JP2002056576A

JP2002056576A - 光記録媒体

Info

Publication number: JP2002056576A
Application number: JP2000236641A
Authority: JP
Inventors: Hideo Nakakuki; 英夫中久喜; Takeshi Arai; 猛新井; Kunihisa Nagino; 邦久薙野
Original assignee: Toray Industries Inc
Current assignee: Toray Industries Inc
Priority date: 2000-08-04
Filing date: 2000-08-04
Publication date: 2002-02-22

Abstract

(57)【要約】【課題】ランドトラックとグルーブトラックの両方に記
録を行い、隣り合うトラックの中心間の距離の平均値
（トラックピッチ）が０．７×ｄ（ｄは記録面上におけ
るレーザービーム径をいう）以下である光記録媒体にお
いて、クロス消去の生じにくい良好な記録特性を得る。【解決手段】基板に形成されたランドトラックとグルー
ブトラックの両方に記録を行い、隣り合うトラックの中
心間の距離の平均値（トラックピッチ）が０．７×ｄ以
下である相変化型の光記録媒体であって、少なくとも基
板上に第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、反射層を
この順に備え、Ｗｌ／Ｗｇ（Ｗｌ、Ｗｇはそれぞれグル
ーブ深さの２分の１の位置におけるランド幅の平均値と
グルーブ幅の平均値）の値が０．９５以下であることを
特徴とする光記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザー光の照射
により、情報の記録、消去、再生が可能である光情報記
録媒体に関するものである。特に、本発明は、記録情報
の消去、書換機能を有し、情報信号を高速かつ、高密度
に記録可能な光ディスクなどの書換可能相変化型光記録
媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】書換可能相変化型光記録媒体は、テルル
などを主成分とする記録層を有し、記録時は、結晶状態
の記録層に集束したレーザー光パルスを短時間照射し、
記録層を部分的に溶融する。溶融した部分は熱拡散によ
り急冷され、固化し、アモルファス状態の記録マークが
形成される。この記録マークの光線反射率は、結晶状態
より低く、光学的に記録信号として再生可能である。ま
た、消去時には、記録マーク部分にレーザー光を照射
し、記録層の融点以下、結晶化温度以上の温度に加熱す
ることによって、アモルファス状態の記録マークを結晶
化し、もとの未記録状態にもどす。これらの書換可能相
変化型光記録媒体の記録層の材料としては、Ｇｅ₂Ｓｂ₂
Ｔｅ₅などの合金（N.Yamada et al.Proc.Int.Symp.on O
ptical Memory 1987 p61-66）が知られている。

【０００３】これらＴｅ合金を記録層とした光記録媒体
では、結晶化速度が速く、照射パワーを変調するだけ
で、円形の１ビームによる高速のオーバーライトが可能
である。これらの記録層を使用した光記録媒体では、通
常、記録層の両面に耐熱性と透光性を有する誘電体層を
それぞれ１層ずつ設け、記録時に記録層に変形、開口が
発生することを防いでいる。さらに、光ビーム入射方向
と反対側の誘電体層に、光反射性のＡｌなどの金属反射
層を積層して設け、光学的な干渉効果により再生時の信
号コントラストを改善する技術が知られている。

【０００４】このような光記録媒体においては、より多
くの情報が記録できることが望まれている。書換可能な
大容量の光記録媒体としては、片面２．６ＧＢのユーザ
ー容量を持つＤＶＤ−ＲＡＭがある。ランドとグルーブ
の両方を記録トラックとして用いるランドグルーブ構造
で、ランド幅とグルーブ幅はほぼ等しく、トラックピッ
チは０．７４μｍである。そして近年、長時間の動画デ
ータを記録したいというニーズから、さらなる大容量化
が求められ、記録密度を極限まで高めることが行われて
いる。しかし記録密度を高めるためにトラック幅を狭く
した場合、隣接トラックに記録された信号が再生信号に
影響を及ぼしたり（クロストーク）、記録時に隣接トラ
ックに記録されている信号の品質を低下させたり（クロ
ス消去）する現象が大きな問題となる。特に記録面上に
おけるレーザービーム径ｄに対し、トラック幅が０．７
×ｄ以下となる場合にはこの問題はより重大なものとな
ってくる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、上記
従来技術の問題点に着目し、ランドトラックとグルーブ
トラックの両方に記録を行い、隣り合うトラックの中心
間の距離の平均値（トラックピッチ）が０．７×ｄ（ｄ
は記録面上におけるレーザービーム径をいう）以下であ
る光記録媒体において、クロス消去の生じにくい良好な
記録特性を得ることにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明はレー
ザー光を照射することによって、情報の記録、消去、再
生が可能でり、情報の記録および消去が、非晶相と結晶
相の間の可逆的な相変化により行われ、基板に形成され
たランドトラックとグルーブトラックの両方に記録を行
い、隣り合うトラックの中心間の距離の平均値（トラッ
クピッチ）が０．７×ｄ以下である光記録媒体であっ
て、少なくとも基板上に第１誘電体層、記録層、第２誘
電体層、反射層をこの順に備え、Ｗｌ／Ｗｇ（Ｗｌ、Ｗ
ｇはそれぞれグルーブ深さの２分の１の位置におけるラ
ンド幅の平均値とグルーブ幅の平均値）の値が０．９５
以下であることを特徴とする光記録媒体である。なお、
ｄは記録面上におけるレーザービーム径であって、レー
ザー光の波長をλ、レンズの開口数をＮＡとしたとき、
ｄ＝０．８２×λ/ＮＡで表され、λは３８０〜８２０
ｎｍ、レンズの開口数ＮＡは０．４〜１．２の範囲であ
る。

【０００７】本発明が解決しようとする課題であるクロ
ス消去による信号品質の低下は、トラックからはみ出し
たビームが隣接トラックの記録マークに照射されたり、
記録時に生じる熱が隣接トラックに拡散したりすること
により、隣接トラックの記録信号振幅を低下させている
ためであると考えられている。グルーブトラックに記録
した後、隣接する両側のランドトラックに記録した場合
のグルーブの信号の劣化と、ランドトラックに記録した
後隣接する両側のグルーブトラックに記録した場合のラ
ンドの信号の劣化を比較した場合、前者の方が劣化が顕
著であることが多い。すなわちグルーブの方がクロス消
去が生じやすい。これはランドとグルーブでは熱の拡散
の仕方が異なり、ランドに記録したときの方が隣接トラ
ックへ熱が拡散しやすくなっていることが一因であると
考えられている。

【０００８】本発明者らは鋭意研究を行うことにより、
トラック幅をより広くすることがクロス消去の低減につ
ながることを見いだし、クロス消去の生じやすいグルー
ブトラックをより広く、クロス消去の生じにくいランド
トラックをより狭くなるように基板の溝形状を設計する
ことにより、記録密度を減少させることなくクロス消去
の少ない光記録媒体が得られることを見いだし、上記課
題を解決するに至った。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明の光記録媒体は、レーザー
光を照射することによって、情報の記録、消去、再生が
可能であって、情報の記録および消去が、非晶相と結晶
相の間の可逆的な相変化により行われ、基板に形成され
たランドトラックとグルーブトラックの両方に記録を行
い、隣り合うトラックの中心間の距離の平均値（トラッ
クピッチ）が０．７×ｄ（ｄは記録面上におけるレーザ
ービーム径で、ｄ＝０．８２×λ/ＮＡであって、レー
ザー光の波長λは３８０〜８２０ｎｍ、レンズの開口数
ＮＡは０．４〜１．２の範囲である）以下である。

【００１０】ここで、通常、ランドグルーブ記録を行う
光記録媒体に用いられる基板は、ランド幅とグルーブ幅
がほぼ等しくなるように成形されている。これはランド
とグルーブとにおける光学的特性が等価になるようにす
るためである。しかし高密度化のためトラックピッチを
小さくした場合、前述のとおりグルーブにおけるクロス
消去が著しく、エラーレートの増大を引き起こす。本発
明の光記録媒体に用いられる基板は、ランド幅とグルー
ブ幅の比率を変え、クロス消去の生じやすいグルーブの
幅が広く、クロス消去の生じにくいランドの幅が狭くな
るように成形されていることに特徴がある。これによっ
て、トラックピッチを小さくした場合でもクロス消去の
増大を抑制することが可能となる。すなわち、グルーブ
のクロス消去を低減させるために、Ｗｌ／Ｗｇ（Ｗｌ、
Ｗｇはそれぞれグルーブ深さの２分の１の位置における
ランド幅の平均値とグルーブ幅の平均値）の値が０．９
５以下であることが必要である。ランドとグルーブの光
学的特性が著しく異なることなく、クロス消去を低減さ
せる効果を十分に得るためにはＷｌ／Ｗｇの値が０．７
０〜０．８５であることである。

【００１１】基板の材質としては通常ポリカーボネート
やＰＭＭＡ、アクリル、ポリオレフィン、エポキシなど
の樹脂やガラスが用いられる。

【００１２】本発明の第１誘電体層の材質として好適な
ものは、ＺｎＳとＳｉＯ₂の混合物からなる膜である。
この材料は、残留応力が小さいため、繰り返しオーバー
ライトによるバースト劣化などが起きにくい。また、Ｚ
ｎＳとＳｉＯ₂ と炭素の混合物は、膜の残留応力がさら
に小さいこと、記録、消去の繰り返しによっても、記録
感度、キャリア対ノイズ比（Ｃ／Ｎ）、消去率などの劣
化が起きにくいことからも特に好ましい。膜の厚さは光
学的な条件により決められるが、５〜５００ｎｍが好ま
しい。これより厚いと、クラックなどが生じることがあ
り、これより薄いと、オーバーライトの繰り返しにより
基板が熱ダメージを受けやすく、繰り返し特性が劣化し
易い。膜の厚さの特に好ましい範囲は５０〜２００ｎｍ
である。

【００１３】本発明の記録層としては、特に限定するも
のではないが、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金が、消去時間が短
く、かつ多数回の記録、消去の繰り返しが可能であり、
キャリア対ノイズ比（Ｃ／Ｎ）、消去率などの記録特性
に優れることから好ましい。特に記録、消去、または再
生を行うレーザー光を照射する線速度が毎秒７．５×１
０⁶×ｄ以上であり、レーザー光によりマークエッジ方
式で記録される記録マークのうち最短のマークのレーザ
ー進行方向における長さが０．５５×ｄ以下であるよう
な高速、高密度記録を行う光記録媒体の場合には、記録
層の組成が下記式｛（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）_x（Ｓｂ_0.4Ｔｅ_0.6）_1-x｝_1-yＳｂ_y において、０．５≦ｘ≦０．９５、０≦ｙ≦０．０８の
組成範囲であることが好ましい。ｘ＜０．５では、記録
層の相変化に伴う反射率変化が小さくなるため十分な信
号強度を得られないことがあり、ｘ＞０．９５の場合
は、結晶化速度が遅くなるため消去特性が悪化し、オー
バーライト特性が悪くなることがある。ｙ＞０．０８の
場合、初期の消去特性が悪い場合や、長期保存後のオー
バーライト特性が悪くなる場合がある。また、長期保存
安定性の改善のため、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅを除く元素周期
律表における第２周期から第６周期の３Ａ族から６Ｂ族
に属する元素すなわち、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、
Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、
Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃ
ｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｉｒ、
Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｐｂから選ばれた少なくとも一種の
元素を添加しても良い。

【００１４】本発明の記録層の厚さとしては、５〜４０
ｎｍの範囲内であることが好ましい。特に前述の高速高
密度記録を行う光記録媒体においては、光学的な設計の
点などから７〜１５ｎｍの範囲内であることが好まし
い。

【００１５】本発明の第２誘電体層の材質は、第１誘電
体層の材料としてあげたものと同様のものでも良いし、
異種の材料であってもよい。第２誘電体層の厚さは記録
層の冷却に関し影響が大きく、より良好な記録、消去特
性や繰り返し耐久性を得るために、２〜５０ｎｍの範囲
内で最適な膜厚に調整することが好ましい。

【００１６】本発明の反射層の材質としては、光反射性
を有する金属、合金、および金属と金属化合物の混合物
などがあげられる。具体的には、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃ
ｕなどの高反射率の金属や、それを主成分とした合金、
Ａｌ、Ｓｉなどの窒化物、酸化物、カルコゲン化物など
の金属化合物が好ましい。Ａｌ、Ａｕ、Ａｇなどの金
属、及びこれらを主成分とする合金は、光反射性が高
く、かつ熱伝導率を高くできることから特に好ましい。
特に、材料の価格が安くできることから、ＡｌまたはＡ
ｇを主成分とする合金が好ましい。反射層の厚さとして
は、通常、おおむね３０〜３００ｎｍである。

【００１７】本発明においては、境界層を記録層の上部
および／または下部に、記録層に接して設けることが好
ましい。境界層を設けることによって、繰り返しオーバ
ーライトによる特性の劣化を防ぐことができる。この原
因としては、これらの層が誘電体層から記録層への原子
の拡散を防ぐバリア層の役割を果たしているからである
と考えられる。また、境界層を設けることでオーバーラ
イト特性が向上する。これは、境界層により結晶化速度
が大きくなり、消去特性が向上するためであると考えら
れる。このため、記録、消去、または再生を行うレーザ
ー光を照射する線速度が毎秒７．５×１０⁶×ｄ以上で
あり、レーザー光によりマークエッジ方式で記録される
記録マークのうち最短のマークのレーザー進行方向にお
ける長さが０．５５×ｄ以下であるような高速、高密度
記録を行う場合には特に境界層を設けることが好まし
い。またさらには、境界層を設けることによって保存耐
久性、すなわち長期保存後の再生特性やオーバーライト
特性を改良できる。この原因は、長期間放置しても記録
層における原子配列などの状態の変化や、誘電体層と記
録層の反応を防げるからであると推定される。

【００１８】境界層は、炭素を主成分とする層あるいは
炭化物、酸化物、窒化物から選ばれる少なくとも一つを
主成分とする層からなることが好ましい。ここで主成分
とは成膜された境界層の中に５０wt％以上含まれること
をいう。炭化物、酸化物、窒化物としては、周期律表第
６周期の３Ａ族から６Ｂ族に属する元素との炭化物、酸
化物、窒化物が使用可能であり、具体的には、Ｂ、Ａ
ｌ、Ｓｉ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、
Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｌ
ａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｌ、
Ｐｂから選ばれた金属の炭化物、酸化物、窒化物が好ま
しく使用され、さらに好ましくは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ａｌ、Ｙ、Ｃｒ、Ｗ、Ｚｎ、
Ｉｎ、Ｓｎから選ばれた金属の炭化物、酸化物、窒化物
が使用される。保存安定性の点で、炭素を主成分とする
材料を用いることが特に好ましい。記録層の両側に境界
層を設ける場合は、それらが同じ材料でも異なった材料
でもよい。

【００１９】境界層の厚さは、剥離し難いこと、また光
学的な条件から、０．５〜１０ｎｍの範囲内であること
が好ましい。厚さが１０ｎｍを越えると、第１誘電体層
や記録層と剥離しやすい傾向がある。また、０．５ｎｍ
未満では、均一の厚さに蒸着することが困難であり、か
つ境界層を設けた効果が得られないことがある。

【００２０】また本発明では、吸収量補正層を第２誘電
体層と反射層の間に設けてもよい。吸収量補正層を設け
ることにより、非晶状態の記録層の光吸収率を低減し、
結晶状態との光吸収量差を小さく、さらには結晶状態よ
り小さくするようにもできるためである。この吸収量補
正の効果により、結晶部分と非晶部分の記録時における
昇温状態の差が小さくなり、記録マークの形状の乱れ、
形成位置のずれなどが低減できるためオーバーライト消
去特性が向上し、オーバーライト時のジッター特性が改
善できる。さらにはクロス消去の低減や、再生光の繰り
返し照射に対する耐久性の向上にも効果がある。吸収量
補正効果は各構成層の厚みと光学定数（屈折率および消
衰係数）により決定されるが、特に吸収量補正層の光学
定数に大きく依存する。この吸収量補正層の屈折率およ
び消衰係数が適度に大きいことが必要で、記録、再生を
行うレーザー光の波長における屈折率が１．０〜４．０
の範囲内、消衰係数が０．５〜３．０の範囲内であるこ
とが好ましい。

【００２１】吸収量補正層の好ましい材質としては、シ
リコン、ゲルマニウム、チタン、ジルコニウム、タング
ステン、クロム、モリブデン、アルミニウムのうち少な
くとも一つを含む固溶体合金、金属間化合物、もしくは
酸化物、炭化物、窒化物などの材料から選ばれる少なく
とも１つを主成分とする材料が挙げられる。特にアルミ
ニウムやクロムを酸素や窒素と化合させたものは光学定
数の制御がし易いので好ましい。

【００２２】また、吸収量補正層の膜厚は、吸収量補正
層の光学定数によって最適な厚さは変化するが、おおむ
ね１０〜１００ｎｍの範囲内であることが好ましい。

【００２３】本発明の光記録媒体はトラックピッチが
０．７×ｄ以下であるため非常に高密度であるが、さら
なる高密度化と高速化のため、マークエッジ方式で記録
される記録マークのうち最短のマークのレーザー進行方
向における長さが０．５５×ｄ以下となるような高い記
録周波数にし、レーザー光を照射する線速度を毎秒７．
５×１０⁶×ｄ以上にすることが特に好ましい。前述の
境界層を設けることにより、このような高速、高密度記
録を行っても良好な記録特性を得ることができる。ま
た、前述の吸収量補正層も設ければ、さらに良好な記録
特性を得ることも可能である。

【００２４】次に、本発明の光記録媒体の製造方法につ
いて述べる。第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、反
射層などを基板上に形成する方法としては、真空中での
薄膜形成法、例えば真空蒸着法、イオンプレーティング
法、スパッタリング法などがあげられる。特に組成、膜
厚のコントロールが容易であることから、スパッタリン
グ法が好ましい。形成する記録層などの厚さの制御は、
水晶振動子膜厚計などで、堆積状態をモニタリングする
ことで、容易に行える。

【００２５】また、本発明の効果を著しく損なわない範
囲において、反射層を形成した後、傷、変形の防止など
のため、ＺｎＳ、ＳｉＯ₂ 、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂ 、などの
誘電体層あるいは紫外線硬化樹脂などの保護層などを必
要に応じて設けてもよい。

【００２６】

【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。（分析，測定方法）反射層、記録層の組成は、試料薄膜
を酸で溶解して、ＩＣＰ発光分光分析装置（セイコーイ
ンスツルメンツ製）を用いて各元素の付着量を求め、原
子数比に換算した。吸収量補正層の組成は後方散乱測定
装置（日新ハイボルテージ（株）製）を用いてラザフォ
ード後方散乱分析により確認した。記録層、誘電体層、
反射層の形成中の膜厚は、水晶振動子膜厚計によりモニ
ターした。また各層の厚さは、走査型あるいは透過型電
子顕微鏡で断面を観察することにより測定した。基板の
ランド幅、グルーブ幅とグルーブ深さについては、ＡＦ
Ｍにより測定した。

【００２７】スパッタリングにより成膜した光記録媒体
は、記録を行う前にあらかじめ波長８３０ｎｍの半導体
レーザのビームでディスク全面の記録層を結晶化し初期
化した。記録特性評価装置は、対物レンズの開口数０．
６、半導体レーザの波長６６０ｎｍ（レーザービーム径
０．９μｍ）の光学ヘッドを備えており、線速度８．２
ｍ／秒、最短マーク長、すなわち３Ｔマークの長さが
０．４２μｍとなる記録周波数で、８−１６変調方式で
マークエッジ記録を行った。そのときの記録レーザー波
形は一般的なマルチパルスで、記録マークの長さと前後
のスペースの長さに応じて記録パルスのエッジ位置を変
化させるパターン適応型の記録補償方式を用いた。記録
パワー、消去パワーは各ディスクのランド、およびグル
ーブのそれぞれで最適なパワーにした。

【００２８】クロス消去の評価は次のように行った。ま
ず測定トラックに１００回ランダムパターンを記録し、
タイムインターバルアナライザーによってジッターを測
定した。続いて測定トラックに隣接する両側のトラック
に１０回または１０００回ランダムパターンを記録し、
その状態で再度測定トラックのジッターを測定した。こ
のときのジッターの上昇の程度でクロス消去の耐久性を
評価した。

【００２９】（実施例１）厚さ０．６ｍｍ、直径１２ｃ
ｍ、トラックピッチ０．６１５μｍで、ランド幅Ｗｌが
０．５５μｍ、グルーブ幅Ｗｇが０．６８μｍ、すなわ
ちＷｌ／Ｗｇ＝０．８１でグルーブ深さが６８ｎｍであ
る溝形状のポリカーボネート製基板を毎分４０回転で回
転させながら、スパッタリングを行った。まず、真空容
器内を１×１０^-4Ｐａまで排気した後、０．２Ｐａのア
ルゴンガス零囲気中でＳｉＯ₂ を２０ｍｏｌ％添加した
ＺｎＳターゲットをスパッタリングし、基板上に膜厚１
６０ｎｍの第１誘電体層を形成した。次に炭素ターゲッ
トをスパッタリングし、第１境界層として炭素層を２ｎ
ｍ形成した。続いて、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなる合金タ
ーゲットをスパッタリングして、厚さ１２ｎｍ、組成Ｇ
ｅ_28.6Ｓｂ_17.8Ｔｅ₅₃ _.6［すなわち｛（Ｇｅ_0.5Ｔ
ｅ_0.5）_0.579（Ｓｂ_0.4Ｔｅ_0.6）_0.421｝_0.989Ｓｂ₀
_.011］の記録層を得た。さらに第２境界層としてゲルマ
ニウムターゲットをアルゴンと窒素の混合ガスでスパッ
タリングして形成した窒化ゲルマニウム層を２ｎｍ形成
した。続いて第２誘電体層として第１誘電体層と同じＺ
ｎＳ−ＳｉＯ₂ターゲットをスパッタリングして、厚さ
１７ｎｍの第２誘電体層を形成した。続いてＡｌ_97.5Ｃ
ｒ_2.5合金をスパッタリングして、膜厚２００ｎｍの反
射層を形成した。このディスクを真空容器より取り出し
た後、この反射層上にアクリル系紫外線硬化樹脂（大日
本インキ（株）製ＳＤ−１０１）をスピンコートし、紫
外線照射により硬化させて膜厚３μｍの樹脂層を形成
し、次にスクリーン印刷機を用いて遅効性の紫外線硬化
樹脂を塗布し、紫外線を照射した後、同様に作製したデ
ィスク２枚を貼り合わせて本発明の光記録媒体を得た。

【００３０】１トラックのみに１００回記録したときの
ジッターはランドで８．４％、グルーブで７．６％であ
った。隣接する両側のトラックに１０回ずつ記録したと
きのジッターはランドで８．９％、グルーブで８．６％
であった。隣接する両側のトラックに１０００回ずつ記
録したときのジッターはランドで９．３％、グルーブで
９．２％であった。このように、ランド、グルーブいず
れのトラックでもクロス消去によるジッターの上昇が低
く抑えられていた。

【００３１】（実施例２）ランド幅Ｗｌが０．５９μ
ｍ、グルーブ幅Ｗｇが０．６４μｍ、すなわちＷｌ／Ｗ
ｇ＝０．９２である他は実施例１と同様の基板を用い、
実施例１と同様の膜構成の光記録媒体を作製した。

【００３２】１トラックのみに１００回記録したときの
ジッターはランドで８．２％、グルーブで７．８％であ
った。隣接する両側のトラックに１０回ずつ記録したと
きのジッターはランドで８．８％、グルーブで８．９％
であった。隣接する両側のトラックに１０００回ずつ記
録したときのジッターはランドで８．８％、グルーブで
９．８％であった。このように、グルーブにおいてはク
ロス消去によるジッターの上昇がやや大きいものの、実
用上問題のない程度にクロス消去の影響が抑えられてい
た。

【００３３】（実施例３）実施例２と同じ溝形状の基板
を用い、第２誘電体層と反射層の間に酸化アルミニウム
（ＡｌＯｘｘ＝０．４）からなる吸収量補正層を設け
た他は実施例１と同様の膜構成で基板上に成膜して光記
録媒体を作製した。ただし、光学的に最適な設計とする
ため、第１誘電体層、第１境界層、記録層、第２境界
層、第２誘電体層、吸収量補正層、反射層の厚さは、そ
れぞれ１２０ｎｍ、２ｎｍ、９ｎｍ、２ｎｍ、３０ｎ
ｍ、７０ｎｍ、９０ｎｍとした。

【００３４】１トラックのみに１００回記録したときの
ジッターはランドで８．５％、グルーブで７．８％であ
った。隣接する両側のトラックに１０回ずつ記録したと
きのジッターはランドで８．８％、グルーブで８．８％
であった。隣接する両側のトラックに１０００回ずつ記
録したときのジッターはランドで８．８％、グルーブで
９．１％であった。このように、ランド、グルーブいず
れのトラックでもクロス消去によるジッターの上昇が低
く抑えられていた。

【００３５】（比較例１）ランド幅Ｗｌが０．６１μ
ｍ、グルーブ幅Ｗｇが０．６２μｍ、すなわちＷｌ／Ｗ
ｇ＝０．９８である他は実施例１と同様の基板を用い、
実施例１と同様の膜構成の光記録媒体を作製した。

【００３６】１トラックのみに１００回記録したときの
ジッターはランドで７．７％、グルーブで７．８％であ
った。隣接する両側のトラックに１０回ずつ記録したと
きのジッターはランドで８．０％、グルーブで９．５％
であった。隣接する両側のトラックに１０００回ずつ記
録したときのジッターはランドで８．０％、グルーブで
１０．５％であった。このように、グルーブにおいては
クロス消去によるジッターの上昇が著しかった。

【００３７】（比較例２）ランド幅Ｗｌが０．５０μ
ｍ、グルーブ幅Ｗｇが０．７３μｍ、すなわちＷｌ／Ｗ
ｇ＝０．６８である他は実施例１と同様の基板を用い、
実施例１と同様の膜構成の光記録媒体を作製した。

【００３８】ランド幅が狭いためランドに記録した信号
の振幅がグルーブに比べて小さく、良好なランドグルー
ブ記録を行うことが困難であった

【００３９】

【発明の効果】本発明の光記録媒体は、トラックピッチ
が０．７×ｄ以下において、（ランド幅／グルーブ幅）
の値を０．９５以下にしたので、クロス消去の生じにく
い良好な記録特性を得ることが可能となる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5D029 MA03 NA23 WB11 WB14 WC05 WC06 WD10 WD30 5D090 AA01 BB05 CC14 FF15 GG07

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】レーザー光を照射することによって、情報
の記録、消去、再生が可能であり、情報の記録および消
去が、非晶相と結晶相の間の可逆的な相変化により行わ
れ、基板に形成されたランドトラックとグルーブトラッ
クの両方に記録を行い、隣り合うトラックの中心間の距
離の平均値（トラックピッチ）が０．７×ｄ（ｄは記録
面上におけるレーザービーム径であって、レーザー光の
波長をλ、レンズの開口数をＮＡとしたとき、ｄ＝０．
８２×λ/ＮＡで表され、λは３８０〜８２０ｎｍ、レ
ンズの開口数ＮＡは０．４〜１．２の範囲である）以下
である光記録媒体であって、少なくとも基板上に第１誘
電体層、記録層、第２誘電体層、反射層をこの順に備
え、Ｗｌ／Ｗｇ（Ｗｌ、Ｗｇはそれぞれグルーブ深さの
２分の１の位置におけるランド幅の平均値とグルーブ幅
の平均値）の値が０．９５以下であることを特徴とする
光記録媒体。
【請求項２】炭素、炭化物、酸化物、窒化物から選ばれ
る少なくともひとつを主成分とする境界層を、記録層の
上部および／または下部に記録層に接して設けたことを
特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】第２誘電体層と反射層の間に吸収量補正層
を設けたことを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項４】レーザー光を照射する線速度が毎秒７．５
×１０⁶×ｄ以上であり、レーザー光によりマークエッ
ジ方式で記録される記録マークのうち最短のマークのレ
ーザー進行方向における長さが０．５５×ｄ以下である
ことを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。