたテスト音波による微小構造体の可動部の動きに応じて出力される出力 値を測定するステップと、測定された出力値に基づいて、微小構造体の特性を評価 するステップとを備える。
[0023] この検査プログラムを実行することにより、音波信号によって微小構造体の可動部 を動かすことで微小構造体の特性を測定できる。
[0024] この発明によれば、可動部を有する微小構造体に対してテスト音波を出力する音 波発生手段を設けたプローブカードを用いて、音波発生手段に音波信号を出力し、 出力された音波信号による微小構造体の可動部の動きに応じて与えられる信号に基 づいて、微小構造体の特性を評価するようにしたので、比較的簡単な構成で微小な 可動部を有する構造体を精度よく検査できる。
図面の簡単な説明
[0025] [図 1]微小構造体が形成されたウェハを示す外観斜視図である。
[図 2]図 1に示した微小構造体の一例の 3軸加速度センサチップを示す概略図である
[図 3]ホイートストンブリッジの回路図である。
[図 4]プローブカードを説明するための図である。
[図 5]この発明の一実施形態における微小構造体の検査装置のブロック図である。
[図 6]この発明の一実施形態における微小構造体の検査装置の全体の動作を説明 するためのフローチャートである。
[図 7]図 6に示したチャック高さ制御のフローチャートを示す図である。
[図 8]図 6に示した「フリツティング正常力」の判断処理のフローチャートを示す図であ る。
[図 9]図 6に示した「DCテスト正常力」の判断処理のフローチャートを示す図である。
[図 10]図 6に示した「加振テスト正常力」の判断処理のフローチャートを示す図である
[図 11]図 10に示した加振 ·測定シーケンスのフローチャートを示す図である。
発明を実施するための最良の形態
[0026] 図 1は、この発明の一実施形態の微小構造体の検査装置で検査される 3軸加速度 センサチップが形成されたウェハを示す外観斜視図であり、図 2は、図 1に示した 3軸 加速度センサチップを一部破断して示す概略図であり、図 3はホイートストンブリッジ の回路図である。
[0027] 図 1に示すように基板としてのウェハ 1上には、微小構造体である複数の 3軸加速度 センサチップ 2が形成されている。 3軸加速度センサチップ 2には、図 2に示すように 周辺に複数の電極パッド PDが形成されており、少なくとも 2つ以上の動きを有する可 動部として、中央に 4個の重錘体 ARが設けられている。各重錐体 ARは、四角柱で 形成されており、四角柱の 1つの角部分が 4本の板状のビーム BMの中央部に連結 されて支持されている。四角柱構造を採用することで、重錐体 ARを大きくすると同時 にビーム長も長くすることができるため、小型であっても高感度な加速度センサを実 現できる。
[0028] ビーム BMは X, Yの 2軸で互いに直交するように形成されている。 X軸方向に延び るビーム BMの表面には、 X軸検出用のピエゾ抵抗素子が拡散抵抗として、 1軸あた り 4個設けられている。この 4個のピエゾ抵抗素子に対して平行に、 Z軸検出用の 4個 のピエゾ抵抗素子が設けられている。 Y軸方向に延びるビーム BMの表面には Y軸 検出用の 4個のピエゾ抵抗素子が設けられている。
[0029] 図 2に示した 3軸加速度センサチップ 2は、安価な ICプロセスを利用することができ るとともに、検出素子である抵抗素子を小さく形成しても、感度低下がないため、小型 化および低コストィ匕に有利である。
[0030] 各軸に対応して設けられた 4個のピエゾ抵抗素子は、それぞれが図 3に示す検出 回路としてのホイートストンブリッジ回路の抵抗 R1〜R4を構成している。ホイートスト ンブリッジ回路は、 X軸, Y軸, Z軸のそれぞれに対応して、 3軸加速度センサチップ 2 上に 3つ設けられている。各軸に対応して設けられるホイートストンブリッジ回路により 、重錐体 ARが加速度 (慣性力)を受けると、ビーム BMが変形し、その表面に形成さ れたピエゾ抵抗素子の抵抗値の変化により、各軸に対応して加速度が検出される。
[0031] ピエゾ抵抗素子は、加えられた歪によってその抵抗値が変化する性質 (ピエゾ抵抗 効果)を持っており、引張歪の場合は抵抗値が増加し、圧縮歪の場合は抵抗値が減 少する。図 3に示したホイートストンブリッジ回路の一端に電圧 Vddを印加し、他端を GNDに接地する。中間点から出力される出力電圧 Voutは、 X, Υ, Z軸に関して、次 式に示す電圧 Vx (y) out, Vzoutで表される。
[0032] Vx (y) out= {R3/ (R2+R3) -R4/ (Rl +R4) } -Vdd
Vzout = {R3Z (Rl +R3) -R4/ (R2+R4) } · Vdd このように、 X, Y, ζ軸のそれぞれに対応するホイートストンブリッジ回路により、出 力各軸の加速度成分を、独立に分離した出力電圧として検出できる。なお、 3軸加速 度センサチップ 2は、加速度の DC成分も検出できるため、重力加速度を検出する傾 斜角センサとしても用いることができる。
[0033] 図 4は、この発明の一実施形態における微小構造体の検査装置に用いられるプロ ーブカードを説明するための概念図である。
[0034] 図 1に示したウェハ 1は、チャック 8上に搭載されている。チャック 8はウェハ 1を種々 の温度環境に設定可能なようにヒータを内蔵して 、て、ステージとしての移動機構で ある Zステージ 9と、 X テージ 10と、 Yステージ 11とにより 3軸方向に移動可能になつ ている。また、チャック 8はウェハ 1を Θ方向に正逆回転可能になっている。
[0035] ウェハ 1の上方には、プローブカード 4が配置されている。プローブカード 4は、回路 基板 5を含み、この回路基板 5には、複数のプローブ針 6がウェハ 1に対向するように 取付けられている。回路基板 5には、音波発生手段としてのスピーカ 3とマイクロホン 7とがウェハ 1に対向するように設けられている。プローブ針 6は、 3軸加速度センサチ ップ 2の電極パッド PDに接触することで電気的に接続される。回路基板 5には、スピ 一力 3からウェハ 1の 3軸加速度センサチップ 2の可動部に対して所定の周波数およ び所定の音圧でテスト音波が出力されるように、所定の領域に開口部が形成されて いる。マイクロホン 7はテスト音波を検出する。
[0036] なお、図 4では図示していないが、ウェハ 1とプローブカード 4との間は、スピーカ 3 力も発生されたテスト音波が、所定の音圧で複数の 3軸加速度センサチップ 2の内、 所定の 3軸加速度センサチップ 2の可動部のみに加えられるように密閉されている。
[0037] 電極パッド PDは、プローブ針 6と電気的に接続される検査用電極であり、図 2に示 すように 3軸加速度センサチップ 2の周辺に形成されている。したがって、プローブ針 6で囲まれる領域において開口部を設けて、その上にスピーカ 3を配置することにより 、所定の 3軸加速度センサチップ 2の可動部の真上力 テスト音波を出力することが できる。
[0038] 図 5はこの発明の一実施形態における微小構造体の検査装置の一例のテスタのブ ロック図である。図 5において、テスタ 20は、スイッチング回路 30を介してプローブ力 ード 4に接続されているとともにプローノ Oにも接続されている。スイッチング回路 30 は、テスタ 20と、プローブ針 6との間の接続態様を切換える。
[0039] テスタ 20は、特性評価手段および制御手段として作動するコントローラ 21と、音波 信号出力手段として作動するファンクションジェネレータ 22と、スピーカ 3を電気的に 駆動する増幅手段として作動するパワーアンプ 23と、各種測定値を測定する測定手 段および直流電圧検査手段として作動するデバイス測定器 24と、抵抗値測定手段と して作動する抵抗測定器 25と、パルス発生器 26と、電源回路 27, 28と、入力部 31と 、表示部 32と、記憶手段として作動するメモリ 33とを含む。
[0040] コントローラ 21はテスタ 20の全体の動作を制御するものであり、コンピュータにより 構成されている。また、コントローラ 21にはプローノ Oが接続されている。プローバ 4 0は、図 4に示したチャック 8と、 Zステージ 9と、 Xステージ 10と、 Yステージ 11とをそ れぞれ対応する軸方向へ移動させるための制御を行う。
[0041] ファンクションジェネレータ 22は、正弦波信号や複数の周波数信号としてのホワイト ノイズなどのテスト用の信号波形を発生する。ファンクションジェネレータ 22の出力は 、パワーアンプ 23に与えられて増幅され、プローブカード 4に搭載されているスピー 力 3に供給される。デバイス測定器 24は、例えば AZDコンバータなどにより構成され ており、プローブ針 6から与えられるホイートストンブリッジ回路の出力電圧値や消費 電流値やマイクロホン 7で検出したテスト音波などの出力値をデジタル信号に変換し てコントローラ 21に与える。抵抗測定器 25は、プローブカード 4から与えられる抵抗 値などを測定してコントローラ 21に出力する。
[0042] スイッチング回路 30は、ノ ルス発生器 26から与えられるパルス信号に応じて導通し 、電源回路 27から出力される 3Vの電圧、または電源回路 28から出力される 5Vの電 圧を切換えてプローブカード 4に供給する。また、スイッチング回路 30は、パルス発 生器 26から与えられるパルス信号に応じて導通し、プローブカード 4に含まれて 、る ホイートストンブリッジ回路から出力される出力電圧値や消費電流値や、マイクロホン 7で検出したテスト音波をデバイス測定器 24に出力する。さらに、スイッチング回路 3 0は、パルス発生器 26から与えられるパルス信号に応じて導通し、プローブ針 6と電 極パッド PDとの間の抵抗値を抵抗測定器 25に出力する。 [0043] 電源回路 27は 3軸加速度センサチップ 2を電気的に動作させるために、例えば 3V の電圧を、スイッチング回路 30を介して、プローブカード 4に供給する。電源回路 28 はフリツティングに必要な例えば 5Vの電圧をスイッチング回路 30を介して、プローブ カード 4に供給する。入力部 31は検査に必要な情報を入力し、表示部 32は検査結 果を表示する。
[0044] メモリ 33は検査結果などを記憶するとともに、テスト音波の複数の周波数もしくは音 波信号と微小構造体 2の動きを示す電圧値との関係をテーブルとして記憶している。 コントローラ 21は、テスト音波を与えたときに対応する電圧値をメモリ 33のテーブルか ら読み出して、微小構造体 2が対応する電圧値を出力しているかを評価する。すなわ ち、コントローラ 21は、微小構造体 2の動きのデータテーブルと、デバイス測定器 24 および抵抗測定器 25から出力される測定値とをデータとして微小構造体の特性を評 価する。
[0045] 図 6はこの発明の一実施形態における微小構造体の検査装置の動作を説明する ためのフローチャートである。検査装置は、このフローチャートに基づくプログラムを 実行することにより、微小構造体の検査を行う。
[0046] 次に、図 6を参照して、この発明の一実施形態における微小構造体の検査装置の 概略の動作について説明する。なお、図 6に示す主要な処理工程については、図 7 〜図 11に示すフローチャートを参照して後で詳細に説明する。
[0047] まず、オペレータはウェハ 1を図 4に示したチャック 8上に載置する。コントローラ 21 は、ステップ(図示では SPと略称する) SP1において、ウェハ 1がロードされたことを判 別すると、ステップ SP2において、駆動信号を出力し、プローブ基板 5のプローブ針 6 を測定チップの電極パッド PD上に移動させる。すなわち、図 4で説明したホイートスト ンブリッジ回路の出力電圧をテスタ 20で測定することを可能にするために、プローブ 針 6が電極パッド PDに対向するように テージ 10と、 Yステージ 11とにより X軸方 向と Y軸方向とを位置決めする。
[0048] ステップ SP3において、チャック高さ制御を行う。チャック高さ制御では、 1対のプロ ーブ針 6間の電気的抵抗値が変化するのを検出することによって、針が電極パッド P Dに接触したことを検知し、その点から一定の高さ分 (以下、オーバードライブ量と称 する。)だけプローブ針 6を電極パッド PDに押付ける。特に、 MEMSのようにウェハ 1 に立体構造を形成する加工では、ウェハ 1の表面を完全な平面に保つことは困難で ある。ウェハ 1のわずかな反りなどにより、 3軸加速度センサチップ 2ごとに、高さのば らつきが例えば数十/ z m生じており、高さが異なっている。
[0049] そこで、 1対のプローブ針 6の先端が電極パッド PDに接触したことを検知し、一定の オーバードライブ量で 1対のプローブ針 6を電極パッド PDに押付けてチャック高さ制 御を行う。これによつて、 3軸加速度センサチップ 2ごとに高さが異なっていても、 1対 のプローブ針 6を電極パッド PDに押付けるときの針圧を一定にする。
[0050] なお、 1対のプローブ針 6は、同一の電極パッド PDに対して、垂直な方向から接触 させるのが好ましい。斜め方向から接触させた場合には、針圧の影響が X軸および Y 軸に現れる可能性がある力 である。
[0051] また、 1対のプローブ針 6の先端が電極パッド PDに接触した力否かの検知は、抵抗 値を測定する以外に、例えば、レーザ計測によってプローブ針 6と、電極パッド PDと の間の距離を測定したり、プローブ針 6の先端と電極パッド PDとの画像力も形状を抽 出して接触状態を測定するようにしてもよい。プローブ針 6の先端が電極パッド PDに 接触したことを検知し、その点から一定のオーバードライブ量だけプローブ針 6を電 極パッド PD方向に移動することにより、針圧は一定の小さい値に保たれる。プローブ 針 6と電極パッド PDの接触抵抗を小さくし、かつプローブ針 6の針圧による応力を無 視できる程度に抑えるように、オーバードライブ量は、予め適切な値に定められてい る。
[0052] なお、ウェハ 1の全ての 3軸加速度センサチップ 2を順次測定していくごとに、測定 前にプローブ針 6を接触させてから予め定められたオーバードライブ量だけ変位させ る。それによつて、 3軸加速度センサチップ 2に与える影響を最小にして、 3軸加速度 センサチップ 2ごとに同じ条件で検査を行うことができる。
[0053] 次に、ステップ SP4において、フリツティング現象に基づくフリツティング制御を行う。
ここでフリツティング現象とは、金属(この実施形態では電極パッド PD)の表面に形成 された酸ィ匕膜に印加される電位傾度が 105〜106V/cm程度になると、酸ィ匕膜の厚 さや金属の組成の不均一性により電流が流れて酸化膜が破壊される現象を ヽぅ。フリ ッティング制御を行うために、 1対のプローブ針 6の先端を同一の電極パッド PDに接 触させた状態で電源回路 28から 1対のプローブ針 6の一方に電圧を印加する。そし て、電圧を徐々に上昇させると、 1対のプローブ針 6に印加される電圧差に基づくフリ ッティング現象により、電極パッドの中の 1対のプローブ針 6の間の酸ィ匕膜を破って電 流が流れる。これにより、プローブ針 6と電極パッド PDとの間で電気的に導通する。 なお、フリツティング制御は、各 1対のプローブ針 6ごとに行われる。
[0054] ステップ SP5において、フリツティングが正常に行われた力否かを判別する。すなわ ち、スイッチング回路 30により 1対のプローブ針 6の接続を電源回路 28から抵抗測定 器 25の入力側に切換える。これにより、プローブ針 6と電極パッド PDとの間の接触抵 抗値が抵抗測定器 25で測定されてコントローラ 21に与えられる。コントローラ 21は、 その接触抵抗値を判断することで、フリツティングが正常に行われたカゝ否かを判別す る。もし、フリツティングが正常に行われていないことを判別したときには、ステップ SP 6において、 Zステージ 9を駆動して、ウェハ 1を下降させる。そして、ステップ SP3〜S P5の処理を繰り返す。
[0055] フリツティングが正常に行われていれば、ステップ SP7において、パルス発生器 26 力もパルス信号を出力してスイッチング回路 30を切換える。この切換により、電極パ ッド PD力も電圧が取出されてデバイス測定器 24に与えられ、コントローラ 21はデバ イス測定器 24の出力に基づいて、 DC電圧のテストを行う。この DC電圧のテストは、 X, Υ, Z軸のそれぞれに対応するホイートストンブリッジ回路の出力電圧 Voutが所 定の電圧になっているかの判別である。
[0056] ステップ SP8において、コントローラ 21は、 DCテストが正常に行われたか否かを判 別する。正常に行われな力つたことを判別したときには、ステップ SP9において、 n回 目の DCテストを行ったカゝ否かを判別する。 n回目以下であれば、再度ステップ SP8 において DCテストを行う。 DCテストを n回行ったときには、ステップ SP10において、 DCテストの結果をメモリ 33にセーブした後、ステップ SP14に進む。このときは測定 チップが不良であるので加振テストを行わな!/、。
[0057] ステップ SP8において、 DCテストが正常に行われたことを判別したときには、ステツ プ SP11において加振テストを行う。加振テストは、ファンクションジェネレータ 22から 正弦波信号あるいはホワイトノイズ信号を発生させることによって行われる。そして、 パワーアンプ 23で正弦波信号あるいはホワイトノイズ信号を増幅し、プローブカード 4 に搭載されているスピーカ 3に出力する。スピーカ 3から所定の音圧のテスト音波を発 生し、測定チップの可動部を振動させる。コントローラ 21は、このテスト音波の複数の 周波数もしくは音波信号と、各テスト音波による可動部の動きとの関係を予めメモリ 3 3のテーブルに記憶しているので、テスト音波を可動部に与えたときに対応する動き を測定する。
[0058] 具体的には、この動きに基づいて変化するピエゾ抵抗素子の抵抗値の変化につい て、プローブ針 6を介して与えられる電圧に基づいて特性を測定する。例えば、テスト 音波の音圧の変化に応答して、測定チップの抵抗値が線形に変化している力などに より特性を測定する。印加される加速度とホイートストンブリッジ回路の出力電圧とは 、ほぼ線形の関係にあるので、線形に変化しているかを判別することで測定チップの 良否を判定できる。また、正弦波信号をスイープしてテスト音波を発生させれば、共 振周波数やその共振周波数における振幅を測定することができる。
[0059] このとき、マイクロホン 7によりスピーカ 3から測定チップに対して与えられるテスト音 波を検出する。その検出信号をデバイス測定器 24でデジタル信号に変換してコント ローラ 21に与え、所定のテスト音波が測定チップの可動部に到達しているかを判断 する。
[0060] ステップ SP11において、加振テストが正常に行われな力つたことを判別したときに は、ステップ SP12において、 n回目の加振テストであるかを判別する。 n回目以下で あれば、ステップ SP11において、再度加振テストを行う。 n回行ったことを判別したと きには、ステップ SP13において、直線性や X, Υ, Zの各軸における共振周波数と、 その共振周波数における振幅などのデータをメモリ 33にセーブする。
[0061] 加振テストが終了すると、ステップ SP14において、パルス発生器 26の出力をオフ にし、ステップ SP15において、ウェハ 1を下降させる。そして、ステップ SP16におい て測定チップがある力否かを判別する。測定チップがあることを判別すれば、ステツ プ SP2において、プローブ針 6を次の測定チップの位置に対応するように、 Xステー ジ 10と Yステージ 11とを移動させる。 [0062] ステップ SP 16において、次にテストすべき測定チップのないことを判別したときに は、オペレータはチャック 8から測定チップを取り出す。ステップ SP17においてウェハ 1がアンロードされたことを判別すると、ステップ SP 18において、測定温度の変更が ある力否かを判別する。温度変更がなければ、一連の処理を終了し、温度変更があ ればステップ SP19でチャック 8の温度を変更して、ステップ SP2に進み、以下、上述 の説明と同様の処理を行う。
[0063] ステップ SP1〜SP19の処理の結果、得られた測定値のデータは、コントローラ 21 に出力される。コントローラ 21は、測定値のデータに基づいて、微小構造体 2の特性 を評価する。
[0064] 図 7は、図 6のステップ SP3に示したチャック高さ制御の詳細を示すフローチャート である。チャック高さ制御では、ステップ SP31において、パルス発生器 26からのパル ス信号によりスイッチング回路 30を切換えて、プローブ針 6をテスタ 20の抵抗測定器 25の入力に接続する。ステップ SP32において、 1対のプローブ針 6の間の抵抗値を 抵抗測定器 25により測定し、測定した抵抗値をコントローラ 21に出力する。
[0065] コントローラ 21は、ステップ SP33において、抵抗値が第 2の値である所定値以下で あるカゝ否かを判別し、所定値以下であれば、プローブ針 6と電極パッド PDとの接触が 良好であると判断する。ステップ SP34において、 Zステージ 9を所定の高さだけ上昇 させてプローブ針 6を電極パッド PDに差込む。
[0066] ステップ SP33にお 、て、抵抗値が所定値以下でな 、ことを判別したときには、プロ ーブ針 6と電極パッド PDとの接触が良好でないと判別し、ステップ SP35において、 Z ステージ 9を上昇させてチャック 8の高さ調整を行う。このチャック高さ制御を行うこと により、ウェハ 1の反りなどにより、 3軸加速度センサチップ 2に高さのばらつきがあつ てもプローブ針 6と電極パッド PDとの接触状態を良好にすることができる。
[0067] 図 8は、図 6に示したステップ SP5のフリツティングが正常であるかの詳細を示すフロ 一チャートである。ステップ SP61において、電極パッド nを選択し、ステップ SP62に おいて、抵抗測定器 25で抵抗値を測定し、その抵抗値を示すデータをコントローラ 2 1に出力する。
[0068] ステップ SP63において、抵抗値が第 1の値である所定値より小さいか否かを判別し 、フリツティングが正常に行われた力否かを判別する。ステップ SP63において、抵抗 測定値が所定値以下でないことを判別したときには、ステップ SP64において、フリツ ティングが不良であると判別する。
[0069] 図 9は、図 6に示したステップ SP8の DCテスト正常かの判断処理のフローチャート を示す図である。コントローラ 21は、ステップ SP71において、デバイス測定器 24を介 して与えられる電圧を測定し、ステップ SP72において電流を測定する。ステップ SP7 3にお!/、て DC電圧が所定のしき!/、値電圧の範囲内に収まって!/、て適正であるか否 かを判別する。
[0070] ステップ SP74において、 X軸, Y軸, Z軸に対応するホイートストンブリッジ回路の 出力電圧 Voutのオフセット電圧を計測する。ステップ SP75において、オフセット電 圧が所定のしき 、値電圧の範囲内に収まって 、て適正である力否かを判別する。ォ フセット電圧が適正であれば、ステップ SP76において DCテストが正常であると判別 する。そして、ステップ SP77において、テスト結果の DC電圧をメモリ 33に記憶する。
[0071] ステップ SP73において、 DC電圧が所定のしきい値電圧の範囲外であると判別し たときあるいは、ステップ SP75において、オフセット電圧が所定のしきい値電圧の範 囲外であると判別したときには、ステップ SP78において、 DCテスト不良であると判別 する。そして、ステップ SP77において、 DCテスト不良であることをメモリ 33に記憶す る。 DCテスト不良と判定された測定チップはオペレータによって除去される。
[0072] 図 10は、図 6に示したステップ SP11の「加振テスト OK力」の判断処理のフローチヤ ートを示す図であり、図 11は、図 10に示した加振'測定シーケンスのフローチャート を示す図である。
[0073] 図 10に示す加振テストでは、ステップ SP80において加振'測定シーケンスが実行 される。この加振 ·測定シーケンスでは、図 11に示すステップ SP91においてファンク シヨンジェネレータ 22で設定されるべき波形の選択が行われる。波形としてホワイトノ ィズを選択したときには、ステップ SP92において、ファンクションジェネレータ 22でホ ワイトノイズ信号の AC振幅を設定する。ステップ SP93において、設定された AC振 幅でホワイトノイズ信号が出力される。ホワイトノイズ信号は、パワーアンプ 23で増幅 され、プローブカード 4に搭載されているスピーカ 3に出力される。 [0074] 増幅されたホワイトノイズ信号がスピーカ 3に与えられても直ぐに音波は安定して出 力されない。そこで、スピーカ 3からホワイトノイズ信号に基づく音波が安定して出力さ れるまで、ステップ SP94において所定の時間だけ待機する。その後、スピーカ 3から 出力されるホワイトノイズ信号の音波に基づいて、測定チップの可動部が振動し、ホ ィートストンブリッジ回路の出力が変化する。コントローラ 21は、ステップ SP95におい て、ホイートストンブリッジ回路の出力変化に基づいて、 FFT(Fast Fourer Trans form:高速フーリエ変換)により X軸, Y軸, Z軸のそれぞれの出力値の計測を行う。
[0075] FFTで計測することで、出力信号の中にどの周波数成分がどれだけ含まれている かを抽出することができる。そして、ステップ SP96において、 FFT結果から尖頭値周 波数と振幅とが測定される。ステップ SP97においてホワイトノイズの出力が停止され る。ホワイトノイズは、全周波数帯域にわたって、一様な大きさの成分を持つ雑音信 号であるので、ホワイトノイズに基づくテスト音波で加振テストを行うことで、全周波数 帯域における加振テストが行える。
[0076] ステップ SP91において、波形として正弦波信号を選択したときには、ステップ SP9 8において、ファンクションジヱネレータ 22で正弦波信号の周波数と振幅とを設定す る。ステップ SP99において、ファンクションジェネレータ 22から正弦波信号を出力す る。正弦波信号は、パワーアンプ 23で増幅され、プローブカード 4に搭載されている スピーカ 3に出力される。
[0077] 増幅された正弦波信号力スピーカ 3に与えられても直ぐに音波は安定して出力され ないので、スピーカ 3から正弦波信号に基づく音波が安定して出力されるまで、ステツ プ SP100において、所定の時間だけ待機する。ステップ SP101において、正弦波 信号の音波に基づく測定チップの可動部の振動により現れるホイートストンブリッジ回 路の出力変化に基づいて、 X軸, Y軸, Z軸の出力の変化力FFTで計測される。そし て、ステップ SP102において、 FFT結果力も尖頭値周波数と振幅とが測定される。ス テツプ SP103において、正弦波信号の出力を停止するか否かを選択し、正弦波信 号の出力を停止することを選択したときには、ステップ SP104において、周波数特性 力も尖頭値,周波数,振幅を検出し、ステップ SP97において、ファンクションジエネレ ータ 22による正弦波信号の出力を停止する。 [0078] ステップ SP103において、正弦波信号の出力を停止しないことを判別したときには 、ステップ SP105において、正弦波信号の周波数を + α Ηζし、ステップ SP99に戻 り、その正弦波信号を出力する。ステップ SP99〜SP105の処理を繰返すことで、正 弦波信号の周波数をスイープさせながら加振テストを行うことができる。
[0079] 正弦波信号を音波信号として用いると、音圧を一定にして周波数をスイープさせる ことで得られる出力電圧の特性カゝら共振周波数を特定することが可能になる。この共 振周波数が所望の周波数であるかを判定することも可能になる。すなわち、 3軸加速 度センサチップ 2の可動部が共振することにより、可動部は最大の変位量になる。こ の最大の変位量から共振周波数を特定して、所定の共振周波数が得られるカゝ否か を判定することで、測定チップが不良であるかを判別できる。
[0080] 図 10に示したステップ SP80における加振 ·測定シーケンスを行った後、ステップ S P81において加振テストの判定処理を行う。この判定は、 X軸の尖頭値周波数が X, Y, Z軸のしきい値の最小値および最大値の範囲内に入っているかなどを判別するこ とによって行われる。ステップ SP82において、加振テストが正常に行われたことを判 別したときには、ステップ SP83でその結果をメモリ 33に記憶する。加振テストが正常 に行われな力つたときには、ステップ SP84において、不良と判定し、加振テストが不 良であることをメモリ 33に記憶する。加振テストが不良と判定された測定チップは、ォ ペレータによって除去される。
[0081] なお、上述の説明では、 3軸加速度センサチップ 2のビーム BMにピエゾ抵抗素子 を設けた例について説明したが、これに限ることなぐ容量素子やリアクタンス素子な どのインピーダンス値の変化若しくはインピーダンス値の変化に基づく電圧,電流, 周波数,位相差および遅延時間などの変化を検出し、特性を判定するようにしてもよ い。
[0082] また、上述の説明では、音波出力手段としてスピーカ 3を用いた例について説明し た力 これに限ることなく、 3軸加速度センサチップ 2の可動部を動かすことが可能な 他の可動手段を用いてもょ 、。
[0083] さらに、上述の説明では、この発明を 3軸加速度センサチップ 2の特性を検査する 場合について説明した力 これに限ることなぐその他の MEMSデバイスの微小構 造体の可動部に対して、テストを行う場合にもこの発明を適用できる。
[0084] 以上、図面を参照してこの発明の実施形態を説明した力 この発明は、図示した実 施形態のものに限定されない。図示された実施形態に対して、この発明と同一の範 囲内において、あるいは均等の範囲内において、種々の修正や変形を加えることが 可能である。
産業上の利用可能性
[0085] この発明の微小構造体の検査装置および検査方法は、 3軸加速度センサなどの M EMSデバイスを検査するのに利用できる。

Claims

請求の範囲
[1] 可動部を有する微小構造体に対して、テスト音波を出力する音波発生手段を設け たプローブカードを用いて、前記微小構造体の特性を検査するための微小構造体の 検査装置であって、
前記音波発生手段からテスト音波を発生するための音波信号を出力する音波信号 出力手段と、
前記音波信号出力手段から出力された音波信号で前記音波発生手段を駆動する ための増幅手段と、
前記増幅手段から出力された音波信号に基づいて前記音波発生手段から発生さ れたテスト音波による前記微小構造体の可動部の動きに応じて出力される出力値を 測定する測定手段と、
前記測定手段によって測定された出力値に基づいて、前記微小構造体の特性を 評価する特性評価手段とを備える、微小構造体の検査装置。
[2] 前記微小構造体は、電極が設けられた基板上に形成されて!ヽて、
前記プローブカードは、前記微小構造体の同一の電極に接続される少なくとも 1対 のプローブ針を含み、
前記少なくとも 1対のプローブ針を前記同一の電極に接触させたときの前記少なく とも 1対のプローブ針間の抵抗値を測定する抵抗値測定手段と、
前記プローブカードに電圧を供給するための電源と、
前記少なくとも 1対のプローブ針を前記同一の電極に接触させた状態で前記電源 力 前記少なくとも 1対のプローブ針に電圧を印加し、前記抵抗値測定手段によって 測定された抵抗値が予め定める第 1の値以下になるまで前記電圧を上昇させて、前 記少なくとも 1対のプローブ針間の導通を制御する制御手段とを含む、請求項 1に記 載の微小構造体の検査装置。
[3] 前記微小構造体を上下させるためのステージを含み、
前記制御手段は、前記抵抗値測定手段によって測定された抵抗値が予め定める 第 2の値以下であることに応じて、前記ステージを制御して前記少なくとも 1対のプロ 一ブ針を前記電極に差込む、請求項 2に記載の微小構造体の検査装置。
[4] 前記テスト音波の複数の周波数もしくは音波信号と前記出力値との関係をテープ ルとして予め記憶する記憶手段を含み、
前記特性評価手段は、前記テスト音波を与えたときに対応する出力値を前記記憶 手段のテーブルから読み出して、前記微小構造体が対応する出力値を出力している かを評価する、請求項 1に記載の微小構造体の検査装置。
[5] 前記微小構造体は、
少なくとも 2つ以上の動きを有する可動部と、
前記少なくとも 2つ以上の動きを検出する検出回路とを含み、
前記プローブ針を介して前記微小構造体の電極に直流電圧を印加したときに、前 記検出回路から出力される直流電圧を測定する直流電圧検査手段を含む、請求項 3に記載の微小構造体の検査装置。
[6] 前記音波信号出力手段は、前記音波信号として 1つの正弦波信号または複数の周 波数信号を発生する、請求項 1に記載の微小構造体の検査装置。
[7] 前記複数の周波数信号は、ホワイトノイズ信号である、請求項 6に記載の微小構造 体の検査装置。
[8] 可動部を有する微小構造体に対して、テスト音波を出力する音波発生手段を設け たプローブカードを用いて、前記微小構造体の特性を検査するための微小構造体の 検査方法であって、
前記音波発生手段力 テスト音波を発生するための音波信号を出力する工程と、 前記出力した音波信号を増幅して前記音波発生手段を駆動する工程と、 前記音波信号に基づいて前記音波発生手段から発生されたテスト音波による前記 微小構造体の可動部の動きに応じて出力される出力値を測定する工程と、
前記測定された出力値に基づ!ヽて、前記微小構造体の特性を評価する工程とを備 える、微小構造体の検査方法。
[9] 前記微小構造体は、電極が設けられた基板上に形成されて!ヽて、
前記プローブカードは、前記微小構造体の同一の電極に接続される少なくとも 1対 のプローブ針を含み、
前記少なくとも 1対のプローブ針を前記同一の電極に接触させた状態で前記少なく とも 1対のプローブ針に電圧を印加し、前記測定された抵抗値が予め定める第 1の値 以下になるまで前記電圧を上昇させて、前記少なくとも 1対のプローブ針間の導通を 制御する工程を含む、請求項 8に記載の微小構造体の検査装置。
[10] 前記少なくとも 1対のプローブ針を前記同一の電極に接触させたときの前記少なく とも 1対のプローブ針間の抵抗値を測定する工程と、
前記測定された抵抗値が予め定める第 2の値以下であることに応じて、前記少なく とも 1対のプローブ針を前記電極に差込む工程とを含む、請求項 9に記載の微小構 造体の検査方法。
[11] 可動部を有する微小構造体に対して、テスト音波を出力する音波発生手段を設け たプローブカードを用いて、コンピュータで前記微小構造体の特性を検査するための 微小構造体の検査プログラムであって、
前記音波発生手段力 テスト音波を発生するための音波信号を出力するステップと 前記出力した音波信号を増幅して前記音波発生手段を駆動するステップと、 前記音波信号に基づいて前記音波発生手段から発生されたテスト音波による前記 微小構造体の可動部の動きに応じて出力される出力値を測定するステップと、 前記測定された出力値に基づ!、て、前記微小構造体の特性を評価するステップと を備える、微小構造体の検査プログラム。
PCT/JP2006/315610 2005-08-11 2006-08-07 微小構造体の検査装置,検査方法および検査プログラム WO2007018186A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007529578A JPWO2007018186A1 (ja) 2005-08-11 2006-08-07 微小構造体の検査装置,検査方法および検査プログラム

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005233510 2005-08-11
JP2005-233510 2005-08-11

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2007018186A1 true WO2007018186A1 (ja) 2007-02-15

Family

ID=37727369

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2006/315610 WO2007018186A1 (ja) 2005-08-11 2006-08-07 微小構造体の検査装置,検査方法および検査プログラム

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JPWO2007018186A1 (ja)
TW (1) TW200722756A (ja)
WO (1) WO2007018186A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009139172A (ja) * 2007-12-05 2009-06-25 Tokyo Electron Ltd 微小構造体の変位量検出装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103018651B (zh) * 2012-12-06 2014-09-03 中国电子科技集团公司第十三研究所 用于mems器件的在片测试***及其测试方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0267956A (ja) * 1988-09-02 1990-03-07 Oki Electric Ind Co Ltd 電子部品のリード・オープン不良検出装置
JPH0534371A (ja) * 1991-07-31 1993-02-09 Tokai Rika Co Ltd 半導体加速度センサの感度測定装置
JPH0541421A (ja) * 1990-08-06 1993-02-19 Tokyo Electron Ltd 電気回路測定用探針の接触検知装置及びこの接触検知装置を用いた電気回路測定装置
JPH06313785A (ja) * 1993-04-28 1994-11-08 Hioki Ee Corp 振動による実装部品の半田付け不良検出方法並びに加振装置及び加振、測定プローブユニット
JPH0933567A (ja) * 1995-07-21 1997-02-07 Akebono Brake Ind Co Ltd 半導体加速度センサのセンサチップ検査方法及び検査装置
JPH11133075A (ja) * 1997-10-29 1999-05-21 Nec Kyushu Ltd 電気的特性測定装置及び測定方法
JP2002139542A (ja) * 2000-08-21 2002-05-17 Tokyo Electron Ltd 検査方法及び検査装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5251469A (en) * 1991-04-29 1993-10-12 Rockwell International Corporation Calibration system
JPH08330368A (ja) * 1995-05-31 1996-12-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体回路装置群及びそのプローブ試験方法
JPH08327690A (ja) * 1995-05-31 1996-12-13 Nec Yamagata Ltd 半導体ウエハ検査装置および半導体ウエハ検査方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0267956A (ja) * 1988-09-02 1990-03-07 Oki Electric Ind Co Ltd 電子部品のリード・オープン不良検出装置
JPH0541421A (ja) * 1990-08-06 1993-02-19 Tokyo Electron Ltd 電気回路測定用探針の接触検知装置及びこの接触検知装置を用いた電気回路測定装置
JPH0534371A (ja) * 1991-07-31 1993-02-09 Tokai Rika Co Ltd 半導体加速度センサの感度測定装置
JPH06313785A (ja) * 1993-04-28 1994-11-08 Hioki Ee Corp 振動による実装部品の半田付け不良検出方法並びに加振装置及び加振、測定プローブユニット
JPH0933567A (ja) * 1995-07-21 1997-02-07 Akebono Brake Ind Co Ltd 半導体加速度センサのセンサチップ検査方法及び検査装置
JPH11133075A (ja) * 1997-10-29 1999-05-21 Nec Kyushu Ltd 電気的特性測定装置及び測定方法
JP2002139542A (ja) * 2000-08-21 2002-05-17 Tokyo Electron Ltd 検査方法及び検査装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009139172A (ja) * 2007-12-05 2009-06-25 Tokyo Electron Ltd 微小構造体の変位量検出装置

Also Published As

Publication number Publication date
TWI293367B (ja) 2008-02-11
JPWO2007018186A1 (ja) 2009-02-19
TW200722756A (en) 2007-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101011491B1 (ko) 미소 구조체의 검사 장치, 미소 구조체의 검사 방법 및 기판 유지 장치
JP4387987B2 (ja) 微小構造体の検査装置、微小構造体の検査方法および微小構造体の検査プログラム
JP4573794B2 (ja) プローブカードおよび微小構造体の検査装置
JPWO2006106876A1 (ja) 微小構造体のプローブカード、微小構造体の検査装置、検査方法およびコンピュータプログラム
KR101019080B1 (ko) 미소 구조체의 검사 장치 및 미소 구조체의 검사 방법
KR20070062979A (ko) 미소 구조체의 검사 장치 및 미소 구조체의 검사 방법
TWI300844B (ja)
WO2007018186A1 (ja) 微小構造体の検査装置,検査方法および検査プログラム
US20080223136A1 (en) Minute structure inspection device, inspection method, and inspection program
JP4856426B2 (ja) 微小構造体の検査装置、及び微小構造体の検査方法
KR101013594B1 (ko) 프로브 카드 및 미소 구조체의 검사 장치
JP4712474B2 (ja) 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体装置の製造方法プログラムおよび半導体製造装置
JP4822846B2 (ja) 微小構造体の検査装置、微小構造体の検査方法および微小構造体の検査プログラム
JP2010048597A (ja) 微小構造体の検査装置および微小構造体の検査方法
JP2006284553A (ja) 微小構造体の検査装置、微小構造体の検査方法および微小構造体の検査プログラム
JP2010048598A (ja) 微小構造体の検査装置および微小構造体の検査方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2007529578

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 06782452

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1