JP6899217B2 - 基板処理装置、基板処理方法および基板処理システム - Google Patents

基板処理装置、基板処理方法および基板処理システム Download PDF

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Description

この発明は、基板処理装置、基板処理方法および基板処理システムに関する。
従来より、半導体基板（以下、単に「基板」という。）の製造工程では、基板処理装置を用いて酸化膜等の絶縁膜を有する基板に対して様々な処理が施される。例えば、表面上にレジストのパターンが形成された基板に処理液を供給することにより、基板の表面に対してエッチング等の処理が行われる。また、エッチング等の終了後、基板上のレジストを除去する処理も行われる。
基板処理装置にて処理される基板には、基板処理装置に搬入される前に、ドライエッチングやプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等のドライ工程が行われている。このようなドライ工程では、デバイス内に電荷が発生して帯電するため、基板は、帯電した状態で基板処理装置に搬入される（いわゆる、持ち込み帯電）。そして、基板処理装置において、ＳＰＭ液のような比抵抗が小さい処理液が基板上に供給されると、デバイス内の電荷が、デバイスから処理液へと急激に移動し（すなわち、処理液中へと放電し）、当該移動に伴う発熱によりデバイスにダメージが生じるおそれがある。
そこで、従来から、基板の帯電を防止する帯電防止装置が使用されている（例えば特許文献１）。この帯電防止装置はガス供給経路および照射部を備えている。照射部はガラス基板に対して紫外線を照射する。ガス供給経路は、ガラス基板と照射部との間の空間に連通している。酸素を含んだガスがこのガス供給経路を通って、当該空間へと供給される。この状態でガラス基板に紫外線が照射されることにより、ガラス基板の表面が親水化されて、ガラス基板の帯電が防止される。また、この紫外線によって、当該空間の酸素がオゾンに変化する。このオゾンによってガラス基板の親水化が促進される。
なお本発明に関連する技術として、特許文献２〜４を掲示する。
特開２００８−６０２２１号公報 特開平１１−２２１５３５号公報 特許第４０１７２７６号公報 特許第５７５２７６０号公報
基板と紫外線照射器との間の空間に空気が残留していれば紫外線が空気中の酸素に吸収され有害なオゾンが発生したり紫外線強度が減衰するので、当該空間の雰囲気が所定の雰囲気になってから、紫外線照射器による紫外線の照射を開始する必要がある。例えば当該空間の酸素濃度が所定の範囲内になったときに、紫外線の照射を開始する。
また基板処理のスループット向上のためには、当該空間の雰囲気がより短時間で所定の雰囲気になることが望ましい。
そこで、本発明は、基板と紫外線照射器との間の空間の雰囲気をより短時間で所定の雰囲気とする基板処理装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、基板処理装置の第１の態様は、基板保持台と、紫外線照射手段と、筒部材と、第１気体供給手段と、第２気体供給手段とを備えている。基板保持台は基板が載置される第１上面、及び、側面を有する。紫外線照射手段は、基板保持台の第１上面に載置された前記基板の上方に、作用空間を隔てて基板と対向するように配置されており、紫外線を基板に向けて照射する。筒部材は、基板保持台の側面の全周を囲む内周面を有し、当該内周面と基板保持台の側面との間に前記作用空間に連通するリング空間を形成する。第１気体供給手段は、リング空間に気体を供給する。第２気体供給手段は基板と紫外線照射手段との間に形成される作用空間に気体を供給する。筒部材は、内周面のうち基板保持台の側面と対向する少なくとも一つの位置に、第１気体供給手段が、作用空間への流れる気体に対する障壁として機能する気体をリング空間に供給する少なくとも一つの側方開口部を有する。
基板処理装置の第２の態様は、基板保持台と、紫外線照射手段と、筒部材と、第１気体供給手段と、第２気体供給手段とを備えている。基板保持台は基板が載置される第１上面、及び、側面を有する。紫外線照射手段は、作用空間を隔てて基板と対向するように配置されており、紫外線を基板に向けて照射する。筒部材は、基板保持台の側面を囲む内周面を有し、当該内周面のうち当該側面と対向する少なくとも一つの位置に少なくとも一つの側方開口部を有する。第１気体供給手段は、少なくとも一つの側方開口部を経由して、基板保持台の側面と筒部材の内周面との間の空間に気体を供給する。第２気体供給手段は基板と紫外線照射手段との間の作用空間に気体を供給する。筒部材の内周面は、当該内周面の周方向に沿って延在する第１溝を有する。少なくとも一つの側方開口部は第１溝に形成されている。
基板処理装置の第３の態様は、基板保持台と、紫外線照射手段と、筒部材と、第１気体供給手段と、第２気体供給手段とを備えている。基板保持台は基板が載置される第１上面、及び、側面を有する。紫外線照射手段は、作用空間を隔てて基板と対向するように配置されており、紫外線を基板に向けて照射する。筒部材は、基板保持台の側面を囲む内周面を有し、当該内周面のうち当該側面と対向する少なくとも一つの位置に少なくとも一つの側方開口部を有する。第１気体供給手段は、少なくとも一つの側方開口部を経由して、基板保持台の側面と筒部材の内周面との間の空間に気体を供給する。第２気体供給手段は基板と紫外線照射手段との間の作用空間に気体を供給する。少なくとも一つの側方開口部は、内周面の周方向に沿って開口している。
基板処理装置の第４の態様は、基板保持台と、紫外線照射手段と、筒部材と、第１気体供給手段と、第２気体供給手段とを備えている。基板保持台は基板が載置される第１上面、及び、側面を有する。紫外線照射手段は、作用空間を隔てて基板と対向するように配置されており、紫外線を基板に向けて照射する。筒部材は、基板保持台の側面を囲む内周面を有し、当該内周面のうち当該側面と対向する少なくとも一つの位置に少なくとも一つの側方開口部を有する。第１気体供給手段は、少なくとも一つの側方開口部を経由して、基板保持台の側面と筒部材の内周面との間の空間に気体を供給する。第２気体供給手段は基板と紫外線照射手段との間の作用空間に気体を供給する。少なくとも一つの側方開口部は、少なくとも一つの第１層開口部と、少なくとも一つの第２層開口部とを含み、少なくとも一つの第１層開口部は、紫外線照射手段および基板保持台が並ぶ方向において、少なくとも一つの第２層開口部と異なる位置に形成されている。
基板処理装置の第５の態様は、第４の態様にかかる基板処理装置であって、少なくとも一つの第１層開口部は複数の第１層開口部を含み、少なくとも一つの第２層開口部は複数の第２層開口部を含み、複数の第１層開口部は、内周面の周方向において間隔を空けて並んで形成されているとともに、複数の第２層開口部の各々は、周方向において第１層開口部とは異なる位置に形成されており、第１層開口部および第２層開口部のそれぞれの開口軸の方向を、周方向の時計回りおよび反時計回りのうち一方の回りの向きに揃えてある。
基板処理装置の第６の態様は、基板保持台と、紫外線照射手段と、筒部材と、第１気体供給手段と、第２気体供給手段とを備えている。基板保持台は基板が載置される第１上面、及び、側面を有する。紫外線照射手段は、作用空間を隔てて基板と対向するように配置されており、紫外線を基板に向けて照射する。筒部材は、基板保持台の側面を囲む内周面を有し、当該内周面のうち当該側面と対向する少なくとも一つの位置に少なくとも一つの側方開口部を有する。第１気体供給手段は、少なくとも一つの側方開口部を経由して、基板保持台の側面と筒部材の内周面との間の空間に気体を供給する。第２気体供給手段は基板と紫外線照射手段との間の作用空間に気体を供給する。筒部材は、基板と紫外線照射手段との間の作用空間に気体を供給する少なくとも一つの給気開口部を更に有する。筒部材は、当該内周面の周方向において少なくとも一つの給気開口部と異なる位置に形成され、基板と紫外線照射手段との間の作用空間の気体を排気する少なくとも一つの排気開口部を更に有する。
基板処理装置の第７の態様は、第６の態様にかかる基板処理装置であって、少なくとも一つの給気開口部は内周面の周方向において片側の半分に形成されており、少なくとも一つの排気開口部は内周面の周方向において残りの片側の半分に形成されている。
基板処理装置の第８の態様は、基板保持台と、紫外線照射手段と、筒部材と、第１気体供給手段と、第２気体供給手段とを備えている。基板保持台は基板が載置される第１上面、及び、側面を有する。紫外線照射手段は、作用空間を隔てて基板と対向するように配置されており、紫外線を基板に向けて照射する。筒部材は、基板保持台の側面を囲む内周面を有し、当該内周面のうち当該側面と対向する少なくとも一つの位置に少なくとも一つの側方開口部を有する。第１気体供給手段は、少なくとも一つの側方開口部を経由して、基板保持台の側面と筒部材の内周面との間の空間に気体を供給する。第２気体供給手段は基板と紫外線照射手段との間の作用空間に気体を供給する。基板保持台の第１上面は、第１上面の周縁から延在する搬送溝を含み、基板保持台は、搬送溝において開口する給気用または排気用の搬送溝開口部を含む。
基板処理装置の第９の態様は、第１から第８のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、移動手段を更に備える。移動手段は、第１位置および第２位置の間で、紫外線照射手段と基板保持台とを相対的に移動させる。第１位置における基板と紫外線照射手段との間の距離は、第２位置における基板と紫外線照射手段との間の距離よりも短い。少なくとも一つの側方開口部は、基板保持台が第１位置で停止した状態において、基板保持台の側面と対向する。
基板処理装置の第１０の態様は、基板が載置される第１上面、及び、側面を有する基板保持台と、基板保持台に載置される基板と対向するように配置され、基板保持台に載置される基板に対して紫外線を照射する紫外線照射手段と、前記基板保持台を紫外線照射手段から遠い第２位置から紫外線照射手段から近い第１位置へと移動させ、紫外線照射手段と基板保持台との間に紫外線照射手段から照射される紫外線が基板保持台に載置される基板に対して作用する作用空間を形成させるとともに、基板保持台に対して紫外線照射手段とは反対側の位置に非作用空間を形成させる移動機構と、基板保持台が第１位置に位置するときに、基板保持台の側面をその全周にわたって取り囲み、基板保持台の側面との間で作用空間および非作用空間のそれぞれに連通するリング状のリング空間を形成する筒部材と、リング空間に気体を供給する第１気体供給手段と、作用空間に気体を供給する第２気体供給手段とを備える。
基板処理装置の第１１の態様は、第１０の態様にかかる基板処理装置であって、筒部材は、その内周面のうち基板保持台の側面と対向する少なくとも一つの位置に少なくとも一つの側方開口部を有し、第１気体供給手段は、少なくとも一つの側方開口部を経由して、リング空間に気体を供給し、少なくとも一つの側方開口部は、内周面の周方向に沿って開口している。
基板処理装置の第１２の態様は、第３から第９、第１１のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、少なくとも一つの側方開口部は複数の側方開口部を含み、複数の側方開口部は、内周面の周方向において間隔を空けて並んで形成されている。
基板処理装置の第１３の態様は、第１２の態様にかかる基板処理装置であって、複数の側方開口部のそれぞれの開口軸の方向を、周方向の時計回りおよび反時計回りのうち一方の回りの向きに揃えてある。
基板処理装置の第１４の態様は、第１３の態様にかかる基板処理装置であって、基板の主面に垂直な軸を回転軸として、前記一方の回りの向きに基板保持台を回転させる回転機構を更に備える。
基板処理装置の第１５の態様は、第１、第３から第８、第１１のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、筒部材の内周面は、当該内周面の周方向に沿って延在する第１溝および第２溝を更に含む。第１溝および第２溝は、紫外線照射手段と基板保持台とが並ぶ方向において、互いに異なる位置に形成されている。少なくとも一つの側方開口部は、少なくとも一つの第１層開口部と、少なくとも一つの第２層開口部とを含む。少なくとも一つの第１層開口部は第１溝に形成され、少なくとも一つの第２層開口部は第２溝に形成されている。
基板処理装置の第１６の態様は、第１から第５、第８、第１１のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、筒部材は、少なくとも一つの給気開口部を更に有する。少なくとも一つの給気開口部は、基板と紫外線照射手段との間の作用空間に気体を供給する。

基板処理装置の第１７の態様は、第１６の態様にかかる基板処理装置であって、少なくとも一つの給気開口部は複数の給気開口部を含む。筒部材は、紫外線照射手段と空隙を介して対向する第２上面を有する。複数の給気開口部は第２上面に形成されており、当該内周面の周方向において互いに間隔を空けて形成されている。
基板処理装置の第１８の態様は、第１から第１７のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、基板保持台は、第１上面において、紫外線照射手段側に突起して、基板を支持する複数の突起部を備え、基板保持台には、第１上面のうち複数の突起部とは異なる位置で開口する給気用または排気用の上面開口部が形成されている。
基板処理装置の第１９の態様は、第１から第１８のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、基板保持台の第１上面には、複数の昇降突起部と、複数の固定突起部とが形成されている。複数の昇降突起部は紫外線照射手段と前記基板保持台とが並ぶ方向において昇降可能である。複数の固定突起部は、複数の昇降突起部よりも基板の中心に近い位置で紫外線照射手段側に突出する。複数の昇降突起部が紫外線照射手段側に上昇したときに、複数の固定突起部は基板を支持せず、複数の昇降突起部が基板を支持する。複数の昇降突起部が基板保持台側に下降したときに、少なくとも複数の固定突起部が基板を支持する。
基板処理装置の第２０の態様は、第１９の態様にかかる基板処理装置であって、基板保持台は、第１上面において開口する、給気用または排気用の上面開口部を有している。
基板処理方法の第２１の態様は、第１工程から第３工程を備える。第１工程においては、第１上面および側面を有する基板保持台の当該第１上面に基板を配置する。第２工程においては、基板保持台の第１上面に載置された基板よりも上方に、作用空間を隔てて基板と対向するように配置された紫外線照射手段と、基板との間の作用空間へ気体を供給し、基板保持台の側面の全周を囲む内周面を有し、内周面のうち側面と対向する少なくとも一つの位置に少なくとも一つの側方開口部を有する筒部材の内周面と、基板保持台の側面との間のリング空間に、作用空間へと流れる気体に対する障壁として機能する気体を、少なくとも一つの側方開口部を経由して供給する。第３工程においては、第１工程および第２工程の後に、紫外線照射手段に紫外線を基板に向けて照射させる。
基板処理方法の第２２の態様は、第２１の態様にかかる基板処理方法であって、第２工程は、基板保持台が、筒部材の内周面の内部から紫外線照射手段に対して遠ざかる方向に退いた状態において、当該作用空間への気体の供給および少なくとも一つの側方開口部を経由した気体の供給を開始する工程（ａ）と、工程（ａ）の後に、基板保持台の側面が筒部材の内周面と対向するように、紫外線照射手段、および、基板保持台を相対的に移動させる工程（ｂ）とを備える。
基板処理方法の第２３の態様は、第２１または第２２の態様にかかる基板処理方法であって、第２工程は、基板保持台を紫外線照射手段に近づけるように、紫外線照射手段と、基板保持台とを相対的に移動させる工程（Ａ）と、基板と紫外線照射手段との間の空間への気体の供給および少なくとも一つの側方開口部を経由した気体の供給を開始する工程（Ｂ）と、工程（Ａ）および工程（Ｂ）の後に、基板保持台を紫外線照射手段から遠ざけるように、紫外線照射手段と、基板保持台とを相対的に移動させる工程（Ｃ）とを備える。
基板処理システムの第２４の態様は、基板を収容する収容保持部と、基板に対して処理を施すための基板処理部と、収容保持部と基板処理部との間に位置し、収容保持部と基板処理部との間を往復する基板が経由する基板通過部とを備える。基板通過部には、第１から第２０のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置が設けられている。
基板処理装置、基板処理方法および基板処理システムによれば、基板保持台の側面と筒部材の内面との間の空間（以下、連通空間と呼ぶ）を流れる気体が、作用空間へと流れる気体に対する障壁として機能する。例えば基板保持台に対して紫外線照射手段とは反対側の空間（非作用空間）は、連通空間を経由して、作用空間に連通する。しかるに、非作用空間内の空気は連通空間の気体によって作用空間へ流れ込みにくい。つまり、所定の雰囲気とは異なる非作用空間の空気が作用空間へと流れることを抑制できる。したがって、作用空間の雰囲気をより短時間で所定の雰囲気にできる。
基板処理システムの構成の一例を概略的に示す図である。 基板処理装置の構成の一例を概略的に示す図である。 基板処理装置の構成の一例を概略的に示す図である。 基板保持台の構成の一例を概略的に示す図である。 筒部材の構成の一例を概略的に示す斜視図である。 筒部材の構成の一例を概略的に示す図である。 基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。 筒部材の構成の他の一例を概略的に示す図である。 筒部材の構成の一例を概略的に示す図である。 筒部材の構成の一例を概略的に示す図である。 筒部材の構成の一例を概略的に示す図である。 筒部材の構成の一例を概略的に示す図である。 筒部材の構成の一例を概略的に示す図である。 基板処理装置の構成の一例を概略的に示す図である。 基板保持台の構成の他の一例を示す図である。 基板保持台の構成の他の一例を示す図である。 基板保持台の構成の他の一例を示す図である。 基板保持台の構成の他の一例を示す図である。 基板保持台の構成の他の一例を示す図である。 基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。 基板保持台の構成の他の一例を示す図である。 基板保持台の構成の他の一例を示す図である。 基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。 基板処理装置の構成の他の一例を示す図である。 基板処理装置の構成の他の一例を示す図である。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
＜基板処理システムの全体構成の一例＞
図１は、基板処理システム１００の全体構成の一例を概略的に示す図である。なお、図１および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。
基板処理システム１００は、半導体基板に対して種々の処理を施すための装置である。この基板処理システム１００は、例えば、収容器保持部１１０、基板通過部１２０および基板処理部１３０を備えている。収容器保持部１１０は基板収容器を保持する。この基板収容器には、例えば複数の基板が収容される。図１の例においては、複数の収容器保持部１１０が設けられており、これらは、水平面に平行な一方向（以下、Ｘ方向とも呼ぶ）に沿って配列されている。
基板処理部１３０は、基板に対して所定の処理を施すための装置である。図１の例においては、複数の基板処理部１３０（図示例では基板処理部１３０ａ〜１３０ｄ）が設けられている。基板処理部１３０ａ〜１３０ｄはそれぞれ基板に対して各種の処理を行う。説明の便宜上、各基板は基板処理部１３０ａ〜１３０ｄの順に処理を受ける場合を想定する。例えば基板処理部１３０ａは基板に対して処理液（薬液、リンス液またはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）液などの処理液）を供給する。これにより、処理液に応じた処理が基板に対して行われる。後の基板処理部１３０ｃにおける処理にとって、基板に電荷が蓄積されていることは望ましくない。また、基板処理部１３０ｂによる処理（例えばＩＰＡを用いた処理）によって、有機物が不純物として基板の主面上に残留することがあり、そのような有機物は除去することが望ましい。
基板通過部１２０は収容器保持部１１０と基板処理部１３０ａ〜１３０ｄの各々との間に位置している。未処理の基板は収容器保持部１１０から基板通過部１２０を経由して基板処理部１３０ａへと渡される。基板処理部１３０ａにおいて処理が施された処理済みの基板は、当該基板処理部１３０ａから基板通過部１２０を経由して、収容器保持部１１０、或いは、他の基板処理部１３０ｂへと渡される。基板処理部１３０ｂ〜１３０ｄの間の基板の時間順次の搬送も同様である。
基板通過部１２０は例えばインデクサロボット１２１、パス部１２２および搬送ロボット１２３を備えている。インデクサロボット１２１は次に説明するインデクサ搬送路１２４をＸ方向に往復移動することができる。インデクサ搬送路１２４は、複数の収容器保持部１１０に隣り合ってＸ方向に延びる搬送路である。インデクサロボット１２１は、このインデクサ搬送路１２４において、各収容器保持部１１０と対向する位置で停止することができる。
インデクサロボット１２１は例えばアームとハンドとを有している。ハンドはアームの先端に設けられており、基板を保持したり、或いは、保持した基板を解放できる。ハンドは、アームの駆動によって、水平面に平行かつＸ方向に垂直な方向（以下、Ｙ方向とも呼ぶ）に往復移動可能である。インデクサロボット１２１は、収容器保持部１１０と対向した状態で、ハンドを収容器保持部１１０へと移動させて、未処理の基板を収容器保持部１１０から取り出したり、処理済みの基板を収容器保持部１１０に渡すことができる。
パス部１２２はインデクサ搬送路１２４に対して収容器保持部１１０とは反対側に位置している。例えばパス部１２２は、インデクサ搬送路１２４のＸ方向における中央部と対向する位置に形成されてもよい。例えばパス部１２２は、基板が載置される載置台あるいは棚を有していてもよい。インデクサロボット１２１はアームを水平面において１８０度回転させることができる。これにより、インデクサロボット１２１はハンドをパス部１２２へと移動させることができる。インデクサロボット１２１は、収容器保持部１１０から取り出した基板をパス部１２２に渡したり、パス部１２２に載置された基板をパス部１２２から取り出すことができる。
搬送ロボット１２３はパス部１２２に対してインデクサ搬送路１２４とは反対側に設けられている。また複数（図１では４つ）の基板処理部１３０が搬送ロボット１２３を囲むように配置されている。図１の例においては、基板処理部１３０の各々に隣接する流体ボックス１３１が設けられている。流体ボックス１３１は、隣接する基板処理部１３０へと処理液を供給し、また当該基板処理部１３０から使用済の処理液を回収することができる。
搬送ロボット１２３もインデクサロボット１２１と同様に、アームおよびハンドを有している。この搬送ロボット１２３はパス部１２２から基板を取り出したり、パス部１２２に基板を渡すことができる。また搬送ロボット１２３は各基板処理部１３０へと基板を渡したり、各基板処理部１３０から基板を取り出すことができる。なおインデクサロボット１２１および搬送ロボット１２３は、基板を搬送する搬送手段とみなすことができる。
これらの構成により、例えば次のような概略動作が行われ得る。すなわち、収容器保持部１１０に収容された各半導体基板は、インデクサロボット１２１によってパス部１２２に順次に搬送される。そして、基板は搬送ロボット１２３によって基板処理部１３０ａ〜１３０ｄに順次に搬送され、基板処理部１３０ａ〜１３０ｄにおいてそれぞれの処理を受ける。一連の処理が完了した基板は、パス部１２２およびインデクサロボット１２１によって収容器保持部１１０に戻される。
＜基板処理装置＞
図２および図３は、基板処理装置１０の構成の一例を概略的に示す図である。この基板処理装置１０は例えばパス部１２２に設けられてもよい。図２および図３は、例えばＹ方向に垂直な断面の構成の一例を示している。なお、基板処理装置１０は必ずしもパス部１２２に設けられる必要はなく、たとえば基板処理部１３０ｄとして設けられてもよい。言い換えれば、基板処理装置１０は複数の基板処理部１３０のうちの一部として設けられてもよい。
基板処理装置１０は、基板保持台１、移動機構１２、紫外線照射器２、筒部材３、第１気体供給部４１、第２気体供給部４２および排気部６１を備えている。
＜基板保持台＞
基板保持台１は、基板Ｗ１を水平に保持する部材である。基板Ｗ１は半導体基板（すなわち半導体ウエハ）の場合、基板Ｗ１は略円形の平板状である。基板保持台１は円柱状の形状を有しており、上面１ａと側面１ｂと下面１ｃとを有している。側面１ｂは上面１ａの周縁および下面１ｃの周縁を連結する。基板保持台１の上面１ａの上には、基板Ｗ１が載置される。
図４は、基板保持台１を上面１ａ側から見た構成の一例を概略的に示している。図２から図４に例示するように、上面１ａには、一対の溝（搬送溝）１１が形成されている。一対の溝１１の内部には、インデクサロボット１２１または搬送ロボット１２３のハンド１２５が挿入される。一対の溝１１は、基板保持台１の上面１ａの周縁の一部から水平面に平行な方向（図の例ではＹ方向）に沿って延在し、上面１ａの周縁の他の一部に至る。換言すれば、一対の溝１１の各々は、その両端においてＹ方向に開口する。一対の溝１１は互いに平行に延在している。また一対の溝１１は基板保持台１の上面１ａの中心を挟む位置にそれぞれ形成されている。溝１１の幅（Ｘ方向に沿う幅）はハンド１２５の幅よりも広く、溝１１の深さ（鉛直方向（Ｚ方向とも呼ぶ）に沿う深さ）は、ハンド１２５の厚み（Ｚ方向に沿う厚み）よりも深い。
基板Ｗ１は次のように基板保持台１に載置される。即ち、基板Ｗ１は、ハンド１２５の上に載置された状態で、基板保持台１の上方に搬送される。次にハンド１２５が上方から基板保持台１へと移動する。この移動に伴って、ハンド１２５が上方から一対の溝１１に挿入される。また移動により、基板Ｗ１が基板保持台１に載置され、ハンド１２５から離れる。その後、インデクサロボット１２１または搬送ロボット１２３はハンド１２５をＹ方向に移動させて、ハンド１２５を溝１１の内部から引き抜く。これにより、基板Ｗ１が基板保持台１に載置される。
図４に例示するように、基板保持台１の上面１ａは、溝１１とは別の領域において、基板Ｗ１へ向かって突起する複数の突起形状（以下、突起部１７と呼ぶ）を有していてもよい。この突起部１７はピンとも呼ばれる。この突起部１７は例えば円柱形状を有している。突起部１７は例えば石英で作製される。突起部１７が設けられる場合には、基板Ｗ１はこの突起部１７の先端によって支持される。突起部１７の高さ（Ｚ方向に沿う高さ）は、基板Ｗ１のたわみ量よりも高い。これにより、基板Ｗ１は突起部１７以外の位置では上面１ａと接触しない。突起部１７の高さは例えば０．５［ｍｍ］程度に設定され得る。
＜紫外線照射器＞
紫外線照射器２は基板Ｗ１に対して上方側（基板保持台１とは反対側）に配置されている。つまり紫外線照射器２、基板Ｗ１および基板保持台１はこの順でＺ方向において並んでいる。紫外線照射器２は紫外線を発生し、当該紫外線を基板Ｗ１の主面（基板保持台１とは反対側の主面）へ照射することができる。紫外線照射器２としては、例えばエキシマＵＶ（紫外線）ランプを採用できる。この紫外線照射器２は、例えば放電用のガス（例えば希ガスまたは希ガスハロゲン化合物）を充填した石英管と、当該石英管内に収納された一対の電極とを備えている。放電用のガスは一対の電極間に存在している。一対の電極間に高周波で高電圧を印加することにより、放電用ガスが励起されてエキシマ状態となる。放電用ガスはエキシマ状態から基底状態へ戻る際に紫外線を発生する。
紫外線照射器２は例えば平板状に形成されていてもよい。紫外線照射器２は例えばその法線方向がＺ方向に沿う姿勢で配置される。言い換えれば、紫外線照射器２は水平に配置される面光源である。あるいは、紫外線照射器２は円柱状の複数の紫外線単位照射器の配列として設けられてもよい。例えば複数の紫外線単位照射器のそれぞれは、その中心軸がＸ方向に沿う姿勢で配置される。この場合、複数の紫外線単位照射器はＹ方向に沿って並列的に配置される。つまり、この態様では、複数の紫外線単位照射器の水平に配置によって、実質的な面光源が構成される。
紫外線照射器２は保護用の石英ガラス板２１を有している。石英ガラス板２１は基板Ｗ１側に設けられている。石英ガラス板２１は、紫外線に対して透光性を有するとともに、耐熱性かつ対食性を有している。この石英ガラス板２１は、外力から紫外線照射器２を保護するとともに、紫外線照射器２と基板Ｗ１との間の雰囲気に対しても紫外線照射器２を保護することができる。紫外線照射器２において発生した紫外線は石英ガラス板２１を通過して基板Ｗ１へと照射される。
＜移動機構１２＞
移動機構１２は基板保持台１をＺ方向に沿って移動させることができる。例えば移動機構１２は基板保持台１の下面１ｃに取り付けられている。この移動機構１２は、基板保持台１が紫外線照射器２に近い第１位置（図３参照）と、基板保持台１が紫外線照射器２から遠い第２位置（図２参照）との間で、基板保持台１を往復移動させることができる。後に説明するように、第１位置は、紫外線を用いた処理を基板Ｗ１に対して行うときの基板保持台１の位置であり、第２位置は、基板Ｗ１の授受を行うときの基板保持台１の位置である。第１位置における基板保持台１と紫外線照射器２との間の距離は、第２位置における基板保持台１と紫外線照射器２との間の距離よりも短い。移動機構１２には、例えば油圧シリンダまたは一軸ステージなどを採用し得る。移動機構１２はベローズによって周囲が覆われていてもよい。
＜筒部材および気体供給部＞
筒部材３は内周面（内面）３ａ、外周面３ｂ、上面３ｃおよび下面３ｄを有しており、筒状形状を有している。上面３ｃは、内周面３ａと外周面３ｂとを連結する面であって、紫外線照射器２側の面である。下面３ｄは、内周面３ａと外周面３ｂとを連結する面であって、紫外線照射器２とは反対側の面である。図５は、筒部材３の構成の一例を概略的に示す斜視図であり、図６は、Ｚ方向に沿って見た筒部材３の構成の一例を概略的に示す図である。筒部材３は円筒形状を有している。筒部材３の内周面３ａの径は基板保持台１の側面１ｂの径よりも大きい。図３を参照して、筒部材３の内周面３ａは、基板保持台１が第１位置で停止した状態において、基板保持台１の側面１ｂを囲んでいる。
基板保持台１が第１位置で停止した状態（図３）において、紫外線照射器２が紫外線を照射する。これにより、紫外線を用いた処理が基板Ｗ１に対して行われる。その一方で、基板保持台１が第１位置で停止した状態では、基板Ｗ１の周囲が紫外線照射器２、筒部材３および基板保持台１によって囲まれる。したがって、この状態では基板Ｗ１を基板保持台１から容易に取り出すことができない。
そこで、移動機構１２は基板保持台１を第２位置に移動させる（図２）。これにより、基板保持台１は筒部材３の内周面３ａの内部から、紫外線照射器２に対して遠ざかる方向に退く。この第２位置において、基板Ｗ１は筒部材３の下面３ｄに対して鉛直下方側（紫外線照射器２とは反対側）に位置する。よって、インデクサロボット１２１または搬送ロボット１２３は、筒部材３によって阻害されることなく、基板Ｗ１をＹ方向に沿って移動させて、基板Ｗ１を取り出すことができる。逆に、インデクサロボット１２１または搬送ロボット１２３は、基板保持台１が第２位置で停止した状態で、基板Ｗを基板保持台１に載置することができる。
筒部材３には、第１貫通孔３１と、第２貫通孔３２１，３２２とが形成されている。まず第２貫通孔３２１，３２２を説明する。第２貫通孔３２１，３２２は筒部材３を貫通して、紫外線照射器２と基板Ｗ１との間の空間に連通している。以下では、当該空間を作用空間Ｈ１とも呼ぶ。具体的には、第２貫通孔３２１，３２２の一端は筒部材３の上面３ｃにおいて開口している。以下では、第２貫通孔３２１，３２２の一端を開口部（給気開口部）３２１ａ，３２２ａとも呼ぶ。開口部３２１ａ，３２２ａが形成された位置において、筒部材３の上面３ｃは空隙を介して紫外線照射器２と対向している。開口部３２１ａ，３２２ａの各々と紫外線照射器２との間の空間は作用空間Ｈ１に連続している。つまり、第２貫通孔３２１，３２２は作用空間Ｈ１と連通する。開口部３２１ａ，３２２ａは、内周面３ａの中心軸を介して互いに向かい合う位置に形成されている。
第２貫通孔３２１，３２２の他端は筒部材３の外周面３ｂにおいて開口している。第２貫通孔３２１，３２２の他端は第２気体供給部４２に連結されている。具体的には、第２貫通孔３２１の他端は第２気体供給部４２ａに接続され、第２貫通孔３２２の他端は第２気体供給部４２ｂに接続されている。第２気体供給部４２ａ，４２ｂは酸素または不活性ガス（例えば窒素またはアルゴンなど）などの気体を、それぞれ第２貫通孔３２１，３２２を経由して作用空間Ｈ１に供給することができる。つまり、第２貫通孔３２１，３２２は給気用の経路として機能する。
第２気体供給部４２ａ，４２ｂの各々は、配管４２１、開閉弁４２２および気体収容器４２３を備えている。第２気体供給部４２ａ，４２ｂは配管４２１の接続先を除いて、互いに同一である。よって、まず共通する内容について述べる。気体収容器４２３は、作用空間Ｈ１へと供給すべき気体を収容している。気体収容器４２３は配管４２１の一端に連結される。開閉弁４２２は配管４２１に設けられて、配管４２１の開閉を切り替える。次に第２気体供給部４２ａ，４２ｂの配管４２１の他端の接続先について説明する。第２気体供給部４２ａの配管４２１の他端は第２貫通孔３２１の他端に連結され、第２気体供給部４２ｂの配管４２１の他端は第２貫通孔３２２の他端に連結される。
図２および図３の例においては、開口部３２１ａ，３２２ａはＺ方向に沿って紫外線照射器２側に開口している。開口部３２１ａ，３２２ａからそれぞれ吐出された気体は、紫外線照射器２に当たった後に径方向に流れて、基板Ｗ１の中央付近で互いに衝突して、Ｚ方向に沿って基板Ｗ１側へと流れ、続けて基板Ｗ１をその主面に沿って流れる。これによれば、一旦、紫外線照射器２に気体を衝突させるので、その圧力が分散され、作用空間Ｈ１における圧力分布をより均一化できる。また基板Ｗ１の直上では、その中央付近から周縁へと気体を流すことができる。
第１貫通孔３１は筒部材３を貫通して、筒部材３の内周面３ａにおいて開口する。以下では、第１貫通孔３１の内周面３ａ側の一端を開口部（側方開口部）３１ａとも呼ぶ。第１貫通孔３１の開口部３１ａは第２貫通孔３２１，３２２の開口部３２１ａ，３２２ａのいずれに対しても、下方側（紫外線照射器２とは反対側）に位置する。
この開口部３１ａは、基板保持台１が第１位置で停止した状態（図３）において、基板保持台１の側面１ｂと対向する。より具体的には、開口部３１ａは基板保持台１の溝１１の底面と基板保持台１の下面１ｃとの間において、側面１ｂと対向する。これにより、開口部３１ａを通るＸＹ平面においては、溝１１が存在せず、筒部材３の内周面３ａおよび基板保持台１の側面１ｂが略リング状の空間（以下、リング空間とも呼ぶ）を形成する。
このリング空間は、筒部材３に対して下方側の空間（以下、非作用空間とも呼ぶ）Ｈ２と、作用空間Ｈ１との間に位置している。言い換えれば、作用空間Ｈ１と非作用空間Ｈ２とはリング空間を経由して互いに連通している。
第１貫通孔３１の一端は筒部材３の外周面３ｂにおいて開口する。第１貫通孔３１の他端は第１気体供給部４１に接続されている。第１気体供給部４１は例えば酸素または不活性ガス（例えば窒素またはアルゴンなど）などの気体を、第１貫通孔３１を経由して、リング空間に供給することができる。つまり、第１貫通孔３１は給気用の経路として機能する。第１気体供給部４１は第２気体供給部４２と同じ気体を供給する。第１気体供給部４１は配管４１１、開閉弁４１２および気体収容器４１３を有している。気体収容器４１３は、リング空間へと供給すべき気体を収容している。気体収容器４１３は配管４１１の一端に連結される。開閉弁４１２は配管４１１に設けられて、配管４１１の開閉を切り替える。配管４１１の他端は第１貫通孔３１の他端に連結される。
開口部３１ａの開口軸の方向（開口部３１ａを規定する開口面の法線の正負の方向のうち、第１貫通孔３１の内部から外部へと出る向きとして定義される。以下、同様）は、図２および図３に例示するように、内周面３ａの径方向に沿った方向とされていてもよい。つまり、第１貫通孔３１のうち開口部３１ａに連なる部分が、径方向に沿って延在していてもよい。その一方で開口部３１ａの開口軸の方向は、図５および図６に例示するように、内周面３ａの周方向に沿った方向（筒部材３の内周を規定する円環の接線方向）とされていてもよい。つまり、第１貫通孔３１のうち開口部３１ａに連なる部分が、周方向に沿って延在していてもよい。開口部３１ａの開口軸が周方向に沿っている場合には、開口部３１ａからの気体の噴出方向がリング空間の周方向に略一致するため、リング空間に沿って効率的に気体を供給することができる。よって、気体は当該リング空間に沿って周方向に流れやすい。つまり、より小さい気体供給圧力で気体をリング空間の全周に亘って流すことができる。
また図２、図３、図５および図６の例においては、筒部材３の内周面３ａには溝３３が形成されている。溝３３は内周面３ａの周方向に沿って全周に亘って延在している。第１貫通孔３１の開口部３１ａはこの溝３３に形成されている。例えば、開口部３１ａは溝３３の底面（Ｚ方向に沿って延在する面）に形成されている。これによれば、溝３３によってリング空間がＺ方向に挟まれるので、気体を周方向に沿って流しやすい。またリング空間の体積を向上できるので、リング空間を流れる気体の量を向上できる。
＜密閉空間＞
基板処理装置１０は密閉空間を形成してもよい。図２および図３の例においては、紫外線照射器２、筒部材３、隔壁５および床部５１が互いに連結して、密閉空間を形成している。紫外線照射器２の下面は、その周縁側の部分において、筒部材３側に突起する突起形状を有している。筒部材３の上面３ｃのうち外周側の部分は、その突起部に連結されている。第２貫通孔３２１，３２２の開口部３２１ａ，３２２ａは上面３ｃのうち内周側の部分に形成されており、紫外線照射器２の下面とＺ方向において空隙を介して対面する。隔壁５は筒部材３の下面３ｄと連結している。隔壁５はＺ方向に延在して床部５１に連結される。紫外線照射器２、筒部材３、隔壁５および床部５１によって形成される密閉空間には、基板保持台１および移動機構１２が収容される。
＜排気＞
隔壁５には、排気用の貫通孔５２が形成されている。この貫通孔５２は排気部６１に連結されている。排気部６１は、例えば、貫通孔５２に連結される配管６１１などを備えている。基板処理装置１０の内部の空気は配管６１１を経由して外部へと排気される。
＜シャッタ＞
隔壁５には、基板Ｗ１用の出入り口として機能するシャッタ（不図示）が設けられている。シャッタが開くことにより、基板処理装置１０の内部と外部とが連通する。インデクサロボット１２１または搬送ロボット１２３は、この開いたシャッタを介して基板Ｗ１を基板処理装置１０の内部に入れたり、また基板Ｗ１を取り出すことができる。基板処理装置１０がパス部１２２に設けられる場合には、インデクサロボット１２１用のシャッタと、搬送ロボット１２３用のシャッタとが設けられる。
＜制御部＞
紫外線照射器２、移動機構１２、第１気体供給部４１の開閉弁４１２、第２気体供給部４２の開閉弁４２２およびシャッタは、制御部７によって制御される。
制御部７は電子回路機器であって、例えばデータ処理装置および記憶媒体を有していてもよい。データ処理装置は例えばＣＰＵ(Central Processor Unit)などの演算処理装置であってもよい。記憶部は非一時的な記憶媒体（例えばＲＯＭ(Read Only Memory)またはハードディスク）および一時的な記憶媒体（例えばＲＡＭ(Random Access Memory)）を有していてもよい。非一時的な記憶媒体には、例えば制御部７が実行する処理を規定するプログラムが記憶されていてもよい。処理装置がこのプログラムを実行することにより、制御部７が、プログラムに規定された処理を実行することができる。もちろん、制御部７が実行する処理の一部または全部がハードウェアによって実行されてもよい。
＜基板処理装置の動作＞
図７は、基板処理装置１０の動作の一例を示すフローチャートである。移動機構１２は初期的には、基板保持台１を第２位置で停止させている（図２）。またここでは一例として排気部６１による排気は常時行われている。ステップＳ１にて、制御部７はシャッタを開いた上で、インデクサロボット１２１または搬送ロボット１２３を制御して、基板Ｗ１を基板保持台１の上に配置し、シャッタを閉じる。次にステップＳ２にて、制御部７は例えば第１気体供給部４１（具体的には開閉弁４１２）および第２気体供給部４２（具体的には開閉弁４２２）を制御して、気体の供給を開始する。これにより、開口部３１ａ，３２１ａ，３２２ａの各々から気体が吐出される。気体としては、例えば窒素を採用することができる。なおステップＳ１，Ｓ２の実行順序は逆であってもよく、これらが並行して実行されてもよい。
次にステップＳ３にて、制御部７は移動機構１２を制御して、基板保持台１を紫外線照射器２へと近づけ、第１位置で停止させる。第１位置において、基板Ｗ１と紫外線照射器２との間の距離は例えば数［ｍｍ］から数十［ｍｍ］程度である。より具体的な一例としては、例えば２［ｍｍ］を採用できる。
次にステップＳ４にて、制御部７は紫外線照射器２に紫外線を照射させる。なお制御部７は、作用空間Ｈ１の雰囲気が所定の雰囲気になったときに、ステップＳ３を実行してもよい。例えば制御部７はステップＳ２からの経過時間を計時する。経過時間の計時はタイマ回路などの計時回路によって行われ得る。制御部７はこの経過時間が所定の基準値よりも大きいか否かを判断し、肯定的な判断をしたときに、ステップＳ３を実行してもよい。あるいは、作用空間Ｈ１の雰囲気を計測し、制御部７は、作用空間Ｈ１の雰囲気が所定の雰囲気になっているか否かを、その計測値に基づいて判断してもよい。
紫外線照射器２による紫外線の照射によって、紫外線を用いた処理が基板Ｗ１に対して行われる。例えば基板Ｗ１に紫外線が照射されることにより、基板Ｗ１の電荷が除去される。その理由の一つは、基板Ｗ１に光電効果が生じるからである、と考えられている。紫外線の波長としては例えば２５２［ｎｍ］以下の波長を採用できる。この波長範囲において、基板Ｗ１の電荷を効果的に除去できるからである。より効果的な波長として、１７２±２０［ｎｍ］内の波長を採用できる。
次にステップＳ５にて、制御部７は、基板Ｗ１に対する処理を終了すべきか否かを判断する。例えば制御部７はステップＳ４からの経過時間が所定時間を超えているときに、処理を終了すべきと判断してもよい。あるいは、例えば基板Ｗ１の電荷を計測し、その測定値に基づいて判断を行ってもよい。基板Ｗ１に対する処理を終了すべきではないと判断したときには、制御部７は再びステップＳ５を実行する。処理を終了すべきと判断したときには、ステップＳ６にて、制御部７は紫外線照射器２に紫外線の照射を停止させる。これにより、紫外線を用いた処理（例えば電荷の除去処理）が終了する。
さて、この基板処理装置１０によれば、基板保持台１がステップＳ３にて第１位置で停止すると、筒部材３の内周面３ａおよび基板保持台１の側面１ｂは、リング空間を形成する。ステップＳ３に先立つステップＳ２において、第１気体供給部４１が気体の供給を開始しているので、このリング空間には、気体が供給されている。またステップＳ２において第２気体供給部４２が気体の供給を開始しているので、作用空間Ｈ１にも、気体が供給されている。この作用空間Ｈ１はリング空間と連通しているので、作用空間Ｈ１内の気体はリング空間を経由して非作用空間Ｈ２へと流れ得る。
作用空間Ｈ１内においては、気体の相互作用により、局所的に負圧が生じ得る。この場合、リング空間側から作用空間Ｈ１へと気体が流れ込み得る。リング空間には、第１気体供給部４１から気体が供給されているので、作用空間Ｈ１へは、主として、この第１気体供給部４１からの気体が流れ込む。その一方で、非作用空間Ｈ２からの空気は、このリング空間内の気体が障壁となって、作用空間Ｈ１へと流れ込みにくい。
比較例として、第１貫通孔３１が筒部材３に形成されていない場合について考える。この場合、作用空間Ｈ１内に局所的な負圧が生じると、非作用空間Ｈ２内の空気がリング空間を経由して作用空間Ｈ１へと流れ込む。非作用空間Ｈ２内の空気は所定の雰囲気とは異なるので、この流れ込みによって、作用空間Ｈ１内の雰囲気が所定の雰囲気から遠ざかることになる。例えば第２気体供給部４２が作用空間Ｈ１に窒素を供給して、作用空間Ｈ１の酸素濃度を低下させる場合、非作用空間Ｈ２内の酸素が作用空間Ｈ１へ流れ込むことにより、作用空間Ｈ１内の酸素濃度が増大する。よって、酸素濃度を低下させるのに要する時間が長くなる。
これに対して、基板処理装置１０によれば、リング空間には第１気体供給部４１から気体が供給されている。リング空間内の気体は非作用空間Ｈ２からの空気に対する障壁として機能するので、非作用空間Ｈ２から作用空間Ｈ１へと向かう空気が流れ込むことを抑制できる。よって、作用空間Ｈ１の雰囲気を所定の雰囲気にするのに要する時間を短縮化できる。つまり、より短時間で作用空間Ｈ１の雰囲気を所定の雰囲気にすることができる。したがって、基板処理のスループットを向上することができる。
図５および図６例においては、開口部３１ａが内周面３ａの周方向に沿って開口している。この場合、気体をリング空間に沿って流しやすく、リング空間の全周において気体を充填させやすい。これによれば、開口部３１ａが径方向に沿って開口する場合に比べて、小さい圧力で気体を流しても、気体をリング空間を全周に亘って流しやすい。つまり、リング空間の全周に亘って上記障壁を形成しやすい。
上述の例においては、溝３３が形成されている。この溝３３はリング空間をＺ方向において挟むので、気体をリング空間に沿って流しやすい。またリング空間の体積を向上できるので、リング空間に含まれる気体の量を向上できる。これにより、作用空間Ｈ１に比較的大きな負圧が局所的に生じたとしても、リング空間から十分な気体を作用空間Ｈ１に流し込むことができる。言い換えれば、作用空間Ｈ１に比較的大きな負圧が生じたとしても、非作用空間Ｈ２からの空気は作用空間Ｈ１へ流れ込みにくい。
ところで、作用空間Ｈ１に局所的な負圧が生じると、基板保持台１の溝１１の空間内の空気が作用空間Ｈ１へと流れ込み得る。よって、当該空間内の雰囲気が所定の雰囲気と相違することは好ましくない。
上述の例においては、制御部７はステップＳ２を実行した後で、ステップＳ３を実行している。つまり、制御部７は気体の供給を開始した以後に、基板保持台１を移動させている。これにより、基板保持台１の移動中にも、筒部材３の内周面３ａの開口部３１ａから気体が供給されている。よって、この移動中に溝１１がＺ方向において開口部３１ａに近づくと、開口部３１ａからの気体が基板保持台１の溝１１の内部にも流れ込む。これにより、溝１１の内部の空気の少なくとも一部が開口部３１ａから供給される気体に置換される。よって、溝１１の空間の雰囲気を所定の雰囲気に近づけることができる。したがって、溝１１の空間から作用空間Ｈ１へと気体が流れ込んだとしても、作用空間Ｈ１の雰囲気を所定の雰囲気から遠ざけにくい。つまり、ステップＳ２をステップＳ３，Ｓ４の間で実行する場合に比べて、より短時間で作用空間Ｈ１の雰囲気を所定の雰囲気にすることができる。
溝１１が基板保持台１の上面１ａの周縁の一部から当該周縁の他の一部まで延在していれば、つまり、溝１１が水平方向（例えばＹ方向）の両端で開口していれば、気体が溝１１の内部を流れやすい。よって、溝１１の内部の雰囲気をより所定の雰囲気に近づけやすい。
上述の例においては、作用空間Ｈ１用の給気経路として機能する第２貫通孔３２１，３２２が筒部材３に形成されている。つまり、基板保持台１の側方において給気経路を形成している。これは、基板Ｗ１の上方に紫外線照射器２が存在する本基板処理装置１０によって好適である。つまり、第２気体供給部４２を基板Ｗ１の上方に配置する場合には、紫外線照射器２および第２気体供給部４２が互いに干渉しないように、これらを配置する必要性が生じるところ、筒部材３に第２貫通孔３２１，３２２を形成することにより、第２気体供給部４２を基板Ｗ１の上方に配置する必要がなく、紫外線照射器２および第２気体供給部４２の形状の自由度を向上できるのである。
＜第１貫通孔＞
＜周方向に配列＞
筒部材３の内周面３ａには、開口部が複数形成されていてもよい。図８は、筒部材３の概略的な構成の一例を示す上面図である。筒部材３には、複数の第１貫通孔３１が形成されている。複数の第１貫通孔３１の各々の一端（開口部３１ａ）は内周面３ａにおいて開口している。複数の開口部３１ａは周方向において間隔を空けて並んでいる。例えば複数の開口部３１ａは周方向で等間隔な位置に形成される。また複数の開口部３１ａのいずれもが溝３３において形成される。
複数の第１貫通孔３１の各々の他端は外周面３ｂにおいて開口している。当該他端は第１気体供給部４１に接続される。第１気体供給部４１は複数の第１貫通孔３１を経由してリング空間へと気体を供給する。これによれば、気体は周方向における複数の位置からリング空間へと供給される。
また複数の開口部３１ａのいずれもが、内周面３ａの周方向のうち同じ一方向（例えば時計回り方向）に沿って開口している。これによれば、気体をリング空間の全周に流しやすい。これを一般的に表現すれば、それぞれの開口部の開口軸の方向を、周方向の時計回りおよび反時計回りのうち一方の回りの向きに揃えてあることになる。ここで、時計回りおよび反時計回りは相対的なものであり、Ｚ軸の正方向から見て定義してもよく、Ｚ軸の負方向から見て定義してもよい。
ところで、圧力はその開口部３１ａの直後が最も高く、開口部３１ａから離れるほど低下する。同じ方向に開口する複数の開口部３１ａが周方向において互いに異なる位置に形成される場合には、圧力の高い位置が周方向において異なることになる。これによれば、全体として圧力分布を均一化できる。もし仮にリング空間内の気体の圧力が局所的に低下すると、その部分を経由して非作用空間Ｈ２の空気が作用空間Ｈ１へと流れ込みやすくなる。リング空間の気体の圧力分布を均一化することにより、非作用空間Ｈ２から作用空間Ｈ１への空気の流れ込みを、周方向の位置に依らず抑制できる。
なお図８の例においては、複数の第１貫通孔３１の他端は外周面３ｂにおいて互いに異なる位置で開口しているものの、同じ位置で開口してもよい。つまり、外周面３ｂの一つの開口に連なる孔が複数の孔に分岐し、これら複数の孔がそれぞれ異なる位置で内周面３ａにおいて開口していてもよい。後述する他の貫通孔も同様である。
＜Ｚ方向に配列＞
筒部材３の内周面３ａに形成される開口部は、Ｚ方向において互いに異なる位置に形成されてもよい。図９は、筒部材３の概略的な構成の一例を示す図である。図９では、基板保持台１が第１位置で停止した状態での、紫外線照射器２および基板保持台１も示している。
例えば筒部材３には、複数の第１貫通孔３１１〜３１３が形成されている。第１貫通孔３１１〜３１３の各々の一端は内周面３ａにおいて開口している。以下では、第１貫通孔３１１〜３１３の一端を開口部３１１ａ〜３１３ａとも呼ぶ。開口部３１１ａ〜３１３ａはＺ方向において互いに異なる位置に形成される。例えば開口部３１１ａ〜３１３ａはＺ方向において等間隔な位置に形成されてもよい。
基板保持台１が第１位置で停止した状態（図９）で、開口部３１１ａ〜３１３ａのいずれもが、Ｚ方向において、基板保持台１の溝１１の底面と基板保持台１の下面１ｃとの間に位置している。これによれば、開口部３１１ａ〜３１３ａの各々を通るＸＹ平面において、溝１１が存在せず、筒部材３の内周面３ａと基板保持台１の側面１ｂとがリング空間を形成する。
複数の第１貫通孔３１１〜３１３の他端の各々は筒部材３の外周面３ｂにおいて開口している。当該他端は第１気体供給部４１に接続される。第１気体供給部４１は第１貫通孔３１１〜３１３を経由してリング空間へと気体を供給する。これによれば、Ｚ方向における複数の位置から気体がリング空間に供給される。よって、気体を多層でリング空間に流すことができる。以下では、第１貫通孔３１１〜３１３をそれぞれ第１層貫通孔３１１、第２層貫通孔３１２および第３層貫通孔３１３と呼ぶことがある。
図９の例においては、各層の開口部３１１ａ〜３１３ａは径方向に開口しているものの、内周面３ａの周方向に開口してもよい。これによれば、開口部３１１ａ〜３１３ａからの気体をリング空間に沿って供給することができる。よって気体は各層のリング空間を全周に亘って流れやすい。また開口部３１１ａ〜３１３ａのいずれもが、内周面３ａの周方向のうち同じ一方向（例えば時計回り方向）に沿って開口していてもよい。つまり、Ｚ方向において異なる位置に形成された開口部３１１ａ〜３１３ａはいずれも同じ方向に開口してもよい。
これによれば、各層の気体が同じ方向に流れる。比較のために、開口部３１２ａの開口方向が開口部３１１ａ，３１３ａと反対である場合を考慮する。この場合、各層の気体が相互に作用して、その各層の周方向の流れを互いに阻害し得る。これにより、例えば、各層において、気体がリング空間の途中までしか流れることができなくなることが考えられる。これは障壁としての能力低下を招く。これに対して、各層の気体が同じ方向に流れることにより、各層において気体がリング空間の全周を流れやすく、障壁としての能力を向上することができる。
図９の例においては、筒部材３の内周面３ａには、複数の溝３３１〜３３３が形成されている。複数の溝３３１〜３３３はＺ方向において互いに異なる位置に形成されている。以下では、溝３３１〜３３３をそれぞれ第１層溝３３１、第２層溝３３２および第３層溝３３３とも呼ぶことがある。溝３３１〜３３３の各々は内周面３ａの周方向に沿って全周に亘って延在する。開口部３１１ａ〜３１３ａはそれぞれ溝３３１〜３３３の内部に形成される。例えば開口部３１１ａ〜３１３ａはそれぞれ溝３３１〜３３３の底面（Ｚ方向に沿う面）に形成されている。
これによれば、開口部３１１ａから吐出される気体は主として第１層溝３３１を流れ、開口部３１２ａから吐出される気体は主として第２層溝３３２を流れ、開口部３１３ａから吐出される気体は主として第３層溝３３３を流れる。これにより、気体の流れを層状に形成しやすい。
開口部３１１ａ〜３１３ａの周方向における位置は相互に異なっていてもよい。例えば開口部３１１ａ〜３１３ａは周方向において等間隔に配置されてもよい。図１０から図１２は、それぞれ開口部３１１ａ〜３１３ａを通るＸＹ平面における筒部材３の構成の一例を概略的に示す図である。第２層開口部３１２ａ（図１１）は内周面３ａの中心軸を中心として時計回り方向に、第１層開口部３１１ａ（図１０）を１２０度回転させた位置に形成され、第３層開口部３１３ａ（図１２）は第２層開口部３１２ａを同方向に１２０度回転させた位置に形成される。つまり、開口部３１１ａ〜３１３ａは、Ｚ方向から見て、周方向で等間隔となる位置に形成される。
圧力はその開口部３１１ａ〜３１３ａの直後が最も高く、開口部３１１ａ〜３１３ａから離れるほど低下する。同じ方向に開口する開口部３１１ａ〜３１３ａが周方向において互いに異なる位置に形成される場合には、各層（各溝３３１〜３３３）において圧力の高い位置が周方向において異なることになる。これによれば、全体として圧力分布を均一化できる。
＜周方向およびＺ方向＞
また各層において、複数の開口部が形成されてもよい。例えばＺ方向における第１層位置において、複数の第１層貫通孔３１１の開口部（第１層開口部とも呼ぶ）３１１ａが形成され、Ｚ方向における第２層位置において、複数の第２層貫通孔３１２の開口部（第２層開口部とも呼ぶ）３１２ａが形成され、Ｚ方向における第３層位置において、複数の第３層貫通孔３１３の開口部（第３層開口部とも呼ぶ）３１３ａが形成されてもよい。
図１３は、筒部材３に形成される各層の第１貫通孔の一例を概略的に示す図である。図１３においては、２つの第１層貫通孔３１１と、２つの第２層貫通孔３１２と、２つの第３層貫通孔３１３とが示されている。第２層貫通孔３１２および第３層貫通孔３１３は、Ｚ方向において第１層貫通孔３１１と異なる位置に形成されていることを示すべく、仮想線で示されている。
２つの開口部３１１ａ、２つの開口部３１２ａおよび２つの開口部３１３ａは周方向のうち同じ一方向（例えば時計回り方向）に開口している。これを一般的に表現すれば、複数層の開口部のそれぞれの開口部の開口軸の方向を、周方向の時計回りおよび反時計回りのうち一方の回りの向きに揃えてあるということになる。また、これらの開口部３１１ａ〜３１３ａは周方向において互いに異なる位置に形成されていてもよい。例えば、各層の開口部が周方向において等間隔で形成され、全ての層の開口部が全体として周方向で等間隔に形成されてもよい。例えば、２つの第１層開口部３１１ａは筒部材３の中心軸を介して向かい合う位置に形成される。つまり、２つの第１層開口部３１１ａは周方向において等間隔に形成される。２つの第２層開口部３１２ａおよび２つの第３層開口部３１３ａも同様である。２つの第２層開口部３１２ａは、２つの第１層開口部３１１ａを例えば時計回り方向に６０度回転させた位置にそれぞれ形成されており、２つの第３層開口部３１３ａは２つの第２層開口部３１２ａを時計回り方向に６０度回転させた位置に形成されている。これによれば、２つの開口部３１１ａ、２つの開口部３１２ａおよび２つの開口部３１３ａが全体として周方向で等間隔に形成される。
第１層貫通孔３１１、第１層貫通孔３１２および第１層貫通孔３１３の他端は筒部材３の外周面３ｂにおいて開口している。当該他端は第１気体供給部４１に接続される。
上述のように、各層において、同じ方向に開口する開口部が、周方向に並んで配置されていれば、各層においてリング空間の圧力分布を均一化できる。また全ての層の開口部が周方向において互いに異なる位置に形成されていれば、全体としてリング空間の圧力分布を均一化できる。なお、全体としての圧力分布の均一化をわずかでも招来するという点では、ある層の開口部の少なくとも一つが他の層の開口部の少なくとも一つと周方向において異なる位置に形成されていればよい。つまり、異なる層に属する開口部であって、周方向において同じ位置に形成された開口部が存在していても構わない。
＜回転機構＞
図１４は、基板処理装置１０の構成の他の一例を概略的に示す図である。図１４の基板処理装置１０は回転機構１３の有無という点で、図２および図３の基板処理装置１０と相違している。回転機構１３は基板保持台１を回転させ、ひいては基板Ｗ１を回転させる。その回転軸は、例えば基板Ｗ１の中心を通り基板Ｗ１の主面に垂直な軸である。回転機構１３は例えばモータを有している。回転機構１３は制御部７によって制御される。
回転機構１３は、例えば紫外線照射器２による紫外線の照射中において、基板保持台１を回転させて、基板Ｗ１を回転させる。これにより、基板Ｗ１に対して均一に紫外線を照射することができる。
開口部３１ａが周方向に沿って開口する場合、回転機構１３は、開口部３１ａの開口方向（例えば時計回り方向）と同じ方向に基板保持台１を回転させるとよい。これによれば、回転機構１３が逆方向に基板保持台１を回転させる場合に比べて、リング空間内の気体の流れを乱しにくい。つまり、基板保持台１が開口部３１ａの開口方向と反対に回転する場合に比べて、リング空間の気体による障壁の能力を向上できる。
＜基板保持台＞
図２から図４の例においては、基板保持台１には、一対の溝１１が形成されていた。しかるに、一対の溝１１は必ずしも必要ではない。図１５および図１６は、基板保持台１の他の一例たる基板保持台１Ａを概略的に示す図である。図１５は、紫外線照射器２側から見た基板保持台１Ａを示し、図１６は、水平方向に沿って見た基板保持台１Ａを示している。図１６においては、基板保持台１Ａが第１位置で停止した状態における筒部材３も示されている。
基板保持台１Ａの上面１ａには、溝１１の替わりに、複数の突起部１４が形成されている。複数の突起部１４は柱形状（例えば円柱形状）を有している。複数の突起部１４は、インデクサロボット１２１および搬送ロボット１２３のハンド１２５と干渉しない位置に形成される。図１５および図１６の例では、３つの突起部１４が設けられており、それぞれ仮想的な三角形の頂点に位置している。突起部１４の高さ（Ｚ方向における高さ）は、ハンド１２５の厚み（Ｚ方向における厚み）よりも大きい。基板Ｗ１は複数の突起部１４の先端によって支持される。
この基板保持台１Ａを用いる場合、基板保持台１Ａが第１位置で停止した状態（図１６）において、筒部材３の開口部３１ａは、Ｚ方向において、基板保持台１Ａの上面１ａ（突起部１４が設けられていない部分）と下面１ｃとの間に位置している。これにより、開口部３１ａを通るＸＹ平面において、突起部１４が存在せず、筒部材３の内周面３ａと基板保持台１の側面１ｂがリング空間を形成できる。
このような基板保持台１を用いても、開口部３１ａから気体が供給されることによる上記効果を招来できる。ただし、図４の基板保持台１は、基板保持台１Ａに比べて、基板保持台１と基板Ｗ１との間の空間の体積を低減することができる。この空間には、初期的には、所定の雰囲気とは異なる空気が存在しているので、当該空間から作用空間Ｈ１へと空気が流れ込むことは好ましくない。よって当該空間の体積を低減できる基板保持台１は好適である。
図１７から図１９は、基板保持台１の他の一例たる基板保持台１Ｂの構成を概略的に示す図である。図１７は、紫外線照射器２側から見た基板保持台１Ｂを示し、図１８および図１９は、水平方向に沿って見た基板保持台１Ｂを示している。図１９においては、基板保持台１が第１位置で停止した状態における筒部材３も示されている。
基板保持台１Ｂの上面１ａには、溝１１の替わりに、複数の昇降突起部１５および複数の固定突起部１６が形成されている。複数の昇降突起部１５および複数の固定突起部１６は、インデクサロボット１２１および搬送ロボット１２３のハンド１２５と干渉しないように、設けられている。複数の昇降突起部１５は例えば上面１ａの周縁の近傍において周方向で等間隔に設けられる。図１７の例においては、３つの昇降突起部１５が設けられている。昇降突起部１５は柱形状（例えば円柱形状）を有している。昇降突起部１５の先端には、基板Ｗ１が載置される。
昇降突起部１５はＺ方向において昇降可能に設けられている。つまり、昇降突起部１５の突出量（Ｚ方向に沿う高さ）は可変である。昇降突起部１５には、昇降可能ないわゆるリフトピンを採用し得る。この昇降突起部１５の昇降の程度（突出量）は制御部７によって制御される。例えば昇降突起部１５がＺ方向に移動可能であってもよい。このような移動機構には例えばシリンダを採用できる。昇降突起部１５が紫外線照射器２側に移動することにより、昇降突起部１５の突出量が大きくなる（図１８）。つまり昇降突起部１５が高くなる。一方で昇降突起部１５が紫外線照射器２とは反対側に移動することにより、昇降突起部１５の突出量が小さくなる（図１９）。つまり昇降突起部１５が低くなる。
複数の固定突起部１６は、複数の昇降突起部１５とは異なる位置に設けられており、例えば複数の昇降突起部１５の全てよりも上面１ａの中心側に設けられている。複数の固定突起部１６は周方向における位置において等間隔で設けられる。図１７の例においては、３つの固定突起部１６が周方向で等間隔に設けられている。固定突起部１６は柱形状（例えば円柱形状）を有しており、そのＺ方向における高さは、例えばインデクサロボット１２１および搬送ロボット１２３のハンド１２５のＺ方向における厚みよりも小さい。例えば固定突起部１６の高さは０．５［ｍｍ］程度に設定し得る。
この基板保持台１Ｂを用いる場合、基板保持台１Ｂが第１位置で停止した状態（図１９）において、筒部材３の開口部３１ａは、Ｚ方向において、基板保持台１Ｂの上面１ａ（昇降突起部１５および固定突起部１６の両方が設けられていない部分）と下面１ｃとの間に位置している。これにより、開口部３１ａを通るＸＹ平面において、昇降突起部１５および固定突起部１６が存在せず、筒部材３の内周面３ａと基板保持台１の側面１ｂがリング空間を形成できる。
図２０は、基板処理装置１０の動作の一例を示すフローチャートである。初期的には、昇降突起部１５の高さ（突出量）は、インデクサロボット１２１および搬送ロボット１２３のハンド１２５の厚みよりも高い。まず、ステップＳ１１にて、制御部７はシャッタを開き、インデクサロボット１２１または搬送ロボット１２３を制御して、基板Ｗ１を複数の昇降突起部１５に載置する。このとき、ハンド１２５は、基板Ｗ１と基板保持台１Ｂとの間の空間に入り込む（図１８）。そして、制御部７は、ハンド１２５を基板処理装置１０の外部へと退かせた上で、シャッタを閉じる。この状態では、基板Ｗ１は複数の昇降突起部１５によって支持されるものの、未だ固定突起部１６によっては支持されていない。つまり、昇降突起部１５の突出量が、比較的大きい第１値であるときには、基板Ｗ１は固定突起部１６によっては支持されず、昇降突起部１５によって支持される。このとき、基板Ｗ１は自重により撓みやすい。複数の昇降突起部１５は基板Ｗ１の周縁を支持しているので、基板Ｗ１は周縁に対して中心近傍が下がるように、撓み得る。
次にステップＳ１２にて、制御部７は昇降突起部１５の高さ（Ｚ方向に沿う高さ）を低減させる。具体的には、制御部７は昇降突起部１５を紫外線照射器２とは反対側に移動させる。制御部７は基板Ｗ１が昇降突起部１５および固定突起部１６の両方によって支持されるまで、昇降突起部１５の背を低減する。つまり、昇降突起部１５の突出量が第１値よりも小さい第２値であるときに、基板Ｗ１が昇降突起部１５および固定突起部１６の両方によって支持される。これにより、基板Ｗ１を支持する箇所を増やすことができ、基板Ｗ１の撓みを抑制できる。具体的には、固定突起部１６は昇降突起部１５よりも基板Ｗ１の中心側を支持するので、基板Ｗ１の撓みをより効果的に低減することができる。
以降のステップＳ１３〜Ｓ１７はそれぞれステップＳ２〜Ｓ６と同一である。
以上のように、基板保持台１Ｂによれば、基板Ｗ１の撓みを低減できるので、基板Ｗ１と紫外線照射器２との間の距離を、基板Ｗ１の主面上において均一化できる。よって、ステップＳ１５において基板Ｗ１の主面における紫外線の強度を均一化することができる。これにより、基板Ｗ１の主面に対して均一に処理を実行できる。
また上述の例では、ステップＳ１２の後にステップＳ１４を実行している。つまり、昇降突起部１５を低くしたうえで、基板Ｗ１を紫外線照射器２に近づけている。昇降突起部１５を低くすることにより、基板Ｗ１と基板保持台１との間の空間の体積を低減することができる。つまり、当該空間の体積を小さくしたうえで、基板Ｗ１を紫外線照射器２に近づける。したがって、当該空間から作用空間Ｈ１へと流れ込み得る空気の量を低減することができる。これは、作用空間Ｈ１の雰囲気を所定の雰囲気とするのに要する時間を短縮化に寄与する。
また基板保持台１Ｂでは、固定突起部１６を設けている。これによれば、固定突起部１６を昇降突起部１５の置き換えた構造に比して、基板保持台１Ｂの機構を簡略化することができる。ひいては製造コストを低減できる。
なお上記の例では、基板Ｗ１は、昇降突起部１５が下降したときには、昇降突起部１５および固定突起部１７の両方によって支持されている。しかるに、昇降突起部１５の高さが固定突起部１７の高さよりも十分低い状態まで下降することにより、固定突起部１７のみが基板Ｗ１を保持してもよい。或いは、固定突起部１７が基板Ｗ１に接触しないように、昇降突起部１５の高さを調整することにより、昇降突起部１５のみが基板Ｗ１を保持してもよい。
＜第３貫通孔＞
図２１は、基板保持台１の他の一例である基板保持台１Ｃの構成を概略的に示す図である。基板保持台１Ｃは、第３貫通孔１８の有無という点で、基板保持台１と相違する。第３貫通孔１８は基板保持台１を貫通して、基板Ｗ１と基板保持台１との間の空間に連通する。具体的には、第３貫通孔１８の一端は下面１ｃにおいて開口し、他端は溝１１の底面において開口する（搬送溝開口部）。第３貫通孔１８は例えば給気用の貫通孔であって、その一端には、第３気体供給部４３が接続されている。第３気体供給部４３は第３貫通孔１８を経由して、基板Ｗ１と基板保持台１との間の空間に気体を供給する。この気体は例えば第１気体供給部４１および第２気体供給部４２によって供給される気体（例えば窒素）と同じ気体である。第３気体供給部４３は、例えば、第３貫通孔１８の下面１ｃ側の一端に連結する配管と、当該配管の開閉を制御する開閉弁と、当該配管に連結され、気体を収容する気体収容器を有している。
基板処理装置１０の動作の一例は図７と同様である。ただし、第３気体供給部４３による気体の供給開始はステップＳ１３において行われる。
これによれば、基板Ｗ１と基板保持台１との間の空間の雰囲気を所定の雰囲気に近づけることができるので、この空間から作用空間Ｈ１へと気体が流れ込んだとしても、作用空間Ｈ１の雰囲気を所定の雰囲気から遠ざけにくい。
第３貫通孔１８は排気用の貫通孔であってもよい。図２２は、基板保持台１Ｃの構成の一例を概略的に示す図である。基板保持台１Ｃの構成は図２１と同様であるものの、第３貫通孔１８の下面１ｃ側の一端は排気部６２に接続されている。排気部６２は第３貫通孔１８を経由して、基板Ｗ１と基板保持台１との間の空間の気体を排気することができる。排気部６２は、第３貫通孔１８の下面１ｃ側の一端に連結する配管を有している。
これによれば、基板Ｗ１と基板保持台１との間の空間の気体は、第３貫通孔１８を経由して外部に排気されるので、当該空間の気体が作用空間Ｈ１へと流れ込むことを抑制できる。
図２１および図２２では、基板保持台１に対して第３貫通孔１８を形成した構造が示されているものの、基板保持台１Ａ，１Ｂに対して第３貫通孔１８を形成してもよい。第３貫通孔１８が基板Ｗ１と基板保持台との間の空間に連通していればよい。つまり、第３貫通孔１８の一端が、基板保持台１Ａ，１Ｂの上面１ａのうち、基板Ｗ１との接触部とは別の位置において開口していればよい（上面開口部）。具体的には、第３貫通孔１８の一端（上面開口部）は基板保持台１Ａの上面１ａのうち、突起部１４とは異なる位置で開口する。また、第３貫通孔１８の一端（上面開口部）は基板保持台１Ｂの上面１ａのうち、昇降突起部１５および固定突起部１６のいずれとも異なる位置で開口する。
＜基板と紫外線照射器との間の距離＞
図２３は、基板処理装置１０の動作の一例を示すフローチャートである。ステップＳ３１，Ｓ３２はステップＳ１，Ｓ２とそれぞれ同一である。次にステップＳ３３にて、制御部７は移動機構１２を制御して、基板保持台１を第２位置から紫外線照射器２へ移動させて、第３位置で停止させる。つまり基板保持台１を紫外線照射器２に近づける。第３位置は第１位置に対して紫外線照射器２側の位置である。つまり、基板Ｗ１は第１位置よりも第３位置の方が紫外線照射器２に近い。言い換えれば、第３位置における基板Ｗ１と紫外線照射器２との間の距離は、第１位置における基板Ｗ１と紫外線照射器２との間の距離よりも短い。例えば第３位置において、基板Ｗ１と紫外線照射器２との間の距離は１［ｍｍ］である。
次にステップＳ３４にて、制御部７は移動機構１２を制御して、基板保持台１を第３位置から第１位置へと移動させる。つまり基板保持台１を紫外線照射器２から遠ざける。以降のステップＳ３５〜Ｓ３７はそれぞれステップＳ４〜Ｓ６と同一である。
この動作によれば、一旦、基板Ｗ１と紫外線照射器２との間の作用空間Ｈ１の体積を小さくすることができる（ステップＳ３３）。これにより、作用空間Ｈ１内の初期的な空気を非作用空間Ｈ２へと流すことができる。つまり、所定の雰囲気と相違した初期的な空気を、作用空間Ｈ１から流出できる。その後、移動機構１２は基板Ｗ１を紫外線照射器２から遠ざける（ステップＳ３４）。これに伴って、第２気体供給部４２からの気体、および、リング空間からの気体が、作用空間Ｈ１内に引き込まれる。
以上のように、一旦、作用空間Ｈ１の体積を小さくして、その作用空間Ｈ１内の初期の空気を外部へと流す。これにより、第２気体供給部４２からの気体によって作用空間Ｈ１から押し出すべき初期の空気量を予め小さくすることができる。これにより、より短時間で作用空間Ｈ１内の雰囲気を所定の雰囲気にすることができる。
＜移動機構１２＞
上述の例では、移動機構１２は基板保持台１を移動させているものの、紫外線照射器２および筒部材３の一組を移動させてもよい。要するに、移動機構１２は、紫外線照射器２および筒部材３の一組と、基板保持台１とを相対的に移動できればよい。
＜第２貫通孔＞
上述の例においては、筒部材３には、２つの第２貫通孔３２１，３２２が形成されているものの、３以上の第２貫通孔を筒部材３に形成されてもよい。３以上の第２貫通孔の開口部は周方向において例えば等間隔で形成されていてもよい。
また図２および図３の例では、第２貫通孔３２１，３２２をそれぞれ経由して気体が供給されるものの、例えば第２貫通孔３２１を経由して気体を供給し、第２貫通孔３２２を経由して、作用空間Ｈ１内の気体を排気してもよい。図２４は、この基板処理装置１０の構成の一例を概略的に示す図である。第２貫通孔３２２の他端は排気部６３に接続されている。具体的には、排気部６３は配管６３１を有しており、この配管６３１の一端が第２貫通孔３２２の他端に接続される。この場合、開口部３２２ａは排気開口部として機能する。
また、給気用の複数の第２貫通孔および排気用の複数の第２貫通孔が筒部材３に形成されてもよい。例えば給気用の複数の第２貫通孔の開口部が一方の半周片側に形成され、排気用の複数の第２貫通孔の開口部が、他方の半周片側に形成されても構わない。
図２５は、基板処理装置１０の他の構成の一例を概略的に示す図である。この基板処理装置１０は、開口部３２１ａ，３２２ａという点で図２の基板処理装置１０と相違する。図２５においては、開口部３２１ａ，３２２ａはＺ方向において紫外線照射器２側に開口するとともに、水平方向においても開口する。つまり、筒部材３の内周側に向かって開口する。これによれば、開口部３２１ａ，３２２ａから供給された気体を水平方向にも流すことができる。開口部３２１ａ，３２２ａの一方は給気用の開口部として機能し、他方は排気用の開口部として機能してもよい。
１ 基板保持台
１ａ 上面
１ｂ 側面
２ 紫外線照射手段（紫外線照射器）
３ 筒部材
３ａ 内面（内周面）
３ｃ 上面
１０ 基板処理装置
１２ 移動機構
１３ 回転機構
１４ 突起部
１５ 昇降突起部
１６ 固定突起部
１８ 第３貫通孔
３１ 第１貫通孔
３１ａ 側方開口部（開口部）
３３ 溝
４１ 第１気体供給手段（第１気体供給部）
４２ 第２気体供給手段（第２気体供給部）
３２１，３２２ 第２貫通孔
３２１ａ，３２２ａ 給気開口部、排気開口部（開口部）
３１１ 第１層貫通孔
３１２ 第２層貫通孔
３１１ａ 第１層開口部
３１２ａ 第２層開口部
３３１ 第１溝（溝）
３３２ 第２溝（溝）
１００ 基板処理システム
１１０ 収容器保持部
１２０ 基板通過部
１３０ 基板処理部

Claims (24)

  1. 基板が載置される第１上面、及び、側面を有する基板保持台と、
    前記基板保持台の前記第１上面に載置された前記基板の上方に、作用空間を隔てて前記基板と対向するように配置されており、紫外線を前記基板に向けて照射する紫外線照射手段と、
    前記基板保持台の前記側面の全周を囲む内周面を有し、前記内周面と前記基板保持台の前記側面との間に前記作用空間に連通するリング空間を形成する筒部材と、
    前記リング空間に気体を供給する第１気体供給手段と、
    前記基板と前記紫外線照射手段との間に形成される前記作用空間に気体を供給する第２気体供給手段と
    を備え、
    前記筒部材は、前記内周面のうち前記側面と対向する少なくとも一つの位置に、前記第１気体供給手段が、前記作用空間へと流れる気体に対する障壁として機能する気体を前記リング空間に供給する少なくとも一つの側方開口部を有する、基板処理装置。
  2. 基板が載置される第１上面、及び、側面を有する基板保持台と、
    作用空間を隔てて基板と対向するように配置されており、紫外線を基板に向けて照射する紫外線照射手段と、
    前記基板保持台の前記側面を囲む内周面を有し、前記内周面のうち前記側面と対向する少なくとも一つの位置に少なくとも一つの側方開口部を有する筒部材と、
    前記少なくとも一つの側方開口部を経由して、前記基板保持台の前記側面と前記筒部材の前記内周面との間の空間に気体を供給する第１気体供給手段と、
    基板と前記紫外線照射手段との間の前記作用空間に気体を供給する第２気体供給手段と
    を備え、
    前記筒部材の前記内周面は、前記内周面の周方向に沿って延在する第１溝を含み、
    前記少なくとも一つの側方開口部は前記第１溝に形成されている、基板処理装置。
  3. 基板が載置される第１上面、及び、側面を有する基板保持台と、
    作用空間を隔てて基板と対向するように配置されており、紫外線を基板に向けて照射する紫外線照射手段と、
    前記基板保持台の前記側面を囲む内周面を有し、前記内周面のうち前記側面と対向する少なくとも一つの位置に少なくとも一つの側方開口部を有する筒部材と、
    前記少なくとも一つの側方開口部を経由して、前記基板保持台の前記側面と前記筒部材の前記内周面との間の空間に気体を供給する第１気体供給手段と、
    基板と前記紫外線照射手段との間の前記作用空間に気体を供給する第２気体供給手段と
    を備え、
    前記少なくとも一つの側方開口部は、前記内周面の周方向に沿って開口している、基板処理装置。
  4. 基板が載置される第１上面、及び、側面を有する基板保持台と、
    作用空間を隔てて基板と対向するように配置されており、紫外線を基板に向けて照射する紫外線照射手段と、
    前記基板保持台の前記側面を囲む内周面を有し、前記内周面のうち前記側面と対向する少なくとも一つの位置に少なくとも一つの側方開口部を有する筒部材と、
    前記少なくとも一つの側方開口部を経由して、前記基板保持台の前記側面と前記筒部材の前記内周面との間の空間に気体を供給する第１気体供給手段と、
    基板と前記紫外線照射手段との間の前記作用空間に気体を供給する第２気体供給手段と
    を備え、
    前記少なくとも一つの側方開口部は、少なくとも一つの第１層開口部と、少なくとも一つの第２層開口部とを含み、
    前記少なくとも一つの第１層開口部は、前記紫外線照射手段および前記基板保持台が並ぶ方向において、前記少なくとも一つの第２層開口部と異なる位置に形成されている、基板処理装置。
  5. 請求項４に記載の基板処理装置であって、
    少なくとも一つの第１層開口部は複数の第１層開口部を含み、
    少なくとも一つの第２層開口部は複数の第２層開口部を含み、
    前記複数の第１層開口部は、前記内周面の周方向において間隔を空けて並んで形成されているとともに、
    前記複数の第２層開口部の各々は、前記周方向において前記第１層開口部とは異なる位置に形成されており、
    前記第１層開口部および前記第２層開口部のそれぞれの開口軸の方向を、前記周方向の時計回りおよび反時計回りのうち一方の回りの向きに揃えてある、基板処理装置。
  6. 基板が載置される第１上面、及び、側面を有する基板保持台と、
    作用空間を隔てて基板と対向するように配置されており、紫外線を基板に向けて照射する紫外線照射手段と、
    前記基板保持台の前記側面を囲む内周面を有し、前記内周面のうち前記側面と対向する少なくとも一つの位置に少なくとも一つの側方開口部を有する筒部材と、
    前記少なくとも一つの側方開口部を経由して、前記基板保持台の前記側面と前記筒部材の前記内周面との間の空間に気体を供給する第１気体供給手段と、
    基板と前記紫外線照射手段との間の前記作用空間に気体を供給する第２気体供給手段と
    を備え、
    前記筒部材は、
    基板と前記紫外線照射手段との間の前記作用空間に気体を供給する少なくとも一つの給気開口部を更に有し、
    前記筒部材は、
    前記内周面の周方向において前記少なくとも一つの給気開口部と異なる位置に形成され、基板と前記紫外線照射手段との間の前記作用空間の気体を排気する少なくとも一つの排気開口部を更に有する、基板処理装置。
  7. 請求項６に記載の基板処理装置であって、
    前記少なくとも一つの給気開口部は前記内周面の周方向において片側の半分に形成されており、前記少なくとも一つの排気開口部は前記内周面の周方向において残りの片側の半分に形成されている、基板処理装置。
  8. 基板が載置される第１上面、及び、側面を有する基板保持台と、
    作用空間を隔てて基板と対向するように配置されており、紫外線を基板に向けて照射する紫外線照射手段と、
    前記基板保持台の前記側面を囲む内周面を有し、前記内周面のうち前記側面と対向する少なくとも一つの位置に少なくとも一つの側方開口部を有する筒部材と、
    前記少なくとも一つの側方開口部を経由して、前記基板保持台の前記側面と前記筒部材の前記内周面との間の空間に気体を供給する第１気体供給手段と、
    基板と前記紫外線照射手段との間の前記作用空間に気体を供給する第２気体供給手段と
    を備え、
    前記基板保持台の前記第１上面は、前記第１上面の周縁から延在する搬送溝を含み、
    前記基板保持台は、前記搬送溝において開口する給気用または排気用の搬送溝開口部を含む、基板処理装置。
  9. 請求項１から請求項８のいずれか一つの記載の基板処理装置において、
    第１位置および第２位置の間で、前記紫外線照射手段と前記基板保持台とを相対的に移動させる移動手段を更に備え、
    前記第１位置における基板と前記紫外線照射手段との間の距離は、前記第２位置における基板と前記紫外線照射手段との間の距離よりも短く、
    前記少なくとも一つの側方開口部は、前記基板保持台が前記第１位置で停止した状態において、前記基板保持台の前記側面と対向する、基板処理装置。
  10. 基板が載置される第１上面、及び、側面を有する基板保持台と、
    前記基板保持台に載置される基板と対向するように配置され、前記基板保持台に載置される基板に対して紫外線を照射する紫外線照射手段と、
    前記基板保持台を前記紫外線照射手段から遠い第２位置から前記紫外線照射手段から近い第１位置へと移動させ、前記紫外線照射手段と前記基板保持台との間に前記紫外線照射手段から照射される紫外線が前記基板保持台に載置される基板に対して作用する作用空間を形成させるとともに、前記基板保持台に対して前記紫外線照射手段とは反対側の位置に非作用空間を形成させる移動機構と、
    前記基板保持台が前記第１位置に位置するときに、前記基板保持台の前記側面をその全周にわたって取り囲み、前記基板保持台の前記側面との間で前記作用空間および前記非作用空間のそれぞれに連通するリング状のリング空間を形成する筒部材と、
    前記リング空間に気体を供給する第１気体供給手段と、
    前記作用空間に気体を供給する第２気体供給手段と
    を備える、基板処理装置。
  11. 請求項１０に記載の基板処理装置であって、
    前記筒部材は、その内周面のうち前記側面と対向する少なくとも一つの位置に少なくとも一つの側方開口部を有し、
    前記第１気体供給手段は、前記少なくとも一つの側方開口部を経由して、前記リング空間に気体を供給し、
    前記少なくとも一つの側方開口部は、前記内周面の周方向に沿って開口している、基板処理装置。
  12. 請求項３から請求項９、請求項１１のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
    前記少なくとも一つの側方開口部は複数の側方開口部を含み、
    前記複数の側方開口部は、前記内周面の周方向において間隔を空けて並んで形成されている、基板処理装置。
  13. 請求項１２に記載の基板処理装置であって、
    前記複数の側方開口部のそれぞれの開口軸の方向を、前記周方向の時計回りおよび反時計回りのうち一方の回りの向きに揃えてある、基板処理装置。
  14. 請求項１３に記載の基板処理装置であって、
    基板の主面に垂直な軸を回転軸として、前記一方の回りの向きに前記基板保持台を回転させる回転機構を更に備える、基板処理装置。
  15. 請求項１、請求項３から請求項８、請求項１１のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
    前記筒部材の前記内周面は、前記内周面の周方向に沿って延在する第１溝および第２溝を更に含み、
    前記第１溝および前記第２溝は、前記紫外線照射手段と前記基板保持台とが並ぶ方向において、互いに異なる位置に形成されており、
    前記少なくとも一つの側方開口部は、少なくとも一つの第１層開口部と、少なくとも一つの第２層開口部とを含み、
    前記少なくとも一つの第１層開口部は前記第１溝に形成されており、
    前記少なくとも一つの第２層開口部は前記第２溝に形成されている、基板処理装置。
  16. 請求項１から請求項５、請求項８、請求項１１のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
    前記筒部材は、
    基板と前記紫外線照射手段との間の前記作用空間に気体を供給する少なくとも一つの給気開口部を更に有する、基板処理装置。
  17. 請求項１６に記載の基板処理装置であって、
    前記少なくとも一つの給気開口部は複数の給気開口部を含み、
    前記筒部材は、前記紫外線照射手段と空隙を介して対向する第２上面を有し、
    前記複数の給気開口部は前記第２上面に形成されており、前記内周面の周方向において互いに間隔を空けて形成されている、基板処理装置。
  18. 請求項１から請求項１７のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
    前記基板保持台は、前記第１上面において、前記紫外線照射手段側に突起して、基板を支持する複数の突起部を備え、
    前記基板保持台には、前記第１上面のうち前記複数の突起部とは異なる位置で開口する給気用または排気用の上面開口部が形成されている、基板処理装置。
  19. 請求項１から請求項１８のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
    前記基板保持台の前記第１上面には、
    前記紫外線照射手段と前記基板保持台とが並ぶ方向において昇降可能な複数の昇降突起部と、
    複数の昇降突起部よりも基板の中心に近い位置で前記紫外線照射手段側に突出する複数の固定突起部と
    が形成されており、
    前記複数の昇降突起部が前記紫外線照射手段側に上昇したときに、前記複数の固定突起部は基板を支持せず、前記複数の昇降突起部が基板を支持し、
    前記複数の昇降突起部が基板保持台側に下降したときに、少なくとも前記複数の固定突起部が基板を支持する、基板処理装置。
  20. 請求項１９に記載の基板処理装置であって、
    前記基板保持台は、前記第１上面において開口する、給気用または排気用の上面開口部を有している、基板処理装置。
  21. 第１上面および側面を有する基板保持台の前記第１上面に基板を配置する第１工程と、
    前記基板保持台の前記第１上面に載置された前記基板よりも上方に、作用空間を隔てて前記基板と対向するように配置された紫外線照射手段と、前記基板との間の作用空間へ気体を供給し、前記基板保持台の前記側面の全周を囲む内周面を有し、前記内周面のうち前記側面と対向する少なくとも一つの位置に少なくとも一つの側方開口部を有する筒部材の前記内周面と、前記基板保持台の前記側面との間のリング空間に、前記作用空間へと流れる気体に対する障壁として機能する気体を、前記少なくとも一つの側方開口部を経由して供給する第２工程と、
    前記第１工程および前記第２工程の後に、前記紫外線照射手段に紫外線を基板に向けて照射させる第３工程と
    を備える、基板処理方法。
  22. 請求項２１に記載の基板処理方法であって、
    前記第２工程は、
    前記基板保持台が、前記筒部材の前記内周面の内部から前記紫外線照射手段に対して遠ざかる方向に退いた状態において、前記作用空間への気体の供給および前記少なくとも一つの側方開口部を経由した気体の供給を開始する工程（ａ）と、
    前記工程（ａ）の後に、前記基板保持台の前記側面が前記筒部材の前記内周面と対向するように、前記紫外線照射手段、および、前記基板保持台を相対的に移動させる工程（ｂ）と
    を備える、基板処理方法。
  23. 請求項２１または請求項２２に記載の基板処理方法であって、
    前記第２工程は、
    前記基板保持台を前記紫外線照射手段に近づけるように、前記紫外線照射手段と、前記基板保持台とを相対的に移動させる工程（Ａ）と、
    基板と前記紫外線照射手段との間の空間への気体の供給および前記少なくとも一つの側方開口部を経由した気体の供給を開始する工程（Ｂ）と、
    前記工程（Ａ）および前記工程（Ｂ）の後に、前記基板保持台を前記紫外線照射手段から遠ざけるように、前記紫外線照射手段と前記基板保持台とを相対的に移動させる工程（Ｃ）と
    を備える、基板処理方法。
  24. 基板を収容する収容保持部と、
    基板に対して処理を施すための基板処理部と
    前記収容保持部と前記基板処理部との間に位置し、前記収容保持部と前記基板処理部との間を往復する基板が経由する基板通過部と
    を備え、
    前記基板通過部には、請求項１から請求項２０のいずれか一つに記載の基板処理装置が設けられている、基板処理システム。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN206573826U (zh) * 2017-03-23 2017-10-20 惠科股份有限公司 一种顶升装置及配向紫外线照射机
JP7242354B2 (ja) * 2019-03-13 2023-03-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7295754B2 (ja) * 2019-09-19 2023-06-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 露光装置
CN114868237A (zh) * 2019-12-17 2022-08-05 朗姆研究公司 清扫用于防止沉积和晶片滑动的主轴臂
CN113445015A (zh) * 2020-03-26 2021-09-28 中国科学院微电子研究所 一种集成镀膜设备的样品传输装置
CN112366160B (zh) * 2020-11-30 2021-08-20 杭州闻典通讯技术有限公司 一种计算机用节能型usb接口芯片自动生产设备

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5752760A (en) 1980-09-16 1982-03-29 Toshiba Corp Hot water supply device utilizing solar energy
JPS647276A (en) 1987-06-30 1989-01-11 Toshiba Corp Character recognition method
JPH0417276A (ja) 1990-05-10 1992-01-22 Fujikura Ltd 端子の接続構造
JP3183575B2 (ja) 1992-09-03 2001-07-09 東京エレクトロン株式会社 処理装置および処理方法
JP3234091B2 (ja) * 1994-03-10 2001-12-04 株式会社日立製作所 表面処理装置
JP3638424B2 (ja) * 1997-01-20 2005-04-13 株式会社東芝 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
JPH11126770A (ja) * 1997-10-23 1999-05-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP3526204B2 (ja) 1998-02-09 2004-05-10 島田理化工業株式会社 紫外線洗浄装置
JP4017276B2 (ja) 1999-02-10 2007-12-05 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置
JP3732358B2 (ja) * 1999-07-08 2006-01-05 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置
JP4048189B2 (ja) 1999-09-14 2008-02-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR100701718B1 (ko) * 1999-09-14 2007-03-29 동경 엘렉트론 주식회사 기판처리방법
KR20010062209A (ko) * 1999-12-10 2001-07-07 히가시 데쓰로 고내식성 막이 내부에 형성된 챔버를 구비하는 처리 장치
JP3426560B2 (ja) * 2000-04-11 2003-07-14 島田理化工業株式会社 基板洗浄方法
US7129694B2 (en) * 2002-05-23 2006-10-31 Applied Materials, Inc. Large substrate test system
US20060165904A1 (en) * 2005-01-21 2006-07-27 Asm Japan K.K. Semiconductor-manufacturing apparatus provided with ultraviolet light-emitting mechanism and method of treating semiconductor substrate using ultraviolet light emission
JP4916802B2 (ja) * 2006-07-20 2012-04-18 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置
JP4937679B2 (ja) 2006-08-30 2012-05-23 東京エレクトロン株式会社 基板の帯電防止装置及び帯電防止方法
KR20060130531A (ko) 2006-11-07 2006-12-19 에이스하이텍 주식회사 퍼니스 장치
JP4973150B2 (ja) * 2006-11-27 2012-07-11 東京エレクトロン株式会社 ガス導入機構及び被処理体の処理装置
JP2009004545A (ja) 2007-06-21 2009-01-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板載置装置および基板処理装置
US20090093135A1 (en) * 2007-10-04 2009-04-09 Asm Japan K.K. Semiconductor manufacturing apparatus and method for curing material with uv light
US20100075488A1 (en) * 2008-09-19 2010-03-25 Applied Materials, Inc. Cvd reactor with multiple processing levels and dual-axis motorized lift mechanism
KR20120090996A (ko) 2009-08-27 2012-08-17 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 인-시튜 챔버 세정 후 프로세스 챔버의 제염 방법
US8232538B2 (en) 2009-10-27 2012-07-31 Lam Research Corporation Method and apparatus of halogen removal using optimal ozone and UV exposure
US8584612B2 (en) 2009-12-17 2013-11-19 Lam Research Corporation UV lamp assembly of degas chamber having rotary shutters
JP5480617B2 (ja) * 2009-12-25 2014-04-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5371854B2 (ja) * 2010-03-26 2013-12-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP5752760B2 (ja) 2013-09-02 2015-07-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6436090B2 (ja) 2013-10-30 2018-12-12 株式会社ニコン 基板保持装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP5895929B2 (ja) 2013-12-25 2016-03-30 ウシオ電機株式会社 光照射装置
JP6428466B2 (ja) 2014-06-23 2018-11-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置、基板処理システム及び記憶媒体
JP6801388B2 (ja) * 2016-11-15 2020-12-16 ウシオ電機株式会社 オゾン処理装置およびオゾン処理方法

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