JP3104479B2 - 表示パネルと該表示パネルを用いた投写型表示装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、主として入射光を変調
し光学像を形成する表示パネルと前記表示パネルの表示
画像をスクリーンに拡大投映する投写型表示装置に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】液晶パネルを用いた表示デバイスは軽
量、薄型化が可能であることから研究開発が盛んであ
る。近年では、液晶の旋光性を画像表示に応用したツイ
ストネマチック（ＴＮ）モード液晶パネルを用いたポケ
ットテレビが実用化されている。また、前記液晶パネル
をライトバルブとして用いる液晶投写型テレビおよびビ
ューファインダ等も実用化されている。

【０００３】しかし、ＴＮ液晶を用いた液晶パネルは光
変調を行うためには偏光板が必要であるため、表示輝度
が低いという課題があり、また、液晶分子を配向させる
ためラビング工程が必要であるなど製造工程も複雑であ
る。そこで近年、ラビングが不要かつ、光変調に偏光板
を用いない高分子分散液晶を用いた液晶パネルが注目を
集めている。高分子分散液晶パネルの一例として米国特
許第４４３５０４７号明細書が、高分子分散液晶パネル
をライトバルブとして用いた投写型表示装置の一例とし
て米国特許第４６１３２０７号明細書がある。

【０００４】以下、簡単に（図１７）を用いて高分子分
散液晶について説明しておく。高分子分散液晶は、液晶
と高分子の分散状態によって大きく２つのタイプに分け
られる。１つは、水滴状の液晶が高分子中に分散してい
るタイプである。液晶は、高分子中に不連続な状態で存
在する。以後、このような液晶をＰＤＬＣと呼び、ま
た、前記液晶を用いた液晶パネルをＰＤ液晶パネルと呼
ぶ。もう１つは、液晶層に高分子のネットワークを張り
巡らせたような構造をとるタイプである。ちょうどスポ
ンジに液晶を含ませたような格好になる。液晶は、水滴
状とならず連続に存在する。以後、このような液晶をＰ
ＮＬＣと呼ぶ。前記２種類の液晶パネルで画像を表示す
るためには光の散乱・透過を制御することにより行う。

【０００５】ＰＤＬＣは、液晶が配向している方向で屈
折率が異なる性質を利用する。電圧を印加していない状
態では、それぞれの水滴状液晶は不規則な方向に配向し
ている。この状態では、高分子と液晶に屈折率の差が生
じ、入射光は散乱する。電圧を印加すると液晶の配向方
向がそろう。液晶が一定方向に配向したときの屈折率を
あらかじめ高分子の屈折率と合わせておくと、入射光は
散乱せずに透過する。

【０００６】これに対して、ＰＮＬＣは液晶分子の配向
の不規則さそのものを使う。不規則な配向状態、つまり
電圧を印加していない状態では入射した光は散乱する。
一方、電圧を印加し配列状態を規則的にすると光は透過
する。

【０００７】（図１７（ａ）（ｂ））において、１７３
は水滴状液晶、１７４はポリマーである。画素電極１７
２には薄膜トランジスタ（以後、ＴＦＴと呼ぶ。図示せ
ず）等が接続され、ＴＦＴのオン・オフにより画素電極
１７２に電圧が印加される。電圧により画素電極１７２
上の水滴状液晶１７３の液晶配向方向を可変させて光を
変調する。（図１７（ａ））に示すように電圧を印加し
ていない状態（ＯＦＦ）では、それぞれの水滴状液晶１
７３内の液晶分子は不規則な方向に配向している。この
状態ではポリマー１７４と液晶とに屈折率差が生じ、入
射光が散乱する。（図１７（ｂ））に示すように画素電
極１７２に電圧を印加すると液晶分子の方向が揃う。液
晶分子が一定方向に配向したときの屈折率をあらかじめ
ポリマー１７４の屈折率と合わせておくと、入射光は散
乱せずにアレイ基板１２の画素電極１７２側から出射す
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】高分子分散液晶パネル
は光変調に偏光板が必要でないため、ＴＮ液晶パネルに
比較して２倍以上の高輝度表示が可能である。しかし、
課題も多い。その課題の１つに、ある画素で散乱した光
が、前記画素と隣接した画素に伝搬し（光もれ）、画素
の輪郭がぼやけるという現象がある。特に微小間隔で黒
白表示された画像ではその影響度合が高い。つまり、本
来黒表示または白表示である画素に、隣接した画素から
の散乱光がまわりこみ、黒表示もしくは白表示が灰色表
示になる。

【０００９】このような課題を解決する方法の一例が、
特開平４−８４１２１号公報に開示されている。この公
報で開示されている液晶表示パネルは、液晶として高分
子分散液晶を用い、画素電極間に黒色に着色された飽和
炭化水素類からなる壁が形成されている。この壁によ
り、ある画素で散乱した光を吸収し、隣接画素に前記光
もれが生じることを防止している。

【００１０】高分子分散液晶の膜厚は１０μｍ以上に形
成する必要がある。したがって、前記壁は１０μｍ以上
必要である。１０μｍ以上の高さは公報に開示されてい
るように高分子分散液晶を印刷工法で行なう場合には実
現できる可能性はある。しかし、有効表示領域が３〜４
インチの液晶パネルに１００万画素以上を形成する高精
細液晶パネルで実現することは不可能である。なぜなら
ば、前記液晶パネルの画素サイズは５０μｍ角程度であ
り、画素電極間も５μｍ程度である。したがって、壁は
幅５μｍ高さかつ１０μｍ以上にしなければならない。
幅５μｍは微細すぎ、パターン印刷方法で実現はできな
い。スパッタ等の蒸着技術を用いれば５μｍの幅のパタ
ーンの実現はできるが、高さを１０μｍ以上にすること
は実現できない。

【００１１】また、壁に炭化物材料を用いていることも
課題である。炭化物は絶縁性が悪いものが多い。壁は画
素電極と対向電極間に形成されるから、画素電極と対向
電極内の絶縁抵抗を低下させる可能性が高い。また、炭
化物は液晶材料の成分と反応し、液晶を劣化させること
が多い。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の表示パネルは、
第１の電極基板と第２の電極基板間に高分子分散液晶を
狭持させている。表示パネルが透過型表示パネルの場合
は、ブラックマトリックス上および／または画素電極間
に光吸収薄膜を形成する。反射型表示パネルの場合は、
反射電極間に光吸収薄膜を形成する。また、光書き込み
型表示パネルの場合は、誘電体ミラー上に光吸収薄膜を
形成する。光吸収薄膜は、液晶層に入射する光の色に対
して補色の関係にある色素を含有させる。

【００１３】表示パネルが光書き込み型または反射型の
場合は、対向電極を誘電体薄膜とＩＴＯ薄膜の多層膜構
成にしている。ＩＴＯ薄膜はλ／２（ただし、λは設計
主波長）、誘電体薄膜の光学的膜厚はλ／４にする。前
記多層膜には反射防止膜として機能する。

【００１４】電極基板に透明基板を接着し、前記透明基
板が空気と接する位置から高分子分散液晶層までの距離
ｔを、透明基板の屈折率をｎ、表示パネルの有効表示領
域の最大径をｄとしたとき、（数１）なる関係を満足さ
せることが好ましい。

【００１５】

【数１】

【００１６】本発明の投写型表示装置は、本発明の表示
パネルをライトバルブとして用いる。メタルハライドラ
ンプから放射される白色光を青色光、緑色光および赤色
光の３つの光路に分離し、それぞれの光路に本発明の表
示パネルを配置する。表示パネルは印加される映像信号
に応じて液晶層を透過と散乱状態とをきりかえて入射光
を変調する。変調された光は投写レンズによりスクリー
ンに拡大投映される。

【００１７】

【作用】本発明の表示パネルは、少なくとも一方が光透
過性を有する第１および第２の電極基板間に高分子分散
液晶層を挟持させ、前記第１と第２の電極基板のうち少
なくとも一方上で、かつ、高分子分散液晶と接する面に
光吸収薄膜を形成したものである。前記光吸収薄膜は前
記高分子分散液晶層で変調される光を吸収される色素を
含有しており、好ましくは前記光の色に対し、補色の関
係にある色素を含有させる。前記光吸収薄膜により液晶
層内で散乱した光を吸収でき、画素間の光もれ等を防止
できる。

【００１８】表示パネルが透過型表示パネルの場合は、
画素電極間と、画素電極と高分子分散液晶層をはさんで
対面する基板（以後、対向電極基板と呼ぶ）上に形成さ
れた遮光パターン（以後、ブラックマトリックスと呼
ぶ）のうち少なくとも一方に前記光吸収薄膜を形成す
る。ブラックマトリックスは光吸収薄膜に直接入射する
光を反射する。そのため、光吸収薄膜が入射光を吸収す
ることにより加熱されることを抑制できる。光吸収薄膜
は液晶層で散乱した光を吸収する。そのため、ハレーシ
ョンが抑制され、表示コントラストを向上できる。

【００１９】表示パネルが反射型の表示パネルの場合
は、マトリックス状に形成された反射電極間もしくは誘
電体ミラー等の反射手段上に前記光吸収薄膜を形成す
る。反射電極上に光吸収薄膜を形成し、研磨することに
より反射電極上の光吸収薄膜を除去する。反射電極面が
研磨により鏡面化され、反射率が向上するとともに、反
射電極間のみに光吸収薄膜を形成することができる。ま
た、前記反射手段と高分子分散液晶層をはさんで対面す
る対向電極基板上には、誘電体薄膜と高分子分散液晶層
に電界を印加するために用いるＩＴＯ薄膜からなる多層
膜を形成する。前記多層膜は、誘電体薄膜の光学的膜厚
をλ／４（λは光の設計主波長）、ＩＴＯ薄膜の光学的
膜厚をλ／２の２層から構成される。その際、誘電体薄
膜の屈折率は１．５以上１．７以下の光透過性のある材
料を選定する。さらに好ましくは、前記多層膜は、第１
の誘電体薄膜と、ＩＴＯ薄膜と、第２の誘電体薄膜の３
層で構成する。第１および第２の誘電体薄膜の光学的膜
厚はλ／４、ＩＴＯ薄膜の光学的膜厚はλ／４にする。
また、前記第１および第２の誘電体薄膜の屈折率は１．
６以上１．８以下の光透過性のある材料を選定する。前
述の多層膜は、液晶層へ入射しようとしてＩＴＯ薄膜の
界面で反射する光を防止する光反射防止機能と、液晶へ
の電界印加機能をあわせもつ。

【００２０】第１の電極基板と第２の電極基板のうち少
なくとも一方は以下の条件もしくは形状を満足させるこ
とが好ましい。前記電極基板の両面が平面形状の時、前
記基板が空気と接する面から、高分子分散液晶層までの
距離をｔ、高分子分散液晶層の有効表示領域をｄ、基板
の屈折率をｎとしたとき、（数２）なる関係を満足させ
る。

【００２１】

【数２】

【００２２】また、電極基板の無効面（有効表示領域以
外の部分）に黒色塗料等を用いて光吸収膜を形成する。
前記関係を満足させれば、液晶層で散乱し、基板と空気
との界面で反射する光を光吸収膜で吸収することがで
き、表示コントラストを向上できる。前記基板は、対向
電極基板と透明基板をはりあわせたものを用いて、前記
関係式を満足させてもよい。また、基板が空気と接する
面が曲面の時は前記関係式のｔの値を満足せずともよ
い。ただし、前記曲面は凹レンズ形状にしておくことが
好ましい。

【００２３】本発明の投写型表示装置は、本発明の表示
装置をライトバルブとして用いる。メタルハライドラン
プ、キセノンランプ等のランプからの光をダイクロイッ
クミラーあるいはダイクロイックプリズムを用いて、赤
色光（Ｒ光）、青色光（Ｂ光）および緑色光（Ｇ光）の
３原色光の光路に分離する。それぞれの光路には本発明
の表示パネルが配置される。表示パネルは反射型および
透過型表示パネルのどちらでもよい。前記表示パネルは
入射光を変調する。変調された光は投写光学系でスクリ
ーンに拡大投映される。

【００２４】

【実施例】（図１）は本発明の表示パネルの一実施例の
断面図である。なお、以下の各図面はモデル的に描いて
おり、物理的な膜厚あるいは形状とは一致しない。ま
た、説明に不要な箇所は省略している。

【００２５】アレイ基板１３上にはＡｌからなる反射電
極１８、反射電極１８に信号を印加するための薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ）１６およびＴＦＴ１６に信号を伝達
するためのソース信号線２３等が形成されており、ＴＦ
Ｔ１６の一端子と反射電極１８とはコンタクト部１９に
より接続されている。また、コンタクト１９部以外の部
分は絶縁膜１７により分離されている。絶縁膜１７の材
料としてはポリイミド等の有機材料、ＳｉＯ₂，ＳｉＮ_x
等の無機材料が用いられる。反射電極１８は鏡面性を良
好にするため反射電極１８をパターニング後、研磨工程
にて反射電極の表面を研磨し、鏡面にしている。

【００２６】対向電極基板１４はガラス基板であり、光
変調層である高分子分散液晶層１５と接する面には反射
防止構造をかねた対向電極１２または２５が形成されて
いる。また、対向電極と反射電極１８間はビーズ（図示
せず）等により所定間隔あけて保持され、この間隔には
光変調を行う高分子分散液晶１５が狭持されている。対
向電極基板１４は厚さ１ｍｍのガラス基板であり、屈折
率は１．５２である。

【００２７】光変調層を構成する高分子分散液晶層１５
の液晶材料としてはネマティック液晶、スメクティック
液晶、コレステリック液晶が好ましく、単一もしくは２
種類以上の液晶性化合物や液晶性化合物以外の物質も含
んだ混合物であってもよい。なお、先に述べた液晶材料
のうち異常光屈折率ｎ_eと常光屈折率ｎ_oの差の比較的大
きいシアノビフェニル系のネマティック液晶が好まし
い。もしくは耐光性、耐熱性が良好なフッ素系のネマテ
ィック液晶が好ましい。

【００２８】高分子マトリックス材料としては透明なポ
リマーが好ましく、ポリマーとしては、熱可塑性樹脂、
熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂のいずれであっても良い
が、製造工程の容易さ、液晶相との分離等の点より紫外
線硬化タイプの樹脂を用いるのが好ましい。具体的な例
として紫外線硬化性アクリル系樹脂が例示され、特に紫
外線照射によって重合硬化するアクリルモノマー、アク
リルオリゴマーを含有するものが好ましい。

【００２９】このような高分子形成モノマーとしては、
２−エチルヘキシルアクリレート、２−ヒドロキシエチ
ルアクリレート、ネオペンチルグリコールドアクリレー
ト、ヘキサンジオールジアクリート、ジエチレングリコ
ールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアク
リレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ト
リメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリス
リトールアクリレート等々である。

【００３０】オリゴマーもしくはプレポリマーとして
は、ポリエステルアクリレート、エポキシアクリレー
ト、ポリウレタンアクリレート等が挙げられる。

【００３１】また重合を速やかに行なう為に重合開始剤
を用いても良く、この例として、２−ヒドロキシ−２−
メチル−１−フェニルプロパン−１−オン（メルク社製
「ダロキュア１１７３」）、１−（４−イソプロピルフ
ェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−
オン（メルク社製「ダロキュア１１１６」）、１−ビド
ロキシシクロヘキシルフェニルケトン（チバガイキー社
製「イルガキュア１８４」）、ベンジルメチルケタール
（チバガイギー社製「イルガキュア６５１」）等が掲げ
られる。その他に任意成分として連鎖移動剤、光増感
剤、染料、架橋剤等を適宜併用することができる。

【００３２】なお、樹脂材料が硬化した時の屈折率ｎ_p
と、液晶の常光屈折率ｎ_oとは略一致するようにする。
液晶層に電界が印加された時に液晶分子が一方向に配向
し、液晶層の屈折率がｎ_oとなる。したがって、樹脂の
屈折率ｎ_pと一致し、液晶層は光透過状態となる。屈折
率ｎ_pとｎ_oとの差異が大きいと液晶層に電圧を印加して
も完全に液晶層が透明状態とならず、表示輝度が低下す
る。

【００３３】高分子分散液晶層中の液晶材料の割合はこ
こで規定していないが、一般には２０重量％〜９０重量
％程度がよく、好ましくは５０重量％〜８５重量％程度
がよい。２０重量％以下であると液晶滴の量が少なく、
散乱の効果が乏しい。また９０重量％以上となると、高
分子と液晶が上下２層に相分離する傾向が強まり、界面
の割合は小さくなり散乱特性は低下する。高分子分散液
晶層の構造は液晶の比率によって変わり、だいたい５０
重量％以下では液晶滴は独立したドロップレト状として
存在し、５０重量％以上となると高分子と液晶が互いに
入り組んだ連続層となる。

【００３４】液晶層１５の膜厚は５〜２５μｍの範囲が
好ましく、さらには８〜１５μｍの範囲が好ましい。膜
厚が薄いと散乱特性が悪くコントラストがとれず、逆に
厚いと高電圧駆動を行わなければならなくなり、ＴＦＴ
を駆動するドライブＩＣの設計等が困難となる。

【００３５】１１および２４は、空気と対向電極基板１
４との界面反射を防止する反射防止膜である。反射防止
膜として比較的広い可視光の波長帯域で反射率を低減さ
せるマルチコート方式、特定の波長帯域で反射率を低減
させるＶコート方式がある。狭い光の波長帯域で極力反
射光を防止するのにはＶコートが適する。白色光、つま
り広い波長帯域を変調する場合はマルチコート方式を用
いる。（図１（ａ））はＶコート方式（反射防止膜１
１）を、（図１（ｂ））はマルチコート方式（反射防止
膜２４）を施した構成を示している。

【００３６】（図１（ｂ）に示す）マルチコート方式で
はＡｌ₂Ｏ₃２４ａを光学的膜厚がλ／４、ＺｒＯ₂２４
ｂを光学的膜厚がλ／２、ＭｇＦ₂２４ｃを光学的膜厚
がλ／４の３層の薄膜を蒸着して形成する。Ｖコート方
式の場合は（図１（ａ））に示すように、Ｙ₂Ｏ₃１１ａ
を光学的膜厚がλ／４、ＭｇＦ₂１１ｂを光学的膜厚が
λ／４の２層の薄膜を蒸着して形成する。なお、Ｙ₂Ｏ₂
のかわりにＳ_iＯを用いてもよいがＳｉＯは青色光で吸
収帯域があるため、Ｙ₂Ｏ₃を用いる方がよい。（図１
８）の実線はＶコートの分光反射率を、点線はマルチコ
ートの分光反射率を示す。

【００３７】対向電極基板１４の片面には、対向電極と
反射防止膜が形成される。正確には、対向電極とするＩ
ＴＯ膜の前後もしくは一方に誘電体薄膜を形成して反射
防止膜にする。以後、対向電極と反射防止膜とが一体と
なった構造を反射防止電極と呼ぶ。

【００３８】（図１）に示す実施例の表示パネルは、反
射防止電極１２または２５上にブラックマトリックスが
形成されていない。ブラックマトリックスが形成されて
いると、液晶パネルの製造時、アレイ基板１３と対向電
極基板１４間に液晶と樹脂が混合された溶液を注入し、
紫外線を照射して、液晶と樹脂を相分離させる際に、ブ
ラックマトリックスの下層の溶液が未重合となるためで
ある。未重合状態は光変調層１５の物質的安定性を欠く
結果となり、性能劣化をひきおこす。また、ブラックマ
トリックスは画素開口率を低下させる。その上、（図１
に示すような）反射方式の表示パネルではブラックマト
リックスで入射光が反射し、スクリーン上に白くブラッ
クマトリックスの模様が表示されてしまう。このこと
は、後に示す（図１０）の実施例の表示パネルでも同様
である。

【００３９】従来の、反射型のライトバルブ構成では、
空気と対向電極基板の界面、対向電極となるＩＴＯ薄膜
と前記基板の界面、前記ＩＴＯ薄膜と液晶層の界面でそ
れぞれ生ずる反射光がコントラストを低下させている。

【００４０】異なる２つの屈折率ｎ_A、ｎ_Bの境界面で生
ずる反射率Ｒ（％）は（数３）で求められる。

【００４１】

【数３】

【００４２】対向電極基板をガラスで形成した場合、通
常、ガラス基板の屈折率を１．５２、空気の屈折率を
１．０とすると、ガラス基板と空気との境界面で生じる
反射率は約４％となる。

【００４３】また、２つの屈折率ｎ_A、ｎ_Bの間に屈折率
ｎ_C、膜厚ｄの薄膜が形成されている場合、波長λでの
反射率Ｒ（％）は（数４）で求められる。

【００４４】

【数４】

【００４５】対向電極としてＩＴＯ薄膜を用いた場合、
ＩＴＯ薄膜の屈折率を２．０とし、ガラス基板の屈折率
を１．５２、液晶層の屈折率を１．６とすると、反射率
は薄膜の膜厚によって、ある特定の波長では最大約６％
にもなる。

【００４６】したがって、上記のような表示パネルを用
いて反射型構成とした場合、最大約１０％の光が液晶層
に入射せず反射されてしまう。反射光はコントラストの
低下をまねく。

【００４７】対向電極にすぐれた反射防止機能を有する
ように構成するには、対向電極となるＩＴＯ薄膜の一面
もしくは両面に形成する誘電体薄膜の光学的膜厚が重要
となる。

【００４８】従来のＴＮ液晶は配向膜を形成する必要が
ある。前記配向膜の膜厚は１０Å程度の精度で膜厚制御
を行いつつ形成することはできない。したがって、ＩＴ
Ｏ薄膜の片面に配向膜を形成して、配向膜とＩＴＯ薄膜
で干渉させ、反射防止機能を有するように作用させるこ
とはできない。逆にいえば、ＩＴＯにＡｌ₂Ｏ₃などの誘
電体薄膜を形成し、反射防止機能をもたせても、配向膜
の形成により反射防止機能が低下もしくは反射防止の機
能は消滅する。

【００４９】高分子分散液晶は配向膜の形成の必要がな
い。したがって、対向電極となるＩＴＯ薄膜を用いてそ
の前後に無機材料からなる誘電体薄膜を形成すれば良好
な反射防止膜を形成できる。

【００５０】対向電極となるＩＴＯ薄膜の前後の境界面
でおこる反射を低減するには、特定の条件を満たした屈
折率、および膜厚を有する透明誘電体薄膜とＩＴＯ薄膜
から構成される、少なくとも２層の多層膜を形成すれば
良い。（図１（ｂ））に示すような２層構成の反射防止
膜２５の場合、反射率を最も低くするための条件は次式
のようになる。

【００５１】

【数５】

【００５２】

【数６】

【００５３】

【数７】

【００５４】

【数８】

【００５５】ｎ_Gはガラス基板１４の屈折率、ｎ_LCは液
晶層１５の屈折率、ｎ₁はガラス基板１４とＩＴＯ薄膜
２５との間に形成する薄膜の屈折率、ｎ₂はＩＴＯ薄膜
２５の屈折率、ｄ₁はガラス基板１４とＩＴＯ薄膜２５
ｂとの間に形成する薄膜の膜厚、ｄ₂はＩＴＯ薄膜２５
ｂの膜厚、λは設計主波長である。なお、ガラス基板１
４とＩＴＯ薄膜２５ｂとの間に形成する薄膜は、液晶層
１５とＩＴＯ薄膜２５ｂとの間に形成してもよい。ここ
で、膜厚ｄ_i（_i＝１，２）は物理的膜厚、ｎ_iｄ_iは光学
的膜厚を意味する。

【００５６】以上の条件式はいずれも波長λにおける無
反射条件であるが、広い波長帯域で反射を低減させる場
合は、（数７）、（数８）の条件よりも（数５）、（数
６）の条件を満たす場合の方が望ましい。さらに、ＩＴ
Ｏ薄膜１５ｂは充分に低い抵抗値を得るため、少なくと
も物理的膜厚として１００ｎｍ以上が望ましい。この点
からも、ＩＴＯ薄膜の光学的膜厚ｎ₂ｄ₂の条件がλ／２
となる（数５）、（数６）の条件が好ましい。

【００５７】（図１（ｂ））に示した反射防止電極２５
は以上の条件式に基づいて構成したものである。対向電
極基板１４の屈折率より高く、対向電極となるＩＴＯ薄
膜２５ｂの屈折率より低い屈折率を有する誘電体薄膜２
５ａと、対向電極となるＩＴＯ薄膜２５ｂとの２層構成
であり、ＩＴＯ薄膜２５ｂの光学的膜厚がλ／２、誘電
体薄膜２５ａの光学的膜厚がλ／４である。また、前記
誘電体薄膜２５ａの屈折率は、電界無印加状態の液晶層
１５の屈折率よりも高くする。つまり、誘電体薄膜の屈
折率ｎ₁、ＩＴＯ薄膜の屈折率ｎ₂、電界無印加状態での
液晶層の屈折率ｎ₃とすれば、ｎ₂＞ｎ₁＞ｎ₃となるよう
にする。これは（図１（ａ））の反射防止電極でも同様
である。

【００５８】具体的な構成の一実施例を（表１）に、ま
た、その分光反射率を（図２０）の実線に示す。（図２
０）からわかるように、（表１）の構成によると波長帯
域幅１００ｎｍ以上にわたり反射率０．３％以下の特性
を実現でき、大幅に反射光を低減できる。

【００５９】

【表１】

【００６０】高分子分散液晶１５の電圧無印加状態での
屈折率ｎ_xは、理論的には次式で示される。

【００６１】

【数９】

【００６２】ｎ_oは液晶の常光屈折率、ｎ_eは異常光屈折
率である。シアノビフェニール系の液晶の場合、ｎ_oは
約１．５０、ｎ_eは約１．７５のものがある。ｎ_eとｎ_o
の屈折率差△ｎが大きいほど散乱特性は向上する。フッ
素系の液晶はｎ_eおよび△ｎとも比較的小さく、あまり
高い散乱特性は得られない。しかし、耐熱性、耐光性が
良好であり比較的、液晶の比誘電率も低い。したがっ
て、シアノビフェニール系の液晶よりもフッ素系の液晶
は電圧が印加されやすい。ゆえに、膜厚あたりの散乱特
性は低いが、液晶の膜厚を厚くすることにより、良好な
散乱特性が得られる。

【００６３】先のシアノビフェニール系のｎ_oとｎ_eを
（数９）に代入するとｎ_x≒１．６程度となる。実際の
光変調層１５はポリマーと液晶の混合層である。ポリマ
ーの屈折率ｎ_pはｎ_oと略一致させる場合が多いから、高
分子分散液晶の電界無印加状態での屈折率ｎ_xは１．６
よりもさらに小さくなる。

【００６４】本明細書での表中あるいは文章中に示す液
晶の屈折率は１．６としている。これは先の説明でも明
らかなように実現上で最も高い屈折率であり、実際はそ
れよりも小さくなる。分光反射率は、ガラス基板の屈折
率と液晶層の屈折率が一致した時、最も小さい値とな
る。液晶層の屈折率は１．６を大幅にこえることはな
く、実際は１．６より小さく、ガラス基板の屈折率に近
い。

【００６５】薄膜２５ａの屈折率は１．５０以上１．７
０以下が望ましく、さらに好ましくは１．６以上１．７
以下が望ましい。（表１）の実施例ではＡｌ₂Ｏ₃を用い
たが、他にＣｅＦ₃、ＳｉＯ、ＷＯ₃、ＬａＦ₃、ＮｄＦ₃
のいずれかを用いても良い。

【００６６】（表２）にＡｌ₂Ｏ₃をＳｉＯに変化させた
例を示す。また、（図２０）の点線でＳｉＯを用いた場
合の分光反射率を示す。

【００６７】

【表２】

【００６８】ＳｉＯを用いれば、４００ｎｍから７００
ｎｍの波長帯域にわたり、分光反射率１％以下を実現で
きる。本発明の投写型表示装置ではＲ光、Ｇ光およびＢ
光を変調する３枚の表示パネルをライトバルブとして用
いる。（図２０）の実線で示す分光反射率特性（Ａｌ2
Ｏ3）ではＧ光近傍の反射率は極めて小さいが、Ｂ光お
よびＲ光では反射率が高くなる。したがって、Ｒ、Ｇお
よびＢ光に対応して反射防止電極２５を形成する必要が
あり、１台の投写型表示装置では３種類の表示パネルを
用いなければならない。（図２０）の点線で示す分光反
射率特性（ＳｉＯ）ではＲ光、Ｇ光、およびＢ光全域に
わたり反射率が１％以下であるので、一種類のパネルで
共用できる可能性が高い。

【００６９】本発明の表示パネルで重要なことは、対向
電極とするＩＴＯ薄膜を用いて反射防止膜を形成したこ
とにある。当然のことながらＩＴＯ薄膜は電圧を印加で
きるように構成もしくは形成する。なお、ＩＴＯ薄膜
は、酸化インジウム、酸化スズなどの膜でもよい。その
場合も光学的干渉効果により、反射率を低減させる光学
的薄膜で誘電体薄膜を積層すれば良い。

【００７０】ＴＦＴ１６上には、絶縁膜１７を介して反
射電極１８が形成されている。反射電極１８とＴＦＴ１
６とは接続端子１９で電気的に接続されている。絶縁膜
１７の材料としては、ポリイミド等を代表とする有機材
料あるいはＳｉＯ₂，ＳｉＮｘなどの無機材料が用いら
れる。反射電極１８は表面をアルミニウム（Ａｌ）の薄
膜で形成される。Ｃｒ等を用いて形成してもよいが、反
射率がＡｌより低く、また硬質のため反射電極１８周辺
部がかけるなど、問題が生じやすい。

【００７１】反射電極１８の接続端子１９部は０．５〜
１μｍの落ちくぼみができるが、高分子分散液晶１５は
配向などの処理が不要なため、ＴＮ液晶のように凹凸に
より配向不良が生じない。開口率は画素サイズが１００
μｍ角の場合８０％以上、５０μｍ角の場合でも７０％
以上の開口率が得られる。ただし、ＴＦＴ１６上の反射
電極１８はＴＦＴのパターンが転写され凹凸が生じ多少
反射効率は低下する。前記凹凸をなくするためには反射
電極１８の表面を研摩すればよい。研摩により反射電極
１８は平滑化され反射率は９０％以上を達成できる。

【００７２】（図１（ａ））に示すように、対向電極と
なるＩＴＯ薄膜１２ｂの前後に透明誘電体薄膜１２ａ、
１２ｃを形成して３層構成とすれば、２層の場合よりも
さらに反射率を小さく、かつ広い波長帯域にわたる反射
防止効果を実現できる。この場合の屈折率、および膜厚
の条件は次式のようになる。

【００７３】

【数１０】

【００７４】

【数１１】

【００７５】

【数１２】

【００７６】

【数１３】

【００７７】ｎ₃はＩＴＯ薄膜と液晶層との間に形成す
る薄膜の屈折率、ｄ₃はＩＴＯ薄膜と液晶層との間に形
成する薄膜の膜厚である。また、その他の記号は（数
５）〜（数８）と同様である。

【００７８】以上の条件数においても、いずれも波長λ
における無反射条件であるが、広い波長帯域で反射を低
減させる場合は（数１２）、（数１３）の条件よりも
（数１０）、（数１１）の条件を満たす場合の方が望ま
しい。さらに、ＩＴＯ薄膜は充分に低い抵抗値を得るた
め、少なくとも物理的膜厚として１００ｎｍ以上が望ま
しいため、この点からも、ＩＴＯ薄膜の光学的膜厚ｎ₂
ｄ₂の条件がλ／２となる（数１０）、（数１１）の条
件が好ましい。

【００７９】反射防止電極１２は、対向電極基板１４側
から順に第１の誘電体薄膜１２ａ、ＩＴＯ薄膜１２ｂ、
第２の誘電体薄膜１２ｃで構成される３層構成であり、
ＩＴＯ薄膜１２ｂの光学的膜厚はλ／２、第１の誘電体
薄膜１２ａ、および第２の誘電体薄膜１２ｃの光学的膜
厚はそれぞれλ／４である。

【００８０】誘電体薄膜１２ａおよび１２ｃとしてＳｉ
Ｏを用いた構成の一実施例を（表３）に、また、その分
光反射率を（図１９）に示す。（図１９）からわかるよ
うに、（表３）の構成によると波長帯域幅２００ｎｍ以
上にわたり反射率０．１％以下の特性を実現でき、極め
て高い反射防止効果を得ることができる。なお、（図１
９）において、グラフの説明文字は上段を誘電体薄膜１
２ａの使用材料を、中段はＩＴＯ薄膜１２ｂを、下段は
誘電体薄膜１２ｃの使用材料を示す。

【００８１】

【表３】

【００８２】第１の誘電体薄膜１２ａおよび第２の誘電
体薄膜１２ｃの屈折率は１．６０以上１．８０以下が望
ましい。（表３）の実施例ではいずれもＳｉＯを用いた
が、どちらか一方または両方の誘電体薄膜を、他にＡｌ
₂Ｏ₃、Ｙ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、ＣｅＦ₃、ＷＯ₃、ＰｂＦ₂のい
ずれかを用いても良い。

【００８３】（表４）に第１の誘電体薄膜１２ａおよ
び、第２の誘電体薄膜１２ｃをＹ₂Ｏ₃にした場合を示
す。また、その分光反射率を（図２０）に示す。なお、
Ｙ₂Ｏ₃は蒸着条件等により屈折率が１．７８から１．８
８程度のものを作製できる。

【００８４】

【表４】

【００８５】誘電体薄膜１２ａおよび１２ｂにＹ₂Ｏ₃を
用いた時の分光反射率はＡｌ₂Ｏ₃の場合に比較してＢ光
およびＲ光で反射率が多少高くなる傾向がある。

【００８６】同様に、（表５）に第１の誘電体薄膜１２
ａをＳｉＯに、第２の誘電体薄膜１２ｃをＹ₂Ｏ₃にした
場合を示す。また、その分光反射率を（図２０）に示
す。可視光領域全般にわたり０．１％以下の極めてすぐ
れた反射防止効果を実現している。

【００８７】

【表５】

【００８８】さらに、（表６）に第１の誘電体薄膜１２
ａをＡｌ₂Ｏ₃に、第２の誘電体薄膜１２ｃをＳｉＯにし
た場合を示す。また、その分光反射率を（図２０）に示
す。Ｒ光およびＢ光の領域では反射率が０．５％を越
え、適当とは言えない。

【００８９】

【表６】

【００９０】以上のようにＩＴＯ薄膜１２ｂの両面に誘
電体薄膜１２ａおよび１２ｃを３層に形成することによ
り反射光防止効果をもたせることができる。全般的に
（図１（ｂ））に示す２層構成に比較して（図１
（ａ））の３層構成の方が可視光領域全般にわたり反射
防止効果が高い。

【００９１】高分子分散液晶層１５とＩＴＯ薄膜が直接
接していると高分子分散液晶層１５の劣化が進みやす
い。これはＩＴＯ薄膜中の不純物等が液晶層１５に溶出
するためと考えられる。前述の３層構成のように、ＩＴ
Ｏ薄膜１２ｂと液晶層１５との間に誘電体薄膜１２ｃを
形成すると液晶層１５の劣化することがなくなる。特に
誘電体薄膜１２ｃがＡｌ₂Ｏ₃あるいはＹ₂Ｏ₃の時に良好
であった。

【００９２】誘電体薄膜１２ｃがＳｉＯの時はＳｉＯの
屈折率が低下する傾向がみられる。これは液晶層１５中
に微量に含まれたＨ₂Ｏ、Ｏ₂等の酸素原子とＳｉＯが結
びつき、ＳｉＯがＳｉＯ₂に変化していくためと考えら
れる。その意味では（表３）および（表６）の構成はふ
さわしくない。しかし、ＳｉＯは短期間でＳｉＯ₂に変
化することはなく、実用上は採用できることが多い。な
お、以上の反射防止電極１２または２５の構成は（図１
０）に示す電極１０７に適用できる。

【００９３】２０は反射電極周辺部に形成された光吸収
薄膜である。（図２）は反射電極１８を上方からみたと
きの平面図である。光吸収薄膜は反射電極周辺部および
接続端子１９上に形成する。接続端子１９上は凹状とな
っており、光はまっすぐに反射しない。したがって、光
吸収膜を形成して、表示コントラストの向上に起与させ
る。

【００９４】光吸収薄膜２０の形成方法としては、スパ
ッタなどで膜を蒸着し、パターニングして形成する方法
がある。また、反射電極１８を形成後、全面に光吸収樹
脂を塗布して、前記樹脂反射電極１８間に充填した後、
反射電極面を研磨して、反射電極１８上の樹脂だけを取
り除く方法等が例示される。光吸収薄膜２０は精度よく
パターニングする必要はない。多少、塗布されていない
箇所が発生しても光吸収効果は十分である。

【００９５】光吸収薄膜２０の使用材料としては、スパ
ッタにより形成されたＰｒＭｎＯ₃膜、プラズマ重合に
より形成されたフタロシアニン膜等が例示される。

【００９６】その他、光吸収膜２０を形成する光吸収材
料としては電気絶縁性が高く、液晶層１５に悪影響を与
えない材料であればよい。例えば、黒色の色素あるいは
顔料を樹脂中に分散したものを用いても良いし、カラー
フィルターの様に、ゼラチンやカゼインを黒色の酸性染
料で染色してもよい。黒色色素の例としては、単一で黒
色となるフルオラン系色素を発色させて用いることもで
き、緑色系色素と赤色系色素とを混合した配向ブラック
を用いることもできる。

【００９７】以上の材料はすべて黒色の材料であるが、
本発明の表示パネルを投写型表示装置のライトバルブと
して用いる場合はこれに限定されるものではない。投写
型表示装置は３枚の表示パネルでＲ，Ｇ，Ｂの３色の光
をそれぞれ変調するものである。Ｒ光を変調する表示パ
ネルの光吸収膜２０としてはＲ光を吸収させれば良い。
つまり特定波長を吸収できるように、例えば、カラーフ
ィルタ用の光吸収材料を望ましい光吸収特性が得られる
ように改良して用いれば良い。基本的には前記した黒色
吸収材料と同様に、色素を用いて天然樹脂を染色した
り、色素を合成樹脂中に分散した材料を用いることがで
きる。色素の選択の範囲は黒色色素よりもむしろ幅広
く、アゾ染料、アントラキノン染料、フタロシアニン染
料、トリフェニルメタン染料などから適切な１種、もし
くはそれらのうち２種類以上の組み合わせでも良い。

【００９８】黒色色素は液晶層１５に悪影響を与える材
料が多い。そのため、使用は好ましくない。そこで、前
述のように特定波長を吸収できる色素を光吸収薄膜の含
有色素として採用することが好ましい。

【００９９】Ｒ光用、Ｂ光用およびＧ光用の３枚の表示
パネルをライトバルブとして用いる投写型表示装置では
採用が容易である。つまり、変調する光の色に対して、
補色の関係にある色素を光吸収薄膜中に含有させればよ
い。補色の関係とは、たとえば、Ｂ光に対しては黄色で
ある。黄色に着色された光吸収薄膜はＢ光を吸収する。
したがって、Ｂ光を変調する表示パネルは黄色の光吸収
薄膜２０を形成する。

【０１００】光吸収薄膜２０を形成した効果として大き
く２つあげられる。前記効果を（図３）および（図４）
を用いて説明をする。第１の効果として表示コントラス
トの向上がある。（図３）に示すように、入射光Ａは水
滴状液晶１７３にあたり散乱し、進行方向がわかる。一
部光はソース信号線２３で反射し、再び液晶層１５にも
どってくる。もどってきた光は再び水滴状液晶にあた
り、対向電極板１４より出射する。対向電極基板１４か
ら出射し、所定範囲内の角度の光は投写レンズで集光さ
れ、スクリーン（図示せず）に投映される。つまり、黒
表示レベルが高くなり、表示コントラストが悪くなる。
液晶層１５が散乱状態の時は入射光Ａは対向電極基板１
４から出射されないことが望ましい。（図４）に示すよ
うに光吸収膜２０ｂがあれば、入射光Ａは吸収される。
したがって、表示コントラストは向上する。第２の効果
として、ＴＦＴ１６のホトコンダクタ現象の防止があ
る。ホトコンダクタ現象とは、ＴＦＴ１６の半導体層に
光が照射されると、光励起され、ＴＦＴがオン状態とな
る現象である。ＴＦＴがオフにならなければ、電荷を反
射電極１８と対向電極間に保持できないから、液晶層１
５が透過状態とならず、白表示ができなくなる。（図
３）に示す入射光Ｂはソース信号線２３および反射電極
１８間で反射され、ＴＦＴ１６に達する。ＴＦＴ１６は
光が照射されると前述のホトコンダクタ現象が発生す
る。（図４）に示すように光吸収薄膜２０ａがあれば、
入射光Ｂは遮光されホトコンダクタ現象は発生しない。

【０１０１】（図１）は反射型の表示パネルの実施例で
あった。（図１）で説明した光吸収薄膜および反射防止
電極は、光書き込み型の表示パネルにも用いることがで
きる。（図１０）は光書き込み型表示パネルの構成図で
ある。ガラス基板１０２上には導電性薄膜１０３、アモ
ルファスシリコンからなる光導電層１０４、遮光膜１０
５、誘電体ミラー１０６が順次積層されている。誘電体
ミラー１０６上には光吸収薄膜１０１が形成されてい
る。一方、対向電極基板１０８上には反射防止電極１０
７が形成されている。導電性薄膜１０３と反射防止電極
１０７間に交流が印加され、光伝導層１０４の光励起状
態により液晶層１５に電圧の印加状態が変化する。

【０１０２】（図１０）に示す反射防止電極１０７は
（図１）に示す反射防止電極１２または２５と構成が同
じであり、また、その効果も同様である。同様に光吸収
薄膜１０１も（図１）の光吸収薄膜２０と構成は同様で
ある。

【０１０３】光吸収薄膜１０１は（図１１）に示すよう
にストライプ状に形成される。（図１１）中のＨ方向は
画面の横方向、Ｖ方向は画面の縦方向である。ストライ
プ状に光吸収薄膜１０１を形成すれば、横方向への光も
れを防止できる。光吸収薄膜１０１の形成ピッチは、一
画素の幅に対応させることが好ましい。光吸収薄膜１０
１はブラックマトリックスのようにマトリックス状に形
成する方が光もれ防止に効果がある。しかし、光吸収薄
膜１０１の形成箇所は光を反射しないため、マトリック
ス状に形成してしまうと、マルチスキャン表示に対応し
にくくなる。光書き込み型の表示パネルの１つの大きな
特徴はマルチスキャンができることである。（図１０）
のようにストライプ状であれば、Ｈ方向に画面サイズを
可変することはやりにくいが、Ｖ方向には可変すること
が可能である。

【０１０４】（図５）は本発明の透過型の表示パネルの
断面図である。１２は対向電極である。ただし、（図
１）のように反射防止電極構成を採用する必要はない。
アレイ基板１３上にはＩＴＯ薄膜からなる画素電極５１
が形成され、一方、対向電極基板１２上にはブラックマ
トリックス５２が形成されている。ブラックマトリック
ス５２は通常Ｃｒを用いて形成される。ソース信号線３
２等の信号線上およびブラックマトリックス上には光吸
収薄膜５３が形成される。光吸収薄膜５３の形成材料は
（図１）で説明した構成であり、また、材料等も同一で
ある。なお、光吸収薄膜の色は液晶層１５に入射する光
の色に対して補色の関係にある色にすることが好まし
い。

【０１０５】（図５）に示す本発明の表示パネルの効果
について考える。（図６）および（図７）は効果を説明
するための説明図である。（図６）は光吸収薄膜５３が
形成されていない従来の表示パネルの構成であり、（図
７）は光吸収薄膜が形成された本発明の表示パネルの構
成である。

【０１０６】（図６）のように光線Ａ〜Ｅを考える。光
線Ａは水滴状液晶１７３で散乱され、入射光側に戻る光
である。光線Ｂは水滴状液晶で散乱されつつ出射側にも
れる光である。光線Ｃはブラックマトリックス５２で反
射され入射側に戻る光である。光線Ｄはブラックマトリ
ックス５２で反射して、出射側にもれる光である。光線
Ｅもソース信号線２３で反射して出射側にもれる光であ
る。つまり、光線Ｂ、Ｄ、Ｅが光変調層１５が散乱時の
もれ光になる。ブラックマトリックス５３および信号線
２３は金属薄膜で形成されるため、比較的反射率が高
い。したがって、前記部分により反射し、出射側にもれ
る光となる量も多い。液晶層１５が散乱状態の時に出射
側にもれる光は表示コントラストを低下させる。

【０１０７】近年、画素サイズは微小化の影響にあり、
それにつれ、ブラックマトリックスが一画素に占める面
積も高くなりつつある。一例としてパネルサイズが３イ
ンチの時、３０万画素クラスではブラックマトリックス
が一画素に占める割合は約７０％である。１００万画素
クラスでは９０％になるという予測値もある。

【０１０８】以上のようにブラックマトリックス５２の
占める割合は非常に大きく、したがって、液晶層１５内
で散乱された光が再びブラックマトリックス５２で反射
されて出射側に出力され、コントラストを低下させるこ
とは大きな課題である。また、ブラックマトリックスな
どで反射した光が隣接画素等に入り込み、画素輪郭をに
じませること、さらには表示領域全体のコントラストを
低下させることも課題である。同様に、ソース信号線２
３、ゲート信号線（図示せず）、ＴＦＴ（図示せず）等
で反射する光も無視できない。

【０１０９】（図７）で示すように、光吸収薄膜５３を
形成すれば、入射光Ｄは水滴状液晶１７３にあたって散
乱し、その一部は光吸収薄膜５３ｂに入射する。前記光
は光吸収薄膜５３ｂで吸収される。また、入射光Ｅも水
滴状液晶１７３にあたって散乱し、その一部はソース信
号線２３上に形成された光吸収膜５３ａに入射して吸収
される。したがって、出射側に出力される光を少なくす
ることができる。

【０１１０】高分子分散液晶を用いた表示パネルの課題
として、アレイ基板および対向電極基板の空気との界面
で反射する光による、表示コントラストの低下がある。
たとえば、（図８）の入射光Ｆのように基板１４の空気
との界面およびブラックマトリックス５２で反射し、再
び液晶層１５に入射する光である。前記入射光Ｆを防止
するために表示パネル１２１が透過型表示パネルの場合
は（図１２）に示すように表示パネルに透明板９３ａ、
９３ｂを接着する。反射型表示パネルの場合は（図１
３）に示すように、入射光側に透明板９３ｂを接着す
る。

【０１１１】透明板９３ａ、９３ｂは光透過性のある厚
みのある板であり、より具体的には表示パネルの有効表
示領域の最大径ｄ以上の直径をもつ円柱状もしくは四角
柱状のガラス板である。他にアクリル樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂などの透明樹脂も用いることができ、これら
は比較的安価であり、形状も任意のものを容易に作製で
きる。また、重量も軽く好ましい。透明基板９３は光結
合剤９２により光学的に接続されている。光結合剤９２
とは具体的には透明シリコーン樹脂、紫外線硬化型接着
剤、エポキシ系透明接着剤、エチレングリコール等が例
示される。前記光結合剤の屈折率は１．４〜１．５前後
の物を用い、表示パネル１２１もしくは１３１の対向電
極基板等ガラス基板との屈折率差は０．０５以内にする
ことが好ましい。

【０１１２】透明基板９３の無効表示面には黒色塗料１
２２が塗布されており、空気と透明基板９３の界面で反
射する光を吸収できるように構成されている。

【０１１３】透明板９３ｂと表示パネルの対向電極基板
あるいは透明基板９３ａと表示パネルのアレイ基板を加
えた中心厚ｔは、屈折率ｎ、液晶パネルの有効表示領域
の最大径をｄとしたとき、次式を満足するようにする。

【０１１４】

【数１４】

【０１１５】（数１４）を満足させなければならない理
由は特願平４−１４５２７７号明細書に記載しているの
で説明を省略する。なお、ガラス板の空気と接する面を
凹面にするつまり凹レンズ状にすることにより中心厚ｔ
を短くすることができる。この事項も特願平４−１４５
２７７号明細書に記載しているので説明を省略する。

【０１１６】以上のように、（数１４）に示されるよう
に、透明板９３の中心厚ｄを所定値以上にすること、あ
るいは透明基板９３の一面を凹面にすることにとによ
り、表示パネルの液晶層１５より発し、透明板９３と空
気との界面で反射する光は光吸収塗料１２２で吸収され
る。したがって、再び表示パネルの液晶層１５に戻って
くることはない。

【０１１７】なお、透明板９３を表示パネルに光結合剤
９２により接続するとしたが、これに限定するものでは
なく、表示パネルの対向電極基板あるいはアレイ基板の
厚みが（数１４）を満足するのであれば、透明基板９３
を用いる必要がないことは明かである。

【０１１８】（図９）に示すように入射光Ａは水滴状液
晶１７３にあたり散乱される。散乱された光Ａ₁は光入
射面９４ｂで反射し、黒色塗料１２２に入射して吸収さ
れる。従来の表示パネルのように透明基板９３がないと
対向電極基板１４と空気との界面で反射し、反射光Ａ₂
となり再び液晶層１５に入射する。これは液晶に電圧が
印加されていないオフ時の液晶層１５の輝度を上層させ
ることになり、表示コントラストを低下させる。（図
９）に示すように透明基板９３ｂを配置することにより
反射光Ａ₂はなくなる。したがって、第１の実施例に比
較して表示コントラストが低下する。

【０１１９】表示コントラストを低下させる原因にＴＦ
Ｔ１６のリークがある。これは、ＴＦＴ１６の半導体層
に光が入射し、前記光により励起されてホトコンダクタ
現象が生じることにより起因している。その防止をする
ため、本発明の透明型の表示パネルではＴＦＴ１６上に
遮光膜９１を形成している。しかし、これだけでは完全
でない。入射光Ｂが液晶層１５で散乱され、戻ってくる
場合があるからである。本発明の表示パネルでは、透明
基板９３ａを配置しているため散乱した光Ｂ₁となり透
明基板９３ａと空気の界面９４ａで反射し、黒色塗料１
２２に入射して吸収される。したがって、再びＴＦＴ１
６に戻ってくることはない。透明基板９３ａがないとア
レイ基板１３と空気の界面で反射し、反射光Ｂ₂となり
ＴＦＴ１６にもどってくる。したがって、従来の構成で
は反射光Ｂ₂によりＴＦＴのホトコンダクタ現象が発生
し、ＴＦＴ１６のリークが発生し表示コントラストは低
くなる。第２の実施例では完全に防止できるため、表示
コントラストは高くできる。

【０１２０】なお、第１および第２の実施例において、
アレイ基板１３側からみたブラックマトリックス５２は
鏡面性を有し、光を反射できるようにしておく。ブラッ
クマトリックス５２にあたった入射光は反射されるか
ら、表示パネルを加熱することがない。もし、光吸収薄
膜５３でブラックマトリックス５２の上下の位置を反転
させれば、光吸収薄膜５３が入射光を吸収し、表示パネ
ルを加熱して劣化させてしまう。

【０１２１】以下、図面を参照しながら本発明の投写型
表示装置について説明する。（図１４）は本発明の投写
型表示装置の一実施例の構成図である。ただし、説明に
不要な構成要素は省略している。（図１４）において、
１４１は集光光学系であり、内部に凹面鏡および光発生
手段としてのメタルハライドランプあるいはキセノンラ
ンプを配置している。前記ランプはアーク長ができるだ
け短いものを使用することが望ましい。一般的にキセノ
ンランプのアーク長は２ｍｍ以下であり、本発明の液晶
投写型テレビの用途として十分である。しかし、寿命が
短いという欠点がある。メタルハライドランプは２５０
Ｗクラスのもので、アーク長は６ｍｍ程度である。これ
はアーク長が長すぎ、好ましくない。アーク長は５ｍｍ
以下が好ましい。メタルハライドランプは消費電力が小
さいものであれば短アークのものが販売されている。一
例として岩崎電気株式会社より１２０Ｗでアーク長３ｍ
ｍ強のものがある。本発明の液晶投写型テレビではメタ
ルハライドランプを用い、そのランプのアーク長は５ｍ
ｍ以下のものを用いた。凹面鏡はランプのアーク長にあ
わせて適正値に設計する。また、投写レンズのＦ値も同
様である。一例としてアーク長が５ｍｍであれば投写レ
ンズのＦ値はＦ７程度にし、アーク長が４ｍｍであれば
投写レンズのＦ値はＦ８程度にし、３ｍｍであればＦ値
はＦ１０程度に設定する。

【０１２２】１４２は赤外線および紫外線を反射させて
有視光のみを透過させるＵＶＩＲカットフィルタであ
る。また、１４３ａはＢ光を反射させるダイクロイック
ミラー（以後、ＢＤＭと呼ぶ）、１４３ｂはＧ光を反射
させるダイクロイックミラー（以後、ＧＤＭと呼ぶ）、
１４３ｃはＲ光を反射させるダイクロイックミラー（以
後、ＲＤＭと呼ぶ）である。なお、ＢＤＭ１４３ａから
ＲＤＭ１４３ｃの配置は同図の順序に限定するものでは
ない。また、最後のＲＤＭ１４３ｃは全反射ミラーにお
きかえてもよいことは言うまでもない。

【０１２３】１４４は本発明の表示パネルである。本発
明の投写型表示装置では本発明の表示パネルをライトバ
ルブとして用いる。なお、Ｒ光を変調する表示パネルを
他の表示パネルに比較して水滴状液晶粒子径を大きく、
もしくは液晶膜厚を厚めにして構成する。これは光が長
波長になるほど散乱特性が低下しコントラストが低くな
ってしまうためである。水滴状液晶の粒子径は、重合さ
せるときの紫外線光を制御すること、あるいは使用材料
を変化させることにより制御できる。液晶膜厚は液晶層
１５のビーズ径を変化することにより調整できる。１４
５はレンズ、１４７は投写レンズ、１４６はしぼりとし
てのアパーチャである。なお、１４５、１４６および１
４７で投写光学系を構成している。なお、アパーチャ
は、投写型表示装置の動作の説明上図示したものであ
る。アパーチャは投写レンズの集光角を規定するもので
あるから、投写レンズの機能に含まれるものとして考え
ればよい。つまり、Ｆ値が大きければアパーチャの穴径
は小さいと考えることができる。高コントラスト表示を
得るためには投写レンズのＦ値は大きいほどよい。しか
し、大きくなると白表示の輝度は低下する。

【０１２４】以下、本発明の投写型表示装置の動作につ
いて説明する。なお、Ｒ、Ｇ、Ｂ光のそれぞれの変調系
については、ほぼ同一動作であるのでＢ光の変調系につ
いて例にあげて説明する。まず、集光光学系１４１から
白色光が照射され、この白色光のＢ光成分はＢＤＭ１４
３ａにより反射される。このＢ光は表示パネル１４４ａ
に入射する。表示パネル１４４ａは、（図１７（ａ）
（ｂ））に示すように画素電極に印加された信号により
入射した光の散乱と透過状態とを制御し光を変調する。

【０１２５】散乱した光はアパーチャ１４６ａで遮光さ
れ、逆に平行光または所定角度内の光はアパーチャ１４
６ａを通過する。変調された光は投写レンズ１４７ａに
よりスクリーン（図示せず）に拡大投映される。以上の
ようにして、スクリーンには画像のＢ光成分が表示され
る。同様に表示パネル１４４ｂはＧ光成分の光を変調
し、また、表示パネル１４４ｃはＲ光成分の光を変調し
て、スクリーン上にはカラー画像が表示される。なお、
表示パネル１４４に透明板が接着され、前記透明板の片
面が平凹レンズ形状の場合は、前記凹レンズの屈折を考
慮して投写光学系を構成する。

【０１２６】（図１４）は３つの投射レンズ１４７によ
りスクリーンに拡大投映画する方式であるが、一つの投
写レンズで拡大投映する方式もある。その構成図を（図
１５）に示す。１５７は本発明の表示パネルである。こ
こでは説明を容易にするため、１５７ＧをＧ光の映像を
表示する表示パネル、１５７ＲをＲ光の映像を表示する
表示パネル、１５７ＢをＢ光の映像を表示する表示パネ
ルとする。したがって、各ダイクロイックミラーを透過
および反射する波長は、ダイクロイックミラー１５５ａ
はＲ光を反射し、Ｇ光とＢ光を透過する。また、ダイク
ロイックミラー１５５ｂはＧ光を反射し、Ｒ光を透過さ
せる。また、ダイクロイックミラー１５５ｄはＢ光を反
射させ、Ｇ光およびＲ光を透過する。

【０１２７】メタルハライドランプ１５２から出射され
た光は全反射ミラー１５３ａにより反射され、光の方向
を変化させられる。次に前記光はＵＶＩＲカットフィル
タ１５４により、紫外線領域および赤外線領域の波長の
光がカットされる。紫外線および赤外線をカットされた
光はダイクロイックミラー１５５ａ、１５５ｂによりＲ
・Ｇ・Ｂ光の３つの波長領域の分離され、Ｒ光はフィー
ルドレンズ１５６Ｒに、Ｇ光はフィールドレンズ１５６
Ｇに、Ｂ光はフィールドレンズ１５６ｂに入射する。各
フィールドレンズ１５６は各光を集光し、表示パネル１
５７はそれぞれ映像信号に対応して液晶の配向を変化さ
せ、光を変調する。このように変調されたＲ・Ｇ・Ｂ光
はダイクロイックミラー１５７ｃ、１５７ｄにより合成
され、投映レンズ１５８によりスクリーンに拡大投映さ
れる。

【０１２８】一方、投写型表示装置を反射方式で構成し
た例が（図１６）である。ライトバルブとして、（図
１）に示す表示パネルあるいは（図１０）に示す表示パ
ネルを用いる。光源１６２はランプ１６２ａ、凹面鏡１
６２ｂ、フィルタ１６２ｃで構成される。ランプ１６２
ａはメタルハライドランプであり、凹面鏡１６２ｂはガ
ラス製で、反射面に可視光を反射し赤外光を反射する多
層膜を蒸着したものである。ランプ１６２ａからの放射
光に含まれる可視光は、凹面鏡１６２ｂの反射面により
反射する。凹面鏡１６２ｂから出射する反射光は、フィ
ルタ１６２ｃにより赤外線と紫外線とが除去されて出射
する。

【０１２９】投写レンズ１６１は、表示パネル１６５側
の第１レンズ群１６１ｂと、スクリーン側の第２レンズ
群１６１ａとで構成され、第１レンズ群１６１ｂと第２
レンズ群１６１ａとの間には平面ミラー１６３が配置さ
れている。表示パネル１６５の画面中心にある画素から
出射する散乱光は、第１レンズ群１６１ｂを透過した
後、約半分が平面ミラー１６３に入射し、残りが平面ミ
ラー１６３に入射せずに第２レンズ群１６１ａに入射す
る。平面ミラー１６３の反射面の放線は投写レンズ１６
１の光軸１６６に対して４５゜傾いている。

【０１３０】光源１６２からの光は平面ミラー１６３で
反射されて第１レンズ群１６１ｂを透過し、表示パネル
１６５に入射する。表示パネル１６５からの反射光は、
第１レンズ群１６１ｂ、第２レンズ群１６１ａの順に透
過してスクリーン１６７に到達する。投写レンズ１６１
の絞りの中心から出て表示パネル１６５に向かう光線
は、液晶層１５にほぼ垂直に入射するように、つまりテ
レセントリックとしている。ここでは説明を容易にする
ために、１６５ｂをＧ光を変調する表示パネル、１６５
ｃをＢ光を変調する表示パネル、１６５ａをＲ光を変調
する表示パネルであるとして説明する。

【０１３１】（図１６）において、１６４はダイクロイ
ックミラーであるが、これは色合成系と色分離系を兼用
している。光源からの出射された白色光は平面ミラー１
６３により折り曲げられ、投写レンズ１６１の第１群に
入射する。この際、フィルタ１６２ｃによって、不要な
Ｂ光およびＲ光はカットされる。フィルタ１６２ｃの帯
域は半値幅の値で４３０ｎｍ〜６９０ｎｍである。以
後、光の帯域を記述する際は半値幅で表現する。ダイク
ロイックミラー１６４ａはＧ光を反射し、Ｒ光およびＢ
光を透過させる。Ｇ光はダイクロイックミラー１６４ｃ
で帯域制限され、表示パネル１６４ｂに入射する。Ｇ光
の帯域は５１０〜５７０ｎｍにする。

【０１３２】一方、ダイクロイックミラー１６４ｂはＢ
光を反射し、Ｒ光を透過させる。Ｂ光は表示パネル１６
５ｃに、Ｒ光は表示パネル１６５ａに入射する。入射す
るＢ光の帯域は４３０ｎｍ〜４９０ｎｍ、Ｒ光の帯域は
６００ｎｍ〜６９０ｎｍである。表示パネルはそれぞれ
の映像信号に応じて散乱状態の変化として光学像が形成
する。表示パネルで形成された光学像はダイクロイック
ミラー１６４ａ、１６４ｂで色合成され、投写レンズ１
６１に入射し、スクリーン１６７上に拡大投写される。
なお、これらのＲ、Ｇ、Ｂ光の帯域は本発明の投写型表
示装置でほぼ共通の値である。

【０１３３】反射型の表示パネルを用いれば、透過型に
比較してコントラストも良好であり、画素開口率も高い
ので高輝度表示を行うことができる。その上、表示パネ
ルの裏面には障害物がないのでパネル冷却が容易であ
る。たとえば、裏面からの強制空冷冷を容易に行え、ま
た、裏面にヒートシンク等も容易に取り付けることがで
きる。

【０１３４】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ブラッ
クマトリックスの表面に光吸収薄膜を形成することによ
り、散乱時、液晶層で乱反射する光を吸収することがで
き、表示パネルのコントラストを向上することができ
る。また、（図１２）、（図１３）および段落０１１
１、０１１５などで説明したように、表示パネルの光入
射面などに光透過性を有し、厚みのあるガラス板を配置
することによりＴＦＴに光が照射されることがなくな
り、ＴＦＴのホトコンダクタ現象の発生を防止すること
ができる。また、表示コントラストも向上できる。さら
に表示パネルの表面で反射し、液晶層に再び戻る光の位
置を分散することができるから、ゴースト等を防止でき
る。また、ガラス板は厚みを有するため、ガラス板の表
面にゴミなどが付着しても、このゴミは投写光学系の結
像位置から離れているため、スクリーン上の結像するこ
とがない。したがって、従来の投写型表示装置では、表
示パネルの表面にゴミが付着し、このゴミがスクリーン
に投影されるという問題点があったが、本願発明ではこ
の問題がなく、高品位表示を実現できる。

【０１３５】また、高分子分散液晶を用いることによ
り、偏光板が不要となり、ＴＮ液晶表示パネルに比較し
て３倍以上の高輝度表示が実現できる。これは光利用効
率を向上できることのみならず、光が熱に変換されるこ
とを大幅に減少でき、加熱によるパネルの性能劣化を引
き起こすことがなくなることを意味する。これは、投写
型表示装置のように一枚の表示パネルに入射する光の強
さが数万ルクスと大きい場合に、非常に有効である。

【０１３６】また、本発明の投写型表示装置では、本発
明の表示パネルをライトバルブとして用いているため、
高輝度表示を実現でき、２００インチ以上の大画面化に
も対応できる。また、変調する光の波長に応じて、表示
パネルの液晶膜厚、水滴状液晶の平均粒子径を適正にし
ているので、ホワイトバランスおよびコントラストが良
好な画像表示を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の表示パネルの断面図

【図２】本発明の表示パネルの平面図

【図３】本発明の表示パネルの説明図

【図４】本発明の表示パネルの説明図

【図５】本発明の他の実施例における表示パネルの断面
図

【図６】本発明の表示パネルの説明図

【図７】本発明の表示パネルの説明図

【図８】本発明の表示パネルの説明図

【図９】本発明の表示パネルの説明図

【図１０】本発明の他の実施例における表示パネルの構
成図

【図１１】本発明の表示パネルの一部平面図

【図１２】本発明の表示パネルの他の実施例の構成図

【図１３】本発明の他の実施例における表示パネルの構
成図

【図１４】本発明の投写型表示装置の一実施例における
構成図

【図１５】本発明の他の実施例における投写型表示装置
の構成図

【図１６】本発明の他の実施例における投写型表示装置
の構成図

【図１７】高分子分散液晶の動作の説明図

【図１８】本発明の投写型表示装置の説明図

【図１９】本発明の投写型表示装置の説明図

【図２０】本発明の投写型表示装置の説明図

【符号の説明】

１１、１２ 反射防止膜 １２、２５、１７１ 対向電極 １３ アレイ基板 １４ 対向基板 １５ 液晶層 １６ ＴＦＴ １７ 絶縁層 １８ 反射電極 １９ 接続部 ２０ 光吸収膜 ２３ ソース信号線 ５１ 画素電極 ５２ ブラックマトリックス ５３ａ、５３ｂ 光吸収膜 ９１ 遮光膜 ９２ａ、９２ｂ オプティカルカップリング剤 ９３ａ、９３ｂ 透明板 ９４ａ、９４ｂ 界面 １０１ 光吸収膜 １０２ 基板 １０３、１０７ 透明電極 １０４ 光導電層 １０５ 遮光膜 １０６ 誘電体ミラー １０８ ガラス基板 １２１ 液晶パネル １２２ 黒色塗料 １４１、１５２ 集光光学系 １４２、１５４、１６２ｃ ＵＶＩＲカットフィルタ １４３ａ、１４３ｂ、１４３ｃ、１５５ａ、１５５ｂ、
１５５ｃ、１６４ａ、１６４ｂ、１６４ｃ ダイクロイ
ックミラー １４４ａ、１４４ｂ、１４４ｃ、１５７Ｒ、１５７Ｇ、
１５７Ｂ、１６５ａ、１６５ｂ、１６５ｃ 液晶パネル １４５ａ、１４５ｂ、１４５ｃ レンズ １４６ａ、１４６ｂ、１４６ｃ アパーチャ １４７ａ、１４７ｂ、１４７ｃ、１５８、１６１ 投写
レンズ １５３ａ、１５３ｂ、１５３ｃ、１６３ ミラー １５６Ｒ、１５６Ｇ、１５７Ｂ フィールドレンズ １６２ａ メタルハライドランプ １６２ｂ 凹面鏡 １７２ 画素電極 １７３ 水滴状液晶 １７４ ポリマー

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−195381（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−20779（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−202435（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−98021（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−168423（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−285302（ＪＰ，Ａ) 特開 昭47−20224（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−241312（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−211528（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−303821（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−146926（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−144323（ＪＰ，Ａ) 実開 平３−66276（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/1335 G02F 1/13 505 G02F 1/1334 G02F 1/1368

Claims (12)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】少なくとも一方が光透過性を有する第１お
   よび第２の基板と、前記第１および第２の基板間に挟持
   された、光散乱状態の変化として光学像を形成する光変
   調層と、 前記第１の基板と第２の基板のうち少なくとも一方の基
   板上で、かつ前記光変調層と接する面に形成された光吸
   収膜とを具備し、 前記光吸収膜は樹脂材料から構成され、前記樹脂中に色
   素または染料を含有し、前記色素または染料は、光変調
   層が変調する光の色に対して補色の関係にあることを 特
   徴とする表示パネル。
2. 【請求項２】光透過性を有する第１の電極が形成された
   第１の基板と、 マトリックス状に配置された反射電極を有する第２の基
   板と、 前記第１の電極と前記反射電極間に挟持された高分子分
   散液晶層と、 隣接した反射電極間に形成された光吸収膜を具備し、 前記光吸収膜は樹脂材料から構成され、前記樹脂中に色
   素または染料を含有し、前記色素または染料は、光変調
   層が変調する光の色に対して補色の関係にあることを 特
   徴とする表示パネル。
3. 【請求項３】多層膜が形成された第１の基板と、 マトリックス状に配置された画素電極を有する第２の基
   板と、 前記多層膜と前記画素電極間に挟持された液晶層とを具
   備し、 前記多層膜は、少なくとも第１の誘電体薄膜とＩＴＯ薄
   膜から構成され、前記第１の誘電体薄膜の屈折率ｎ1は
   １．６以上１．８以下であり、かつ前記第１の誘電体薄
   膜の光学的膜厚が略λ／４（λは光の設計主波長）であ
   り、前記ＩＴＯ薄膜の屈折率ｎ2は１．８以上２．０以
   下であり、かつ前記ＩＴＯ薄膜の光学的膜厚が略λ／４
   またはλ／２であり、電界を印加していない時の液晶層
   の屈折率をｎ3としたとき、ｎ2＞ｎ1＞ｎ3なる関係があ
   ることを特徴とする表示パネル。
4. 【請求項４】前記第１の誘電体薄膜は、三酸化二アルミ
   ニウム（Ａｌ2Ｏ3）、三酸化二イットリウム（Ｙ2Ｏ
   3）、一酸化シリコン（ＳｉＯ）、三酸化タングステン
   （ＷＯ3）、三弗化セリウム（ＣｅＦ3）、酸化マグネシ
   ウム（ＭｇＯ）、二弗化鉛（ＰｂＦ2）のいずれかの薄
   膜であることを特徴とする請求項３記載の表示パネル。
5. 【請求項５】光反射防止機能を有するように多層膜が形
   成された第１の基板と、 マトリックス状に配置された反射電極を有する第２の基
   板と、 前記第１の基板と第２の基板間に挟持された液晶層と、 前記反射電極間からの光の進入を阻止する、前記反射電
   極間に配置または構成された遮光膜とを具備し、 前記多層膜は、少なくとも第１の誘電体薄膜とＩＴＯ薄
   膜から構成され、前記第１の誘電体薄膜の屈折率ｎ1は
   １．６以上１．８以下であり、かつ前記第１の誘電体薄
   膜の光学的膜厚が略λ／４（λは光の設計主波長）であ
   り、前記ＩＴＯ薄膜の屈折率ｎ2は１．８以上２．０以
   下であり、かつ前記ＩＴＯ薄膜の光学的膜厚が略λ／４
   またはλ／２であり、電界を印加していない時の液晶層
   の屈折率をｎ3としたとき、ｎ2＞ｎ1＞ｎ3なる関係があ
   ることを 特徴とする表示パネル。
6. 【請求項６】前記遮光膜は、ＰｒＭｎＯ3膜またはフタ
   ロシアニン膜から構成されていることを特徴とする請求
   項５記載の表示パネル。
7. 【請求項７】前記遮光膜は、フルオラン系色素または配
   向ブラックを含有する樹脂から構成されていることを特
   徴とする請求項５記載の表示パネル。
8. 【請求項８】光透過性を有する第１の電極が形成された
   第１の基板と、 第２の電極、光導電層、光遮光層、誘電体薄膜からなる
   光反射層が、積層された第２の基板と、 前記第１の電極と前記光反射層間に挟持された液晶層
   と、 前記第１の電極上と前記光反射層のうち少なくとも一方
   が前記液晶層に対面する面に形成された光吸収膜とを具
   備することを特徴とする表示パネル。
9. 【請求項９】前記光吸収膜は、略ストライプ状に形成さ
   れ、かつ、前記液晶層が変調する光を吸収する色素また
   は染料を含有していることを特徴とする請求項８記載の
   表示パネル。
10. 【請求項１０】アーク放電ランプを有する光発生手段
    と、 前記光発生手段が放射する光を変調する請求項１から請
    求項９のいずれかに記載の表示パネルと、 前記表示パネルが変調して光を投写する投写手段とを具
    備し、 前記表示パネルの光入射面と光出射面の少なくとも一方
    に、光透過性を有し厚みのある透明板または透明樹脂が
    光結合剤を介して接続されていることを特徴とする投写
    型表示装置。
11. 【請求項１１】光発生手段と、 前記光発生手段が放射する光を赤色光の第１の光路と、
    緑色光の第２の光路と、青色光の第３の光路とに分離す
    る光分離手段と、 前記第１の光路と第２の光路と第３の光路のそれぞれの
    光路に配置された請求項１から請求項９のいずれかに記
    載の表示パネルと、 前記表示パネルが変調した光を投写する投写手段とを具
    備し、 前記表示パネルは高分子分散液晶表示パネルであり、 第１の光路に配置された赤色光を変調する表示パネルの
    液晶層の水滴状液晶の平均粒子径またはポリマーネット
    ワークの平均孔径が、青色光を変調する表示パネルのそ
    れよりも大きいことを特徴とする投写型表示装置。
12. 【請求項１２】アーク放電ランプを有する光発生手段
    と、 前記光発生手段が放射する光を赤色光の第１の光路と、
    緑色光の第２の光路と、青色光の第３の光路とに分離す
    る光分離手段と、 前記第１の光路と前記第２の光路と前記第３の光路のそ
    れぞれの光路に配置された請求項１から請求項９のいず
    れかに記載の表示パネルと、 前記表示パネルが変調した光を投写する投写レンズとを
    具備し、 前記表示パネルの光入射面と光出射面の少なくとも一方
    に、光透過性を有し厚みのある透明板または透明樹脂が
    接着されていることを特徴とする投写型表示装置。