JP3106972B2 - 誘電体線路におけるダイオードマウント構造、検波器およびミキサ - Google Patents
誘電体線路におけるダイオードマウント構造、検波器およびミキサInfo
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D9/00—Demodulation or transference of modulation of modulated electromagnetic waves
- H03D9/06—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance
- H03D9/0608—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of diodes
- H03D9/0633—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of diodes mounted on a stripline circuit
- H03D9/0641—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of diodes mounted on a stripline circuit located in a hollow waveguide
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
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- H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はミリ波帯やマイク
ロ波帯の送受信機などに用いられる誘電体線路装置にお
けるダイオードマウント構造と、その構造による検波器
およびミキサに関する。
ロ波帯の送受信機などに用いられる誘電体線路装置にお
けるダイオードマウント構造と、その構造による検波器
およびミキサに関する。
【０００２】
【従来の技術】非放射性誘電体線路（以下「ＮＲＤガイ
ド」という。）におけるダイオードマウント構造と、そ
れを用いた検波器およびミキサとして、(1) 黒木，米
山：「ビームリードダイオードを用いた非放射性誘電体
線路回路素子」電子情報通信学会論文誌 C-I,Vol J73-C
-I No.2 pp71-76 1989年 2月が開示されている。またＨ
ガイドにおいて検波器を構成したものとして(2) F.A.BE
NSON,P.A.CUDD,F.J.TISCHER "SOLID-STATE DEVICE IN H
-GUIDE,GROOVE GUIDE AND FENCE GUIDE" Electorn.Let
t.18th August 1983 Vol19 No.17 pp.657-658が開示さ
れている。
ド」という。）におけるダイオードマウント構造と、そ
れを用いた検波器およびミキサとして、(1) 黒木，米
山：「ビームリードダイオードを用いた非放射性誘電体
線路回路素子」電子情報通信学会論文誌 C-I,Vol J73-C
-I No.2 pp71-76 1989年 2月が開示されている。またＨ
ガイドにおいて検波器を構成したものとして(2) F.A.BE
NSON,P.A.CUDD,F.J.TISCHER "SOLID-STATE DEVICE IN H
-GUIDE,GROOVE GUIDE AND FENCE GUIDE" Electorn.Let
t.18th August 1983 Vol19 No.17 pp.657-658が開示さ
れている。
【０００３】上記(1) に示されている構造は、ダイオー
ドをマウントした回路基板を誘電体ストリップの長手方
向に対して垂直に交差する方向に配置し、誘電体ストリ
ップを伝搬する電磁波と回路基板上のダイオードとを結
合させるようにしている。また上記(2) に示されている
ものはＨガイドの中央部に直線状の電極パターンを形成
した回路基板を挟み、誘電体ストリップの両側に１／１
０波長の距離をおいた位置の電極パターン上にダイオー
ドをマウントすることによって検波器を構成している。
ドをマウントした回路基板を誘電体ストリップの長手方
向に対して垂直に交差する方向に配置し、誘電体ストリ
ップを伝搬する電磁波と回路基板上のダイオードとを結
合させるようにしている。また上記(2) に示されている
ものはＨガイドの中央部に直線状の電極パターンを形成
した回路基板を挟み、誘電体ストリップの両側に１／１
０波長の距離をおいた位置の電極パターン上にダイオー
ドをマウントすることによって検波器を構成している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記(1) に
示されている構造では、ダイオードをマウントした回路
基板を誘電体ストリップの長手方向に垂直な方向に配置
するものであるため、回路基板を装置内に固定しにく
く、傾きやすいため実装性に欠ける。また、整合をとる
ためにＮＲＤガイド中に高誘電率薄板を挿入したり、空
隙を設けたりする必要があるため、設計および製作が容
易ではない。また上記(2) ではダイオードをマウントし
たサスペンデッドライン（文献中ではstripline と記述
されている。）の両端にミリ波の伝搬（漏れ）を阻止す
る構造が何も記述されておらず、またＨガイドとダイオ
ードの整合についての考慮もなされていない。従ってサ
スペンデッドラインからミリ波の漏れ損失が大きく、ま
たダイオードに十分なエネルギーを加えることができ
ず、変換損失が大きくなるという問題が生じる。
示されている構造では、ダイオードをマウントした回路
基板を誘電体ストリップの長手方向に垂直な方向に配置
するものであるため、回路基板を装置内に固定しにく
く、傾きやすいため実装性に欠ける。また、整合をとる
ためにＮＲＤガイド中に高誘電率薄板を挿入したり、空
隙を設けたりする必要があるため、設計および製作が容
易ではない。また上記(2) ではダイオードをマウントし
たサスペンデッドライン（文献中ではstripline と記述
されている。）の両端にミリ波の伝搬（漏れ）を阻止す
る構造が何も記述されておらず、またＨガイドとダイオ
ードの整合についての考慮もなされていない。従ってサ
スペンデッドラインからミリ波の漏れ損失が大きく、ま
たダイオードに十分なエネルギーを加えることができ
ず、変換損失が大きくなるという問題が生じる。
【０００５】この発明の目的は、誘電体線路装置におけ
る回路基板の実装性を高めるとともに、誘電体線路とダ
イオードとの整合を容易にとることができ、また変換損
失を低減することのできる、誘電体線路装置におけるダ
イオードマウント構造と、その構造を用いた検波器およ
びミキサを提供することにある。
る回路基板の実装性を高めるとともに、誘電体線路とダ
イオードとの整合を容易にとることができ、また変換損
失を低減することのできる、誘電体線路装置におけるダ
イオードマウント構造と、その構造を用いた検波器およ
びミキサを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明の誘電体線路装
置におけるダイオードマウント構造は、誘電体線路に対
する回路基板の実装性を高めるとともに、誘電体線路と
ダイオードとの整合性を高めるために、請求項１に記載
の通り、略平行な２つの導電体平面の間に誘電体ストリ
ップとともに回路基板を配して、前記導電体平面と前記
導電体ストリップとで誘電体線路を構成し、前記導電体
平面と前記回路基板上の線状の導電体パターンとでサス
ペンデッドラインを構成するとともに、前記誘電体スト
リップに対して略垂直に交差する向きに前記導電体パタ
ーンを配置し、該導電体パターンの前記誘電体ストリッ
プを挟む少なくとも２か所に、前記誘電体線路と結合し
て前記サスペンデッドラインを伝搬する信号を阻止する
フィルタ回路を設けて、当該２か所のフィルタ回路の間
を共振回路として構成し、前記少なくとも２か所のフィ
ルタ回路間において、前記導電体パターンに対して直列
にダイオードをマウントする。この構造により、サスペ
ンデッドラインと誘電体線路とは磁界結合し、誘電体線
路を伝搬してくる信号はサスペンデッドラインに加えら
れる。このサスペンデッドラインに結合した信号はフィ
ルタ回路により外部への伝搬が阻止されるとともに２つ
のフィルタ回路間で共振する。
置におけるダイオードマウント構造は、誘電体線路に対
する回路基板の実装性を高めるとともに、誘電体線路と
ダイオードとの整合性を高めるために、請求項１に記載
の通り、略平行な２つの導電体平面の間に誘電体ストリ
ップとともに回路基板を配して、前記導電体平面と前記
導電体ストリップとで誘電体線路を構成し、前記導電体
平面と前記回路基板上の線状の導電体パターンとでサス
ペンデッドラインを構成するとともに、前記誘電体スト
リップに対して略垂直に交差する向きに前記導電体パタ
ーンを配置し、該導電体パターンの前記誘電体ストリッ
プを挟む少なくとも２か所に、前記誘電体線路と結合し
て前記サスペンデッドラインを伝搬する信号を阻止する
フィルタ回路を設けて、当該２か所のフィルタ回路の間
を共振回路として構成し、前記少なくとも２か所のフィ
ルタ回路間において、前記導電体パターンに対して直列
にダイオードをマウントする。この構造により、サスペ
ンデッドラインと誘電体線路とは磁界結合し、誘電体線
路を伝搬してくる信号はサスペンデッドラインに加えら
れる。このサスペンデッドラインに結合した信号はフィ
ルタ回路により外部への伝搬が阻止されるとともに２つ
のフィルタ回路間で共振する。
【０００７】上記構造によれば、回路基板が略平行な２
つの導電体平面の間に配置されるため、誘電体線路に対
する回路基板の実装性が高くなる。また、誘電体ストリ
ップに対して略垂直に交差する向きに導電体パターンが
配置され、その導電体パターンの誘電体ストリップを挟
む少なくとも２か所にフィルタ回路が設けられて共振回
路が構成されているため、またその共振回路内に、すな
わち少なくとも２か所に設けられたフィルタ回路間に、
ダイオードがマウントされているため、共振回路を構成
するサスペンデッドラインが誘電体線路と結合するとと
もに共振し、誘電体線路からのエネルギーがダイオード
に十分加えられることになる。すなわち誘電体線路とダ
イオードとの整合がとられて、変換損失が十分抑えられ
ることになる。
つの導電体平面の間に配置されるため、誘電体線路に対
する回路基板の実装性が高くなる。また、誘電体ストリ
ップに対して略垂直に交差する向きに導電体パターンが
配置され、その導電体パターンの誘電体ストリップを挟
む少なくとも２か所にフィルタ回路が設けられて共振回
路が構成されているため、またその共振回路内に、すな
わち少なくとも２か所に設けられたフィルタ回路間に、
ダイオードがマウントされているため、共振回路を構成
するサスペンデッドラインが誘電体線路と結合するとと
もに共振し、誘電体線路からのエネルギーがダイオード
に十分加えられることになる。すなわち誘電体線路とダ
イオードとの整合がとられて、変換損失が十分抑えられ
ることになる。
【０００８】また、この発明の誘電体線路におけるダイ
オードマウント構造は、請求項２に記載の通り、前記共
振回路を構成する２つのフィルタ回路間の電気長を、前
記誘電体線路を伝搬する信号の周波数における略１／２
波長の整数倍とする。これにより、上記共振回路は誘電
体線路を伝搬する目的の信号に共振して変換効率を最も
高めることができる。
オードマウント構造は、請求項２に記載の通り、前記共
振回路を構成する２つのフィルタ回路間の電気長を、前
記誘電体線路を伝搬する信号の周波数における略１／２
波長の整数倍とする。これにより、上記共振回路は誘電
体線路を伝搬する目的の信号に共振して変換効率を最も
高めることができる。
【０００９】この発明の検波器は、請求項３に記載の通
り、上記誘電体線路に例えば受信信号としてのＲＦ信号
を入力し、前記導電体パターンにおける前記少なくとも
２か所のフィルタ回路間の外側から検波信号を取り出
す。これにより、ダイオードにより検波されたＤＣレベ
ルの信号は上記導電体パターンのフィルタ回路を通って
共振回路の外側から取り出される。
り、上記誘電体線路に例えば受信信号としてのＲＦ信号
を入力し、前記導電体パターンにおける前記少なくとも
２か所のフィルタ回路間の外側から検波信号を取り出
す。これにより、ダイオードにより検波されたＤＣレベ
ルの信号は上記導電体パターンのフィルタ回路を通って
共振回路の外側から取り出される。
【００１０】また、この発明のミキサは、請求項４に記
載の通り、上記誘電体線路にＲＦ信号とＬｏ信号（ロー
カル信号）の混合信号を入力し、前記導電体パターンの
共振回路の外側から前記ダイオードにバイアス電圧を印
加するとともに、ＩＦ信号（中間周波信号）を取り出
す。すなわちダイオードはその非線形性により、ＲＦ信
号とＬｏ信号を受けた際、その２つの周波数成分の高調
波成分を発生し、不要な周波数成分がフィルタ回路で阻
止されて、ＲＦ信号とＬｏ信号との差の周波数信号がＩ
Ｆ信号として取り出される。
載の通り、上記誘電体線路にＲＦ信号とＬｏ信号（ロー
カル信号）の混合信号を入力し、前記導電体パターンの
共振回路の外側から前記ダイオードにバイアス電圧を印
加するとともに、ＩＦ信号（中間周波信号）を取り出
す。すなわちダイオードはその非線形性により、ＲＦ信
号とＬｏ信号を受けた際、その２つの周波数成分の高調
波成分を発生し、不要な周波数成分がフィルタ回路で阻
止されて、ＲＦ信号とＬｏ信号との差の周波数信号がＩ
Ｆ信号として取り出される。
【００１１】
【発明の実施の形態】この発明の第１の実施形態に係
る、誘電体線路装置におけるダイオードマウント構造お
よび検波器の例を図１〜図３を参照して次に説明する。
る、誘電体線路装置におけるダイオードマウント構造お
よび検波器の例を図１〜図３を参照して次に説明する。
【００１２】図１は検波器として用いる誘電体線路装置
の構造を示す図であり、（Ａ）は一部破断部分斜視図、
（Ｂ）は（Ａ）における右手前から左後方を見た正面図
である。図１において１，２は平行な２つの導電体平面
を成す導電体板であり、この２つの導電体板１，２の間
に回路基板４を挟み込むように誘電体ストリップ３ａ，
３ｂを配置している。導電体板１，２の内面にはそれぞ
れ溝を形成していて、その溝に誘電体ストリップ３ａ，
３ｂを嵌め込んでいる。また、回路基板４は図外の周辺
部で支持部に支持されていて、上下の導電体板１，２の
中央位置に導電体板１，２に対し平行に配置している。
さらに、導電体板１，２は図外の周辺部で両者を組み合
わせていて、誘電体線路部分においては図に示すように
平行な２つの導電体平面を構成している。
の構造を示す図であり、（Ａ）は一部破断部分斜視図、
（Ｂ）は（Ａ）における右手前から左後方を見た正面図
である。図１において１，２は平行な２つの導電体平面
を成す導電体板であり、この２つの導電体板１，２の間
に回路基板４を挟み込むように誘電体ストリップ３ａ，
３ｂを配置している。導電体板１，２の内面にはそれぞ
れ溝を形成していて、その溝に誘電体ストリップ３ａ，
３ｂを嵌め込んでいる。また、回路基板４は図外の周辺
部で支持部に支持されていて、上下の導電体板１，２の
中央位置に導電体板１，２に対し平行に配置している。
さらに、導電体板１，２は図外の周辺部で両者を組み合
わせていて、誘電体線路部分においては図に示すように
平行な２つの導電体平面を構成している。
【００１３】図１における誘電体ストリップ３ａ，３ｂ
は樹脂やセラミックスなどの誘電体材料で構成され、そ
の長手方向に対する横断面を略矩形状に形成している。
導電体板１，２の間隔は伝送すべきミリ波の電磁波の波
長をλとすると、λ／２未満として、誘電体ストリップ
３ａ，３ｂのない部分では、導電体板１，２に平行な偏
波の電磁波の伝搬を遮断し、一方、誘電体ストリップ３
ａ，３ｂ部分ではその遮断状態を解消して、電磁波を誘
電体ストリップ３ａ，３ｂに沿って伝搬させるようにし
ている。すなわち、この誘電体ストリップ３ａ，３ｂと
上下の導電体板１，２とによってＮＲＤガイドを構成し
ている。なお、ここでは伝送モードとしてＬＳＭ０１モ
ードを使用する。
は樹脂やセラミックスなどの誘電体材料で構成され、そ
の長手方向に対する横断面を略矩形状に形成している。
導電体板１，２の間隔は伝送すべきミリ波の電磁波の波
長をλとすると、λ／２未満として、誘電体ストリップ
３ａ，３ｂのない部分では、導電体板１，２に平行な偏
波の電磁波の伝搬を遮断し、一方、誘電体ストリップ３
ａ，３ｂ部分ではその遮断状態を解消して、電磁波を誘
電体ストリップ３ａ，３ｂに沿って伝搬させるようにし
ている。すなわち、この誘電体ストリップ３ａ，３ｂと
上下の導電体板１，２とによってＮＲＤガイドを構成し
ている。なお、ここでは伝送モードとしてＬＳＭ０１モ
ードを使用する。
【００１４】また図１において回路基板４の上面には誘
電体ストリップ３ａ，３ｂに対して略垂直に交差する向
きに導電体パターン５を設けていて、この導電体パター
ン５と上下の導電体板１，２とによってサスペンデッド
ラインを構成している。導電体パターン５には、誘電体
ストリップ部分を挟む位置にフィルタ回路６，７を構成
している。また導電体パターン５の途中にビームリード
ダイオード８が直列に接続されるようにマウントしてい
る。
電体ストリップ３ａ，３ｂに対して略垂直に交差する向
きに導電体パターン５を設けていて、この導電体パター
ン５と上下の導電体板１，２とによってサスペンデッド
ラインを構成している。導電体パターン５には、誘電体
ストリップ部分を挟む位置にフィルタ回路６，７を構成
している。また導電体パターン５の途中にビームリード
ダイオード８が直列に接続されるようにマウントしてい
る。
【００１５】図２は誘電体線路装置の、上部の導電体板
を取り除いた状態での平面図である。６ａ，６ｂ，７
ａ，７ｂはそれぞれ略λ／４のオープンスタブであり、
６ａ，６ｂの間隔および７ａ，７ｂの間隔も略λ／４と
している。また、オープンスタブ６ａ−７ａの間隔Ｌ
を、その間の電気長がＮＲＤガイドを伝搬するミリ波の
周波数における略１／２波長の整数倍となる関係として
いる。このようにλ／４のオープンスタブをλ／４の間
隔を隔てて設けたことにより、これを等価回路で表せば
図３のようになり、波長λの周波数信号を阻止する帯域
阻止フィルタ（ＢＥＦ）として作用する。また、この２
つのフィルタ回路の間の電気長をＮＲＤガイドを伝搬す
るミリ波の周波数における略１／２波長の整数倍とした
ことにより、１／２波長の整数倍の長さで両端がショー
トされたサスペンデッドラインによる共振回路として作
用する。この共振回路としてのサスペンデッドライン
と、誘電体ストリップ（３ａ），３ｂによるＮＲＤガイ
ドとが磁界結合し、ＮＲＤガイドを伝搬するＲＦ信号が
上記共振回路に共振する。この共振回路内の導電体パタ
ーン５に対して直列にビームリードダイオード８をマウ
ントしているため、ＮＲＤガイドとダイオードとが整合
し、導電体パターン５の両端から検波信号を取り出すこ
とができる。なお、２つフィルタ間の電気長がＮＲＤガ
イドを伝搬するミリ波の周波数における略１／２波長の
整数倍とするためには、誘電体ストリップ３ａ，３ｂと
サスペンデッドラインとの結合部すなわち誘電体ストリ
ップ３ａ，３ｂで挟まれる部分の導電体パターンの長さ
と、誘電体ストリップ３ａ，３ｂおよび回路基板４の誘
電率と、ビームリードダイオード８のリアクタンス成分
とを考慮して幾何学的距離を決定するか、或いは実験的
に決定すればよい。
を取り除いた状態での平面図である。６ａ，６ｂ，７
ａ，７ｂはそれぞれ略λ／４のオープンスタブであり、
６ａ，６ｂの間隔および７ａ，７ｂの間隔も略λ／４と
している。また、オープンスタブ６ａ−７ａの間隔Ｌ
を、その間の電気長がＮＲＤガイドを伝搬するミリ波の
周波数における略１／２波長の整数倍となる関係として
いる。このようにλ／４のオープンスタブをλ／４の間
隔を隔てて設けたことにより、これを等価回路で表せば
図３のようになり、波長λの周波数信号を阻止する帯域
阻止フィルタ（ＢＥＦ）として作用する。また、この２
つのフィルタ回路の間の電気長をＮＲＤガイドを伝搬す
るミリ波の周波数における略１／２波長の整数倍とした
ことにより、１／２波長の整数倍の長さで両端がショー
トされたサスペンデッドラインによる共振回路として作
用する。この共振回路としてのサスペンデッドライン
と、誘電体ストリップ（３ａ），３ｂによるＮＲＤガイ
ドとが磁界結合し、ＮＲＤガイドを伝搬するＲＦ信号が
上記共振回路に共振する。この共振回路内の導電体パタ
ーン５に対して直列にビームリードダイオード８をマウ
ントしているため、ＮＲＤガイドとダイオードとが整合
し、導電体パターン５の両端から検波信号を取り出すこ
とができる。なお、２つフィルタ間の電気長がＮＲＤガ
イドを伝搬するミリ波の周波数における略１／２波長の
整数倍とするためには、誘電体ストリップ３ａ，３ｂと
サスペンデッドラインとの結合部すなわち誘電体ストリ
ップ３ａ，３ｂで挟まれる部分の導電体パターンの長さ
と、誘電体ストリップ３ａ，３ｂおよび回路基板４の誘
電率と、ビームリードダイオード８のリアクタンス成分
とを考慮して幾何学的距離を決定するか、或いは実験的
に決定すればよい。
【００１６】図１〜図３に示したフィルタ回路は、２つ
のオープンスタブを所定間隔に配置して構成したが、そ
の他に、阻止すべき周波数帯域が狭くてもよい場合に
は、図４の（Ａ）に示すようにλ／４の単一のオープン
スタブを設けてもよい。逆に阻止すべき周波数帯域を広
くとる場合には、図４の（Ｂ）に示すように、３つまた
はそれ以上のオープンスタブを設ければよい。この場
合、各スタブの長さおよび間隔を、阻止すべき周波数帯
域に応じて少しずつ異なる長さとなるように定めればよ
い。また、図４の（Ｃ）に示すように、単一のオープン
スタブを設ける場合でも、そのパターンの形状によって
阻止周波数帯域を広くとることができる。さらに、図４
の（Ｄ）に示すように、導電体パターンにトランスミッ
ション線路キャパシタおよびインダクタを設けて、上記
共振回路の共振周波数を遮断するローパスフィルタ（Ｌ
ＰＦ）を構成してもよい。
のオープンスタブを所定間隔に配置して構成したが、そ
の他に、阻止すべき周波数帯域が狭くてもよい場合に
は、図４の（Ａ）に示すようにλ／４の単一のオープン
スタブを設けてもよい。逆に阻止すべき周波数帯域を広
くとる場合には、図４の（Ｂ）に示すように、３つまた
はそれ以上のオープンスタブを設ければよい。この場
合、各スタブの長さおよび間隔を、阻止すべき周波数帯
域に応じて少しずつ異なる長さとなるように定めればよ
い。また、図４の（Ｃ）に示すように、単一のオープン
スタブを設ける場合でも、そのパターンの形状によって
阻止周波数帯域を広くとることができる。さらに、図４
の（Ｄ）に示すように、導電体パターンにトランスミッ
ション線路キャパシタおよびインダクタを設けて、上記
共振回路の共振周波数を遮断するローパスフィルタ（Ｌ
ＰＦ）を構成してもよい。
【００１７】また、図１および図２に示した例では、回
路基板に対して導電体パターンを直線状に配置したが、
例えば図５に示すように、一部に曲線部を有する導電体
パターンを構成してもよく、また全体が曲線状を成す導
電体パターンを形成してもよい。
路基板に対して導電体パターンを直線状に配置したが、
例えば図５に示すように、一部に曲線部を有する導電体
パターンを構成してもよく、また全体が曲線状を成す導
電体パターンを形成してもよい。
【００１８】また、図１に示した例では、導電体板に溝
を形成して、誘電体ストリップを嵌め込む構造とした
が、その他に、例えば図６の（Ａ）に示すように溝を設
けない導電体平面１０１，１０２の間に誘電体ストリッ
プ３ａ，３ｂとともに回路基板４を配置してもよい。ま
た、同図の（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ）に示すように、ウイ
ング（つば）１０３′，１０４′部分を有する誘電体ス
トリップ１０３，１０４を用い、そのウイング１０
３′，１０４′の外面にメッキ膜などの導電体平面１０
１，１０２を形成し、誘電体ストリップ１０３，１０４
の間に回路基板４を挟み込むようにしてもよい。
を形成して、誘電体ストリップを嵌め込む構造とした
が、その他に、例えば図６の（Ａ）に示すように溝を設
けない導電体平面１０１，１０２の間に誘電体ストリッ
プ３ａ，３ｂとともに回路基板４を配置してもよい。ま
た、同図の（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ）に示すように、ウイ
ング（つば）１０３′，１０４′部分を有する誘電体ス
トリップ１０３，１０４を用い、そのウイング１０
３′，１０４′の外面にメッキ膜などの導電体平面１０
１，１０２を形成し、誘電体ストリップ１０３，１０４
の間に回路基板４を挟み込むようにしてもよい。
【００１９】次に、この発明の第２の実施形態に係るミ
キサの構成を図７および図８を参照して説明する。この
ミキサは、誘電体線路装置自体の構造は第１の実施形態
として図１および図２に示したものと同様であるが、図
７に示すように、導電体パターン５の一方端を接地し、
他方端にＬｂ，Ｒｂ，Ｖｂで示すバイアス電圧供給回路
を接続し、コンデンサＣｉを介してＩＦ信号を取り出す
ようにしている。すなわち、このミキサは、誘電体スト
リップ（３ａ），３ｂにＲＦ信号とＬｏ信号との混合さ
れた信号が伝搬され、共振回路内のショットキーバリア
ダイオードであるビームリードダイオード８に対してバ
イアス電圧が印加され、ＲＦ信号とＬｏ信号との差の周
波数成分がＩＦ信号としてＣｉを介して外部に取り出さ
れる。なお、Ｌｂはバイアス電源回路に対するＩＦ信号
の漏れを阻止し、ＣｉはＩＦ回路へバイアス電圧が印加
されるのを阻止する。
キサの構成を図７および図８を参照して説明する。この
ミキサは、誘電体線路装置自体の構造は第１の実施形態
として図１および図２に示したものと同様であるが、図
７に示すように、導電体パターン５の一方端を接地し、
他方端にＬｂ，Ｒｂ，Ｖｂで示すバイアス電圧供給回路
を接続し、コンデンサＣｉを介してＩＦ信号を取り出す
ようにしている。すなわち、このミキサは、誘電体スト
リップ（３ａ），３ｂにＲＦ信号とＬｏ信号との混合さ
れた信号が伝搬され、共振回路内のショットキーバリア
ダイオードであるビームリードダイオード８に対してバ
イアス電圧が印加され、ＲＦ信号とＬｏ信号との差の周
波数成分がＩＦ信号としてＣｉを介して外部に取り出さ
れる。なお、Ｌｂはバイアス電源回路に対するＩＦ信号
の漏れを阻止し、ＣｉはＩＦ回路へバイアス電圧が印加
されるのを阻止する。
【００２０】図８は上記ミキサの電気的特性を示す図で
あり、変換損の特性では、ＩＦ信号を１００ＭＨｚとし
て求めている。ローカル信号の周波数ｆLOが５９．６Ｇ
Ｈｚ付近において、変換損が７．５ｄＢ以下、反射損が
１０ｄＢ以上得られる。このようにＮＲＤガイドとダイ
オードとの整合が十分にとられ、ＮＲＤガイドのミキサ
部分での反射を十分に抑えることができる。
あり、変換損の特性では、ＩＦ信号を１００ＭＨｚとし
て求めている。ローカル信号の周波数ｆLOが５９．６Ｇ
Ｈｚ付近において、変換損が７．５ｄＢ以下、反射損が
１０ｄＢ以上得られる。このようにＮＲＤガイドとダイ
オードとの整合が十分にとられ、ＮＲＤガイドのミキサ
部分での反射を十分に抑えることができる。
【００２１】次に、第３の実施形態に係るミキサの例を
図９に示す。図９は上部の導電体板を取り除いた状態で
の部分平面図であり、回路基板４の上面に前述したオー
プンスタブによるフィルタ回路７，６，６′，７′を有
する導電体パターン５を形成している。またこの導電体
パターン５に対して８，８′で示す２つのショットキー
バリアダイオードをマウントしている。３ｂ，３ｂ′は
回路基板４の上部の誘電体ストリップであり、回路基板
４の下面側にも同一パターンの誘電体ストリップを配し
て、上下の誘電体ストリップで回路基板４を挟み込むよ
うにしている。略平行な導電体平面の間に誘電体ストリ
ップとともに回路基板を配する構成は図１に示したもの
と同様である。上記２つの誘電体ストリップは図に示す
ようにそのベンド部分を近接させてカップラを構成して
いる。また導電体パターン５にはＬｂ，Ｒｂ，Ｖｂから
なるバイアス電圧供給回路を接続している。これにより
ＲＦ信号とＬｏ信号とはそれぞれ９０°の位相差をもっ
て２つのダイオードに印加され、差の周波数成分は互い
に逆相となる。但し、ＩＦ回路側から見てダイオードの
向きが反対となっているので、差の周波数成分が同相で
合成されてコンデンサＣｉを介してＩＦ信号として取り
出される。なお、コンデンサＣｇは導電体パターン５の
端部を高周波的に接地する。
図９に示す。図９は上部の導電体板を取り除いた状態で
の部分平面図であり、回路基板４の上面に前述したオー
プンスタブによるフィルタ回路７，６，６′，７′を有
する導電体パターン５を形成している。またこの導電体
パターン５に対して８，８′で示す２つのショットキー
バリアダイオードをマウントしている。３ｂ，３ｂ′は
回路基板４の上部の誘電体ストリップであり、回路基板
４の下面側にも同一パターンの誘電体ストリップを配し
て、上下の誘電体ストリップで回路基板４を挟み込むよ
うにしている。略平行な導電体平面の間に誘電体ストリ
ップとともに回路基板を配する構成は図１に示したもの
と同様である。上記２つの誘電体ストリップは図に示す
ようにそのベンド部分を近接させてカップラを構成して
いる。また導電体パターン５にはＬｂ，Ｒｂ，Ｖｂから
なるバイアス電圧供給回路を接続している。これにより
ＲＦ信号とＬｏ信号とはそれぞれ９０°の位相差をもっ
て２つのダイオードに印加され、差の周波数成分は互い
に逆相となる。但し、ＩＦ回路側から見てダイオードの
向きが反対となっているので、差の周波数成分が同相で
合成されてコンデンサＣｉを介してＩＦ信号として取り
出される。なお、コンデンサＣｇは導電体パターン５の
端部を高周波的に接地する。
【００２２】ところで、ＮＲＤガイドの特性インピーダ
ンスは６００Ω程度と大きいのに対し、検波器やミキサ
に利用されるダイオードは動作状態で数Ω〜数十Ω程度
と小さい。そのため、両者のインピーダンス整合が重要
となる。以下そのための解析方法およびインピーダンス
整合方法について説明する。
ンスは６００Ω程度と大きいのに対し、検波器やミキサ
に利用されるダイオードは動作状態で数Ω〜数十Ω程度
と小さい。そのため、両者のインピーダンス整合が重要
となる。以下そのための解析方法およびインピーダンス
整合方法について説明する。
【００２３】ＮＲＤガイドとダイオードとの整合をとる
ためのダイオードマウント構造の等価回路は図１０のよ
うに表すことができる。図１０においてＺNRD はＮＲＤ
ガイドの特性インピーダンス、ＺSSはサスペンデッドラ
インの特性インピーダンス、ＺD はダイオードのインピ
ーダンスでありＲD ＋ｊＸD で表せる。ダイオードをマ
ウントしたサスペンデッドラインとＮＲＤガイドとは図
に示すように磁界結合している。ＮＲＤガイドとサスペ
ンデッドラインとの磁界結合部分からサスペンデッドラ
インを見たインピーダンスをそれぞれＺA ，ＺB とする
と、図１０の回路は図１１に示すように変形できる。こ
こで、 ＺS ＝ＺA ＋ＺB ＋ｊωＬ２ １／（ωＣ１）＝ＺNRD ／ｔａｎθ１ −１／（ωＣ２）＝Ｉｍ（ＺS ）−ωＬ２ Ｒ２＝Ｒｅ（ＺS ） の関係が成り立つ。上式でＩｍ（ＺS ）はＺS の虚数
部、Ｒｅ（ＺS ）はＺS の実数部である。
ためのダイオードマウント構造の等価回路は図１０のよ
うに表すことができる。図１０においてＺNRD はＮＲＤ
ガイドの特性インピーダンス、ＺSSはサスペンデッドラ
インの特性インピーダンス、ＺD はダイオードのインピ
ーダンスでありＲD ＋ｊＸD で表せる。ダイオードをマ
ウントしたサスペンデッドラインとＮＲＤガイドとは図
に示すように磁界結合している。ＮＲＤガイドとサスペ
ンデッドラインとの磁界結合部分からサスペンデッドラ
インを見たインピーダンスをそれぞれＺA ，ＺB とする
と、図１０の回路は図１１に示すように変形できる。こ
こで、 ＺS ＝ＺA ＋ＺB ＋ｊωＬ２ １／（ωＣ１）＝ＺNRD ／ｔａｎθ１ −１／（ωＣ２）＝Ｉｍ（ＺS ）−ωＬ２ Ｒ２＝Ｒｅ（ＺS ） の関係が成り立つ。上式でＩｍ（ＺS ）はＺS の虚数
部、Ｒｅ（ＺS ）はＺS の実数部である。
【００２４】図１１に示した変成器の部分を書き直すと
図１２の（Ａ）のようになる。さらにサスペンデッドラ
インが共振しているときは図１２の（Ｂ）のようにな
る。これをさらに直並列変換すれば図１３のように表せ
る。ここで、 Ｒ１″＝Ｒ１′（１＋Ｓ2 ） Ｌ１′＝Ｌ１（１＋１／Ｓ2 ） Ｓ＝ωＬ１／Ｒ１′ の関係が成り立つ。
図１２の（Ａ）のようになる。さらにサスペンデッドラ
インが共振しているときは図１２の（Ｂ）のようにな
る。これをさらに直並列変換すれば図１３のように表せ
る。ここで、 Ｒ１″＝Ｒ１′（１＋Ｓ2 ） Ｌ１′＝Ｌ１（１＋１／Ｓ2 ） Ｓ＝ωＬ１／Ｒ１′ の関係が成り立つ。
【００２５】従って整合時は次の関係が成り立つ。
【００２６】ＺNRD ＝Ｒ１′（１＋Ｓ2 ） １／（ωＣ１）＝ωＬ１（１＋１／Ｓ2 ） Ｓ＝ωＬ１／Ｒ１′＝（Ｌ１／Ｍ）（Ｒ２／ωＭ） ここでＭが十分小さいとき、Ｓ＞＞１となり、上式は次
のようになる。
のようになる。
【００２７】ＺNRD ／Ｒ２＝（Ｌ１／Ｍ）2 １／（ωＣ１）＝ωＬ１ これにより、大きなＺNRD に対して小さなＲ２を整合さ
せる場合に比較的小さなＭで実現できることがわかる。
また、Ｌ１に対する補正容量Ｃ１はＮＲＤガイド端とサ
スペンデッドラインとの位置（図２における寸法ｄ）を
設定することにより実現できることがわかる。
せる場合に比較的小さなＭで実現できることがわかる。
また、Ｌ１に対する補正容量Ｃ１はＮＲＤガイド端とサ
スペンデッドラインとの位置（図２における寸法ｄ）を
設定することにより実現できることがわかる。
【００２８】次に、ダイオードのマウント位置と上記Ｒ
２との関係について示す。図１０におけるＬ２とダイオ
ードのリアクタンス成分ＸD とが十分小さく、θ2B1 ＋
θ2B2 ＝３６０°、θ2A＝３６０°として、θ2B1 を変
化させたとき、すなわちフィルタ回路からダイオードマ
ウント位置までの距離を変化させたときのＺS は図１４
に示すようになる。（図１４の縦軸の単位は〔Ω〕であ
る。）この図から、ダイオードのマウント位置がフィル
タ回路から１／２波長の整数倍のとき最大でＲ２（＝Ｒ
ｅ（ＺS ））＝ＺD ＝ＲD となることがわかる。また、
そこからずれた位置にダイオードをマウントした場合に
は、そのずれ量に応じた小さな値となることがわかる。
従って、ダイオードのインピーダンスがライン幅で整合
する負荷インピーダンスに比べて大きい場合には、ダイ
オードのマウント位置を変えることによって、インピー
ダンス整合をとることができる。例えばＲD ＝１０Ωで
Ｒｅ（ＺS ）＝５Ωとするには、θ2B1 が例えば約１３
５°や２２５°となる位置にダイオードをマウントすれ
ばよい。
２との関係について示す。図１０におけるＬ２とダイオ
ードのリアクタンス成分ＸD とが十分小さく、θ2B1 ＋
θ2B2 ＝３６０°、θ2A＝３６０°として、θ2B1 を変
化させたとき、すなわちフィルタ回路からダイオードマ
ウント位置までの距離を変化させたときのＺS は図１４
に示すようになる。（図１４の縦軸の単位は〔Ω〕であ
る。）この図から、ダイオードのマウント位置がフィル
タ回路から１／２波長の整数倍のとき最大でＲ２（＝Ｒ
ｅ（ＺS ））＝ＺD ＝ＲD となることがわかる。また、
そこからずれた位置にダイオードをマウントした場合に
は、そのずれ量に応じた小さな値となることがわかる。
従って、ダイオードのインピーダンスがライン幅で整合
する負荷インピーダンスに比べて大きい場合には、ダイ
オードのマウント位置を変えることによって、インピー
ダンス整合をとることができる。例えばＲD ＝１０Ωで
Ｒｅ（ＺS ）＝５Ωとするには、θ2B1 が例えば約１３
５°や２２５°となる位置にダイオードをマウントすれ
ばよい。
【００２９】次に、サスペンデッドラインにおけるＮＲ
Ｄガイド結合位置とＲ２との関係について示す。図１０
におけるＬ２およびＸD が十分小さく、θ2B1 ＝１８０
°、θ2B2 ＋θ2A＝５４０°として、θ2B2 を変化させ
たとき、すなわちサスペンデッドラインにおけるＮＲＤ
ガイド結合位置を変化させたときのＺS は図１５に示す
ようになる。この図から、ＮＲＤガイドの結合位置がフ
ィルタ回路から１／２波長の整数倍のとき最小でＲ２
（＝Ｒｅ（ＺS ））＝ＺD ＝ＲD となり、そこからずれ
た位置の場合には、そのずれ量に応じた大きな値となる
ことがわかる。従って、ダイオードのインピーダンスが
ライン幅で整合する負荷インピーダンスに比べて小さい
場合には、サスペンデッドラインにおけるＮＲＤガイド
の位置を変えることによって整合をとることができる。
例えばＲD ＝１０ΩでＲｅ（ＺS ）＝２０Ωとするに
は、θ2B2 を例えば約１３５°や２２５°となる関係
で、サスペンデッドラインにおけるＮＲＤガイド結合位
置を設定すればよい。なお、Ｌ２およびＸD が０と見な
せない場合には、Ｌ２，ＸD の量に応じてフィルタ間の
電気長が１／２波長の整数倍となるようにフィルタ回路
間の距離を調整すればよい。
Ｄガイド結合位置とＲ２との関係について示す。図１０
におけるＬ２およびＸD が十分小さく、θ2B1 ＝１８０
°、θ2B2 ＋θ2A＝５４０°として、θ2B2 を変化させ
たとき、すなわちサスペンデッドラインにおけるＮＲＤ
ガイド結合位置を変化させたときのＺS は図１５に示す
ようになる。この図から、ＮＲＤガイドの結合位置がフ
ィルタ回路から１／２波長の整数倍のとき最小でＲ２
（＝Ｒｅ（ＺS ））＝ＺD ＝ＲD となり、そこからずれ
た位置の場合には、そのずれ量に応じた大きな値となる
ことがわかる。従って、ダイオードのインピーダンスが
ライン幅で整合する負荷インピーダンスに比べて小さい
場合には、サスペンデッドラインにおけるＮＲＤガイド
の位置を変えることによって整合をとることができる。
例えばＲD ＝１０ΩでＲｅ（ＺS ）＝２０Ωとするに
は、θ2B2 を例えば約１３５°や２２５°となる関係
で、サスペンデッドラインにおけるＮＲＤガイド結合位
置を設定すればよい。なお、Ｌ２およびＸD が０と見な
せない場合には、Ｌ２，ＸD の量に応じてフィルタ間の
電気長が１／２波長の整数倍となるようにフィルタ回路
間の距離を調整すればよい。
【００３０】前述の式におけるＬ１／Ｍはサスペンデッ
ドラインの幅により変えることができる。以下その確認
実験の結果を示す。図１６の（Ａ）は測定用の誘電体線
路装置であり、幅Ｗ、長さＬｅの両端オープンのサスペ
ンデッドラインを誘電体ストリップに交差するように配
置している。（Ｂ）はその等価回路である。Ｒ２が十分
小さいときには、ｆ１，ｆ２は次の式で近似できる。
ドラインの幅により変えることができる。以下その確認
実験の結果を示す。図１６の（Ａ）は測定用の誘電体線
路装置であり、幅Ｗ、長さＬｅの両端オープンのサスペ
ンデッドラインを誘電体ストリップに交差するように配
置している。（Ｂ）はその等価回路である。Ｒ２が十分
小さいときには、ｆ１，ｆ２は次の式で近似できる。
【００３１】ｆ１＝１／（２π√（Ｌ２・Ｃ２）） ｆ２＝√（１／（Ｌ２・Ｃ２（１−ｋ12 2 ））） ｋ12 2 ＝Ｍ／√（Ｌ１・Ｌ２） 実際に上記誘電体線路装置のＳ１１特性とＳ２１特性を
測定すれば、図１７の（Ａ），（Ｂ）に示すように、Ｓ
１１が落ち込む位置とＳ２１が落ち込む位置とが見いだ
せる。それぞれの周波数をｆ１，ｆ２とし、サスペンデ
ッドラインの幅Ｗおよび長さＬｅを変化させたときのｆ
１，ｆ２の値を測定したものを図１８に示す。このよう
に、サスペンデッドラインの幅Ｗに応じてｆ２の値は大
きく変化するが、ｆ１の値はあまり変化しないことがわ
かる。
測定すれば、図１７の（Ａ），（Ｂ）に示すように、Ｓ
１１が落ち込む位置とＳ２１が落ち込む位置とが見いだ
せる。それぞれの周波数をｆ１，ｆ２とし、サスペンデ
ッドラインの幅Ｗおよび長さＬｅを変化させたときのｆ
１，ｆ２の値を測定したものを図１８に示す。このよう
に、サスペンデッドラインの幅Ｗに応じてｆ２の値は大
きく変化するが、ｆ１の値はあまり変化しないことがわ
かる。
【００３２】実験結果と上式より、サスペンデッドライ
ンの幅Ｗを変化させた場合は、Ｌ２がほとんど変化せ
ず、ｋ12が変化しているものと考えられる。よってサス
ペンデッドラインの幅Ｗを変えることによって、Ｌ１／
Ｍの値を変えることができる。
ンの幅Ｗを変化させた場合は、Ｌ２がほとんど変化せ
ず、ｋ12が変化しているものと考えられる。よってサス
ペンデッドラインの幅Ｗを変えることによって、Ｌ１／
Ｍの値を変えることができる。
【００３３】
【発明の効果】請求項１、３、４に係る発明によれば、
回路基板が略平行な２つの導電体平面の間に配されるた
め、誘電体線路に対する回路基板の実装性が高くなる。
また、誘電体ストリップに対して略垂直に交差する向き
に導電体パターンが配置され、その導電体パターンの誘
電体ストリップを挟む少なくとも２か所にフィルタ回路
が設けられて共振回路が構成されているため、また、少
なくとも２か所のフィルタ回路間においてダイオードが
マウントされているため、共振回路を構成するサスペン
デッドラインが誘電体線路と結合するとともに共振し、
誘電体線路からのエネルギーがダイオードに十分加えら
れることになる。すなわち誘電体線路とダイオードとの
整合がとられて、変換損失が十分抑えられることにな
る。
回路基板が略平行な２つの導電体平面の間に配されるた
め、誘電体線路に対する回路基板の実装性が高くなる。
また、誘電体ストリップに対して略垂直に交差する向き
に導電体パターンが配置され、その導電体パターンの誘
電体ストリップを挟む少なくとも２か所にフィルタ回路
が設けられて共振回路が構成されているため、また、少
なくとも２か所のフィルタ回路間においてダイオードが
マウントされているため、共振回路を構成するサスペン
デッドラインが誘電体線路と結合するとともに共振し、
誘電体線路からのエネルギーがダイオードに十分加えら
れることになる。すなわち誘電体線路とダイオードとの
整合がとられて、変換損失が十分抑えられることにな
る。
【００３４】また、請求項２に係る発明によれば、上記
共振回路は誘電体線路を伝搬する信号と共振して変換効
率を最も高めることができる。
共振回路は誘電体線路を伝搬する信号と共振して変換効
率を最も高めることができる。
【図１】第１の実施形態に係る誘電体線路装置における
ダイオードマウント構造および検波器の構造を示す斜視
図と正面図である。
ダイオードマウント構造および検波器の構造を示す斜視
図と正面図である。
【図２】同誘電体線路の上部の導電体板を取り除いた状
態での上面図である。
態での上面図である。
【図３】フィルタ回路の等価回路図である。
【図４】他のフィルタ回路の構成を示す図である。
【図５】導電体パターンの他の例を示す図である。
【図６】誘電体線路の他の構成を示す図である。
【図７】第２の実施形態に係るミキサの構成を示す図で
ある。
ある。
【図８】同ミキサの特性図である。
【図９】第３の実施形態に係るミキサの構成を示す図で
ある。
ある。
【図１０】誘電体線路装置におけるダイオードマウント
構造の等価回路図である。
構造の等価回路図である。
【図１１】図１０に示す回路を変形した等価回路図であ
る。
る。
【図１２】サスペンデッドライン共振時の等価回路図で
ある。
ある。
【図１３】図１２に示す回路の直並列変換を行った等価
回路図である。
回路図である。
【図１４】ダイオードのマウント位置とＺS との関係を
示す図である。
示す図である。
【図１５】サスペンデッドラインにおけるＮＲＤガイド
結合位置とＺS との関係を示す図である。
結合位置とＺS との関係を示す図である。
【図１６】サスペンデッドラインとＮＲＤガイドの結合
部における特性確認実験用の誘電体線路装置の平面図お
よび等価回路図である。
部における特性確認実験用の誘電体線路装置の平面図お
よび等価回路図である。
【図１７】図１６に示す装置におけるＳパラメータを示
す図である。
す図である。
【図１８】図１６におけるサスペンデッドラインの幅お
よび長さに対する周波数ｆ１，ｆ２の変化を示す図であ
る。
よび長さに対する周波数ｆ１，ｆ２の変化を示す図であ
る。
１，２−導電体板 ３ａ，３ｂ−誘電体ストリップ ３ｂ′−誘電体ストリップ ４−回路基板 ５−導電体パターン ６，７−フィルタ回路 ６′，７′−フィルタ回路 ６ａ，６ｂ，７ａ，７ｂ−オープンスタブ ８，８′−ビームリードダイオード（ショットキーバリ
アダイオード）
アダイオード）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０３Ｄ 9/06 Ｈ０３Ｄ 9/06 Ｄ
Claims (4)
- 【請求項１】 略平行な２つの導電体平面の間に誘電体
ストリップとともに回路基板を配して、前記導電体平面
と前記導電体ストリップとで誘電体線路を構成し、前記
導電体平面と前記回路基板上の線状の導電体パターンと
でサスペンデッドラインを構成するとともに、前記誘電
体ストリップに対して略垂直に交差する向きに前記導電
体パターンを配置し、該導電体パターンの前記誘電体ス
トリップを挟む少なくとも２か所に、前記誘電体線路と
結合して前記サスペンデッドラインを伝搬する信号を阻
止するフィルタ回路を設けて、当該２か所のフィルタ回
路の間を共振回路として構成し、前記少なくとも２か所
のフィルタ回路間において、前記導電体パターンに対し
て直列にダイオードをマウントしたことを特徴とする誘
電体線路装置におけるダイオードマウント構造。 - 【請求項２】 前記共振回路を構成する２つのフィルタ
回路間の電気長を、前記誘電体線路を伝搬する信号の周
波数における略１／２波長の整数倍としたことを特徴と
する請求項１に記載の誘電体線路装置におけるダイオー
ドマウント構造。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の誘電体線路に
ＲＦ信号を入力し、前記導電体パターンにおける前記少
なくとも２か所のフィルタ回路間の外側から検波信号を
取り出すようにした検波器。 - 【請求項４】 請求項１または２に記載の誘電体線路に
ＲＦ信号とＬｏ信号の混合信号を入力し、前記導電体パ
ターンの共振回路の外側から前記ダイオードにバイアス
電圧を印加するとともに、ＩＦ信号を取り出すようにし
たミキサ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08228377A JP3106972B2 (ja) | 1996-08-29 | 1996-08-29 | 誘電体線路におけるダイオードマウント構造、検波器およびミキサ |
| EP97113981A EP0827270B1 (en) | 1996-08-29 | 1997-08-13 | Diode mount structure in dielectric waveguide device, and detector and mixer using the diode mount structure |
| DE69716207T DE69716207T2 (de) | 1996-08-29 | 1997-08-13 | Diodenanordnung in einer dielektrischen Mikrowelleneinrichtung, und die Diodenanordnung benützender Detektor und Mischer |
| US08/924,015 US5987315A (en) | 1996-08-29 | 1997-08-29 | Diode circuit in dielectric waveguide device, and detector and mixer using the diode circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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