JPH04250621A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH04250621A JPH04250621A JP2527491A JP2527491A JPH04250621A JP H04250621 A JPH04250621 A JP H04250621A JP 2527491 A JP2527491 A JP 2527491A JP 2527491 A JP2527491 A JP 2527491A JP H04250621 A JPH04250621 A JP H04250621A
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- JP
- Japan
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- cover
- electrode
- container
- lower electrode
- etched
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- Pending
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000002699 waste material Substances 0.000 claims description 9
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
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- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体製造工程にお
いて、発塵を抑制し、製品の生産性向上に関するもので
ある。
いて、発塵を抑制し、製品の生産性向上に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の半導体製造装置を示す断面
図である。図において、１，２は装置本体を構成する上
部と下部の容器、３はその間に設けられたシール、４，
５，６は上部容器１の内面に着脱可能に取付けられたカ
バー、７はこのカバーを保持するリング、８，９は上下
の電極、１０は被エッチング材（ウエハ）、１１は下部
電極９に取付けられ被エッチング材１０の位置決め用電
極カバー、１２は下部電極９の下に取付けられ容器内と
外部とのシールを行う伸縮自在の金属ベローズ、１３は
下部容器２に取付けられ、容器内を電極８，９部分のみ
に隔離するための金属シール、１４はこの金属シール１
３のシール部を保護するカバー、１５，１６は金属シー
ル１３の上下移動用の駆動シリンダ、１７は下部電極９
の上下移動用の駆動シリンダ、１８は容器内を真空にす
るためのポンプ、１９は容器内とポンプ１８を隔離する
バルブ、２０は電極９上に被エッチング材１０を載置す
るときに用いるフタ、２１は高周波電源、２２は電極９
に高周波電源２１からの電圧を供給するための通電板、
２３は真空容器内にエッチングガスを導入，遮断するた
めのバルブである。図５は図４の電極部分の詳細図で、
図中、２４は金属シール１３に取付けられたシールであ
る。
図である。図において、１，２は装置本体を構成する上
部と下部の容器、３はその間に設けられたシール、４，
５，６は上部容器１の内面に着脱可能に取付けられたカ
バー、７はこのカバーを保持するリング、８，９は上下
の電極、１０は被エッチング材（ウエハ）、１１は下部
電極９に取付けられ被エッチング材１０の位置決め用電
極カバー、１２は下部電極９の下に取付けられ容器内と
外部とのシールを行う伸縮自在の金属ベローズ、１３は
下部容器２に取付けられ、容器内を電極８，９部分のみ
に隔離するための金属シール、１４はこの金属シール１
３のシール部を保護するカバー、１５，１６は金属シー
ル１３の上下移動用の駆動シリンダ、１７は下部電極９
の上下移動用の駆動シリンダ、１８は容器内を真空にす
るためのポンプ、１９は容器内とポンプ１８を隔離する
バルブ、２０は電極９上に被エッチング材１０を載置す
るときに用いるフタ、２１は高周波電源、２２は電極９
に高周波電源２１からの電圧を供給するための通電板、
２３は真空容器内にエッチングガスを導入，遮断するた
めのバルブである。図５は図４の電極部分の詳細図で、
図中、２４は金属シール１３に取付けられたシールであ
る。
【０００３】次にその動作について説明する。下部電極
９を鎖線の初期待機位置９ａに設定を行い、上部容器１
に取付けられたフタ２０部より被エッチング材１０を下
部電極９上に載置する。次いでバルブ１９を開いて真空
ポンプ１８を作動し、容器内を真空状態とする。次に電
極９をシリンダ１７により設定位置まで上昇させると共
に、金属シール１３をシリンダ１５，１６により上昇移
動させ、真空容器内に電極８，９部と容器他部とに分離
し、その後、バルブ２３を開いてエッチングガスを電極
８より容器内に導入する。次いで他方の電極９に高周波
電源２１より通電板２２を介し高周波電力を印加させ、
電極８，９の間でプラズマ放電を発生させながら、被エ
ッチング材１０を任意の形状に加工する。この時被エッ
チング材１０の加工屑は、バルブ１９を通って真空ポン
プ１８に吸い込まれ外部に排出される。なおこのときの
エッチング加工屑の拡散状態を図５の矢印で示している
。
９を鎖線の初期待機位置９ａに設定を行い、上部容器１
に取付けられたフタ２０部より被エッチング材１０を下
部電極９上に載置する。次いでバルブ１９を開いて真空
ポンプ１８を作動し、容器内を真空状態とする。次に電
極９をシリンダ１７により設定位置まで上昇させると共
に、金属シール１３をシリンダ１５，１６により上昇移
動させ、真空容器内に電極８，９部と容器他部とに分離
し、その後、バルブ２３を開いてエッチングガスを電極
８より容器内に導入する。次いで他方の電極９に高周波
電源２１より通電板２２を介し高周波電力を印加させ、
電極８，９の間でプラズマ放電を発生させながら、被エ
ッチング材１０を任意の形状に加工する。この時被エッ
チング材１０の加工屑は、バルブ１９を通って真空ポン
プ１８に吸い込まれ外部に排出される。なおこのときの
エッチング加工屑の拡散状態を図５の矢印で示している
。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体製造装置
は以上の様に構成されているので、被エッチング材の加
工屑が金属ベローズ、容器内面に付着し、エッチング処
理回数を増す毎に、加工屑も蓄積されて行き、下部電極
及び金属ベローズの上下移動の度に加工屑が舞い上がり
、被エッチング材の表面に付着する等の問題があった。 又被エッチング材への付着を防止するため容器内を清掃
する場合にも、各部を分解する必要があり、非常に手間
がかかるという問題があった。
は以上の様に構成されているので、被エッチング材の加
工屑が金属ベローズ、容器内面に付着し、エッチング処
理回数を増す毎に、加工屑も蓄積されて行き、下部電極
及び金属ベローズの上下移動の度に加工屑が舞い上がり
、被エッチング材の表面に付着する等の問題があった。 又被エッチング材への付着を防止するため容器内を清掃
する場合にも、各部を分解する必要があり、非常に手間
がかかるという問題があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、被エッチング材の加工屑が金属
ベローズ及び清掃困難な容器内面への付着を防止すると
共に、清掃時間を短縮することを目的とする。
ためになされたもので、被エッチング材の加工屑が金属
ベローズ及び清掃困難な容器内面への付着を防止すると
共に、清掃時間を短縮することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体製
造装置は、上下に移動する下部電極に取付けられた電極
カバーの外周を円筒状に垂下して設けるとともに、真空
容器下部に金属シール及び容器下面を覆う様な二重の円
筒形の壁をもった防塵カバーを設置したものである。
造装置は、上下に移動する下部電極に取付けられた電極
カバーの外周を円筒状に垂下して設けるとともに、真空
容器下部に金属シール及び容器下面を覆う様な二重の円
筒形の壁をもった防塵カバーを設置したものである。
【０００７】
【作用】この発明においては、被エッチング材の加工屑
を電極カバーと防塵カバーとの間のラビリンス溝により
金属シール部への侵入を防止するとともに、容器内の清
掃困難部への拡散を防ぎ、加工屑がポンプ側へ排出され
やすくする。
を電極カバーと防塵カバーとの間のラビリンス溝により
金属シール部への侵入を防止するとともに、容器内の清
掃困難部への拡散を防ぎ、加工屑がポンプ側へ排出され
やすくする。
【０００８】
【実施例】以下この発明の実施例を図について説明する
。図１，図２において、１〜１０，１２〜２４は上記従
来例に示したものと同様であるので説明を省略する。 ２５は下部電極９の周りに取付けられ、被エッチング材
１０の位置決めを行うと共に、金属ベローズ１２へのエ
ッチング加工屑付着を防止する電極カバーで、下方に垂
下したスカート部２５ａを有する。また２６はこのカバ
ー２５と対応して下部容器２の底面上に取付けられ、金
属ベローズ１２，金属シール１３及び容器下面へのエッ
チング加工屑付着を防止するための二重壁構造の防塵カ
バーである。そしてこの防塵カバー２６と上記電極カバ
ー２５及び保護カバー１４とは組立状態において各々ラ
ビリンス溝を形成するようになっている。２６ａは加工
屑の排出口、２７は電極８外周へのエッチング加工屑付
着を防止するカバーである。なお上記電極カバー２５及
び防塵カバー２６は着脱可能としてある。
。図１，図２において、１〜１０，１２〜２４は上記従
来例に示したものと同様であるので説明を省略する。 ２５は下部電極９の周りに取付けられ、被エッチング材
１０の位置決めを行うと共に、金属ベローズ１２へのエ
ッチング加工屑付着を防止する電極カバーで、下方に垂
下したスカート部２５ａを有する。また２６はこのカバ
ー２５と対応して下部容器２の底面上に取付けられ、金
属ベローズ１２，金属シール１３及び容器下面へのエッ
チング加工屑付着を防止するための二重壁構造の防塵カ
バーである。そしてこの防塵カバー２６と上記電極カバ
ー２５及び保護カバー１４とは組立状態において各々ラ
ビリンス溝を形成するようになっている。２６ａは加工
屑の排出口、２７は電極８外周へのエッチング加工屑付
着を防止するカバーである。なお上記電極カバー２５及
び防塵カバー２６は着脱可能としてある。
【０００９】次に動作について説明する。装置の動作に
ついては従来技術と同じであるが、被エッチング材の加
工屑の排出状態を図２で説明すると、図の様に、加工屑
は電極カバー２５，保護カバー１４と防塵カバー２６に
より、金属ベローズ１２，金属シール１３及び真空容器
の清掃困難部分への回り込みが防がれ、矢印の如く防塵
カバー２６の排出口２６ａより排出されるようになる。
ついては従来技術と同じであるが、被エッチング材の加
工屑の排出状態を図２で説明すると、図の様に、加工屑
は電極カバー２５，保護カバー１４と防塵カバー２６に
より、金属ベローズ１２，金属シール１３及び真空容器
の清掃困難部分への回り込みが防がれ、矢印の如く防塵
カバー２６の排出口２６ａより排出されるようになる。
【００１０】なお上記実施例では、電極８の外周部への
付着防止として電極８の外周に円筒状のカバー２７を設
けたものを示したが、図３に示す様に周方向へ張り出し
たカバー２８を設けてもよい。
付着防止として電極８の外周に円筒状のカバー２７を設
けたものを示したが、図３に示す様に周方向へ張り出し
たカバー２８を設けてもよい。
【００１１】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、真空容
器内での発塵の拡散を抑えられるので、被エッチング材
へ塵の再付着が抑制でき、製品の信頼性並びに生産性が
向上する。
器内での発塵の拡散を抑えられるので、被エッチング材
へ塵の再付着が抑制でき、製品の信頼性並びに生産性が
向上する。
【図１】この発明の一実施例による半導体製造装置を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】図１の真空容器内の詳細断面図である。
【図３】この発明の他の実施例を示す真空容器内の断面
図である。
図である。
【図４】従来の半導体製造装置を示す断面図である。
【図５】図４の真空容器内の詳細断面図である。
１，２ 容器
８ 上部電極
９ 下部電極
１０ 被エッチング材
１２ 金属ベローズ
１３ 金属シール
１４ 保護カバー
２５ 電極カバー
２６ 防塵カバー
Claims (1)
- 【請求項１】 真空容器内に、上部電極と上下動可能
の下部電極を有し、上記下部電極の下部とその側周部に
各々ベローズと上下動可能のレールを配置し、上記下部
電極上に被エッチング材を載置して加工するようにした
ものにおいて、上記下部電極に下方に垂下したスカート
部を有する電極カバーを取付けるとともに、この電極カ
バーと対応して容器下面を覆うような二重の円筒形壁を
もった防塵カバーを設置し、この防塵カバーと上記電極
カバーとの間及び上記側周部のシール保護カバーとの間
を各々ラビリンス構造とし、かつ上記防塵カバーに加工
屑の排出口を設けた半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2527491A JPH04250621A (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2527491A JPH04250621A (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04250621A true JPH04250621A (ja) | 1992-09-07 |
Family
ID=12161448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2527491A Pending JPH04250621A (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04250621A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6306770B1 (en) | 1998-03-20 | 2001-10-23 | Nec Corporation | Method and apparatus for plasma etching |
| JP2011507134A (ja) * | 2007-12-06 | 2011-03-03 | インテバック・インコーポレイテッド | 基板を両面スパッタエッチングするシステム及び方法 |
-
1991
- 1991-01-25 JP JP2527491A patent/JPH04250621A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6306770B1 (en) | 1998-03-20 | 2001-10-23 | Nec Corporation | Method and apparatus for plasma etching |
| JP2011507134A (ja) * | 2007-12-06 | 2011-03-03 | インテバック・インコーポレイテッド | 基板を両面スパッタエッチングするシステム及び方法 |
| US8784622B2 (en) | 2007-12-06 | 2014-07-22 | Intevac, Inc. | System and method for dual-sided sputter etch of substrates |
| US9165587B2 (en) | 2007-12-06 | 2015-10-20 | Intevac, Inc. | System and method for dual-sided sputter etch of substrates |
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