JP3068402B2 - 光導波路ファイバを被覆する方法および装置 - Google Patents
光導波路ファイバを被覆する方法および装置Info
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Description
に関する。
ァイバを製造するための好ましい方法は、i)外付け法
(OVD)、軸付け法(VAD)または修正された化学
的蒸気沈積法(MCVD)のような沈積技術を用いてプ
リフォ−ムを作成し、ii)OVDまたはVADス−ト・
プリフォ−ムを脱水しかつコンソリデ−トして(または
MCVDプリフォ−ムを中実のガラスプリフォ−ムを作
成し、iii)そしてそのガラスプリフォ−ムを延伸して
ファイバを形成することである。高強度と低損失が必要
とされるので、ファイバの最初の表面が製造時または使
用時に取扱いによって破損される前にその延伸されたフ
ァイバに被覆が添着される。この被覆工程は、ファイバ
の表面が破損される前に被覆材料が適用されるようにす
るために延伸処理の一体の部分として行なわれるのが通
常である。光ファイバはリボン・ファイバとして知られ
ているアレイとして組合せられることもあり、そのリボ
ン・ファイバを製造するためには被覆されたまたは被覆
されていない光ファイバのアレイにオ−バ−コ−ティン
グが適用されることが必要とされる。
れる被覆材料は紫外線に露光されることによって硬化し
うるアクリレ−ト(acrylate)をベ−スにした組成であ
る。この材料は液体状態でファイバの表面に適用され、
そしてその後で硬化のために紫外線に露光される。被覆
材料は1つ以上の層をなして適用されうる。この場合、
2層被覆方式が好ましい実施例である。第1のまたは1
次の被覆はファイバの表面に直接適用され、そして第2
のまたは2次の被覆がその1次の被覆の上に添着され
る。
定の被覆直径およびそのファイバに同心状に適用される
被覆を有する被覆されたファイバを高い延伸速度で作成
することが重要である。この2つの事項はファイバのス
プライス(splicing)および接続(connectorization)
に寄与し、それによって敷設されたファイバの用途にお
ける損失をより少なくする。延伸速度をより高くするこ
とによって出力および装置の利用度を多くすることにな
ってファイバの製造費を低下させる。市場の需要のた
め、光導波路ファイバの被覆直径の公差(tolerance)
がより厳しくなってきている。現在の製造方法は約±15
μmの公差を有する被覆を設けているが、約±3〜5μmの
公差が必要とされている。
れたファイバを冷却することに向けて多くの研究がなさ
れている。これが必要なのは、高い延伸温度(1800〜20
00℃の範囲の)および延伸速度のために、最初の被覆添
着におけるファイバの温度が高くなりすぎて十分な被覆
が得られなくなるからである。被覆の添着時にファイバ
温度が高すぎると、その添着された被覆の品質、寸法、
および密度が悪影響を受けることになる。被覆材料の適
切な添着のためには、ファイバ温度は約300℃以下でな
ければならないことが知られている。Paek et al., "Fo
rced Conventive Cooling of Optical Fibers in High
Speed Coating", J. of Applied Physics,vol. 50. no.
10, pp. 6144-48, October 1979を参照されたい。最初
の被覆添着の前にファイバの温度を低下させるようにな
されたシステムの例としては米国特許第4594088
号、第4514205号、および第5043001号が
ある。
用いられているファイバ延伸および被覆装置が図1に示
されている。ファイバ10は炉1内で加熱されたプリフ
ォ−ム10から延伸される。ファイバ10はその後でフ
ァイバ冷却装置2を通り、約90℃以下の温度に冷却され
る。ファイバ10は一次コ−タ・アセンブリ3を通り、
一次被覆層を被覆される。この一次被覆層は一次被覆装
置4で硬化され、そしてこの硬化された一次被覆を含ん
だファイバの直径が装置5によって測定される。硬化装
置4は照射器アレイよりなるのが通例である。ファイバ
10は次に二次コ−タ・アセンブリ6を通り、二次被覆
層を被覆される。この二次被覆層は一次被覆硬化装置4
と同様の二次被覆硬化装置7で硬化され、そしてその硬
化され二次被覆を含んだファイバの直径が装置8によっ
て測定される。中間の装置を通じてファイバを炉1から
引張るためにトラクタ手段9が用いられる。その後でフ
ァイバは爾後の処理のためにワインダ(図示せず)によ
ってスプ−ルに巻取られるのが通例である。
な図である。ファイバ21がガイド・ダイ22を通じて
被覆ダイ・アセンブリ20に入る。被覆材料がインサ−
ト23の穴24を通じて被覆ダイ・アセンブリ20に送
られる。ファイバ21はサイジング・ダイ25を通じて
被覆ダイ・アセンブリ20から出る。ファイバ21が被
覆ダイ・アセンブリ20を通るにつれて、被覆材料が加
速される。被覆材料とファイバ21がサイジング・ダイ
25に入ると、被覆材料の一部分がファイバと一緒に引
出される。図2に示された被覆ダイ・アセンブリ20は
米国特許第4531959号に開示されたものと類似し
ている。被覆は米国特許第4792347号に開示され
ているように被覆における泡の形成を軽減する方法を用
いて適用される。
の量はサイジング・ダイ25内の被覆材料の速度分布に
依存する。この速度分布は、被覆ダイ・アセンブリ20
を通じてファイバ21が延伸される速度、およびサイジ
ング・ダイ25内の被覆材料の粘度分布によって影響さ
れる。被覆材料の粘度分布はそれの温度の関数であり、
i)ファイバ21の温度、ii)サイジング・ダイ25の
壁の温度、iii)流体摩擦による機械的エネルギ−の熱
的エネルギ−への変換の結果である「ビスカス・ヒ−テ
ィング」(viscous heating)として知られている内部
熱発生、iv)入来被覆の温度、およびv)被覆が連通し
ている表面の温度によって影響される。粘度分布はまた
せん断率(shear rate)または等価的に印加される応力
の関数でもある。これらのような流体が非ニュ−トン流
体として説明される。
対して、被覆されたファイバの直径はサイジング・ダイ
25の出口における被覆材料の速度分布によって決定さ
れる。サイジング・ダイ25の出口における速度分布は
被覆ダイ・アセンブリ20の他の部分の速度分布によっ
て影響され得る。したがって、被覆されたファイバの直
径が決定される領域またはその近傍の領域は、サイジン
グ・ダイ25の出口における速度分布も影響されるよう
に影響されうる。この領域は、被覆材料の温度、したが
って粘度分布の制御が被覆されたファイバの直径に対す
る十分な制御を与えるならば、サイジング・ダイ全体、
またはインサ−ト23の近傍の被覆ダイ・アセンブリ2
0の部分さも含む。しかし、下記のように、粘度分布が
制御される領域では、サイジング・ダイ25のランド領
域26に局部化された被覆材料の温度を制御することに
よって被覆されたファイバの直径に対する非常に応答性
の良い制御を得ることができる。
かつ二次コ−タ・アセンブリ6の前にファイバ10の温
度を制御することができるが、一般にそのようにするの
は便利でもなければ実際的てきでもない。例えば、ファ
イバの温度を変更するためには、低ガス流温度調節装置
では長い滞在時間を要しあるいは高ガス流温度調節装置
では短い滞在時間を要する。これは一次被覆層と組合せ
られたファイバの相対的に大きい熱的質量(被覆されて
いないファイバと比較してその熱的質量の約3倍)によ
る。ファイバ延伸装置では、長期滞在温度調節装置の使
用を妨げる空間的制約がある。また、ファイバの温度を
変更するのはファイバ延伸処理における爾後の工程に悪
影響をおよぼすおそれがある。
2242号、および特公昭63−74938号には種々
の被覆方式が示されている。
ら引出される被覆材料の量の変化は、被覆されたファイ
バの外径の大きな変動を生ずることになる。本発明者は
被覆されたファイバの直径が決定される領域におけるま
たはその領域の近傍における被覆材料の粘度分布を制御
することによって、直径の変動が3倍以上改善されうる
ことを見出した。本発明者は被覆されたファイバの直径
が決定される領域におけるまたはその領域の近傍におけ
る被覆材料の温度を制御することによって粘度分布を制
御することができることを認めた。
ファイバを被覆するための装置であって、サイジング・
ダイにおける被覆材料の粘度分布を制御する装置が提供
される。被覆されたファイバの直径が決定される領域に
おいてまたはその領域の近傍においてサイジング・ダイ
における被覆材料の粘度分布を制御することによって、
ファイバに添着される被覆の量を制御することができ
る。
ァイバを被覆する方法であって、サイジング・ダイにお
ける被覆材料の温度を調節することによってファイバに
添着される被覆の量が制御され、それによって被覆され
たファイバの直径が決定される領域においてまたはその
領域の近傍において被覆材料の粘度分布に影響を及ぼす
ようにする方法が提供される。
通路ファイバを被覆する装置であって、被覆材料が装置
に導入されるときの被覆材料の体積温度の制御とは独立
に、被覆されたファイバの直径が決定される領域におい
てまたはその領域の近傍において被覆材料の温度を制御
する装置が提供される。
導波路ファイバを被覆する方法においては、サイジング
・ダイを具備していて硬化可能な材料である被覆材料を
含んだ被覆ダイに光導波路ファイバを通し、前記被覆材
料の1つの層を前記ファイバに被覆し、被覆されたファ
イバの直径を測定しかつ前記被覆されたファイバの直径
を表わす直径信号を発生し、前記直径信号と予め定めら
れた目標値との差に応答して前記サイジング・ダイの少
なくとも一部分の温度を変化することによって前記被覆
されたファイバの直径を制御することが行なわれる。
バを被覆するための装置は、前記ファイバ上に被覆層を
形成するためにそのファイバに硬化可能な材料被覆材料
を添着させるコ−タであって、ダイ・ランドを有するサ
イジング・ダイを具備しておりそのサイジング・ダイの
直径が実質的に一定であるコ−タと、前記被覆層を硬化
させる硬化装置と、前記被覆層を具備したファイバの直
径を測定しかつ前記直径を表わす直径信号を発生する直
径測定装置と、前記ダイ・ランド領域と動作的に関連し
たヒ−タと、前記ヒ−タから前記ダイ・ランド領域に供
給される熱を前記直径信号に応答して変化させる制御器
を具備している。
バの被覆された直径を制御する方法では、硬化可能な被
覆材料を供給される被覆装置にファイバを導入し、前記
硬化可能な被覆材料の1つの層をファイバに添着させ、
前記被覆装置からサイジング・ダイを通じてファイバを
除去し、前記硬化可能な被覆材料の層を硬化させ、前記
ファイバの被覆された直径を測定しかつその被覆された
直径を表わす信号を発生し、前記信号を被覆されたファ
イバの直径の予め定められた所望の値と比較し、前記サ
イジング・ダイに隣接した被覆材料の粘度を変化させ、
それによって被覆された直径を変化させるように前記サ
イジング・ダイに隣接した被覆材料を局部的に加熱する
ことによって前記被覆された直径を制御することが行な
われる。
被覆するために現在用いられている典型的な被覆ダイ・
アセンブリを示している。インサ−ト23の穴24を通
じて導入される被覆材料の取入れまたは体積温度は被覆
送りラインと連通した熱交換器(図示せず)によって所
望の値に維持される。温度制御された被覆はダイ・アセ
ンブリに入る前にインサ−ト23のまわりに放射状に分
布さされる。被覆材料は通常加圧状態でダイ・アセンブ
リ20に供給される。加圧されたコ−タは、ダイ・アセ
ンブリ20の内側の被覆材料のレベルがファイバ被覆処
理全体にわたって同じレベルに維持されるようにする。
イバ41がガイド・ダイ42を通じてダイ・アセンブリ
40に入る。被覆材料がインサ−ト43に導入される。
ファイバ41が循環領域44に入ると、ファイバと被覆
材料との間の境界面に上方メニスカス(upper meniscu
s)が形成される。被覆材料とファイバ41がサイジン
グ・ダイに入ると、被覆材料の一部分がファイバと一緒
に引出される。ファイバによって加速されるがファイバ
と一緒には引出されない被覆材料が被覆ダイ・アセンブ
リ40内を循環する。ファイバが被覆ダイ・アセンブリ
40を出るところに下方メニスカス(lower meniscus)
ができる。サイジング・ダイ46の内径がサイジング・
ダイの出口からの距離に関し実質的に一定となるサイジ
ング・ダイの出口における領域としてダイ・ランド領域
50が画成される。
速度分布が内壁52の温度とファイバの温度とによって
影響される。この温度変化が被覆材料の粘度分布を変化
させるので、この温度変化によって速度分布が影響され
る。速度分布はファイバ41がダイ・アセンブリ40を
通じて引張られる速度によっても影響される。被覆材料
中でのファイバの速度によって生ずるせん断応力と、被
覆材料自体の粘度とが結合して熱を発生する。この現象
は粘性加熱として知られている。ファイバ41と一緒に
サイジング・ダイから出ない被覆材料は被覆ダイ・アセ
ンブリ40内で再循環し、そして粘性加熱に寄与する。
有限要素解析は、この内部熱発生が特にダイ・ランド領
域50の近傍において、サイジング・ダイ47の内壁5
2の温度に大きな変化を生じさせることを示している。
サイジング・ダイ47の壁におけるまたはその壁の近傍
における被覆材料が本質的に移動していない状態で、フ
ァイバ41の表面の近傍における被覆材料がファイバの
速度まで加速される。
ダイ47の全体の容積にわたる被覆材料の流れによって
決定される。サイジング・ダイ47の出口の領域につい
てみたサイジング・ダイ47の出口での速度分布の積分
が、ファイバ41に添着される被覆材料の流量、したが
って、このようにして得られる被覆されたファイバの直
径を決定する。所定のファイバ速度に対して、サイジン
グ・ダイの出口における速度分布はダイ・ランド領域の
幾何学形状を含むサイジング・ダイ全体の幾何学形状
と、被覆材料の粘度分布によって決定される。サイジン
グ・ダイの幾何学形状は通常固定されているから、被覆
されたファイバの直径を制御するための1つの手段はサ
イジング・ダイにおける、好ましくはランド領域50に
おける被覆材料の粘度分布を調節することである。
の方法は、被覆材料が被覆ダイ・アセンブリに供給され
る場合の被覆材料の温度を変化させることに依存してい
た。被覆材料の「バルク」(bulk)温度を変化させるこ
とは、被覆ダイ・アセンブリ全体にわたる粘性加熱の効
果を変化させる効果を有し、それによって被覆ダイ・ア
センブリ全体にわたる被覆材料の粘度分布を変更する。
これら2つの効果は互いに逆に作用する。例えば、被覆
温度のバルク温度の低下はより多くの粘性加熱を生じさ
せ、それが被覆材料の温度を上昇させ、そしてそれによ
って粘度を低下させることになる。これによって、被覆
されたファイバの直径が決定さえる領域におけるまたは
その領域の近傍における被覆材料の粘度分布が連続的に
変化し、速度分布を、したがって被覆されたファイバの
直径を変化させるので、被覆処理時に被覆されたファイ
バの直径に大きな比較的変化が生ずる。また、バルク温
度の変化は比較的ゆっくりと生じ、これによって被覆さ
れたファイバの直径の制御のための方法または装置で被
覆されたファイバの直径における短期の変動を制御する
ことができるようにする。
ってサイジング・ダイにおける被覆材料の粘度を調節し
ようとするかも知れない。しかし、それには、サイジン
グ・ダイにおける被覆材料の温度に急激な変化を生じさ
せるために特別に設計された熱交換器を必要とする。
における被覆材料の温度のより急激な変化を得ることが
できる被覆ダイ・アセンブリの領域に被覆材料の加熱を
局部化することである。例えば、ランド領域50におけ
る被覆材料の熱的質量がサイジング・ダイ47における
被覆材料の熱的質量より小さいから、ランド領域50を
取囲んだサイジング・ダイの部分に加熱が局部化される
のが有利である。加熱が局部化されればされるほど、温
度変化がより急激となる。本発明者は、サイジング・ダ
イ47における被覆材料の温度を調節することによっ
て、被覆されたファイバの直径についての改善された制
御が与えられることを認めた。しかし、被覆材料の温度
の非常に急激な変化が、サイジング・ダイ47の底面5
3を調節することによって得ることができ、それによっ
て被覆されたファイバの直径に対する非常に応答性の良
い制御が得られることになる。温度変化を底面53に局
部化することによって、約0.2μm/sec〜0.5μm/secの範
囲内の被覆されたファイバの直径の変化が得られた。こ
れによって所望の設定点の約3μm以内に被覆されたファ
イバの直径を制御することができると考えられる。本発
明者は、被覆されたファイバの直径を所望の設定点の0.
3μm内に定常的に制御することができた。
7の外壁の積極的な温度制御によって内壁52の温度が
変化され、それが被覆されたファイバの直径を最終的に
制御することになる。図4はサイジング・ダイ65の外
壁67のまわりに温度制御ジャケット66が配置され得
る本発明の1つの実施例を示している。ジャケット66
はサイジング・ダイ65の外壁67の温度を上昇または
下降させ、それによって内壁68の温度を上昇または下
降させることができる。ジャケット66によって与えら
れる温度調節は、被覆されたファイバの直径を目標値に
維持するするために必要とされる加熱または冷却のレベ
ルを決定するために被覆されたファイバの直径の測定値
を用いる制御装置(図示せず)によって制御される。フ
ァイバ61、ガイド・ダイ62、インサ−ト63および
被覆材料供給穴64は図2に関して説明したのと同様で
ある。
る。ガイド・ダイ102がコータ・ブロック101内に
配置される。ガイド・ダイ102の下にインサート10
3が配置され、これが被覆ダイ・アセンブリ100内へ
の被覆材料の入口となる。インサート103の下にはサ
イジング・ダイ104が配置される。サイジング・ダイ
104の下には熱電チップ105が配置され、かつサイ
ジング・ダイ104と熱的に連通する。熱電チップ10
5はサイジング・ダイを加熱しまたは冷却するためのヒ
ート・ポンプとして作用するためにペルチェ効果を用い
る。チップ105を横切る熱の方向はチップ105自体
内の電流の方向によって決定される。ペルチェ効果の詳
細については、Caillat et al., "Thermoelectric prop
erties of(Bix Sb1-x)2Te3 Single Crystal Solid Solu
tions Grown by the T.H.M. Method", J. Phys. Chem.
Solids, vol.53, no. 8, pp. 1121-29, 1992; Patel ne
t al., "Thermoelectric Cooling Effect in a p-Sb2Te
3-n-Bi2Te3 Thin Film Thermocouple", Solid-State El
ectronics, vol. 35, no. 9, pp. 1269-72, 1992を参照
されたい。ヒート・ポンプとして、熱電チップ105は
そのチップ105の後側に熱を供給するためあるいはそ
こから熱を奪うために熱的溜めを必要とする。この溜め
はチップ・ペデスタル106とチューブ107を通じて
チップ105と熱的に連通したヒート・シンク108よ
りなる。ヒート・シンク108の温度は再循環水浴でも
って一定のレベルに維持される。熱電チップ105がサ
イジング・ダイ104を冷却すると、ヒート・シンク1
08がチップ105の後側から熱を奪う。チップ105
がダイ104を加熱すると、ヒート・シンク108がチ
ップ105の後側に熱を供給する。
ァイバの被覆された直径を制御するために調節され得
る。一例として、正の極性は加熱モ−ドとして定義さ
れ、そして負の極性は冷却モ−ドとして定義され得る。
チップ105に印加される電圧の増加は、電圧が負方向
に小さくなされ得る、電圧が負から正に変更され得る、
電圧が正方向に大きくなされ得るという3つのシナリオ
を生じ得る。これら3つのシナリオはそれぞれ、ダイ1
04の冷却を少なくする、ダイ104の冷却からダイ1
04の加熱に変更する、そしてダイ104の加熱を多く
することができる。これらの作用はすべて、ランド領域
109の壁の近傍の被覆の温度を上昇させる。このラン
ド領域109のダイの壁の近傍における被覆温度の上昇
がダイ・ラウンド領域109の壁の近傍の被覆粘度を低
下させ、そして究極的には被覆されたファイバの直径を
増加させDる。同様にして、熱電チップ105に印加さ
れる電圧を低下させることによって、より小さい被覆さ
れた直径を得ることができる。
る。ガイド・ダイ112がコ−タ・ブロック111内に
配置される。ガイド・ダイ112の下にインサ−ト11
3が配置されて、それが被覆ダイ・アセンブリ110の
入口である。サイジング・ダイ114がインサ−ト11
3の下に配置される。サイジング・ダイの下にディスク
115が配置され、それがサイジング・ダイと熱的に連
通している。ディスク115はサイジング・ダイへのお
よびそれからの熱の効率的な伝達を与えるために高熱伝
導材料で作成されている。熱伝達チュ−ブ116がディ
スク115と熱的に連通している。その熱伝達チュ−ブ
116の少なくとも一部分を抵抗ヒ−タ117が包囲し
ている。熱伝達チュ−ブ116の一部分が抵抗ヒ−タ1
17の下に延長し、そしてヒ−ト・シンク118と熱的
に連通している。ヒ−ト・シンク118はそれから熱を
奪うために用いられる流体循環系統119に連結され
る。ヒ−ト・シンク118、熱伝達チュ−ブ116、抵
抗ヒ−タ117、およびディスク115間の熱的連通に
よって、熱がサイジング・ダイにまたはそれから伝達さ
れうる。
はそれから伝達される熱の量は、被覆されたファイバの
直径を目標値に制御するために、被覆されたファイバの
直径の測定値に基づいて調節される。被覆されたファイ
バの測定された直径が目標値以下である場合には、抵抗
ヒ−タ117からディスク115を通じてサイジング・
ダイ114に熱が伝達される。これは抵抗ヒ−タ117
に対する電流を増加させることによって達成され、これ
によってサイジング・ダイ114の壁の近傍における被
覆材料の温度上昇を生じ、その温度上昇によってサイジ
ング・ダイ114の壁の近傍における被覆材料の粘度を
低下させることになる。このサイジング・ダイ114の
壁の近傍における被覆材料の粘度の低下によって、ファ
イバに添着される被覆の量が増加し、それによって被覆
されたファイバの直径が増加する。同様に、被覆された
ファイバの測定値が目標値以上である場合には、熱がサ
イジング・ダイ114からディスク115、熱伝達チュ
−ブ116およびヒ−ト・シンク118を通じて伝達さ
れる。これは、循環系統における流体の流量を増加させ
ることによって達成され、その結果として、熱をヒ−ト
・シンクから伝達させ、それによってサイジング・ダイ
114の壁の近傍における被覆材料の温度を低下させ、
この温度の低下により、サイジング・ダイ114の壁の
近傍における被覆材料の粘度を上昇させることになる。
サイジング・ダイ114の壁の近傍における粘度の上昇
が、ファイバに添着される被覆材料の量を減少させ、そ
れによって被覆されたファイバの直径を減少させる。ヒ
−ト・シンク118を通じて伝達される熱の量は、循環
系統における流体の温度を上昇または低下させることに
よって、あるいは流体の流量と温度を組合せて変化させ
ることによっても変更され得る。
り、被覆されたファイバの直径以外の被覆されたファイ
バの物理的特性に対して悪影響が及ぼされるおそれがあ
るので、好ましい実施例はヒ−ト・シンク118および
流体循環系統119を有しない図6に示されたものと同
様の装置である。これはまた装置の設計を簡単化する。
この場合には、サイジング・ダイ114の出口の直径
は、被覆されたファイバの直径を所望の値に維持するた
めにある程度の熱が常に必要とされるように選定され
る。このことは、被覆装置に加熱機能と冷却機能の両方
が含まれている場合に必要とされるよりも、サイジング
・ダイの出口の直径が小さくなされることを必要とす
る。流体再循環系統によって与えられる冷却機能がなく
ても、抵抗ヒ−タがオフになされている場合に約0.1μm
の直径変化率が得られた。これは抵抗ヒ−タがオフの状
態で生ずる自然の冷却によることは明らかである。
は紫外線に露光されて硬化しうる公知のアクリレ−ト光
ファイバ被覆材料であった。被覆されていないファイバ
の直径の公称値は125μmであった。各実施例において2
つの被覆層が添着された。第1の被覆層の直径の公称値
は205μmであった。本発明の対象である装置は第2の被
覆層の直径を制御するためだけに用いられた。使用され
たサイジング・ダイのダイ・ランド領域における直径が
約315μmであった。ファイバの延伸速度はすべての実施
例で15メ−トル/秒であった。
と同様の装置がファイバ延伸処理と一体の被覆処理で用
いられた。完成品にれる所望の被覆された直径は250μm
であった。オンライン制御で用いられた被覆されたファ
イバの直径の目標値は、被覆されたファイバの貯蔵時に
生ずる被覆の収縮を斟酌するように調節された。使用さ
れた熱電チップはアメリカ合衆国テキサス州ダラスのマ
−ロウ・インダストリ−ズ・インコ−ポレイテッドから
市販されている1.8ワットのモデルSP1243-01ACであっ
た。被覆されたファイバの直径において255μmの設定点
では、自動帰還制御を伴う本発明の装置を用いて得られ
た平均直径は、0.1μmの標準偏差を伴って255.0μmであ
った。この装置は、得られる最大および最小の被覆ファ
イバ直径を決定するために開ル−プ制御モ−ドでも運転
された。熱電チップで冷却も加熱も適用されていない状
態で、公称直径は247.4μmであった。最大の加熱を適用
された状態では、公称直径は256.9μmであった。この結
果、熱電チップを用いて約10μmの被覆直径制御範囲が
得られた。
同様の装置が、ファイバ延伸処理と一体でないオフライ
ン被覆処理で用いられた。この実施例のオフライン被覆
処理では、公称直径が205μmの第1の被覆層をすでに有
するファイバに第2の被覆層だけを添着した。この実施
例の被覆処理はオフラインであったため、被覆ダイ・ア
センブリに入るファイバの温度は、被覆処理がファイバ
延伸処理の一体の部分として行なわれる場合よりも低か
った。その結果、第1の実施例と比較すると、ファイバ
直径が実質的に大きくなった。ディスクと熱伝達チュ−
ブは両方とも銅で作成されていた。抵抗ヒ−タは60ワッ
トのヒ−タであった。ヒ−ト・シンクは0℃に維持され
た。この装置は、得られる最大および最小の被覆ファイ
バ直径を決定するために開ル−プ制御モ−ドで運転され
た。ディスクを通じて冷却も加熱も行なわれていない状
態では、公称被覆ファイバ直径は268.3μmであった。最
大冷却が適用された場合には、公称被覆ファイバ直径は
約265μmであった。最大加熱が適用された場合には、公
称被覆ファイバ直径は約279.2μmであった。その結果、
約15μmの被覆ファイバ直径制御範囲が得られた。この
実施例は自動制御モ−ドでは運転されなかったが、直径
制御は上述した熱電チップのそれに等しいかあるいはそ
れより良好であろうと考えられる。
二次被覆の直径についての積極的な制御によって被覆フ
ァイバの全体の直径についての正確な制御が得られる。
これによって、被覆ファイバの直径に対するより厳しい
公差を満たすことができる。第2に、この積極的制御が
サイジング・ダイス間の幾何学的形状寸法の変化を補償
する。このような変化は一般的でありかつ完全に回避す
るのは実際上不可能である。二次被覆ファイバの公称直
径が255μmでありかつ一次被覆ファイバが二次コ−タ・
アセンブリに入る時のその一次被覆ファイバの直径が公
称で205μmであれば、サイジング・ダイの内径と315μm
の公称直径とに約10μmの差があれば、二次直径につい
て積極的な制御を行なわないと、二次被覆ファイバの直
径に約5μmの変化が生ずることになる。第3に、本発明
の方法および装置を用いれば、被覆処理の全体的名な安
定性に好ましい影響を及ぼすファイバ温度および被覆材
料のバルク温度で被覆処理を行うことができると思われ
る。被覆ファイバ直径が決定される領域におけるまたは
その領域の近傍における被覆材料の温度の制御とは関係
のない被覆アセンブリにその被覆材料が入るときの被覆
材料のバルク温度を制御することは改良された被覆ファ
イバ直径制御ならびに延伸および被覆処理の全体的な制
御を行うことは、改良された被覆ファイバ直径制御なら
びに延伸および被覆処理の全体的な安定性に寄与する。
この改良された被覆ファイバ直径制御は、被覆材料のバ
ルク温度を調節するのに必要な実質的に大きい質量を加
熱するのと比較して、被覆ファイバ直径が決定される領
域におけるまたはその領域の近傍における被覆材料の小
さい質量の温度を変化させることの応答性から生ずる。
することを含む被覆処理の場合には、各層の被覆直径を
制御することが重要である。したがって、本発明の他の
利点は、本発明がファイバに添着される任意の被覆層に
対して等しく適用できることである。これによって、装
置の標準化と、被覆ファイバの直径を制御するためにフ
ァイバ延伸装置における空間を最小限に抑えることを可
能にする。
示しかつ説明したが、これらの実施例の形式および詳細
には、特許請求の範囲に定義された本発明の範囲から逸
脱することなしに、種々の変更がなされうることが当業
者には理解されるであろう。例えば、本発明はリボンケ
−ブルを製造する場合にも適用できるものであり、その
場合には、光ファイバのアレイに適用される被覆の厚さ
を制御することが好ましい。また、本発明は単一の光フ
ァイバに添着される一次、二次、およびその他の任意の
被覆を添着するために適用できる。本発明はまた、例え
ばスタンドアロ−ン被覆処理のようなファイバ延伸処理
と一体でない被覆処理にも適用できる。
る。
る。
流体力学を示している。
リの断面図である。
の断面図である。
ンブリの断面図である。
Claims (14)
- 【請求項1】 光導波路ファイバを被覆する方法であっ
て、 a. 硬化可能な被覆材料を含み且つサイジング・ダイ
を具備する被覆ダイに光導波路ファイバを通す工程と、 b. 前記被覆材料の1つの層を前記ファイバに被覆す
る工程と、 c. 被覆されたファイバの直径を測定しかつ前記被覆
されたファイバの直径を表す直径信号を生成する工程
と、 d. 前記直径信号と予め定められた目標値との差に応
答して前記サイジング・ダイの少なくとも一部分の温度
を変化させて前記被覆されたファイバの直径を制御する
制御工程と、を有することを特徴とする光導波路ファイ
バを被覆する方法。 - 【請求項2】 前記制御工程は前記サイジング・ダイの
外壁面の温度の制御を含むことを特徴とする請求項1記
載の方法。 - 【請求項3】前記外壁面は前記サイジング・ダイの底面
であることを特徴とする請求項2記載の方法。 - 【請求項4】 前記光導波路ファイバに添着された一次
被覆層の上に二次被覆層として前記被覆材料を添着する
工程をさらに有することを特徴とする請求項1記載の方
法。 - 【請求項5】 約15m/secのファイバ延伸速度の場合に
おいて、前記被覆されたファイバ直径が約0.5μm/secま
での速度で変化するように被覆材料の温度を変化させる
ことを特徴とする請求項1記載の方法。 - 【請求項6】 前記サイジング・ダイの少なくとも一部
分において、前記サイジング・ダイの直径が実質的に一
定であることを特徴とする請求項1記載の方法。 - 【請求項7】 前記被覆されたファイバの直径が前記予
め定められた目標値の約3μm以内に維持されることを特
徴とする請求項1記載の方法。 - 【請求項8】 前記被覆されたファイバの直径が前記予
め定められた目標値の約0.3μm以内に維持されることを
特徴とする請求項7記載の方法。 - 【請求項9】 光導波路ファイバを被覆する装置であっ
て、 a.ファイバに硬化可能な被覆材料を添着させて前記フ
ァイバ上に被覆層を形成するコータであって、ダイ・ラ
ンドを有し且つ直径が実質的に一定であるサイジング・
ダイを具備するコータと、 b.前記被覆層を硬化させる硬化装置と、 c.前記被覆層を具備した前記ファイバの直径を測定し
かつ前記直径を表す直径信号を生成する直径測定装置
と、 d.前記ダイ・ランド領域と動作的に関連したヒータ
と、 e.前記ヒータから前記ダイ・ランド領域に供給される
熱を前記直径信号に応答して変化させる制御器と、を具
備していることを特徴とする請求項1乃至8のうちの1
の方法において使用される光導波路ファイバを被覆する
装置。 - 【請求項10】 前記コータの一部分の温度を制御する
手段は、 a.前記サイジング・ダイの底と熱的に連通した高熱伝
導材料よりなるディスクと、 b.前記ディスクと熱的に連通した熱伝達チューブと、 c.前記熱伝達チューブと熱的に連通した抵抗ヒータ
と、を具備しており、前記ディスク、前記熱伝達チュー
ブ、および前記抵抗ヒータが前記サイジング・ダイの底
面と熱的に連通していることを特徴とする請求項9記載
の光導波路ファイバの被覆装置。 - 【請求項11】 前記熱伝達チューブと熱的に連通した
流体循環系統をさらに具備していることを特徴とする請
求項10記載の装置。 - 【請求項12】 前記コータは、ランド領域及び底面を
有し且つ硬化可能な被覆材料が供給されるサイジング・
ダイであり、測定された被覆直径の所望の値からの偏差
に応答して、前記ランド領域における局部化された加熱
によって前記サイジング・ダイを加熱する手段を有して
いることを特徴とする請求項9乃至11記載のうちの1つ
の装置。 - 【請求項13】 前記抵抗ヒータを任意に加熱する手段
が前記サイジング・ダイの前記底面および/または熱電
チップと熱的に連通していることを特徴とする請求項12
記載の装置。 - 【請求項14】 光ファイバの被覆された直径を制御す
る方法であって、 a.硬化可能な被覆材料が供給される被覆装置にファイ
バを導入する工程と、 b.前記硬化可能な被覆材料の1つの層をファイバに添
着させる工程と、 c.前記被覆装置からサイジング・ダイを通じてファイ
バを除去する工程と、 d.前記硬化可能な被覆材料の層を硬化させる工程と、 e.前記ファイバの被覆された直径を測定しかつ前記被
覆された直径を表す信号を生成する工程と、 f.前記信号を被覆されたファイバの直径の予め定めら
れた所望の値と比較する工程と、 g.前記サイジング・ダイに隣接した被覆材料を局部的
に加熱して、前記サイジング・ダイに隣接した被覆材料
の粘度を変化させて、被覆された直径を変化させる工程
と、を有することを特徴とする光ファイバの被覆された
直径を制御する方法。
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