JP3102431B1 - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

【要約】 【課題】 長時間放置しても、良好なオーバーライト特
性がえられ、なおかつ、バースト欠陥の発生や記録マー
クの消失がない、保存耐久性に優れた書換可能相変化光
記録媒体の提供。 【解決手段】 基板上に第１誘電体層、記録層、第２誘
電体層、反射層をこの順に備えた光記録媒体において、
記録層と第１誘電体層の間に記録層と接するように、炭
素を主成分とする層を設けるとともに、記録層が下記式
（Ｉ） ｛（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）_x（Ｓｂ_0.4Ｔｅ_0.6）_1-x｝_1-y-zＳｂ_yＡ_z （Ｉ） （ここで、Ａは、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅを除く元素周期律表
における第２周期から第６周期の３Ａ族から６Ｂ族に属
する元素を示し、ｘ、ｙ、ｚは数を示し、かつ次の関係
式を満たす。 ０．２≦ｘ≦０．８、０．０１≦ｙ≦０．０８、ｚ＝０ もしくは、０．２≦ｘ≦０．８、０≦ｙ≦０．０８、０
＜ｚ≦０．２）からなり、かつ記録層の厚さが７ｎｍ以
上３５ｎｍ以下であることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光の照射により、
情報の記録、消去、再生が可能である光情報記録媒体に
関するものである。特に、本発明は、記録情報の消去、
書換機能を有し、情報信号を高速かつ、高密度に記録可
能な光ディスク、光カード、光テープなどの書換可能相
変化型光記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の書換可能相変化型光記録媒体の技
術は、以下のごときものである。これらの光記録媒体
は、テルルなどを主成分とする記録層を有し、記録時
は、結晶状態の記録層に集束したレーザー光パルスを短
時間照射し、記録層を部分的に溶融する。溶融した部分
は熱拡散により急冷され、固化し、アモルファス状態の
記録マークが形成される。この記録マークの光線反射率
は、結晶状態より低く、光学的に記録信号として再生可
能である。また、消去時には、記録マーク部分にレーザ
ー光を照射し、記録層の融点以下、結晶化温度以上の温
度に加熱することによって、アモルファス状態の記録マ
ークを結晶化し、もとの未記録状態にもどす。

【０００３】これら書換可能相変化型光記録媒体の記録
層の材料としては、Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ ₅などの合金（N.Yam
ada et al. Proc. Int. Symp. on Optical Memory 1987
p61-66）が知られている。これらＴｅ合金を記録層と
した光記録媒体では、結晶化速度が速く、照射パワーを
変調するだけで、円形の１ビームによる高速のオーバー
ライトが可能である。

【０００４】この記録層を、利用した光記録媒体とし
て、例えば、ポリカーボネート樹脂などで成形された透
明な基板の上に、第１誘電体層／記録層／第２誘電体層
／金属反射層の順に設けた４層構成がある。誘電体層の
役割は、記録時に記録層に変形、開口が発生することを
防ぐことであり、また、反射層の役割は、光学的な干渉
効果により再生時の信号コントラストを改善することで
ある。

【０００５】この書換可能相変化型光記録媒体における
課題は、以下のようなものである。すなわち、従来のデ
ィスク構造では、繰り返しオーバーライトに伴い、再生
信号振幅の低下（コントラストの低下）が生じ、ジッタ
特性が悪化する問題点があった。保護膜のクラックの成
長によるバースト欠陥が生じることもある。

【０００６】また、従来の構成では、以下のような問題
もあった。まず、記録したディスクを長時間放置すると
（以降、アーカイバルと呼ぶ）記録マークが消失した
り、誘電体層が記録層と剥離し、バースト欠陥が生じた
りすることがあった。また、すでに信号が記録してある
ディスクを長時間放置した後に、信号の記録してあるト
ラックにオーバーライトを行うと（以降、オーバーライ
トシェルフと呼ぶ）、ジッタ特性が悪化し、エラーとな
ってしまう問題があった。このため、ディスクの保存耐
久性に問題があった。

【０００７】上記の問題点は、従来のピットポジション
記録にかわり高密度記録であるマーク長記録を行う場合
に、特に顕著になる。

【０００８】たとえば、記録層に接するように炭素を配
置した構造については、国際公開ＷＯ９６／１７３４４
号明細書に開示してある。この内容は、第２誘電体層に
炭素や、炭素に金属または半金属を添加したものであ
る。こうすることにより、記録層における結晶状態での
光吸収量を非晶状態の光吸収量より大きくし、記録マー
クの大きさのばらつきを小さくするというものである。
しかし、このディスク構成では、上記の繰り返しオーバ
ーライト特性、および保存耐久性について十分でないと
いう問題点があった。

【０００９】特開平３−１００９３６号公報は、基板／
誘電体層／記録層／炭素層／誘電体層の順に積層した光
記録媒体に関するものである。炭素層が光吸収性を持つ
ために、ディスクを高感度化できるというものである。
しかし、この構成では、上記の繰り返しオーバーライト
特性、保存耐久性についての問題を解決できないという
問題点があった。

【００１０】特開平２−１３９２８３号公報には、基板
／透明体層（ＺｎＳまたはＺｎＳ・Ｃ）／炭素層（１０
ｎｍ以下）／記録層（組成：Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅、厚み：
６０ｎｍ）／炭素層（１０ｎｍ以下）／透明体層／反射
層という光記録媒体を開示している。しかし、この構成
では、高密度記録であるエッジ記録を行った場合、繰り
返しオーバーライト特性、および保存耐久性が十分でな
いといった問題点があった。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ジッ
タ特性の悪化、コントラストの低下、バースト欠陥の発
生などの、繰り返しオーバーライトによる劣化が少ない
書換可能相変化型光記録媒体を提供することにある。さ
らには、アーカイバル、オーバーライトシェルフ特性に
優れた書換可能相変化型光記録媒体を提供することにあ
る。

【００１２】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の第１
発明は光を照射することによって、情報の記録、消去、
再生が可能であって、情報の記録および消去が、非晶相
と結晶相の間の可逆的な相変化により行われ、少なくと
も基板上に第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、反射
層をこの順に備えた光記録媒体において、記録層と第１
誘電体層の間に記録層と接するように、炭素を主成分と
する層を設けるとともに、前記記録層が下記式（Ｉ） ｛（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）_x（Ｓｂ_0.4Ｔｅ_0.6）_1-x｝_1-y-zＳｂ_yＡ_z （Ｉ） （ここで、Ａは、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅを除く元素周期律表
における第２周期から第６周期の３Ａ族から６Ｂ族に属
する元素を示し、ｘ、ｙ、ｚは数を示し、かつ次の関係
式を満たす。 ０．２≦ｘ≦０．８、０．０１≦ｙ≦０．０８、ｚ＝０ もしくは、０．２≦ｘ≦０．８、０≦ｙ≦０．０８、０
＜ｚ≦０．２）からなることを特徴とする光記録媒体で
ある。

【００１３】また、本発明の第２発明は光を照射するこ
とによって、情報の記録、消去、再生が可能であって、
情報の記録および消去が、非晶相と結晶相の間の可逆的
な相変化により行われ、少なくとも基板上に第１誘電体
層、記録層、第２誘電体層、反射層をこの順に備えた光
記録媒体において、記録層と第１誘電体層の間に記録層
と接するように、炭素を主成分とする層を設けるととも
に、記録層と第２誘電体層の間に炭素を主成分とする
層、炭素と酸素を主成分とする層、炭素と窒素を主成分
とする層、炭素と酸素と窒素を主成分とする層から選ば
れた層を設け、さらに、前記記録層が下記式（ＩＩ） ｛（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）_x（Ｓｂ_0.4Ｔｅ_0.6）_1-x｝_1-y-zＳｂ_yＡ_z （ＩＩ） （ここで、Ａは、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅを除く元素周期律表
における第２周期から第６周期の３Ａ族から６Ｂ族に属
する元素を示し、ｘ、ｙ、ｚは数を示し、かつ次の関係
式を満たす。 ０．２≦ｘ≦０．９５、０．０１≦ｙ≦０．０８、ｚ＝
０ もしくは、０．２≦ｘ≦０．９５、０≦ｙ≦０．０８、
０＜ｚ≦０．２）からなることを特徴とする光記録媒体
である。

【００１４】また、本発明の第３発明は、光を照射する
ことによって、情報の記録、消去、再生が可能であっ
て、情報の記録および消去が、非晶相と結晶相の間の可
逆的な相変化により行われ、少なくとも基板上に第１誘
電体層、記録層、第２誘電体層、反射層をこの順に備え
た光記録媒体において、記録層と第１誘電体層の間に記
録層と接するように、炭素を主成分とする層を設けると
ともに、記録層と第２誘電体層の間に窒化ゲルマニウム
を主成分とする層から選ばれた層を設け、さらに、前記
記録層が下記式（ＩＩＩ） ｛（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）_x（Ｓｂ_0.4Ｔｅ_0.6）_1-x｝_1-y-zＳｂ_yＡ_z （ＩＩＩ） （ここで、Ａは、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅを除く元素周期律表
における第２周期から第６周期の３Ａ族から６Ｂ族に属
する元素を示し、ｘ、ｙ、ｚは数を示し、かつ次の関係
式を満たす。 ０．２≦ｘ≦０．９５、０．０１≦ｙ≦０．０８、ｚ＝
０ もしくは、０．２≦ｘ≦０．９５、０≦ｙ≦０．０８、
０＜ｚ≦０．２）からなり、かつ記録層の厚さが７ｎｍ
以上、３５ｎｍ以下であることを特徴とする光記録媒体
である。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明が解決しようとする課題で
ある繰り返しオーバーライトによる劣化、すなわちジッ
タ特性の悪化、、コントラストの低下の原因は、第１誘
電体層の成分が繰り返しオーバーライトすることによ
り、記録層へ染み出してくるものであると考えられてい
る。また、オーバーライトシェルフにより、ジッタ特性
が劣化する直接の原因は、消去特性が劣化するためであ
る。この消去特性が劣化する原因は、記録マーク（非晶
相）を長時間放置することにより、原子配列などの状態
が変化するか、もしくは、誘電体層と記録層が反応する
などの理由が考えられる。

【００１６】本発明者らは、鋭意研究を行うことによ
り、炭素層を第１誘電体層と記録層の間に設けると、繰
り返しオーバーライトによる劣化を改良でき、さらに、
オーバーライトシェルフによるジッタ特性の悪化を改良
できることを見出した。

【００１７】すなわち、本発明における光記録媒体の構
成部材の代表的な層構成は、透明基板上に第１誘電体
層、炭素層、記録層、第２誘電体層、反射層の順に積層
したもの、もしくは、第１誘電体層、炭素層、記録層、
炭素層、第２誘電体層、反射層の順に積層したものであ
る。但しこれに限定するものではない。

【００１８】以下に順をおって説明する。第１誘電体層
の材質として好適なものは、ＺｎＳとＳｉＯ₂の混合物
からなる膜である。この材料は、残留応力が小さいた
め、繰り返しオーバーライトによるバースト劣化などが
起きにくい。この材料において、ＳｉＯ₂のｍｏｌ比の
好ましい範囲は１０ｍｏｌ％以上、３０ｍｏｌ％以下で
ある。特に好ましい範囲は、１５ｍｏｌ％以上２５ｍｏ
ｌ％以下である。また、ＺｎＳとＳｉＯ₂ と炭素の混合
物は、膜の残留応力がさらに小さいこと、記録、消去の
繰り返しによっても、記録感度、キャリア対ノイズ比
（Ｃ／Ｎ）、消去率などの劣化が起きにくいことからも
特に好ましい。膜の厚さは光学的な条件により決められ
るが、５〜５００ｎｍが好ましい。これより厚いと、ク
ラックなどが生じることがあり、これより薄いと、オー
バーライトの繰り返しにより基板が熱ダメージを受けや
すく、繰り返し特性が劣化することがある。膜の厚さの
特に好ましい範囲は１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であ
る。

【００１９】本発明では、上記の第１誘電体層と下記す
る記録層の間に炭素を主成分とする膜を設ける必要があ
る。本発明において主成分とするとは、その成分が膜中
に存在する他のどの成分よりも多量に存在することをい
う。これを設けることによって、オーバーライトの繰り
返しによるジッタの悪化、再生信号の振幅の低下を防ぐ
ことができる。この原因としては、これらの膜が、第１
誘電体層から記録層への第１誘電体層構成成分の拡散を
防ぐ、バリア層の役割を果たしているものであると考え
られる。さらには、炭素を主成分とする膜を設けること
によって、オーバーライトシェルフによるジッタ特性の
悪化を改良できる。この原因は、長時間放置しても、記
録層における原子配列などの状態の変化や、誘電体層と
記録層の反応を防げるからではないかと推定される。

【００２０】この、炭素膜の厚さとしては、第１誘電体
層から剥離し難いこと、また光学的な条件から、０．５
ｎｍ以上１０ｎｍ以下が好ましい。厚さが、１０ｎｍを
越えると、第１誘電体層や記録層と剥離しやすい。ま
た、０．５ｎｍ未満では、均一の厚さに蒸着することが
困難であり、かつ炭素膜を設けた効果が得られないこと
がある。炭素膜の蒸着速度などを鑑みると、０．５ｎｍ
以上５ｎｍ以下が特に好ましい。０．５ｎｍ以上４ｎｍ
以下であることが、繰り返し特性の点からさらにより好
ましい。

【００２１】繰り返し特性の点から、炭素層の膜厚に好
ましい範囲が存在することの理由、メカニズムは下述の
ようなことと考えられる。

【００２２】図１、２はそれぞれ二つの積層試料、すな
わち、Ｎｏ．Ａ：Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ（７ｎｍ）／Ｃ（２
ｎｍ）／ＺｎＳ−ＳｉＯ₂（９３ｎｍ）／基板（図１）
と、Ｎｏ．Ｂ：Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ（７ｎｍ）／Ｃ（５ｎ
ｍ）／ＺｎＳ−ＳｉＯ₂（９３ｎｍ）／基板（図２）、
のオージェ電子分光法（装置にはＰＥＲＫＩＮ ＥＬＭ
ＥＲ社製の”ＰＨＩ−６７０”を使用）により測定した
デプス・プロファイルのチャートである。横軸はＡｒイ
オンを照射しスパッタエッチングしながら表面から試料
を掘り進んでいった時間を表しており、試料表面からの
深さ、言い換えれば層の厚さに対応するもので、縦軸は
それぞれの元素から検出されるオージェ電子のピーク強
度に対応するものである。すなわち、表面からの厚さに
対応して存在する元素の比率を表したものである。図３
は、Ｎｏ．Ａ試料がＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ層と炭素層の境
界、炭素層の厚さ方向の中央、炭素層とＺｎＳ−ＳｉＯ
₂層の境界に該当するスパッタ時間１．０分、１．８
分、３．２分での炭素のKLLオージェ電子スペクトルの
チャートであり、図４は、Ｎｏ．Ｂ試料がＧｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ層と炭素層の境界、炭素層の厚さ方向の中央、炭素
層とＺｎＳ−ＳｉＯ₂層の境界に該当するスパッタ時間
１．４分、３．８分、６．４分での炭素のKLLオージェ
電子スペクトルのチャートである。図３、図４ともそれ
ぞれの３つのスペクトルの形状が異なっていることがわ
かる。それぞれの図の炭素層の厚さ方向の中央からのス
ペクトルはグラファイトのものと同定される。炭素層と
ＺｎＳ−ＳｉＯ₂層の境界からのスペクトルにはカーバ
イドに由来するとされるショルダーピークが２６６ｅＶ
付近に認められ、炭素がＺｎＳ−ＳｉＯ₂層と化学結合
していることがわかる。Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ層と炭素層の
境界からのスペクトルは、炭素層の中央からのスペクト
ルと炭素層とＺｎＳ−ＳｉＯ₂層の境界からのスペクト
ルの中間的なものになっており、炭素とＧｅ−Ｓｂ−Ｔ
ｅとの間に化学結合に近い相互作用が存在することがわ
かる。図５、６は図１、２の各々の炭素のスペクトル
を、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ層と炭素層の境界からのスペクト
ル、炭素層の厚さ方向の中央からのスペクトル、炭素層
とＺｎＳ−ＳｉＯ₂層の境界からのスペクトルの３成分
に分解したチャートを示す。図５と図６の比較から、炭
素層が厚いＮｏ．Ｂの試料は、Ｎｏ．Ａの試料に比べて
炭素層の中央からのスペクトルの成分、すなわちグラフ
ァイト成分の層が主に厚くなっていることがわかる。

【００２３】上記の結果から、炭素層は接しているＧｅ
−Ｓｂ−Ｔｅ記録層とＺｎＳ−ＳｉＯ₂誘電体層と化学
結合やそれに近い相互作用により比較的強固に結合して
いるため、繰り返し記録時に界面で剥離などが起きにく
いと考えられる。しかし、炭素層の厚さが厚くなると厚
さ方向の中央付近に存在する強度の弱いグラファイト成
分層が厚くなるため、繰り返し時にこの部分の破壊が起
きやすくバーストエラーが発生し易くなると考えられ
る。

【００２４】炭素層がＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層とＺｎＳ
−ＳｉＯ₂誘電体層と比較的強固に結合しているため、
長期保存時の層間剥離が発生しにくくなっており、この
ことは長期保存安定性を高めることにも寄与していると
考えられる。

【００２５】炭素膜をスパッタで成膜する際には、導入
ガスは、Ａｒガスなどの希ガスだけでなく、水素を混ぜ
ても良い。また、他の材料を混合しても良いが、良好な
特性を得るためには炭素を６０ｍｏｌ％以上の割合で含
んでいることが好ましい。

【００２６】本発明の第１発明において、第１保護層と
記録層の間のみに炭素を主成分とする層を設ける場合に
は、記録層の組成は、下記式（Ｉ）の範囲にあることが
必要である。 ｛（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）_x（Ｓｂ_0.4Ｔｅ_0.6）_1-x｝_1-y-zＳｂ_yＡ_z （Ｉ） ここで、Ａは、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅを除く元素周期律表に
おける第２周期から第６周期の３Ａ族から６Ｂ族に属す
る元素すなわち、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、
Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、
Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃ
ｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｉｒ、
Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｐｂから選ばれた少なくとも一種を
示し、ｘ、ｙ、ｚは数を示し、かつ次の関係式を満た
す。

【００２７】 ０．２≦ｘ≦０．８、０．０１≦ｙ≦０．０８、ｚ＝０ もしくは、０．２≦ｘ≦０．８、０≦ｙ≦０．０８、０
＜ｚ≦０．２。

【００２８】ｘ＜０．２では、結晶相と非晶相でのコン
トラストが小さくなり過ぎ、十分な信号強度を得られ
ず、ｘ＞０．８の場合は、結晶化速度が遅くなり、消去
特性が悪化し、線速５ｍ／ｓ以上かつ最短マーク長０．
７μｍ以下の条件で、ダイレクトオーバーライトが困難
になる。

【００２９】ｚ＝０かつ、ｙ＜０．０１の場合は、アモ
ルファスの安定性が低く、アーカイバル特性が悪くな
る。ｙ＞０．０８の場合、初期の消去特性が悪くなった
り、オーバーライトシェルフが悪くなる。ｚ＞０．２の
場合、結晶化速度が遅くなり、消去特性が悪化し、線速
５ｍ／ｓ以上かつ最短マーク長０．７μｍ以下の条件
で、ダイレクトオーバーライトが困難になったり、相分
離により繰り返し特性が大きく劣化したり、オーバーラ
イトシェルフが悪くなり、ｙ＝０で、ｚ＝０の場合はア
モルファスの安定性が低く、アーカイバル特性が悪くな
る。

【００３０】本発明の第２発明において、記録層の基板
側に炭素を主成分とする膜を用い、さらに記録層の反射
層側に炭素や、炭素と酸素、炭素と窒素、あるいは、炭
素と窒素と酸素を主成分とした膜のいずれかを用いる場
合は、記録層の結晶化速度がより速くなるので、必要な
組成範囲が、下記式（ＩＩ）の範囲となる。 ｛（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）_x（Ｓｂ_0.4Ｔｅ_0.6）_1-x｝_1-y-zＳｂ_yＡ_z （ＩＩ） ここで、Ａは、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅを除く元素周期律表に
おける第２周期から第６周期の３Ａ族から６Ｂ族に属す
る元素、すなわち、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇ
ｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、
Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｉ
ｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｐｂから選ばれた少なくとも一
種を示し、ｘ、ｙ、ｚは数を示し、かつ次の関係式を満
たす。

【００３１】０．２≦ｘ≦０．９５、０．０１≦ｙ≦
０．０８、ｚ＝０ もしくは、０．２≦ｘ≦０．９５、０≦ｙ≦０．０８、
０＜ｚ≦０．２。

【００３２】ｘ＜０．２では、コントラストが小さくな
り過ぎ、十分な信号強度を得られず、ｘ＞０．９５の場
合は、結晶化速度が遅くなり、消去特性が悪化し、線速
５ｍ／ｓ以上かつ最短マーク長０．７μｍ以下の条件
で、ダイレクトオーバーライトが困難になる。ｚ＝０か
つ、ｙ＜０．０１の場合は、アモルファスの安定性が低
く、アーカイバル特性が悪くなる。ｙ＞０．０８の場
合、長期保存後のオーバーライトが困難になる。ｚ＝０
の時、ｙの範囲は、０．０２≦ｙ≦０．０８である。ｚ
＞０．２の場合、結晶化速度が遅くなり、消去特性が悪
化し、線速５ｍ／ｓ以上かつ最短マーク長０．７μｍ以
下の条件でダイレクトオーバーライトが困難になる。

【００３３】本発明の第３発明において記録層の基板側
に炭素を主成分とする膜を用い、さらに記録層の反射層
側に窒化ゲルマニウムを主成分とした膜のいずれかを用
いる場合も、記録層の結晶化速度がより速くなるので、
必要な組成範囲が、下記式（ＩＩＩ）の範囲となる。 ｛（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）_x（Ｓｂ_0.4Ｔｅ_0.6）_1-x｝_1-y-zＳｂ_yＡ_z （ＩＩＩ） ここで、Ａは、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅを除く元素周期律表に
おける第２周期から第６周期の３Ａ族から６Ｂ族に属す
る元素、すなわち、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇ
ｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、
Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｉ
ｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｐｂから選ばれた少なくとも一
種を示し、ｘ、ｙ、ｚは数を示し、かつ次の関係式を満
たす。

【００３４】０．２≦ｘ≦０．９５、０．０１≦ｙ≦
０．０８、ｚ＝０ もしくは、０．２≦ｘ≦０．９５、０≦ｙ≦０．０８、
０＜ｚ≦０．２。

【００３５】ｘ＜０．２では、コントラストが小さくな
り過ぎ、十分な信号強度を得られず、ｘ＞０．９５の場
合は、結晶化速度が遅くなり、消去特性が悪化し、線速
５ｍ／ｓ以上かつ最短マーク長０．７μｍ以下の条件
で、ダイレクトオーバーライトが困難になる。ｚ＝０か
つ、ｙ＜０．０１の場合は、アモルファスの安定性が低
く、アーカイバル特性が悪くなる。ｙ＞０．０８の場
合、長期保存後のオーバーライトが困難になる。ｚ＝０
の時、ｙの好ましい範囲は、０．０２≦ｙ０．０８であ
る。ｚ＞０．２の場合、結晶化速度が遅くなり、消去特
性が悪化し、線速５ｍ／ｓ以上かつ最短マーク長０．７
μｍ以下の条件でダイレクトオーバーライトが困難にな
る。

【００３６】また、上記記録層組成範囲と記録特性の関
係は、DVD Specifications for Rewritable Disc/ Part
1.Physical Specifications Ver. 1.0に記載されてい
る規格に則ったディスク及び評価方法に於いて、上記の
傾向がより明瞭に現れる。

【００３７】本発明の記録層の厚さとしては、５ｎｍ以
上４０ｎｍ以下であることが好ましい。記録層の厚さが
上記よりも薄い場合は、結晶部とアモルファス部のコン
トラストが十分に取れなかったり、繰返しオーバーライ
トによる記録特性の劣化が著しい。また、記録層の厚さ
が上記よりも厚い場合は、繰返しオーバーライトによる
記録層の移動が起りやすくジッタの悪化が激しくなる。
特に、マーク長記録を採用する場合は、ピットポジショ
ン記録の場合に比べ、記録、消去による記録層の移動が
起こりやすく、これを防ぐため、記録時の記録層の冷却
をより大きくする必要があり、記録層の厚さは、７ｎｍ
〜３５ｎｍの範囲となる。より好ましくは７ｎｍ〜２５
ｎｍである。

【００３８】本発明の第２誘電体層の材質は、第１誘電
体層の材料としてあげたものと同様のものでも良いし、
異種の材料であってもよい。厚さは、２ｎｍ以上５０ｎ
ｍ以下が好ましい。第２誘電体層の厚さが上記より薄い
と、クラック等の欠陥を生じ、繰り返し耐久性が低下す
るために好ましくない。また、第２誘電体層の厚さが、
上記より厚いと記録層の冷却度が低くなるために好まし
くない。第２誘電体層の厚さは記録層の冷却に関し、よ
り直接的に影響が大きく、より良好な消去特性や、繰り
返し耐久性を得るために、また、特にマーク長記録の場
合に良好な記録・消去特性を得るために、３０ｎｍ以下
がより効果的である。光を吸収し、記録、消去に効率的
に熱エネルギーとして用いることができることから、透
明でない材料から形成されることも好ましい。例えば、
ＺｎＳとＳｉＯ₂ と炭素の混合物は、膜の残留応力が小
さいこと、記録、消去の繰り返しによっても、記録感
度、キャリア対ノイズ比（Ｃ／Ｎ）、消去率などの劣化
が起きにくく、オーバーライトシェルフにるジッタ特性
の悪化をより改善できることからも好ましい。

【００３９】また、記録層と第２誘電体層の間に炭素を
主成分とする層、または、炭素と酸素を主成分とする
膜、または、炭素と酸素と窒素を主成分とする層を設け
ることも好ましい。こうすることによって、オーバーラ
イトシェルフによるジッタ特性の悪化をより改善できた
り、結晶化速度を向上できたりする。この層の厚みとし
て好ましい範囲は、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であ
る。厚さが、１０ｎｍを越えると、第２誘電体層や記録
層と剥離しやすい。また、０．５ｎｍ未満では、均一の
厚さに蒸着することが困難であり、かつこれらの層を設
けた効果が得られないことがある。蒸着速度などを鑑み
ると、０．５ｎｍ以上、５ｎｍ以下が特に好ましい。

【００４０】同様に、記録層と第２誘電体層の間に窒化
ゲルマニウムを主成分とする層を設けることも好まし
い。こうすることにより、オーバーライトシェルフによ
るジッタ特性の悪化をより改善できたり、結晶化速度を
向上できたりする。この層の厚みの好ましい範囲は、
０．５ｎｍ以上、５０ｎｍ以下である。これより薄い
と、均一の厚さに蒸着することが困難である。また、こ
れより厚いと、記録層の冷却速度が低くなり、結果的に
繰り返しオーバーライト耐久性が劣化することがある。
厚さのより好ましい範囲は、０．５ｎｍ以上、２０ｎｍ
以下である。

【００４１】なお、窒化ゲルマニウムをＧｅＮｘと表記
した場合のｘの範囲は、０．４≦ｘ≦１．３の間である
ことが好ましい。ｘ＜０．４の範囲であると、繰り返し
オーバーライトによる記録特性の劣化が著しいことがあ
る。ｘ＞１．３の範囲であると、オーバーライトシェル
フ特性を十分に向上できなかったり、クラックなどが発
生しやすく保存耐久性が十分でないことがある。

【００４２】反射層の材質としては、光反射性を有する
金属、合金、および金属と金属化合物の混合物などがあ
げられる。具体的には、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕなどの
高反射率の金属や、それを主成分とした合金、Ａｌ、Ｓ
ｉなどの窒化物、酸化物、カルコゲン化物などの金属化
合物が好ましい。Ａｌ、Ａｕ、Ａｇなどの金属、及びこ
れらを主成分とする合金は、光反射性が高く、かつ熱伝
導率を高くできることから特に好ましい。特に、材料の
価格が安くできることから、ＡｌまたはＡｇを主成分と
する合金が好ましい。反射層の厚さとしては、通常、お
おむね１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。記録感度を
高く、再生信号強度が大きくできることから３０ｎｍ以
上２００ｎｍ以下が好ましい。

【００４３】次に、本発明の光記録媒体の製造方法につ
いて述べる。第１誘電体層、炭素層、記録層、第２誘電
体層、反射層などを基板上に形成する方法としては、真
空中での薄膜形成法、例えば真空蒸着法、イオンプレー
ティング法、スパッタリング法などがあげられる。特に
組成、膜厚のコントロールが容易であることから、スパ
ッタリング法が好ましい。形成する記録層などの厚さの
制御は、水晶振動子膜厚計などで、堆積状態をモニタリ
ングすることで、容易に行える。

【００４４】また、本発明の効果を著しく損なわない範
囲において、反射層を形成した後、傷、変形の防止など
のため、ＺｎＳ、ＳｉＯ₂ 、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂ 、などの
誘電体層あるいは紫外線硬化樹脂などの保護層などを必
要に応じて設けてもよい。

【００４５】

【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。 （分析，測定方法）反射層、記録層の組成は、ＩＣＰ発
光分析（セイコー電子工業（株）製）により確認した。
記録層、誘電体層、反射層の形成中の膜厚は、水晶振動
子膜厚計によりモニターした。また各層の厚さは、走査
型あるいは透過型電子顕微鏡で断面を観察することによ
り測定した。スパッタリングにより成膜した光記録媒体
は、記録を行う前にあらかじめ波長８３０ｎｍの半導体
レーザのビームでディスク全面の記録層を結晶化し初期
化した。

【００４６】実施例１から２４および比較例１から２０
においては記録特性を下記の条件１で測定した。実施例
２５の記録特性は、条件２で測定した。

【００４７】条件１：グルーブに、線速度６ｍ／秒の条
件で、対物レンズの開口数０．６、半導体レーザの波長
６８０ｎｍの光学ヘッドを使用して、８／１６変調のラ
ンダムパターンをマーク長記録によって１０万回オーバ
ーライトした。この時、記録レーザー波形は、一般的な
マルチパルスを用いた。また、この時のウィンドウ幅
は、３４ｎｓとした（この場合の最短マーク長は０．６
３μｍであった）。記録パワー、消去パワーは各ディス
クで最適なパワーにした。ジッタはタイムインターバル
アナライザにより測定した。信号波形の振幅の低下、バ
ースト欠陥の有無はオシロスコープにより観察した。

【００４８】条件２：グルーブに線速度８．２ｍ／秒の
条件で、対物レンズの開口数０．６、半導体レーザの波
長６６０ｎｍの光学ヘッドを使用して、８／１６変調の
ランダムパターンのマーク長記録を行った。この時、記
録レーザー波形は、一般的なマルチパルスを用いた。ま
た、この時のウィンドウ幅は、１７ｎｓとした（この場
合の最短マーク長は０．４２μｍであった）。記録パワ
ー、消去パワーは各ディスクで最適なパワーにした。ジ
ッタはタイムインターバルアナライザにより測定した。

【００４９】（実施例１）厚さ０．６ｍｍ、直径１２ｃ
ｍ、１．４８μｍピッチ（ランド幅０．７４μｍ、グル
ーブ幅０．７４μｍ）のスパイラルグルーブ付きポリカ
ーボネート製基板を毎分３０回転で回転させながら、ス
パッタを行った。まず、真空容器内を１×１０^-3Ｐａま
で排気した後、０．２ＰａのＡｒガス零囲気中でＳｉＯ
₂ を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳをスパッタし、基板上
に膜厚９５ｎｍの第１誘電体層を形成した。次に炭素タ
ーゲットをスパッタし、炭素層を２ｎｍ形成した。続い
て、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなる合金ターゲットをスパッ
タして、厚さ２０ｎｍ、組成Ｇｅ_17.1Ｓｂ_27.6Ｔｅ_55.3
［すなわち｛（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）_0.349（Ｓｂ_0.4Ｔｅ
_0.6）_0.651｝_0.979Ｓｂ_0.021］の記録層を得た。さらに
第２誘電体層として第１誘電体層と同じＺｎＳ・ＳｉＯ
₂をスパッタして、１６ｎｍ形成し、この上に、Ａｌ
_97.5Ｃｒ_2.5合金をスパッタして膜厚１５０ｎｍの反射
層を形成した。このディスクを真空容器より取り出した
後、この反射層上にアクリル系紫外線硬化樹脂（大日本
インキ（株）製ＳＤ−１０１）をスピンコートし、紫外
線照射により硬化させて膜厚３μｍの樹脂層を形成し、
次にスクリーン印刷機を用いて遅効性の紫外線硬化樹脂
を塗布し、紫外線を照射した後、同様に作製したディス
ク２枚を貼り合わせて本発明の光記録媒体を得た。

【００５０】１０万回オーバーライト後のジッタを測定
したところ３．０９ｎｓであり、ウインドウ幅の９％と
実用上十分小さいと確認できた。信号の振幅は、１０回
オーバーライト後の信号の振幅と比べてほとんど変化が
なく、バースト欠陥も見られなかった。また、このディ
スクに１回記録を行い、その時のバイトエラーレートを
測ったところ２．５×１０^-5であった。記録した状態の
まま、乾燥（加湿などの湿度調整を行っていない空気
中）、８０℃の条件で１００時間放置した。この後、同
じ部分のバイトエラーレートを測定したところ、３．０
×１０^-5とほとんど変化がなかった。さらに、この部分
を１回オーバーライトしたところ、バイトエラーレート
は、４．１×１０^-5とほとんど変化がないことが確認で
きた。この時のジッタは、３．４０ｎｓであり、ウィン
ドウ幅の１０％と良好な値であった。さらに、同様のデ
ィスクを９０℃、相対湿度８０％の条件で１４０時間放
置した。放置前と放置後のバイトエラーレートは、それ
ぞれ１．５×１０^-5と２．０×１０^-5であり、ほとんど
変化がなく、また、剥離によるバースト欠陥などはみら
れなかった。

【００５１】（実施例２）反射層の組成をＡｌ_98.0Ｈｆ
_1.8Ｐｄ_0.2とした以外は、実施例１と同様にして光記録
媒体を得た。実施例１と同様な測定を行ったところ、ほ
ぼ、同じ結果が得られた。

【００５２】（実施例３）記録層の組成を（Ｇｅ₂Ｓｂ₂
Ｔｅ₅）_0.99Ｎｂ_0.01［すなわち、｛（Ｇｅ_0.5Ｔ
ｅ_0.5）_0.444（Ｓｂ_0.4Ｔｅ_0.6）_0.556｝_0.990Ｎｂ
_0.010］とした以外は、実施例１と同様にしてディスク
を作製した。１０万回オーバーライト後のジッタを測定
したところ、３．４１ｎｓであり、ウインドウ幅の１０
％と実用上十分小さいと確認できた。信号の振幅は、１
０回オーバーライト後の信号の振幅と比べてほとんど変
化がなく、バースト欠陥も見られなかった。また、この
ディスクに１回記録を行い、その時のバイトエラーレー
トを測ったところ１．５×１０^-5であった。記録した状
態のまま、乾燥（加湿などの湿度調節を行っていない空
気中）、８０℃の条件で１００時間放置した。この後、
同じ部分のバイトエラーレートを測定したところ、１．
５×１０^-5とほとんど変化がなかった。さらに、この部
分を１回オーバーライトしたところ、バイトエラーレー
トは、２．１×１０^-5とほとんど変化がないことが確認
できた。この時のジッタは、３．８３ｎｓであり、ウィ
ンドウ幅の１０％と良好な値であった。

【００５３】また、Ｎｂの替わりにＡｌ、Ｓｉ、Ｓｃ、
Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚ
ｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、
Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒ
ｅ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｐｂを用いた場合でも、
ほぼ同様な結果が得られた。

【００５４】（実施例４）ＳｉＯ₂ を２０ｍｏｌ％添加
したＺｎＳターゲットと、炭素ターゲットを同時にスパ
ッタすることにより、第２誘電体層の組成を｛（Ｚｎ
Ｓ）₈₀（ＳｉＯ₂）_{2 0}｝₉₀Ｃ₁₀とした以外は、実施例１
と同様にしてディスクを作製した。

【００５５】１０万回オーバーライト後のジッタを測定
したところ、３．７５であり、ウインドウ幅の１１％と
実用上十分小さいと確認できた。信号の振幅は、１０回
オーバーライト後の信号の振幅と比べてほとんど変化が
なく、バースト欠陥も見られなかった。また、このディ
スクに１回記録を行い、その時のバイトエラーレートを
測ったところ１．５×１０^-5であった。記録した状態の
まま、乾燥（加湿などの湿度調節を行っていない空気
中）、８０℃の条件で１００時間放置した。この後、同
じ部分のバイトエラーレートを測定したところ、１．８
×１０^-5とほとんど変化がなかった。さらに、この部分
を１回オーバーライトしたところ、バイトエラーレート
は、２．１×１０^-5とほとんど変化がないことが確認で
きた。この時のジッタは、３．０５ｎｓであり、ウィン
ドウ幅の９％と良好な値であった。さらに、同様のディ
スクを９０℃、相対湿度８０％の条件で１４０時間放置
した。放置前と放置後のバイトエラーレートは、それぞ
れ２．５×１０^-5と２．８×１０^-5であり、ほとんど変
化がなく、また、剥離によるバースト欠陥などはみられ
なかった。

【００５６】（実施例５）記録層と第２誘電体層の間に
厚さ２ｎｍの炭素膜を挿入し、記録層の組成をＧｅ_16.2
Ｓｂ_30.8Ｔｅ_53.2［すなわち｛（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）
_0.345（Ｓｂ_0.4Ｔｅ_{0. 6}）_0.655｝_0.941Ｓｂ_0.059］とし
た以外は実施例１と同様にしてディスクを作製した。

【００５７】１０万回オーバーライト後のジッタを測定
したところ、３．０５ｎｓであり、ウインドウ幅の９％
と実用上十分小さいと確認できた。信号の振幅は、１０
回オーバーライト後の信号の振幅と比べてほとんど変化
がなく、バースト欠陥も見られなかった。また、このデ
ィスクに１回記録を行い、その時のバイトエラーレート
を測ったところ０．８×１０^-5であった。記録した状態
のまま、乾燥（加湿などの湿度調節を行っていない空気
中）、８０℃の条件で１００時間放置した。この後、同
じ部分のバイトエラーレートを測定したところ、１．０
×１０^-5とほとんど変化がなかった。さらに、この部分
を１回オーバーライトしたところ、バイトエラーレート
は、０．８×１０^-5とほとんど変化がないことが確認で
きた。この時のジッタは、２．５５ｎｓであり、ウィン
ドウ幅の７．５％と良好な値であった。さらに、同様の
ディスクを９０℃、相対湿度８０％の条件で１４０時間
放置した。放置前と放置後のバイトエラーレートは、そ
れぞれ１．０×１０^-5と１．２×１０^-5であり、ほとん
ど変化がなく、また、剥離によるバースト欠陥などはみ
られなかった。

【００５８】（実施例６）炭素ターゲットをスパッタす
る際の条件として、圧力０．２Ｐａ、アルゴン：酸素＝
９：１の混合ガスでスパッタを行い、厚さ２ｎｍの炭素
と酸素を主成分とする膜を記録層と第２誘電体層との間
に挿入した以外は、実施例１と同様にしてディスクを作
製した。

【００５９】１０万回オーバーライト後のジッタを測定
したところ、３．３９ｎｓであり、ウインドウ幅の１０
％と実用上十分小さいと確認できた。信号の振幅は、１
０回オーバーライト後の信号の振幅と比べてほとんど変
化がなく、バースト欠陥も見られなかった。また、この
ディスクに１回記録を行い、その時のバイトエラーレー
トを測ったところ１．０×１０^-5であった。記録した状
態のまま、乾燥（加湿などの湿度調節を行っていない空
気中）、８０℃の条件で１００時間放置した。この後、
同じ部分のバイトエラーレートを測定したところ、１．
０×１０^-5とほとんど変化がなかった。さらに、この部
分を１回オーバーライトしたところ、バイトエラーレー
トは、０．９×１０^-5とほとんど変化がないことが確認
できた。この時のジッタは、２．７１ｎｓであり、ウィ
ンドウ幅の８．０％と良好な値であった。さらに、同様
のディスクを９０℃、相対湿度８０％の条件で１４０時
間放置した。放置前と放置後のバイトエラーレートは、
それぞれ２．２×１０^-5と２．５×１０^-5であり、ほと
んど変化がなく、また、剥離によるバースト欠陥などは
みられなかった。

【００６０】（実施例７）炭素ターゲットをスパッタす
る際の条件として、圧力０．２Ｐａ、アルゴン：酸素：
窒素＝８：１：１の混合ガスでスパッタを行い、厚さ２
ｎｍの炭素と酸素と窒素を主成分とする膜を記録層と第
２誘電体層との間に挿入した以外は、実施例１と同様に
してディスクを作製した。

【００６１】１０万回オーバーライト後のジッタを測定
したところ、３．４１ｎｓであり、ウインドウ幅の１０
％と実用上十分小さいと確認できた。信号の振幅は、１
０回オーバーライト後の信号の振幅と比べてほとんど変
化がなく、バースト欠陥も見られなかった。また、この
ディスクに１回記録を行い、その時のバイトエラーレー
トを測ったところ２．５×１０^-5であった。記録した状
態のまま、乾燥（加湿などの湿度調節を行っていない空
気中）、８０℃の条件で１００時間放置した。この後、
同じ部分のバイトエラーレートを測定したところ、３．
５×１０^-5とほとんど変化がなかった。さらに、この部
分を１回オーバーライトしたところ、バイトエラーレー
トは、２．５×１０^-5とほとんど変化がないことが確認
できた。この時のジッタは、２．７２ｎｓであり、ウィ
ンドウ幅の８．０％と良好な値であった。

【００６２】（実施例８）炭素層の厚さを０．５ｎｍと
した他は実施例１と同様にしてディスクを作製した。１
０万回オーバーライト後のジッタを測定したところ、
３．７７とウインドウは幅の１１％と実用上十分小さい
ことが確認できた。信号の振幅は、１０回オーバーライ
ト後の信号振幅と比べてほとんど変化が無く、バースト
欠陥も見られなかった。

【００６３】また、このディスクに１回記録を行い、そ
の時のバイトエラーレートを測ったところ２．０×１０
^-5であった。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節
を行っていない空気中、８０℃の条件で１００時間放置
した。この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定し
たところ、３．５×１０^-5とほとんど変化がなかった。
さらに、この部分を１回オーバーライトしたところ、バ
イトエラーレートは、２．０×１０^-5とほとんど変化が
ないことが確認できた。この時のジッタは、２．７５ｎ
ｓであり、ウィンドウ幅の８．０％と良好な値であっ
た。

【００６４】（実施例９）炭素層の厚さを１．０ｎｍと
した他は実施例１と同様にしてディスクを作製した。１
０万回オーバーライト後のジッタを測定したところ、
３．１０とウインドウは幅の９．１％と実用上十分小さ
いことが確認できた。信号の振幅は、１０回オーバーラ
イト後の信号振幅と比べてほとんど変化が無く、バース
ト欠陥も見られなかった。

【００６５】また、このディスクに１回記録を行い、そ
の時のバイトエラーレートを測ったところ３．０×１０
^-5であった。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節
を行っていない空気中、８０℃の条件で１００時間放置
した。この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定し
たところ、３．５×１０^-5とほとんど変化がなかった。
さらに、この部分を１回オーバーライトしたところ、バ
イトエラーレートは、３．１×１０^-5とほとんど変化が
ないことが確認できた。この時のジッタは、２．８２ｎ
ｓであり、ウィンドウ幅の８．２％と良好な値であっ
た。

【００６６】（実施例１０）炭素層の厚さを１．５ｎｍ
とした他は実施例１と同様にしてディスクを作製した。
１０万回オーバーライト後のジッタを測定したところ、
３．０５とウインドウは幅の８．９％と実用上十分小さ
いことが確認できた。信号の振幅は、１０回オーバーラ
イト後の信号振幅と比べてほとんど変化が無く、バース
ト欠陥も見られなかった。

【００６７】また、このディスクに１回記録を行い、そ
の時のバイトエラーレートを測ったところ１．０×１０
^-5であった。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節
を行っていない空気中、８０℃の条件で１００時間放置
した。この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定し
たところ、１．５×１０^-5とほとんど変化がなかった。
さらに、この部分を１回オーバーライトしたところ、バ
イトエラーレートは、２．０×１０^-5とほとんど変化が
ないことが確認できた。この時のジッタは、２．６５ｎ
ｓであり、ウィンドウ幅の７．７％と良好な値であっ
た。

【００６８】（実施例１１）炭素層の厚さを５ｎｍとし
た他は実施例１と同様にしてディスクを作製した。１千
回オーバーライト後に信号波形を観察したところ、バー
スト欠陥と見られるものが認められた。

【００６９】また、このディスクに１回記録を行い、そ
の時のバイトエラーレートを測ったところ２．０×１０
^-5であった。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節
を行っていない空気中、８０℃の条件で１００時間放置
した。この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定し
たところ、３．５×１０^-5とほとんど変化がなかった。
さらに、この部分を１回オーバーライトしたところ、バ
イトエラーレートは、３．５×１０^-5とほとんど変化が
ないことが確認できた。この時のジッタは、２．９０ｎ
ｓであり、ウィンドウ幅の８．５％と良好な値であっ
た。

【００７０】（実施例１２）記録層の組成をＧｅ_35.7Ｓ
ｂ_12.6Ｔｅ_51.7［すなわち｛（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）_{0. 728}
（Ｓｂ_0.4Ｔｅ_0.6）_0.272｝_0.981Ｓｂ_0.019］とした他
は実施例１と同様にしてディスクを作製した。

【００７１】このディスクに１回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ１．１×１０^-5であ
った。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節を行っ
ていない空気中、８０℃の条件で１００時間放置した。
この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定したとこ
ろ、１．４×１０^-5とほとんど変化がなかった。さら
に、この部分を１回オーバーライトしたところ、バイト
エラーレートは、２．１×１０^-5とほとんど変化がない
ことが確認できた。この時のジッタは、２．７３ｎｓで
あり、ウィンドウ幅の８．０％と良好な値であった。

【００７２】（実施例１３）記録層の組成をＧｅ_33.9Ｓ
ｂ_15.6Ｔｅ_50.5［すなわち｛（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）_{0. 710}
（Ｓｂ_0.4Ｔｅ_0.6）_0.290｝_0.955Ｓｂ_0.045］とし、第
１誘電体層、炭素層、記録層、炭素層、第２誘電体層、
反射層の厚みをそれぞれ、１００ｎｍ、２ｎｍ、１５ｎ
ｍ、２ｎｍ、１８ｎｍ、１５０ｎｍとした以外は、実施
例５と同様にして６層構成のディスクを作製した。

【００７３】このディスクに１回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ２．０×１０^-5であ
った。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節を行っ
ていない空気中、８０℃の条件で１００時間放置した。
この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定したとこ
ろ、２．８×１０^-5とほとんど変化がなかった。さら
に、この部分を１回オーバーライトしたところ、バイト
エラーレートは、１．０×１０^-4と実用上問題がないと
確認できた。この時のジッタは、３．４ｎｓであり、ウ
ィンドウ幅の１０．０％と良好な値であった。

【００７４】（実施例１４）記録層の組成をＧｅ_34.6Ｓ
ｂ_13.5Ｔｅ_51.9［すなわち｛（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）_{0. 706}
（Ｓｂ_0.4Ｔｅ_0.6）_0.294｝_0.980Ｓｂ_0.020］とした以
外は、実施例１３と同様にしてディスクを作製した。

【００７５】このディスクに１回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ７．０５×１０^-5で
あった。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節を行
っていない空気中、８０℃の条件で１００時間放置し
た。この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定した
ところ、１．００×１０^-4とほとんど変化がなかった。
さらに、この部分を１回オーバーライトしたところ、バ
イトエラーレートは、１．２７×１０^-4と実用上問題が
ないと確認できた。この時のジッタは、３．４ｎｓであ
り、ウィンドウ幅の１０．０％と良好な値であった。

【００７６】（実施例１５）記録層の組成をＧｅ_37.0Ｓ
ｂ_11.0Ｔｅ_52.0［すなわち｛（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）_{0. 747}
（Ｓｂ_0.4Ｔｅ_0.6）_0.253｝_0.990Ｓｂ_0.010］とした以
外は、実施例１３と同様にしてディスクを作製した。

【００７７】このディスクに１回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ１．７８×１０^-4で
あった。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節を行
っていない空気中、８０℃の条件で１００時間放置し
た。この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定した
ところ、３．１５×１０^-4と実用上問題が無いことを確
認した。さらに、この部分を１回オーバーライトしたと
ころ、バイトエラーレートは、４．１４×１０^-4と実用
上問題がないと確認できた。この時のジッタは、３．９
ｎｓであり、ウィンドウ幅の１１．３％であった。

【００７８】（実施例１６）記録層の組成をＧｅ_40.4Ｓ
ｂ_8.4Ｔｅ_51.2［すなわち｛（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）
_{0.8 18}（Ｓｂ_0.4Ｔｅ_0.6）_0.182｝_0.988Ｓｂ_0.012］とし
た以外は、実施例１３と同様にしてディスクを作製し
た。

【００７９】このディスクに１回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ１．５７×１０^-3で
あった。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節を行
っていない空気中、８０℃の条件で１００時間放置し
た。この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定した
ところ、１．９×１０^-3となった。さらに、この部分を
１回オーバーライトしたところ、バイトエラーレート
は、１．３９×１０^-3と、オーバーライト前後でエラー
レートが悪化することはなかった。この時のジッタは、
４．５ｎｓであり、ウィンドウ幅の１３．１％であっ
た。

【００８０】（実施例１７）実施例５における、記録層
と第２誘電体層の間の炭素層を厚さ２ｎｍのＧｅＮ _1.2
に置き換えた以外は、実施例５と同様なディスクを作製
した。なお、Ｇｅ（ゲルマニウム）とＮ（窒素）の比
（ｘ＝１．２）は、ラザフォード後方散乱法を用いて測
定した。ＧｅＮ_1.2は、アルゴンと窒素の混合ガス雰囲
気中でＧｅのターゲットをスパッタすることによって作
製した。

【００８１】１０万回オーバーライト後のジッタを測定
したところ、３．１２ｎｓとウィンドウ幅の９．１％と
実用上十分小さいと確認できた。信号の振幅は、１０回
オーバーライト後の振幅と比べてほとんど変化無く、バ
ースト欠陥も見られなかった。

【００８２】このディスクに１回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ１．４×１０^-5であ
った。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節を行っ
ていない空気中、８０℃の条件で１００時間放置した。
この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定したとこ
ろ、１．５×１０^-5とほとんど変化がなかった。さら
に、この部分を１回オーバーライトしたところ、バイト
エラーレートは、１．６×１０^-5とほとんど変化が無い
ことが確認できた。この時のジッタは、２．７ｎｓであ
り、ウィンドウ幅の８．０％と良好な値であった。さら
に、同様のディスクを９０℃、相対湿度８０％の条件で
１４０時間放置した。放置前と放置後のバイトエラーレ
ートはそれぞれ１．８×１０^-5と１．９×１０^-5であり
ほとんど変化がなかった。また、剥離によるバースト欠
陥なども見られなかった。

【００８３】（実施例１８）第１誘電体層、炭素層、記
録層、ＧｅＮ_1.2からなる層、第２誘電体層、反射層の
層構成とし、各層の厚みをそれぞれ、１００ｎｍ、２ｎ
ｍ、１５ｎｍ、２ｎｍ、１８ｎｍ、１５０ｎｍとした以
外は、実施例１３と同様なディスクを作製した。

【００８４】このディスクに１回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ１．０×１０^-5であ
った。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節を行っ
ていない空気中、８０℃の条件で１００時間放置した。
この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定したとこ
ろ、１．０×１０^-5とほとんど変化がなかった。さら
に、この部分を１回オーバーライトしたところ、バイト
エラーレートは、１．８×１０^-5と実用上問題がないと
確認できた。この時のジッタは、３．０ｎｓであり、ウ
ィンドウ幅の８．８％と良好な値であった。

【００８５】（実施例１９）記録層の組成を実施例１４
と同一に、また、層構成を実施例１８と同一にしたディ
スクを作製した。

【００８６】このディスクに１回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ６．０×１０^-5であ
った。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節を行っ
ていない空気中、８０℃の条件で１００時間放置した。
この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定したとこ
ろ、８．０×１０^-4とほとんど変化がなかった。さら
に、この部分を１回オーバーライトしたところ、バイト
エラーレートは、１．０×１０^-4と実用上問題がないと
確認できた。この時のジッタは、３．２ｎｓであり、ウ
ィンドウ幅の９．４％と良好な値であった （実施例２０）記録層の組成を実施例１５と同一に、ま
た、層構成を実施例１８と同一にしたディスクを作製し
た。

【００８７】このディスクに１回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ１．８１×１０^-4で
あった。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節を行
っていない空気中、８０℃の条件で１００時間放置し
た。この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定した
ところ、２．１２×１０^-4と実用上問題が無いことを確
認した。さらに、この部分を１回オーバーライトしたと
ころ、バイトエラーレートは、３．２２×１０^-4と実用
上問題がないと確認できた。この時のジッタは、３．６
ｎｓであり、ウィンドウ幅の１０．６％であった。

【００８８】（実施例２１）記録層の組成を実施例１６
と同一に、また、層構成を実施例１８と同一にしたディ
スクを作製した。

【００８９】このディスクに１回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ１．１８×１０^-3で
あった。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節を行
っていない空気中、８０℃の条件で１００時間放置し
た。この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定した
ところ、１．５０×１０^-3となった。さらに、この部分
を１回オーバーライトしたところ、バイトエラーレート
は、１．４１×１０^-3と、オーバーライト前後でエラー
レートが悪化することはなかった。この時のジッタは、
４．４ｎｓであり、ウィンドウ幅の１２．９％であっ
た。

【００９０】（実施例２２）記録層と第２誘電体層の間
の窒化ゲルマニウムをＧｅＮ_0.7とした以外は、実施例
１７と同様なディスクを作製した。

【００９１】１０万回オーバーライト後のジッタを測定
したところ、３．４０ｎｓとウィンドウ幅の１０．０％
と実用上十分小さいと確認できた。信号の振幅は、１０
回オーバーライト後の振幅と比べてほとんど変化無く、
バースト欠陥も見られなかった。

【００９２】このディスクに１回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ２．５×１０^-5であ
った。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節を行っ
ていない空気中、８０℃の条件で１００時間放置した。
この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定したとこ
ろ、２．４×１０^-5とほとんど変化がなかった。さら
に、この部分を１回オーバーライトしたところ、バイト
エラーレートは、２．６×１０^-5とほとんど変化が無い
ことが確認できた。この時のジッタは、２．８ｎｓであ
り、ウィンドウ幅の８．２％と良好な値であった。さら
に、同様のディスクを９０℃、相対湿度８０％の条件で
１４０時間放置した。放置前と放置後のバイトエラーレ
ートはそれぞれ２．８×１０^-5と３．１×１０^-5であり
ほとんど変化がなかった。また、剥離によるバースト欠
陥なども見られなかった。

【００９３】（実施例２３）記録層と第２誘電体層の間
の窒化ゲルマニウムをＧｅＮ_0.3とした以外は、実施例
１７と同様なディスクを作製した。

【００９４】このディスクの繰り返しオーバーライト特
性を評価したところ、３０００回でバースト欠陥らしき
ものが認められた。

【００９５】このディスクに１回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ３．３×１０^-5であ
った。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節を行っ
ていない空気中、８０℃の条件で１００時間放置した。
この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定したとこ
ろ、３．５×１０^-5とほとんど変化がなかった。さら
に、この部分を１回オーバーライトしたところ、バイト
エラーレートは、４．６×１０^-5とほとんど変化が無い
ことが確認できた。この時のジッタは、３．４０ｎｓで
あり、ウィンドウ幅の１０．０％と良好な値であった。
さらに、同様のディスクを９０℃、相対湿度８０％の条
件で１４０時間放置した。放置前と放置後のバイトエラ
ーレートはそれぞれ４．０×１０^-5と４．１×１０^-5で
ありほとんど変化がなかった。また、剥離によるバース
ト欠陥なども見られなかった。

【００９６】（実施例２４）記録層と第２誘電体層の間
の窒化ゲルマニウムをＧｅＮ_1.33とした以外は、実施例
１７と同様なディスクを作製した。

【００９７】１０万回オーバーライト後のジッタを測定
したところ、３．４０ｎｓとウィンドウ幅の１０．０％
と実用上十分小さいと確認できた。信号の振幅は、１０
回オーバーライト後の振幅と比べてほとんど変化無く、
バースト欠陥も見られなかった。

【００９８】このディスクに１回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ４．９×１０^-5であ
った。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節を行っ
ていない空気中、８０℃の条件で１００時間放置した。
この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定したとこ
ろ、５．５×１０^-5とほとんど変化がなかった。さら
に、この部分を１回オーバーライトしたところ、バイト
エラーレートは、３．１×１０^-4と若干悪化した。この
時のジッタは、４．０８ｎｓであり、ウィンドウ幅の１
２．０％であった。さらに、同様のディスクを９０℃、
相対湿度８０％の条件で１４０時間放置した。放置前と
放置後のバイトエラーレートはそれぞれ１．８×１０^-5
と３．１×１０^-4でありほとんど変化がなかった。ま
た、バースト欠陥も見られなかった。 （実施例２５）厚さ０．６ｍｍ、直径１２ｃｍ、１．２
３μｍピッチ（ランド幅０．６１５μｍ、グルーブ幅
０．６１５μｍ）のスパイラルグルーブ付きポリカーボ
ネート製基板を毎分３０回転で回転させながら、スパッ
タを行った。まず、真空容器内を１×１０^-3Ｐａまで排
気した後、２×１０^-1ＰａのＡｒガス雰囲気中でＳｉＯ
₂を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳをスパッタし、基板上
に膜厚９２ｎｍの第１誘電体層を形成した。次に炭素タ
ーゲットをスパッタし、炭素からなる層を２ｎｍ形成し
た。続いて、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなる合金ターゲット
をスパッタして、厚さ１２ｎｍ、組成Ｇｅ_27.6Ｓｂ_18.5
Ｔｅ_53.9［すなわち｛（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）_{0. 558}（Ｓｂ
_0.4Ｔｅ_0.6）_0.442｝_0.99Ｓｂ_0.01］の記録層を得た。
さらに炭素ターゲットをスパッタし、炭素からなる厚さ
２ｎｍの層を作製した。第２誘電体層として第１誘電体
層と同じＺｎＳ・ＳｉＯ₂をスパッタして、２３ｎｍ形
成し、この上に、Ａｌ_97.5Ｃｒ_2.5合金をスパッタして
膜厚９０ｎｍの反射層を形成した。このディスクを真空
容器より取り出した後、この反射層上にアクリル系紫外
線硬化樹脂を（大日本インキ（株）製ＳＤ−１０１）を
スピンコートし、紫外線照射により硬化させて膜厚３μ
ｍの樹脂層を形成し、次にスクリーン印刷機を用いて遅
効性の紫外線硬化樹脂を塗布し、紫外線を照射した後、
同様に作製したディスク２枚を貼り合わせて本発明の光
記録媒体を得た。

【００９９】このディスクの記録特性評価を条件２で行
った。１０回オーバーライト記録を行い、ジッタを測定
したところ、１．５８ｎｓであり、ウインドウ幅の９．
３％と良好な値であった。記録した状態のまま、加湿な
どの湿度調節を行っていない空気中、８０℃の条件で１
００時間放置した。この後、同じ部分のジッタを測定し
たところ、１．５８ｎｓと変化がなかった。さらに、こ
の部分を１回オーバーライトしたところ、ジッタは２．
０１ｎｓで、ウインドウ幅の１１．８％と良好な値で実
用上問題がないと確認できた。 （実施例２６）実施例２５における、記録層と第２誘電
体層層の間の炭素層を厚さ２ｎｍのＧｅＮ_1.2に置き換
えた以外は実施例２５と同様にしてディスクを作製し
た。

【０１００】このディスクの記録特性評価を条件２で行
った。１０回オーバーライト記録を行い、ジッタを測定
したところ、１．５０ｎｓであり、ウインドウ幅の８．
８％と良好な値であった。記録した状態のまま、加湿な
どの湿度調節を行っていない空気中、８０℃条件で１０
０時間放置した。この後、同じ部分のジッタを測定した
ところ、１．５０ｎｓと変化がなかった。さらに、この
部分を１回オーバーライトしたところ、ジッタは２．０
０ｎｓで、ウインドウ幅の１１．８％と良好な値で実用
上問題がないと確認できた。

【０１０１】（比較例１）厚さ０．６ｍｍ、直径１２ｃ
ｍ、１．４８μｍピッチ（ランド幅０．７４μｍ、グル
ーブ幅０．７４μｍ）のスパイラルグルーブ付きポリカ
ーボネート製基板を毎分３０回転で回転させながら、ス
パッタを行った。まず、真空容器内を１×１０^-3Ｐａま
で排気した後、０．２ＰａのＡｒガス零囲気中でＳｉＯ
₂ を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳをスパッタし、基板上
に膜厚９５ｎｍの第１誘電体層を形成した。続いて、Ｇ
ｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなる合金ターゲットをスパッタし
て、厚さ２０ｎｍ、組成Ｇｅ_17.1Ｓｂ_27.6Ｔｅ_55.3の記
録層を得た。さらに第２誘電体層として第１誘電体層と
同じＺｎＳ・ＳｉＯ₂をスパッタして、１６ｎｍ形成
し、この上に、Ａｌ_97.5Ｃｒ_2.5合金をスパッタして膜
厚１５０ｎｍの反射層を形成した。このディスクを真空
容器より取り出した後、この反射層上にアクリル系紫外
線硬化樹脂（大日本インキ（株）製ＳＤ−１０１）をス
ピンコートし、紫外線照射により硬化させて膜厚３μｍ
の樹脂層を形成し、次にスクリーン印刷機を用いて遅効
性の紫外線効果効果樹脂を塗布し、紫外線を照射した
後、同様に作製したディスク２枚を貼り合わせて光記録
媒体を得た。

【０１０２】実施例１と同様な測定を行ったところ、１
０万回オーバーライト後のジッタは４．７７ｎｓであ
り、ウィンドウ幅の１４％と大きく、信号の振幅は１０
回オーバーライト後の振幅の７０％であり、コントラス
トが低下していた。また、１回記録を行ったときのエラ
ーレートは４．０×１０^-5であった。実施例１と同様
に、乾燥（加湿などの湿度調節を行っていない空気
中）、８０℃の条件で１００時間放置した。この後、同
じ部分のバイトエラーレートを測定したところ、３．０
×１０^-5とほとんど変化がなかった。ところが、この部
分を１回オーバーライトしたところ、エラーとなりバイ
トエラーレートが測れないほど劣化した。エラーの原因
はジッタの悪化によるもので、この時のジッタは６．１
３ｎｓであり、ウィンドウ幅の１８％程度であった。

【０１０３】（比較例２）厚さ２ｎｍの炭素層を記録層
と第２誘電体層の間に設けた以外は、比較例１と同様に
してディスクを作製した。実施例１と同様な測定を行っ
たところ、１０万回オーバーライト後のジッタは５．０
９ｎｓであり、１５％と大きく、信号の振幅は１０回オ
ーバーライト後の振幅の６５％であり、コントラストが
低下していた。また、１回記録を行ったときのエラーレ
ートは、１．８×１０^-5であった。実施例１と同様に、
乾燥（加湿などの湿度調節を行っていない空気中）、８
０℃の条件で１００時間放置した。この後、同じ部分の
バイトエラーレートを測定したところ、２．４×１０^-5
とほとんど変化がなかった。ところが、この部分を１回
オーバーライトしたところ、エラーとなりバイトエラー
レートが測れないほど劣化した。この時の、ジッタを測
ったところ、６．４６ｎｓであり、ウィンドウ幅の１９
％程度であった。

【０１０４】（比較例３）比較例１の第２誘電体層を取
り除き、かつ、記録層と反射層の間に厚さ１８ｎｍの炭
素層を設けたディスクを作製した。なお、炭素層は、
０．２ＰａのＡｒガス零囲気中で炭素ターゲットをスパ
ッタすることによって成膜した。

【０１０５】実施例１と同様な測定を行ったところ、１
０万回オーバーライト後のジッタは５．１１ｎｓであ
り、１５％と大きく、信号の振幅は１０回オーバーライ
ト後の振幅の６０％であり、コントラストが低下してい
た。また、このディスクを温度９０℃、相対湿度８０％
の条件下に１４０時間放置したところ、第２誘電体層と
記録層の間での剥離と思われるバースト欠陥が観察され
た。

【０１０６】（比較例４）比較例１の第２誘電体層を取
り除き、かつ、記録層と反射層の間に厚さ１８ｎｍ炭素
と酸素を主成分とする膜を設けたディスクを作製した。
なお、炭素と酸素を主成分とする膜は、炭素ターゲット
を圧力０．２Ｐａ、アルゴン：酸素＝９：１の混合ガス
の雰囲気下でスパッタして、成膜した。

【０１０７】実施例１と同様な測定を行ったところ、１
０万回オーバーライト後のジッタは４．７５ｎｓであ
り、ウィンドウ幅の１４％と大きく、信号の振幅は１０
回オーバーライト後の振幅の６５％であり、コントラス
トが低下していた。また、このディスクを温度９０℃、
相対湿度８０％の条件下に１４０時間放置したところ、
第２誘電体層と記録層の間での剥離と思われるバースト
欠陥が観察された。

【０１０８】（比較例５）記録層の組成をＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔ
ｅ₅［すなわち（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）_0.444（Ｓｂ_{0. 4}Ｔｅ
_0.6）_0.556］とした以外は、実施例１と同様にしてディ
スクを得た。

【０１０９】１０万回オーバーライト後のジッタを測定
したところ、４．０８ｎｓであり、ウインドウ幅の１２
％と実用上十分小さいと確認できた。信号の振幅は、１
０回オーバーライト後の信号の振幅と比べてほとんど変
化がなく、バースト欠陥も見られなかった。

【０１１０】また、このディスクに１回記録を行い、そ
の時のバイトエラーレートを測ったところ２．５×１０
^-5であった。記録した状態のまま、９０℃、相対湿度８
０％の条件で１４０時間放置した。この後、同じ部分の
バイトエラーレートを測定したところ、９．０×１０^-3
と大きく劣化した。再生波形を観察したところ、振幅が
低下しており、非晶部の一部が結晶化しているものと推
定された。

【０１１１】また、記録層の組成をＧｅ₁Ｓｂ₂Ｔｅ
₄［すなわち（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）_0.287（Ｓｂ_0.4Ｔ
ｅ_0.6）_0.714］としても、９０℃、相対湿度８０％の条
件で１４０時間放置すると、バイトエラーレートか５．
０×１０^-3から、２．０×１０^-2へと大きく劣化し、ア
ーカイバル特性が不十分であった。

【０１１２】（比較例６）記録層の組成をＧｅ_14.0Ｓｂ
_36.0Ｔｅ_50.0［すなわち｛（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）
_{0. 318}（Ｓｂ_0.4Ｔｅ_0.6）_0.682｝_0.880Ｓｂ_0.120］とし
た以外は、実施例１と同様にしてディスクを得た。１０
回オーバーライト後のジッタを測定したところ、最小で
６．８３ｎｓとウインドウ幅の２０％しか得られなかっ
た。この原因は、消去特性が悪いためであると推定され
た。

【０１１３】（比較例７）記録層の組成をＧｅ_42.0Ｓｂ
_9.0Ｔｅ_49.0［すなわち｛（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）_{0.8 78}（Ｓ
ｂ_0.4Ｔｅ_0.6）_0.122｝_0.957Ｓｂ_0.043］とした以外
は、実施例１と同様にしてディスクを得た。１０回オー
バーライト後のジッタを測定したところ、最小で６．８
１ｎｓとウインドウ幅の２０％しか得られなかった。こ
の原因は、消去特性が悪いためであると推定された。

【０１１４】（比較例８）記録層の組成をＧｅ_6.0Ｓｂ
_38.0Ｔｅ_56.0［すなわち｛（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）
_{0.1 26}（Ｓｂ_0.4Ｔｅ_0.6）_0.874｝_0.953Ｓｂ_0.047］とし
た以外は、実施例１と同様にしてディスクを得た。１０
回オーバーライト後のジッタを測定したところ、最小で
６．１１ｎｓとウインドウ幅の１８％しか得られなかっ
た。この原因は、結晶相と非晶相のコントラストが小さ
いためであると推定された。

【０１１５】（比較例９）記録層の組成を（Ｇｅ₂Ｓｂ₂
Ｔｅ₅）_0.70Ｎｂ_0.30［すなわち｛（Ｇｅ_0.5Ｔｅ _0.5）
_0.444（Ｓｂ_0.4Ｔｅ_0.6）_0.556｝_0.7Ｎｂ_0.3］とした以
外は、実施例１と同様にしてディスクを作製した。１０
回オーバーライト後のジッタを測定したところ、最小で
６．８０ｎｓとウインドウ幅の２０％しか得られなかっ
た。この原因は、消去特性が悪いためであると推定され
る。

【０１１６】（比較例１０）記録層の組成をＧｅ₂Ｓｂ₂
Ｔｅ₅［すなわち（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）_0.444（Ｓｂ_{0. 4}Ｔ
ｅ_0.6）_0.556］とした以外は、実施例５と同様にして６
層ディスクを得た。

【０１１７】このディスクに１回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ２．５×１０^-5であ
った。記録した状態のまま、９０℃、相対湿度８０％の
条件で１４０時間放置した。この後、同じ部分のバイト
エラーレートを測定したところ、エラーとなりバイトエ
ラーレートの測定ができなかった。再生波形を観察した
ところ、振幅が大きく低下しており、非晶部の一部が結
晶化しているものと推定された。

【０１１８】また、記録層の組成をＧｅ₁Ｓｂ₂Ｔｅ
₄［すなわち（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）_0.287（Ｓｂ_0.4Ｔ
ｅ_0.6）_0.714］としても、９０℃、相対湿度８０％の条
件で１４０時間放置すると、バイトエラーレートか５．
０×１０^-3から、測定不可能と大きく劣化した、アーカ
イバル特性が不十分であった。

【０１１９】（比較例１１）記録層の組成をＧｅ_0.5Ｔ
ｅ_0.5［すなわち｛（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）_1.00（Ｓｂ_{0. 4}Ｔ
ｅ_0.6）_0.00｝_1.00Ｓｂ_0.00］とした以外は、実施例１
３と同様にして６層ディスクを作製した。このディスク
に１回記録を行い、その時のバイトエラーレートを測っ
たところ測定が不可能であった。これは、ジッタが悪い
ためであり、このときのジッタの値は２０％であった。

【０１２０】（比較例１２）記録層の組成をＧｅ₂Ｓｂ₂
Ｔｅ₅［すなわち（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）_0.444（Ｓｂ_{0. 4}Ｔ
ｅ_0.6）_0.556］とした以外は、実施例１７と同様にして
６層ディスクを得た。

【０１２１】このディスクに１回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ１．５×１０^-5であ
った。記録した状態のまま、９０℃、相対湿度８０％の
条件で１４０時間放置した。この後、同じ部分のバイト
エラーレートを測定したところ、エラーとなりバイトエ
ラーレートの測定ができなかった。再生波形を観察した
ところ、振幅が大きく低下しており、非晶部の一部が結
晶化しているものと推定された。

【０１２２】また、記録層の組成をＧｅ₁Ｓｂ₂Ｔｅ
₄［すなわち（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）_0.287（Ｓｂ_0.4Ｔ
ｅ_0.6）_0.714］としても、９０℃、相対湿度８０％の条
件で１４０時間放置すると、バイトエラーレートか１．
０×１０^-4から、測定不可能と大きく劣化した。アーカ
イバル特性が不十分であった。

【０１２３】（比較例１３）記録層の組成をＧｅ_0.5Ｔ
ｅ_0.5［すなわち｛（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）_1.00（Ｓｂ_{0. 4}Ｔ
ｅ_0.6）_0.00｝_1.00Ｓｂ_0.00］とした以外は、実施例１
７と同様にして６層ディスクを作製した。

【０１２４】このディスクに１回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ測定が不可能であっ
た。これは、ジッタが悪いためであり、このときのジッ
タの値は２０％であった。 （比較例１４）記録層の組成をＧｅ_6.0Ｓｂ_38.0Ｔｅ
_56.0［すなわち｛（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）_{0.1 26}（Ｓｂ_0.4Ｔ
ｅ_0.6）_0.874｝_0.953Ｓｂ_0.047］とした以外は、実施例
１７と同様にしてディスクを得た。１０回オーバーライ
ト後のジッタを測定したところ、最小で６．００ｎｓと
ウインドウ幅の１８％しか得られなかった。この原因
は、結晶相と非晶相のコントラストが小さいためである
と推定された。

【０１２５】（比較例１５）記録層の厚さを６０ｎｍと
した以外は、実施例１と同様なディスクを作製した。こ
のディスクの繰り返しオーバーライト特性を評価したと
ころ、繰り返し１００回でジッタが測定不能まで劣化し
た。その理由は、記録層が厚いために記録層の移動が起
こりやすいものと推定される。

【０１２６】このディスクの未記録部分に、１回記録を
行い、その後のバイトエラーレートを測定したところ、
５．９×１０^-4であった。記録した状態のまま、９０
℃、相対湿度８０％の条件で１４０時間放置した。この
後、同じ部分のバイトエラーレートを測定したところ、
エラーとなりバイトエラーレートの測定ができなかっ
た。再生波形を観察したところ、振幅が大きく低下して
おり、非晶部の一部が結晶化しているものと推定され
た。

【０１２７】また、記録層の厚さを４５ｎｍとしても、
繰り返しオーバーライト３００回でジッタが測定不能と
なった。また、１回記録を行い、９０℃、相対湿度８０
％の条件で１４０時間放置すると、バイトエラーレート
が４．０×１０^-4から２．５×１０^-3と大きく劣化し
た。再生波形を観察したところ、振幅が低下しており、
非晶部の一部が結晶化しているものと推定された。

【０１２８】（比較例１６）記録層の厚さを５ｎｍとし
た以外は、実施例１と同様なディスクを作製した。１０
回オーバーライト後のジッタを測定したところ、最小で
５．８１ｎｓとウインドウ幅の１７％しか得られなかっ
た。この原因は、結晶相と非晶相のコントラストが小さ
いためであると推定された。

【０１２９】（比較例１７）記録層の厚さを６０ｎｍと
した以外は、実施例６と同様なディスクを作製した。こ
のディスクの繰り返しオーバーライト特性を評価したと
ころ、繰り返し１００回でジッタが測定不能まで劣化し
た。その理由は、記録層が厚いために記録層の移動が起
こりやすいものと推定される。

【０１３０】このディスクの未記録部分に、１回記録を
行い、その後のバイトエラーレートを測定したところ、
８．０×１０^-4であった。記録した状態のまま、９０
℃、相対湿度８０％の条件で１４０時間放置した。この
後、同じ部分のバイトエラーレートを測定したところ、
エラーとなりバイトエラーレートの測定ができなかっ
た。再生波形を観察したところ、振幅が大きく低下して
おり、非晶部の一部が結晶化しているものと推定され
た。

【０１３１】また、記録層の厚さを４５ｎｍとしても、
繰り返しオーバーライト３００回でジッタが測定不能と
なった。また、１回記録を行い、９０℃、相対湿度８０
％の条件で１４０時間放置すると、バイトエラーレート
が３．７×１０^-4から３．１×１０^-3と大きく劣化し
た。再生波形を観察したところ、振幅が低下しており、
非晶部の一部が結晶化しているものと推定された。

【０１３２】（比較例１８）記録層の厚さを５ｎｍとし
た以外は、実施例６と同様なディスクを作製した。１０
回オーバーライト後のジッタを測定したところ、最小で
５．４２ｎｓとウインドウ幅の１６％しか得られなかっ
た。この原因は、結晶相と非晶相のコントラストが小さ
いためであると推定された。

【０１３３】（比較例１９）記録層の厚さを６０ｎｍと
した以外は、実施例１７と同様なディスクを作製した。
このディスクの繰り返しオーバーライト特性を評価した
ところ、繰り返し１００回でジッタが測定不能まで劣化
した。その理由は、記録層が厚いために記録層の移動が
起こりやすいものと推定される。

【０１３４】このディスクの未記録部分に１回記録を行
い、その後のバイトエラーレートを測定したところ、
６．２×１０^-4であった。記録した状態のまま、９０
℃、相対湿度８０％の条件で１４０時間放置した。この
後、同じ部分のバイトエラーレートを測定したところ、
エラーとなりバイトエラーレートの測定ができなかっ
た。再生波形を観察したところ、振幅が大きく低下して
おり、非晶部の一部が結晶化しているものと推定され
た。

【０１３５】また、記録層の厚さを４５ｎｍとしても、
繰り返しオーバーライト３００回でジッタが測定不能と
なった。また、１回記録を行い、９０℃、相対湿度８０
％の条件で１４０時間放置すると、バイトエラーレート
が４．９×１０^-4から５．１×１０^-3と大きく劣化し
た。再生波形を観察したところ、振幅が低下しており、
非晶部の一部が結晶化しているものと推定された。

【０１３６】（比較例２０）記録層の厚さを５ｎｍとし
た以外は、実施例１７と同様なディスクを作製した。１
０回オーバーライト後のジッタを測定したところ、最小
で６．３８ｎｓとウインドウ幅の１９％しか得られなか
った。この原因は、結晶相と非晶相のコントラストが小
さいためであると推定された。

【０１３７】

【発明の効果】本発明の光記録媒体によれば、以下の効
果が得られる。 （１）記録後長時間放置しても良好なオーバーライト特
性が得られる。 （２）記録後長時間放置しても、バースト欠陥の発生
や、記録マークの消失がない。 （３）スパッタ法により容易に製作できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明におけるＮｏ．Ａ試料のデプス・プロフ
ァイルのチャートである。

【図２】本発明におけるＮｏ．Ｂ試料のデプス・プロフ
ァイルのチャートである。

【図３】本発明におけるＮｏ．Ａ試料の炭素のＫＬＬオ
ージェ電子スペクトルのチャートである。

【図４】本発明におけるＮｏ．Ｂ試料の炭素のＫＬＬオ
ージェ電子スペクトルのチャートである。

【図５】本発明におけるＮｏ．Ａ試料の炭素のデプス・
プロファイルを分解したチャートである。

【図６】本発明におけるＮｏ．Ｂ試料の炭素のデプス・
プロファイルを分解したチャートである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３５ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３５Ｈ (56)参考文献 特開 平７−223372（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−191160（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−191161（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−139283（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−251290（ＪＰ，Ａ) 国際公開99／06220（ＷＯ，Ａ１) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) B41M 5/26 G11B 7/24 511

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】光を照射することによって、情報の記録、
   消去、再生が可能であって、情報の記録および消去が、
   非晶相と結晶相の間の可逆的な相変化により行われ、少
   なくとも基板上に第１誘電体層、記録層、第２誘電体
   層、反射層をこの順に備えた光記録媒体において、記録
   層と第１誘電体層の間に記録層と接するように、炭素を
   主成分とする層を設けるとともに、前記記録層が下記式
   （Ｉ） ｛（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）_x（Ｓｂ_0.4Ｔｅ_0.6）_1-x｝_1-y-zＳｂ_yＡ_z （Ｉ） （ここで、Ａは、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅを除く元素周期律表
   における第２周期から第６周期の３Ａ族から６Ｂ族に属
   する元素を示し、ｘ、ｙ、ｚは数を示し、かつ次の関係
   式を満たす。 ０．２≦ｘ≦０．８、０．０１≦ｙ≦０．０８、ｚ＝０ もしくは、０．２≦ｘ≦０．８、０≦ｙ≦０．０８、０
   ＜ｚ≦０．２）からなり、かつ記録層の厚さが７ｎｍ以
   上３５ｎｍ以下であることを特徴とする光記録媒体。
2. 【請求項２】光を照射することによって、情報の記録、
   消去、再生が可能であって、情報の記録および消去が、
   非晶相と結晶相の間の可逆的な相変化により行われ、少
   なくとも基板上に第１誘電体層、記録層、第２誘電体
   層、反射層をこの順に備えた光記録媒体において、記録
   層と第１誘電体層の間に記録層と接するように、炭素を
   主成分とする層を設けるとともに、記録層と第２誘電体
   層の間に炭素を主成分とする層、炭素と酸素を主成分と
   する層、炭素と窒素を主成分とする層、炭素と酸素と窒
   素を主成分とする層から選ばれた層を設け、さらに、前
   記記録層が下記式（ＩＩ） ｛（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）_x（Ｓｂ_0.4Ｔｅ_0.6）_1-x｝_1-y-zＳｂ_yＡ_z （ＩＩ） （ここで、Ａは、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅを除く元素周期律表
   における第２周期から第６周期の３Ａ族から６Ｂ族に属
   する元素を示し、ｘ、ｙ、ｚは数を示し、かつ次の関係
   式を満たす。 ０．２≦ｘ≦０．９５、０．０１≦ｙ≦０．０８、ｚ＝
   ０ もしくは、０．２≦ｘ≦０．９５、０≦ｙ≦０．０８、
   ０＜ｚ≦０．２）からなり、かつ記録層の厚さが７ｎｍ
   以上３５ｎｍ以下であることを特徴とする光記録媒体。
3. 【請求項３】光を照射することによって、情報の記録、
   消去、再生が可能であって、情報の記録および消去が、
   非晶相と結晶相の間の可逆的な相変化により行われ、少
   なくとも基板上に第１誘電体層、記録層、第２誘電体
   層、反射層をこの順に備えた光記録媒体において、記録
   層と第１誘電体層の間に記録層と接するように、炭素を
   主成分とする層を設けるとともに、記録層と第２誘電体
   層の間に窒化ゲルマニウムを主成分とする層を設け、さ
   らに、前記記録層が下記式（ＩＩＩ） ｛（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）_x（Ｓｂ_0.4Ｔｅ_0.6）_1-x｝_1-y-zＳｂ_yＡ_z （ＩＩＩ） （ここで、Ａは、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅを除く元素周期律表
   における第２周期から第６周期の３Ａ族から６Ｂ族に属
   する元素を示し、ｘ、ｙ、ｚは数を示し、かつ次の関係
   式を満たす。 ０．２≦ｘ≦０．９５、０．０１≦ｙ≦０．０８、ｚ＝
   ０ もしくは、０．２≦ｘ≦０．９５、０≦ｙ≦０．０８、
   ０＜ｚ≦０．２）からなり、かつ記録層の厚さが７ｎｍ
   以上３５ｎｍ以下であることを特徴とする光記録媒体。
4. 【請求項４】第１誘電体層および第２誘電体層が少なく
   ともＺｎＳとＳｉＯ ₂を含むことを特徴とする請求項１
   〜３のいずれかに記載の光記録媒体。
5. 【請求項５】第２誘電体層が少なくともＺｎＳとＳｉＯ
   ₂と炭素を含むことを特徴とする請求項４に記載の光記
   録媒体。
6. 【請求項６】記録層と第１保護層の間の炭素を主成分と
   する層の厚みが、０．５ｎｍ以上４ｎｍ以下であること
   を特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光記録媒
   体。