JP3150324B2 - 薄膜トランジスタ基板の検査方法および薄膜トランジスタ基板の配線修正方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

〔産業上の利用分野〕 本発明は、液晶表示装置に用いる薄膜トランジスタ基
板の検査方法および薄膜トランジスタ基板の配線修正方
法に関する。 〔従来の技術〕 第２図に薄膜トランジスタアクティブマトリクス基板
（以後薄膜トランジスタ基板と略す）の電気的配線構成
の一例として、５×５画素配列の場合を示す。薄膜トラ
ンジスタ基板は、走査線11〜15、信号線21〜25、また各
交点には薄膜トランジスタ７、透明画素電極８をガラス
基板上に形成したものである。この薄膜トランジスタ基
板と共通電極基板を平行に対峙させ、両基板間に液晶を
封入したものが液晶表示装置の基本構成である。11p〜1
5p及び21p〜25pは電極端子パッドである。 薄膜トランジスタ基板の製造においては，製造工程の
塵埃やホトレジスト欠陥等に起因する走査線と信号線の
短絡欠陥３が発生し易い。短絡３には、第３図（ａ）に
示すように、走査線と信号線の交差点で発生する短絡3a
と、薄膜トランジスタ内で発生する短絡3bがある。これ
らの欠陥は、走査線13及び信号線23に沿った線状の表示
不良の原因となる。この対策のため、第３図（ｂ）に示
すように、交差部や薄膜トランジスタを複数化する方法
がある。同図の場合、9a,9dの位置で配線を切断するこ
とにより短絡を修正できる。しかしこの方法を実現する
には、短絡の発生位置を特定する必要がある。 第４図に、一般に短絡検査に用いらている電気的な方
法を示す。この検査では、薄膜トランジスタ基板は、走
査線11〜15が外部配線11d〜15dと接続配線1cにより接続
され、信号線21〜25も外部配線21d〜25dと接続配線2cに
より接続されている。そして探針等を接続配線1c,2cに
接触させ、走査線と信号線の間に電位差Ｖを印加し、電
流計４で電流値を測定することにより、短絡の有無を判
別している。しかしこの方法は短絡の発生している画素
番地を特定できないという課題がある。 この課題を解決するには、第２図に示す配線構造の薄
膜トランジスタ基板を対象とし、１本の走査線と１本の
信号線にだけ電位差Ｖを与えた状態での電流値の測定
を、全走査線及び全信号線に対し順次行えばよい。しか
しこの方法は、走査線数と信号線数の積の回数だけ電流
値を測定する必要があり、液晶ディスプレイ等の画素数
の膨大な薄膜トランジスタ基板では測定に長時間を要し
実用に適さない。また電圧印加のための探針の接触によ
る電極端子部11p〜15p,21p〜25pの損傷も問題となる。
また検査時間を短縮するため、多数本の探針を同時に接
触させる構造にしたとしても、検査を行う走査線あるい
は信号線を電気的に切り替えるため、長時間を要する。
さらに、上述した電気的な検査方法では、第３図（ｂ）
に示すように、走査線と信号線の交差部や薄膜トランジ
スタを複数化した薄膜トランジスタ基板に対しては、ど
の交差部あるいは薄膜トランジスタに短絡欠陥が存在す
るのかを特定できない。 検査時間を短縮する方法としては、薄膜トランジスタ
基板とエレクトロクロミック表示パネルを組み合わせ、
エレクトロクロミック基板の発色膜の発色状態から欠陥
を検出する方法が特開平１−154092号公報に記載されて
いる。この方法によれば、各画素電極の導通状態に応じ
てエレクトロクロミック表示基板の発色膜が非発色ある
いは発色状態となるため、欠陥画素を特定することが可
能となる。ただしこの方法は薄膜トランジスタ基板の画
素電極とエレクトロクロミック表示基板の発色膜と電解
膜を介して導通接続する必要があるため、液体の電解質
を要いた場合には薄膜トランジスタ基板が汚染する問題
がある。また、電解質に固体を用いた場合でも金属線と
の物理的な接触により薄膜トランジスタ基板に損傷が生
じ易く、また導通接続不良による欠陥検査の誤りが生じ
易いなどの課題がある。 〔発明が解決しようとする課題〕 このように、従来技術では薄膜トランジスタ基板の短
絡欠陥を短時間に、かつ基板に損傷を与えないで検出す
ることは不可能であった。また短絡欠陥の存在する画素
番地を特定することができても、各画素に対して走査線
と信号線の交差点や薄膜トランジスタの複数化がなされ
ている場合、どの交差点あるいは薄膜トランジスタに短
絡が存在するかを特定することは不可能であった。 本発明の目的は薄膜トランジスタ基板の短絡欠陥を、
短時間に、かつ基板への接触を最小限にした薄膜トラン
ジスタ基板の検査方法及び薄膜トランジスタ基板の欠陥
修正方法を提供することにある。 また、本発明の他の目的は、走査線と信号線の交差点
や薄膜トランジスタ基板が複数化された薄膜トランジス
タ基板でも、どの交差点あるいは薄膜トランジスタに短
絡が発生しているかを特定できる、薄膜トランジスタ基
板の検査方法及び薄膜トランジスタ基板の欠陥修正方法
を提供することにある。 また、本発明の他の目的は、短絡欠陥を有する薄膜ト
ランジスタ基板の配線を自動的に修正できる薄膜トラン
ジスタ基板の検査方法及び薄膜トランジスタ基板の欠陥
修正方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

上記目的を達成するために、本発明では、第１の配線
層と第２の配線層とをマトリクス状に形成した薄膜トラ
ンジスタ基板の短絡欠陥を検査する方法において、第１
の配線層と第２の配線層とに電圧を印加して薄膜トラン
ジスタ基板の短絡欠陥の有無を検出し、短絡欠陥がある
場合には、第１の配線層と第２の配線層の第１の赤外線
画像から短絡欠陥のマトリクスにおける位置を特定し、
この特定したマトリクスにおける位置を撮像してマトリ
クスにおける位置の第２の赤外線画像を得、この第２の
赤外線画像から短絡欠陥を起こしている位置を特定する
ようにした。 また、上記目的を達成するために、第１の配線層と第
２の配線層とをマトリクス状に形成した薄膜トランジス
タ基板の短絡欠陥を修正する方法において、第１の配線
層を撮像してこの第１の配線層の赤外線画像を得、第２
の配線層を撮像してこの第２の配線層の赤外線画像を
得、第１の配線層の赤外線画像と第２の配線層の赤外線
画像とから薄膜トランジスタ基板の短絡欠陥を起こして
いる位置を特定し、この特定した短絡欠陥を起こしてい
る位置を撮像して短絡欠陥を起こしている位置の赤外線
画像を得、この赤外線画像から短絡欠陥を起こしている
位置における切断すべき配線位置を決定し、この決定し
た切断すべき配線位置にレーザビームを照射して配線を
切断するようにした。 〔作用〕 正常な薄膜トランジスタ基板は走査線と信号線の間の
抵抗値は数十メガオーム程度であるため、走査線と信号
線の間に数十ボルト程度の電圧を印加してもほとんど電
流は流れない。これに対し、薄膜トランジスタ基板内に
走査線と信号線の短絡欠陥が存在した場合、この短絡欠
陥部分を通して電流が流れ、配線は発熱する。この発熱
を赤外画像検出器で発熱状態を検出することにより、短
絡が発生している走査線及び信号線を検出することがで
き、これより短絡の発生している画像番地が特定でき
る。 また短絡部は正常な配線に比べ抵抗が大きい等の理由
で、赤外光の放射強度が強い。このため上記短絡画素番
地における配線パターンの赤外画像を検出することによ
り、赤外光強度分布から短絡位置を特定できる。 また可視画像を用いれば配線パターンを明確に検出で
きる。そこで赤外画像と同一位置の可視画像を検出し、
該可視画像内の配線パターンの位置を参照することで、
短絡位置の特定をさらに容易に実現できる。 また上記方法で短絡位置が特定されると、配線を切断
すべき位置を決定できる。これを基にレーザ等により配
線修正照射位置を制御でき、自動的に配線を修正でき
る。 また走査線及び信号線の電極端子部の外側の配線の幅
を細くすることにより、配線抵抗が増加し、該配線から
の発熱量が増加する。これにより該配線の検出を容易に
行える。 〔実施例〕 以下，本発明の実施例を説明する。第１図に本発明に
よる薄膜トランジスタ基板の検査方法の手順を示す。本
発明では、薄膜トランジスタ基板の走査線１及び信号線
２の、いずれも一方の端子を電気的に接続した状態で検
査を行う。まず、従来の電気的検査方法と同様に導通検
査を行う。次に導通検査で不良と判定された基板を対象
に、短絡が発生している可能性のある画素の番地（短絡
画素番地）を特定する。そして該短絡画素番地の配線パ
ターンを順次検査し短絡位置を特定した後、配線を修正
する。 導通検査では、走査線１と信号線２の間に電位差Ｖを
与え、電流計４で電流値を測定する。正常な薄膜トラン
ジスタ基板では走査線１と信号線２の間の抵抗値は数十
メガオーム程度であるため、数十ボルト程度の電圧を印
加してもほとんど電流は流れない。これに対して、走査
線１と信号線２の間に短絡欠陥３が存在した場合、この
短絡部３を通して電流が流れる。そこで電流値が規定値
以上の基板を、短絡の発生した不良基板と判定する。 短絡画素番地特定では、導通検査と同様に、走査線１
と信号線２の間に電位差Ｖを与え、短絡の発生した走査
線と信号線に流れる電流による配線の発熱を検出し、短
絡画素番地特定する。これには10〜30μｍ（技）程度の
微小領域の発熱部から放射される赤外光の強度に応じた
出力が得られる赤外顕微鏡5mを用い、走査線１と信号線
２の端子部を破線６に沿って走査し、発熱している配線
を検出する。 第５図は短絡画素番地特定方法の詳細な実施例を示し
たものである。同図において薄膜トランジスタ基板は、
走査線11〜15が電極端子パッド11p〜15pの外側に形成さ
れた外部配線11d〜15dと接続配線1cにより電気的に接続
され、また信号線21〜25は電極端子パッド21p〜25pの外
側に形成された外部配線21d〜25dと接続配線2cにより電
気的に接続されている。走査線11〜15と信号線21〜25の
間に電位差Ｖを与えるには、接続配線1c,2cに電圧印加
用の探針を接触させればよい。同図に示すように、短絡
３が走査線13と信号線23の交差する画素で発生している
場合、電流は外部配線13d→電極端子パッド13p→短絡３
→電極端子パッド23p→外部配線23dと流れ、この間の配
線は発熱する。そこで例えば外部配線11d〜15dと外部配
線21d〜25dから放射される赤外線を、破線６に沿って赤
外顕微鏡で検出すれば、破線６部の赤外光強度分布波形
1t,2tが得られる。これらの波形から赤外光強度の強い
位置を検出することにより、発熱した配線位置、すなわ
ち走査線13及び信号線23を検出できる。その結果、短絡
画素番地を特定できる。なお本実施例では、基板内の短
絡がＮ個ある場合は、検出される走査線及び信号線はそ
れぞれ最大Ｎ本となり、最大Ｎ×Ｎ個の交点を短絡が発
生している可能性のある画素番地として特定できる。 次に短絡位置特定方法の第１の実施例を説明する。第
６図に示すように、走査線と信号線の交差部及び薄膜ト
ランジスタ７を複数化した基板では、短絡欠陥は短絡候
補領域73a〜73dで発生する可能性がある。このため配線
を修正するには、どの短絡候補領域で短絡が発生してい
るかを特定（短絡位置特定）する必要がある。一般に、
短絡部は正常な配線に比べ抵抗が大きい等の理由で、赤
外光の放射強度が強い。そこで本実施例では、第１図に
示すように、短絡画素番地の配線パターンを赤外顕微鏡
5mの視野内に順次位置決めし、赤外画像を検出する。そ
して該赤外画像の強度が一定値以上の場合には、その画
素番地に短絡による発熱が存在すると判断し、赤外画像
内での短絡位置を検出する。短絡位置は、例えば赤外光
強度が最大となる位置として検出すればよい。このよう
にして求めた赤外画像中の短絡位置座標の他、回路パタ
ーン設計データ及び基板の位置決め座標データを用い、
短絡３が発生している短絡候補領域を決定すればよい。
これにより第６図に示す短絡３は、候補短絡領域73cに
存在することが分かり、配線切断位置を9cに決定でき
る。なお赤外画像の強度が一定値未満の場合は、その短
絡画素番地には短絡がないと判断し、短絡位置特定は行
わない。 次に短絡位置特定方法の第２の実施例を第７図により
説明する。第１の実施例では、赤外画像のみを用い短絡
位置を特定したが、本実施例では、赤外画像と同一位置
を検出する可視画像を参照し短絡位置を特定する。第７
図（ｂ）は、透過照明を行い、第６図に示す配線パター
ンを検出した可視画像である。透過照明は基板背面から
照明するため、同図のごとく金属の配線パターンをシル
エット像として検出できる。まず同図（ａ）に示すよう
な特徴的なパターンを辞書パターン63として登録する。
この際、辞書パターン63の位置77を原点とし、短絡候補
位置（短絡候補領域の代表位置）74a〜74d及び切断位置
9a〜9dの座標を設定する。これにより辞書パターン位置
77が分かれば、短絡候補位置74a〜74d及び切断位置9a〜
9dを決定できる。短絡位置特定では短絡欠陥画素番地の
配線パターンを順次検査するが、可視画像中の辞書パタ
ーン位置77は基板の位置決め状態に応じ変化する。そこ
で検査ごとに透過照明で可視画像を検出し、パターンマ
ッチングにより、その画像中で辞書パターン63が最も一
致する位置の座標77を求める。これにより可視画像中の
短絡候補位置74a〜74d及び切断位置9a〜9dの座標を算出
できる。一方、短絡３の位置は赤外画像から求める。本
実施例では可視画像と赤外画像は同一位置を検出してい
るため、可視画像と赤外画像の座標は等しい。そこで可
視画像から求めた短絡候補位置74a〜74dの中で、赤外画
像中の短絡３の位置までの距離が最小になる短絡候補位
置を、短絡が発生している位置として決定できる。これ
により第１の実施例と同様に、第６図に示す短絡３は、
短絡候補領域73cに存在することが分かり、配線切断位
置を9cに決定できる。本実施例では予め記憶すべき座標
データが、辞書パターン63の位置77を原点としたとき
の、短絡候補位置74a〜74d及び切断位置9a〜9dだけであ
り、短絡位置の特定をさらに容易に実現できる。 以上述べた短絡位置特定方法により、配線切断位置は
決定される。そこで配線修正では、レーザ43等の配線修
正法により、該配線切断位置を切断することにより、短
絡の発生した基板を修正する。 次に薄膜トランジスタ基板検査装置の第１の実施例を
第８図〜第10図で説明する。本装置は機構系、導通検査
系、光学系からなる。機構系はθステージ31、Ｚステー
ジ32、Ｙステージ33、Ｘステージ34からなり、薄膜トラ
ンジスタ基板30を載置し、基板30の任意の位置を光学系
視野内に位置決めする。導通検査系は直流電源35、電流
計４、探針36a、36bからなり、探針36a、36bを配線パタ
ーンに接触させて走査線と信号線の間に電位差を与え、
電流値から短絡欠陥の有無を判別する。光学系は赤外画
像検出系、配線切断のためのレーザ光照射系、明視野照
明系、透過照明系、可視画像検出系からなる。赤外画像
検出系は対物レンズ37、ダイクロイックミラー38、レン
ズ39、赤外画像検出器５からなり、薄膜トランジスタ基
板30上の発熱部から放射される赤外光（波長域λ₁:約５
〜13μｍ）を検出する。本赤外画像検出系は対物レンズ
37で赤外像を拡大しているため、10〜30μｍ（技）程度
の微小領域から放射される赤外光の強度を検出できる。
レーザ光照射系は、レーザ43、ビームエキスパンダ42、
図示しない移動機構を持つ開口部41、ダイクロイックミ
ラー40からなり、開口部41を透過したレーザ光を対物レ
ンズ37で縮小し、薄膜トランジスタ基板30上に投影する
ことにより、配線を切断する。明視野照明系はランプ4
6、レンズ45、ハーフミラー44からなり、対物レンズ37
を介し、薄膜トランジスタ基板30を上方から照明する。
透過照明系はランプ50、レンズ49からなり、薄膜トラン
ジスタ基板30の背面側から照明する。可視画像検出系
は、可視画像検出器48、レンズ47からなる。なお可視画
像検出器48は赤外画像検出器５と同一位置の可視像を検
出するように調整されている。本実施例において対物レ
ンズ37は、可視域から赤外域までの光を透過する必要が
あり、硝子材にはZnS等を用いれば良い。ダイクロイッ
クミラー38は、赤外画像検出器５の検出波長領域λ_１の
光は反射し、検出波長域λ_１より波長の短い光は透過す
る特性の光学素子である。またダイクロイックミラー40
は、レーザ43の波長λ_２（λ_２＜λ_１）は反射し、可視
光（波長域λ₃:λ_３＜λ_２）は透過する特性を有する。
本実施例は、前述の導通検査、短絡画素番地特定、短絡
位置特定、配線修正を１台の検査装置で実現するもので
ある。 次に短絡画素番地特定における赤外光強度分布波形検
出方法の実施例を第９図で説明する。薄膜トランジスタ
基板30はモータ51、送りねじ52により駆動されるＸステ
ージ34上に載置される。なおＸステージ34の位置は、位
置検出器53で検出され、基板30から放射される赤外光
は、対物レンズ37を介し、赤外画像検出器５で検出され
る。以上の構成において、画像検出時に赤外画像検出器
５の出力信号を位置検出器53の信号を基準にサンプルホ
ールド回路55でサンプルホールドし、A/D変換器56でA/D
変換しメモリ57に記憶する。Ｙ方向も同様に検出するこ
とにより、第５図に示す赤外光強度分布波形1t,2tが得
られる。 次に短絡画素特定及び配線修正を自動で行うための回
路構成の実施例を第10図に示す。可視画像検出器48で検
出した画像は画像メモリ60に記憶される。そして２値化
回路61で２値化後、パターンマッチング回路62で辞書パ
ターン63とパターンマッチングを行い、第７図に示した
検出画像中の辞書パターン位置77を求める。この位置デ
ータと、予め設定した短絡候補位置及び配線切断位置の
座標データ65を、短絡候補位置算出回路64に入力し短絡
候補位置及び配線切断位置を算出する。一方、赤外画像
検出器５で検出した画像はメモリ66に記憶後、まず発熱
有無判定回路67で発熱の有無を判定する。すなわち赤外
画像の強度が一定値未満の場合には、短絡がない画素番
地であると判定し、短絡位置特定は行わない。赤外画像
の強度が一定値以上の場合には、短絡があると判断し、
発熱位置検出回路68で画像中で赤外光強度が最大となる
位置を発熱位置として検出する。短絡位置決定回路69で
は、発熱位置検出回路68で求めた発熱位置に最も近い短
絡候補位置を真の短絡位置と決定する。これにより配線
切断位置も求まる。これを基に開口部位置算出回路70で
レーザ照射系の開口部41の位置を算出する。さらに開口
部コントローラ71で開口部移動機構72を駆動し、開口部
41を位置決めする。以後ビームエキスパンダ42を介し、
レーザを照射することにより、自動的に配線を切断し、
短絡を修正できる。以上の実施例は、短絡位置特定のた
めに可視画像を参照する場合について述べたが、赤外画
像のみを用いる場合には、短絡候補位置算出回路64の出
力の替わりに、回路パターン設計データ及び基板の位置
決め座標データから求めた短絡候補位置を短絡位置決定
回路69に入力すればよい。 なお以上の説明では透過照明での可視画像を配線パタ
ーンの位置検出に用いたが、これは明視野照明の可視画
像を用いても差し支えない。ただし安定に配線パターン
の２値画像が得られない場合には、濃淡画像を用いたパ
ターンマッチングを行う必要があるであろう。またパタ
ーンマッチング以外の方法、例えば投影等の手法を用い
て特定の配線位置を求めてもよい。 第11図は薄膜トランジスタ基板検査装置の第２の実施
例を示す。本実施例では、可視光およびレーザ光用の対
物レンズ83と赤外光用の対物レンズ82を独立に設けたも
のである。例えば可視光およびレーザ光用の対物レンズ
83を中央部に配置し、ドーナツ状の赤外光用の対物レン
ズ82を対物レンズ83と同軸に設置したものであり、第１
の実施例と同様な機能が得られる。なお84は中央部に穴
の空いたミラーであり、可視光及びレーザ光は中央部を
通過し、赤外光のみ反射する光学素子である。 以上述べた薄膜トランジスタ基板検査装置の実施例で
は、短絡欠陥の検査と配線の修正を一つの装置で行う場
合について示した。しかし本発明による短絡欠陥検査と
配線修正を、別々の装置で個々に実施してもよいことは
言うまでもない。 次に短絡画素番地特定に適した外部配線パターンの第
１の実施例を第12図に示す。配線の発熱量をＷ、配線抵
抗をＲ、配線に流れる電流値をＩ、配線材料の体積抵抗
率をρ〔Ω・ｍ〕、配線長をｌ、配線幅をｘ、配線厚さ
をｔとすると、 Ｗ＝I²R …… Ｒ＝ρ・l/（ｘ・ｔ） …… と表せる。つまり配線幅あるいは配線厚さを小さくする
ことにより、単位長さ当りの配線からの発熱量は増加、
すなわち配線から放射される赤外光強度が増加し、発熱
した配線の検知が容易になる。第12図の実施例は、外部
配線23d,24dの配線幅を、薄膜トランジスタ基板の配線
パターンの最小露光線幅相当に細くしたものである。な
お外部配線は、画素を駆動するためのICが接続される電
極端子パッド23p、24pの外側にあるため、画素の動作特
性には影響しない。また電極端子パッドのように駆動用
ICとの接触抵抗を低くするため、ある程度の幅を確保す
る必要もない。このため上述のような形状の外部配線パ
ターンを薄膜トランジスタ基板に作り込むことは実現可
能である。 第13図は外部配線パターンの第２の実施例である。第
７図の実施例との違いは、外部配線パターン23d、24d及
びガラス基板81上に、薄膜トランジスタ基板製造工程で
使用するSiN等の絶縁膜80を被覆した点にある。物体か
ら放射される赤外光の強度は、同じ温度の物体でも材料
や表面状態により異なるが、本実施例によれば絶縁膜80
の表面から放射される赤外光の強度を検出することにな
り、赤外光強度分布は温度分布にほぼ対応し、発熱した
配線位置を検出するための処理を簡素化できる。 〔発明の効果〕 以上述べたように本発明によれば薄膜トランジスタ基
板の配線の短絡不良を迅速に検知できるため、きわめて
短時間に薄膜トランジスタ基板の欠陥検査を行うことが
できる。また、欠陥検査のための探針による接触回数は
極めて少なく、検査工程での基板損傷事故を低減でき
る。また、本発明によれば、液晶ディスプレイの各画素
に対し複数の薄膜トランジスタ或いは複数の走査線と信
号線の交差部が形成された基板に対しても、従来不可能
であった短絡位置の特定を行うことができ、短絡欠陥の
存在する基板を修正することが可能になる。このように
本発明によって、薄膜トランジスタ基板の検査を極めて
短時間に行うことができ、薄膜トランジスタ基板の歩留
り向上に効果を発揮するとともに、製品の原価低減に顕
著な効果がある。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明による薄膜トランジスタ基板検査方法の
実施例の説明図、第２図は薄膜トランジスタ基板の電気
的配線構成の一例を示す図、第３図は短絡欠陥の種類及
び短絡欠陥対策のための配線構造の一例を示す図、第４
図は従来の電気的な短絡欠陥検査方法の説明図、第５図
は短絡画素番地特定法の説明図、第６図は短絡位置特定
法の説明図、第７図は透過照明画像を用いた短絡位置特
定法の説明図、第８図は薄膜トランジスタ基板検査装置
の第１の実施例を示す図、第９図は短絡画素番地特定の
ための画像検出方法の説明図、第10図は回路構成の機能
ブロック図、第11図は薄膜トランジスタ基板検査装置の
第２の実施例を示す図、第12図及び第13図は各々短絡画
素番地特定に適した外部配線パターンの実施例を示した
図である。 1,11〜15……走査線 2,21〜25……信号線 3,3a〜3d……短絡欠陥、４……電流計 ５……赤外画像検出器、5m……赤外顕微鏡 ６……赤外光強度検出位置、 7,7c〜7d……薄膜トランジスタ ８……透明画素電極、9a〜9d……配線切断位置 11p〜15p……走査線電極端子パッド 21p〜25p……信号線電極端子パッド 1c,2c……接続配線 11d〜15d,21d〜25d……外部配線 1t,2t……赤外光強度分布波形 30……薄膜トランジスタ基板、31……θステージ 32……Ｚステージ、32……Ｙステージ 34……Ｘステージ、35……直流電源 36a,36b……探針、37……対物レンズ 38,40……ダイクロイックミラー 39,45,47,49……レンズ、41……開口部 42……ビームエキスパンダ、43……レーザ 44……ハーフミラー、46及び50……ランプ 48……可視画像検出器、51……モータ 52……送りねじ、53……位置検出器 55……サンプルホールド回路 56……A/D変換器、57……メモリ 63……辞書パターン 73a〜73d……短絡候補領域 74a〜74d……短絡候補位置 75……等赤外光強度線 76……赤外光強度分布波形 77……辞書パターン位置、80……絶縁膜 81……ガラス基板 82……赤外光用のの対物レンズ 83……可視光とレーザ光用の対物レンズ 84……中央部に穴の空いたミラー

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ Ｇ０９Ｇ 3/36 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｊ Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｇ０２Ｆ 1/136 ５００ (72)発明者 頼富 美文 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株式会社日立製作所生産技術研究所内 (56)参考文献 特開 平２−64594（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−185454（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G01R 31/02 G02F 1/133 550 G02F 1/1368 G09F 9/00 352 G09G 3/36 H01L 21/66

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】第１の配線層と第２の配線層とをマトリク
   ス状に形成した薄膜トランジスタ基板の短絡欠陥を検査
   する方法であって、前記第１の配線層と前記第２の配線
   層とに電圧を印加して前記薄膜トランジスタ基板の短絡
   欠陥の有無を検出し、前記短絡欠陥がある場合には、前
   記第１の配線層と前記第２の配線層の第１の赤外線画像
   から前記短絡欠陥の前記マトリクスにおける位置を特定
   し、該特定したマトリクスにおける位置を撮像して該マ
   トリクスにおける位置の第２の赤外線画像を得、該第２
   の赤外線画像から前記短絡欠陥を起こしている位置を特
   定することを特徴とする薄膜トランジスタ基板の検査方
   法。
2. 【請求項２】前記第１の赤外線画像と前記第２の赤外線
   画像とを、前記第１の配線層と前記第２の配線層とに電
   圧を印加した状態で撮像して得ることを特徴とする請求
   項１記載の薄膜トランジスタ基板の検査方法。
3. 【請求項３】第１の配線層と第２の配線層とをマトリク
   ス状に形成した薄膜トランジスタ基板の短絡欠陥を修正
   する方法であって、前記第１の配線層を撮像して該第１
   の配線層の赤外線画像を得、前記第２の配線層を撮像し
   て該第２の配線層の赤外線画像を得、前記第１の配線層
   の赤外線画像と前記第２の配線層の赤外線画像とから前
   記薄膜トランジスタ基板の短絡欠陥を起こしている位置
   を特定し、該特定した短絡欠陥を起こしている位置を撮
   像して該短絡欠陥を起こしている位置の赤外線画像を
   得、該赤外線画像から前記短絡欠陥を起こしている位置
   における切断すべき配線位置を決定し、該決定した切断
   すべき配線位置にレーザビームを照射して該配線を切断
   することを特徴とする薄膜トランジスタ基板の配線修正
   方法。
4. 【請求項４】前記第１の配線層の赤外線画像と前記第２
   の配線層の赤外線画像とを、前記第１の配線層と前記第
   ２の配線層とに電圧を印加した状態で撮像して得ること
   を特徴とする請求項３記載の薄膜トランジスタ基板の配
   線修正方法。