JP3189821U - Treatment liquid supply piping circuit - Google Patents

Abstract

【課題】貯留機構を使って処理液供給配管回路内に滞留する処理液中の溶存気体の脱気処理の機会を増やすと共に、フィルタのフィルトレーション回数を増やすことによってトラップ液中異物を濾材でトラップさせてクリーン度を向上させることを連続的に行える処理液供給配管回路を提供する。【解決手段】液処理装置において、液供給部から供給配管７２を通じて供給される処理液を一旦貯留する中間タンク７４と、中間タンクの上方に接続され内部の処理液を減圧して脱気させるための排気配管と、中間タンクの出口側から処理液を吸液し吐出動作を連続させる送液ポンプと、送液ポンプの吐出側となる送液ポンプ二次側配管と液供給ノズルとの間の配管に設けられ液供給ノズル側に向かう処理液の流れの開閉を行なう開閉バルブと、開閉バルブの一次側の配管から分岐されて中間タンクに連通して処理液を循環する循環配管１１６と、循環配管の処理液の流れを開閉する循環バルブ１１７とを備える。【選択図】図１PROBLEM TO BE SOLVED: To increase the chance of degassing of a dissolved gas in a processing liquid staying in a processing liquid supply piping circuit by using a storage mechanism, and to increase the number of times of filtration of a filter to remove foreign substances in the trap liquid with a filter medium. Provided is a processing liquid supply piping circuit that can continuously improve the cleanliness by trapping. SOLUTION: In a liquid treatment apparatus, an intermediate tank 74 for temporarily storing a treatment liquid supplied from a liquid supply unit through a supply pipe 72 and an intermediate tank 74 connected above the intermediate tank to depressurize and degas the internal treatment liquid. Between the exhaust pipe of the above, the liquid feed pump that sucks the treated liquid from the outlet side of the intermediate tank and continues the discharge operation, and the secondary side pipe of the liquid feed pump that is the discharge side of the liquid feed pump and the liquid supply nozzle. Circulation with an on-off valve provided in the pipe that opens and closes the flow of the processing liquid toward the liquid supply nozzle side, and a circulation pipe 116 that is branched from the pipe on the primary side of the on-off valve and communicates with the intermediate tank to circulate the treatment liquid. It is provided with a circulation valve 117 that opens and closes the flow of the processing liquid in the pipe. [Selection diagram] Fig. 1

Description

この考案は、例えば半導体ウエハやＦＰＤ（フラットパネルディスプレー）基板等の製造プロセスにおいて、現像液等の処理液を供給する処理液供給配管回路に関するものである。   The present invention relates to a processing liquid supply piping circuit that supplies a processing liquid such as a developing solution in a manufacturing process of, for example, a semiconductor wafer or an FPD (flat panel display) substrate.

一般に、半導体デバイスの製造においては、例えば半導体ウエハやＦＰＤ基板等（以下にウエハ等という）にレジスト液を塗布し、マスクパターンを露光処理して回路パターンを形成させるために、フォトリソグラフィ技術が利用されている。このフォトリソグラフィ技術においては、スピンコーティング法によりウエハ等にレジスト液を塗布し、これにより形成されたレジスト膜を所定の回路パターンに応じて露光し、この露光パターンを現像処理することによりレジスト膜に回路パターンが形成されている。   Generally, in the manufacture of semiconductor devices, for example, a photolithography technique is used to form a circuit pattern by applying a resist solution to a semiconductor wafer, an FPD substrate or the like (hereinafter referred to as a wafer) and exposing the mask pattern. Has been. In this photolithography technique, a resist solution is applied to a wafer or the like by a spin coating method, the resist film formed thereby is exposed according to a predetermined circuit pattern, and this exposure pattern is developed to form a resist film. A circuit pattern is formed.

このようなフォトリソグラフィ工程においては、一般にレジストの塗布・現像を行う塗布・現像装置に、露光装置を接続した塗布・現像処理システムが用いられている。この塗布・現像処理システムにおいては、現像液やシンナー等の処理液を、このシステムに配設された各処理ユニット、例えばレジスト塗布処理ユニット、現像処理ユニット等に供給する必要がある。   In such a photolithography process, generally, a coating / development processing system in which an exposure apparatus is connected to a coating / developing apparatus that performs resist coating / development is used. In this coating / development processing system, it is necessary to supply a processing solution such as a developing solution or thinner to each processing unit provided in the system, for example, a resist coating processing unit, a development processing unit, or the like.

従来のこの種の処理液供給配管回路として、プロセス処理を行う処理液を処理ユニットに供給するために、処理液供給源から供給された処理液を一旦貯留すると同時に、処理液内に溶存しているガスを発泡させて排出することにより脱気を行っている（例えば、特許文献１参照）。また、この種の処理液供給配管回路においては、供給圧力を得るためにベローズ式ポンプやダイアフラム式ポンプで加圧し供給ノズルまで圧送している。   As a conventional processing liquid supply piping circuit of this type, in order to supply the processing liquid to be processed to the processing unit, the processing liquid supplied from the processing liquid supply source is temporarily stored and simultaneously dissolved in the processing liquid. Degassing is performed by bubbling and discharging the gas that is present (see, for example, Patent Document 1). Further, in this type of processing liquid supply piping circuit, in order to obtain a supply pressure, the pressure is increased by a bellows pump or a diaphragm pump and is pumped to a supply nozzle.

特開２０００−１１４１５４号公報（特許請求の範囲、図６）JP 2000-114154 A (Claims, FIG. 6)

従来の処理液供給配管回路においては、貯留機構の貯留容器内の処理液や配管中の処理液の脱気が不十分でフィルタ内で発泡したり、基板上に処理液を吐出したときに発泡したりすることで、吐出量の精度不良やフィルタの機能の低下が懸念される。例えば、処理液の発泡がフィルタの濾過前であればフィルタ濾材にトラップされて目詰まりを起こし、濾材通過後であれば供給ノズルまで流れてしまい塗布不良の原因となることが懸念される。   In the conventional processing liquid supply piping circuit, the processing liquid in the storage container of the storage mechanism and the processing liquid in the piping are insufficiently degassed and foamed in the filter, or foamed when the processing liquid is discharged onto the substrate. As a result, there is a concern that the accuracy of the discharge amount is poor and the function of the filter is lowered. For example, if the treatment liquid foams before being filtered by the filter, it is trapped by the filter medium, causing clogging, and if it passes through the filter medium, it may flow to the supply nozzle and cause application failure.

また、従来の処理液供給配管回路においては、一旦貯留機構に貯留され、貯留機構から吐出される処理液は、処理ユニットに供給される間にフィルタによって処理液中の異物が除去されるが、フィルタは１回の通過であるため、経時変化した処理液中の変成した異物が通過してしまう恐れもある。この様な異物が吐出されてしまう場合にはパターンの微細化の処理に悪影響を及ぼす懸念がある。 In the conventional processing liquid supply piping circuit, the processing liquid temporarily stored in the storage mechanism and discharged from the storage mechanism is removed by the filter while the foreign matter in the processing liquid is supplied to the processing unit. Since the filter is passed once, there is a possibility that the denatured foreign matter in the processing solution that has changed over time may pass through. If such foreign matter is ejected, there is a concern that it may adversely affect the pattern miniaturization process.

この考案は、上記事情に鑑みてなされたもので、貯留機構を使って処理液供給配管回路内に滞留する処理液中の溶存気体の脱気処理の機会を増やすと共に、フィルタのフィルトレーション回数を増やすことによってトラップ液中異物を濾材でトラップさせてクリーン度を向上させることを連続的に行なえる処理液供給配管回路を提供することを目的とする。   This device has been made in view of the above circumstances, and while increasing the chance of degassing the dissolved gas in the processing liquid staying in the processing liquid supply piping circuit using the storage mechanism, the number of filter filtrations It is an object of the present invention to provide a processing liquid supply piping circuit capable of continuously improving the cleanliness by trapping foreign matter in the trap liquid with a filter medium by increasing the amount of.

前記問題を解決するために、この考案の処理液供給配管回路は、基板の表面に液供給ノズルから処理液を供給して処理を施すための液処理装置に設けられ、前記液供給ノズルと前記処理液の液供給部との間に構成される処理液供給配管回路において、液供給部から供給配管を通じて供給される処理液を一旦貯留する中間タンクと、前記中間タンクの上方に接続され内部の前記処理液を減圧して脱気させるための排気配管と、前記中間タンクの出口側から前記処理液を吸液し吐出動作を連続させる送液ポンプと、前記送液ポンプの吐出側となる前記送液ポンプ二次側配管と前記液供給ノズルとの間の配管に設けられ、前記液供給ノズル側に向かう処理液の流れの開閉を行なう開閉バルブと、前記開閉バルブの一次側の配管から分岐されて前記中間タンクに連通して前記処理液を循環する循環配管と、前記循環配管の前記処理液の流れを開閉する循環バルブとを備えていることを特徴とする（請求項１）。この場合、前記送液ポンプは、マグネットポンプであることが好ましい（請求項２）   In order to solve the above problem, a processing liquid supply piping circuit of the present invention is provided in a liquid processing apparatus for supplying a processing liquid to a surface of a substrate from a liquid supply nozzle to perform processing, and the liquid supply nozzle and the In the processing liquid supply piping circuit configured between the processing liquid supply section and an intermediate tank that temporarily stores the processing liquid supplied from the liquid supply section through the supply pipe, and connected to the upper side of the intermediate tank An exhaust pipe for depressurizing and degassing the processing liquid, a liquid feeding pump for sucking the processing liquid from the outlet side of the intermediate tank and continuing the discharging operation, and the discharge side of the liquid feeding pump An open / close valve provided in a pipe between the liquid feed pump secondary side pipe and the liquid supply nozzle, and opens and closes the flow of the processing liquid toward the liquid supply nozzle, and branches from the primary side pipe of the open / close valve Being said inside Characterized in that it comprises a circulation pipe for circulating said treatment liquid in communication with the tank, and a circulation valve for opening and closing the flow of the processing liquid in the circulation pipe (claim 1). In this case, the liquid feeding pump is preferably a magnet pump.

この様に構成することにより、液供給部から供給される処理液は中間タンクに所定量が貯留されて脱気されるが、循環配管により送液ポンプから処理液を中間タンクに戻すことにより、中間タンクで脱気させる機会を増やすことができる。また、送液ポンプはマグネットポンプとすることで発塵させることなく連続使用できる。   By configuring in this way, a predetermined amount of the processing liquid supplied from the liquid supply unit is stored in the intermediate tank and deaerated, but by returning the processing liquid from the liquid feed pump to the intermediate tank through the circulation pipe, Opportunities for degassing in the intermediate tank can be increased. Moreover, the liquid feed pump can be used continuously without generating dust by using a magnet pump.

また、請求項１または請求項２の考案において、前記中間タンクと前記送液ポンプとの間の配管にフィルタが設けられていることを特徴とする（請求項３）。または、前記送液ポンプ二次側配管にフィルタを設けても良い（請求項４）。   In the device according to claim 1 or 2, a filter is provided in a pipe between the intermediate tank and the liquid feed pump (claim 3). Or you may provide a filter in the said liquid feed pump secondary side piping (Claim 4).

この様に構成することにより、送液ポンプを常時駆動させていても処理液はフィルタを通過して循環しているので濾材の通過回数も増やすことができる。   By configuring in this way, the processing liquid circulates through the filter even if the liquid feed pump is always driven, so that the number of times the filter medium passes can be increased.

また、請求項１ないし請求項４の考案において、前記循環配管に分岐する手前に前記処理液の流量を検知する流量計または圧力を検知する圧力計が設けられて、検出値が所定の設定を保つように前記送液ポンプの駆動部を制御する制御部を有することを特徴とする（請求項５）。   Further, in the invention of claim 1 to claim 4, a flow meter for detecting the flow rate of the processing liquid or a pressure gauge for detecting pressure is provided before branching to the circulation pipe, and the detection value is set to a predetermined value. It has a control part which controls the drive part of the liquid feed pump so that it may be kept (claim 5).

この様に構成することにより、循環させる処理液の液量もしくは送液圧力を送液ポンプの回転数を制御することで自在に調整することができる。   By comprising in this way, the liquid volume or liquid feeding pressure of the processing liquid to circulate can be freely adjusted by controlling the rotation speed of a liquid feeding pump.

また、前記循環バルブと中間タンクとの間には、中間タンクに処理液を流す流路と前記中間タンクを介さないで前記中間タンクの出口側の配管と接続されるバイパス流路とを切り換えるバイパスバルブが設けられていることを特徴とする（請求項６）。   Further, a bypass is provided between the circulation valve and the intermediate tank for switching between a flow path for flowing the processing liquid to the intermediate tank and a bypass flow path connected to the piping on the outlet side of the intermediate tank without passing through the intermediate tank. A valve is provided (claim 6).

この様に構成することにより、中間タンクに循環するレジスト液が入らないので中間タンクに新たにレジスト液の供給をするときに供給停止のタイミングを決める上限液面センサの誤検知を防止できる。   With this configuration, since the resist solution that circulates in the intermediate tank does not enter, it is possible to prevent erroneous detection of the upper limit liquid level sensor that determines the supply stop timing when the resist solution is newly supplied to the intermediate tank.

本考案によれば、処理液中に含まれる可能性のある溶存気体を効率的に除去可能であると共に吐出量を自在にコントロール出来る。また、異なる処理ユニットの同種処理液の供給元を共有することが出来る。   According to the present invention, dissolved gas that may be contained in the processing liquid can be efficiently removed and the discharge amount can be freely controlled. In addition, it is possible to share a supply source of the same kind of processing liquid of different processing units.

本考案の実施の形態に係わる塗布ユニットの処理液供給配管図を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the process liquid supply piping figure of the coating unit concerning embodiment of this invention. 本考案の実施の形態に係わる循環配管路の実施形態を示す回路図である。It is a circuit diagram showing an embodiment of a circulation piping way concerning an embodiment of the invention. 本考案の一部である循環回路の実施例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the Example of the circulation circuit which is a part of this invention. 本考案の実施で使用されるマグネットポンプの構造を説明する構成図である。It is a block diagram explaining the structure of the magnet pump used by implementation of this invention. 本考案の実施に係わる液処理装置の平面図である。It is a top view of the liquid processing apparatus concerning implementation of this invention. 本考案の実施に係わる液処理装置の正面図である。It is a front view of the liquid processing apparatus concerning implementation of this invention. 本考案の実施に係わる液処理装置の背面図である。It is a rear view of the liquid processing apparatus concerning implementation of this invention.

以下に、この考案の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１は、この考案に係る処理液供給配管回路の一例を示す概略図、図２と図３は、この考案における処理液供給配管回路の別の一例を示す概略図、図４は、本考案に用いる処理液を循環させるためのマグネットポンプについて構造を説明する構成図である。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. 1 is a schematic view showing an example of a processing liquid supply piping circuit according to the present invention, FIGS. 2 and 3 are schematic views showing another example of the processing liquid supply piping circuit according to the present invention, and FIG. It is a block diagram explaining a structure about the magnet pump for circulating the process liquid used for.

上記処理液供給配管回路は、図１に示すように、処理液供給源（液供給部）例えばレジスト液が入った液供給ボトル７１から処理液を供給する。この液供給ボトル７１からのレジスト液を経路の途中で一旦貯留する中間タンク７４を配設する。この液供給ボトル７１と中間タンク７４とを繋ぐ配管７２の途中にはレジスト液の流入の開閉を行なう中間タンク供給バルブ７３が設けられている。なお中間タンク７４の詳細および機能については別途後述する。   As shown in FIG. 1, the processing liquid supply piping circuit supplies a processing liquid from a processing liquid supply source (liquid supply unit) such as a liquid supply bottle 71 containing a resist liquid. An intermediate tank 74 for temporarily storing the resist solution from the solution supply bottle 71 in the middle of the path is provided. An intermediate tank supply valve 73 that opens and closes the inflow of the resist solution is provided in the middle of the pipe 72 that connects the liquid supply bottle 71 and the intermediate tank 74. Details and functions of the intermediate tank 74 will be described later.

中間タンク７４の底部側はフィルタ一次配管７７でフィルタ９８の一次側（上流側）と接続され、フィルタ９８の二次側（下流側）はフィルタ二次配管１１３を介してマグネットポンプ１１４の吸液側となる一次側の吸入口２０４に接続される。このフィルタ９８によりレジスト液中の異物が濾過されることになり、このフィルタ９８内で発泡して蓄積した気体を抜くためにフィルターベント配管７８が設けられており、定期的にフィルタベントバルブ７９を開けてエア抜きが行なわれる。   The bottom side of the intermediate tank 74 is connected to the primary side (upstream side) of the filter 98 by a filter primary pipe 77, and the secondary side (downstream side) of the filter 98 is absorbed by the magnet pump 114 via the filter secondary pipe 113. It is connected to the primary side inlet 204 which becomes the side. Foreign matter in the resist solution is filtered by the filter 98, and a filter vent pipe 78 is provided to remove the gas that has been foamed and accumulated in the filter 98, and the filter vent valve 79 is periodically opened. Open and bleed.

マグネットポンプ１１４の吐出側となる吐出口２０５に接続される先の経路として、ポンプ二次側配管９９が流量を計測するフローメータ１１９と接続され、このフローメータ１１９の手前にはディスペンス元バルブ１１８が設けられており、これより先へのレジスト液の流れを開閉するものである。   A pump secondary pipe 99 is connected to a flow meter 119 for measuring the flow rate as a path connected to the discharge port 205 on the discharge side of the magnet pump 114, and a dispense source valve 118 is disposed in front of the flow meter 119. Is provided to open and close the flow of the resist solution beyond this point.

上記ポンプ二次側配管９９とディスペンス元バルブ１１８との間には、他方に分岐するための分岐管部１１５があり、他方には中間タンク７４までレジスト液を戻す流路として循環させるための循環配管１１６が設けられる。この循環配管１１６の途中経路には循環の流れを開閉する循環バルブ１１７が設けられる。   Between the pump secondary side pipe 99 and the dispensing source valve 118, there is a branch pipe portion 115 for branching to the other side, and the other side is circulation for circulating as a flow path for returning the resist solution to the intermediate tank 74. A pipe 116 is provided. A circulation valve 117 that opens and closes the circulation flow is provided in the middle path of the circulation pipe 116.

次に、フローメータ１１９から先の経路について説明する。先ず、図１中のＸ−Ｙで示す一点鎖線は、図７で詳細を後述するが例えばレジスト塗布モユニット１０，１１のようにレジスト塗布ユニットが異なることを示すものである。この異なるレジスト塗布ユニット１０、１１１を塗布ユニットＡ、Ｂとして記載している。この塗布ユニットＡ，Ｂの夫々の液供給ノズル１３２ａ、１３２ｂはレジスト液の供給される供給元側が共用化されてフローメータ１１９の二次側に分岐点を有して接続をされている。   Next, the route ahead from the flow meter 119 will be described. First, an alternate long and short dash line indicated by XY in FIG. 1 indicates that the resist coating units are different as in the resist coating units 10 and 11, for example, as will be described in detail later with reference to FIG. The different resist coating units 10 and 111 are described as coating units A and B. The liquid supply nozzles 132a and 132b of the coating units A and B are connected to each other on the secondary side of the flow meter 119 with a common supply source side to which the resist solution is supplied.

そして、液供給ノズル１３２ａ、１３２ｂとフローメータ１１９との間のノズル供給管１３１ａ、１３１ｂの途中経路には、それぞれディスペンスバルブ１３０ａ、１３０ｂが設けられており制御部３００により開閉のタイミングが制御される。   Dispensing valves 130a and 130b are provided in the middle paths of the nozzle supply pipes 131a and 131b between the liquid supply nozzles 132a and 132b and the flow meter 119, respectively, and the opening / closing timing is controlled by the control unit 300. .

図１に示す中間タンク７４は、レジスト液の貯留レベルを認識するための例えば静電容量式の液面センサを上限量位置と下限量位置に設けている。上限位置は、液供給ボトル７１から供給されるレジスト液を上限液面センサ１１１で検出すると中間タンク供給バルブ７３が閉じられて供給が停止される位置である。下限位置は、中間タンク７４内の液面が使用されることで下がって下限液面センサ１１２がオフになると中間タンク供給バルブ７３が開かれてレジスト液が供給される位置である。   The intermediate tank 74 shown in FIG. 1 is provided with, for example, an electrostatic capacity type liquid level sensor for recognizing the resist solution storage level at the upper limit amount position and the lower limit amount position. The upper limit position is a position where the supply is stopped by closing the intermediate tank supply valve 73 when the upper limit liquid level sensor 111 detects the resist solution supplied from the liquid supply bottle 71. The lower limit position is a position where the intermediate tank supply valve 73 is opened and the resist solution is supplied when the lower limit liquid level sensor 112 is turned off due to the use of the liquid level in the intermediate tank 74.

この中間タンク７４内のレジスト液面の上方には空間が出きる様に設定されており、この空間の気体を排気することで陰圧としてレジスト液中に含まれる溶存された気体、例えば窒素、酸素などを脱気する様に中間タンクベント管７５と中間タンクベントバルブ７６が設けられている。中間タンクベント管７５は図示しない吸引排気元に接続される。   A space is set above the resist liquid surface in the intermediate tank 74, and dissolved gas contained in the resist liquid as a negative pressure by exhausting the gas in the space, for example, nitrogen, An intermediate tank vent pipe 75 and an intermediate tank vent valve 76 are provided so as to degas oxygen and the like. The intermediate tank vent pipe 75 is connected to a suction exhaust source (not shown).

前述した循環配管１１６は、中間タンク７４の上限液面センサ１１１と下限液面センサ１１２の検出位置に影響を及ぼさない位置で中間タンク７４の内部壁面上に沿ってレジスト液が流れ落ちる様に配置される。これにより、循環されるレジスト液は中間タンク７４内で脱気が繰り返されるのでレジスト液中の溶存気体が配管中や吐出した基板上で発泡することが無い。また、この循環配管１１６の途中には、循環配管１１６の開閉を行なう循環バルブ１１７が設けられている。   The above-described circulation pipe 116 is disposed so that the resist solution flows down along the inner wall surface of the intermediate tank 74 at a position that does not affect the detection positions of the upper limit liquid level sensor 111 and the lower limit liquid level sensor 112 of the intermediate tank 74. The Thereby, the circulated resist solution is repeatedly deaerated in the intermediate tank 74, so that the dissolved gas in the resist solution does not foam in the piping or on the discharged substrate. A circulation valve 117 for opening and closing the circulation pipe 116 is provided in the middle of the circulation pipe 116.

次に、マグネットポンプ１１４についての構造例を説明する。図４は、この考案の一実施例に係るマグネットポンプ１１４の要部を示す断面図である。フロントケーシング２０１とリアケーシング２０２とで形成されるポンプ室２０３には、その前面にレジスト液の吸込口２０４が形成され、その上面にレジスト液の吐出口２０５が形成されている。ポンプ室２０３の内部には、回転体２０６が収容されている。回転体２０６は、リアケーシング２０２の中央からポンプ室２０３に向けて突設された支持軸２０７に回転可能に支持されている。回転体２０６は、支持軸２０７の外周と摺動可能に接触する円筒状の軸受２１１と、この軸受２１１の外周に形成され、外周部にリング状の従動マグネット２１２を配置したマグネットキャン２１３と、このマグネットキャン２１３の前面に装着されて回転によってレジスト液を吸込口２０４からポンプ室２０３の内部に導入し、吐出口２０５から吐出させるインペラ２１４と、このインペラ２１４の裏面に装着されて空運転時などに支持軸２０７の先端部とピンポイント接触するスラスト軸受２１５と、インペラ２１４の前面に装着されたマウスリング２１６とにより構成されている。また、インペラ２１４の前面のマウスリング２１６と対向するフロントケーシング２０１の部分には、インペラ２１４が前面に移動したときに摺接するライナーリング２１７が装着されている。   Next, a structural example of the magnet pump 114 will be described. FIG. 4 is a cross-sectional view showing a main part of the magnet pump 114 according to one embodiment of the present invention. The pump chamber 203 formed by the front casing 201 and the rear casing 202 has a resist solution suction port 204 formed on the front surface and a resist solution discharge port 205 formed on the upper surface thereof. A rotating body 206 is accommodated in the pump chamber 203. The rotating body 206 is rotatably supported by a support shaft 207 that protrudes from the center of the rear casing 202 toward the pump chamber 203. The rotating body 206 has a cylindrical bearing 211 that is slidably in contact with the outer periphery of the support shaft 207, a magnet can 213 formed on the outer periphery of the bearing 211, and a ring-shaped driven magnet 212 disposed on the outer periphery. The impeller 214 is mounted on the front surface of the magnet can 213 and rotated to introduce the resist solution into the pump chamber 203 from the suction port 204 and is discharged from the discharge port 205. The idler is mounted on the back surface of the impeller 214 during idle operation. The thrust bearing 215 is in pinpoint contact with the tip of the support shaft 207, and the mouth ring 216 is mounted on the front surface of the impeller 214. In addition, a liner ring 217 that is slidably contacted when the impeller 214 moves to the front surface is attached to a portion of the front casing 201 that faces the mouth ring 216 on the front surface of the impeller 214.

一方、リアケーシング２０２を介してマグネットキャン２１３の従動マグネット２１２と対向する位置には、回転駆動手段を構成する駆動回転体２２１のリング状駆動マグネット２２２が従動マグネット２１２と磁気結合されて配置されている。駆動回転体２２１は、駆動軸２２３を介してサーボモータＭにより駆動される。なお、駆動回転体２２１は、ポンプ室２０３からは隔離され、リアケーシング２０２と駆動体ケーシング部２２４との間の空間に収容されている。軸受２１１は、非粘着材、例えばＰＴＦＥによって形成されている。   On the other hand, the ring-shaped drive magnet 222 of the drive rotating body 221 constituting the rotation drive means is magnetically coupled to the driven magnet 212 at a position facing the driven magnet 212 of the magnet can 213 via the rear casing 202. Yes. The drive rotator 221 is driven by the servo motor M via the drive shaft 223. The drive rotator 221 is isolated from the pump chamber 203 and is accommodated in a space between the rear casing 202 and the drive body casing part 224. The bearing 211 is made of a non-adhesive material such as PTFE.

このマグネットポンプ１１４によれば、サーボモータMが回転軸２２３を介して駆動回転体２２１を回転駆動して駆動マグネット２２２が回転すると、これと磁気結合された従動マグネット２１２も回転する。これにより、軸受２１１は支持軸２０７の周りを摺動し、インペラ２１４が回転して吸込口２０４からポンプ室２０３の内部にレジスト液が導入される。導入されたレジスト液は、殆どが吐出口２０５を介してポンプ二次配管９９側に送液される。   According to this magnet pump 114, when the servo motor M rotates the drive rotating body 221 via the rotating shaft 223 and the drive magnet 222 rotates, the driven magnet 212 magnetically coupled thereto also rotates. As a result, the bearing 211 slides around the support shaft 207, the impeller 214 rotates, and the resist solution is introduced into the pump chamber 203 from the suction port 204. Most of the introduced resist solution is sent to the pump secondary pipe 99 side through the discharge port 205.

この様な構成にて中間タンク７４内のレジスト液は、フィルタ９８を通過しマグネットポンプ１１４で供給圧力を加えられて配管の分岐管部１１５で循環配管１１６側に流れて再び中間タンク７４に向かうレジスト液循環が行なわれる。   With such a configuration, the resist solution in the intermediate tank 74 passes through the filter 98, is supplied with supply pressure by the magnet pump 114, flows to the circulation pipe 116 side in the branch pipe portion 115 of the pipe, and heads toward the intermediate tank 74 again. Resist solution circulation is performed.

次に、レジスト液ディスペンスについて説明すると、液供給ノズル１３２ａ、１３２ｂに向けてレジスト液を送液して基板上にレジスト液を供給する場合には、フローメータ１１９の一次側と循環配管１１６の分岐管部１１５との間に設けられたディスペンス元バルブ１１８を開けてレジスト液をフローメータ１１９以降に送液することになり、滴下処理される塗布ユニットＡ、Ｂの対応するいずれかのディスペンスバルブ１３０ａ、１３０ｂが開かれることで液処理が行われることとなる。なお、この時に循環バルブ１１７は閉じられて循環配管１１６側にレジスト液が流れない様に制御される。   Next, the resist solution dispensing will be described. When the resist solution is fed toward the solution supply nozzles 132a and 132b and the resist solution is supplied onto the substrate, the primary side of the flow meter 119 and the branch of the circulation pipe 116 are branched. The dispensing source valve 118 provided between the pipe unit 115 is opened and the resist solution is fed to the flow meter 119 and the subsequent ones, and either one of the dispensing valves 130a corresponding to the coating units A and B to be dropped. , 130b is opened, and liquid processing is performed. At this time, the circulation valve 117 is closed so that the resist solution does not flow to the circulation pipe 116 side.

フローメータ１１９は、ノズル供給管１３１ａ、１３１ｂ側に流れる流量をモニターしておりディスペンスバルブ１３０ａまたは（及び）ディスペンスバルブ１３０ｂの開閉のタイミングにより変動する液量がレジストのディスペンスレートである時間あたりの吐出流量に合う様にマグネットポンプ１１４のサーボモータＭの回転数を制御する。これにより、例えば吐出動作が重なったり単独であったりなどの様なレジストの吐出タイミングによる液量の変動を抑えることができる。液流量の代わりに圧力センサを設けて液圧力をモニターしても良いし、液流量と液圧力の両方をモニターして制御に利用しても良い。   The flow meter 119 monitors the flow rate flowing to the nozzle supply pipes 131a and 131b, and discharges per hour when the amount of liquid that fluctuates depending on the opening and closing timing of the dispense valve 130a and / or the dispense valve 130b is the resist dispense rate. The rotation speed of the servo motor M of the magnet pump 114 is controlled so as to match the flow rate. Thereby, for example, it is possible to suppress fluctuations in the liquid amount due to the discharge timing of the resist, such as when the discharge operations overlap or are independent. Instead of the liquid flow rate, a pressure sensor may be provided to monitor the liquid pressure, or both the liquid flow rate and the liquid pressure may be monitored and used for control.

なお、図２に示す様にフローメータ１１９が分岐管部１１５よりも手前に設けられて循環動作中の液流量を常時監視できる位置に設けられていても前述同様にマグネットポンプ１１４の制御が出来る。また、マグネットポンプ１１４の配置はフィルタ９８の一次側に設けられていても良い。   As shown in FIG. 2, the magnet pump 114 can be controlled in the same manner as described above even if the flow meter 119 is provided in front of the branch pipe portion 115 and is provided at a position where the flow rate of the liquid during the circulation operation can be constantly monitored. . Further, the arrangement of the magnet pump 114 may be provided on the primary side of the filter 98.

循環配管１１６においても図３に示す様に中間タンク７４と循環配管１１６との間に設けられる循環バルブ１１７の二次側に３方弁となるバイパスバルブ１２５を設ける。このバイパスバルブ１２５は、中間タンク７４に接続する配管とは別に中間タンク７４のアウト側の配管となるフィルタ一次側配管７７（図１）との間にバイパス分岐部１２７を設けてバイパス配管１２６で接続される。バイパスバルブ１２５は、中間タンク７４を通さずに循環させる様に切り換えることが出来る。切り換え信号は、例えば中間タンク７４の下限液面センサ１１２が検知されて液供給ボトル７１からの中間タンク７４へレジスト液の供給が開始される信号と同期してバイパスバルブ１２５を切り換えてバイパス配管１２６側に接続する。次に、上限液面センサ１１１が検知後にレジスト液の供給を停止すると同時にバイパスバルブ１２５を元に戻す切り換えを行い中間タンク７４側に接続する。また、別の例として、塗布ユニットＡ、Ｂで液処理を行わない待機状態が所定時間経過した場合や複数の液供給ノズル１３２ａ、１３２ｂのうちで使用されない液供給ノズル１３２ａ、１３２ｂが待機している時間が所定時間経過した場合などにおいて制御部からバイパス配管１２６側に切り換える信号が出される。また、同期してマグネットポンプ１１４のサーボモータＭの回転数を落としてレジスト液の循環総量を少なくさせる。これにより、フィルタ９８のフィルトレーション量を無駄に多くさせずにレジスト成分の変質を抑えることが出来る。   Also in the circulation pipe 116, as shown in FIG. 3, a bypass valve 125 serving as a three-way valve is provided on the secondary side of the circulation valve 117 provided between the intermediate tank 74 and the circulation pipe 116. This bypass valve 125 is provided with a bypass branch portion 127 between the pipe connected to the intermediate tank 74 and a filter primary side pipe 77 (FIG. 1) serving as an out side pipe of the intermediate tank 74. Connected. The bypass valve 125 can be switched to circulate without passing through the intermediate tank 74. The switching signal is, for example, switched by bypass valve 125 in synchronization with a signal that the lower limit liquid level sensor 112 of the intermediate tank 74 is detected and the supply of the resist solution from the liquid supply bottle 71 to the intermediate tank 74 is started. Connect to the side. Next, after the upper limit liquid level sensor 111 detects, the supply of the resist solution is stopped, and at the same time, the bypass valve 125 is switched back to the original position and connected to the intermediate tank 74 side. Moreover, as another example, when a standby state in which the liquid processing is not performed in the coating units A and B has elapsed for a predetermined time, or the liquid supply nozzles 132a and 132b that are not used among the plurality of liquid supply nozzles 132a and 132b are on standby. A signal for switching to the bypass piping 126 side is output from the control unit when the predetermined time has elapsed. Further, in synchronism, the rotational speed of the servo motor M of the magnet pump 114 is decreased to reduce the total circulation amount of the resist solution. Thereby, the alteration of the resist component can be suppressed without unnecessarily increasing the amount of filtration of the filter 98.

次に、この考案に係る処理液供給システムをレジスト塗布・現像処理システムに適用した一例について簡単に説明する。図５は、レジスト塗布・現像処理システムを示す概略平面図、図６は、レジスト塗布・現像処理システムの概略正面図、図７は、レジスト塗布・現像処理システムの概略背面図である。   Next, an example in which the processing liquid supply system according to the present invention is applied to a resist coating / development processing system will be briefly described. FIG. 5 is a schematic plan view showing the resist coating / developing system, FIG. 6 is a schematic front view of the resist coating / developing system, and FIG. 7 is a schematic rear view of the resist coating / developing system.

上記レジスト塗布・現像処理システム１は、図５に示すように、例えば２５枚のウエハＷを収容するカセットＣに対してウエハＷを搬入出するカセットステーション２と、このカセットステーション２に隣接して設けられ、塗布現像工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理ユニットを多段配置してなる処理ステーション３と、この処理ステーション３に隣接して設けられている露光装置（図示せず）との間でウエハＷの受け渡しをするインターフェース部４とを一体に接続した構成を有している。   As shown in FIG. 5, the resist coating / development processing system 1 includes, for example, a cassette station 2 that loads and unloads wafers W into / from a cassette C that houses 25 wafers W, and is adjacent to the cassette station 2. A processing station 3 provided with various processing units arranged in a single-wafer type in a coating and developing process in a multi-stage arrangement, and an exposure apparatus (not shown) provided adjacent to the processing station 3 And the interface unit 4 that transfers the wafer W to and from the device.

カセットステーション２は、カセット載置台５上の所定の位置に、複数のカセットＣを水平のＸ方向に一列に載置可能となっている。また、カセットステーション２には、搬送路６上をＸ方向に沿って移動可能なウエハ搬送アーム７が設けられている。ウエハ搬送アーム７は、カセットＣに収容されたウエハＷのウエハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）にも移動自在であり、Ｘ方向に配列された各カセットＣ内のウエハＷに対して選択的にアクセスできるように構成されている。   The cassette station 2 can mount a plurality of cassettes C at a predetermined position on the cassette mounting table 5 in a row in the horizontal X direction. Further, the cassette station 2 is provided with a wafer transfer arm 7 that can move on the transfer path 6 along the X direction. The wafer transfer arm 7 is also movable in the wafer arrangement direction (Z direction; vertical direction) of the wafers W accommodated in the cassette C, and is selective to the wafers W in each cassette C arranged in the X direction. Is configured to be accessible.

また、ウエハ搬送アーム７は、Ｚ軸を中心としてθ方向に回転可能に構成されており、後述するように処理ステーション３側の第３の処理ユニット群Ｇ３に属するトランジション装置（ＴＲＳ）３１に対してもアクセスできるように構成されている。   Further, the wafer transfer arm 7 is configured to be rotatable in the θ direction around the Z axis, and as will be described later, with respect to the transition device (TRS) 31 belonging to the third processing unit group G3 on the processing station 3 side. Even it is configured to be accessible.

処理ステーション３は、複数の処理ユニットが多段に配置された、例えば５つの処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ５を備えている。処理ステーション３の正面側には、カセットステーション２側から第１の処理ユニット群Ｇ１，第２の処理ユニット群Ｇ２が順に配置されている。また、処理ステーション３の背面側には、カセットステーション２側から第３の処理ユニット群Ｇ３，第４の処理ユニット群Ｇ４及び第５の処理ユニット群Ｇ５が順に配置されている。第３の処理ユニット群Ｇ３と第４の処理ユニット群Ｇ４との間には、第１の搬送機構１１０が設けられている。第１の搬送機構１１０は、第１の処理ユニット群Ｇ１，第３の処理ユニット群Ｇ３及び第４の処理ユニット群Ｇ４に選択的にアクセスしてウエハＷを搬送するように構成されている。第４の処理ユニット群Ｇ４と第５の処理ユニット群Ｇ５との間には、第２の搬送機構１２０が設けられている。第２の搬送機構１２０は、第２の処理ユニット群Ｇ２，第４の処理ユニット群Ｇ４及び第５の処理ユニット群Ｇ５に選択的にアクセスしてウエハＷを搬送するように構成されている。   The processing station 3 includes, for example, five processing unit groups G1 to G5 in which a plurality of processing units are arranged in multiple stages. On the front side of the processing station 3, a first processing unit group G1 and a second processing unit group G2 are sequentially arranged from the cassette station 2 side. Further, on the back side of the processing station 3, a third processing unit group G3, a fourth processing unit group G4, and a fifth processing unit group G5 are sequentially arranged from the cassette station 2 side. A first transport mechanism 110 is provided between the third processing unit group G3 and the fourth processing unit group G4. The first transport mechanism 110 is configured to selectively access the first processing unit group G1, the third processing unit group G3, and the fourth processing unit group G4 to transport the wafer W. A second transport mechanism 120 is provided between the fourth processing unit group G4 and the fifth processing unit group G5. The second transfer mechanism 120 is configured to selectively access the second processing unit group G2, the fourth processing unit group G4, and the fifth processing unit group G5 to transfer the wafer W.

第１の処理ユニット群Ｇ１には、
図６に示すように、ウエハＷに所定の処理液を供給して処理を行う液処理ユニット、例えばウエハＷにレジスト液を塗布するレジスト塗布処理装置を有するレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）１０，１１，１２、露光時の光の反射を防止するための紫外線硬化樹脂液を塗布して反射防止膜を形成するボトムコーティングユニット（ＢＡＲＣ）１３，１４が下から順に５段に重ねられている。第２の処理ユニット群Ｇ２には、ウエハＷに現像処理を施す現像処理ユニット（ＤＥＶ）２１〜２４が下から順に４段に重ねられている。 In the first processing unit group G1,
As shown in FIG. 6, a liquid processing unit that supplies a predetermined processing liquid to a wafer W and performs processing, for example, resist coating units (COT) 10, 11, each having a resist coating processing apparatus that coats the wafer W with a resist liquid. 12. Bottom coating units (BARC) 13 and 14 for forming an antireflection film by applying an ultraviolet curable resin solution for preventing reflection of light during exposure are stacked in five stages in order from the bottom. In the second processing unit group G2, development processing units (DEV) 21 to 24 for performing development processing on the wafer W are stacked in four stages in order from the bottom.

なお、第１の処理ユニット群Ｇ１及び第２の処理ユニット群Ｇ２の最下段には、各処理ユニット群Ｇ１及びＧ２内の前記液処理ユニットに各種現像液を供給するためのケミカル室（ＣＨＭ）２５，２６がそれぞれ設けられている。このケミカル室（ＣＨＭ）２５．２６に、この考案に係る処理液供給システムが組み込まれている。また、第３の処理ユニット群Ｇ３には、図７に示すように、下から順に、温調ユニット（ＴＣＰ）３０、ウエハＷの受け渡しを行うためのトランジション装置（ＴＲＳ）３１及び精度の高い温度管理下でウエハＷを加熱処理する熱処理ユニット（ＵＬＨＰ）３２〜３８が９段に重ねられている。第４の処理ユニット群Ｇ４では、例えば高精度温調ユニット（ＣＰＬ）４０、レジスト塗布処理後のウエハＷを加熱処理するプリベーキングユニット（ＰＡＢ）４１〜４４及び現像処理後のウエハＷを加熱処理するポストベーキングユニット（ＰＯＳＴ）４５〜４９が下から順に１０段に重ねられている。   A chemical chamber (CHM) for supplying various developing solutions to the liquid processing units in the processing unit groups G1 and G2 is provided at the bottom of the first processing unit group G1 and the second processing unit group G2. 25 and 26 are provided, respectively. A treatment liquid supply system according to the present invention is incorporated in the chemical chamber (CHM) 25.26. Further, as shown in FIG. 7, the third processing unit group G3 includes, in order from the bottom, a temperature control unit (TCP) 30, a transition device (TRS) 31 for delivering the wafer W, and a high-precision temperature. Heat treatment units (ULHP) 32 to 38 that heat-treat the wafer W under management are stacked in nine stages. In the fourth processing unit group G4, for example, a high-precision temperature control unit (CPL) 40, pre-baking units (PAB) 41 to 44 for heat-treating the resist-coated wafer W, and the wafer W after development processing are heat-treated. Post baking units (POST) 45 to 49 are stacked in 10 stages in order from the bottom.

第５の処理ユニット群Ｇ５では、ウエハＷを熱処理する複数の熱処理ユニット、例えば高精度温調ユニット（ＣＰＬ）５０〜５３、露光後のウエハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢ）５４〜５９が下から順に１０段に重ねられている。   In the fifth processing unit group G5, a plurality of heat treatment units that heat-treat the wafer W, for example, high-precision temperature control units (CPL) 50 to 53, post-exposure baking units (PEB) 54 to heat-treat the exposed wafer W, 59 are stacked in 10 steps from the bottom.

また、第１の搬送機構１１０のＸ方向正方向側には、図５に示すように、複数の処理ユニットが配置されており、例えば図７に示すように、ウエハＷを疎水化処理するためのアドヒージョンユニット（ＡＤ）８０，８１、ウエハＷを加熱する加熱ユニット（ＨＰ）８２，８３が下から順に４段に重ねられている。また、第２の搬送機構１２０の背面側には例えばウエハＷのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光ユニット（ＷＥＥ）８４が配置されている。   Further, as shown in FIG. 5, a plurality of processing units are arranged on the positive side in the X direction of the first transfer mechanism 110. For example, as shown in FIG. Adhesion units (AD) 80 and 81 and heating units (HP) 82 and 83 for heating the wafer W are stacked in four stages in order from the bottom. Further, a peripheral exposure unit (WEE) 84 that selectively exposes only the edge portion of the wafer W, for example, is disposed on the back side of the second transfer mechanism 120.

また、図６に示すように、カセットステーション２、処理ステーション３及びインターフェース部４の各ブロックの上部には、各ブロック内を空調するための空調ユニット９０が備えられている。この空調ユニット９０により、カセットステーション２，処理ステーション３及びインターフェース部４内は、所定の温度及び湿度に調整できる。また、図７に示すように、例えば処理ステーション３の上部には、第３の処理ユニット群Ｇ３、第４の処理ユニット群Ｇ４及び第５の処理ユニット群Ｇ５内の各装置に所定の気体を供給する、例えばＦＦＵ（ファンフィルタユニット）などの気体供給手段である気体供給ユニット９１がそれぞれ設けられている。気体供給ユニット９１は、所定の温度、湿度に調整された気体から不純物を除去した後、当該気体を所定の流量で送風できる。   As shown in FIG. 6, an air conditioning unit 90 for air-conditioning the inside of each block is provided above the blocks of the cassette station 2, the processing station 3, and the interface unit 4. With the air conditioning unit 90, the cassette station 2, the processing station 3, and the interface unit 4 can be adjusted to a predetermined temperature and humidity. In addition, as shown in FIG. 7, for example, a predetermined gas is supplied to each device in the third processing unit group G3, the fourth processing unit group G4, and the fifth processing unit group G5 in the upper portion of the processing station 3. For example, gas supply units 91 that are gas supply means such as FFU (fan filter unit) to be supplied are provided. The gas supply unit 91 can blow the gas at a predetermined flow rate after removing impurities from the gas adjusted to a predetermined temperature and humidity.

インターフェース部４は、図５に示すように、処理ステーション３側から順に第１のインターフェース部１００と、第２のインターフェース部１０１とを備えている。第１のインターフェース部１００には、ウエハ搬送アーム１０２が第５の処理ユニット群Ｇ５に対応する位置に配設されている。ウエハ搬送アーム１０２のＸ方向の両側には、例えばバッファカセット１０３（図５の背面側），１０４（図５の正面側）が各々設置されている。ウエハ搬送アーム１０２は、第５の処理ユニット群Ｇ５内の熱処理装置とバッファカセット１０３，１０４に対してアクセスできる。第２のインターフェース部１０１には、Ｘ方向に向けて設けられた搬送路１０５上を移動するウエハ搬送アーム１０６が設けられている。ウエハ搬送アーム１０６は、Ｚ方向に移動可能で、かつθ方向に回転可能であり、バッファカセット１０４と、第２のインターフェース部１０１に隣接した図示しない露光装置に対してアクセスできるようになっている。したがって、処理ステーション３内のウエハＷは、ウエハ搬送アーム１０２，バッファカセット１０４，ウエハ搬送アーム１０６を介して露光装置に搬送でき、また、露光処理の終了したウエハＷは、ウエハ搬送アーム１０６，バッファカセット１０４，ウエハ搬送アーム１０２を介して処理ステーション３内に搬送できる。   As shown in FIG. 5, the interface unit 4 includes a first interface unit 100 and a second interface unit 101 in order from the processing station 3 side. In the first interface unit 100, a wafer transfer arm 102 is disposed at a position corresponding to the fifth processing unit group G5. For example, buffer cassettes 103 (on the back side in FIG. 5) and 104 (on the front side in FIG. 5) are installed on both sides of the wafer transfer arm 102 in the X direction. The wafer transfer arm 102 can access the heat treatment apparatus and the buffer cassettes 103 and 104 in the fifth processing unit group G5. The second interface unit 101 is provided with a wafer transfer arm 106 that moves on a transfer path 105 provided in the X direction. The wafer transfer arm 106 is movable in the Z direction and rotatable in the θ direction, and can access the buffer cassette 104 and an exposure apparatus (not shown) adjacent to the second interface unit 101. . Therefore, the wafer W in the processing station 3 can be transferred to the exposure apparatus via the wafer transfer arm 102, the buffer cassette 104, and the wafer transfer arm 106, and the wafer W after the exposure process is transferred to the wafer transfer arm 106 and the buffer. It can be transferred into the processing station 3 via the cassette 104 and the wafer transfer arm 102.

なお、上記実施形態では、この考案に係る処理液供給システムを半導体ウエハの塗布・現像処理システムのレジスト液の配管回路に適用する場合について説明したが、洗浄液であるシンナーや純水の供給ラインや現像処理に用いられる現像液の供給ラインにも適用できる。また、半導体ウエハ以外の被処理基板、例えばＦＰＤでも適用できる。   In the above embodiment, the case where the processing liquid supply system according to the present invention is applied to the piping circuit of the resist solution of the semiconductor wafer coating / development processing system has been described. The present invention can also be applied to a developer supply line used for development processing. Further, the present invention can be applied to a substrate to be processed other than a semiconductor wafer, such as an FPD.

Ａ、Ｂ 塗布ユニット
７１ 液供給ボトル
７４ 中間タンク
７６ 中間タンクベントバルブ
９８ フィルタ
１１１ 上限液面センサ
１１２ 下限液面センサ
１１４ マグネットポンプ
１１６ 循環配管
１１７ 循環バルブ
１１８ ディスペンス元バルブ
１１９ フローメーター
１２５ バイパスバルブ
１２６ バイパス配管
１３０ａ、ｂ ディスペンスバルブ
１３２ａ、ｂ 液供給ノズル A, B Application unit 71 Liquid supply bottle 74 Intermediate tank 76 Intermediate tank vent valve 98 Filter 111 Upper limit liquid level sensor 112 Lower limit liquid level sensor 114 Magnet pump 116 Circulation pipe 117 Circulation valve 118 Dispense source valve 119 Flow meter 125 Bypass valve 126 Bypass Piping 130a, b Dispensing valve 132a, b Liquid supply nozzle

Claims (6)

基板の表面に液供給ノズルから処理液を供給して処理を施すための液処理装置に設けられ、前記液供給ノズルと前記処理液の液供給部との間に構成される処理液供給配管回路において、
液供給部から供給配管を通じて供給される処理液を一旦貯留する中間タンクと、
前記中間タンクの上方に接続され内部の前記処理液を減圧して脱気させるための排気配管と、
前記中間タンクの出口側から前記処理液を吸液して吐出動作を連続させる送液ポンプと、
前記送液ポンプの吐出側となる前記送液ポンプ二次側配管と前記液供給ノズルとの間の配管に設けられ、前記液供給ノズル側に向かう処理液の流れの開閉を行なう開閉バルブと、
前記開閉バルブの一次側の配管から分岐されて前記中間タンクに連通して前記処理液を循環する循環配管と、
前記循環配管の前記処理液の流れを開閉する循環バルブと、
を、備えていることを特徴とする処理液供給配管回路。 A processing liquid supply piping circuit that is provided in a liquid processing apparatus for supplying a processing liquid to a surface of a substrate from a liquid supply nozzle to perform processing, and is configured between the liquid supply nozzle and the liquid supply unit of the processing liquid In
An intermediate tank that temporarily stores the processing liquid supplied from the liquid supply unit through the supply pipe;
An exhaust pipe connected above the intermediate tank for depressurizing and degassing the processing liquid inside;
A liquid feed pump for sucking the processing liquid from the outlet side of the intermediate tank and continuing the discharge operation;
An opening / closing valve provided on a pipe between the liquid feed pump secondary pipe on the discharge side of the liquid feed pump and the liquid supply nozzle, for opening and closing the flow of the processing liquid toward the liquid supply nozzle;
A circulation pipe branched from the primary side pipe of the on-off valve and communicating with the intermediate tank to circulate the treatment liquid;
A circulation valve for opening and closing the flow of the treatment liquid in the circulation pipe;
Is provided with a treatment liquid supply piping circuit. 前記送液ポンプは、マグネットポンプであることを特徴とする請求項１に記載の処理液供給配管回路。   The processing liquid supply piping circuit according to claim 1, wherein the liquid feeding pump is a magnet pump. 前記中間タンクと前記送液ポンプとの間の配管にはフィルタが設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の処理液供給配管回路。   The processing liquid supply piping circuit according to claim 1, wherein a filter is provided in a piping between the intermediate tank and the liquid feeding pump. 前記送液ポンプ二次側配管にはフィルタが設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の処理液供給配管回路   The processing liquid supply piping circuit according to claim 1, wherein a filter is provided in the liquid supply pump secondary side piping. 前記循環配管に分岐する手前に前記処理液の流量を検知する流量計または前記処理液の圧力を検知する圧力計が設けられて、検出値が所定の設定を保つように前記送液ポンプの駆動部を制御する制御部を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の処理液供給配管回路。   A flow meter for detecting the flow rate of the processing liquid or a pressure gauge for detecting the pressure of the processing liquid is provided before branching to the circulation pipe, and the liquid feed pump is driven so that the detection value is maintained at a predetermined setting. The processing liquid supply piping circuit according to claim 1, further comprising a control unit that controls the unit. 前記循環バルブと中間タンクとの間には、中間タンクに処理液を流す流路と前記中間タンクを介さないで前記中間タンクの出口側の配管と接続されるバイパス流路とを切り換えるバイパスバルブが設けられていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の処理液供給配管回路。   Between the circulation valve and the intermediate tank, there is a bypass valve for switching between a flow path for flowing the processing liquid to the intermediate tank and a bypass flow path connected to the piping on the outlet side of the intermediate tank without passing through the intermediate tank. The processing liquid supply piping circuit according to claim 1, wherein the processing liquid supply piping circuit is provided.

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