JP3183076B2 - 強誘電体メモリ装置 - Google Patents
強誘電体メモリ装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は強誘電体メモリ装置に関
し、特にスイッチング用のトランジスタと情報蓄積用の
キャパシタとから成るメモリセルを複数個配列した構成
の強誘電体メモリ装置に関する。
し、特にスイッチング用のトランジスタと情報蓄積用の
キャパシタとから成るメモリセルを複数個配列した構成
の強誘電体メモリ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の強誘電体メモリ装置について説明
する前に、この誘電体メモリ装置に使用されるメモリセ
ルの構成及び動作原理について、図７（Ａ），（Ｂ）に
示された回路図及び断面模式図を参照して説明する。
する前に、この誘電体メモリ装置に使用されるメモリセ
ルの構成及び動作原理について、図７（Ａ），（Ｂ）に
示された回路図及び断面模式図を参照して説明する。
【０００３】このメモリセルＭＣは、強誘電体膜ＦＥを
相対向する２つの電極で挟んで形成され一方の電極をプ
レート線ＰＬに接続する容量素子Ｃと、ゲートＧをワー
ド線ＷＬに、ソースＳ及びドレインＤのうちの一方をビ
ット線ＢＬに他方を容量素子Ｃの他方の電極にそれぞれ
接続するトランジスタＴとを備えた構成となっている。
相対向する２つの電極で挟んで形成され一方の電極をプ
レート線ＰＬに接続する容量素子Ｃと、ゲートＧをワー
ド線ＷＬに、ソースＳ及びドレインＤのうちの一方をビ
ット線ＢＬに他方を容量素子Ｃの他方の電極にそれぞれ
接続するトランジスタＴとを備えた構成となっている。
【０００４】強誘電体膜は自発分極を起こし、また外部
から電界を印加したときの分極量が図８（Ａ）に示すよ
うなヒステリシス特性を持つ。このヒステリシス特性に
起因して、外部電界が無くなったときに図８（Ａ）のａ
点及びｃ点に示す双安定点が存在する。従って、この強
誘電体を絶縁膜として用いた容量素子Ｃは２値情報を保
持することができ、かつ、電源を切断した後もその情報
を保持し続けることができる（不揮発性）。
から電界を印加したときの分極量が図８（Ａ）に示すよ
うなヒステリシス特性を持つ。このヒステリシス特性に
起因して、外部電界が無くなったときに図８（Ａ）のａ
点及びｃ点に示す双安定点が存在する。従って、この強
誘電体を絶縁膜として用いた容量素子Ｃは２値情報を保
持することができ、かつ、電源を切断した後もその情報
を保持し続けることができる（不揮発性）。
【０００５】ａ点に保持された情報を、ｃ点で保持する
情報に書換えるためには、ワード線ＷＬを高レベルにし
てトランジスタＴをオンにし、ビット線ＢＬ及びプレー
ト線ＰＬによりこの容量素子Ｃの強誘電体膜ＦＥに抗電
界Ｅｃ以上の正方向の電界を印加し、またこの逆の場合
には強誘電体膜ＦＥに負方向の抗電界−Ｅｃ以上の電界
を印加する。
情報に書換えるためには、ワード線ＷＬを高レベルにし
てトランジスタＴをオンにし、ビット線ＢＬ及びプレー
ト線ＰＬによりこの容量素子Ｃの強誘電体膜ＦＥに抗電
界Ｅｃ以上の正方向の電界を印加し、またこの逆の場合
には強誘電体膜ＦＥに負方向の抗電界−Ｅｃ以上の電界
を印加する。
【０００６】また、この容量素子Ｃに保持されている情
報を読出すには、同様に、トランジスタＴをオンにして
ビット線ＢＬ及びプレート線ＰＬにより、この強誘電体
膜ＦＥに正方向の電界Ｅｍａｘを印加する。ａ点に保持
された情報からは、（Ｐｍａｘ＋Ｐｒ）と対応する電荷
を外部に取出すことができ、また、ｃ点に保持された情
報からは、（Ｐｍａｘ−Ｐｒ）と対応する電荷を取出す
ことができる。そして、この電荷量の差を検知すること
により、容量素子Ｃに保持されていた情報を読出すこと
ができる。しかし、この読出しは、ａ点の情報に対して
破壊した読出しとなるので、ａ点の情報であることを検
知したときには、強誘電体膜ＦＥに負方向の電界−Ｅｍ
ａｘを印加して情報の再書込みを行い、読出し動作を終
了する。
報を読出すには、同様に、トランジスタＴをオンにして
ビット線ＢＬ及びプレート線ＰＬにより、この強誘電体
膜ＦＥに正方向の電界Ｅｍａｘを印加する。ａ点に保持
された情報からは、（Ｐｍａｘ＋Ｐｒ）と対応する電荷
を外部に取出すことができ、また、ｃ点に保持された情
報からは、（Ｐｍａｘ−Ｐｒ）と対応する電荷を取出す
ことができる。そして、この電荷量の差を検知すること
により、容量素子Ｃに保持されていた情報を読出すこと
ができる。しかし、この読出しは、ａ点の情報に対して
破壊した読出しとなるので、ａ点の情報であることを検
知したときには、強誘電体膜ＦＥに負方向の電界−Ｅｍ
ａｘを印加して情報の再書込みを行い、読出し動作を終
了する。
【０００７】なお、図８（Ｂ）に示すように、強誘電体
膜ＦＥの膜厚をｄｃとし、電極ＣＰ１，ＣＰ２間の印加
電圧をＶとしたとき、印加電圧Ｖと電界Ｅとの間にはＶ
＝Ｅ．ｄｃなる関係があり従って、抗電界Ｅｃと抗電圧
Ｖｃとの間の関係はＶｃ＝Ｅｃ・ｄｃとなる。また、こ
のようなメモリセルＭＣを配置した不揮発性メモリを単
一電源で駆動する場合、通常、２値情報の低レベルをｄ
点（−Ｅｍａｘ）と対応させて低電源電位レベルとし、
高レベルをｂ点（Ｅｍａｘ）と対応させて高電源電位レ
ベルとする。
膜ＦＥの膜厚をｄｃとし、電極ＣＰ１，ＣＰ２間の印加
電圧をＶとしたとき、印加電圧Ｖと電界Ｅとの間にはＶ
＝Ｅ．ｄｃなる関係があり従って、抗電界Ｅｃと抗電圧
Ｖｃとの間の関係はＶｃ＝Ｅｃ・ｄｃとなる。また、こ
のようなメモリセルＭＣを配置した不揮発性メモリを単
一電源で駆動する場合、通常、２値情報の低レベルをｄ
点（−Ｅｍａｘ）と対応させて低電源電位レベルとし、
高レベルをｂ点（Ｅｍａｘ）と対応させて高電源電位レ
ベルとする。
【０００８】このようなメモリセルＭＣを複数個配置し
た従来の単一電源駆動型の強誘電体メモリ装置の第１の
例を図９に示す。
た従来の単一電源駆動型の強誘電体メモリ装置の第１の
例を図９に示す。
【０００９】この強誘電体メモリ装置は、強誘電体膜を
相対向する２つの電極で挟んで形成された容量素子Ｃ、
及びソース，ドレインのうちの一方を容量素子Ｃの一方
の電極と接続するトランジスタＴを備え行方向，列方向
に配置された複数のメモリセルＭＣ、これら複数のメモ
リセルＭＣの各行ぞれぞれと対応して設けられ対応する
行の各メモリセルＭＣのトランジスタＴのゲートと接続
して選択レベルのときこれらメモリセルＭＣを選択状態
とする複数のワード線（ＷＬ１，ＷＬ２，…）、複数の
メモリセルＭＣの各列それぞれと対応して設けられ対応
する列の奇数番目及び偶数番目それぞれのメモリセルの
トランジスタのソース・ドレンインのうちの他方と接続
する複数の第１及び第２のビット線ＢＬ１１，ＢＬ１２
〜ＢＬｎ１，ＢＬｎ２、並びに複数のメモリセルＭＣの
２行に１本の割合で設けられ各２行のメモリセルの容量
素子の他方の電極と接続する複数のプレート線（ＰＬ
１，…）を含むメモリセルアレイ１ｘと、複数のワード
線（ＷＬ１，ＷＬ２，…）それぞれと対応して設けられ
てゲートを対応するワード線に、ソース・ドレインのう
ちの一方を対応するプレート線にそれぞれ接続し、ソー
ス，ドレインのうちの他方にプレート線用電圧Ｖｐ１を
受ける複数のトランジスタ（Ｔ４１，Ｔ４２，…）を備
え選択レベルのワード線と対応するプレート線にプレー
ト線用電位Ｖｐ１を供給するプレート線電位供給回路１
６とを有する構成となっている。
相対向する２つの電極で挟んで形成された容量素子Ｃ、
及びソース，ドレインのうちの一方を容量素子Ｃの一方
の電極と接続するトランジスタＴを備え行方向，列方向
に配置された複数のメモリセルＭＣ、これら複数のメモ
リセルＭＣの各行ぞれぞれと対応して設けられ対応する
行の各メモリセルＭＣのトランジスタＴのゲートと接続
して選択レベルのときこれらメモリセルＭＣを選択状態
とする複数のワード線（ＷＬ１，ＷＬ２，…）、複数の
メモリセルＭＣの各列それぞれと対応して設けられ対応
する列の奇数番目及び偶数番目それぞれのメモリセルの
トランジスタのソース・ドレンインのうちの他方と接続
する複数の第１及び第２のビット線ＢＬ１１，ＢＬ１２
〜ＢＬｎ１，ＢＬｎ２、並びに複数のメモリセルＭＣの
２行に１本の割合で設けられ各２行のメモリセルの容量
素子の他方の電極と接続する複数のプレート線（ＰＬ
１，…）を含むメモリセルアレイ１ｘと、複数のワード
線（ＷＬ１，ＷＬ２，…）それぞれと対応して設けられ
てゲートを対応するワード線に、ソース・ドレインのう
ちの一方を対応するプレート線にそれぞれ接続し、ソー
ス，ドレインのうちの他方にプレート線用電圧Ｖｐ１を
受ける複数のトランジスタ（Ｔ４１，Ｔ４２，…）を備
え選択レベルのワード線と対応するプレート線にプレー
ト線用電位Ｖｐ１を供給するプレート線電位供給回路１
６とを有する構成となっている。
【００１０】次に、この強誘電体メモリ装置の読出し動
作について、図１０に示された波形図を参照して説明す
る。
作について、図１０に示された波形図を参照して説明す
る。
【００１１】ワード線（例えばＷＬ１）が選択レベルに
立上る前のスタンバイ状態において、ビット線ＢＬ１
１，ＢＬ１２〜ＢＬｎ１，ＢＬｎ２およびプレート線
（ＰＬ１，…）は接地電位レベルとなっている。ワード
線ＷＬ１が選択レベルになると、このワード線ＷＬ１と
接続するメモリセルＭＣは選択状態となり、また、トラ
ンジスタＴ４１が導通状態となってプレート線ＰＬ１に
プレート線用電圧Ｖｐ１が供給される。この結果、これ
らメモリセルＭＣの記憶情報が第１のビット線ＢＬ１１
〜ＢＬｎ１に読出される。これら第１のビット線ＢＬ１
１〜ＢＬｎ１それぞれと対をなす第２のビット線ＢＬ１
２〜ＢＬｎ２は、ワード線ＷＬ２が非選択レベルであり
このワード線ＷＬ２と対応するメモリセルは非選択レベ
ルであるため、そのレベルは殆んど変化しない。これら
の対をなす第１及び第２のビット線ＢＬ１１，ＢＬ１２
〜ＢＬｎ１，ＢＬｎ２間の差電位を増幅することによ
り、選択状態のメモリセルの記憶情報を外部へ読出すこ
とができる（例えば、Ｔ．Ｓｕｍｉ等による文献、１９
９４年アイ・イー・イー・イー、インターナショナル・
ソリッド・ステート・サーキット・カンファレンス、ダ
イジェスト・オブ・テクニカル・ペーパーズ（１９９４
ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｏｌｉｄ
−Ｓｔａｔｅ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃ
ｅ，ＤＩＧＥＳＴＯＦ ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ ＰＡＰＥ
ＲＳ）２６８〜２６９ページ参照）。この例では、メモ
リ容量を２５６Ｋｂとし、電源電圧３．０Ｖ、消費電流
３ｍＡで、２００ｎｓというアクセスサイクル時間が得
られている。
立上る前のスタンバイ状態において、ビット線ＢＬ１
１，ＢＬ１２〜ＢＬｎ１，ＢＬｎ２およびプレート線
（ＰＬ１，…）は接地電位レベルとなっている。ワード
線ＷＬ１が選択レベルになると、このワード線ＷＬ１と
接続するメモリセルＭＣは選択状態となり、また、トラ
ンジスタＴ４１が導通状態となってプレート線ＰＬ１に
プレート線用電圧Ｖｐ１が供給される。この結果、これ
らメモリセルＭＣの記憶情報が第１のビット線ＢＬ１１
〜ＢＬｎ１に読出される。これら第１のビット線ＢＬ１
１〜ＢＬｎ１それぞれと対をなす第２のビット線ＢＬ１
２〜ＢＬｎ２は、ワード線ＷＬ２が非選択レベルであり
このワード線ＷＬ２と対応するメモリセルは非選択レベ
ルであるため、そのレベルは殆んど変化しない。これら
の対をなす第１及び第２のビット線ＢＬ１１，ＢＬ１２
〜ＢＬｎ１，ＢＬｎ２間の差電位を増幅することによ
り、選択状態のメモリセルの記憶情報を外部へ読出すこ
とができる（例えば、Ｔ．Ｓｕｍｉ等による文献、１９
９４年アイ・イー・イー・イー、インターナショナル・
ソリッド・ステート・サーキット・カンファレンス、ダ
イジェスト・オブ・テクニカル・ペーパーズ（１９９４
ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｏｌｉｄ
−Ｓｔａｔｅ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃ
ｅ，ＤＩＧＥＳＴＯＦ ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ ＰＡＰＥ
ＲＳ）２６８〜２６９ページ参照）。この例では、メモ
リ容量を２５６Ｋｂとし、電源電圧３．０Ｖ、消費電流
３ｍＡで、２００ｎｓというアクセスサイクル時間が得
られている。
【００１２】強誘電体メモリ装置においては、メモリセ
ルＭＣの容量素子Ｃの強誘電体膜に正負の誘発分極を与
えて情報を記憶し、その誘発分極の状態を検知して記憶
情報を読出すため、前述の例のようにプレート線（ＰＬ
１，…）に所定の電位を供給する必要があり、しかもそ
の容量素子Ｃは強誘電体により形成されているので、そ
の容量値は通常のＤＲＡＭに比べて大きくなる。また、
プレート線（ＰＬ，…）には、一般に強誘電体との整合
性からＡｕ，Ｐｔ，Ｒｕなどの貴金属が用いられる。こ
れらの貴金属は、加工性の問題から膜厚を厚くすること
が難しく、また、配線幅を広げることは微細化によるメ
モリ容量高密度化の観点から不利である。したがって、
その配線抵抗を低くすることが困難である。従ってプレ
ート線（ＰＬ１）の時定数が大きくなるため、このプレ
ート線駆動のための時間が長くなり高速動作が困難とな
る（例えば、通常のＤＲＡＭの場合、メモリ容量６４Ｍ
ｂで９０ｎｓのアクセスサイクル時間が達成できる）。
また、プレート線の充放電が行なわれるため、消費電力
も増大する。
ルＭＣの容量素子Ｃの強誘電体膜に正負の誘発分極を与
えて情報を記憶し、その誘発分極の状態を検知して記憶
情報を読出すため、前述の例のようにプレート線（ＰＬ
１，…）に所定の電位を供給する必要があり、しかもそ
の容量素子Ｃは強誘電体により形成されているので、そ
の容量値は通常のＤＲＡＭに比べて大きくなる。また、
プレート線（ＰＬ，…）には、一般に強誘電体との整合
性からＡｕ，Ｐｔ，Ｒｕなどの貴金属が用いられる。こ
れらの貴金属は、加工性の問題から膜厚を厚くすること
が難しく、また、配線幅を広げることは微細化によるメ
モリ容量高密度化の観点から不利である。したがって、
その配線抵抗を低くすることが困難である。従ってプレ
ート線（ＰＬ１）の時定数が大きくなるため、このプレ
ート線駆動のための時間が長くなり高速動作が困難とな
る（例えば、通常のＤＲＡＭの場合、メモリ容量６４Ｍ
ｂで９０ｎｓのアクセスサイクル時間が達成できる）。
また、プレート線の充放電が行なわれるため、消費電力
も増大する。
【００１３】これに対し、プレート線の電位を固定する
ようにした例（第２の例）の回路図を図１１に示す（例
えば、特開平２−１１０８９５号公報参照）。
ようにした例（第２の例）の回路図を図１１に示す（例
えば、特開平２−１１０８９５号公報参照）。
【００１４】この強誘電体メモリ装置は、複数のプレー
ト線（ＰＬ１，…）を共通接続してＰＬとした以外は第
１の例と同一構成のメモリセルアレイ１ｙと（ただし、
メモリセルＭＣは２個、ビット線はＢＬ１１，ＢＬ１２
の１対のみ表示）、対をなすビット線（例：ＢＬ１１，
ＢＬ１２）間の差電位それぞれを制御信号ＳＥＰ，ＳＥ
Ｎに従って所定のタイミングで増幅する複数のセンス増
幅器（ＳＡ１，…）と、ビット線プリチャージ信号ＢＬ
Ｐに従ってビット線（ＢＬ１１，ＢＬ１２，…）を中間
電位レベルにプリチャージするプリチャージ回路１７
と、ビット線の論理的な“１”レベル及び“０”レベル
の中間の中間電位を発生しプレート線ＰＬ及びプリチャ
ージ回路１７へ供給する中間電位発生回路２ｘと、ワー
ド線（例えばＷＬ１）が選択レベルとなる直前にビット
線電位設定信号ＢＬＳＴに従ってビット線（ＢＬ１１，
ＢＬ１２，…）を接地電位レベルに設定し、ワード線
（ＷＬ１）が選択レベルになるとこれと同期して選択レ
ベルとなるダミーワード線（ＤＷＬ１）により選択状態
のメモリセルＭＣの記憶情報が読出されるビット線（Ｂ
Ｌ１１）と対をなすビット線（ＢＬ１２）に基準レベル
を供給する基準レベル発生回路４ｘとを有する構成とな
っている。
ト線（ＰＬ１，…）を共通接続してＰＬとした以外は第
１の例と同一構成のメモリセルアレイ１ｙと（ただし、
メモリセルＭＣは２個、ビット線はＢＬ１１，ＢＬ１２
の１対のみ表示）、対をなすビット線（例：ＢＬ１１，
ＢＬ１２）間の差電位それぞれを制御信号ＳＥＰ，ＳＥ
Ｎに従って所定のタイミングで増幅する複数のセンス増
幅器（ＳＡ１，…）と、ビット線プリチャージ信号ＢＬ
Ｐに従ってビット線（ＢＬ１１，ＢＬ１２，…）を中間
電位レベルにプリチャージするプリチャージ回路１７
と、ビット線の論理的な“１”レベル及び“０”レベル
の中間の中間電位を発生しプレート線ＰＬ及びプリチャ
ージ回路１７へ供給する中間電位発生回路２ｘと、ワー
ド線（例えばＷＬ１）が選択レベルとなる直前にビット
線電位設定信号ＢＬＳＴに従ってビット線（ＢＬ１１，
ＢＬ１２，…）を接地電位レベルに設定し、ワード線
（ＷＬ１）が選択レベルになるとこれと同期して選択レ
ベルとなるダミーワード線（ＤＷＬ１）により選択状態
のメモリセルＭＣの記憶情報が読出されるビット線（Ｂ
Ｌ１１）と対をなすビット線（ＢＬ１２）に基準レベル
を供給する基準レベル発生回路４ｘとを有する構成とな
っている。
【００１５】次にこの強誘電体メモリ装置の読出し動作
について図１２に示された波形図を併せて参照して説明
する。
について図１２に示された波形図を併せて参照して説明
する。
【００１６】メモリセルＭＣのアクセスが開始されるま
でのスタンバイ状態においては、対をなすビット線（Ｂ
Ｌ１１，ＢＬ１２，…、以下ＢＬ１１，ＢＬ１２につい
てのみ記載する）はプレート線ＰＬとほぼ同一の中間電
位にプリチャージされている。
でのスタンバイ状態においては、対をなすビット線（Ｂ
Ｌ１１，ＢＬ１２，…、以下ＢＬ１１，ＢＬ１２につい
てのみ記載する）はプレート線ＰＬとほぼ同一の中間電
位にプリチャージされている。
【００１７】アクセスが開始されてワード線ＷＬ１が選
択レベルとなる直前には、ビット線電位設定信号ＢＬＳ
Ｔがアクティブとなり、ビット線ＢＬ１１，ＢＬ１２、
ワード線ＷＬ１）およびダミーワード線（ＤＷＬ１）は
接地電位レベル（電源電位レベルでもよい）に設定され
る。この後、ワード線ＷＬ１及びダミーワード線ＤＷＬ
１が選択レベルとなり、ビット線ＢＬ１１には選択状態
のメモリセルＭＣの記憶情報が読出され、ビット線ＢＬ
１２には基準レベル発生回路７から基準レベルが供給さ
れる。この後は、通常のＤＲＡＭと同様に、ビット線Ｂ
Ｌ１１，ＢＬ１２間の差電位がセンス増幅器ＳＡ１によ
り増幅され外部へ出力される。
択レベルとなる直前には、ビット線電位設定信号ＢＬＳ
Ｔがアクティブとなり、ビット線ＢＬ１１，ＢＬ１２、
ワード線ＷＬ１）およびダミーワード線（ＤＷＬ１）は
接地電位レベル（電源電位レベルでもよい）に設定され
る。この後、ワード線ＷＬ１及びダミーワード線ＤＷＬ
１が選択レベルとなり、ビット線ＢＬ１１には選択状態
のメモリセルＭＣの記憶情報が読出され、ビット線ＢＬ
１２には基準レベル発生回路７から基準レベルが供給さ
れる。この後は、通常のＤＲＡＭと同様に、ビット線Ｂ
Ｌ１１，ＢＬ１２間の差電位がセンス増幅器ＳＡ１によ
り増幅され外部へ出力される。
【００１８】ここで、スタンバイ状態において、メモリ
セルＭＣのトランジスタＴがオフ状態となっていてこの
トランジスタＴと容量素子Ｃとの接続点のセルノードＮ
ｍｃがフローティング状態になっていると、このセルノ
ードＮｍｃと基板（Ｓｕｂ）等との間には、たとえわず
かとは言えリークが存在するため、通常、接地レベル又
は電源電位レベルの基板とのリークは、最終的にはセル
ノードＮｍｃを接地電位レベル，電源電位レベルとし、
メモリセルＭＣの自発分極を反転させる結果となる。そ
こでこの例では、ワード線（ＷＬ１等）を選択レベルと
非選択レベルとの間の中間電位＋Ｖｔ（トランジスタＴ
のしきい値電圧）のレベルとしてトランジスタＴをわず
かにオンさせ、セルノードＮｍｃの電荷が基板等にリー
クするのをビット線から補うようにしてセルノードＮｍ
ｃをプレート線ＰＬと同程度の中間電位とし、自発分極
の反転を防止している。
セルＭＣのトランジスタＴがオフ状態となっていてこの
トランジスタＴと容量素子Ｃとの接続点のセルノードＮ
ｍｃがフローティング状態になっていると、このセルノ
ードＮｍｃと基板（Ｓｕｂ）等との間には、たとえわず
かとは言えリークが存在するため、通常、接地レベル又
は電源電位レベルの基板とのリークは、最終的にはセル
ノードＮｍｃを接地電位レベル，電源電位レベルとし、
メモリセルＭＣの自発分極を反転させる結果となる。そ
こでこの例では、ワード線（ＷＬ１等）を選択レベルと
非選択レベルとの間の中間電位＋Ｖｔ（トランジスタＴ
のしきい値電圧）のレベルとしてトランジスタＴをわず
かにオンさせ、セルノードＮｍｃの電荷が基板等にリー
クするのをビット線から補うようにしてセルノードＮｍ
ｃをプレート線ＰＬと同程度の中間電位とし、自発分極
の反転を防止している。
【００１９】この場合、消費電力は小さくて済むが、製
造ばらつき等によってメモリセルのトランジスタがオン
しないこともあり、セルノードのリークを補うことがで
きず、次のアクセスまでの時間が長くなると自発分極を
反転してしまうことがあるため、このような場合には、
トランジスタＴをオン状態にし、自発分極の反転を防止
している。
造ばらつき等によってメモリセルのトランジスタがオン
しないこともあり、セルノードのリークを補うことがで
きず、次のアクセスまでの時間が長くなると自発分極を
反転してしまうことがあるため、このような場合には、
トランジスタＴをオン状態にし、自発分極の反転を防止
している。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の強誘電
体メモリ装置は、第１の例では、アクセスごとにプレー
ト線を所定の電位に駆動する構成となっているので、プ
レート線駆動のための時間が長く、高速動作が困難な
上、プレート線の充放電により消費電力が増大するとい
う問題点があり、また、第２の例では、プレート線には
常時所定の電位が供給されているため、第１の例のよう
な問題点はないものの、セルノードからの基板等へのリ
ークによりメモリセルの容量素子の強誘電体膜の自発分
極が反転してしまうのを防止するため、スタンバイ状態
の間、ワード線を選択レベルと非選択レベルとの間の所
定のレベルとしてメモリセルのトランジスタをわずかに
オンさせ、セルノードのリークをビット線から補ってプ
レート線と同程度の電位に保持する一方、製造ばらつき
等によってトランジスタがオンとならず、セルノードの
リークが補えなくて次のアクセスまでの時間が長い時の
ために、メモリセルのトランジスタを更にオン状態にす
る構成となっているので、ワード線の制御が、アクセス
のための選択レベル／非選択レベルの制御、セルノード
電位補正のためのメモリセルのトランジスタのわずかな
オン状態の制御、及び更にオン状態への制御の電位制御
が４段階、動作制御が３段階となってしまい、ワード線
の電位制御、動作制御が複雑になるという問題点があ
る。
体メモリ装置は、第１の例では、アクセスごとにプレー
ト線を所定の電位に駆動する構成となっているので、プ
レート線駆動のための時間が長く、高速動作が困難な
上、プレート線の充放電により消費電力が増大するとい
う問題点があり、また、第２の例では、プレート線には
常時所定の電位が供給されているため、第１の例のよう
な問題点はないものの、セルノードからの基板等へのリ
ークによりメモリセルの容量素子の強誘電体膜の自発分
極が反転してしまうのを防止するため、スタンバイ状態
の間、ワード線を選択レベルと非選択レベルとの間の所
定のレベルとしてメモリセルのトランジスタをわずかに
オンさせ、セルノードのリークをビット線から補ってプ
レート線と同程度の電位に保持する一方、製造ばらつき
等によってトランジスタがオンとならず、セルノードの
リークが補えなくて次のアクセスまでの時間が長い時の
ために、メモリセルのトランジスタを更にオン状態にす
る構成となっているので、ワード線の制御が、アクセス
のための選択レベル／非選択レベルの制御、セルノード
電位補正のためのメモリセルのトランジスタのわずかな
オン状態の制御、及び更にオン状態への制御の電位制御
が４段階、動作制御が３段階となってしまい、ワード線
の電位制御、動作制御が複雑になるという問題点があ
る。
【００２１】本発明の目的は、高速動作及び低消費電力
を保ちつつワード線の電位制御，動作制御を単純化し、
かつ確実にスタンバイ時の自発分極の反転誤動作を防止
することができる強誘電体メモリ装置を提供することに
ある。
を保ちつつワード線の電位制御，動作制御を単純化し、
かつ確実にスタンバイ時の自発分極の反転誤動作を防止
することができる強誘電体メモリ装置を提供することに
ある。
【００２２】
【課題を解決するための手段】本発明の強誘電体メモリ
装置は、強誘電体膜を相対向する２つの電極で挟んで形
成され前記強誘電体膜の分極状態により２値情報を記
憶，保持する容量素子とソース，ドレインのうちの一方
を前記容量素子の一方の電極に接続するトランジスタと
を備え行方向，列方向に配置された複数のメモリセル、
これら複数のメモリセルの各行それぞれと対応して設け
られ対応する行の各メモリセルのトランジスタのゲート
と接続して選択レベルのときこれらメモリセルを選択状
態とする複数のワード線、前記複数のメモリセルの各列
それぞれと対応して設けられ対応する列の各メモリセル
のトランジスタのソース，ドレインのうちの他方と接続
する複数のビット線、及び前記複数のメモリセルの容量
素子それぞれの他方の電極と接続するプレート線を含む
メモリセルアレイと、前記２値情報の論理レベルの高レ
ベル及び低レベルの中間レベルと対応する中間電位を前
記プレート線に定常的に供給するプレート線電位供給手
段と、前記複数のワード線のうちの所定のワード線が外
部アドレス信号に応答して選択レベルとなる前の所定の
期間に前記複数のビット線を前記２値情報の論理レベル
の高レベル及び低レベルのうちの一方のレベルと対応す
る電位にプリチャージするプリチャージ回路と、このプ
リチャージ回路によりプリチャージされたビット線に選
択状態のメモリセルから読出された信号を所定の期間所
定の所定の基準レベルと比較し増幅する複数のセンス増
幅器と、これら複数のセンス増幅器の増幅期間終了後前
記複数のビット線を前記プレート線と同電位の中間電位
に保持するビット線中間電位保持手段と、このビット線
中間電位保持手段による前記複数のビットの中間電位保
持期間中に前記複数のワード線のうちの所定のワード線
を選択レベルとしてこのワード線に接続されたメモリセ
ルのトランジスタを導通させこれらメモリセルのトラン
ジスタ及び容量素子の接続点を前記中間電位に補正する
容量素子電極電位補正手段とを有することを特徴として
いる。
装置は、強誘電体膜を相対向する２つの電極で挟んで形
成され前記強誘電体膜の分極状態により２値情報を記
憶，保持する容量素子とソース，ドレインのうちの一方
を前記容量素子の一方の電極に接続するトランジスタと
を備え行方向，列方向に配置された複数のメモリセル、
これら複数のメモリセルの各行それぞれと対応して設け
られ対応する行の各メモリセルのトランジスタのゲート
と接続して選択レベルのときこれらメモリセルを選択状
態とする複数のワード線、前記複数のメモリセルの各列
それぞれと対応して設けられ対応する列の各メモリセル
のトランジスタのソース，ドレインのうちの他方と接続
する複数のビット線、及び前記複数のメモリセルの容量
素子それぞれの他方の電極と接続するプレート線を含む
メモリセルアレイと、前記２値情報の論理レベルの高レ
ベル及び低レベルの中間レベルと対応する中間電位を前
記プレート線に定常的に供給するプレート線電位供給手
段と、前記複数のワード線のうちの所定のワード線が外
部アドレス信号に応答して選択レベルとなる前の所定の
期間に前記複数のビット線を前記２値情報の論理レベル
の高レベル及び低レベルのうちの一方のレベルと対応す
る電位にプリチャージするプリチャージ回路と、このプ
リチャージ回路によりプリチャージされたビット線に選
択状態のメモリセルから読出された信号を所定の期間所
定の所定の基準レベルと比較し増幅する複数のセンス増
幅器と、これら複数のセンス増幅器の増幅期間終了後前
記複数のビット線を前記プレート線と同電位の中間電位
に保持するビット線中間電位保持手段と、このビット線
中間電位保持手段による前記複数のビットの中間電位保
持期間中に前記複数のワード線のうちの所定のワード線
を選択レベルとしてこのワード線に接続されたメモリセ
ルのトランジスタを導通させこれらメモリセルのトラン
ジスタ及び容量素子の接続点を前記中間電位に補正する
容量素子電極電位補正手段とを有することを特徴として
いる。
【００２３】また、複数のビット線それぞれが対をなす
第１及び第２のビット線から成り、複数のメモリセルそ
れぞれがトランジスタのソース，ドレインのうちの他方
を前記第１及び第２のビット線と対応接続する第１及び
第２のメモリセルから成り、複数のワード線それぞれが
前記第１及び第２のメモリセルを対応して選択状態とす
る第１及び第２のワード線から成り、前記対をなす第１
及び第２のビット線のうちの選択状態のメモリセルから
読出された信号が伝達される方のビット線と対をなすビ
ット線に所定のタイミングで所定の基準レベルを発生す
る基準レベル発生回路を備え、センス増幅器を前記第１
及び第２のビット線間の差電位を増幅する回路とし、ビ
ット線中間電位保持手段が、前記第１及び第２のビット
線を同一電位にバランスさせるバランス回路と、所定の
タイミングで前記第１及び第２のビット線に中間電位を
供給する中間電位供給回路とを含み、容量素子電極電位
補正手段が、前記中間電位供給回路により前記第１及び
第２のビット線に中間電位を供給している期間のうちの
所定の期間前記第１及び第２のワード線を定期的に選択
レベルとするワード線選択手段及びタイミング制御手段
を含んで構成され、更に、ワード線選択手段が、内部ア
ドレス信号を発生するアドレスカウンタと、外部アドレ
ス信号及び前記内部アドレス信号のうちの一方を選択す
るアドレス切換回路とを備え、容量素子の電極電位補正
時には前記内部アドレス信号を選択するようにして構成
される。
第１及び第２のビット線から成り、複数のメモリセルそ
れぞれがトランジスタのソース，ドレインのうちの他方
を前記第１及び第２のビット線と対応接続する第１及び
第２のメモリセルから成り、複数のワード線それぞれが
前記第１及び第２のメモリセルを対応して選択状態とす
る第１及び第２のワード線から成り、前記対をなす第１
及び第２のビット線のうちの選択状態のメモリセルから
読出された信号が伝達される方のビット線と対をなすビ
ット線に所定のタイミングで所定の基準レベルを発生す
る基準レベル発生回路を備え、センス増幅器を前記第１
及び第２のビット線間の差電位を増幅する回路とし、ビ
ット線中間電位保持手段が、前記第１及び第２のビット
線を同一電位にバランスさせるバランス回路と、所定の
タイミングで前記第１及び第２のビット線に中間電位を
供給する中間電位供給回路とを含み、容量素子電極電位
補正手段が、前記中間電位供給回路により前記第１及び
第２のビット線に中間電位を供給している期間のうちの
所定の期間前記第１及び第２のワード線を定期的に選択
レベルとするワード線選択手段及びタイミング制御手段
を含んで構成され、更に、ワード線選択手段が、内部ア
ドレス信号を発生するアドレスカウンタと、外部アドレ
ス信号及び前記内部アドレス信号のうちの一方を選択す
るアドレス切換回路とを備え、容量素子の電極電位補正
時には前記内部アドレス信号を選択するようにして構成
される。
【００２４】また、容量素子電極電位補正手段が、プリ
チャージ回路によるビット線のプリチャージの期間とこ
の期間に続く外部アドレス信号による所定のワード線の
選択レベルの期間とを含む期間以外の期間に、ビット線
中間電位保持手段により前記ビット線に中間電位に保持
し、かつ複数のメモリセル全てのトランジスタを導通状
態とする回路として構成され、更に、容量素子電極電位
補正手段が、複数のワード線全てを所定のタイミングで
中間電位とメモリセルのトランジスタのしきい値電圧と
の加算電位より高い所定の電位とするワード線レベル制
御回路を含んで構成される。
チャージ回路によるビット線のプリチャージの期間とこ
の期間に続く外部アドレス信号による所定のワード線の
選択レベルの期間とを含む期間以外の期間に、ビット線
中間電位保持手段により前記ビット線に中間電位に保持
し、かつ複数のメモリセル全てのトランジスタを導通状
態とする回路として構成され、更に、容量素子電極電位
補正手段が、複数のワード線全てを所定のタイミングで
中間電位とメモリセルのトランジスタのしきい値電圧と
の加算電位より高い所定の電位とするワード線レベル制
御回路を含んで構成される。
【００２５】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
【００２６】図１は本発明の第１の実施例を示す回路
図、図２はこの実施例の動作を説明するための各部信号
のタイミング図及び期間終点時の分極状態を示す図であ
る。
図、図２はこの実施例の動作を説明するための各部信号
のタイミング図及び期間終点時の分極状態を示す図であ
る。
【００２７】この実施例は、図７，図９，図１１に示さ
れたメモリセルＭＣと同一構成同一配置の複数の奇数番
目（第１）及び偶数番目（第２）のメモリセル（図１で
はＭＣ１１，ＭＣ１２のみ表示）、これら複数のメモリ
セル（ＭＣ１１，ＭＣ１２，…）の各行それぞれと対応
して設けられ対応する行の各メモリセルのトランジスタ
Ｔのゲートと接続して選択レベルのときこれらメモリセ
ルを選択状態とする複数の奇数番目（第１）及び偶数番
目（第２）のワード線（ＷＬ１，ＷＬ２のみ表示）、複
数のメモリセル（ＭＣ１１，ＭＣ１２，…）の各列それ
ぞれと対応して設けられ対応する列の奇数番目及び偶数
番目それぞれのメモリセルのトランジスタのソース，ド
レインのうちの他方と対応接続する複数の対をなす第１
及び第２のビット線（ＢＬ１１，ＢＬ１２のみ表示）、
並びに複数のメモリセル（ＭＣ１１，ＭＣ１２，…），
全ての容量素子Ｃの他方の電極と接続するプレート線Ｐ
Ｌを含むメモリセルアレイ１と、２値情報の論理レベル
の高レベル及び低レベルの中間レベルと対応する中間電
位Ｖｍ（例えば電源電位の１／２の電位）を発生しプレ
ート線ＰＬに定常的に供給する中間電位発生回路２と、
トランジスタＴ２１〜Ｔ２３を備えプリチャージ信号Ｂ
ＬＰの活性化レベルに応答して第１及び第２のビット線
（ＢＬ１１，ＢＬ１２，…）を２値情報の論理レベルの
高レベル及び低レベルのうちの一方のレベルと対応する
電位（この実施例では低レベル対応の接地電位）にプリ
チャージすると共に、ビット線バランス信号ＢＬＢの活
性化レベルに応答して第１及び第２のビット線（ＢＬ１
１，ＢＬ１２，…）を同一電位にバランスさせるプリチ
ャージ・バランス回路３と、基準レベル発生制御信号Ｒ
ＬＧ１，ＲＬＧ２の選択レベルに応答して第１及び第２
のビット線（例えばＢＬ１１，ＢＬ１２）のうちの選択
状態のメモリセルから読出された信号が伝達される方の
ビット線（例えばＢＬ１１）と対をなすビット線（ＢＬ
１２）に２値情報の読出しレベルの高レベル及び低レベ
ルの中間レベルの基準レベルを供給する基準レベル発生
回路４と、センス増幅活性化信号ＳＥの活性化レベルに
応答して第１及び第２のビット線（ＢＬ１１，ＢＬ１
２，…）間の差電位を増幅するセンス増幅器ＳＡ１，
…）と、トランジスタＴ５１，Ｔ５２を備え中間電位供
給信号ＭＶＳの活性化レベルに応答して中間電位発生回
路２からの中間電位Ｖｍを第１及び第２のビット線（Ｂ
Ｌ１１，ＢＬ１２，…）に供給する中間電位供給回路５
と、図１には示されていないが、この中間電位供給回路
５により第１及び第２のビット線（ＢＬ１１，ＢＬ１
２，…）に中間電位Ｖｍが供給されている期間の所定の
期間、ワード線（ＷＬ１，ＷＬ２，…）を定期的に所定
数本ずつ順次選択レベルとしてこれらワード線と接続す
るメモリセルのトランジスタＴを導通させこれらメモリ
セルのトランジスタＴ及び容量素子の接続点（セルノー
ド）Ｎｍｃを中間電位Ｖｍに補正するワード線選択部及
びタイミング制御部を含む容量素子電極電位補正手段と
を有する構成となっている。
れたメモリセルＭＣと同一構成同一配置の複数の奇数番
目（第１）及び偶数番目（第２）のメモリセル（図１で
はＭＣ１１，ＭＣ１２のみ表示）、これら複数のメモリ
セル（ＭＣ１１，ＭＣ１２，…）の各行それぞれと対応
して設けられ対応する行の各メモリセルのトランジスタ
Ｔのゲートと接続して選択レベルのときこれらメモリセ
ルを選択状態とする複数の奇数番目（第１）及び偶数番
目（第２）のワード線（ＷＬ１，ＷＬ２のみ表示）、複
数のメモリセル（ＭＣ１１，ＭＣ１２，…）の各列それ
ぞれと対応して設けられ対応する列の奇数番目及び偶数
番目それぞれのメモリセルのトランジスタのソース，ド
レインのうちの他方と対応接続する複数の対をなす第１
及び第２のビット線（ＢＬ１１，ＢＬ１２のみ表示）、
並びに複数のメモリセル（ＭＣ１１，ＭＣ１２，…），
全ての容量素子Ｃの他方の電極と接続するプレート線Ｐ
Ｌを含むメモリセルアレイ１と、２値情報の論理レベル
の高レベル及び低レベルの中間レベルと対応する中間電
位Ｖｍ（例えば電源電位の１／２の電位）を発生しプレ
ート線ＰＬに定常的に供給する中間電位発生回路２と、
トランジスタＴ２１〜Ｔ２３を備えプリチャージ信号Ｂ
ＬＰの活性化レベルに応答して第１及び第２のビット線
（ＢＬ１１，ＢＬ１２，…）を２値情報の論理レベルの
高レベル及び低レベルのうちの一方のレベルと対応する
電位（この実施例では低レベル対応の接地電位）にプリ
チャージすると共に、ビット線バランス信号ＢＬＢの活
性化レベルに応答して第１及び第２のビット線（ＢＬ１
１，ＢＬ１２，…）を同一電位にバランスさせるプリチ
ャージ・バランス回路３と、基準レベル発生制御信号Ｒ
ＬＧ１，ＲＬＧ２の選択レベルに応答して第１及び第２
のビット線（例えばＢＬ１１，ＢＬ１２）のうちの選択
状態のメモリセルから読出された信号が伝達される方の
ビット線（例えばＢＬ１１）と対をなすビット線（ＢＬ
１２）に２値情報の読出しレベルの高レベル及び低レベ
ルの中間レベルの基準レベルを供給する基準レベル発生
回路４と、センス増幅活性化信号ＳＥの活性化レベルに
応答して第１及び第２のビット線（ＢＬ１１，ＢＬ１
２，…）間の差電位を増幅するセンス増幅器ＳＡ１，
…）と、トランジスタＴ５１，Ｔ５２を備え中間電位供
給信号ＭＶＳの活性化レベルに応答して中間電位発生回
路２からの中間電位Ｖｍを第１及び第２のビット線（Ｂ
Ｌ１１，ＢＬ１２，…）に供給する中間電位供給回路５
と、図１には示されていないが、この中間電位供給回路
５により第１及び第２のビット線（ＢＬ１１，ＢＬ１
２，…）に中間電位Ｖｍが供給されている期間の所定の
期間、ワード線（ＷＬ１，ＷＬ２，…）を定期的に所定
数本ずつ順次選択レベルとしてこれらワード線と接続す
るメモリセルのトランジスタＴを導通させこれらメモリ
セルのトランジスタＴ及び容量素子の接続点（セルノー
ド）Ｎｍｃを中間電位Ｖｍに補正するワード線選択部及
びタイミング制御部を含む容量素子電極電位補正手段と
を有する構成となっている。
【００２８】次にこの実施例の動作について図２に示さ
れた各部信号のタイミング図を併せて参照し説明する。
れた各部信号のタイミング図を併せて参照し説明する。
【００２９】まず、複数のワード線（ＷＬ１，ＷＬ２，
…）のうちの所定のワード線（例えばＷＬ１）が外部ア
ドレス信号に応答して選択レベルとなる前の期間Ｔ１に
プリチャージ信号ＢＬＰを所定の期間活性化レベル（高
レベル）としビット線ＢＬ１１，ＢＬ１２を接地電位に
プリチャージする。またプリチャージ信号ＢＬＰの立上
りタイミングにビット線にバランス信号ＢＬＢを非活性
レベル（低レベル）とする（ビット線プリチャージ期
間）。
…）のうちの所定のワード線（例えばＷＬ１）が外部ア
ドレス信号に応答して選択レベルとなる前の期間Ｔ１に
プリチャージ信号ＢＬＰを所定の期間活性化レベル（高
レベル）としビット線ＢＬ１１，ＢＬ１２を接地電位に
プリチャージする。またプリチャージ信号ＢＬＰの立上
りタイミングにビット線にバランス信号ＢＬＢを非活性
レベル（低レベル）とする（ビット線プリチャージ期
間）。
【００３０】次の期間Ｔ２に、外部アドレス信号の指定
するワード線（例えばＷＬ１）を選択レベルとすると共
に、対応する基準レベル発生制御信号（ＲＬＧ１）を活
性化レベルとし、選択レベルのワード線（ＷＬ１）に接
続するメモリセル（ＭＣ１１）を選択状態としてこのメ
モリセル（ＭＣ１１）の記憶内容を対応するビット線
（ＢＬ１１）に読出し、また基準レベル発生回路４から
の基準レベルを対をなすビット線（ＢＬ１２）に供給す
る（記憶内容読出し期間）。このとき、ビット線ＢＬ１
１がプリチャージレベルの接地電位、プレート線ＰＬは
中間電位Ｖｍとなっているので、容量素子Ｃの両電極間
には、プレート線ＰＬ側を基準としてセルノードＮｍｃ
側に−Ｖｍの電圧が印加され、容量素子Ｃの強誘電体は
図８（Ａ）のｄ点に駆動され（図２の分極状態参照）、
従って、容量素子Ｃの読出し前の分極状態（図８（Ａ）
のａ点かｃ点か）によってビット線ＢＬ１１上に読出さ
れる信号のレベルが異なる。また、図８（Ａ）のｃ点
（以下、単にｃ点という、他も同様）の分極状態はｄ点
に変化し、記憶破壊されたことになる。
するワード線（例えばＷＬ１）を選択レベルとすると共
に、対応する基準レベル発生制御信号（ＲＬＧ１）を活
性化レベルとし、選択レベルのワード線（ＷＬ１）に接
続するメモリセル（ＭＣ１１）を選択状態としてこのメ
モリセル（ＭＣ１１）の記憶内容を対応するビット線
（ＢＬ１１）に読出し、また基準レベル発生回路４から
の基準レベルを対をなすビット線（ＢＬ１２）に供給す
る（記憶内容読出し期間）。このとき、ビット線ＢＬ１
１がプリチャージレベルの接地電位、プレート線ＰＬは
中間電位Ｖｍとなっているので、容量素子Ｃの両電極間
には、プレート線ＰＬ側を基準としてセルノードＮｍｃ
側に−Ｖｍの電圧が印加され、容量素子Ｃの強誘電体は
図８（Ａ）のｄ点に駆動され（図２の分極状態参照）、
従って、容量素子Ｃの読出し前の分極状態（図８（Ａ）
のａ点かｃ点か）によってビット線ＢＬ１１上に読出さ
れる信号のレベルが異なる。また、図８（Ａ）のｃ点
（以下、単にｃ点という、他も同様）の分極状態はｄ点
に変化し、記憶破壊されたことになる。
【００３１】次の期間Ｔ３にはセンス増幅活性化信号Ｓ
Ｅが活性化レベルとなってセンス増幅器ＳＡ１が活性化
し、ビット線ＢＬ１１，ＢＬ１２間の差電位を増幅す
る。選択状態のメモリセルＭＣ１１の記憶内容が“１”
レベルであったとするとビット線ＢＬ１１は電源電位レ
ベルの高レベルとなり（図２の場合）、“０”レベルの
ときは接地電位レベルとなる。プレート線ＰＬは中間電
位Ｖｍに固定されているので、記憶内容“１”のときは
ｂ点に駆動され、“０”のときはｄ点に駆動される（セ
ンス増幅期間）。
Ｅが活性化レベルとなってセンス増幅器ＳＡ１が活性化
し、ビット線ＢＬ１１，ＢＬ１２間の差電位を増幅す
る。選択状態のメモリセルＭＣ１１の記憶内容が“１”
レベルであったとするとビット線ＢＬ１１は電源電位レ
ベルの高レベルとなり（図２の場合）、“０”レベルの
ときは接地電位レベルとなる。プレート線ＰＬは中間電
位Ｖｍに固定されているので、記憶内容“１”のときは
ｂ点に駆動され、“０”のときはｄ点に駆動される（セ
ンス増幅期間）。
【００３２】ビット線ＢＬ１１，ＢＬ１２の電位が安定
した期間Ｔ４において、メモリセルＭＣ１１から読出さ
れた情報が外部に出力され、また外部からのデータによ
ってビット線ＢＬ１１，ＢＬ１２の電位に制御してその
データをメモリセルＭＣ１１に書込むことができる（デ
ータ読出し、書込み期間）。
した期間Ｔ４において、メモリセルＭＣ１１から読出さ
れた情報が外部に出力され、また外部からのデータによ
ってビット線ＢＬ１１，ＢＬ１２の電位に制御してその
データをメモリセルＭＣ１１に書込むことができる（デ
ータ読出し、書込み期間）。
【００３３】次の期間Ｔ５において、センス増幅活性化
信号ＳＥを非活性化レベルとしてセンス増幅器ＳＡ１を
非活性状態とし、続いてビット線バランス信号ＢＬＢを
活性化レベルとすることによりビットＢＬ１１，ＢＬ１
２を同一電位にバランスさせる。このとき、電源電位及
び接地電位にあったビット線ＢＬ１１，ＢＬ１２はその
中間の電源電位の１／２の電位となるので、容量素子Ｃ
の両電極間には電圧がかからなくなり、読出し前の分極
状態に戻り、また書込みデータに応じた分極状態となる
（記憶動作期間）。
信号ＳＥを非活性化レベルとしてセンス増幅器ＳＡ１を
非活性状態とし、続いてビット線バランス信号ＢＬＢを
活性化レベルとすることによりビットＢＬ１１，ＢＬ１
２を同一電位にバランスさせる。このとき、電源電位及
び接地電位にあったビット線ＢＬ１１，ＢＬ１２はその
中間の電源電位の１／２の電位となるので、容量素子Ｃ
の両電極間には電圧がかからなくなり、読出し前の分極
状態に戻り、また書込みデータに応じた分極状態となる
（記憶動作期間）。
【００３４】次の期間Ｔ６において、選択レベルのワー
ド線ＷＬ１及び対応する基準レベル発生制御信号ＲＬＧ
１をそれぞれ非選択レベル，非活性化レベルとしてメモ
リセルＭＣ１１を非選択状態とすると共にビット線ＢＬ
１１，ＢＬ１２を基準レベル発生回路４から切離し、メ
モリセルＭＣ１１の記憶内容を保持する（記憶内容保持
期間）。
ド線ＷＬ１及び対応する基準レベル発生制御信号ＲＬＧ
１をそれぞれ非選択レベル，非活性化レベルとしてメモ
リセルＭＣ１１を非選択状態とすると共にビット線ＢＬ
１１，ＢＬ１２を基準レベル発生回路４から切離し、メ
モリセルＭＣ１１の記憶内容を保持する（記憶内容保持
期間）。
【００３５】こうして、記憶内容の読出し及び再書き込
み又は外部データの書込み動作、並びに記憶保持までの
一連の動作が終了する。
み又は外部データの書込み動作、並びに記憶保持までの
一連の動作が終了する。
【００３６】記憶内容の読出し又は外部データの書込み
動作のないメモリセルや、これらの動作が行なわれない
期間には、期間Ｔ８の容量素子電極（セルノード）電位
補正動作が行なわれる（図２の期間Ｔ７は省略可能）。
動作のないメモリセルや、これらの動作が行なわれない
期間には、期間Ｔ８の容量素子電極（セルノード）電位
補正動作が行なわれる（図２の期間Ｔ７は省略可能）。
【００３７】この期間Ｔ８では、まず中間電位Ｖｍをビ
ット線ＢＬ１１，ＢＬ１２に供給する。このビット線Ｂ
Ｌ１１，ＢＬ１２に中間電位Ｖｍが供給されている期間
に、所定のワード線（例えばＷＬ２）を定期的に選択レ
ベルとし、このワード線（ＷＬ２）と接続するメモリセ
ルのトランジスタＴを導通させ、これらメモリセルのセ
ルノードＮｍｃを電位変化を少なくしプレート線ＰＬの
電位とほぼ同程度に保つことができるので、メモリセル
の記憶破壊（容量素子Ｃの自発分極の反転誤動作）をな
くすことができる。
ット線ＢＬ１１，ＢＬ１２に供給する。このビット線Ｂ
Ｌ１１，ＢＬ１２に中間電位Ｖｍが供給されている期間
に、所定のワード線（例えばＷＬ２）を定期的に選択レ
ベルとし、このワード線（ＷＬ２）と接続するメモリセ
ルのトランジスタＴを導通させ、これらメモリセルのセ
ルノードＮｍｃを電位変化を少なくしプレート線ＰＬの
電位とほぼ同程度に保つことができるので、メモリセル
の記憶破壊（容量素子Ｃの自発分極の反転誤動作）をな
くすことができる。
【００３８】この期間Ｔ８に所定のワード線を定期的に
選択レベルとする方法としては、外部アドレス信号の入
力によって行う方法や、内部アドレス信号を発生する方
法などがある。
選択レベルとする方法としては、外部アドレス信号の入
力によって行う方法や、内部アドレス信号を発生する方
法などがある。
【００３９】内部アドレス信号を発生する方法を採用し
た場合の実施例（第２の）のブロック図を図３に示す。
た場合の実施例（第２の）のブロック図を図３に示す。
【００４０】この実施例のメモリセルアレイ１，プリチ
ャージ・バランス回路３，基準レベル発生回路４及び中
間電位供給回路５は第１の実施例と同様であり、また第
１の実施例における中間電位発生回路２は省略され、セ
ンス増幅・列選択回路１１にセンス増幅器（ＳＡ１，
…）が含まれている。また、センス増幅・列選択回路１
１の列選択回路部分、Ｘデコーダ９，Ｙデコーダ１０，
データ出力回路１２及びデータ入出回路１３は基本的に
は通常のＤＲＡＭと同様であるので、その説明は省略す
る。
ャージ・バランス回路３，基準レベル発生回路４及び中
間電位供給回路５は第１の実施例と同様であり、また第
１の実施例における中間電位発生回路２は省略され、セ
ンス増幅・列選択回路１１にセンス増幅器（ＳＡ１，
…）が含まれている。また、センス増幅・列選択回路１
１の列選択回路部分、Ｘデコーダ９，Ｙデコーダ１０，
データ出力回路１２及びデータ入出回路１３は基本的に
は通常のＤＲＡＭと同様であるので、その説明は省略す
る。
【００４１】アドレスバッファ回路６は、制御回路１４
の制御のもとに外部アドレス信号ＡＤを取り込み出力す
る。アドレスカウンタ７は、制御回路１４の制御のもと
に内部アドレス信号ＡＤＩを発生する。そして、アドレ
ス選択回路８は、制御回路１４の制御のもとにアドレス
バッファ回路６からのアドレス信号及び内部アドレス信
号ＡＤＩのうちの一方を選択してＸデコーダ９に伝達
し、Ｘデコーダ９はこの伝達されたアドレス信号に従っ
て複数のワード線ＷＬ１〜ＷＬｍのうちの所定のワード
線を選択レベルとする。
の制御のもとに外部アドレス信号ＡＤを取り込み出力す
る。アドレスカウンタ７は、制御回路１４の制御のもと
に内部アドレス信号ＡＤＩを発生する。そして、アドレ
ス選択回路８は、制御回路１４の制御のもとにアドレス
バッファ回路６からのアドレス信号及び内部アドレス信
号ＡＤＩのうちの一方を選択してＸデコーダ９に伝達
し、Ｘデコーダ９はこの伝達されたアドレス信号に従っ
て複数のワード線ＷＬ１〜ＷＬｍのうちの所定のワード
線を選択レベルとする。
【００４２】これら回路の外部アドレス信号ＡＤによる
アクセスは通常のＤＲＡＭと同様であるが、期間Ｔ８の
容量素子電極電位補正動作の期間では、アドレスカウン
タ７からの内部アドレス信号ＡＤＩによって所定のワー
ド線が選択レベルとなる。
アクセスは通常のＤＲＡＭと同様であるが、期間Ｔ８の
容量素子電極電位補正動作の期間では、アドレスカウン
タ７からの内部アドレス信号ＡＤＩによって所定のワー
ド線が選択レベルとなる。
【００４３】図４は内部アドレス信号ＡＤＩによりワー
ド線ＷＬ１〜ＷＬｍが順次選択レベルとなる様子を示す
タイミング図である。この図４には、ワード線ＷＬ１〜
ＷＬｍを１本ずつ順次選択レベルとする例が示されてい
るが、ワード線ＷＬ１〜ＷＬｍのうちの複数本を同時に
選択レベルとしてもよい。
ド線ＷＬ１〜ＷＬｍが順次選択レベルとなる様子を示す
タイミング図である。この図４には、ワード線ＷＬ１〜
ＷＬｍを１本ずつ順次選択レベルとする例が示されてい
るが、ワード線ＷＬ１〜ＷＬｍのうちの複数本を同時に
選択レベルとしてもよい。
【００４４】これら実施例においては、プレート線ＰＬ
の電位が固定されているので、その充電，放電がなく、
従ってその分、動作の高速化及び消費電力の低減ができ
る。また、セルノード電位補正のための選択レベル／非
選択レベルの制御と、電位制御及び動作制御とも２段階
となるので、従来の技術における第２の例の電位制御４
段階、動作制御３段階に比べ大幅に単純化することがで
き、かつメモリセルの記憶破壊を防止することができ
る。
の電位が固定されているので、その充電，放電がなく、
従ってその分、動作の高速化及び消費電力の低減ができ
る。また、セルノード電位補正のための選択レベル／非
選択レベルの制御と、電位制御及び動作制御とも２段階
となるので、従来の技術における第２の例の電位制御４
段階、動作制御３段階に比べ大幅に単純化することがで
き、かつメモリセルの記憶破壊を防止することができ
る。
【００４５】図５は本発明の第３の実施例を示すブロッ
ク図、図６はこの実施例の動作を説明するための各部信
号のタイミング図である。
ク図、図６はこの実施例の動作を説明するための各部信
号のタイミング図である。
【００４６】この実施例が図３に示された第２の実施例
と相違する点は、容量素子電極電位補正手段を、アドレ
スカウンタ７，アドレス選択回路８，Ｘデコーダ９及び
制御回路１４に代えて、ワード線レベル制御回路１５，
Ｘデコーダ９ａ及び制御回路１４ａとし、プリチャージ
・バランス回路３によるビット線（ＢＬ１１，ＢＬ１
２，…）のプリチャージの期間と、この期間に続く外部
アドレス信号ＡＤによる所定のワード線の選択レベルの
期間とを含む期間以外の期間に、中間電位供給回路５に
よりビット線（ＢＬ１１，ＢＬ１２，…）を中間電位Ｖ
ｍに保持し、かつ全ワード線ＷＬ１〜ＷＬｍを、中間電
位ＶｍとメモリセルのトランジスタＴのしきい値電圧Ｖ
ｔとの加算電位より高い所定の電位にしてメモリセルア
レイ１の複数のメモリセル全てのトランジスタＴを導通
状態とする回路とした点にある。
と相違する点は、容量素子電極電位補正手段を、アドレ
スカウンタ７，アドレス選択回路８，Ｘデコーダ９及び
制御回路１４に代えて、ワード線レベル制御回路１５，
Ｘデコーダ９ａ及び制御回路１４ａとし、プリチャージ
・バランス回路３によるビット線（ＢＬ１１，ＢＬ１
２，…）のプリチャージの期間と、この期間に続く外部
アドレス信号ＡＤによる所定のワード線の選択レベルの
期間とを含む期間以外の期間に、中間電位供給回路５に
よりビット線（ＢＬ１１，ＢＬ１２，…）を中間電位Ｖ
ｍに保持し、かつ全ワード線ＷＬ１〜ＷＬｍを、中間電
位ＶｍとメモリセルのトランジスタＴのしきい値電圧Ｖ
ｔとの加算電位より高い所定の電位にしてメモリセルア
レイ１の複数のメモリセル全てのトランジスタＴを導通
状態とする回路とした点にある。
【００４７】この実施例では、メモリセルに対する読出
し、書込み動作（アクセス）終了後、期間Ｔ５におい
て、センス増幅活性化信号ＳＥを非活性化レベルとした
後、ビット線バランス信号ＢＬＢ及び中間電位供給信号
ＭＶＳを活性化レベルとしてビット線（ＢＬ１１，ＢＬ
１２，…）を中間電位Ｖｍに保持し、期間Ｔ６で選択レ
ベルのワード線を含む全てのワード線ＷＬ１〜ＷＬｍ
を、全メモリセルのトランジスタＴが導通状態となる電
位とする。以後、この状態を次のアクセスが開始される
期間Ｔ１のプリチャージ信号ＢＬＰの立上りタイミング
まで保持する。この結果、ビット線プリチャージ期間を
含むメモリセルアクセス時以外は全メモリセルのセルノ
ードＮｍｃにプレート線ＰＬと同電位の中間電位Ｖｍが
供給され、これらメモリセルの記憶破壊を防止すること
ができる。
し、書込み動作（アクセス）終了後、期間Ｔ５におい
て、センス増幅活性化信号ＳＥを非活性化レベルとした
後、ビット線バランス信号ＢＬＢ及び中間電位供給信号
ＭＶＳを活性化レベルとしてビット線（ＢＬ１１，ＢＬ
１２，…）を中間電位Ｖｍに保持し、期間Ｔ６で選択レ
ベルのワード線を含む全てのワード線ＷＬ１〜ＷＬｍ
を、全メモリセルのトランジスタＴが導通状態となる電
位とする。以後、この状態を次のアクセスが開始される
期間Ｔ１のプリチャージ信号ＢＬＰの立上りタイミング
まで保持する。この結果、ビット線プリチャージ期間を
含むメモリセルアクセス時以外は全メモリセルのセルノ
ードＮｍｃにプレート線ＰＬと同電位の中間電位Ｖｍが
供給され、これらメモリセルの記憶破壊を防止すること
ができる。
【００４８】この実施例においては、第１及び第２の実
施例と同様に動作の高速化及び消費電力の低減、並びに
記憶破壊の防止ができ、ワード線の電位制御は２段階
（全メモリセルのトランジスタＴ導通時の電位を通常の
アクセス時の選択レベルとした場合）又は３段階（通常
のアクセス時の選択レベルとは異なるレベルとした場
合）となり、第１，第２の実施例より複雑になる場合も
あるが、セルノード電位補正期間におけるワード線の選
択動作が不要となるので、ワード線の制御は、第１，第
２の実施例と同程或いはそれ以上に単純化され、またワ
ード線の選択動作が不要な分、動作の高速化が可能とな
る。
施例と同様に動作の高速化及び消費電力の低減、並びに
記憶破壊の防止ができ、ワード線の電位制御は２段階
（全メモリセルのトランジスタＴ導通時の電位を通常の
アクセス時の選択レベルとした場合）又は３段階（通常
のアクセス時の選択レベルとは異なるレベルとした場
合）となり、第１，第２の実施例より複雑になる場合も
あるが、セルノード電位補正期間におけるワード線の選
択動作が不要となるので、ワード線の制御は、第１，第
２の実施例と同程或いはそれ以上に単純化され、またワ
ード線の選択動作が不要な分、動作の高速化が可能とな
る。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、プレート
線の電位を固定し、かつセルノードの電位を、メモリセ
ルのトランジスタを導通状態にしてプレート線と同電位
に補正する構成となっているので、動作の高速化及び消
費電力の低減、並びに記憶破壊の防止ができ、かつワー
ド線の電位制御，動作制御を単純化することができる効
果がある。
線の電位を固定し、かつセルノードの電位を、メモリセ
ルのトランジスタを導通状態にしてプレート線と同電位
に補正する構成となっているので、動作の高速化及び消
費電力の低減、並びに記憶破壊の防止ができ、かつワー
ド線の電位制御，動作制御を単純化することができる効
果がある。
【図１】本発明の第１の実施例を示す回路図である。
【図２】図１に示された実施例の動作を説明するための
各部信号のタイミング図である。
各部信号のタイミング図である。
【図３】本発明の第２の実施例を示すブロック図であ
る。
る。
【図４】図３に示された実施例の動作を説明するための
各部信号のタイミング図である。
各部信号のタイミング図である。
【図５】本発明の第３の実施例を示すブロック図であ
る。
る。
【図６】図５に示された実施例の動作を説明するための
各部信号のタイミング図である。
各部信号のタイミング図である。
【図７】強誘電体メモリ装置に使用されるメモリセル及
びその周辺の回路及び断面図である。
びその周辺の回路及び断面図である。
【図８】図７に示されたメモリセルの印加電界対分極量
のヒステリシス特性及び印加電圧と電界，分極量との関
係を示す図である。
のヒステリシス特性及び印加電圧と電界，分極量との関
係を示す図である。
【図９】従来の不揮強誘電体メモリ装置の第１の例を示
す回路図である。
す回路図である。
【図１０】図９に示された強誘電体メモリ装置の動作を
説明するための各部信号の波形図である。
説明するための各部信号の波形図である。
【図１１】従来の強誘電体メモリ装置の第２の例を示す
回路図である。
回路図である。
【図１２】図７に示された強誘電体メモリ装置の動作を
説明するための各部信号のタイミング図である。
説明するための各部信号のタイミング図である。
１，１ｘ，１ｙ メモリセルアレイ ２，２ｘ 中間電位発生回路 ３ プリチャージ・バランス回路 ４，４ｘ 基準レベル発生回路 ５ 中間電位供給回路 ６ アドレスバッファ回路 ７ アドレスカウンタ ８ アドレス選択回路 ９，９ａ Ｘデコーダ １０ Ｙデコーダ １１ センス増幅・列選択回路 １２ データ出力回路 １３ データ入力回路 １４，１４ａ 制御回路 １５ ワード線レベル制御回路 １６ プレート線電位供給制御回路 １７ プリチャージ回路 ＢＬ，ＢＬ１１，ＢＬ１２〜ＢＬｎ１，ＢＬｎ２ ビ
ット線 Ｃ 容量素子 ＭＣ，ＭＣ１，ＭＣ２ メモリセル ＰＬ，ＰＬ１ プレート線 ＳＡ１ センス増幅器 Ｔ，Ｔ２１〜Ｔ２３，Ｔ４１，Ｔ４２，Ｔ５１，Ｔ５２
トランジスタ ＷＬ，ＷＬ１〜ＷＬｍ ワード線
ット線 Ｃ 容量素子 ＭＣ，ＭＣ１，ＭＣ２ メモリセル ＰＬ，ＰＬ１ プレート線 ＳＡ１ センス増幅器 Ｔ，Ｔ２１〜Ｔ２３，Ｔ４１，Ｔ４２，Ｔ５１，Ｔ５２
トランジスタ ＷＬ，ＷＬ１〜ＷＬｍ ワード線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−94473（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−243690（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−208796（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−212771（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11C 11/22
Claims (5)
- 【請求項１】 強誘電体膜を相対向する２つの電極で挟
んで形成され前記強誘電体膜の分極状態により２値情報
を記憶，保存する容量素子とソース，ドレインのうちの
一方を前記容量素子の一方の電極に接続するトランジス
タとを備え行方向，列方向に配置された複数のメモリセ
ル、これら複数のメモリセルの各行それぞれと対応して
設けられ対応する行の各メモリセルのトランジスタのゲ
ートと接続して選択レベルのときこれらメモリセルを選
択状態とする複数のワード線、前記複数のメモリセルの
各列それぞれと対応して設けられ対応する列の各メモリ
セルのトランジスタのソース，ドレインのうちの他方と
接続する複数のビット線、及び前記複数のメモリセルの
容量素子それぞれの他方の電極と接続するプレート線を
含むメモリセルアレイと、前記２値情報の論理レベルの
高レベル及び低レベルの中間レベルと対応する中間電位
を前記プレート線に定常的に供給するプレート線電位供
給手段と、前記複数のワード線のうちの所定のワード線
が外部アドレス信号に応答して選択レベルとなる前の所
定の期間に前記複数のビット線を前記２値情報の論理レ
ベルの高レベル及び低レベルのうちの一方のレベルと対
応する電位にプリチャージするプリチャージ回路と、こ
のプリチャージ回路によりプリチャージされたビット線
に選択状態のメモリセルから読出された信号を所定の期
間所定の基準レベルと比較し増幅する複数のセンス増幅
器と、これら複数のセンス増幅器の増幅期間終了後前記
複数のビット線を前記プレート線と同電位の中間電位に
保持するビット線中間電位保持手段と、このビット線中
間電位保持手段による前記複数のビットの中間電位保持
期間中に前記複数のワード線のうちの所定のワード線を
選択レベルとしてこのワード線に接続されたメモリセル
のトランジスタを導通させこれらメモリセルのトランジ
スタ及び容量素子の接続点を前記中間電位に補正する容
量素子電極電位補正手段とを有することを特徴とする強
誘電体メモリ装置。 - 【請求項２】 複数のビット線それぞれが対をなす第１
及び第２のビット線から成り、複数のメモリセルそれぞ
れがトランジスタのソース，ドレインのうちの他方を前
記第１及び第２のビット線と対応接続する第１及び第２
のメモリセルから成り、複数のワード線それぞれが前記
第１及び第２のメモリセルを対応して選択状態とする第
１及び第２のワード線から成り、前記対をなす第１及び
第２のビット線のうちの選択状態のメモリセルから読出
された信号が伝達される方のビット線と対をなすビット
線に所定のタイミングで所定の基準レベルを発生する基
準レベル発生回路を備え、センス増幅器を前記第１及び
第２のビット線間の差電位を増幅する回路とし、ビット
線中間電位保持手段が、前記第１及び第２のビット線を
同一電位にバランスさせるバランス回路と、所定のタイ
ミングで前記第１及び第２のビット線に中間電位を供給
する中間電位供給回路とを含み、容量素子電極電位補正
手段が、前記中間電位供給回路により前記第１及び第２
のビット線に中間電位を供給している期間のうちの所定
の期間前記第１及び第２のワード線を定期的に選択レベ
ルとするワード線選択手段及びタイミング制御手段を含
んで構成された請求項１記載の強誘電体メモリ装置。 - 【請求項３】 ワード線選択手段が、内部アドレス信号
を発生するアドレスカウンタと、外部アドレス信号及び
前記内部アドレス信号のうちの一方を選択するアドレス
切換回路とを備え、容量素子の電極電位補正時には前記
内部アドレス信号を選択するようにした請求項２記載の
強誘電体メモリ装置。 - 【請求項４】 容量素子電極電位補正手段が、プリチャ
ージ回路によるビット線のプリチャージの期間とこの期
間に続く外部アドレス信号による所定のワード線の選択
レベルの期間とを含む期間以外の期間に、ビット線中間
電位保持手段により前記ビット線を中間電位に保持し、
かつ複数のメモリセル全てのトランジスタを導通状態と
する回路として構成された請求項１記載の強誘電体メモ
リ装置。 - 【請求項５】 容量素子電極電位補正手段が、複数のワ
ード線全てを所定のタイミングで中間電位とメモリセル
のトランジスタのしきい値電圧との加算電位より高い所
定の電位とするワード線レベル制御回路を含んで構成さ
れた請求項４記載の強誘電体メモリ装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32455894A JP3183076B2 (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 強誘電体メモリ装置 |
| US08/575,078 US5671174A (en) | 1994-12-27 | 1995-12-19 | Ferroelectric memory device |
| EP95120248A EP0720171B1 (en) | 1994-12-27 | 1995-12-21 | Ferroelectric memory device |
| DE69517142T DE69517142T2 (de) | 1994-12-27 | 1995-12-21 | Ferroelektrische Speicheranordnung |
| KR1019950056929A KR0170008B1 (ko) | 1994-12-27 | 1995-12-26 | 강유전체 메모리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32455894A JP3183076B2 (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 強誘電体メモリ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0982083A JPH0982083A (ja) | 1997-03-28 |
| JP3183076B2 true JP3183076B2 (ja) | 2001-07-03 |
Family
ID=18167160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32455894A Expired - Lifetime JP3183076B2 (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 強誘電体メモリ装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5671174A (ja) |
| EP (1) | EP0720171B1 (ja) |
| JP (1) | JP3183076B2 (ja) |
| KR (1) | KR0170008B1 (ja) |
| DE (1) | DE69517142T2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| KR19990030710A (ko) * | 1997-10-02 | 1999-05-06 | 김영환 | 강유전체 메모리 장치 및 그 동작 방법 |
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