TW412775B - Plasma etching method and apparatus therefor - Google Patents
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Description
412775 五、發明說明（1) 發明所屬技術領域 本發叼係關於電漿蝕刻方法及電漿蝕刻裝置，更詳而 言之係關於防止在蝕刻處理中發生之粒子附著在基板上之 電漿蝕刻方法及電漿蝕刻裝置。 習知技# 在製造半導體裝置時，常使用電漿蝕刻裝置，使用減 壓狀態之反應性之電漿氣體進行乾蝕刻。以下參照圖面舉 仃說明習知之電漿蝕刻裝置。圖6係表半導體裝置製造工 廠一般使用之電漿蝕刻裝置一構造之側視剖面圖。"電漿蝕 刻裝置1 0係具有平行平板型加工用電極之逐片處理式裝 置。電漿蝕刻裝置1 0包括利用蝕刻處理加工基板之處理室 12 '設於處理室内並基板11保持在上面之下部電極16以及 和下部電極1 6相向並在和下部電極1 6所保持之基板之間具 有放電之放電面之上部電極18。 下部電極1 6由以靜電吸附式保持基板1 1之靜電吸附用 電極1 5、其下面之絕緣板2 4以及其下面之下部電極本體1 7 構成。在靜電吸附用電極1 5連接直流電源2 6，在下部電極 本體17連接高頻電源28。在上部電極18形成導入處理用氣 體或沖洗用氣體之氣體導入路20，在下部電極16之下面之 中之基板上方之全區域形成氣體吹出口22。上部電極18接 地。 又，在處理室12之底部一般形成一個排氣口 23，在處 理室1 2之側壁形成搬運基板U之搬運口 3 0。 圖7係表示使用電漿蝕刻裝置1 〇進行基板之蝕刻處理
第4頁 412775 五'發明說明（2) 時裝置1 0之運轉狀態之圖，以基板處理之一個循環表示。 在電漿蝕刻裝置10，自上部電極18之氣體吹出口 22將氯等 反應性高之處理用氣體導入處理室内，藉著在變成指定之 固定壓力之階段在電極間施加高頻電壓將處理用氣體電漿 化進行蝕刻處理。蝕刻處理終了時，同時停止高頻電壓之 施加和處理用氣體之導入，幾秒後，導入反應性低之鹵素 氣體等，作為沖洗用氣體。 而，在LSI之製程，尤其在使用了電漿之金屬膜之蝕 刻製程發生之粒子成為降低良率或裝置之運轉率之"大的要 因。發生粒子之主要原因係附著於電漿蝕刻裝置内之反應 產生物剝離而落到基板上。因此，開發令所發生之粒子不 附著於基板上之方法或具有令不附著之功能之裝置。這種 方法或裝置記載於曰本特開昭5 9 - 1 1 9 8 3 9號公報、曰本特 開昭6 0 _ 1 9 5 9 3 7號公報、日本特開平4 - 2 5 0 6 2 1號公報、曰 本特開平5 - 2 9 2 7 2號公報、日本特開平5 - 2 6 7 2 3 4號公報、 日本特開平7 - 5 8 0 3 3號公報、日本特開平8 - 1丨5 9 0 3號公報 以及日本特開平6-122978號公報。 在曰本特開昭5 9 - 1 1 9 8 3 9號公報及日本特開昭 6 0 - 1 9 5 9 3 7號公報，係將所加工之基板保持朝下或垂直， 防止因重力而落下之粒子附著於基板上。在日本特開平 4 - 2 5 0 6 2 1號公報，係將防止落下之粒子在真空裝置内擴散 之蓋裝在電極可動部或金屬密封部周圍。在曰本特開平 5 - 2 9 2 7 2號公報，係安裝覆蓋剛處理終了後之基板以防止 粒子落到基板上。這些係防止粒子落到基板之裝置。
第5頁 412775 五、發明說明（3) 而，而在積極地令粒子移動以防止粒子附著於基板上 之裝置上，記載於日本特開平5-267234號公報及日本特開 平8 - 1 1 5 9 0 3號公報。在日本特開平5 - 2 6 7 2 3 4號公報，利用 集塵用電極靜電式地除去粒子。在曰本特開平8-115903號 公報，設置阻止處理用氣體自加工用電極向基板流動之裝 置，防止氣體中之粒子到達基板上。 在組合了以上方法之裝置上，在日本特開平7-58033 號公報，具有靜電集塵機構，配備在處理終了後馬上覆蓋 基板之蓋，防止粒子到達基板上。 · 又，在日本特開平6 - 1 2 2 9 7 8號公報，在停止施加高頻 電壓後5在基板和局頻電極之間導入沖洗用氣體 '使得粒 子要花數秒到達基板表面位置，在成膜後抑制粒子附著於 基板表面。 發明要解決之課題 在上述公報所記載之習知之方法或裝置，因需要變更 裝置並追加零件，有裝置之機構變得複雜，而且裝置價格 貴之問題。以下詳細說明該問題。 為了變更基板保持方向，需要將搬運系或加工用電 極、晶片保持機構等重量大之零件裝在裝置上部或保持垂 直，因而，在令裝置穩定動作上發生新的問題。而且，為 了支撐這些零件，因需要將裝置做得堅固，裝置大型化。 此外，基板之搬運機構變得複雜。又，為了在處理終了後 用蓋覆蓋基板或利用靜電力吸附，需要在裝置内之基板附
412775 五、發明說明（4) 近設置可動機構，因而，反而發生粒子，有可能附著於基 板上。此外，由於設置這些機構，裝置大型化。 又，防止落下之粒子在裝置内擴散之蓋之設置或處理-用氣體之流向控制等對策無法充分地防止自上部電極剝離 而落到基板上之粒子（灰塵）附著。 參照上述事項，希望具有不將處理裝置大型化，而藉 著附加簡單之機構，高效率地防止在電漿蝕刻裝置内發生 之粒子到達基板上而附著之方法及其功能之電漿蝕刻裝 置。 " 本發明係鑑於上述事項而想出來的，其目的在於提供 防止在電漿蝕刻裝置内發生之粒子附著在基板上之電漿蝕 刻方法及電漿蝕刻裝置。 用以解決課題之方式 本發明者在用習知之電漿蝕刻裝置10進行基板之蝕刻 處理時，量測了對於在裝置運轉中發生之粒子數和時間經 過關係。圖8係表示該實驗結果之圖，表示處理一片基板 之循環。在圖8，橢圓表示粒子數，將雷射光導入處理 室，令通過基板上之區，用C C D照相機拍攝來自該區之粒 子之散射光，算出粒手數，和算出同時抓入傳達蝕刻裝置 之運轉狀態之信號。橢圓表示之粒子數係處理基板2 5片時 之累加值。 以下說明在電漿蝕刻裝置1 0之蝕刻製程及伴隨蝕刻製 程之時間經過之粒子數之變化。為了用電漿蝕刻裝置1 0蝕
4127*75 五、發明說明（5) 刻，將基板自搬運口搬到處理室内後，供應處理用氣體， 在處理室内之壓力達到規定值之階段，以靜電吸附基板， 同時施加高頻電壓，令產生電漿，開始蝕刻基板。在蝕刻 终了後，同時停止高頻電壓之施加、處理用氣體之導入、 基板之靜電吸附。 停止幾秒後，在以迅速排出處理用氣體之目的上，因 在固定時間供應作為沖洗用氣體之對蝕刻無貢獻之惰性氣 體，處理室内之壓力上升。蝕刻處理終了後之基板自搬運 口被搬到處理室外。 由圖8得知在蝕刻中之粒子之發生量和裝置之運轉狀 態明確地對應。即，在钱刻中幾乎未發生粒子，但是在餘 刻終了時發生很多粒子，而且在導入沖洗用氣體時粒子之 發生量多。 詳細調查捕捉了來自粒子之散射光之影像時，粒子之 移動蹤跡在蝕刻終了時有朝向基板之傾向，在導入沖洗用 氣體時有朝向排氣口方向之傾向。 由以上之量測結果，本發明者推測在蝕刻終了時，停 止高頻電源而且停止供應處理用氣體後，因利用真空吸力 自排氣口排出之處理用氣體之氣體流量不那麼多，無法將 在蝕刻中浮游之粒子和處理用氣體一起向排氣口排出，因 此，粒子落下，向靜電未完全清除之基板飛來。還推測， 因在蝕刻终了幾秒後導入沖洗用氣體，浮游之粒子和沖洗 用氣體一起向排氣口移動。 因此，本發明者銳意檢討藉著在高頻電壓停止時保持
第8頁 412775 五、發明說明（6) 處理室内之氣體流動，令發生之粒子向排氣口方向移動而 到達基板上後，以至於完成本發明。 為了達成上述目的，依本發明第1實施樣態之方法之 電漿蝕刻方法，係關於使用具有進行基板之蝕刻處理之處 理室、設置於處理室内並利用靜電吸附方式將基板保持在 上面之下部電極以及和下部電極相向之上部電極之電漿蝕 刻裝置，使被蝕刻面朝上，將基板保持在下部電極，接著 將處理用氣體導入處理室内後，在下部電極和上部電極之 間施加高頻電壓，產生減壓狀態之電漿氣體，對基尨進行 蝕刻加工，更在蝕刻加工終了時，導入沖洗用氣體之電漿 蝕刻方法，其特徵在於在蝕刻加工終了時，停止供應處理 用氣體而且開始向處理室内供應沖洗用氣體，自該開始經 過指定時間後停止施加高頻電壓。 靜電吸附方式係利用靜電力吸附基板之吸附方式。沖 洗用氣體係被施加高頻電壓也對蝕刻加工無貢獻之氣體， 例如惰性氣體。 依本發明第1實施樣態之方法之指定時間係在基板上 方浮游之粒子自沖洗用氣體之流動開始到自基板上方之區 被除去為止之時間，一般係約幾秒。 依本發明第2實施樣態之方法，係關於使用具有進行 基板之蝕刻處理之處理室、設置於處理室内並利用靜電吸 附方式將基板保持在上面之下部電極以及和下部電極相向 之上部電極之電漿蝕刻裝置，使被蝕刻面朝上，將基板保 持在下部電極，接著將處理用氣體導入處理室内後，在下
412775_ 五、發明說明（Ό 部電極和上部電極之間施加高頻電壓，產生減壓狀態之電 漿氣體，對基板進行蝕刻加工，更在蝕刻加工終了時，導 入沖洗用氣體之電漿蝕刻方法，其特徵在於在蝕刻加工终 了時，停止施加高頻電壓，在經過指定時間後停止供應處 理用氣體而且開始向處理室内供應沖洗用氣體。 在第2實施樣態之方法之指定時間係在基板上方浮游 之粒子自處理用氣體之流動開始到自基板上方之區被除去 為止之時間，一般係約幾秒。 依本發明第3實施樣態之方法，係關於使用具有進行 基板之蝕刻處理之處理室、設置於處理室内並利用靜電吸 附方式將基板保持在上面之下部電極以及和下部電極相向 之上部電極之電漿蝕刻裝置，使被蝕刻面朝上，將基板保 持在下部電極，接著將處理用氣體導入處理室内後，在下 部電極和上部電極之間施加高頻電壓，產生減壓狀態之電 漿氣體，對基板進行蝕刻加工，更在蝕刻加工終了時，導 入沖洗用氣體之電漿蝕刻方法，其特徵在於在蝕刻加工終 了時，向處理室内供應沖洗用氣體，自開始供應沖洗用氣 體經過指定時間後停止施加高頻電壓和停止供應處理用氣 體。 在第3實施樣態之方法之指定時間係和在第1實施樣態 之方法之指定時間一樣。 依本發明第4實施樣態之方法，係關於使用具有進行 基板之蝕刻處理之處理室、設置於處理室内並利用靜電吸 附方式將基板保持在上面之下部電極以及和下部電極相向
第10頁 412775 五、發明說明（8) 之上部電極之電漿蝕刻裝置，使被蝕刻面朝上，將基板保 持在下部電極，接著將處理用氣體導入處理室内後，在下 部電極和上部電極之間施加高頻電壓，產生減壓狀態之電 毁氣體，對基板進行钱刻加工，更在姓刻加工終了時，導 入沖洗用氣體之電漿蝕刻方法，其特徵在於在蝕刻加工終 了時，停止施加高頻電壓，而且向處理室内開始供應處理 用氣體，自該開始經過指定時間後停止供應處理用氣體。 在第4實施樣態之方法之指定時間係和在第2實施樣態 之方法之指定時間一樣。 > 又，本發明第1實施樣態之電漿蝕刻裝置，係實施自 第1實施樣態至第4實施樣態之方法之電漿蝕刻裝置，係關 於具有排氣口之處理室、設置於處理室内並利用靜電吸附 方式使被蝕刻面朝上後基板保持之下部電極以及和下部電 極相向之上部電極之電漿蝕刻裝置，其特徵在於導入沖洗 用氣體之沖洗用氣體導入口位於上部電極和下部電極之間 之高度，而且在平面上看在對於排氣口間隔下部電極相向 之處理室側壁形成。 藉此，可使沖洗用氣體之流動方向相對於基板幾乎平 行。因此，在導入沖洗用氣體時，可將在基板上之區浮游 之粒子向排氣口方向高效率地輸送後排出，落到基板上之 附著量大為降低。 本發明第2實施樣態之電漿蝕刻裝置，係實施自第1種 或第3實施樣態之方法之電漿蝕刻裝置，係關於具有排氣 口之處理室、設置於處理室内並利用靜電吸附方式使被蝕
第11頁 412775 五、發明說明（9) 刻面朝上後基板保持之下部電極以及和下部電極相向之上 部電極之電漿蝕刻裝置，其特徵在於包括： ..感測器，偵測沖洗用氣體之流量； 及判斷裝置，接收來自感測器之偵測信號後，判斷所 施加高頻電壓之停止時期後，輸出該主旨。 本發明第3實施樣態之電漿蝕刻裝置，係實施自第2種 或第4實施樣態之方法之電漿蝕刻裝置，係關於具有排氣 口之處理室、設置於處理室内並利用靜電吸附方式使被蝕 刻面朝上後基板保持之下部電極以及和下部電極相"向之上 部電極之電漿蝕刻裝置，其特徵在於： 偵測裝置，偵測高頻電壓之停止； 及判斷裝置，接收來自偵測裝置之信號後，判斷所供 應處理用氣體之停止時期後，輸出該主旨。 發明之實施例 以下列舉實施例，一面參照附加之圖面一面具體且更 詳細地說明本發明之實施例。 (實施例1 ) 本實施例係第1實施樣態之方法之實施例。 圖1係表示在本實施例使用電漿蝕刻裝置1 0進行基板 之蝕刻處理時裝置10之運轉狀態之圖，表示基板處理之一 個循環之運轉狀況。 在本實施例，在蝕刻處理終了時停止供應處理用氣 體，同時向處理室内供應沖洗用氣體係和以前一樣，但是
第12頁 412775 五、發明說明（ίο) 在開始供應沖洗用氣體經數秒後停止高頻電壓係和以前不 同° 因而，因在停止高頻電壓之瞬間自空中開始落下之多. 個粒子沿著沖洗用氣體之流動移送而排出，防止到達基板 而附著。此外，在本實施例，也可使用具有在圖1所示製 程進行基板1 1之蝕刻處理之控制系統之電漿蝕刻裝置，替 代電漿蝕刻裝置1 0。又，使用後述實施例5之電漿蝕刻裝 置進行本實施例所示之蝕刻處理時，可更提高上述效果。 (實施例2 ) 圖2係表示在本實施例使用電漿蝕刻裝置1 0進行基板 1 1之蝕刻處理時電漿蝕刻裝置之運轉狀態之圖，表示基板 處理之一個循環之運轉狀況。 在本實施例，在蝕刻處理終了時停止高頻電壓，再經 數秒後停止供應處理用氣體，同時開始供應沖洗用氣體。 自高頻電壓停止到處理用氣體之供應停止為止之時間係足 以消除靜電吸附解除後在基板之殘留電荷之時間，例如3 秒〜5秒。 利用本實施例可發揮和實施例1 一樣之效果。 (實施例3 ) 圖3係表示在本實施例進行基板之蝕刻處理時電漿蝕 刻裝置之運轉狀態之圖，表示基板處理之一個循環之運轉 狀況。
第13頁 412775 五、發明說明（π) 在本實施例，在蝕刻處理終了時向處理室供應惰性氣， 體等對蝕刻加工無貢獻之沖洗用氣體，在自開始供應沖洗 用氣體經幾秒後停止施加高頻電壓和停止供應沖洗用氣 * 體。此外，因自開始供應沖洗用氣體到停止施加高頻電壓 為止持續進行蝕刻處理，將該時間設為過蝕刻時間，在適 當地調整後進行蝕刻處理。 利用本實施例可發揮和實施例1 一樣之效果。 (實施例4 ) " 圖4係表示在本實施例進行基板之蝕刻處理時電漿蝕 刻裝置之運轉狀態之圖，表示基板處理之一個循環之運轉 狀況。 在本實施例，在蝕刻處理終了時停止施加高頻電壓， 同時向處理室内開始供應沖洗用氣體。然後，自開始供應 沖洗用氣體經幾秒後停止供應處理用氣體。 利用本實施例可發揮和實施例1 一樣之效果。 (實施例5) 圖5係表示本發明之第1實施樣態之電漿蝕刻裝置之一 實施例。圖5係表示本實施例之電漿蝕刻裝置之構造之側 視剖面圖。本實施例之電漿蝕刻裝置3 4和電漿蝕刻裝置1 0 相比，在處理室之側壁有沖洗用氣體導入口 3 6。沖洗用氣 體導入口 3 6位於上部電極1 8和下部電極1 6之間，而且設於 自平面所看到位置和排氣口附近之側壁位置相向之側壁位
第14頁 412775 五、發明說明（12) 置。在圖5，對於和圖6相同之部位、零件賦與相同之符 號，省略其說明。 ’ 在本實施例之電漿蝕刻裝置3 4，因沖洗用氣體自沖洗— 用氣體導入口向排氣口方向流，在基板上之氣體流動之擾 亂比以前的小很多。因而，落到基板上之粒子大量減少。 此外，習知之電漿蝕刻裝置3 4 —般自基板1 1之正上供 應處理用氣體或沖洗用氣體，具有排氣口 3 0設於處理室底 部之中之一處之構造（參照圖6 )。在這種機構，在處理室 内之區之中在底部未設置排氣口 ，即，在遠離排氣^23之 區32擾亂，因而，在基板上區之中和區32鄰接之區擾亂氣 體流動，有粒子落到基板上之可能性。利用本發明，可大 幅度降低該落下之可能性。 發明之效果 依本發明方法之第1種發明方法，係在蝕刻加工終了 時，停止供應處理用氣體而且開始向處理室内供應沖洗用 氣體，自該開始經過指定時間後停止施加高頻電壓。 因此，藉著變更導入氣體之時序等裝置之運轉狀態， 可抑制蝕刻處理後到達基板上之粒子量，亦即，用簡易之 方法可令附著於基板上之粒子數大幅度減少。 在第2種至第4種發明方法也可發揮一樣之效果。 又，本發明之第1種發明方法之電漿蝕刻裝置，具有 高度位置位於上部電極和下部電極之間，而且在平面上看 到之位置和排氣口附近之處理室側壁相向之處理室側壁導
第15頁 412775 五、發明說明（13) 入沖洗用氣體之沖洗用氣體導入口。 因此，藉著設置沖洗用氣體之導入口等少數變更，即 可實現蝕刻處理後到達基板上之粒子數大幅度降低之電漿-蝕刻裝置。亦即，不須將裝置大型化，而且藉由追加零件 數的少數變更，即可大幅度減少附著於基板之粒子數。 圖面之簡單說明 圖1係表示在實施例1之電漿蝕刻裝置之運轉狀態之 圖。 r 圖2係表示在實施例2之電漿蝕刻裝置之運轉狀態之 圖。 圖3係表示'在實施例3之電漿蝕刻裝置之運轉狀態之 圖。 圖4係表示在實施例4之電漿蝕刻裝置之運轉狀態之 圖。 圖5係表示在實施例5之電漿蝕刻裝置之構造之侧視剖 面圖。 圖6係表示習知之電漿蝕刻裝置一構造之侧視剖面 圖。 圖7係表示習知之電漿蝕刻裝置之運轉狀態之圖。 圖8係在習知之電漿蝕刻裝置進行基板之蝕刻處理時 對於在裝置運轉中發生之粒子數和時間經過關係所量測之 圖。
第16頁 412775 五、發明說明（14) 符號說明 I 0〜電漿蝕刻裝置 1 1〜基板 1 2〜處理室 1 5〜靜電吸附用電極 1 6 ~下部電極 1 7〜下部電極本體 1 8〜上部電極 20〜氣體導入路 22〜氣體吹出口 2 3〜排氣口 2 4〜絕緣板 2 6〜直流電源 2 8 ~南頻電源 30〜搬運口 32〜區 3 4〜電漿蝕刻裝置 3 6〜沖洗用氣體導入口
第17頁
Claims (1)
- 412775 六、申請專利範圍 1. 一種電 之處理 持在上 漿蚀刻 接著將 極之間 進行蝕 其 而且開 時間後 2. 之處理 持在上 漿蝕刻 接著將 極之間 進行蝕 其 在經過 内供應 3. 之處理 持在上 漿蝕刻 室、設 面之下 裝置； 處理用 施加高 刻加工 特徵為 始向處 停止施 一種電 室、設 面之下 裝置； 處理用 施加兩 Μ力σ I 特徵為 指定時 沖洗用 一種電 室、設 面之下 裝置； 毁蚀刻 置於處 部電極 使被蝕 氣體導 頻電壓 ，更在 :在钱 理室内 加兩頻 漿蝕刻 置於處 部電極 使被银 氣體導 頻電壓 ，更在 :在蝕 間後停 氣體。 漿蝕刻 置於處 部電極 使被# 方法，使用 理室内並利 以及和下部 刻面朝上， 入處理室内 ，產生減壓 餘刻加工終 刻加工終了 供應沖洗用 電壓。 方法，使用 理室内並利 以及和下部 刻面朝上， 入處理室内 ，產生減壓 钱刻加工終 刻加工終了 止供應處理 方法，使用 理室内並利 以及和下部 刻面朝上 具有進行基板之蝕刻處理 用靜電吸附方式將基板保 電極相向之上部電極之電 將基板保持在下部電極， 後，在下部電極和上部電 狀態之電漿氣體，對基板 了時，導入沖洗用氣體； 時，停止供應處理用氣體 氣體，自該開始經f過指定 具有進行基板之蝕刻處理 用靜電吸附方式將基板保 電極相向之上部電極之電 將基板保持在下部電極， 後，在下部電極和上部電 狀態之電漿氣體，對基板 了時，導入沖洗用氣體； 時，停止施加高頻電壓， 用氣體而且開始向處理室 具有進行基板之蝕刻處理 用靜電吸附方式將基板保 電極相向之上部電極之電 將基板保持在下部電極’第18頁 412775 六、申請專利範圍 接著將處理用氣體導入處理室内後，在下部電極和上部電 極之間施加高頻電壓，產生減壓狀態之電漿氣體，對基板 進行蝕刻加工，更在蝕刻加工終了時，導入沖洗用氣體； 其特徵為：在蝕刻加工終了時，向處理室内供應沖洗 用氣體，自開始供應沖洗用氣體經過指定時間後停止施加 高頻電壓和停止供應處理用氣體。 4. 一種電漿蝕刻方法，使用具有進行基板之蝕刻處理 之處理室、設置於處理室内並利用靜電吸附方式將基板保 持在上面之下部電極以及和下部電極相向之上部電1"極之電 漿蝕刻裝置；使被蝕刻面朝上，將基板保持在下部電極， 接著將處理用氣體導入處理室内後，在下部電極和上部電 極之間施加高頻電壓，產生減壓狀態之電漿氣體，對基板 進行蝕刻加工，更在蝕刻加工終了時，導入沖洗用氣體； 其特徵為：在蝕刻加工終了時，停止施加高頻電壓， 而且向處理室内開始供應處理用氣體，自該開始經過指定 時間後停止供應處理用氣體。 5. —種電漿蝕刻裝置，包含具有排氣口之處理室、設 置於處理室内並利用靜電吸附方式使被蝕刻面朝上後基板 保持之下部電極以及和下部電極相向之上部電極； 其特徵為：導入沖洗用氣體之沖洗用氣體導入口位於 上部電極和下部電極之間之高度，而且在平面上看在對於 排氣口間隔下部電極相向之處理室側壁形成。 6. —種電漿蝕刻裝置，包含具有排氣口之處理室、設 置於處理室内並利用靜電吸附方式使被蝕刻面朝上後基板第19頁 412775 六、申請專利範圍 保持之下部電極以及和下部電極相向之上部電極； 其特徵在於備有： 感測器，偵測沖洗用氣體之流量； 及判斷裝置，接收來自感測器之偵測信號後，判斷所 施加高頻電壓之停止時期後，輸出該主旨。 7. —種電漿蝕刻裝置，包含具有排氣口之處理室、設 置於處理室内並利用靜電吸附方式使被蝕刻面朝上後基板 保持之下部電極以及和下部電極相向之上部電極； 其特徵在於備有： > 偵測裝置，偵測高頻電壓之停止；及 判斷裝置，接收來自偵測裝置之信號後，判斷所供應 處理用氣體之停止時期後，輸出該主旨。第20頁
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