JPH02309638A - ウエハーエッチング装置 - Google Patents
ウエハーエッチング装置Info
- Publication number
- JPH02309638A JPH02309638A JP13227689A JP13227689A JPH02309638A JP H02309638 A JPH02309638 A JP H02309638A JP 13227689 A JP13227689 A JP 13227689A JP 13227689 A JP13227689 A JP 13227689A JP H02309638 A JPH02309638 A JP H02309638A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- etching
- etching liquid
- main surface
- jetting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 88
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 37
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 12
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 13
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 13
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
゛ 半導体装置の製造方法に用いられるウェハーエツチ
ング装置の改良に関し、 ウェハー主面のエツチングを均一におこない、且つ、ウ
ェハー他面が保護されるように構成することを目的とし
、 ウェハーを吸着して回転させながら、上向きに表出させ
た前記ウェハーの主面に、エツチング液噴射ノズルから
エツチング液を噴射させて該主面をエツチングし、同時
に前記ウェハーの下向きの他面の周縁部に水またはガス
を上向きに逆噴射させるように構成する。
ング装置の改良に関し、 ウェハー主面のエツチングを均一におこない、且つ、ウ
ェハー他面が保護されるように構成することを目的とし
、 ウェハーを吸着して回転させながら、上向きに表出させ
た前記ウェハーの主面に、エツチング液噴射ノズルから
エツチング液を噴射させて該主面をエツチングし、同時
に前記ウェハーの下向きの他面の周縁部に水またはガス
を上向きに逆噴射させるように構成する。
本発明は、半導体装置の製造方法に用いられるウェハー
エツチング装置の改良に関する。
エツチング装置の改良に関する。
ＩＣ，ＬＳＩなどの半導体装置を製造するウェハープロ
セスにおいては、エツチング処理が繰り返えしおこなわ
れており、本発明はそのようなウェハーエツチングに用
いるウェハーエツチング装置に関している。
セスにおいては、エツチング処理が繰り返えしおこなわ
れており、本発明はそのようなウェハーエツチングに用
いるウェハーエツチング装置に関している。
例えば、ウェハープロセスにおける最終処理工程として
、半導体チップに分割する前にウェハーの背面エツチン
グ処理がおこなわれており、それはウェハープロセスで
は分割したチップと同等の薄い厚みのウェハーの状態で
処理すると壊れ易いために、一定の厚み（例えば６２５
μｍ）の状態でウェハーを処理して、最後に背面（裏面
）をエツチングしてウェハーを薄＜シ、製品での熱放散
を良くする等の処理を採っている。この背面エツチング
処理は機械的または化学的におこなわれて、その際、ウ
ェハーの厚みを均一にエツチングし、且つ、エツチング
面を平坦にすることが重要である。
、半導体チップに分割する前にウェハーの背面エツチン
グ処理がおこなわれており、それはウェハープロセスで
は分割したチップと同等の薄い厚みのウェハーの状態で
処理すると壊れ易いために、一定の厚み（例えば６２５
μｍ）の状態でウェハーを処理して、最後に背面（裏面
）をエツチングしてウェハーを薄＜シ、製品での熱放散
を良くする等の処理を採っている。この背面エツチング
処理は機械的または化学的におこなわれて、その際、ウ
ェハーの厚みを均一にエツチングし、且つ、エツチング
面を平坦にすることが重要である。
従前の背面エツチング法は、ウェハー表面の全面に膜厚
５μｍのレジストを塗布して機械的に研磨した後、弗酸
（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ３）との混合液からなるエツチ
ング液に浸してエツチングする方法であった。しかし、
この化学的エツチング処理ではウェハーの反応発熱など
によってレジストによる保護が十分におこなわれないた
めに、ウェハー表面にエツチング液が浸み込む不具合が
生じる欠点があって、それに代わるエツチング法が種々
考えられている。
５μｍのレジストを塗布して機械的に研磨した後、弗酸
（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ３）との混合液からなるエツチ
ング液に浸してエツチングする方法であった。しかし、
この化学的エツチング処理ではウェハーの反応発熱など
によってレジストによる保護が十分におこなわれないた
めに、ウェハー表面にエツチング液が浸み込む不具合が
生じる欠点があって、それに代わるエツチング法が種々
考えられている。
その一つの例として、第３図に従来の枚葉式のウェハー
エツチング装置の要部図を示している。
エツチング装置の要部図を示している。
本例は真空チャック２に表面を吸引保持させて回転させ
ているウェハー１をエツチング液槽３の上に配置し、ウ
ェハーの裏面をエツチング液槽３に溜めたエツチング液
４面に接触させてエツチングする方式で、このエツチン
グ液４はエツチング液槽３の底面から流入上昇させてウ
ェハー裏面に接触させ、反応したエツチング液をエツチ
ング液槽３の周縁から流出させる構成である。
ているウェハー１をエツチング液槽３の上に配置し、ウ
ェハーの裏面をエツチング液槽３に溜めたエツチング液
４面に接触させてエツチングする方式で、このエツチン
グ液４はエツチング液槽３の底面から流入上昇させてウ
ェハー裏面に接触させ、反応したエツチング液をエツチ
ング液槽３の周縁から流出させる構成である。
このようにすれば、レジストを被覆したウェハー表面ま
でエツチング液が廻り込むことなく、レジストによる表
面保護が不十分であってもウェハー表面にエツチング液
が浸み込む問題は除去されて、半導体素子を損傷させる
心配がない。
でエツチング液が廻り込むことなく、レジストによる表
面保護が不十分であってもウェハー表面にエツチング液
が浸み込む問題は除去されて、半導体素子を損傷させる
心配がない。
しかし、上記のような裏面のみエツチング液表面に接触
させる方式はウェハーとエツチング液が反応して発生し
た反応ガスがウェハー面に付着したままで蒸発し難い状
態になって、その付着部分のエツチングが進まないとい
う欠点がある。この反応ガスの付着状態はウェハーの回
転数やエツチング液の流出速度に関わりがあって、その
付着状況は一様でないが、このようなウェハーエツチン
グ方法はそのような付着ガスが除去され難い条件、即ち
、緩やかにウェハーを回転して、緩やかにエツチング液
を流入させるエツチング条件であり、これはウェハー表
面にまでエツチング液が廻り込まないための条件でもあ
る。従って、ウェハー表面は保護されるが、肝心のエツ
チングの均一性が害されるという問題が起こる。
させる方式はウェハーとエツチング液が反応して発生し
た反応ガスがウェハー面に付着したままで蒸発し難い状
態になって、その付着部分のエツチングが進まないとい
う欠点がある。この反応ガスの付着状態はウェハーの回
転数やエツチング液の流出速度に関わりがあって、その
付着状況は一様でないが、このようなウェハーエツチン
グ方法はそのような付着ガスが除去され難い条件、即ち
、緩やかにウェハーを回転して、緩やかにエツチング液
を流入させるエツチング条件であり、これはウェハー表
面にまでエツチング液が廻り込まないための条件でもあ
る。従って、ウェハー表面は保護されるが、肝心のエツ
チングの均一性が害されるという問題が起こる。
本発明はこのような問題点を解消させて、ウェハー主面
（裏面）のエツチングを均一におこない、且つ、ウェハ
ー他面（表面）が保護されるように構成したウェハーエ
ツチング装置を提案するものである。
（裏面）のエツチングを均一におこない、且つ、ウェハ
ー他面（表面）が保護されるように構成したウェハーエ
ツチング装置を提案するものである。
〔課題を解決するための手段］
その課題は、第１図に示す実施例のように、ウェハー１
を真空チャック２によって吸着して回転させながら、上
向きに表出させた前記ウェハーの主面（裏面）に、エツ
チング液噴射ノズル１２からエツチング液を噴射させて
該主面をエツチングし、同時に前記ウェハーの下向きの
他面（表面）の周縁部に逆噴射口１１から水、またはガ
スを上向きに逆噴射させるように構成したウェハーエツ
チング装置によって解決される。
を真空チャック２によって吸着して回転させながら、上
向きに表出させた前記ウェハーの主面（裏面）に、エツ
チング液噴射ノズル１２からエツチング液を噴射させて
該主面をエツチングし、同時に前記ウェハーの下向きの
他面（表面）の周縁部に逆噴射口１１から水、またはガ
スを上向きに逆噴射させるように構成したウェハーエツ
チング装置によって解決される。
即ち、本発明は、反応ガスが発生しても直ちに除去され
るように、強くエツチング液を噴射させ、且つ、ウェハ
ー表面にエツチング液が廻り込まないように、表面の周
縁部に水またはガスを上向きに逆噴射させるように構成
する。
るように、強くエツチング液を噴射させ、且つ、ウェハ
ー表面にエツチング液が廻り込まないように、表面の周
縁部に水またはガスを上向きに逆噴射させるように構成
する。
そうすれば、ウェハー裏面のエツチングが均一になり、
且つ、ウェハー表面にエツチング液が廻り込まずに保護
できる。
且つ、ウェハー表面にエツチング液が廻り込まずに保護
できる。
以下に図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第１図は本発明にかかるウェハーエツチング装置の要部
概要図を示しており、記号ｌはウェハー。
概要図を示しており、記号ｌはウェハー。
２は真空チャック、１１は逆噴射口、１２はエツチング
液噴射ノズル、１３は液流入口、 １４は防水カバーで
ある。真空チャック２によってウェハー１表面（他面）
を吸引保持して回転させ、ウェハー裏面（主面）を上向
きに配置する。且つ、その上部に配置したエツチング液
噴射ノズル１２の複数の先端からウェハー裏面の半分側
にエツチング液を噴射させてエツチングする。このエツ
チング液は液タンク（図示していない）から液流入口１
３を通してエツチング液を押圧しており、ウェハー裏面
でエツチング反応させたエツチング液はウェハー回転の
ために振り飛ばされて周縁部から流下して落下する。
液噴射ノズル、１３は液流入口、 １４は防水カバーで
ある。真空チャック２によってウェハー１表面（他面）
を吸引保持して回転させ、ウェハー裏面（主面）を上向
きに配置する。且つ、その上部に配置したエツチング液
噴射ノズル１２の複数の先端からウェハー裏面の半分側
にエツチング液を噴射させてエツチングする。このエツ
チング液は液タンク（図示していない）から液流入口１
３を通してエツチング液を押圧しており、ウェハー裏面
でエツチング反応させたエツチング液はウェハー回転の
ために振り飛ばされて周縁部から流下して落下する。
一方、ウェハー１表面の周縁部には水を上向きに噴射す
る逆噴射口１１が複数設けてあり、その噴射口から勢い
よく水を斜め上向きに噴射させる。
る逆噴射口１１が複数設けてあり、その噴射口から勢い
よく水を斜め上向きに噴射させる。
防水カバー１４はこれらの噴射水やエツチング液の飛び
敗りを防止するために設けたもので、これらの液は防水
カバー１４に当って排液口から排出される。
敗りを防止するために設けたもので、これらの液は防水
カバー１４に当って排液口から排出される。
この第１図の断面図に対して第２図にその部分斜視図を
示しており、第１図に示されていない部分を図示した図
である。即ち、第１図に示すような状態でエツチングし
た後、エツチング液噴射ノズル１２の下部に可動台２０
（第１図には図示せず）を配置して水洗ノズル２２や乾
燥ガスノズル３２をエツチング液噴射ノズル１２の位置
に置き換えるが、それを説明する図である。その他の記
号は第１図と同一部位に同一記号が付けてあり、このよ
うに構成してノズルを交換するようにすれば、本発明に
かかるウェハーエツチング装置によってエツチングのみ
ならず、エツチング後の洗浄、乾燥をも同時におこなう
ことが可能になる。
示しており、第１図に示されていない部分を図示した図
である。即ち、第１図に示すような状態でエツチングし
た後、エツチング液噴射ノズル１２の下部に可動台２０
（第１図には図示せず）を配置して水洗ノズル２２や乾
燥ガスノズル３２をエツチング液噴射ノズル１２の位置
に置き換えるが、それを説明する図である。その他の記
号は第１図と同一部位に同一記号が付けてあり、このよ
うに構成してノズルを交換するようにすれば、本発明に
かかるウェハーエツチング装置によってエツチングのみ
ならず、エツチング後の洗浄、乾燥をも同時におこなう
ことが可能になる。
次に、上記のウェハーエツチング装置を用いたウェハー
エツチングの具体例を説明すると、表面に厚さ５μｍの
レジストを塗布した６インチφ（１５０ｍｍφ）のウェ
ハー１を真空チャック２で保持して５０〜１１００ｒｐ
で回転させ、エツチング液噴出ノズル１２からエツチン
グ液としてはＨＦ ： ＨＮＯ３：Ｈｚ Ｏ＝１：３：
２の組成のものを噴出してエツチングする。次いで、エ
ツチング液噴出ノズル１２の位置に水洗ノズル２２を配
置して純水によって洗浄し、更に、同位置に乾燥ガスノ
ズル３２を配置し、ウェハーの回転数を１１００Ｏｒｐ
に上げて窒素ガスを噴出させて乾燥する。かくすれば、
ウェハー表面にエツチング液が廻り込むことなく、且つ
、ウェハー裏面を均一にエツチングすることができた。
エツチングの具体例を説明すると、表面に厚さ５μｍの
レジストを塗布した６インチφ（１５０ｍｍφ）のウェ
ハー１を真空チャック２で保持して５０〜１１００ｒｐ
で回転させ、エツチング液噴出ノズル１２からエツチン
グ液としてはＨＦ ： ＨＮＯ３：Ｈｚ Ｏ＝１：３：
２の組成のものを噴出してエツチングする。次いで、エ
ツチング液噴出ノズル１２の位置に水洗ノズル２２を配
置して純水によって洗浄し、更に、同位置に乾燥ガスノ
ズル３２を配置し、ウェハーの回転数を１１００Ｏｒｐ
に上げて窒素ガスを噴出させて乾燥する。かくすれば、
ウェハー表面にエツチング液が廻り込むことなく、且つ
、ウェハー裏面を均一にエツチングすることができた。
なお、上記実施例は噴射口１１から水を噴射する例で説
明したが、窒素（Ｎ、）ガスのようなガスを噴射口１１
から噴射させても同様の効果が得られるものである。
明したが、窒素（Ｎ、）ガスのようなガスを噴射口１１
から噴射させても同様の効果が得られるものである。
以上の実施例の説明から明らかなように、本発明によれ
ばウェハーの他面（表面）を傷めることなく、その主面
（裏面）を均一にエツチングすることでき、半導体装置
の製造歩留および信頼性の向上に大きく役立つものであ
る。
ばウェハーの他面（表面）を傷めることなく、その主面
（裏面）を均一にエツチングすることでき、半導体装置
の製造歩留および信頼性の向上に大きく役立つものであ
る。
尚、上記の説明例はウェハープロセスにおける最終工程
のウェハー背面エツチング処理であったが、本発明にか
かるウェハーエツチング装置は必ずしも背面エツチング
処理に限ぎるものでな（、他工程のウェハーエツチング
にも適用できるものである。
のウェハー背面エツチング処理であったが、本発明にか
かるウェハーエツチング装置は必ずしも背面エツチング
処理に限ぎるものでな（、他工程のウェハーエツチング
にも適用できるものである。
第１図は本発明にかかるウェハーエツチング装置の要部
概要図、 第２図は第１図の部分斜視図、 第３図は従来のウェハーエツチング装置の要部図である
。 図において、 工はウェハー、 ２は真空チャック、 １１は逆噴射口、 １２はエツチング液噴射ノズル、 ■３は液流入口、 １４は防水カバー、 ２０は可動台、 ２２は水洗ノズル、 ３２は乾燥ガスノズル を示している。 ：＋湧ト明につ゛１ウェ八へエッチン７−海３−０１音
Ｔ部１乎２第１図 Ｍｌ固の部カ針視１３ 第２＝
概要図、 第２図は第１図の部分斜視図、 第３図は従来のウェハーエツチング装置の要部図である
。 図において、 工はウェハー、 ２は真空チャック、 １１は逆噴射口、 １２はエツチング液噴射ノズル、 ■３は液流入口、 １４は防水カバー、 ２０は可動台、 ２２は水洗ノズル、 ３２は乾燥ガスノズル を示している。 ：＋湧ト明につ゛１ウェ八へエッチン７−海３−０１音
Ｔ部１乎２第１図 Ｍｌ固の部カ針視１３ 第２＝
Claims (1)
- ウエハーを吸着して回転させながら、上向きに表出させ
た前記ウエハーの主面に、エッチング液噴出ノズルから
エッチング液を噴出させて該主面をエッチングし、同時
に前記ウエハーの下向きの他面の周縁部に水またはガス
を上向きに逆噴射させるように構成したことを特徴とす
るウエハーエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13227689A JPH02309638A (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | ウエハーエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13227689A JPH02309638A (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | ウエハーエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02309638A true JPH02309638A (ja) | 1990-12-25 |
Family
ID=15077497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13227689A Pending JPH02309638A (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | ウエハーエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02309638A (ja) |
Cited By (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997021243A1 (en) * | 1995-12-04 | 1997-06-12 | Hitachi, Ltd. | Method for processing semiconductor wafer, method for manufacturing ic card, and carrier |
| JP2001135612A (ja) * | 1999-07-09 | 2001-05-18 | Applied Materials Inc | 基板をエッチングする装置及び方法 |
| EP1168419A1 (en) * | 2000-06-19 | 2002-01-02 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum | Method and apparatus for localized liquid treatment of the surface of a substrate |
| US6398975B1 (en) | 1997-09-24 | 2002-06-04 | Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) | Method and apparatus for localized liquid treatment of the surface of a substrate |
| EP1372186A2 (de) * | 2000-10-31 | 2003-12-17 | Sez Ag | Vorrichtung zur Flüssigkeitsbehandlung von scheibenförmigen Gegenständen |
| US6683007B1 (en) | 1999-03-15 | 2004-01-27 | Nec Corporation | Etching and cleaning methods and etching and cleaning apparatus used therefor |
| US6954993B1 (en) | 2002-09-30 | 2005-10-18 | Lam Research Corporation | Concentric proximity processing head |
| US6988327B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-01-24 | Lam Research Corporation | Methods and systems for processing a substrate using a dynamic liquid meniscus |
| US7000622B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-02-21 | Lam Research Corporation | Methods and systems for processing a bevel edge of a substrate using a dynamic liquid meniscus |
| US7003899B1 (en) | 2004-09-30 | 2006-02-28 | Lam Research Corporation | System and method for modulating flow through multiple ports in a proximity head |
| US7045018B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-05-16 | Lam Research Corporation | Substrate brush scrubbing and proximity cleaning-drying sequence using compatible chemistries, and method, apparatus, and system for implementing the same |
| US7069937B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-07-04 | Lam Research Corporation | Vertical proximity processor |
| US7093375B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-08-22 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing |
| US7153400B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-12-26 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for depositing and planarizing thin films of semiconductor wafers |
| US7170190B1 (en) | 2003-12-16 | 2007-01-30 | Lam Research Corporation | Apparatus for oscillating a head and methods for implementing the same |
| US7198055B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-04-03 | Lam Research Corporation | Meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold |
| US7234477B2 (en) | 2000-06-30 | 2007-06-26 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for drying semiconductor wafer surfaces using a plurality of inlets and outlets held in close proximity to the wafer surfaces |
| US7252097B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-08-07 | Lam Research Corporation | System and method for integrating in-situ metrology within a wafer process |
| US7254900B2 (en) | 2004-09-30 | 2007-08-14 | Lam Research Corporation | Wafer edge wheel with drying function |
| US7271109B2 (en) | 1994-09-26 | 2007-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Solution applying apparatus and method |
| US7293571B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-11-13 | Lam Research Corporation | Substrate proximity processing housing and insert for generating a fluid meniscus |
| US7353560B2 (en) | 2003-12-18 | 2008-04-08 | Lam Research Corporation | Proximity brush unit apparatus and method |
| US7367345B1 (en) | 2002-09-30 | 2008-05-06 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography |
| US7383843B2 (en) | 2002-09-30 | 2008-06-10 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer |
| US7389783B2 (en) | 2002-09-30 | 2008-06-24 | Lam Research Corporation | Proximity meniscus manifold |
| US7513262B2 (en) | 2002-09-30 | 2009-04-07 | Lam Research Corporation | Substrate meniscus interface and methods for operation |
| US7568490B2 (en) | 2003-12-23 | 2009-08-04 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers using compressed and/or pressurized foams, bubbles, and/or liquids |
| US7584761B1 (en) | 2000-06-30 | 2009-09-08 | Lam Research Corporation | Wafer edge surface treatment with liquid meniscus |
| US7614411B2 (en) | 2002-09-30 | 2009-11-10 | Lam Research Corporation | Controls of ambient environment during wafer drying using proximity head |
| US7632376B1 (en) | 2002-09-30 | 2009-12-15 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for atomic layer deposition (ALD) in a proximity system |
| US7675000B2 (en) | 2003-06-24 | 2010-03-09 | Lam Research Corporation | System method and apparatus for dry-in, dry-out, low defect laser dicing using proximity technology |
| JP2010109118A (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-13 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US7867565B2 (en) | 2003-06-30 | 2011-01-11 | Imec | Method for coating substrates |
| US7928366B2 (en) | 2006-10-06 | 2011-04-19 | Lam Research Corporation | Methods of and apparatus for accessing a process chamber using a dual zone gas injector with improved optical access |
| US7975708B2 (en) | 2007-03-30 | 2011-07-12 | Lam Research Corporation | Proximity head with angled vacuum conduit system, apparatus and method |
| US7997288B2 (en) | 2002-09-30 | 2011-08-16 | Lam Research Corporation | Single phase proximity head having a controlled meniscus for treating a substrate |
| US8062471B2 (en) | 2004-03-31 | 2011-11-22 | Lam Research Corporation | Proximity head heating method and apparatus |
| US8141566B2 (en) | 2007-06-19 | 2012-03-27 | Lam Research Corporation | System, method and apparatus for maintaining separation of liquids in a controlled meniscus |
| US8146902B2 (en) | 2006-12-21 | 2012-04-03 | Lam Research Corporation | Hybrid composite wafer carrier for wet clean equipment |
| US8236382B2 (en) | 2002-09-30 | 2012-08-07 | Lam Research Corporation | Proximity substrate preparation sequence, and method, apparatus, and system for implementing the same |
| US8464736B1 (en) | 2007-03-30 | 2013-06-18 | Lam Research Corporation | Reclaim chemistry |
| US8580045B2 (en) | 2009-05-29 | 2013-11-12 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for physical confinement of a liquid meniscus over a semiconductor wafer |
| CN109449101A (zh) * | 2018-10-24 | 2019-03-08 | 上海华力微电子有限公司 | 一种湿法刻蚀和清洗腔体及方法 |
-
1989
- 1989-05-24 JP JP13227689A patent/JPH02309638A/ja active Pending
Cited By (58)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7271109B2 (en) | 1994-09-26 | 2007-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Solution applying apparatus and method |
| WO1997021243A1 (en) * | 1995-12-04 | 1997-06-12 | Hitachi, Ltd. | Method for processing semiconductor wafer, method for manufacturing ic card, and carrier |
| US6342434B1 (en) | 1995-12-04 | 2002-01-29 | Hitachi, Ltd. | Methods of processing semiconductor wafer, and producing IC card, and carrier |
| US6573158B2 (en) | 1995-12-04 | 2003-06-03 | Hitachi, Ltd. | Methods of processing semiconductor wafer and producing IC card, and carrier |
| US6589855B2 (en) | 1995-12-04 | 2003-07-08 | Hitachi, Ltd. | Methods of processing semiconductor wafer and producing IC card, and carrier |
| US6851435B2 (en) | 1997-09-24 | 2005-02-08 | Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec, Vzw) | Method and apparatus for localized liquid treatment of the surface of a substrate |
| US6398975B1 (en) | 1997-09-24 | 2002-06-04 | Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) | Method and apparatus for localized liquid treatment of the surface of a substrate |
| US8420549B2 (en) | 1999-03-15 | 2013-04-16 | Renesas Electronics Corporation | Etching and cleaning methods and etching and cleaning apparatuses used therefor |
| US6683007B1 (en) | 1999-03-15 | 2004-01-27 | Nec Corporation | Etching and cleaning methods and etching and cleaning apparatus used therefor |
| US6964724B2 (en) | 1999-03-15 | 2005-11-15 | Nec Corporation | Etching and cleaning methods and etching and cleaning apparatuses used therefor |
| US7862658B2 (en) | 1999-03-15 | 2011-01-04 | Renesas Electronics Corporation | Etching and cleaning methods and etching and cleaning apparatuses used therefor |
| JP4603136B2 (ja) * | 1999-07-09 | 2010-12-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板をエッチングする装置及び方法 |
| JP2001135612A (ja) * | 1999-07-09 | 2001-05-18 | Applied Materials Inc | 基板をエッチングする装置及び方法 |
| EP1168419A1 (en) * | 2000-06-19 | 2002-01-02 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum | Method and apparatus for localized liquid treatment of the surface of a substrate |
| US7234477B2 (en) | 2000-06-30 | 2007-06-26 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for drying semiconductor wafer surfaces using a plurality of inlets and outlets held in close proximity to the wafer surfaces |
| US7584761B1 (en) | 2000-06-30 | 2009-09-08 | Lam Research Corporation | Wafer edge surface treatment with liquid meniscus |
| EP1372186A2 (de) * | 2000-10-31 | 2003-12-17 | Sez Ag | Vorrichtung zur Flüssigkeitsbehandlung von scheibenförmigen Gegenständen |
| EP1372186A3 (de) * | 2000-10-31 | 2005-10-26 | Sez Ag | Vorrichtung zur Flüssigkeitsbehandlung von scheibenförmigen Gegenständen |
| KR100796709B1 (ko) * | 2000-10-31 | 2008-01-21 | 세즈 아게 | 웨이퍼 형상 물품의 액체 처리 장치 |
| KR100789337B1 (ko) * | 2000-10-31 | 2007-12-28 | 세즈 아게 | 웨이퍼 형상 물품의 액체 처리 장치 |
| US7264007B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-09-04 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning a substrate using megasonic power |
| US7153400B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-12-26 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for depositing and planarizing thin films of semiconductor wafers |
| US6988327B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-01-24 | Lam Research Corporation | Methods and systems for processing a substrate using a dynamic liquid meniscus |
| US7198055B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-04-03 | Lam Research Corporation | Meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold |
| US6954993B1 (en) | 2002-09-30 | 2005-10-18 | Lam Research Corporation | Concentric proximity processing head |
| US7240679B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-07-10 | Lam Research Corporation | System for substrate processing with meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold |
| US7252097B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-08-07 | Lam Research Corporation | System and method for integrating in-situ metrology within a wafer process |
| US8236382B2 (en) | 2002-09-30 | 2012-08-07 | Lam Research Corporation | Proximity substrate preparation sequence, and method, apparatus, and system for implementing the same |
| US7127831B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-10-31 | Lam Research Corporation | Methods and systems for processing a substrate using a dynamic liquid meniscus |
| US7093375B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-08-22 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing |
| US7293571B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-11-13 | Lam Research Corporation | Substrate proximity processing housing and insert for generating a fluid meniscus |
| US7069937B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-07-04 | Lam Research Corporation | Vertical proximity processor |
| US7045018B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-05-16 | Lam Research Corporation | Substrate brush scrubbing and proximity cleaning-drying sequence using compatible chemistries, and method, apparatus, and system for implementing the same |
| US7000622B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-02-21 | Lam Research Corporation | Methods and systems for processing a bevel edge of a substrate using a dynamic liquid meniscus |
| US7367345B1 (en) | 2002-09-30 | 2008-05-06 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography |
| US7383843B2 (en) | 2002-09-30 | 2008-06-10 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer |
| US7389783B2 (en) | 2002-09-30 | 2008-06-24 | Lam Research Corporation | Proximity meniscus manifold |
| US7513262B2 (en) | 2002-09-30 | 2009-04-07 | Lam Research Corporation | Substrate meniscus interface and methods for operation |
| US7632376B1 (en) | 2002-09-30 | 2009-12-15 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for atomic layer deposition (ALD) in a proximity system |
| US7997288B2 (en) | 2002-09-30 | 2011-08-16 | Lam Research Corporation | Single phase proximity head having a controlled meniscus for treating a substrate |
| US7614411B2 (en) | 2002-09-30 | 2009-11-10 | Lam Research Corporation | Controls of ambient environment during wafer drying using proximity head |
| US7675000B2 (en) | 2003-06-24 | 2010-03-09 | Lam Research Corporation | System method and apparatus for dry-in, dry-out, low defect laser dicing using proximity technology |
| US7867565B2 (en) | 2003-06-30 | 2011-01-11 | Imec | Method for coating substrates |
| US7170190B1 (en) | 2003-12-16 | 2007-01-30 | Lam Research Corporation | Apparatus for oscillating a head and methods for implementing the same |
| US7353560B2 (en) | 2003-12-18 | 2008-04-08 | Lam Research Corporation | Proximity brush unit apparatus and method |
| US7568490B2 (en) | 2003-12-23 | 2009-08-04 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers using compressed and/or pressurized foams, bubbles, and/or liquids |
| US8062471B2 (en) | 2004-03-31 | 2011-11-22 | Lam Research Corporation | Proximity head heating method and apparatus |
| US7003899B1 (en) | 2004-09-30 | 2006-02-28 | Lam Research Corporation | System and method for modulating flow through multiple ports in a proximity head |
| US7254900B2 (en) | 2004-09-30 | 2007-08-14 | Lam Research Corporation | Wafer edge wheel with drying function |
| US7143527B2 (en) | 2004-09-30 | 2006-12-05 | Lam Research Corporation | System and method for modulating flow through multiple ports in a proximity head |
| US7928366B2 (en) | 2006-10-06 | 2011-04-19 | Lam Research Corporation | Methods of and apparatus for accessing a process chamber using a dual zone gas injector with improved optical access |
| US8146902B2 (en) | 2006-12-21 | 2012-04-03 | Lam Research Corporation | Hybrid composite wafer carrier for wet clean equipment |
| US7975708B2 (en) | 2007-03-30 | 2011-07-12 | Lam Research Corporation | Proximity head with angled vacuum conduit system, apparatus and method |
| US8464736B1 (en) | 2007-03-30 | 2013-06-18 | Lam Research Corporation | Reclaim chemistry |
| US8141566B2 (en) | 2007-06-19 | 2012-03-27 | Lam Research Corporation | System, method and apparatus for maintaining separation of liquids in a controlled meniscus |
| JP2010109118A (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-13 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US8580045B2 (en) | 2009-05-29 | 2013-11-12 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for physical confinement of a liquid meniscus over a semiconductor wafer |
| CN109449101A (zh) * | 2018-10-24 | 2019-03-08 | 上海华力微电子有限公司 | 一种湿法刻蚀和清洗腔体及方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH02309638A (ja) | ウエハーエッチング装置 | |
| EP1055463B1 (en) | Apparatus and method for plating a metal plating layer onto a surface of a seed layer of a wafer | |
| JP3322853B2 (ja) | 基板の乾燥装置および洗浄装置並びに乾燥方法および洗浄方法 | |
| US7021319B2 (en) | Assisted rinsing in a single wafer cleaning process | |
| JP3395696B2 (ja) | ウェハ処理装置およびウェハ処理方法 | |
| US20110180114A1 (en) | Liquid aerosol particle removal method | |
| JPS62150828A (ja) | ウエハ乾燥装置 | |
| JPS6064436A (ja) | スピンドライヤ | |
| US20020170573A1 (en) | Rinsing processes and equipment | |
| JP2001319908A (ja) | 被処理物のウエット処理方法及びその装置 | |
| JP2005268308A (ja) | レジスト剥離方法およびレジスト剥離装置 | |
| TWI828748B (zh) | 在單晶圓清潔器中處理soi基板的方法 | |
| JP2004056046A (ja) | Ｓｏｉ基板の加工方法 | |
| TW202306004A (zh) | 一種用於矽片邊緣刻蝕的裝置和方法 | |
| JPH03272140A (ja) | 半導体基板の薬品処理装置 | |
| JP2003109935A (ja) | 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法 | |
| JP2003203900A (ja) | ウェハ処理装置およびウェハ処理方法 | |
| KR100858240B1 (ko) | 기판 스핀 장치 | |
| JPS5932056B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62264626A (ja) | ウエツトエツチング装置 | |
| JP3903879B2 (ja) | 半導体基板のエッチング処理方法 | |
| JP2002124508A (ja) | 基板用スピン処理装置 | |
| JPH0590239A (ja) | 洗浄方法及び洗浄装置 | |
| KR100591777B1 (ko) | 스핀 세정 장치 | |
| JP2833762B2 (ja) | ガラス基板の乾燥装置 |