JP3170791B2 - Ａｌ系材料膜のエッチング方法 - Google Patents
Ａｌ系材料膜のエッチング方法Info
- Publication number
- JP3170791B2 JP3170791B2 JP24048690A JP24048690A JP3170791B2 JP 3170791 B2 JP3170791 B2 JP 3170791B2 JP 24048690 A JP24048690 A JP 24048690A JP 24048690 A JP24048690 A JP 24048690A JP 3170791 B2 JP3170791 B2 JP 3170791B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- gas
- based material
- film
- material film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 60
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 76
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 19
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 17
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 13
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 9
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 17
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010282 TiON Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- -1 and as a result Substances 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009991 scouring Methods 0.000 description 2
- 229910021364 Al-Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102220491117 Putative postmeiotic segregation increased 2-like protein 1_C23F_mutation Human genes 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000007857 degradation product Substances 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 description 1
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004255 ion exchange chromatography Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32139—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
- H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S257/00—Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes
- Y10S257/915—Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes with titanium nitride portion or region
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【０００１】
本発明は、Al（アルミニウム）系材料膜のエッチング
方法に関する。本発明は、Al系材料膜をエッチングする
各種の分野に汎用でき、例えば、電子材料（半導体装置
等）の形成プロセスにおいて、配線材料等として用いる
アルミニウム系材料膜をドライエッチングして配線構造
を形成する場合等に適用することができる。
方法に関する。本発明は、Al系材料膜をエッチングする
各種の分野に汎用でき、例えば、電子材料（半導体装置
等）の形成プロセスにおいて、配線材料等として用いる
アルミニウム系材料膜をドライエッチングして配線構造
を形成する場合等に適用することができる。
【０００２】
Al系材料膜のエッチング技術は、例えば半導体装置の
製造プロセスにおいて、半導体集積回路等の配線として
用いられるAl配線やAl合金配線の形成等のために用いら
れている。
製造プロセスにおいて、半導体集積回路等の配線として
用いられるAl配線やAl合金配線の形成等のために用いら
れている。
【０００３】 ところで、半導体装置、特に半導体集積回路の配線と
して用いられているAlや、Al合金膜としては、最近バリ
アメタルと積層になっているAl多層膜構造が用いられる
ようになって来ている。即ち、耐マイグレーション性、
コンタクト抵抗の信頼性などの面から、例えば、Al膜や
Al合金（Al−Si等）膜の下に、TiON/Tiや、TiWや、TiW/
Ti層を形成したバリアメタル構造で用いられるようにな
りつつある。
して用いられているAlや、Al合金膜としては、最近バリ
アメタルと積層になっているAl多層膜構造が用いられる
ようになって来ている。即ち、耐マイグレーション性、
コンタクト抵抗の信頼性などの面から、例えば、Al膜や
Al合金（Al−Si等）膜の下に、TiON/Tiや、TiWや、TiW/
Ti層を形成したバリアメタル構造で用いられるようにな
りつつある。
【０００４】 また、更に、Al表面の反射によりリソグラフィーのパ
ターニングに悪影響が及ぼされるおそれがあるというこ
とから、これを防止すべく、Al表面に、反射防止膜（例
えば無機系の反射防止膜としてはTiON層など）を形成し
た構造が用いられて来ている。
ターニングに悪影響が及ぼされるおそれがあるというこ
とから、これを防止すべく、Al表面に、反射防止膜（例
えば無機系の反射防止膜としてはTiON層など）を形成し
た構造が用いられて来ている。
【０００５】 このような背景から、例えば第３図に示したような構
造の積層膜が用いられるようになっている。第３図中、
１はアルミニウム系材料膜で、例えばAl−Si（例えばSi
を1wt％程度含有する合金）膜である。２はバリアメタ
ル層で、Al系材料膜１に接する側からTiON層21及びTi層
22で構成されている。また、３は、Al系材料膜１の表面
に形成した反射防止膜で、ここではTiON層である。
造の積層膜が用いられるようになっている。第３図中、
１はアルミニウム系材料膜で、例えばAl−Si（例えばSi
を1wt％程度含有する合金）膜である。２はバリアメタ
ル層で、Al系材料膜１に接する側からTiON層21及びTi層
22で構成されている。また、３は、Al系材料膜１の表面
に形成した反射防止膜で、ここではTiON層である。
【０００６】 ところが、このような多層構造の膜をエッチングしよ
うとして、従来から用いられているAl−Si膜のみの単層
を異方性良くエッチングする条件をそのまま適用して
も、良好なエッチングは達成できない。即ち、上記第３
図の構造を通常のレジストマスク４でエッチングする場
合、 第３図に示すようにレジストマスク４とAl系材料膜１
との間に反射防止膜３であるTiON層が存在すること Al系材料膜１の下にバリアメタル層２であるTiON/Ti
が存在すること という条件があることから、必ずしも従来知られていた
エッチング条件では良好な加工はできないのである。
うとして、従来から用いられているAl−Si膜のみの単層
を異方性良くエッチングする条件をそのまま適用して
も、良好なエッチングは達成できない。即ち、上記第３
図の構造を通常のレジストマスク４でエッチングする場
合、 第３図に示すようにレジストマスク４とAl系材料膜１
との間に反射防止膜３であるTiON層が存在すること Al系材料膜１の下にバリアメタル層２であるTiON/Ti
が存在すること という条件があることから、必ずしも従来知られていた
エッチング条件では良好な加工はできないのである。
【０００７】 即ち、この場合、アルミニウム系材料膜１と、バリア
メタル層２とを連続してエッチング加工しようとする
と、バリアメタル層２をエッチングする時間は、アルミ
ニウム系材料膜１はオーバーエッチングの状態となりア
ンダーカットが入りやすい。
メタル層２とを連続してエッチング加工しようとする
と、バリアメタル層２をエッチングする時間は、アルミ
ニウム系材料膜１はオーバーエッチングの状態となりア
ンダーカットが入りやすい。
【０００８】 この状況を、第２図に示す。第２図は、第３図の構造
を、ECRエッチング装置により、 使用ガス系:BCl3/Cl2＝60/90 SCCM 圧力 :16mTorr マイクロ波:300mA RFバイアス:40W のエッチング条件でエッチングした場合を示すが、図の
如く、バリアメタル層２は良好にエッチングされている
が、アルミニウム系材料膜１は異方性が良好にならず、
アンダーカットが生じてしまう。
を、ECRエッチング装置により、 使用ガス系:BCl3/Cl2＝60/90 SCCM 圧力 :16mTorr マイクロ波:300mA RFバイアス:40W のエッチング条件でエッチングした場合を示すが、図の
如く、バリアメタル層２は良好にエッチングされている
が、アルミニウム系材料膜１は異方性が良好にならず、
アンダーカットが生じてしまう。
【０００９】 アンダーカットの発生を防止するため、入射イオンエ
ネルギーを大きくし、レジスト分解物の供給量を多くし
てデポ（堆積）物により側壁保護を行うと、異方性形状
にはなる。しかし、イオンの入射エネルギーが大きいこ
とから、次の問題が生じる。 （１）対レジスト、対下地５（SiO2等）選択比は低下す
る。 （２）オーバーエッチの際、下地５のスパッタ物がレジ
ストや形成されたパターンの側壁に付着し易い。よって
例えばエッチングガス系に塩素原子を含むものが含有さ
れている場合、それらの再デポ物は塩素を含むため、腐
食、いわゆるアフターコロージョンに対しても不利にな
る（コロージョンの問題については、篠原ほか「半導体
・集積回路技術第35回シンポジウム講演論文集」13〜18
頁、論文番号３、1988年12月参照）。
ネルギーを大きくし、レジスト分解物の供給量を多くし
てデポ（堆積）物により側壁保護を行うと、異方性形状
にはなる。しかし、イオンの入射エネルギーが大きいこ
とから、次の問題が生じる。 （１）対レジスト、対下地５（SiO2等）選択比は低下す
る。 （２）オーバーエッチの際、下地５のスパッタ物がレジ
ストや形成されたパターンの側壁に付着し易い。よって
例えばエッチングガス系に塩素原子を含むものが含有さ
れている場合、それらの再デポ物は塩素を含むため、腐
食、いわゆるアフターコロージョンに対しても不利にな
る（コロージョンの問題については、篠原ほか「半導体
・集積回路技術第35回シンポジウム講演論文集」13〜18
頁、論文番号３、1988年12月参照）。
【００１０】 上述したアンダーカットによる形状劣化の問題の改善
については、SiCl4などのデポ（堆積性）ガスを使用ガ
ス系に積極的に添加してデポ物により側壁を保護する技
術が提案されているものの、この従来方法では、ガス自
体が堆積性をもつため、被エッチングチェンバー全体が
デポ雰囲気になって、この結果パーティクルが発生する
ことが避けられず、抜本的な問題解決にはならない。
については、SiCl4などのデポ（堆積性）ガスを使用ガ
ス系に積極的に添加してデポ物により側壁を保護する技
術が提案されているものの、この従来方法では、ガス自
体が堆積性をもつため、被エッチングチェンバー全体が
デポ雰囲気になって、この結果パーティクルが発生する
ことが避けられず、抜本的な問題解決にはならない。
【００１１】
本発明は上述した問題点を解決しようとするものであ
る。即ち、本発明は、Al系材料膜をエッチングする場合
に、被エッチング構造がバリアメタル及び／または反射
防止膜などとAl系材料膜との多層膜である場合も、良好
な形状でAl系材料膜をエッチングでき、しかもその際イ
オンエネルギーを増大させる必要なく、また堆積性のガ
スを添加する必要なく、良好な形状のエッチングを行う
ことができ、また、その場合に、オーバーエッチ、特に
過剰なオーバーエッチが必要である場合も、該オーバー
エッチ時の過剰なラジカル等による側壁のエッチング
（サイドアタック反応による側壁のえぐれ）を防止して
良好なエッチングを実現できるエッチング方法を提供せ
んとするものである。
る。即ち、本発明は、Al系材料膜をエッチングする場合
に、被エッチング構造がバリアメタル及び／または反射
防止膜などとAl系材料膜との多層膜である場合も、良好
な形状でAl系材料膜をエッチングでき、しかもその際イ
オンエネルギーを増大させる必要なく、また堆積性のガ
スを添加する必要なく、良好な形状のエッチングを行う
ことができ、また、その場合に、オーバーエッチ、特に
過剰なオーバーエッチが必要である場合も、該オーバー
エッチ時の過剰なラジカル等による側壁のエッチング
（サイドアタック反応による側壁のえぐれ）を防止して
良好なエッチングを実現できるエッチング方法を提供せ
んとするものである。
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明のAl系材料膜のエッ
チング方法は、次の構成とする。即ち、本発明は、下地
上に形成されたAl系材料膜をエッチングするAl系材料膜
のエッチング方法において、水素を構成元素として分子
中に含むとともに堆積性を有さないガスを10〜99％含有
し、かつ被エッチング材のエッチャントとなるガスを含
有してなる混合ガスを用いて下地が露出するまで継続し
てエッチングを行い、酸化性のガスを用いたエッチング
を行うことによって前記混合ガスを用いたエッチングに
より形成されたAl系材料パターンの側壁に保護膜を形成
し、その後オーバーエッチングを行うに際し、上記水素
を構成元素として分子中に含むとともに堆積性を有さな
いガスとして、HCl、HBr、HFの群から選ばれる少なくと
も１種を用いることを特徴とするAl系材料膜のエッチン
グ方法である。
チング方法は、次の構成とする。即ち、本発明は、下地
上に形成されたAl系材料膜をエッチングするAl系材料膜
のエッチング方法において、水素を構成元素として分子
中に含むとともに堆積性を有さないガスを10〜99％含有
し、かつ被エッチング材のエッチャントとなるガスを含
有してなる混合ガスを用いて下地が露出するまで継続し
てエッチングを行い、酸化性のガスを用いたエッチング
を行うことによって前記混合ガスを用いたエッチングに
より形成されたAl系材料パターンの側壁に保護膜を形成
し、その後オーバーエッチングを行うに際し、上記水素
を構成元素として分子中に含むとともに堆積性を有さな
いガスとして、HCl、HBr、HFの群から選ばれる少なくと
も１種を用いることを特徴とするAl系材料膜のエッチン
グ方法である。
【００１３】 本発明において、アルミニウム系材料膜とは、アルミ
ニウム、アルミニウム合金、アルミニウム化合物、もし
くはこれらを成分として含有する材料から成る膜をい
う。
ニウム、アルミニウム合金、アルミニウム化合物、もし
くはこれらを成分として含有する材料から成る膜をい
う。
【００１４】 また、水素を構成元素として分子中に有するガス（以
下含Ｈガスと略称する）とは、エッチング時に分解して
分子中から水素原子（Ｈ）が発生し得るガスを言い、例
えば、水素ガス、ハロゲン化水素、硫化水素、その他の
非金属元素と水素との化合物等である。含Ｈガスとして
は、それ自体は堆積性を有さないものを用いる。すなわ
ち、ＣやSiを分子中に含むガスは採用しない。本発明に
おいて該水素を構成元素として分子中に含むとともに堆
積性を有さないガスとしては、HCl、HBr、HFの群から選
ばれる少なくとも１種を用いる。
下含Ｈガスと略称する）とは、エッチング時に分解して
分子中から水素原子（Ｈ）が発生し得るガスを言い、例
えば、水素ガス、ハロゲン化水素、硫化水素、その他の
非金属元素と水素との化合物等である。含Ｈガスとして
は、それ自体は堆積性を有さないものを用いる。すなわ
ち、ＣやSiを分子中に含むガスは採用しない。本発明に
おいて該水素を構成元素として分子中に含むとともに堆
積性を有さないガスとしては、HCl、HBr、HFの群から選
ばれる少なくとも１種を用いる。
【００１５】 また、含Ｈガスを10〜99％含有してなる混合ガスと
は、被エッチング材であるAl系材料膜をエッチングする
エッチャントとなるガス成分のほかに、該含有Ｈガスが
全体の10〜99％（体積％、即ち流量％である）含有され
ているものを言う。含Ｈガスの更に好ましい含有量は、
エッチレートも考慮すると、20％以上であり、特に20〜
50％である。
は、被エッチング材であるAl系材料膜をエッチングする
エッチャントとなるガス成分のほかに、該含有Ｈガスが
全体の10〜99％（体積％、即ち流量％である）含有され
ているものを言う。含Ｈガスの更に好ましい含有量は、
エッチレートも考慮すると、20％以上であり、特に20〜
50％である。
【００１６】 エッチャントとなるガスとしては、Al系材料のエッチ
ングガスとして知られる各種のものを任意に用いること
ができ、塩素系ガスを好ましく用いることができる。例
えば、BCl3、Cl2や、これらの混合ガス系などである。
また、エッチャントとなるガス、含Ｈガスのほかに、適
宜希釈ガス等として、他のガスを添加しても差支えな
い。
ングガスとして知られる各種のものを任意に用いること
ができ、塩素系ガスを好ましく用いることができる。例
えば、BCl3、Cl2や、これらの混合ガス系などである。
また、エッチャントとなるガス、含Ｈガスのほかに、適
宜希釈ガス等として、他のガスを添加しても差支えな
い。
【００１７】 また本発明において、酸化性のガスとは、エッチング
によりパターニングされたAl系材料の側壁に酸化膜等の
保護膜を形成し得るガスを言う。このような酸化性のガ
スとしては、例えば、O2（酸素）、O3（オゾン）、NO、
NO2等の少なくとも酸素原子を構成元素として分子中に
有するガスを用いることができる。放電のない条件で
は、O2やO3が好ましい。
によりパターニングされたAl系材料の側壁に酸化膜等の
保護膜を形成し得るガスを言う。このような酸化性のガ
スとしては、例えば、O2（酸素）、O3（オゾン）、NO、
NO2等の少なくとも酸素原子を構成元素として分子中に
有するガスを用いることができる。放電のない条件で
は、O2やO3が好ましい。
【００１８】 本発明のエッチング方法において、含Ｈガスは次のよ
うな作用を示すと考えられる。 含Ｈガス自体は、堆積性がない。例えばHClなどは、
全く堆積性がない。 エッチング時に、プラズマ等により発生する水素
（Ｈ）は、これとレジスト分解物（CzHy）との反応によ
り、カーボン系物質の堆積を起こし易くする。
うな作用を示すと考えられる。 含Ｈガス自体は、堆積性がない。例えばHClなどは、
全く堆積性がない。 エッチング時に、プラズマ等により発生する水素
（Ｈ）は、これとレジスト分解物（CzHy）との反応によ
り、カーボン系物質の堆積を起こし易くする。
【００１９】 更に本発明においては、上記含Ｈガスを含有する混合
ガスを用いて下地が露出するまでエッチングを行って、
オーバーエッチングに先立ち、酸化性のガスを用いてAl
系材料パターンの側壁保護膜を形成し、その後オーバー
エッチングするので、オーバーエッチ時にパターン側壁
がエッチングされることが、該保護膜により防止され
る。従って、サイドアタックによる側壁のエッチングが
防止されて、えぐれ（アンダーカット）の発生が防が
れ、形状劣化を抑制できる。
ガスを用いて下地が露出するまでエッチングを行って、
オーバーエッチングに先立ち、酸化性のガスを用いてAl
系材料パターンの側壁保護膜を形成し、その後オーバー
エッチングするので、オーバーエッチ時にパターン側壁
がエッチングされることが、該保護膜により防止され
る。従って、サイドアタックによる側壁のエッチングが
防止されて、えぐれ（アンダーカット）の発生が防が
れ、形状劣化を抑制できる。
【００２０】 本発明において、含Ｈガスの上記した作用が最も良好
に機能して、良好なエッチングを達成できるのは、含Ｈ
ガスが10〜99％、好ましくは20〜50％である場合であ
る。これは本発明者の検討の結果見い出されたことであ
る。
に機能して、良好なエッチングを達成できるのは、含Ｈ
ガスが10〜99％、好ましくは20〜50％である場合であ
る。これは本発明者の検討の結果見い出されたことであ
る。
【００２１】 また、添加する含Ｈガス自体は堆積性は有さないの
で、パーティクルが増大するなどの問題は原理的に無
い。（CHCl3を添加することにより形状改善を行う技術
が知られているが、これはプラズマ放電させるとプラズ
マ中すべての領域で堆積雰囲気となり、ダストが発生し
易いという問題があるが、本発明はそのおそれがな
い）。
で、パーティクルが増大するなどの問題は原理的に無
い。（CHCl3を添加することにより形状改善を行う技術
が知られているが、これはプラズマ放電させるとプラズ
マ中すべての領域で堆積雰囲気となり、ダストが発生し
易いという問題があるが、本発明はそのおそれがな
い）。
【００２２】 また後記実施例で詳述するが、本発明によれば、ガス
系に含塩素ガスを用いても、アッシング後の残留塩素量
の低減をも可能にすることができるものである。
系に含塩素ガスを用いても、アッシング後の残留塩素量
の低減をも可能にすることができるものである。
【００２３】
以下本発明の実施例について説明する。但し当然では
あるが、本発明は以下述べる実施例により限定されるも
のではない。
あるが、本発明は以下述べる実施例により限定されるも
のではない。
【００２４】 実施例−１ この実施例においては、被エッチングサンプルとし
て、第３図に示したバリアメタル層２及び反射防止膜３
を有するAl系材料膜１を使用した。Al系材料膜１は、Al
−Si合金（Silwt％含有）から成り、バリアメタル層２
はTiON層21及びTi層22から成る。反射防止膜３は、TiON
層である。下地５はSiO2である。
て、第３図に示したバリアメタル層２及び反射防止膜３
を有するAl系材料膜１を使用した。Al系材料膜１は、Al
−Si合金（Silwt％含有）から成り、バリアメタル層２
はTiON層21及びTi層22から成る。反射防止膜３は、TiON
層である。下地５はSiO2である。
【００２５】 本実施例では、まず第１ステップとして次の条件でエ
ッチングを行った。 使用ガス系:BCl3/Cl2/HCl＝60/40/100 SCCM 圧 力 :16mTorr マイクロ波:300mA RFバイアス:30W
ッチングを行った。 使用ガス系:BCl3/Cl2/HCl＝60/40/100 SCCM 圧 力 :16mTorr マイクロ波:300mA RFバイアス:30W
【００２６】 エッチング装置は、第４図に示したECRエッチング装
置を用いた。第４図中、10は被エッチング材である半導
体ウェハであり、11はこれを支持する載置台（ウェハサ
セプタ）である。６は反応室であり、61は石英ベルジ
ャ、62はマグネトロン、63は導波管、64は磁場形成用ソ
レノイドコイルである。65はエッチングガス導入系、66
は排気等を示す。67は高周波電源である。
置を用いた。第４図中、10は被エッチング材である半導
体ウェハであり、11はこれを支持する載置台（ウェハサ
セプタ）である。６は反応室であり、61は石英ベルジ
ャ、62はマグネトロン、63は導波管、64は磁場形成用ソ
レノイドコイルである。65はエッチングガス導入系、66
は排気等を示す。67は高周波電源である。
【００２７】 本実施例によれば、比較となる従来のガス系（BCl3/C
l2）を用いた場合、被エッチング材であるウェハに印加
するRFバイアスは50Wにしないと異方性形状は得られな
かったのに対し、その60％である30Wの印加で異方性形
状が得られた。
l2）を用いた場合、被エッチング材であるウェハに印加
するRFバイアスは50Wにしないと異方性形状は得られな
かったのに対し、その60％である30Wの印加で異方性形
状が得られた。
【００２８】 ところがこのガス系では、更にオーバーエッチングを
行う場合、30％程度のオーバーエッチでは問題無いもの
の、50％以上オーバーエッチを行うと、過剰な塩素ラジ
カルによりパターンの側壁のサイドアタック反応が起こ
り、パターンにアンダーカットが生じるなど形状が悪化
することがある。
行う場合、30％程度のオーバーエッチでは問題無いもの
の、50％以上オーバーエッチを行うと、過剰な塩素ラジ
カルによりパターンの側壁のサイドアタック反応が起こ
り、パターンにアンダーカットが生じるなど形状が悪化
することがある。
【００２９】 そこで本実施例では、次の第２ステップの保護膜形成
工程を設けて、その後第３ステップでオーバーエッチン
グを行うようにした。
工程を設けて、その後第３ステップでオーバーエッチン
グを行うようにした。
【００３０】 即ち本実施例では、上記第１ステップ条件で下地５が
露出するまでエッチングを行い、第２ステップでは、下
記条件でエッチングした。 使用ガス系:O2＝200 SCCM 圧 力 :16mTorr マイクロ波:300mA RFバイアス:OW 時 間 :2秒
露出するまでエッチングを行い、第２ステップでは、下
記条件でエッチングした。 使用ガス系:O2＝200 SCCM 圧 力 :16mTorr マイクロ波:300mA RFバイアス:OW 時 間 :2秒
【００３１】 この第２ステップにより、Al系材料膜パターンの側壁
に安定な酸化膜を形成し、これを保護膜とする。このと
き同時に、レジスト４は1000Å程度エッチングされる。
に安定な酸化膜を形成し、これを保護膜とする。このと
き同時に、レジスト４は1000Å程度エッチングされる。
【００３２】 次に、下記条件で第３ステップのオーバーエッチング
を行う。 使用ガス系:BCl3/Cl2/HCl＝60/40/100 SCCM 圧 力:16mTorr マイクロ波:300mA RFバイアス:30W
を行う。 使用ガス系:BCl3/Cl2/HCl＝60/40/100 SCCM 圧 力:16mTorr マイクロ波:300mA RFバイアス:30W
【００３３】 これは第１ステップにおけるエッチング条件と同じで
ある。本実施例ではこの条件で、例えば50％のオーバー
エッチングを行った。なお場合によっては、ガス系を第
１ステップと変えてもよい。このオーバーエッチ時には
Al系材料膜１の側壁には第２ステップで形成された保護
膜（この例では安定な酸化膜と考えられる）が形成され
ているため、本実施例にように含ＨガスとしてのHClの
如き含Clガスを用いても、オーバーエッチ時にもパター
ン側壁は過剰な塩素ラジカルのサイドアタック反応から
保護される。
ある。本実施例ではこの条件で、例えば50％のオーバー
エッチングを行った。なお場合によっては、ガス系を第
１ステップと変えてもよい。このオーバーエッチ時には
Al系材料膜１の側壁には第２ステップで形成された保護
膜（この例では安定な酸化膜と考えられる）が形成され
ているため、本実施例にように含ＨガスとしてのHClの
如き含Clガスを用いても、オーバーエッチ時にもパター
ン側壁は過剰な塩素ラジカルのサイドアタック反応から
保護される。
【００３４】 よって、サイドエッチングが生じることなく、良好な
オーバーエッチングがなされ最終的に良好なエッチング
形状を得ることができる。
オーバーエッチングがなされ最終的に良好なエッチング
形状を得ることができる。
【００３５】 得られた形状を第１図に示す。図の如く、アンダーカ
ットの無い異方性の良好なエッチングが達成された。
ットの無い異方性の良好なエッチングが達成された。
【００３６】 また本実施例によれば、含ＨガスとしてHClを用いて
いるが、残留塩素は非常に少ないものであった。
いるが、残留塩素は非常に少ないものであった。
【００３７】 第５図に、従来プロセスでエッチングした場合と、本
実施例でエッチングした場合とについて、エッチング後
に残留塩素を分析した結果を示すが、Ａで示す従来プロ
セス（１ウェハにつき約20μｇ強）に比し、Ｂに示す本
実施例では残留塩素ははるかに少なくなっている（同約
15μｇ弱）。第６図には、エッチング後、更にアッシン
グを行ったサンプルについて残留塩素を分析した結果を
示すが、２サンプルについて、従来プロセスでは１ウェ
ハにつき0.16μｇ程度（A1,A2）であるのに対し、本実
施例では0.1μｇを少し上まわるもの（B1）と、これを
下まわるもの（B2）とが得られるという結果が出、残留
塩素についても再現性良く良好な結果が得られているこ
とがわかる。
実施例でエッチングした場合とについて、エッチング後
に残留塩素を分析した結果を示すが、Ａで示す従来プロ
セス（１ウェハにつき約20μｇ強）に比し、Ｂに示す本
実施例では残留塩素ははるかに少なくなっている（同約
15μｇ弱）。第６図には、エッチング後、更にアッシン
グを行ったサンプルについて残留塩素を分析した結果を
示すが、２サンプルについて、従来プロセスでは１ウェ
ハにつき0.16μｇ程度（A1,A2）であるのに対し、本実
施例では0.1μｇを少し上まわるもの（B1）と、これを
下まわるもの（B2）とが得られるという結果が出、残留
塩素についても再現性良く良好な結果が得られているこ
とがわかる。
【００３８】 上記第６図の結果はアッシング後であるので、本実施
例のサンプルについては側壁保護膜はアッシングで除去
されており、該保護膜に起因する残留塩素はないと考え
られ、残留塩素が少ないことも含Ｈガスを用いたことに
よる効果と考えられるが、いずれにしても本実施例によ
れば、塩素に基づくコロージョンの問題に対しても有利
であることがわかる。
例のサンプルについては側壁保護膜はアッシングで除去
されており、該保護膜に起因する残留塩素はないと考え
られ、残留塩素が少ないことも含Ｈガスを用いたことに
よる効果と考えられるが、いずれにしても本実施例によ
れば、塩素に基づくコロージョンの問題に対しても有利
であることがわかる。
【００３９】 アッシング時に保護膜が良好に除去されることについ
ては、本実施例では、ここで用いるHClが側壁保護膜形
成に寄与しているので該側壁保護膜がハイドロカーボン
系に近くなり、これによりアッシングで除去され易い状
態となって、この結果これが良好に除去されるものと考
えられる。
ては、本実施例では、ここで用いるHClが側壁保護膜形
成に寄与しているので該側壁保護膜がハイドロカーボン
系に近くなり、これによりアッシングで除去され易い状
態となって、この結果これが良好に除去されるものと考
えられる。
【００４０】 なお、上記残留塩素の分析は、処理後の被エッチング
材（ウェハ）に一定量の純水を盛り、一定時間後採取し
てイオンクロマトグラフィーで測定したものである。
材（ウェハ）に一定量の純水を盛り、一定時間後採取し
てイオンクロマトグラフィーで測定したものである。
【００４１】 上述の如く本実施例によれば、ジャストエッチ後にAl
系材料から成るパターンの側壁を酸化性のガスにより処
理し、その後オーバーエッチを行うことにより、側壁に
アンダーカットの無い良好な異方性形状が得られる。か
つこのオーバーエッチ前の酸化性ガスによる処理は、例
えば単に系内にO2を流すだけで容易に実施できる。
系材料から成るパターンの側壁を酸化性のガスにより処
理し、その後オーバーエッチを行うことにより、側壁に
アンダーカットの無い良好な異方性形状が得られる。か
つこのオーバーエッチ前の酸化性ガスによる処理は、例
えば単に系内にO2を流すだけで容易に実施できる。
【００４２】 また本実施例では、イオンの入射エネルギーに影響す
るRFバイアスを小さくできる（例えば50Wから30W）。こ
のことによっても、本例の如くClを含有するガスを用い
た場合も、オーバーエッチ時の塩素を含んだ下地スパッ
タ物の量を少なくでき、残留塩素を低減できる。
るRFバイアスを小さくできる（例えば50Wから30W）。こ
のことによっても、本例の如くClを含有するガスを用い
た場合も、オーバーエッチ時の塩素を含んだ下地スパッ
タ物の量を少なくでき、残留塩素を低減できる。
【００４３】 また、上記酸化性ガスによる処理（O2プラズマ処理
等）によっても、残留塩素低減効果が高められていると
考えられる。
等）によっても、残留塩素低減効果が高められていると
考えられる。
【００４４】 よって、アフターコロージョンに対して非常に有利で
ある。
ある。
【００４５】 更に、堆積性のガスを用いる必要がなく、パーティク
ル等の発生を防止できるという点でも有利である。
ル等の発生を防止できるという点でも有利である。
【００４６】
上述の如く、本発明によれば、各種のAl系材料膜を良
好にエッチングできるものであり、例えば、被エッチン
グ構造がバリアメタル及び／または反射防止膜などとAl
系材料膜との多層膜である場合も、良好な形状でAl系材
料膜をエッチングできる。しかもその際イオンエネルギ
ーを増大させる必要もなく、また堆積性のガスを添加す
る必要もなく、異方性を向上させることができる。更
に、オーバーエッチ時には保護膜によりパターン側壁が
保護されるので、オーバーエッチ時における形状劣化も
なく、良好なエッチング形状が得られる。
好にエッチングできるものであり、例えば、被エッチン
グ構造がバリアメタル及び／または反射防止膜などとAl
系材料膜との多層膜である場合も、良好な形状でAl系材
料膜をエッチングできる。しかもその際イオンエネルギ
ーを増大させる必要もなく、また堆積性のガスを添加す
る必要もなく、異方性を向上させることができる。更
に、オーバーエッチ時には保護膜によりパターン側壁が
保護されるので、オーバーエッチ時における形状劣化も
なく、良好なエッチング形状が得られる。
第１図は、実施例−１で得られたエッチング形状の断面
図である。 第２図は、従来例（比較例）で得られたエッチング形状
の断面図である。 第３図は、被エッチング材の一例を示す断面図である。 第４図は、実施例−１で用いたエッチング装置の構成図
である。 第５図及び第６図は、残留塩素を従来例、実施例につい
て分析した結果を示す図である
図である。 第２図は、従来例（比較例）で得られたエッチング形状
の断面図である。 第３図は、被エッチング材の一例を示す断面図である。 第４図は、実施例−１で用いたエッチング装置の構成図
である。 第５図及び第６図は、残留塩素を従来例、実施例につい
て分析した結果を示す図である
１……アルミニウム系材料膜、２……バリアメタル層、
３……反射防止膜、５……下地。
３……反射防止膜、５……下地。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3065 C23F 4/00
Claims (3)
- 【請求項１】下地上に形成されたAl系材料膜をエッチン
グするAl系材料膜のエッチング方法において、 水素を構成元素として分子中に含むとともに堆積性を有
さないガスを10〜99％含有し、かつ被エッチング材のエ
ッチャントとなるガスを含有してなる混合ガスを用いて
下地が露出するまで継続してエッチングを行い、 酸化性のガスを用いたエッチングを行うことによって前
記混合ガスを用いたエッチングにより形成されたAl系材
料パターンの側壁に保護膜を形成し、 その後オーバーエッチングを行うに際し、 上記水素を構成元素として分子中に含むとともに堆積性
を有さないガスとして、HCl、HBr、HFの群から選ばれる
少なくとも１種を用いる ことを特徴とするAl系材料膜のエッチング方法。 - 【請求項２】請求項１に記載のAl系材料膜のエッチング
方法であって、 上記混合ガスは上記水素を構成元素として分子中に含む
とともに堆積性を有さないガスを20〜99％含有すること
を特徴とするAl系材料膜のエッチング方法。 - 【請求項３】請求項１に記載のAl系材料膜のエッチング
方法であって、 上記混合ガスは上記水素を構成元素として分子中に含む
とともに堆積性を有さないガスを20〜50％含有すること
を特徴とするAl系材料膜のエッチング方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24048690A JP3170791B2 (ja) | 1990-09-11 | 1990-09-11 | Ａｌ系材料膜のエッチング方法 |
| KR1019910014714A KR100214032B1 (ko) | 1990-09-11 | 1991-08-24 | 알루미늄계재료막의에칭방법 |
| US07/757,642 US5207868A (en) | 1990-09-11 | 1991-09-11 | Etching process for films of aluminum or its alloys |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24048690A JP3170791B2 (ja) | 1990-09-11 | 1990-09-11 | Ａｌ系材料膜のエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04120282A JPH04120282A (ja) | 1992-04-21 |
| JP3170791B2 true JP3170791B2 (ja) | 2001-05-28 |
Family
ID=17060232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24048690A Expired - Lifetime JP3170791B2 (ja) | 1990-09-11 | 1990-09-11 | Ａｌ系材料膜のエッチング方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5207868A (ja) |
| JP (1) | JP3170791B2 (ja) |
| KR (1) | KR100214032B1 (ja) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5868854A (en) * | 1989-02-27 | 1999-02-09 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for processing samples |
| US5480748A (en) * | 1992-10-21 | 1996-01-02 | International Business Machines Corporation | Protection of aluminum metallization against chemical attack during photoresist development |
| KR970001883B1 (ko) * | 1992-12-30 | 1997-02-18 | 삼성전자 주식회사 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
| US5387556A (en) * | 1993-02-24 | 1995-02-07 | Applied Materials, Inc. | Etching aluminum and its alloys using HC1, C1-containing etchant and N.sub.2 |
| JPH0786244A (ja) * | 1993-09-13 | 1995-03-31 | Sony Corp | ドライエッチング方法 |
| EP0660393B1 (en) * | 1993-12-23 | 2000-05-10 | STMicroelectronics, Inc. | Method and dielectric structure for facilitating overetching of metal without damage to inter-level dielectric |
| EP0690503A1 (en) * | 1994-05-31 | 1996-01-03 | Advanced Micro Devices, Inc. | Improved interconnect line structure and process therefor |
| US5910021A (en) | 1994-07-04 | 1999-06-08 | Yamaha Corporation | Manufacture of semiconductor device with fine pattens |
| US5739046A (en) * | 1994-09-30 | 1998-04-14 | United Microelectronics Corporation | Method of making a reliable barrier layer |
| JPH08130206A (ja) * | 1994-10-31 | 1996-05-21 | Sony Corp | Ａｌ系金属層のプラズマエッチング方法 |
| US5702564A (en) * | 1995-01-03 | 1997-12-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of etching conductive lines without undercutting |
| US6090717A (en) * | 1996-03-26 | 2000-07-18 | Lam Research Corporation | High density plasma etching of metallization layer using chlorine and nitrogen |
| US5849641A (en) * | 1997-03-19 | 1998-12-15 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for etching a conductive layer to improve yield |
| US5808364A (en) * | 1997-04-08 | 1998-09-15 | International Business Machines Corporation | Interconnects using metal spacers |
| US6211078B1 (en) * | 1997-08-18 | 2001-04-03 | Micron Technology, Inc. | Method of improving resist adhesion for use in patterning conductive layers |
| WO1999012195A1 (fr) * | 1997-08-28 | 1999-03-11 | Hitachi, Ltd. | Procede de gravure a sec |
| US6187682B1 (en) * | 1998-05-26 | 2001-02-13 | Motorola Inc. | Inert plasma gas surface cleaning process performed insitu with physical vapor deposition (PVD) of a layer of material |
| KR100534519B1 (ko) * | 1998-09-18 | 2006-03-14 | 주식회사 코오롱 | 크림프성이 우수한 해도형 극세사 및 그의 제조방법. |
| US8187483B2 (en) * | 2006-08-11 | 2012-05-29 | Jason Plumhoff | Method to minimize CD etch bias |
| KR20130043063A (ko) | 2011-10-19 | 2013-04-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
| KR101381914B1 (ko) * | 2012-07-19 | 2014-04-07 | (주) 정산인터내셔널 | 서로 다른 액상 실리콘 고무 코팅액을 이용한 합성피혁의 제조방법 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1203089B (it) * | 1976-03-03 | 1989-02-15 | Int Plasma Corp | Procedimento ed apparecchiatura per eseguire reazioni chimiche nella regione della scarica luminescente di un plasma |
| JPS57170534A (en) * | 1981-04-15 | 1982-10-20 | Hitachi Ltd | Dry etching method for aluminum and aluminum alloy |
| JPS60217634A (ja) * | 1984-04-13 | 1985-10-31 | Victor Co Of Japan Ltd | プラズマエツチング法 |
| JPH0828359B2 (ja) * | 1986-10-27 | 1996-03-21 | ソニー株式会社 | エツチング方法 |
| JP2590471B2 (ja) * | 1987-03-27 | 1997-03-12 | ソニー株式会社 | エツチング方法 |
-
1990
- 1990-09-11 JP JP24048690A patent/JP3170791B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-08-24 KR KR1019910014714A patent/KR100214032B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1991-09-11 US US07/757,642 patent/US5207868A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920007105A (ko) | 1992-04-28 |
| US5207868A (en) | 1993-05-04 |
| KR100214032B1 (ko) | 1999-08-02 |
| JPH04120282A (ja) | 1992-04-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3170791B2 (ja) | Ａｌ系材料膜のエッチング方法 | |
| JP4690512B2 (ja) | エッチングした垂直金属線上のポリマー沈積、エッチングした金属線の腐食およびエッチングした金属フィーチャの湿式洗浄時における腐食を減少させる方法 | |
| JPH05160081A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| US5378653A (en) | Method of forming aluminum based pattern | |
| JP3318801B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP3236225B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US6057240A (en) | Aqueous surfactant solution method for stripping metal plasma etch deposited oxidized metal impregnated polymer residue layers from patterned metal layers | |
| JPH08130206A (ja) | Ａｌ系金属層のプラズマエッチング方法 | |
| US5277757A (en) | Dry etching method | |
| JP3172168B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JP3225532B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP3082396B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3570098B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP3326868B2 (ja) | アルミニウム系パターンの形成方法 | |
| JP3191344B2 (ja) | 銅膜のエッチング方法 | |
| JPH07263426A (ja) | 積層配線のドライエッチング方法 | |
| JP3010699B2 (ja) | Ａｌ系材料膜のエッチング方法 | |
| JPH05182937A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP2987977B2 (ja) | アルミニウム系金属膜のドライエッチング方法 | |
| JPH05121378A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05136103A (ja) | エツチング方法 | |
| JP3278924B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH0547721A (ja) | エツチング方法 | |
| JPH07283216A (ja) | Ａｌ系金属配線構造およびそのパターニング方法 | |
| KR950006341B1 (ko) | 금속배선 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080323 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090323 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100323 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100323 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110323 Year of fee payment: 10 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110323 Year of fee payment: 10 |