JP3117132B2 - ウェーハの平面加工装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はウェーハの平面加工
装置に係り、特に半導体ウェーハの製造工程で半導体ウ
ェーハの裏面を研削加工するウェーハの平面加工装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウェーハの裏面（一方面）を研削
する平面研削装置は、チャックテーブル、砥石、及び裏
面洗浄装置等を備えており、このチャックテーブルで半
導体ウェーハの表面（他方面）を吸着保持し、そして、
半導体ウェーハの裏面に砥石を押し付けると共に、チャ
ックテーブル及び研削砥石を回転させてウェーハの裏面
を研削する。そして、研削終了したウェーハをチャック
テーブルから取り外し、研削されたウェーハの裏面を裏
面洗浄装置で洗浄する。

【０００３】前記裏面洗浄装置としてスピン洗浄装置を
例示することができる。斯かるスピン洗浄装置によれ
ば、スピン洗浄装置のチャックテーブルでウェーハの表
面を吸着し、そして、前記チャックテーブルを回転させ
ながらウェーハの裏面に洗浄水を噴射して、ウェーハの
裏面に付着したスラッジ等の付着物を除去する。ところ
で、ウェーハの表面には、前工程でチップが既に形成さ
れているため、そのチップを保護するべく保護膜が貼り
付けられている。この保護膜が貼り付けられた状態でウ
ェーハは、平面研削装置において研削／洗浄された後、
次工程の保護膜剥離工程に移される。保護膜剥離工程で
は、例えば、前記保護膜にテープを貼り付けて、このテ
ープと共に保護膜をウェーハから剥がす手法が採用され
ている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、最近の半導
体ウェーハは、ＩＣの高集積化に伴って薄肉化の要求が
あるため、平面研削装置においてウェーハを薄肉に研削
している。しかしながら、ウェーハを薄肉に研削する
と、ウェーハの強度が低下するため、保護膜剥離工程で
保護膜を剥がす際に、ウェーハが損傷する場合があると
いう欠点がある。

【０００５】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、保護膜剥離工程におけるウェーハ損傷を防止
することができるウェーハの平面加工装置を提供するこ
とを目的とする。

【０００６】

【課題を解決する為の手段】本発明は、前記目的を達成
する為に、表面に保護膜が貼り付けられたウェーハの裏
面を加工するウェーハの平面加工装置であって、前記ウ
ェーハの保護膜側を吸着保持するチャックテーブルと、
前記ウェーハの裏面を加工する砥石若しくは研磨布を有
する加工ステージと、前記加工ステージで裏面が加工さ
れたウェーハの裏面を洗浄する第１洗浄手段と、前記加
工ステージで裏面が加工されたウェーハの保護膜を洗浄
する第２洗浄手段と、吸着パッドを備えるとともに、該
吸着パッドで前記ウェーハの裏面を吸着保持した状態の
ままで前記第２洗浄手段で該ウェーハの表面全面の保護
膜を洗浄可能とした搬送手段と、を備えたことを特徴と
する。

【０００７】本発明は、まず、保護膜剥離工程における
ウェーハ損傷の原因を実験により確認したところ、保護
膜に付着しているスラッジがその原因であることを突き
止めた。即ち、保護膜にスラッジが付着していると、そ
の付着部分はテープが接着し難くなる。このような不完
全の接着状態でテープを剥がすと、剥がす力が保護膜に
均等に伝わらず、前記力が保護膜の一部分に集中する場
合があり、この集中した力によってウェーハが損傷する
ことが判明した。特に、保護膜の外周部に付着したスラ
ッジが、ウェーハ損傷に大きく影響を与えることも判明
した。

【０００８】そこで、請求項１記載の発明は、前記ウェ
ーハ損傷を防止するために第２洗浄手段を設け、この第
２洗浄手段でウェーハの他方面（表面）を、即ち、保護
膜を洗浄し、保護膜からスラッジを除去するようにし
た。これにより、本発明は、保護膜剥離工程におけるウ
ェーハ損傷を防止することができる。また、請求項２記
載の発明によれば、第２洗浄手段としてブラシ洗浄手段
を採用し、このブラシ洗浄手段によって保護膜に付着し
たスラッジを強制的に剥離除去したので、スラッジを確
実に除去することができる。

【０００９】請求項１記載の発明によれば、平面加工終
了したウェーハを、ウェーハと略同径の吸着パッドで吸
着保持した後、この吸着パッドを搬送手段によって第２
洗浄手段に搬送し、ここでウェーハを洗浄するようにし
た。このように、ウェーハと略同径の吸着パッドでウェ
ーハを吸着保持すると、ウェーハはその全面が吸着保持
されるので、ウェーハを破損させることなく搬送するこ
とができるとともに、第２洗浄手段にウェーハ全面を均
等に押し付けて洗浄することができる。これに対して、
ウェーハの一部分を吸着保持した場合には、その吸着保
持部分にウェーハの重量が集中するので、極薄いウェー
ハがその搬送中に破損する場合ある。また、この吸着保
持状態でウェーハを洗浄手段に押し付けると、ウェーハ
の破損確率が高くなる。したがって、本発明の如く、ウ
ェーハと略同径の吸着パッドでウェーハを吸着保持させ
ることは、ウェーハの破損を防止する上で大きな効果が
ある。

【００１０】また、前記搬送手段を平面加工装置本体に
支持させる支持部に、ウェーハを第２洗浄手段のブラシ
に押し付けた時の反力に打ち勝つ剛性を持たせたので、
ウェーハが全面吸着されていることと相まって、ウェー
ハの他方面全面をブラシに均等に当てることができる。
したがって、ウェーハの他方面全面を均一に洗浄するこ
とができる。これに対して、搬送手段の支持部に緩衝部
材が設けられていると、この緩衝部材によって押し付け
力が緩衝されるので、ウェーハに十分な押し付け力を与
えることはできず、ウェーハの他方面全面を均一に洗浄
することができない。したがって、本発明の如く、前記
支持部に前記剛性を与えることは、ウェーハを洗浄する
上で大きな効果がある。

【００１１】請求項３記載の発明によれば、ブラシ洗浄
手段のブラシは、ウェーハの径よりも長いローラ状に形
成され、ローラの軸と該軸に直交する軸とを中心に回転
駆動されるので、ウェーハ側を回転させることなく、ウ
ェーハの他方面全面を洗浄することができる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下添付図面に従って本発明に係
るウェーハの平面加工装置の好ましい実施の形態につい
て詳説する。図１は、本発明が適用された半導体ウェー
ハの平面研削装置の斜視図であり、図２は平面図であ
る。図１に示すように平面研削装置１０の本体１２に
は、カセット収納ステージ１４、アライメントステージ
１６、粗研削ステージ１８、仕上げ研削ステージ２０、
及び洗浄ステージ２２が設けられている。

【００１３】前記カセット収納ステージ１４には、２台
のカセット２４、２４が着脱自在にセットされ、これら
のカセット２４、２４には裏面研削前のウェーハ２６が
多数枚収納されている。このウェーハ２６は、搬送用ロ
ボット２８によって１枚ずつ保持されて、次工程である
アライメントステージ１６に順次搬送される。前記搬送
用ロボット２８は、本体１２に立設されたビーム３０に
昇降装置３２を介して吊り下げ支持される。また、前記
昇降装置３２は、ビーム３０に内蔵された図示しない送
りねじ装置に連結されており、この送りねじ装置で前記
昇降装置３２を送り移動させると、前記搬送用ロボット
２８が、ビーム３０の配設方向に沿って図１、図２上矢
印Ａ、Ｂ方向に往復移動することができる。この搬送用
ロボット２８の前記移動と、搬送用ロボット２８の動作
によって、前記ウェーハ２６が平面研削装置１０内で予
め設定された順路に従って順次搬送される。

【００１４】本実施の形態の如く搬送用ロボット２８を
吊り下げ支持すると、カセット収納ステージ１４とアラ
イメントステージ１６との間隔を狭くすることができる
ので、平面研削装置１０を小型化することができる。即
ち、搬送用ロボット２８を装置本体１２の上面に設置す
ると、ウェーハ２６を搬送する関係上、搬送用ロボット
２８をカセット収納ステージ１４とアライメントステー
ジ１６との間のスペースに設置しなければならない。こ
のため、前記スペースの分だけ平面研削装置１０が無用
に大型化する。これに対して、本実施の形態の平面研削
装置１０は、装置本体１２の上方空間を搬送用ロボット
２８の設置スペース及び動作スペースとして有効利用し
たので、装置の小型化を図ることができる。

【００１５】前記ロボット２８は、汎用の産業用ロボッ
トであり、その構成はウェーハ２６を吸着保持する馬蹄
形のアーム３４、及び３本のリンク３６、３８、４０等
から成っている。前記アーム３４の先端には、ウェーハ
２６を吸着する吸着パッド３５、３５が設けられる。ま
た、アーム３４は、リンク３６にその基端部が軸芯を中
心に回転自在に支持され、図示しないモータからの駆動
力で軸芯を中心に回転することができる。前記リンク３
６は、リンク３８に軸４２を介して回動自在に連結さ
れ、図示しないモータからの駆動力で軸４２を中心に回
転することができる。また、リンク３８は、軸４４を介
してリンク４０に回動自在に連結され、図示しないモー
タからの駆動力で軸４４を中心に回転することができ
る。さらに、リンク４０は、軸４６を介して図示しない
モータの出力軸に連結されているので、モータを駆動す
ることにより軸４６を中心に回転することができる。ま
た、モータは、昇降装置３２の図示しない昇降ロッドに
連結されている。したがって、前記ロボット２８によれ
ば、アーム３４及び３本のリンク３６、３８、４０の動
作を各々のモータで制御すると共に、昇降装置３２の昇
降ロッドの収縮動作を制御することにより、前記カセッ
ト２４に収納されたウェーハ２６を取り出してアライメ
ントステージ１６に搬送することができる。

【００１６】前記アライメントステージ１６は、カセッ
ト２４から搬送されたウェーハ２６を所定の位置に位置
合わせするステージである。このアライメントステージ
１６で位置合わせされたウェーハ２６は、前記搬送用ロ
ボット２８の吸着パッド３５、３５に再度吸着保持され
た後、空のチャックテーブル４８に向けて搬送され、こ
のチャックテーブル４８の所定の位置に吸着保持され
る。

【００１７】前記チャックテーブル４８は、ターンテー
ブル５０に設置され、また、同機能を備えたチャックテ
ーブル５２、５４がターンテーブル５０に所定の間隔を
もって設置されている。前記チャックテーブル５２は、
粗研削ステージ１８に位置されており、吸着したウェー
ハ２６がここで粗研削される。また、前記チャックテー
ブル５４は、仕上げ研削ステージ２０に位置され、吸着
したウェーハ２６がここで仕上げ研削（精研削、スパー
クアウト）される。なお、図１、図２では図示していな
いが、前記チャックテーブル４８、５２、５４は、その
下面に回転用モータのスピンドルが各々連結されてお
り、これらのモータの駆動力によって回転される。

【００１８】前記チャックテーブル４８に吸着保持され
たウェーハ２６は、図示しない測定ゲージによってその
厚みが測定される。厚みが測定されたウェーハ２６は、
ターンテーブル５０の図１、図２上矢印Ｃ方向の回動で
粗研削ステージ１８に位置し、粗研削ステージ１８のカ
ップ型砥石５６によってウェーハ２６の裏面が粗研削さ
れる。このカップ型砥石５６は図１に示すように、モー
タ５８の図示しない出力軸に連結され、また、モータ５
８のサポート用ケーシング６０を介して砥石送り装置６
２に取り付けられている。前記砥石送り装置６２は、カ
ップ型砥石５６をモータ５８と共に昇降移動させるもの
で、この下降移動によりカップ型砥石５６がウェーハ２
６の裏面に押し付けられる。これにより、ウェーハ２６
の裏面粗研削が行われる。カップ型砥石５６の下降移動
量は、即ち、カップ型砥石５６による研削量は、予め登
録されたカップ型砥石５６の基準位置と、ウェーハ２６
の厚みとに基づいて設定される。

【００１９】粗研削ステージ１８で裏面が粗研削された
ウェーハ２６は、ウェーハ２６からカップ型砥石５６が
退避移動した後に、図示しない厚み測定ゲージによって
その厚みが測定される。厚みが測定されたウェーハ２６
は、ターンテーブル５０の同方向の回動で仕上げ研削ス
テージ２０に位置し、仕上げ研削ステージ２０の図２に
示すカップ型砥石６４によって精研削、スパークアウト
される。この仕上げ研削ステージ２０の構造は、粗研削
ステージ１８の構造と同一なので、ここではその説明を
省略する。

【００２０】仕上げ研削ステージ２０で仕上げ研削され
たウェーハ２６は、ウェーハ２６からカップ型砥石６４
が退避移動した後に、ターンテーブル５０の同方向の回
動で図１に示した空のチャックテーブル４８の位置に搬
送される。そして、前記ウェーハは、搬送アーム（搬送
手段に相当）６６の先端に設けた、ウェーハと略同径の
吸着パッド６８に吸着された後、搬送アーム６６の図１
上矢印Ｄ方向の回動で洗浄ステージ２２に搬送され、こ
こで洗浄される。この洗浄ステージ２２については後述
する。

【００２１】洗浄ステージ２２で洗浄されたウェーハ２
６は、前記搬送用ロボット２８によって吸着保持されて
カセット収納ステージ１４に搬送され、所定のカセット
２４の所定の棚に収納される。以上が、本実施の形態の
平面研削装置１０によるウェーハ処理工程の流れであ
る。次に、前記洗浄ステージ２２について説明する。

【００２２】図１、図２に示すように前記洗浄ステージ
２２は、そのシンク７０内に第１洗浄装置であるスピン
洗浄装置７２が設置されると共に、スピン洗浄装置７２
とターンテーブル５０との間に第２洗浄装置であるブラ
シ洗浄装置７４が並設されている。前記スピン洗浄装置
７２は図３に示すように、ウェーハ２６と略同径の吸着
パッド７６を有し、この吸着パッド７６の下面には、モ
ータ７８のスピンドル８０が連結されている。また、前
記吸着パッド７６の上方には、洗浄水を噴射するノズル
８２が設けられている。したがって、このスピン洗浄装
置７２によれば、吸着パッド７６で吸着されたウェーハ
２６を前記モータ７８で回転させながら、前記ノズル８
２からウェーハ２６の裏面２６Ａに向けて洗浄水を噴射
する。これにより、ウェーハ２６の裏面２６Ａに付着し
ているスラッジ等の付着物が除去される。

【００２３】前記ブラシ洗浄装置７４は、ブラシ８４が
植設された円盤状のプレート８６を有し、このプレート
８６の下面にモータ８８のスピンドル９０が連結されて
いる。したがって、このブラシ洗浄装置７４によれば、
モータ８８でブラシ８４を回転させ、このブラシ８４
に、前記搬送アーム６６の吸着パッド６８で吸着された
ウェーハ２６の表面２６Ｂを押し付ける。これにより、
ウェーハ２６の保護膜に付着しているスラッジ等の付着
物が除去される。

【００２４】なお、ブラシ８４にウェーハ２６を押し付
けるにあたり、ブラシ洗浄装置７４側を上昇移動させて
押し付けても良く、搬送アーム６６側を下降移動させて
押し付けても良い。この時、ウェーハ２６の全面をブラ
シ８４に均等に押し当てるために、搬送アーム６６の支
持部６７（図１参照）に所定の剛性を持たせる必要があ
る。この剛性とは、ウェーハ２６をブラシ８４に押し付
けた時の反力に打ち勝つ剛性である。これにより、本実
施の形態では、ウェーハ２６が吸着パッド６８によって
全面吸着されていることと相まって、ウェーハ２６の表
面２６Ｂ全面をブラシ８４に均等に当てることができ
る。したがって、ウェーハ２６の表面２６Ｂ全面を均一
に洗浄することができる。

【００２５】また、ウェーハ２６の保護膜全面を隈なく
洗浄するために、吸着パッド６８を回転させても良く、
また、ブラシ洗浄装置７４若しくは吸着パッド６８を水
平方向に揺動させても良い。更に、ウェーハ２６に形成
されているチップは、保護膜で保護されてはいるが、物
理的な衝撃に対する耐久性は高くない。したがって、保
護膜に対するブラシ８４の押付力を高めに設定すると、
チップにダメージを与える場合があるので、ブラシ８４
の押付力は極力低めに設定することが好ましく、また、
ブラシ８４の材質も極力軟質でこしの強いものが好まし
い。

【００２６】次に、前記の如く構成された洗浄ステージ
２２の作用について説明する。まず、図３に示すよう
に、仕上げ研削終了したウェーハ２６は、チャックテー
ブル５４に裏面２６Ａを上に向けた状態で保持されてい
る。即ち、ウェーハ２６の表面２６Ｂに貼り付けられた
保護膜が吸着パッド５５に吸着されている。このウェー
ハ２６の裏面２６Ａを、搬送アーム６６の吸着パッド６
８で吸着する。そして、チャックテーブル５４側の吸着
を解除した後、前記搬送アーム６６を回動して洗浄ステ
ージ２２にウェーハ２６を搬送する。この時、ウェーハ
２６の全面が吸着パッド６８に吸着保持されているの
で、ウェーハ２６がその搬送中に破損することはなく、
また、洗浄時においてもウェーハ２６は破損しない。

【００２７】洗浄ステージ２２に搬送されたウェーハ２
６は、まず、吸着パッド６８に吸着保持された状態で、
その表面２６Ｂに貼り付けられた保護膜が、ブラシ洗浄
装置７４のブラシ８４に所定の押付力で押し当てられ
る。そして、ブラシ８４を回転させると共に、ブラシ８
４とウェーハ２６とを相対的に水平揺動させる。これに
よって、保護膜全面にブラシ８４が接触するので、保護
膜に付着したスラッジ等の付着物を強制的に剥離除去す
ることができる。

【００２８】保護膜の洗浄が終了すると、ウェーハ２６
は、搬送アーム６６の回動動作でスピン洗浄装置７２に
移載される。その後、ウェーハ２６は、スピン洗浄装置
７２の吸着パッド７６によって保護膜が吸着保持され
る。そして、モータ７８でウェーハ２６を回転させると
共に、ノズル８２から洗浄水をウェーハ２６の裏面２６
Ａに向けて噴射して裏面２６Ａを洗浄する。そして、所
定時間経過後にスピン洗浄装置７２を停止する。以上で
洗浄ステージ２２によるウェーハ２６の洗浄が終了し、
この洗浄ステージ２２でウェーハ２６は両面とも洗浄さ
れ、その後に乾燥される。

【００２９】このように、本実施の形態は、保護膜を洗
浄するブラシ洗浄装置７４を平面研削装置１０に設け、
このブラシ洗浄装置７４によって保護膜に付着したスラ
ッジを剥離除去したので、保護膜剥離工程におけるウェ
ーハ損傷を防止することができる。また、本実施の形態
は、保護膜洗浄用の洗浄装置として、ブラシ洗浄装置７
４を採用し、保護膜に付着したスラッジを強制的に剥離
除去したので、スラッジを確実に除去することができ
る。

【００３０】図４は、保護膜洗浄用洗浄装置の第２の実
施の形態を示す要部側面図である。同図に示す洗浄装置
１００は、図３の洗浄装置と同様にブラシ型洗浄装置を
採用したものであるが、特にこの洗浄装置１００は、保
護膜２７の外周部に付着したスラッジがウェーハ２６の
損傷に大きく影響することに鑑みて、保護膜２７の外周
部に付着したスラッジのみ、小型のブラシ洗浄装置１０
２で剥離除去するように構成したものである。

【００３１】また、前記洗浄装置１００は、保護膜２７
の中央部を吸着する吸着パッド１０４を有し、この吸着
パッド１０４をスピンドル１０６で回転させるように構
成されている。また、前記ブラシ洗浄装置１０２にもス
ピンドル１０８が設けられ、ブラシ１０３を回転させる
ように構成されている。したがって、前記洗浄装置１０
０によれば、スピンドル１０６でウェーハ２６を回転さ
せながらスピンドル１０８でブラシ１０３を回転させ
て、このブラシ１０３を保護膜２７の外周部に押し付け
ることにより、保護膜２７の外周部に付着したスラッジ
を剥離除去することができる。

【００３２】図５は、保護膜洗浄用洗浄装置の第３の実
施の形態を示す要部断面図である。同図に示す洗浄装置
１１０は、ウェーハ２６の径よりも長尺に形成されたロ
ーラ状のブラシ１１２を用いて、保護膜２７に付着した
スラッジを剥離除去する洗浄装置である。前記ブラシ１
１２の両端部には、水平方向に延びた軸１１６、１１８
が突出さされ、これらの軸１１６、１１８が凹状に形成
されたフレーム１１４に軸支されている。したがって、
前記ブラシ１１２は、フレーム１１４に回転自在に支持
されている。また、前記軸１１６には、モータ１２０の
図示しないスピンドルが連結されているので、モータ１
２０を駆動すると、ブラシ１１２は軸１１６、１１８を
中心に回転する。

【００３３】更に、前記フレーム１１４の下面には、鉛
直方向に配設されたスピンドル１２２が連結されてい
る。したがって、このスピンドル１２２を回転させる
と、前記ブラシ１１２は、スピンドル１２２の軸芯を中
心に回転（旋回）する。一方、ウェーハ２６は、ウェー
ハ２６と略同径の吸着パッド１２４によって、その裏面
２６Ａが吸着保持されている。

【００３４】したがって、前記の如く構成された洗浄装
置１１０によれば、モータ１２０でブラシ１１２を回転
させると共にスピンドル１２２でブラシ１１２を旋回さ
せる。そして、回転運動と旋回運動をしているブラシ１
２２に保護膜２７を押し付ける。これにより、ウェーハ
２６を回転させることなく、保護膜２７の全面に付着し
たスラッジをブラシ１１２で剥離除去することができ
る。

【００３５】なお、本実施の形態では、保護膜洗浄用洗
浄装置（第２洗浄手段）としてブラシ洗浄装置７４、１
００、１１０を適用した例について説明したが、これに
限られるものではない。例えば、高圧水を保護膜に噴射
して保護膜を洗浄するスプレー洗浄装置、スポンジ等の
軟質部材を保護膜に擦り付けて保護膜を洗浄する洗浄装
置等他の洗浄装置を適用しても良い。

【００３６】また、本実施の形態では、ウェーハの裏面
を研削する平面研削装置について説明したが、カップ型
砥石の代わりに研磨布を使用してウェーハを加工するＣ
ＭＰ装置、カップ型砥石の代わりにブレードを使用して
ウェーハをダイス状に切断するダイシング装置に本発明
を適用しても良い。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したように本発明に係るウェー
ハの平面加工装置によれば、ウェーハの保護膜を洗浄す
る洗浄手段を設けたので、保護膜剥離工程におけるウェ
ーハ損傷を防止することができる。また、本発明は、保
護膜洗浄用の洗浄装置として、保護膜に付着したスラッ
ジを強制的に剥離除去するブラシ洗浄手段を採用したの
で、スラッジを確実に除去することができる。

【００３８】更に、本発明は、平面加工終了した極薄い
ウェーハを、ウェーハと略同径の吸着パッドで吸着保持
させて、ウェーハを第２洗浄手段に搬送するようにした
ので、ウェーハの搬送中の破損、及び洗浄時の破損を防
止することができる。また、本発明は、搬送手段を平面
加工装置に支持させる支持部に、ウェーハを第２洗浄手
段のブラシに押し付けた時の反力に打ち勝つ剛性を持た
せたので、ウェーハが全面吸着されていることと相まっ
て、ウェーハの他方面全面を均一に洗浄することができ
る。

【００３９】更に、本発明は、ブラシ洗浄手段のブラシ
をウェーハの径よりも長いローラ状に形成し、このロー
ラの軸と該軸に直交する軸とを中心にブラシを回転駆動
させたので、ウェーハ側を回転させることなく、ウェー
ハの他方面全面を洗浄することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係る半導体ウェーハの平
面研削装置の全体斜視図

【図２】図１に示した平面研削装置の平面図

【図３】ウェーハの保護膜洗浄装置の第１の実施の形態
を含む洗浄工程説明図

【図４】ウェーハの保護膜洗浄装置の第２の実施の形態
を示す側面図

【図５】ウェーハの保護膜洗浄装置の第３の実施の形態
を示す側面図

【符号の説明】

１０…平面研削装置 １２…本体 １４…カセット収納ステージ １６…アライメントステージ １８…粗研削ステージ ２０…仕上げ研削ステージ ２２…洗浄ステージ ２６…ウェーハ ７２…スピン洗浄装置 ７４、１００、１１０…ブラシ洗浄装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−39407（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−148450（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−106139（ＪＰ，Ｕ) 特公 平６−91986（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/304

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 表面に保護膜が貼り付けられたウェーハ
   の裏面を加工するウェーハの平面加工装置であって、 前記ウェーハの保護膜側を吸着保持するチャックテーブ
   ルと、 前記ウェーハの裏面を加工する砥石若しくは研磨布を有
   する加工ステージと、 前記加工ステージで裏面が加工されたウェーハの裏面を
   洗浄する第１洗浄手段と、 前記加工ステージで裏面が加工されたウェーハの保護膜
   を洗浄する第２洗浄手段と、 吸着パッドを備えるとともに、該吸着パッドで前記ウェ
   ーハの裏面を吸着保持した状態のままで前記第２洗浄手
   段で該ウェーハの表面全面の保護膜を洗浄可能とした搬
   送手段と、 を備えた ことを特徴とするウェーハの平面加工装置。
2. 【請求項２】 前記第２洗浄手段は、前記ウェーハの保
   護膜に接触して該保護膜に付着した付着物を強制的に剥
   離除去するブラシ洗浄手段であることを特徴とする請求
   項１記載のウェーハの平面加工装置。
3. 【請求項３】 前記搬送手段の前記吸着パッドは、前記
   ウェーハと略同径の吸着パッドであることを特徴とする
   請求項１記載のウェーハの平面加工装置。
4. 【請求項４】 前記ブラシ洗浄手段のブラシは、前記ウ
   ェーハの径よりも長いローラ状に形成され、該ブラシは
   ローラの軸と該軸に直交する軸とを中心に回転駆動され
   ることを特徴とする請求項２記載のウェーハの平面加工
   装置。