JP3171161B2 - プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 - Google Patents
プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 107
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims description 94
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 112
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 88
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 58
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 54
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 93
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 50
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000012717 electrostatic precipitator Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
- H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマエッチン
グ方法及びプラズマエッチング装置に関し、更に詳しく
は、エッチング処理中に発生したパーティクルが基板上
に付着することを防止するプラズマエッチング方法プラ
ズマエッチング装置に関するものである。
グ方法及びプラズマエッチング装置に関し、更に詳しく
は、エッチング処理中に発生したパーティクルが基板上
に付着することを防止するプラズマエッチング方法プラ
ズマエッチング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置を製造する際、プラズマエッ
チング装置を用い、減圧状態の反応性のプラズマガスを
用いてドライエッチングすることが多い。以下、図面を
参照し、例を挙げて従来のプラズマエッチング装置を説
明する。図６は、半導体装置の製造工場で一般に用いら
れているプラズマエッチング装置の一構成を示す側面断
面図である。プラズマエッチング装置１０は、平行平板
型の加工用電極を備えた、枚葉式の装置である。プラズ
マエッチング装置１０は、エッチング処理により基板を
加工する処理室１２と、処理室内に設けられ、基板１１
を上面に保持する下部電極１６と、下部電極１６に対向
し、下部電極１６に保持された基板との間で放電する放
電面を有する上部電極１８とを備えている。下部電極１
６は、静電吸着式で基板１１を保持する静電吸着電極１
５と、その下の絶縁性板２４と、その下の下部電極本体
１７とから構成される。静電吸着電極１５には直流電源
２６が接続され、下部電極本体１７には高周波電源２８
が接続されている。上部電極１８には、プロセスガスや
パージガスを導入するガス導入路２０が形成され、上部
電極１６の下面のうちの基板上方の全領域にわたり、ガ
ス吹き出し口２２が形成されている。上部電極１８はア
ース接続されている。また、処理室１２の底部には、通
常、１つの排気口２３が形成され、処理室１２の側壁に
は、基板１１を搬送する搬送口３０が形成されている。
チング装置を用い、減圧状態の反応性のプラズマガスを
用いてドライエッチングすることが多い。以下、図面を
参照し、例を挙げて従来のプラズマエッチング装置を説
明する。図６は、半導体装置の製造工場で一般に用いら
れているプラズマエッチング装置の一構成を示す側面断
面図である。プラズマエッチング装置１０は、平行平板
型の加工用電極を備えた、枚葉式の装置である。プラズ
マエッチング装置１０は、エッチング処理により基板を
加工する処理室１２と、処理室内に設けられ、基板１１
を上面に保持する下部電極１６と、下部電極１６に対向
し、下部電極１６に保持された基板との間で放電する放
電面を有する上部電極１８とを備えている。下部電極１
６は、静電吸着式で基板１１を保持する静電吸着電極１
５と、その下の絶縁性板２４と、その下の下部電極本体
１７とから構成される。静電吸着電極１５には直流電源
２６が接続され、下部電極本体１７には高周波電源２８
が接続されている。上部電極１８には、プロセスガスや
パージガスを導入するガス導入路２０が形成され、上部
電極１６の下面のうちの基板上方の全領域にわたり、ガ
ス吹き出し口２２が形成されている。上部電極１８はア
ース接続されている。また、処理室１２の底部には、通
常、１つの排気口２３が形成され、処理室１２の側壁に
は、基板１１を搬送する搬送口３０が形成されている。
【０００３】図７は、プラズマエッチング装置１０を用
いて基板をエッチング処理する際の装置１０の稼働の様
子を示すグラフ図であり、基板処理の１サイクルとして
示している。プラズマエッチング装置１０では、上部電
極１８のガス吹き出し口２２から、塩素などの反応性の
高いプロセスガスを処理室内に導入し、所定の一定圧力
になった段階で電極間に高周波電圧を印加してプロセス
ガスをプラズマ化することによりエッチング処理され
る。エッチング処理を終了すると、高周波電圧の印加と
プロセスガスの導入を同時に停止し、数秒後、反応性の
低いハロゲンガスなどをパージガスとして導入する。
いて基板をエッチング処理する際の装置１０の稼働の様
子を示すグラフ図であり、基板処理の１サイクルとして
示している。プラズマエッチング装置１０では、上部電
極１８のガス吹き出し口２２から、塩素などの反応性の
高いプロセスガスを処理室内に導入し、所定の一定圧力
になった段階で電極間に高周波電圧を印加してプロセス
ガスをプラズマ化することによりエッチング処理され
る。エッチング処理を終了すると、高周波電圧の印加と
プロセスガスの導入を同時に停止し、数秒後、反応性の
低いハロゲンガスなどをパージガスとして導入する。
【０００４】ところで、ＬＳＩの製造工程、特にプラズ
マを用いた金属膜のエッチングプロセスでは、発生する
パーティクルが、歩留まりや装置の稼働率を下げる大き
な要因となっている。パーティクルが発生する主な原因
は、プラズマエッチング装置内に付着した反応生成物が
剥離し、基板上に落下することである。従って、パーテ
ィクルの発生を完全に防止することは困難であり、この
ため、発生したパーティクルを基板上に付着させない方
法、あるいは付着させない機能を持つ装置が開発されて
いる。このような方法又は装置としては、開昭５９−１
１９８３９号公報、特開昭６０−１９５９３７号公報、
特開平４−２５０６２１号公報、特開平５−２９２７２
号公報、特開平５−２６７２３４号公報、特開平７−５
８０３３号公報、特開平８−１１５９０３号公報、及
び、特開平６−１２２９７８号公報に記載されている。
特開昭５９−１１９８３９号公報、及び、特開昭６０−
１９５９３７号公報は、加工される基板を下向きあるい
は垂直に保持し、重力によって落下するパーティクルが
基板上に付着することを防止するものである。特開平４
−２５０６２１号公報では、落下したパーティクルが真
空装置内で拡散することを防止するカバーを、電極可動
部や金属シール部周囲に取り付けている。特開平５−２
９２７２号公報は、プロセス終了直後の基板を覆うカバ
ーを取り付け、パーティクルが基板に落下することを防
止するものである。これらは、パーティクルが基板上に
落下することを防止する手段である。一方、パーティク
ルを積極的に移動させ、基板上への付着を防止する手段
として、特開平５−２６７２３４号公報、及び、特開平
８−１１５９０３号公報に記載されている。特開平５−
２６７２３４号公報では、集塵用電極により静電的にパ
ーティクルを除去している。特開平８−１１５９０３号
公報では、プロセスガスの流れを加工電極から基板に向
かうことを阻止する手段を設け、ガス中のパーティクル
が基板上に達することを防止している。以上の方法を組
み合わせた手段として、特開平７−５８０３３号公報で
は、静電集塵機構を有して、プロセス終了後直ちに基板
を覆うカバーを備え、パーティクルが基板上に到達する
ことを防止することが記載されている。また、特開平６
−１２２９７８号公報では、高周波電圧の印加を停止
後、基板と高周波電極との間にパージガスを導入して、
パーティクルが数秒間かけて基板表面位置に到達するよ
うにしており、成膜後に基板表面にパーティクルが付着
することを抑制している。
マを用いた金属膜のエッチングプロセスでは、発生する
パーティクルが、歩留まりや装置の稼働率を下げる大き
な要因となっている。パーティクルが発生する主な原因
は、プラズマエッチング装置内に付着した反応生成物が
剥離し、基板上に落下することである。従って、パーテ
ィクルの発生を完全に防止することは困難であり、この
ため、発生したパーティクルを基板上に付着させない方
法、あるいは付着させない機能を持つ装置が開発されて
いる。このような方法又は装置としては、開昭５９−１
１９８３９号公報、特開昭６０−１９５９３７号公報、
特開平４−２５０６２１号公報、特開平５−２９２７２
号公報、特開平５−２６７２３４号公報、特開平７−５
８０３３号公報、特開平８−１１５９０３号公報、及
び、特開平６−１２２９７８号公報に記載されている。
特開昭５９−１１９８３９号公報、及び、特開昭６０−
１９５９３７号公報は、加工される基板を下向きあるい
は垂直に保持し、重力によって落下するパーティクルが
基板上に付着することを防止するものである。特開平４
−２５０６２１号公報では、落下したパーティクルが真
空装置内で拡散することを防止するカバーを、電極可動
部や金属シール部周囲に取り付けている。特開平５−２
９２７２号公報は、プロセス終了直後の基板を覆うカバ
ーを取り付け、パーティクルが基板に落下することを防
止するものである。これらは、パーティクルが基板上に
落下することを防止する手段である。一方、パーティク
ルを積極的に移動させ、基板上への付着を防止する手段
として、特開平５−２６７２３４号公報、及び、特開平
８−１１５９０３号公報に記載されている。特開平５−
２６７２３４号公報では、集塵用電極により静電的にパ
ーティクルを除去している。特開平８−１１５９０３号
公報では、プロセスガスの流れを加工電極から基板に向
かうことを阻止する手段を設け、ガス中のパーティクル
が基板上に達することを防止している。以上の方法を組
み合わせた手段として、特開平７−５８０３３号公報で
は、静電集塵機構を有して、プロセス終了後直ちに基板
を覆うカバーを備え、パーティクルが基板上に到達する
ことを防止することが記載されている。また、特開平６
−１２２９７８号公報では、高周波電圧の印加を停止
後、基板と高周波電極との間にパージガスを導入して、
パーティクルが数秒間かけて基板表面位置に到達するよ
うにしており、成膜後に基板表面にパーティクルが付着
することを抑制している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記公報に
記載された従来の方法や装置では、装置を変更し部品を
追加する必要があるため、装置の機構が複雑になり、し
かも装置コストが高いという問題があった。この問題を
以下に詳しく説明する。基板保持方向を変更するには、
搬送系や加工用電極、ウエハ保持機構などの重量の大き
い部品を装置上部に取り付けたり垂直に保持したりする
必要があり、このため、装置を安定して動作させること
に関して新たな問題が生じる。しかも、これらの部品を
支持するために装置を頑丈に作る必要があるため、装置
が大型化する。更には、基板の搬送機構が複雑になる。
また、プロセス終了後に基板をカバーで覆ったり、パー
ティクルを静電力により吸着するには、装置内の基板近
傍に可動機構を設ける必要があり、このため、逆にパー
ティクルが発生して基板に付着する可能性がある。さら
に、これらの機構を設けることにより装置が大型化す
る。また、落下したパーティクルが装置内で拡散するこ
とを防止するカバーの設置や、プロセスガスの流れる方
向の制御などの対策は、上部電極から剥離して基板上に
落下するパーティクル（ダスト）の付着を充分に防止す
ることはできない。
記載された従来の方法や装置では、装置を変更し部品を
追加する必要があるため、装置の機構が複雑になり、し
かも装置コストが高いという問題があった。この問題を
以下に詳しく説明する。基板保持方向を変更するには、
搬送系や加工用電極、ウエハ保持機構などの重量の大き
い部品を装置上部に取り付けたり垂直に保持したりする
必要があり、このため、装置を安定して動作させること
に関して新たな問題が生じる。しかも、これらの部品を
支持するために装置を頑丈に作る必要があるため、装置
が大型化する。更には、基板の搬送機構が複雑になる。
また、プロセス終了後に基板をカバーで覆ったり、パー
ティクルを静電力により吸着するには、装置内の基板近
傍に可動機構を設ける必要があり、このため、逆にパー
ティクルが発生して基板に付着する可能性がある。さら
に、これらの機構を設けることにより装置が大型化す
る。また、落下したパーティクルが装置内で拡散するこ
とを防止するカバーの設置や、プロセスガスの流れる方
向の制御などの対策は、上部電極から剥離して基板上に
落下するパーティクル（ダスト）の付着を充分に防止す
ることはできない。
【０００６】以上のような事情に照らして、プロセス装
置を大型化することなく、簡単な機構を付加すること
で、プラズマエッチング装置内で発生するパーティクル
が基板上に到達、付着することを効率よく防止する方
法、及びその機能を有するプラズマエッチング装置が要
望されている。このような事情に鑑み、本発明の目的
は、プラズマエッチング装置内で発生したパーティクル
が基板上に付着することを防止するプラズマエッチング
方法及びプラズマエッチング装置を提供することであ
る。
置を大型化することなく、簡単な機構を付加すること
で、プラズマエッチング装置内で発生するパーティクル
が基板上に到達、付着することを効率よく防止する方
法、及びその機能を有するプラズマエッチング装置が要
望されている。このような事情に鑑み、本発明の目的
は、プラズマエッチング装置内で発生したパーティクル
が基板上に付着することを防止するプラズマエッチング
方法及びプラズマエッチング装置を提供することであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、従来のプラ
ズマエッチング装置１０で基板をエッチング処理する
際、装置の稼働中に発生するパーティクル数と時間経過
との関係について計測した。図８は、この実験結果を示
すグラフ図であり、１枚の基板を処理するサイクルを示
している。図８で、楕円はパーティクル数を表してお
り、処理室にレーザ光を導入して基板上のゾーンを通過
させ、そのゾーンのパーティクルからの散乱光をＣＣＤ
カメラで撮影してパーティクル数を算出し、算出と同時
にエッチング装置の稼働状態を伝達する信号を取り込ん
で得ている。楕円の示すパーティクル数は、基板２５枚
を処理したときの積算値である。以下、プラズマエッチ
ング装置１０でのエッチング工程、及びエッチング工程
の時間経過に伴うパーティクル数の変化について説明す
る。プラズマエッチング装置１０でエッチングするに
は、搬送口から基板が処理室内に搬送され、プロセスガ
スを供給し、処理室内の圧力が規定値に到達した段階
で、基板を静電吸着すると同時に高周波電圧を印加し、
プラズマを発生させて基板のエッチングを開始する。エ
ッチング終了後、高周波電圧の印加、プロセスガスの供
給、基板の静電吸着を同時に停止する。停止してから数
秒後、プロセスガスの速やかな排出を目的として、エッ
チングに寄与しない不活性ガスをパージガスとして一定
時間供給するため、処理室内の圧力が上昇する。エッチ
ング処理が終了した基板は、搬送口より処理室外へ搬送
される。図８により、エッチング中のパーティクルの発
生量は、装置の稼働状態に明確に対応していることが判
る。すなわち、エッチング中はパーティクルがほとんど
発生していないが、エッチング終了時に多くのパーティ
クルが発生し、しかもパージガスの導入時にパーティク
ルの発生量が多い。
ズマエッチング装置１０で基板をエッチング処理する
際、装置の稼働中に発生するパーティクル数と時間経過
との関係について計測した。図８は、この実験結果を示
すグラフ図であり、１枚の基板を処理するサイクルを示
している。図８で、楕円はパーティクル数を表してお
り、処理室にレーザ光を導入して基板上のゾーンを通過
させ、そのゾーンのパーティクルからの散乱光をＣＣＤ
カメラで撮影してパーティクル数を算出し、算出と同時
にエッチング装置の稼働状態を伝達する信号を取り込ん
で得ている。楕円の示すパーティクル数は、基板２５枚
を処理したときの積算値である。以下、プラズマエッチ
ング装置１０でのエッチング工程、及びエッチング工程
の時間経過に伴うパーティクル数の変化について説明す
る。プラズマエッチング装置１０でエッチングするに
は、搬送口から基板が処理室内に搬送され、プロセスガ
スを供給し、処理室内の圧力が規定値に到達した段階
で、基板を静電吸着すると同時に高周波電圧を印加し、
プラズマを発生させて基板のエッチングを開始する。エ
ッチング終了後、高周波電圧の印加、プロセスガスの供
給、基板の静電吸着を同時に停止する。停止してから数
秒後、プロセスガスの速やかな排出を目的として、エッ
チングに寄与しない不活性ガスをパージガスとして一定
時間供給するため、処理室内の圧力が上昇する。エッチ
ング処理が終了した基板は、搬送口より処理室外へ搬送
される。図８により、エッチング中のパーティクルの発
生量は、装置の稼働状態に明確に対応していることが判
る。すなわち、エッチング中はパーティクルがほとんど
発生していないが、エッチング終了時に多くのパーティ
クルが発生し、しかもパージガスの導入時にパーティク
ルの発生量が多い。
【０００８】パーティクルからの散乱光を捉えた画像を
詳細に調べると、パーティクルの飛跡は、エッチング終
了時では基板に向かう傾向があり、パージガス導入時で
は排気口方向へ向かう傾向があった。以上の計測結果か
ら、本発明者は、エッチング終了時に、高周波電源を停
止しかつプロセスガスの供給を停止すると、真空吸引に
より排気口から排出されるプロセスガスのガス流量がさ
ほど多くないので、エッチング中に浮遊していたパーテ
ィクルを排気口に向けてプロセスガスとともに排出する
ことができず、従って、パーティクルが落下し、完全に
除電されていない基板に向かって飛来すると推察した。
また、エッチングを終了した数秒後にはパージガスが導
入され、浮遊しているパーティクルはパージガスととも
に排気口に向かうことも推察した。
詳細に調べると、パーティクルの飛跡は、エッチング終
了時では基板に向かう傾向があり、パージガス導入時で
は排気口方向へ向かう傾向があった。以上の計測結果か
ら、本発明者は、エッチング終了時に、高周波電源を停
止しかつプロセスガスの供給を停止すると、真空吸引に
より排気口から排出されるプロセスガスのガス流量がさ
ほど多くないので、エッチング中に浮遊していたパーテ
ィクルを排気口に向けてプロセスガスとともに排出する
ことができず、従って、パーティクルが落下し、完全に
除電されていない基板に向かって飛来すると推察した。
また、エッチングを終了した数秒後にはパージガスが導
入され、浮遊しているパーティクルはパージガスととも
に排気口に向かうことも推察した。
【０００９】そこで、本発明者は、高周波電圧の停止時
での処理室内のガスの流れを維持することで、発生した
パーティクルを排気口方向へ移動させ、基板上に到達す
ることを鋭意検討し、本発明を完成するに至った
での処理室内のガスの流れを維持することで、発生した
パーティクルを排気口方向へ移動させ、基板上に到達す
ることを鋭意検討し、本発明を完成するに至った
【００１０】上記目的を達成するために、本発明に係る
第１発明方法のプラズマエッチング方法は、基板をエッ
チング処理する処理室と、処理室内に設置され、静電吸
着方式により基板を上面に保持する下部電極と、下部電
極に対向する上部電極とを備えたプラズマエッチング装
置を用い、被エッチング面を上面にして基板を下部電極
に保持し、次いで、プロセスガスを処理室内に導入し、
下部電極と上部電極との間に高周波電圧を印加して減圧
状態のプラズマガスを生成して基板をエッチング加工
し、更に、加工終了時にパージガスを導入するプラズマ
エッチング方法において、エッチング加工を終了する
際、プロセスガスの供給を停止するとともにパージガス
の処理室内への供給を開始し、該開始から所定時間経過
後に高周波電圧の印加を停止することを特徴としてい
る。
第１発明方法のプラズマエッチング方法は、基板をエッ
チング処理する処理室と、処理室内に設置され、静電吸
着方式により基板を上面に保持する下部電極と、下部電
極に対向する上部電極とを備えたプラズマエッチング装
置を用い、被エッチング面を上面にして基板を下部電極
に保持し、次いで、プロセスガスを処理室内に導入し、
下部電極と上部電極との間に高周波電圧を印加して減圧
状態のプラズマガスを生成して基板をエッチング加工
し、更に、加工終了時にパージガスを導入するプラズマ
エッチング方法において、エッチング加工を終了する
際、プロセスガスの供給を停止するとともにパージガス
の処理室内への供給を開始し、該開始から所定時間経過
後に高周波電圧の印加を停止することを特徴としてい
る。
【００１１】静電吸着方式とは、静電気力により基板を
吸着する吸着方式である。パージガスは、高周波電圧が
印加されてもエッチング加工に寄与しないガスであり、
例えば不活性ガスである。第１発明方法で所定時間と
は、基板上方に浮遊しているパーティクルがパージガス
流れにより基板上方のゾーンから除去されるまでの時間
であり、通常、数秒程度である。
吸着する吸着方式である。パージガスは、高周波電圧が
印加されてもエッチング加工に寄与しないガスであり、
例えば不活性ガスである。第１発明方法で所定時間と
は、基板上方に浮遊しているパーティクルがパージガス
流れにより基板上方のゾーンから除去されるまでの時間
であり、通常、数秒程度である。
【００１２】本発明方法に係る第２発明方法は、基板を
エッチング処理する処理室と、処理室内に設置され、静
電吸着方式により基板を上面に保持する下部電極と、下
部電極に対向する上部電極とを備えたプラズマエッチン
グ装置を用い、被エッチング面を上面にして基板を下部
電極に保持し、次いで、プロセスガスを処理室内に導入
し、下部電極と上部電極との間に高周波電圧を印加して
減圧状態のプラズマガスを生成して基板をエッチング加
工し、更に、加工終了時にパージガスを導入するプラズ
マエッチング方法において、エッチング加工を終了する
際、高周波電圧の印加を停止し、所定時間経過後にプロ
セスガスの供給を停止するとともにパージガスの処理室
内への供給を開始することを特徴としている。第２発明
方法での所定時間とは、基板上方に浮遊しているパーテ
ィクルがプロセスガス流れにより基板上方のゾーンから
除去されるまでの時間であり、通常、数秒程度である。
エッチング処理する処理室と、処理室内に設置され、静
電吸着方式により基板を上面に保持する下部電極と、下
部電極に対向する上部電極とを備えたプラズマエッチン
グ装置を用い、被エッチング面を上面にして基板を下部
電極に保持し、次いで、プロセスガスを処理室内に導入
し、下部電極と上部電極との間に高周波電圧を印加して
減圧状態のプラズマガスを生成して基板をエッチング加
工し、更に、加工終了時にパージガスを導入するプラズ
マエッチング方法において、エッチング加工を終了する
際、高周波電圧の印加を停止し、所定時間経過後にプロ
セスガスの供給を停止するとともにパージガスの処理室
内への供給を開始することを特徴としている。第２発明
方法での所定時間とは、基板上方に浮遊しているパーテ
ィクルがプロセスガス流れにより基板上方のゾーンから
除去されるまでの時間であり、通常、数秒程度である。
【００１３】本発明方法に係る第３発明方法は、基板を
エッチング処理する処理室と、処理室内に設置され、静
電吸着方式により基板を上面に保持する下部電極と、下
部電極に対向する上部電極とを備えたプラズマエッチン
グ装置を用い、被エッチング面を上面にして基板を下部
電極に保持し、次いで、プロセスガスを処理室内に導入
し、下部電極と上部電極との間に高周波電圧を印加して
減圧状態のプラズマガスを生成して基板をエッチング加
工し、更に、加工終了時にパージガスを導入するプラズ
マエッチング方法において、エッチング加工を終了する
際、パージガスを処理室内に供給し、パージガスの供給
開始から所定時間経過後に高周波電圧の印加とプロセス
ガスの供給とを停止することを特徴としている。第３発
明方法で所定時間とは、第１発明方法の所定時間と同じ
である。
エッチング処理する処理室と、処理室内に設置され、静
電吸着方式により基板を上面に保持する下部電極と、下
部電極に対向する上部電極とを備えたプラズマエッチン
グ装置を用い、被エッチング面を上面にして基板を下部
電極に保持し、次いで、プロセスガスを処理室内に導入
し、下部電極と上部電極との間に高周波電圧を印加して
減圧状態のプラズマガスを生成して基板をエッチング加
工し、更に、加工終了時にパージガスを導入するプラズ
マエッチング方法において、エッチング加工を終了する
際、パージガスを処理室内に供給し、パージガスの供給
開始から所定時間経過後に高周波電圧の印加とプロセス
ガスの供給とを停止することを特徴としている。第３発
明方法で所定時間とは、第１発明方法の所定時間と同じ
である。
【００１４】本発明方法に係る第４発明方法は、基板を
エッチング処理する処理室と、処理室内に設置され、静
電吸着方式により基板を上面に保持する下部電極と、下
部電極に対向する上部電極とを備えたプラズマエッチン
グ装置を用い、被エッチング面を上面にして基板を下部
電極に保持し、次いで、プロセスガスを処理室内に導入
し、下部電極と上部電極との間に高周波電圧を印加して
減圧状態のプラズマガスを生成して基板をエッチング加
工し、更に、加工終了時にパージガスを導入するプラズ
マエッチング方法において、エッチング加工を終了する
際、高周波電圧の印加を停止するとともにパージガスの
処理室内への供給を開始し、該開始から所定時間経過後
にプロセスガスの供給を停止することを特徴としてい
る。第４発明方法で所定時間とは、第２発明方法の所定
時間と同じである。
エッチング処理する処理室と、処理室内に設置され、静
電吸着方式により基板を上面に保持する下部電極と、下
部電極に対向する上部電極とを備えたプラズマエッチン
グ装置を用い、被エッチング面を上面にして基板を下部
電極に保持し、次いで、プロセスガスを処理室内に導入
し、下部電極と上部電極との間に高周波電圧を印加して
減圧状態のプラズマガスを生成して基板をエッチング加
工し、更に、加工終了時にパージガスを導入するプラズ
マエッチング方法において、エッチング加工を終了する
際、高周波電圧の印加を停止するとともにパージガスの
処理室内への供給を開始し、該開始から所定時間経過後
にプロセスガスの供給を停止することを特徴としてい
る。第４発明方法で所定時間とは、第２発明方法の所定
時間と同じである。
【００１５】また、本発明に係る第１発明のプラズマエ
ッチング装置は、第１から第４発明方法を実施するプラ
ズマエッチング装置であって、排気口を有する処理室
と、処理室内に設置され、静電吸着方式により、被エッ
チング面を上面にして基板を保持する下部電極と、下部
電極に対向する上部電極とを備えたプラズマエッチング
装置において、パージガスを導入するパージガス導入口
が、上部電極と下部電極との間の高さで、かつ、平面的
に見て排気口に対し下部電極を隔てて対向する処理室側
壁に形成されていることを特徴としている。これによ
り、パージガスの流動方向を基板に対してほぼ平行にす
ることができる。従って、パージガス導入時に、基板上
のゾーンに浮遊しているパーティクルを排気口方向に効
率良く輸送して排出することができ、基板上に落下して
付着する量が大きく低減する。
ッチング装置は、第１から第４発明方法を実施するプラ
ズマエッチング装置であって、排気口を有する処理室
と、処理室内に設置され、静電吸着方式により、被エッ
チング面を上面にして基板を保持する下部電極と、下部
電極に対向する上部電極とを備えたプラズマエッチング
装置において、パージガスを導入するパージガス導入口
が、上部電極と下部電極との間の高さで、かつ、平面的
に見て排気口に対し下部電極を隔てて対向する処理室側
壁に形成されていることを特徴としている。これによ
り、パージガスの流動方向を基板に対してほぼ平行にす
ることができる。従って、パージガス導入時に、基板上
のゾーンに浮遊しているパーティクルを排気口方向に効
率良く輸送して排出することができ、基板上に落下して
付着する量が大きく低減する。
【００１６】本発明に係る第２発明のプラズマエッチン
グ装置は、第１又は第３発明方法のプラズマエッチング
方法を実施するプラズマエッチング装置であって、排気
口を有する処理室と、処理室内に設置され、静電吸着方
式により、被エッチング面を上面にして基板を保持する
下部電極と、下部電極に対向する上部電極とを備えたプ
ラズマエッチング装置において、パージガス流量を検知
するセンサと、センサからの検知信号を受信し、高周波
電圧の印加の停止時期を判断してその旨を出力する判断
装置とを備えていることを特徴としている。
グ装置は、第１又は第３発明方法のプラズマエッチング
方法を実施するプラズマエッチング装置であって、排気
口を有する処理室と、処理室内に設置され、静電吸着方
式により、被エッチング面を上面にして基板を保持する
下部電極と、下部電極に対向する上部電極とを備えたプ
ラズマエッチング装置において、パージガス流量を検知
するセンサと、センサからの検知信号を受信し、高周波
電圧の印加の停止時期を判断してその旨を出力する判断
装置とを備えていることを特徴としている。
【００１７】本発明に係る第３発明のプラズマエッチン
グ装置は、第２又は第４発明方法のプラズマエッチング
方法を実施するプラズマエッチング装置であって、排気
口を有する処理室と、処理室内に設置され、静電吸着方
式により、被エッチング面を上面にして基板を保持する
下部電極と、下部電極に対向する上部電極とを備えたプ
ラズマエッチング装置において、高周波電圧の停止を検
知する検知装置と、検知装置からの信号を受信し、プロ
セスガスの供給の停止時期を判断してその旨を出力する
判断装置とを備えていることを特徴としている。
グ装置は、第２又は第４発明方法のプラズマエッチング
方法を実施するプラズマエッチング装置であって、排気
口を有する処理室と、処理室内に設置され、静電吸着方
式により、被エッチング面を上面にして基板を保持する
下部電極と、下部電極に対向する上部電極とを備えたプ
ラズマエッチング装置において、高周波電圧の停止を検
知する検知装置と、検知装置からの信号を受信し、プロ
セスガスの供給の停止時期を判断してその旨を出力する
判断装置とを備えていることを特徴としている。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下に、実施形態例を挙げ、添付
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつより
詳細に説明する。実施形態例１ 本実施形態例は、第１発明方法の実施形態例である。図
１は、本実施形態例で、プラズマエッチング装置１０を
用いて基板をエッチング処理する際の装置１０の稼働状
態を示すグラフ図であり、基板処理の１サイクルとして
の稼働の様子を示している。本実施形態例では、エッチ
ング処理終了時にプロセスガスの供給を停止し、それと
同時にパージガスを処理室内に供給することは従来と同
様であるが、パージガスの供給を開始してから数秒後に
高周波電圧を停止することが従来と比べて異なる。これ
により、高周波電圧を停止した瞬間に空中から落下し始
める多数のパーティクルは、パージガス流れに沿って移
送されて排出されるので、基板に到達して付着すること
が防止される。 尚、本実施形態例では、プラズマエッ
チング装置１０に代えて、図１に示すようなプロセスで
基板１１をエッチング処理する制御システムを有するプ
ラズマエッチング装置を用いてもよい。また、後述の実
施形態例５のプラズマエッチング装置を用い、本実施形
態例のようなエッチング処理を行うと、上記の効果を一
層奏することができる。
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつより
詳細に説明する。実施形態例１ 本実施形態例は、第１発明方法の実施形態例である。図
１は、本実施形態例で、プラズマエッチング装置１０を
用いて基板をエッチング処理する際の装置１０の稼働状
態を示すグラフ図であり、基板処理の１サイクルとして
の稼働の様子を示している。本実施形態例では、エッチ
ング処理終了時にプロセスガスの供給を停止し、それと
同時にパージガスを処理室内に供給することは従来と同
様であるが、パージガスの供給を開始してから数秒後に
高周波電圧を停止することが従来と比べて異なる。これ
により、高周波電圧を停止した瞬間に空中から落下し始
める多数のパーティクルは、パージガス流れに沿って移
送されて排出されるので、基板に到達して付着すること
が防止される。 尚、本実施形態例では、プラズマエッ
チング装置１０に代えて、図１に示すようなプロセスで
基板１１をエッチング処理する制御システムを有するプ
ラズマエッチング装置を用いてもよい。また、後述の実
施形態例５のプラズマエッチング装置を用い、本実施形
態例のようなエッチング処理を行うと、上記の効果を一
層奏することができる。
【００１９】実施形態例２ 図２は、本実施形態例で、プラズマエッチング装置１０
を用いて基板１１をエッチング処理する際のプラズマエ
ッチング装置の稼働状態を示すグラフ図であり、基板処
理の１サイクルとしての稼働の様子を示している。本実
施形態例では、エッチング処理終了時に高周波電圧を停
止し、更に数秒後に、プロセスガスの供給を停止すると
同時にパージガスの供給を開始する。高周波電圧停止か
らプロセスガスの供給停止までの時間は、静電吸着の解
除後の基板の残留電荷が十分に除電される時間、例えば
３秒〜５秒である。本実施形態例により、実施形態例１
と同様の効果を奏することができる。
を用いて基板１１をエッチング処理する際のプラズマエ
ッチング装置の稼働状態を示すグラフ図であり、基板処
理の１サイクルとしての稼働の様子を示している。本実
施形態例では、エッチング処理終了時に高周波電圧を停
止し、更に数秒後に、プロセスガスの供給を停止すると
同時にパージガスの供給を開始する。高周波電圧停止か
らプロセスガスの供給停止までの時間は、静電吸着の解
除後の基板の残留電荷が十分に除電される時間、例えば
３秒〜５秒である。本実施形態例により、実施形態例１
と同様の効果を奏することができる。
【００２０】実施形態例３ 図３は、本実施形態例で、基板をエッチング処理する際
のプラズマエッチング装置の稼働状態を示すグラフ図で
あり、基板処理の１サイクルとしての稼働の様子を示し
ている。本実施形態例では、エッチング処理を終了する
際、不活性ガスなどのエッチング加工に寄与しないパー
ジガスを処理室内に供給し、パージガスの供給を開始し
てから数秒後に高周波電圧の印加とプロセスガスの供給
とを停止する。尚、パージガスの供給開始から高周波電
圧の印加を停止するまでは基板のエッチング処理が続く
ので、この時間をオーバーエッチング時間として適当に
調整した上でエッチング処理を行う。本実施形態例によ
り、実施形態例１と同様の効果を奏することができる。
のプラズマエッチング装置の稼働状態を示すグラフ図で
あり、基板処理の１サイクルとしての稼働の様子を示し
ている。本実施形態例では、エッチング処理を終了する
際、不活性ガスなどのエッチング加工に寄与しないパー
ジガスを処理室内に供給し、パージガスの供給を開始し
てから数秒後に高周波電圧の印加とプロセスガスの供給
とを停止する。尚、パージガスの供給開始から高周波電
圧の印加を停止するまでは基板のエッチング処理が続く
ので、この時間をオーバーエッチング時間として適当に
調整した上でエッチング処理を行う。本実施形態例によ
り、実施形態例１と同様の効果を奏することができる。
【００２１】実施形態例４ 図４は、本実施形態例で、基板をエッチング処理する際
のプラズマエッチング装置の稼働状態を示すグラフ図で
あり、基板処理の１サイクルとしての稼働の様子を示し
ている。本実施形態例では、エッチング終了時に、高周
波電圧の印加を停止すると同時に処理室内へのパージガ
スの供給を開始する。そして、パージガスの供給を開始
してから数秒後にプロセスガスの供給を停止する。本実
施形態例により、実施形態例１と同様の効果を奏するこ
とができる。
のプラズマエッチング装置の稼働状態を示すグラフ図で
あり、基板処理の１サイクルとしての稼働の様子を示し
ている。本実施形態例では、エッチング終了時に、高周
波電圧の印加を停止すると同時に処理室内へのパージガ
スの供給を開始する。そして、パージガスの供給を開始
してから数秒後にプロセスガスの供給を停止する。本実
施形態例により、実施形態例１と同様の効果を奏するこ
とができる。
【００２２】実施形態例５ 本実施形態例は、本発明に係る第１発明のプラズマエッ
チング装置の一実施形態例である。図５は、本実施形態
例のプラズマエッチング装置の構成を示す側面断面図で
ある。本実施形態例のプラズマエッチング装置３４は、
プラズマエッチング装置１０に比べ、パージガス導入口
３６を処理室の側壁に備えている。パージガス導入口３
６は、上部電極１８と下部電極１６との間で、かつ、平
面から見た位置が排気口の近くの側壁位置に対向する側
壁位置に設けられている。図５では、図６と同じ部位、
部品には同じ符号を付してその説明を省略する。
チング装置の一実施形態例である。図５は、本実施形態
例のプラズマエッチング装置の構成を示す側面断面図で
ある。本実施形態例のプラズマエッチング装置３４は、
プラズマエッチング装置１０に比べ、パージガス導入口
３６を処理室の側壁に備えている。パージガス導入口３
６は、上部電極１８と下部電極１６との間で、かつ、平
面から見た位置が排気口の近くの側壁位置に対向する側
壁位置に設けられている。図５では、図６と同じ部位、
部品には同じ符号を付してその説明を省略する。
【００２３】本実施形態例のプラズマエッチング装置３
４では、パージガスはパージガス導入口から排気口方向
に向かって流れるので、基板上でのガス流れの乱れが従
来に比べて大幅に少ない。このため、基板上に落下する
パーティクルが大きく低減する。尚、従来のプラズマエ
ッチング装置３４は、一般に、基板１１の直上からプロ
セスガスやパージガスが供給され、排気口３０が処理室
底部のうちの一箇所に設けられている構成を有している
（図６参照）。このような機構では、処理室内のゾーン
のうち底部に排気口が設けられていない、すなわち排気
口２３から遠いゾーン３２で乱れ、このため、基板上ゾ
ーンのうちゾーン３２に隣接するゾーンでガス流れが乱
れ、パーティクルが基板上に落下する可能性があった。
本発明により、この落下の可能性を大きく低減すること
ができる。
４では、パージガスはパージガス導入口から排気口方向
に向かって流れるので、基板上でのガス流れの乱れが従
来に比べて大幅に少ない。このため、基板上に落下する
パーティクルが大きく低減する。尚、従来のプラズマエ
ッチング装置３４は、一般に、基板１１の直上からプロ
セスガスやパージガスが供給され、排気口３０が処理室
底部のうちの一箇所に設けられている構成を有している
（図６参照）。このような機構では、処理室内のゾーン
のうち底部に排気口が設けられていない、すなわち排気
口２３から遠いゾーン３２で乱れ、このため、基板上ゾ
ーンのうちゾーン３２に隣接するゾーンでガス流れが乱
れ、パーティクルが基板上に落下する可能性があった。
本発明により、この落下の可能性を大きく低減すること
ができる。
【００２４】
【発明の効果】本発明方法の第１発明方法によれば、エ
ッチング加工を終了する際、プロセスガスの供給を停止
するとともにパージガスの処理室内への供給を開始し、
この供給を開始してから所定時間経過後に高周波電圧の
印加を停止する。従って、ガスを導入するタイミングな
どの装置の稼働状態を変更することにより、エッチング
処理後の基板上に到達するパーティクル量を抑えること
ができる、すなわち、簡易な方法で、基板に付着するパ
ーティクル数を大幅に低減させることができる。第２か
ら第４発明方法でも同様の効果を奏することができる。
ッチング加工を終了する際、プロセスガスの供給を停止
するとともにパージガスの処理室内への供給を開始し、
この供給を開始してから所定時間経過後に高周波電圧の
印加を停止する。従って、ガスを導入するタイミングな
どの装置の稼働状態を変更することにより、エッチング
処理後の基板上に到達するパーティクル量を抑えること
ができる、すなわち、簡易な方法で、基板に付着するパ
ーティクル数を大幅に低減させることができる。第２か
ら第４発明方法でも同様の効果を奏することができる。
【００２５】また、本発明に係る第１発明のプラズマエ
ッチング装置は、高さ位置が上部電極と下部電極との間
で、かつ、平面から見た位置が排気口の近くの処理室側
壁に対向する処理室側壁に、パージガスを導入するパー
ジガス導入口を有する。従って、、パージガスの導入口
を設けるなどの少ない変更を行うことにより、エッチン
グ処理後の基板上に到達するパーティクル数が大幅に少
ないプラズマエッチング装置が実現される。すなわち、
装置を大型化することなく、しかも追加部品点数の少な
い変更で、基板に付着するパーティクル数を大幅に低減
することができる。
ッチング装置は、高さ位置が上部電極と下部電極との間
で、かつ、平面から見た位置が排気口の近くの処理室側
壁に対向する処理室側壁に、パージガスを導入するパー
ジガス導入口を有する。従って、、パージガスの導入口
を設けるなどの少ない変更を行うことにより、エッチン
グ処理後の基板上に到達するパーティクル数が大幅に少
ないプラズマエッチング装置が実現される。すなわち、
装置を大型化することなく、しかも追加部品点数の少な
い変更で、基板に付着するパーティクル数を大幅に低減
することができる。
【図１】実施形態例１で、プラズマエッチング装置の稼
働状態を示すグラフ図である。
働状態を示すグラフ図である。
【図２】実施形態例２で、プラズマエッチング装置の稼
働状態を示すグラフ図である。
働状態を示すグラフ図である。
【図３】実施形態例３で、プラズマエッチング装置の稼
働状態を示すグラフ図である。
働状態を示すグラフ図である。
【図４】実施形態例４で、プラズマエッチング装置の稼
働状態を示すグラフ図である。
働状態を示すグラフ図である。
【図５】実施形態例５のプラズマエッチング装置の構成
を示す側面断面図である。
を示す側面断面図である。
【図６】従来のプラズマエッチング装置の一構成を示す
側面断面図である。
側面断面図である。
【図７】従来のプラズマエッチング装置の稼働状態を示
すグラフ図である。
すグラフ図である。
【図８】従来のプラズマエッチング装置で基板をエッチ
ング処理する際、装置の稼働中に発生するパーティクル
数と時間経過との関係について計測したグラフ図であ
る。
ング処理する際、装置の稼働中に発生するパーティクル
数と時間経過との関係について計測したグラフ図であ
る。
１０ プラズマエッチング装置 １１ 基板 １２ 処理室 １５ 静電吸着電極 １６ 下部電極 １７ 下部電極本体 １８ 上部電極 ２０ ガス導入路 ２２ ガス吹き出し口 ２３ 排気口 ２４ 絶縁性板 ２６ 直流電源 ２８ 高周波電源 ３０ 搬送口 ３２ ゾーン ３４ プラズマエッチング装置 ３６ パージガス導入口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−48421（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3065
Claims (8)
- 【請求項１】基板をエッチング処理する処理室と、処理
室内に設置され、静電吸着方式により基板を上面より保
持する下部電極と、下部電極に対向する上部電極とを備
えたプラズマエッチング装置を用い、被エッチング面を
上面にして基板を下部電極に保持し、次いでプロセスガ
スを処理室内に導入し、下部電極と上部電極との間に高
周波電圧を印加して減圧状態のプラズマガスを生成して
基板をエッチング加工し、更に、加工終了時にパージガ
スを導入するプラズマエッチング方法において、 エッチング加工を終了する際、前記高周波電圧の印加を
継続した状態で、プロセスガスの供給を停止するととも
にパージガスの処理室内への供給を開始し、前記パージ
ガスの供給が安定に供給された後に前記高周波電圧の印
加を停止することを特徴とするプラズマエッチング方
法。 - 【請求項２】 基板をエッチング処理する処理室と、処
理室内に設置され、静電吸着方式により基板を上面に保
持する下部電極と、下部電極に対向する上部電極とを備
えたプラズマエッチング装置を用い、被エッチング面を
上面にして基板を下部電極に保持し、次いで、プロセス
ガスを処理室内に導入し、下部電極と上部電極との間に
高周波電圧を印加して減圧状態のプラズマガスを生成し
て基板をエッチング加工し、更に、加工終了時にパージ
ガスを導入するプラズマエッチング方法において、 エッチング加工を終了する際、高周波電圧の印加を停止
し、所定時間経過後にプロセスガスの供給を停止すると
ともにパージガスの処理室内への供給を開始することを
特徴とするプラズマエッチング方法。 - 【請求項３】 基板をエッチング処理する処理室と、処
理室内に設置され、静電吸着方式により基板を上面に保
持する下部電極と、下部電極に対向する上部電極とを備
えたプラズマエッチング装置を用い、被エッチング面を
上面にして基板を下部電極に保持し、次いで、プロセス
ガスを処理室内に導入し、下部電極と上部電極との間に
高周波電圧を印加して減圧状態のプラズマガスを生成し
て基板をエッチング加工し、更に、加工終了時にパージ
ガスを導入するプラズマエッチング方法において、 エッチング加工を終了する際、パージガスを処理室内に
供給し、パージガスの供給開始から所定時間経過後に高
周波電圧の印加とプロセスガスの供給とを停止すること
を特徴とするプラズマエッチング方法。 - 【請求項４】 基板をエッチング処理する処理室と、処
理室内に設置され、静電吸着方式により基板を上面に保
持する下部電極と、下部電極に対向する上部電極とを備
えたプラズマエッチング装置を用い、被エッチング面を
上面にして基板を下部電極に保持し、次いで、プロセス
ガスを処理室内に導入し、下部電極と上部電極との間に
高周波電圧を印加して減圧状態のプラズマガスを生成し
て基板をエッチング加工し、更に、加工終了時にパージ
ガスを導入するプラズマエッチング方法において、 エッチング加工を終了する際、高周波電圧の印加を停止
するとともにパージガスの処理室内への供給を開始し、
該開始から所定時間経過後にプロセスガスの供給を停止
することを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 【請求項５】 請求項１から４のうち何れか１項に記載
のプラズマエッチング方法を実施するプラズマエッチン
グ装置であって、排気口を有する処理室と、処理室内に
設置され、静電吸着方式により、被エッチング面を上面
にして基板を保持する下部電極と、下部電極に対向する
上部電極とを備えたプラズマエッチング装置において、 パージガスを導入するパージガス導入口が、上部電極と
下部電極との間の高さで、かつ、平面的に見て排気口に
対し下部電極を隔てて対向する処理室側壁に形成されて
いることを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 【請求項６】 請求項１又は３に記載のプラズマエッチ
ング方法を実施するプラズマエッチング装置であって、
排気口を有する処理室と、処理室内に設置され、静電吸
着方式により、被エッチング面を上面にして基板を保持
する下部電極と、下部電極に対向する上部電極とを備え
たプラズマエッチング装置において、 パージガス流量を検知するセンサと、センサからの検知
信号を受信し、高周波電圧の印加の停止時期を判断して
その旨を出力する判断装置とを備えていることを特徴と
するプラズマエッチング装置。 - 【請求項７】 請求項２又は４に記載のプラズマエッチ
ング方法を実施するプラズマエッチング装置であって、
排気口を有する処理室と、処理室内に設置され、静電吸
着方式により、被エッチング面を上面にして基板を保持
する下部電極と、下部電極に対向する上部電極とを備え
たプラズマエッチング装置において、 高周波電圧の停止を検知する検知装置と、検知装置から
の信号を受信し、プロセスガスの供給の停止時期を判断
してその旨を出力する判断装置とを備えていることを特
徴とするプラズマエッチング装置。 - 【請求項８】排気口を有する処理室と、処理室内に設置
され、静電吸着方式により、被エッチング面を上面にし
て基板を保持する下部電極と、下部電極に対向する上部
電極を備えたプラズマエッチング装置において、パージ
ガスを導入するパージガス導入口が、上部電極と下部電
極との間の高さで、かつ、平面的に見て排気口に対し下
部電極を隔てて対向する処理室側壁に形成されているこ
とを特徴とするプラズマエッチング装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07242498A JP3171161B2 (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
| KR1019990009334A KR19990078060A (ko) | 1998-03-20 | 1999-03-19 | 플라즈마에칭방법 및 플라즈마에칭장치 |
| US09/273,293 US6306770B1 (en) | 1998-03-20 | 1999-03-19 | Method and apparatus for plasma etching |
| TW088104442A TW412775B (en) | 1998-03-20 | 1999-03-19 | Plasma etching method and apparatus therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07242498A JP3171161B2 (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11274140A JPH11274140A (ja) | 1999-10-08 |
| JP3171161B2 true JP3171161B2 (ja) | 2001-05-28 |
Family
ID=13488908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07242498A Expired - Fee Related JP3171161B2 (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6306770B1 (ja) |
| JP (1) | JP3171161B2 (ja) |
| KR (1) | KR19990078060A (ja) |
| TW (1) | TW412775B (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6444587B1 (en) * | 2000-10-02 | 2002-09-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Plasma etch method incorporating inert gas purge |
| KR100755119B1 (ko) * | 2002-09-16 | 2007-09-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 플라즈마 식각장치의 파티클 제거방법 |
| JP2005150124A (ja) * | 2003-11-11 | 2005-06-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置 |
| JP4330467B2 (ja) * | 2004-02-26 | 2009-09-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プロセス装置及び該プロセス装置内のパーティクル除去方法 |
| WO2013155288A1 (en) * | 2012-04-12 | 2013-10-17 | Bio-Rad Laboratories, Inc. | Particle dispensing apparatus and method |
| CN106816398A (zh) * | 2015-12-01 | 2017-06-09 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 半导体加工设备 |
| CN111146086B (zh) * | 2018-11-05 | 2024-05-03 | 东京毅力科创株式会社 | 蚀刻方法和等离子体处理装置 |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59119839A (ja) | 1982-12-27 | 1984-07-11 | Fujitsu Ltd | エツチング方法 |
| JPS60195937A (ja) | 1984-03-19 | 1985-10-04 | Hitachi Ltd | プラズマエツチング装置 |
| JP2895909B2 (ja) | 1989-04-18 | 1999-05-31 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
| JPH04250621A (ja) | 1991-01-25 | 1992-09-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
| JP3210359B2 (ja) * | 1991-05-29 | 2001-09-17 | 株式会社東芝 | ドライエッチング方法 |
| JPH0529272A (ja) | 1991-07-25 | 1993-02-05 | Nissin Electric Co Ltd | プラズマエツチング装置 |
| JPH05267234A (ja) | 1992-03-24 | 1993-10-15 | Nec Kansai Ltd | 半導体製造装置 |
| JPH0637074A (ja) | 1992-07-17 | 1994-02-10 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置のクリーニング方法 |
| JP3186257B2 (ja) | 1992-09-30 | 2001-07-11 | ソニー株式会社 | 成膜装置 |
| JP2900725B2 (ja) | 1992-10-12 | 1999-06-02 | 日新電機株式会社 | プラズマｃｖｄ法 |
| US5460684A (en) * | 1992-12-04 | 1995-10-24 | Tokyo Electron Limited | Stage having electrostatic chuck and plasma processing apparatus using same |
| JPH0758033A (ja) | 1993-08-11 | 1995-03-03 | Sony Corp | Ｅｃｒプラズマｃｖｄ装置 |
| KR100274754B1 (ko) | 1993-08-18 | 2000-12-15 | 히가시 데쓰로 | 성막장치 및 성막방법 |
| JP3131860B2 (ja) | 1993-08-18 | 2001-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜処理装置 |
| JPH07201832A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Toshiba Corp | 半導体製造装置 |
| JPH08115903A (ja) | 1994-10-14 | 1996-05-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法およびプラズマエッチング装置 |
| JPH08181112A (ja) | 1994-12-22 | 1996-07-12 | Mitsubishi Electric Corp | ドライエッチング装置の洗浄法およびそれを用いた半導体装置の製法 |
| JP3162272B2 (ja) | 1995-08-22 | 2001-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
| KR970052705A (ko) * | 1995-12-29 | 1997-07-29 | 김광호 | 플라즈마 에칭에 의한 세정의 에칭 종료점 결정 방법 |
| JPH09232290A (ja) * | 1996-02-19 | 1997-09-05 | Sony Corp | 半導体製造装置 |
| JP3942672B2 (ja) | 1996-04-12 | 2007-07-11 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JPH1070110A (ja) * | 1997-07-07 | 1998-03-10 | Hitachi Ltd | ドライエッチング方法 |
-
1998
- 1998-03-20 JP JP07242498A patent/JP3171161B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-03-19 KR KR1019990009334A patent/KR19990078060A/ko not_active Application Discontinuation
- 1999-03-19 TW TW088104442A patent/TW412775B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-03-19 US US09/273,293 patent/US6306770B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW412775B (en) | 2000-11-21 |
| JPH11274140A (ja) | 1999-10-08 |
| KR19990078060A (ko) | 1999-10-25 |
| US6306770B1 (en) | 2001-10-23 |
| US20010041449A1 (en) | 2001-11-15 |
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|---|---|---|---|
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