JP3067398B2 - 噴流式ウェットエッチング装置 - Google Patents
噴流式ウェットエッチング装置Info
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- JP3067398B2 JP3067398B2 JP17573592A JP17573592A JP3067398B2 JP 3067398 B2 JP3067398 B2 JP 3067398B2 JP 17573592 A JP17573592 A JP 17573592A JP 17573592 A JP17573592 A JP 17573592A JP 3067398 B2 JP3067398 B2 JP 3067398B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- nozzle
- wet etching
- jet
- etching solution
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- Weting (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、噴流式ウェットエッチ
ング装置に関する。
ング装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のウェットエッチング装置は、図3
に示すように、エッチング槽内に、キャリア11に入れ
られたウェハ3を浸漬するものである。薬液は、内槽1
2からオーバフローして外槽13へ落ち、ドレイン15
から、ポンプ7によって、フィルタ6を通って内槽12
へ戻る経路で循環し、フィルタリングが行われる。ウェ
ハ3およびキャリア11は所定の時間のエッチングを行
った後に、水洗、乾燥される。
に示すように、エッチング槽内に、キャリア11に入れ
られたウェハ3を浸漬するものである。薬液は、内槽1
2からオーバフローして外槽13へ落ち、ドレイン15
から、ポンプ7によって、フィルタ6を通って内槽12
へ戻る経路で循環し、フィルタリングが行われる。ウェ
ハ3およびキャリア11は所定の時間のエッチングを行
った後に、水洗、乾燥される。
【0003】図4に、スピンナ式のウェットエッチング
装置を示す。この場合には、ウェハ3は、100〜30
00r.p.m.程度で回転し、ウェハ3の上面から、
ノズル14を通して薬液をかける。薬液はドレイン25
からタンク19へ回収され、再使用される。
装置を示す。この場合には、ウェハ3は、100〜30
00r.p.m.程度で回転し、ウェハ3の上面から、
ノズル14を通して薬液をかける。薬液はドレイン25
からタンク19へ回収され、再使用される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た浸漬式のウェットエッチング装置では、ウェハを保持
するためのカセットやウェハ自身の帯電によってごみを
吸着する。
た浸漬式のウェットエッチング装置では、ウェハを保持
するためのカセットやウェハ自身の帯電によってごみを
吸着する。
【0005】また他のウェハの裏面に付着したパーティ
クルが表面に付着する。
クルが表面に付着する。
【0006】一方、スピンナ式のエッチング装置の場合
でも、降下するパーティクルの付着や、エッチング後に
飛散した薬液の微粒子(ミスト)が、ウェハの表面に付
着して、しみ状になるなどの課題がある。
でも、降下するパーティクルの付着や、エッチング後に
飛散した薬液の微粒子(ミスト)が、ウェハの表面に付
着して、しみ状になるなどの課題がある。
【0007】本発明は従来の上記実情に鑑みてなされた
ものであり、従って本発明の目的は、従来の技術に内在
する上記諸課題を解決することを可能とした新規な噴流
式ウェットエッチング装置を提供することにある。
ものであり、従って本発明の目的は、従来の技術に内在
する上記諸課題を解決することを可能とした新規な噴流
式ウェットエッチング装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する為
に、本発明に係るチャンバ内にエッチング液を噴出する
ノズルと、ノズルから離れて、かつノズルの噴出口の位
置よりも下方に設けられたエッチング液を排出するドレ
イン孔とを備えた噴流式ウェットエッチング装置は、チ
ャンバの外に、ウェハの裏面を真空吸着する、接地電位
に電気的に接続された導電性の真空チェックと、ウェハ
の表面を下向きに、ウェハを保持するウェハホルダと、
ウェハの表面にのみエッチング液を吹きつけるポンプと
を備えて構成され、ウェハ表面に当たって落下してきた
エッチング液をドレイン孔で排出している。
に、本発明に係るチャンバ内にエッチング液を噴出する
ノズルと、ノズルから離れて、かつノズルの噴出口の位
置よりも下方に設けられたエッチング液を排出するドレ
イン孔とを備えた噴流式ウェットエッチング装置は、チ
ャンバの外に、ウェハの裏面を真空吸着する、接地電位
に電気的に接続された導電性の真空チェックと、ウェハ
の表面を下向きに、ウェハを保持するウェハホルダと、
ウェハの表面にのみエッチング液を吹きつけるポンプと
を備えて構成され、ウェハ表面に当たって落下してきた
エッチング液をドレイン孔で排出している。
【0009】
【実施例】次に、本発明をその好ましい各実施例につい
て図面を参照して具体的に説明する。
て図面を参照して具体的に説明する。
【0010】図1は本発明に係る噴流式ウェットエッチ
ング装置の第1の実施例を示す一部断面概略構成図であ
る。
ング装置の第1の実施例を示す一部断面概略構成図であ
る。
【0011】図1を参照するに、ウェハ3は、導電性の
真空チャック1によって、チャンバ8の内部に、表面を
下向きにして保持されている。真空チャック1は、帯電
を防ぐために接地されている。この構造体に下方向から
ポンプ7によって薬液を吹きつける。
真空チャック1によって、チャンバ8の内部に、表面を
下向きにして保持されている。真空チャック1は、帯電
を防ぐために接地されている。この構造体に下方向から
ポンプ7によって薬液を吹きつける。
【0012】 薬液は、フィルタ6でろ過された後に、
ノズル4から噴出し、整流板2を通してウェハ3の表面
に吹きつけられる。整流板2は、エッチング液が均一に
ウェハの表面に当たるように設けられており、整流板2
にあけられた孔(図示せず)を通して、噴流がウェハ3
に当たる。整流板2の形状は、エッチング液の粘性や噴
流の流量、チャンバ8の形状に応じて決められる。
ノズル4から噴出し、整流板2を通してウェハ3の表面
に吹きつけられる。整流板2は、エッチング液が均一に
ウェハの表面に当たるように設けられており、整流板2
にあけられた孔(図示せず)を通して、噴流がウェハ3
に当たる。整流板2の形状は、エッチング液の粘性や噴
流の流量、チャンバ8の形状に応じて決められる。
【0013】ウェハ3に当たったあと薬液は、ドレイン
5から排液されて、タンク9へ戻り再使用される。
5から排液されて、タンク9へ戻り再使用される。
【0014】ウェハ3が表面を下向きに保持されている
ために、パーティクルの降下による付着が少なく、ま
た、薬液の微粒子(ミスト)の表面への付着も少なくな
る。また、ウェハの裏面からのパーティクルの回り込み
は防ぐことができる。
ために、パーティクルの降下による付着が少なく、ま
た、薬液の微粒子(ミスト)の表面への付着も少なくな
る。また、ウェハの裏面からのパーティクルの回り込み
は防ぐことができる。
【0015】本発明の装置によるパーティクル付着数を
従来例と比較して図5に示す。噴流によって、下方向か
らエッチングすることにより、ウェハの表面には、常に
ノズル4からの新しい薬液が当たることになり、パーテ
ィクルの減少、ウェハの表面のエッチング量の均一性を
向上させることができる。
従来例と比較して図5に示す。噴流によって、下方向か
らエッチングすることにより、ウェハの表面には、常に
ノズル4からの新しい薬液が当たることになり、パーテ
ィクルの減少、ウェハの表面のエッチング量の均一性を
向上させることができる。
【0016】また、噴流がウェハの表面に垂直に当たる
ことにより、サイドエッチ量を減らし、面内均一性を向
上させることができる。
ことにより、サイドエッチ量を減らし、面内均一性を向
上させることができる。
【0017】図2は、本発明による第2の実施例を示す
一部断面概略構成図である。
一部断面概略構成図である。
【0018】図2を参照するに、本発明の第2の実施例
の場合には導電性真空チャック1を回転させるモータ1
0が設けられている。
の場合には導電性真空チャック1を回転させるモータ1
0が設けられている。
【0019】この第2の実施例の場合には、ウェハ3を
モータ10により100〜3000r.p.m.で回転
させることにより、さらに面内の均一性を向上させるこ
とができる。
モータ10により100〜3000r.p.m.で回転
させることにより、さらに面内の均一性を向上させるこ
とができる。
【0020】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
導電性の真空チャックによる除電効果と、表面を下向き
にして噴流式のエッチングを行うことによって、パーテ
ィクルの付着を防止することができ、加工精度を向上さ
せるという効果が得られる。
導電性の真空チャックによる除電効果と、表面を下向き
にして噴流式のエッチングを行うことによって、パーテ
ィクルの付着を防止することができ、加工精度を向上さ
せるという効果が得られる。
【図1】本発明による第1の実施例を示す一部断面概略
構成図である。
構成図である。
【図2】本発明による第2の実施例を示す一部断面概略
構成図である。
構成図である。
【図3】従来における浸漬式ウェットエッチング装置の
模式図である。
模式図である。
【図4】従来におけるスピンナ式エッチング装置の模式
図である。
図である。
【図5】本発明による付着粒子数を従来例と比較して示
す図である。
す図である。
1…導電性真空チャック 2…整流板 3…ウェハ 4…ノズル 5、15、25…ドレイン 6…フィルタ 7…ポンプ 8…チャンバ 9、19…タンク 10…モータ 11…キャリア 12…内槽 13…外槽
Claims (2)
- 【請求項1】 チャンバ内にエッチング液を噴出する
ノズルと、 前記ノズルから離れて、かつ前記ノズルの噴出口の位置
よりも下方に設けられたエッチング液を排出するドレイ
ン孔と、 を含む噴流式ウェットエッチング装置において、 前記チャンバの外にウェハの固定を行なう、接地電位に
電気的に接続された導電性の真空チャックを含み、該ウ
ェハの表面を下向きに固定した状態でエッチング液を噴
流状にウェハ表面に吹き付け、エッチングするととも
に、前記ウェハ表面に当たって落下してきた前記エッチ
ング液を前記ドレイン孔で排出することを特徴とする噴
流式ウェットエッチング装置。 - 【請求項2】 前記ノズルと前記ウェハの表面の間に
整流板を設けたことを更に特徴とする請求項1に記載の
噴流式ウェットエッチング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17573592A JP3067398B2 (ja) | 1992-07-02 | 1992-07-02 | 噴流式ウェットエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17573592A JP3067398B2 (ja) | 1992-07-02 | 1992-07-02 | 噴流式ウェットエッチング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0621040A JPH0621040A (ja) | 1994-01-28 |
JP3067398B2 true JP3067398B2 (ja) | 2000-07-17 |
Family
ID=16001333
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17573592A Expired - Lifetime JP3067398B2 (ja) | 1992-07-02 | 1992-07-02 | 噴流式ウェットエッチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3067398B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4757372B2 (ja) * | 2000-06-13 | 2011-08-24 | 富士通株式会社 | 埋込配線層の形成方法 |
JP2003297801A (ja) * | 2002-03-28 | 2003-10-17 | Shibaura Mechatronics Corp | スピン処理装置 |
CN110620069B (zh) * | 2019-10-21 | 2024-07-23 | 深圳市思坦科技有限公司 | 晶圆的湿处理***及方法 |
-
1992
- 1992-07-02 JP JP17573592A patent/JP3067398B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0621040A (ja) | 1994-01-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990323 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000418 |