JP3061172B2 - 半導体集積装置 - Google Patents
半導体集積装置Info
- Publication number
- JP3061172B2 JP3061172B2 JP8112386A JP11238696A JP3061172B2 JP 3061172 B2 JP3061172 B2 JP 3061172B2 JP 8112386 A JP8112386 A JP 8112386A JP 11238696 A JP11238696 A JP 11238696A JP 3061172 B2 JP3061172 B2 JP 3061172B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- layer
- semiconductor integrated
- integrated device
- layers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、半導体集積装置に
係り、特に、信号配線層が４層以上の多層配線構造を有
する半導体集積装置に関する。
係り、特に、信号配線層が４層以上の多層配線構造を有
する半導体集積装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積装置のチャネル配線に関する
従来技術として、例えば、ディー エー コンファレン
ス（１９７７年）第２９８頁〜第３０２頁〔ＤＡ Ｃonf
erence（１９７７）ｐｐ２９８〜３０２〕に記載された
技術が知られている。
従来技術として、例えば、ディー エー コンファレン
ス（１９７７年）第２９８頁〜第３０２頁〔ＤＡ Ｃonf
erence（１９７７）ｐｐ２９８〜３０２〕に記載された
技術が知られている。
【０００３】この従来技術は、４層の配線層を用いて信
号配線を行うものであり、通常、その配線形態として５
つのタイプのものが使用される。
号配線を行うものであり、通常、その配線形態として５
つのタイプのものが使用される。
【０００４】以下、従来技術による配線の形態を図面に
より説明する。
より説明する。
【０００５】図８は前記従来技術による４層配線を行っ
た場合の配線形態の例を示す図、図９、図１０は第１層
の配線の第４層への引き出しを説明する図、図１１〜図
１３は従来技術による配線に未配線を生じることを説明
する図である。図８〜図１３において、１は端子、２は
第１層配線、３は第２層配線、４は第３層配線、５は第
４層配線、６はスルーホール、７はセル列、８は貫通ス
ルーホールである。
た場合の配線形態の例を示す図、図９、図１０は第１層
の配線の第４層への引き出しを説明する図、図１１〜図
１３は従来技術による配線に未配線を生じることを説明
する図である。図８〜図１３において、１は端子、２は
第１層配線、３は第２層配線、４は第３層配線、５は第
４層配線、６はスルーホール、７はセル列、８は貫通ス
ルーホールである。
【０００６】一般に、半導体集積装置は、その内部に、
ゲート等の回路素子を構成するセル列が多数形成されて
おり、これらのセル列の間に配線のための複数の配線層
を有する配線領域が設けられ、この配線領域において端
子相互間が接続されて、各種機能回路を備えるように構
成される。そして、セル列に設けられる端子は、通常、
最下層に設けられ、複数の配線層に引き出されて相互に
接続される。
ゲート等の回路素子を構成するセル列が多数形成されて
おり、これらのセル列の間に配線のための複数の配線層
を有する配線領域が設けられ、この配線領域において端
子相互間が接続されて、各種機能回路を備えるように構
成される。そして、セル列に設けられる端子は、通常、
最下層に設けられ、複数の配線層に引き出されて相互に
接続される。
【０００７】前述した従来技術においては、通常、図８
に例示するような形態により、前述した端子間接続が行
われる。
に例示するような形態により、前述した端子間接続が行
われる。
【０００８】図８(ａ)は、隣合うセル列７の端子相互間
を接続する場合のタイプＩの例を示しており、この場
合、端子１からの配線は、まず、双方から第１層に引き
出されて、第１層配線２を介してスルーホール６により
第２層に引き出され、この第２層における第２層配線３
により相互に接続される。
を接続する場合のタイプＩの例を示しており、この場
合、端子１からの配線は、まず、双方から第１層に引き
出されて、第１層配線２を介してスルーホール６により
第２層に引き出され、この第２層における第２層配線３
により相互に接続される。
【０００９】図８(ｂ)、(ｃ)は、図示セル列７の一方の
端子１から、他方の隣接するセル列を越えて図示しな
い、例えば、他のセル列の端子への接続を行うタイプI
I、タイプIII の例を示している。すなわち、この例の
場合、前述の場合と同様に、端子１からの配線は、第１
層配線２、スルーホール６を経て第２層配線３に引き出
された後、さらに、スルーホール６を介して、第３層に
引き出され、第３層配線４を介して、図示しない他のセ
ル列等に接続される。
端子１から、他方の隣接するセル列を越えて図示しな
い、例えば、他のセル列の端子への接続を行うタイプI
I、タイプIII の例を示している。すなわち、この例の
場合、前述の場合と同様に、端子１からの配線は、第１
層配線２、スルーホール６を経て第２層配線３に引き出
された後、さらに、スルーホール６を介して、第３層に
引き出され、第３層配線４を介して、図示しない他のセ
ル列等に接続される。
【００１０】図８(ｄ)、(ｅ)は、図示配線領域を通過し
て、図示していない他の部分にあるセル列等に接続され
る配線のタイプIV、Ｖ例を示している。タイプIVの例の
場合、第３層配線４を介して、図示しない他の領域から
図示配線領域に至り、この配線領域内の第２層配線３に
より接続が行われる。またタイプＶの場合、第３層配線
４を介して、同様に図示配線領域に至り、この配線領域
内の第４層配線５により接続が行われる。
て、図示していない他の部分にあるセル列等に接続され
る配線のタイプIV、Ｖ例を示している。タイプIVの例の
場合、第３層配線４を介して、図示しない他の領域から
図示配線領域に至り、この配線領域内の第２層配線３に
より接続が行われる。またタイプＶの場合、第３層配線
４を介して、同様に図示配線領域に至り、この配線領域
内の第４層配線５により接続が行われる。
【００１１】前述したように、従来技術による４層配線
は、５種類の配線形態による配線を行うことができる
が、この従来技術は、通常セル列の端子が下の層にある
ため、下の層を使用して配線を行うことが多くなり、第
４層配線を有効に利用することができないものである。
すなわち、図８に示す例では、タイプＶの場合にのみ、
第４層を利用できるだけである。
は、５種類の配線形態による配線を行うことができる
が、この従来技術は、通常セル列の端子が下の層にある
ため、下の層を使用して配線を行うことが多くなり、第
４層配線を有効に利用することができないものである。
すなわち、図８に示す例では、タイプＶの場合にのみ、
第４層を利用できるだけである。
【００１２】また、前記従来技術は、端子１からの引出
し配線が第１層となるため、タイプＶの配線形態によ
り、すなわち、第４層配線５を用いた配線形態により端
子相互間の接続を行おうとすると、図９に示すように、
第２層配線３を介して第３層へ端子からの配線を引き出
し、この第３層配線４を第４層配線５により接続する必
要があり、このため、第２及び第３層の配線が増加して
しまうという問題を生じる。
し配線が第１層となるため、タイプＶの配線形態によ
り、すなわち、第４層配線５を用いた配線形態により端
子相互間の接続を行おうとすると、図９に示すように、
第２層配線３を介して第３層へ端子からの配線を引き出
し、この第３層配線４を第４層配線５により接続する必
要があり、このため、第２及び第３層の配線が増加して
しまうという問題を生じる。
【００１３】また、前述の場合、端子１が接続される第
１層配線２から第４層配線５へは、図１０に示すよう
に、貫通スルーホール８により接続することが可能であ
るが、これはスルーホールを３段重ねることになり、構
造上弱くなるので、製造時の歩留りが低下するため、好
ましくない。従って、前述のような最下層から最上層へ
の配線は、各配線層を順に渡って行われるのが一般的で
ある。そして、もし、貫通スルーホールを用いた場合に
おいても、第２層、第３層のスルーホールが他の配線の
妨げとなるのて好ましくない。
１層配線２から第４層配線５へは、図１０に示すよう
に、貫通スルーホール８により接続することが可能であ
るが、これはスルーホールを３段重ねることになり、構
造上弱くなるので、製造時の歩留りが低下するため、好
ましくない。従って、前述のような最下層から最上層へ
の配線は、各配線層を順に渡って行われるのが一般的で
ある。そして、もし、貫通スルーホールを用いた場合に
おいても、第２層、第３層のスルーホールが他の配線の
妨げとなるのて好ましくない。
【００１４】また、前記従来技術は、配線層毎の使用率
を管理することなく、配線の縦径路を決定しているの
で、図１１に示すように、端子Ｂ相互間を第２層配線３
によって接続すると、端子Ａ相互間を結線することがで
きなくなるという問題点を生じてしまう。
を管理することなく、配線の縦径路を決定しているの
で、図１１に示すように、端子Ｂ相互間を第２層配線３
によって接続すると、端子Ａ相互間を結線することがで
きなくなるという問題点を生じてしまう。
【００１５】すなわち、図１１は上層への引上げ配線を
ｘ方向の配線層毎の分布に計上しない場合に未配線１１
が発生することを示したもので、セルとセルとの間が配
線領域であり、チップを上から見た図である。
ｘ方向の配線層毎の分布に計上しない場合に未配線１１
が発生することを示したもので、セルとセルとの間が配
線領域であり、チップを上から見た図である。
【００１６】図１１の例では、セル列７の間に１本の２
層用ピッチ９と２本の４層用ピッチ１０とが配置され、
この位置の各層に、横方向の第２層配線３及び第４層配
線５を形成することができる。そして、図１１に示すよ
うに、端子Ｂ相互間を第２層配線３によって接続する
と、第４層が空いているにもかかわらず、第２層配線を
確保することができないため、端子Ａからの配線を第２
層配線３、第３層配線４を介して順に第４層に引き出す
ことができず、端子Ａ相互間の接続は、貫通スルーホー
ルを使用しない限り不可能になり、未配線１１が生じる
ことになる。
層用ピッチ９と２本の４層用ピッチ１０とが配置され、
この位置の各層に、横方向の第２層配線３及び第４層配
線５を形成することができる。そして、図１１に示すよ
うに、端子Ｂ相互間を第２層配線３によって接続する
と、第４層が空いているにもかかわらず、第２層配線を
確保することができないため、端子Ａからの配線を第２
層配線３、第３層配線４を介して順に第４層に引き出す
ことができず、端子Ａ相互間の接続は、貫通スルーホー
ルを使用しない限り不可能になり、未配線１１が生じる
ことになる。
【００１７】図１２は、従来技術によるセル列を渡った
配線の例で、端子Ｃ相互間を接続する配線のｙ方向の縦
径路を、ｘ方向である横方向の配線層毎の使用率の和が
１００％を越えるように割付けており、同一セル列内の
端子Ａ相互間を接続することができず、未配線１１が生
じることを示している。
配線の例で、端子Ｃ相互間を接続する配線のｙ方向の縦
径路を、ｘ方向である横方向の配線層毎の使用率の和が
１００％を越えるように割付けており、同一セル列内の
端子Ａ相互間を接続することができず、未配線１１が生
じることを示している。
【００１８】この例の場合、端子Ｃ相互間を接続する配
線のｘ方向配線層が第４層で、ｙ方向配線層が第１層の
場合に、第２層、第３層で配線の折れ曲がりが発生し、
縦方向配線の使用率が１００％を越えることになる。
線のｘ方向配線層が第４層で、ｙ方向配線層が第１層の
場合に、第２層、第３層で配線の折れ曲がりが発生し、
縦方向配線の使用率が１００％を越えることになる。
【００１９】また、図１３は、従来技術による、ｘ方向
の配線長が短い配線を第４層に割付けて、端子Ｂ相互間
及び端子Ｃ相互間の接続を行った例を示しており、この
場合、短い配線を第４層に多数引き出すため、第２層、
第３層の使用率もこれに伴って高くなり、端子Ａ相互間
の接続が不可能になり、未配線１１が生じることにな
る。
の配線長が短い配線を第４層に割付けて、端子Ｂ相互間
及び端子Ｃ相互間の接続を行った例を示しており、この
場合、短い配線を第４層に多数引き出すため、第２層、
第３層の使用率もこれに伴って高くなり、端子Ａ相互間
の接続が不可能になり、未配線１１が生じることにな
る。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】前述したように、従来
技術は、端子層から３層以上離れた配線層（以後、上層
という）の配線についての配慮が充分でなく、上層を有
効に利用することができないという問題点を有し、ま
た、端子層から離れた上層を使うためには、上層への引
出し配線長が伸びるという問題点を有している。
技術は、端子層から３層以上離れた配線層（以後、上層
という）の配線についての配慮が充分でなく、上層を有
効に利用することができないという問題点を有し、ま
た、端子層から離れた上層を使うためには、上層への引
出し配線長が伸びるという問題点を有している。
【００２１】本発明の目的は、前記従来技術の問題点を
解決し、端子層から離れた上層への引出し配線長の伸び
を最小に抑え、端子層から離れた上層への引出し配線が
他の配線を妨げないようにし、上層の配線を高密度に行
うことを可能にし、未配線を無くした半導体集積装置を
提供することにある。
解決し、端子層から離れた上層への引出し配線長の伸び
を最小に抑え、端子層から離れた上層への引出し配線が
他の配線を妨げないようにし、上層の配線を高密度に行
うことを可能にし、未配線を無くした半導体集積装置を
提供することにある。
【００２２】本発明の他の目的は、配線層毎の使用率が
１００％を越えないように、配線層別の局所的な混雑の
ない半導体集積装置を提供することにある。
１００％を越えないように、配線層別の局所的な混雑の
ない半導体集積装置を提供することにある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】本発明によれば前記目的
は、端子層が最下層にあり配線層が４層以上の複数の配
線層により構成される半導体集積装置において、配線の
直線部分の配線長が実質的に長い配線から順に、各配線
が前記複数の配線層における上層の配線層から下層の配
線層に割り付けられるようにすることにより達成され
る。
は、端子層が最下層にあり配線層が４層以上の複数の配
線層により構成される半導体集積装置において、配線の
直線部分の配線長が実質的に長い配線から順に、各配線
が前記複数の配線層における上層の配線層から下層の配
線層に割り付けられるようにすることにより達成され
る。
【００２４】また、前記目的は、前記複数の配線層のそ
れぞれの配線層の配線の方向を、隣り合う配線層の配線
の方向と直交するようにすることにより、あるいは、上
層への引出しの配線長の短縮のために、端子から最短の
固定径路を用いて配線を上層へ引出すようにするするこ
とにより達成される。
れぞれの配線層の配線の方向を、隣り合う配線層の配線
の方向と直交するようにすることにより、あるいは、上
層への引出しの配線長の短縮のために、端子から最短の
固定径路を用いて配線を上層へ引出すようにするするこ
とにより達成される。
【００２５】なお、ここで言う固定径路とは、例えば、
セル単位毎に、端子から上層への配線径路をライブラリ
等に固定的に登録しておき、このセルを使用し、かつ上
層へ配線を引き出す場合には、このライブラリを参照し
て、いつも固定の径路で上層への引き出し配線を行うも
のであり、この配線の径路を固定径路という。
セル単位毎に、端子から上層への配線径路をライブラリ
等に固定的に登録しておき、このセルを使用し、かつ上
層へ配線を引き出す場合には、このライブラリを参照し
て、いつも固定の径路で上層への引き出し配線を行うも
のであり、この配線の径路を固定径路という。
【００２６】配線長の大きい配線を端子層から離れた上
層に割当てることにより、少ない配線数で上層の配線密
度を高くすることができ、最小の折れ曲がり又は貫通ス
ルーホール数で、上層を有効に利用することができる。
これにより、端子が最下層にある場合に、端子からの配
線を上層へ引き出すために、図９に示したように、配線
の両端点で折り曲がりが生じることを少なくすることが
でき、図１０に示したような貫通スルーホールを使用す
ることを少なくすることができる。
層に割当てることにより、少ない配線数で上層の配線密
度を高くすることができ、最小の折れ曲がり又は貫通ス
ルーホール数で、上層を有効に利用することができる。
これにより、端子が最下層にある場合に、端子からの配
線を上層へ引き出すために、図９に示したように、配線
の両端点で折り曲がりが生じることを少なくすることが
でき、図１０に示したような貫通スルーホールを使用す
ることを少なくすることができる。
【００２７】すなわち、一般に、図７(ａ)に示すよう
に、横方向配線の幹線長の大きさとその数とは、幹線長
が大きくなるに従ってその数が少なくなるという関係が
ある。従って、長さの大きい幹線のα％を上層に割り付
けることにより、図７(ｂ)に示すように、横方向の全配
線長のβ％（α＜β）を上層に割り付けることができ、
上層の有効利用を図ることができる。
に、横方向配線の幹線長の大きさとその数とは、幹線長
が大きくなるに従ってその数が少なくなるという関係が
ある。従って、長さの大きい幹線のα％を上層に割り付
けることにより、図７(ｂ)に示すように、横方向の全配
線長のβ％（α＜β）を上層に割り付けることができ、
上層の有効利用を図ることができる。
【００２８】また、上層へ配線を上げる場合、上層への
折曲げ配線をあらかじめ最短径路の固定径路として用意
しておき、この固定経路を使用するようにすることによ
り、折り曲がり配線長を最小にすることができる。
折曲げ配線をあらかじめ最短径路の固定径路として用意
しておき、この固定経路を使用するようにすることによ
り、折り曲がり配線長を最小にすることができる。
【００２９】このような固定径路を用いるメリットは、
例えば、端子から上層までの配線がライブラリより自動
展開されて付加されるため、自動配線プログラムから見
ると、端子が最上層にあることになる点である。これに
より、本発明による半導体集積装置の配線を作成するた
めの自動配線プログラムは、従来のプログラムをそのま
ま実行し、第２、第３、第４の３層の配線層を使用した
配線を行い、１部の端子を１層に残した状態で、第１、
第２、第３層の配線を行えばよく、結果として、第１層
〜第４層の配線を従来の配線アルゴリズムを用いて行う
ことができる。
例えば、端子から上層までの配線がライブラリより自動
展開されて付加されるため、自動配線プログラムから見
ると、端子が最上層にあることになる点である。これに
より、本発明による半導体集積装置の配線を作成するた
めの自動配線プログラムは、従来のプログラムをそのま
ま実行し、第２、第３、第４の３層の配線層を使用した
配線を行い、１部の端子を１層に残した状態で、第１、
第２、第３層の配線を行えばよく、結果として、第１層
〜第４層の配線を従来の配線アルゴリズムを用いて行う
ことができる。
【００３０】また、固定経路を用いる別のメリットとし
て、最短径路で上層までの配線を定義することができる
ため、他の配線チャネル対する妨害を最小限にすること
ができる点を挙げることができる。
て、最短径路で上層までの配線を定義することができる
ため、他の配線チャネル対する妨害を最小限にすること
ができる点を挙げることができる。
【００３１】さらに、縦方向の径路を割付ける際、配線
層毎の使用率分布を把握しながら、使用率が平準化する
ように割付けを行って、縦方向の径路の配線層を決定す
ることは、図８に示したように横方向の径路の配線層を
も決定することになるので、上層の配線を高密度にする
ことができる。
層毎の使用率分布を把握しながら、使用率が平準化する
ように割付けを行って、縦方向の径路の配線層を決定す
ることは、図８に示したように横方向の径路の配線層を
も決定することになるので、上層の配線を高密度にする
ことができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下、本発明による半導体集積装
置の一実施形態を図面により詳細に説明する。
置の一実施形態を図面により詳細に説明する。
【００３３】図１は本発明の一実施形態による半導体集
積装置の配線を作成する処理動作を説明するフローチャ
ート、図２は配線方向と配線層との関係を説明する図、
図３は固定経路による第４層への配線の引き出しを説明
する図、図４、図５、図６は本発明の実施形態による半
導体集積装置の配線経路の例を示す図である。図３〜図
６において、図の符号は図８〜図１３の場合と同一であ
る。
積装置の配線を作成する処理動作を説明するフローチャ
ート、図２は配線方向と配線層との関係を説明する図、
図３は固定経路による第４層への配線の引き出しを説明
する図、図４、図５、図６は本発明の実施形態による半
導体集積装置の配線経路の例を示す図である。図３〜図
６において、図の符号は図８〜図１３の場合と同一であ
る。
【００３４】まず、図２により、配線方向と配線層との
関係を説明する。
関係を説明する。
【００３５】半導体集積装置における回路の配線方向と
層との関係は、図２に示すように、例えば、横方向に第
１層、第３層の配線層が、これらの配線層内の配線がそ
の厚さ方向に重なり合わないように設けられ、縦方向に
第２層、第４層の配線層が、これらの配線層内の配線が
その厚さ方向に重なり合わないように設けられるという
関係にある。
層との関係は、図２に示すように、例えば、横方向に第
１層、第３層の配線層が、これらの配線層内の配線がそ
の厚さ方向に重なり合わないように設けられ、縦方向に
第２層、第４層の配線層が、これらの配線層内の配線が
その厚さ方向に重なり合わないように設けられるという
関係にある。
【００３６】従って、図２における点９０１と９０８と
を接続するために、第１層から第４層の全ての配線層を
用いて配線を行う場合、まず、第１層で点９０１〜９０
２、次に、スルーホールで第２層に上がり、第２層で点
９０２〜９０３、スルーホールで第３層に上って、第３
層で点９０３〜９０４、そして、スルーホールで第４層
に上って、第４層で点９０４〜９０５の接続が行われ、
以下この逆の順序で点９０８までの配線が行われること
になる。
を接続するために、第１層から第４層の全ての配線層を
用いて配線を行う場合、まず、第１層で点９０１〜９０
２、次に、スルーホールで第２層に上がり、第２層で点
９０２〜９０３、スルーホールで第３層に上って、第３
層で点９０３〜９０４、そして、スルーホールで第４層
に上って、第４層で点９０４〜９０５の接続が行われ、
以下この逆の順序で点９０８までの配線が行われること
になる。
【００３７】前述から理解できるように、通常、第１層
から第３層に直接上がる配線を行うことはできず、ま
た、同様に第２層から第４層に直接上がる配線も行うこ
とができない。ただし、イレギュラーな径路を配線する
場、例外として可能な場合がある。
から第３層に直接上がる配線を行うことはできず、ま
た、同様に第２層から第４層に直接上がる配線も行うこ
とができない。ただし、イレギュラーな径路を配線する
場、例外として可能な場合がある。
【００３８】次に、前述した制約の下に、本発明の目的
を達成することのできる、すなわち、他の配線を妨げる
ことなく、高密度な上層の配線を有し、あるいは、スル
ーホールの数を最小にした本発明の一実施形態による半
導体集積装置の配線を作成する処理動作を図１のフロー
により説明する。
を達成することのできる、すなわち、他の配線を妨げる
ことなく、高密度な上層の配線を有し、あるいは、スル
ーホールの数を最小にした本発明の一実施形態による半
導体集積装置の配線を作成する処理動作を図１のフロー
により説明する。
【００３９】（１）まず、配線層を意識することなく、
マクロ座標系によって、配線の概略径路を決定する（ス
テップ５０１）。
マクロ座標系によって、配線の概略径路を決定する（ス
テップ５０１）。
【００４０】（２）次に、ｘ方向の配線をマクロ座標系
での配線長の長い順にソートし、長いものから順に上の
配線層への割付けを行う。このとき、配線層毎の使用率
が１００％越えないように、割付けを考慮する（ステッ
プ５０２、５０３）。
での配線長の長い順にソートし、長いものから順に上の
配線層への割付けを行う。このとき、配線層毎の使用率
が１００％越えないように、割付けを考慮する（ステッ
プ５０２、５０３）。
【００４１】（３）ｘ方向の配線層決定後、配線層毎の
使用率を更新し、全てのｘ方向の配線径路について、配
線層の割付け処理が終了したか否かを判定する（ステッ
プ５０４、５０５）。
使用率を更新し、全てのｘ方向の配線径路について、配
線層の割付け処理が終了したか否かを判定する（ステッ
プ５０４、５０５）。
【００４２】（４）ステップ５０５の判定で、全ての割
付け処理が終了していない場合、ステップ５０３からの
の処理を繰返し行い、全ての割付け処理が終了した場
合、ｙ方向の概略径路について、ｘ方向の配線層毎の使
用率が１００％を越えないように、縦径路の位置を決定
する（ステップ５０６）。
付け処理が終了していない場合、ステップ５０３からの
の処理を繰返し行い、全ての割付け処理が終了した場
合、ｙ方向の概略径路について、ｘ方向の配線層毎の使
用率が１００％を越えないように、縦径路の位置を決定
する（ステップ５０６）。
【００４３】なお、前述したステップ５０３の割付け処
理は、配線長の短いものから順に下の配線層に割り付け
るように行ってもよい。
理は、配線長の短いものから順に下の配線層に割り付け
るように行ってもよい。
【００４４】本発明の一実施形態による半導体集積装置
は、前述した処理により、半導体集積装置内の配線を決
定して作成され、図４〜図６に示すような未配線のない
配線パターンを持つものとなる。
は、前述した処理により、半導体集積装置内の配線を決
定して作成され、図４〜図６に示すような未配線のない
配線パターンを持つものとなる。
【００４５】すなわち、図４は、従来技術による図１１
に示した配線例に対応するものであり、配線作成時に第
４層への引き上げのため第２層を使用率に計上し、端子
Ｂ相互間の配線も第４層へ引き上げることにより配線を
行ったものである。
に示した配線例に対応するものであり、配線作成時に第
４層への引き上げのため第２層を使用率に計上し、端子
Ｂ相互間の配線も第４層へ引き上げることにより配線を
行ったものである。
【００４６】本発明の実施形態によれば、この場合、端
子Ａ相互間の配線を第４層配線５を使用して配線するこ
とが可能となり、未配線のない配線を持った半導体集積
装置を得ることができる。
子Ａ相互間の配線を第４層配線５を使用して配線するこ
とが可能となり、未配線のない配線を持った半導体集積
装置を得ることができる。
【００４７】図５は、従来技術による図１２に示したセ
ル列を渡るときの配線例に対応するものである。この図
５に示す例では、図１２の例が、ｘ方向配線層が第４層
で、ｙ方向配線層が第１層の場合に、第２層、第３層の
折れ曲がりが発生して、未配線１１を生じているので、
これを考慮して、端子Ｃ相互間の配線のｙ方向径路を第
３層に割付けるようにすることがてき、これにより、未
配線のない半導体集積装置を得ることができる。
ル列を渡るときの配線例に対応するものである。この図
５に示す例では、図１２の例が、ｘ方向配線層が第４層
で、ｙ方向配線層が第１層の場合に、第２層、第３層の
折れ曲がりが発生して、未配線１１を生じているので、
これを考慮して、端子Ｃ相互間の配線のｙ方向径路を第
３層に割付けるようにすることがてき、これにより、未
配線のない半導体集積装置を得ることができる。
【００４８】図６は、従来技術による図１３に示したｘ
方向の配線長が短い配線を第４層に割付けて端子Ｂ相互
間を接続することによって、端子Ａ相互間の配線が未配
線１１となることを防止した例を示しており、図６に示
すように、ｘ方向の配線長の長い配線から順に、端子Ａ
相互間、端子Ｃ相互間の配線を第４層に割付けることに
よって、未配線のない半導体集積装置を得ることができ
る。
方向の配線長が短い配線を第４層に割付けて端子Ｂ相互
間を接続することによって、端子Ａ相互間の配線が未配
線１１となることを防止した例を示しており、図６に示
すように、ｘ方向の配線長の長い配線から順に、端子Ａ
相互間、端子Ｃ相互間の配線を第４層に割付けることに
よって、未配線のない半導体集積装置を得ることができ
る。
【００４９】本発明の実施形態による半導体集積装置の
配線は、前述のように構成されるが、本発明の実施形態
は、セル列の端子を予め設定された固定経路による配線
を用いて上層に引き出す手段を併用することができる。
配線は、前述のように構成されるが、本発明の実施形態
は、セル列の端子を予め設定された固定経路による配線
を用いて上層に引き出す手段を併用することができる。
【００５０】図３は固定経路により、セル列の端子を第
４層に引き出す様子を示しており、最下層にある端子
は、第１層から第４層に、その間の各層を介して最短の
距離で引き出されている。このような固定経路は、半導
体集積装置内の各セル対応に予め設定されライブラリに
保存されており、配線作成時に必要に応じて使用するこ
とができる。
４層に引き出す様子を示しており、最下層にある端子
は、第１層から第４層に、その間の各層を介して最短の
距離で引き出されている。このような固定経路は、半導
体集積装置内の各セル対応に予め設定されライブラリに
保存されており、配線作成時に必要に応じて使用するこ
とができる。
【００５１】前述した本発明の実施形態は、配線層が４
層であるとして説明したが、本発明は、さらに多数の層
を備える多層の配線層に対しても適用することができ
る。
層であるとして説明したが、本発明は、さらに多数の層
を備える多層の配線層に対しても適用することができ
る。
【００５２】前述した本発明の実施形態によれば、本発
明をマスタスライスＬＳＩに適用した場合、チップ経路
を短くすることができ、また、未配線本数を少なくする
ことができ、また、カスタムＬＳＩのチップ面積を縮小
でき、コストの低減を図ることができる。
明をマスタスライスＬＳＩに適用した場合、チップ経路
を短くすることができ、また、未配線本数を少なくする
ことができ、また、カスタムＬＳＩのチップ面積を縮小
でき、コストの低減を図ることができる。
【００５３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、端
子層から離れた上層への引出し配線長の伸びを最小に抑
え、端子層から離れた上層への引出し配線が他の配線を
妨げないようにし、上層への配線を容易な、かつ、上層
の配線を高密度なものとし、未配線の無いものとするこ
とができる。
子層から離れた上層への引出し配線長の伸びを最小に抑
え、端子層から離れた上層への引出し配線が他の配線を
妨げないようにし、上層への配線を容易な、かつ、上層
の配線を高密度なものとし、未配線の無いものとするこ
とができる。
【図１】本発明の一実施形態による半導体集積装置の配
線を作成する処理動作を説明するフローチャートであ
る。
線を作成する処理動作を説明するフローチャートであ
る。
【図２】配線方向と配線層との関係を説明する図であ
る。
る。
【図３】固定経路による第４層への配線の引き出しを説
明する図である。
明する図である。
【図４】本発明の実施形態による半導体集積装置の配線
経路の例を示す図である。
経路の例を示す図である。
【図５】本発明の実施形態による半導体集積装置の配線
経路の例を示す図である。
経路の例を示す図である。
【図６】本発明の実施形態による半導体集積装置の配線
経路の例を示す図である。
経路の例を示す図である。
【図７】横方向配線の幹線長の大きさとその数、及び全
配線長率の関係を説明する図である。
配線長率の関係を説明する図である。
【図８】従来技術による４層配線の配線形態の例を示す
図である。
図である。
【図９】第１層の配線の第４層への引き出しを説明する
例を示す図である。
例を示す図である。
【図１０】第１層の配線の第４層への引き出しを説明す
る他の例を示す図である。
る他の例を示す図である。
【図１１】従来技術による配線に未配線を生じることを
説明する例を示す図である。
説明する例を示す図である。
【図１２】従来技術による配線に未配線を生じることを
説明する他の例を示す図である。
説明する他の例を示す図である。
【図１３】従来技術による配線に未配線を生じることを
説明する他の例を示す図である。
説明する他の例を示す図である。
１ 端子 ２ 第１層配線 ３ 第２層配線 ４ 第３層配線 ５ 第４層配線 ６ スルーホール ７ セル列 ８ 貫通スルーホール １１ 未配線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 勝喜 神奈川県秦野市堀山下１番地 株式会社 日立製作所 神奈川工場内 (56)参考文献 特開 平１−144649（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−222072（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】 端子層が最下層にあり配線層が４層以上
の複数の配線層により構成される半導体集積装置におい
て、前記複数の配線層における配線方向が同一の配線層
の上層の配線層から下層の配線層に、配線の直線部分の
配線長が実質的に長い配線から順に各配線が割り付けら
れていて、かつ、端子層から上層への引き出し配線が、
端子層から上層に、その間の各配線層を介して最短経路
で設定されていることを特徴とする半導体集積装置。 - 【請求項２】 前記複数の配線層のそれぞれの配線層の
配線の方向は、隣り合う配線層の配線の方向と異なるこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体集積装置。 - 【請求項３】 前記複数の配線層のそれぞれの配線層の
配線の方向は、隣り合う配線層の配線の方向と直交して
いることを特徴とする請求項１記載の半導体集積装置。 - 【請求項４】 複数のセルを接続する端子と、前記端子
同士を相互に接続する４層以上の複数の配線層とを備
え、前記複数の配線層が複数の方向の配線を有し、最下
層の配線層が端子層となっている半導体集積装置におい
て、前記複数の配線層における配線方向が同一の配線層
の上層の配線層から下層の配線層に、配線の直線部分の
配線長が実質的に長い配線から順に各配線が割り付けら
れていて、かつ、端子層から上層への引き出し配線が、
端子層から上層に、その間の各配線層を介して最短経路
で設定されていることを特徴とする半導体集積装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8112386A JP3061172B2 (ja) | 1996-05-07 | 1996-05-07 | 半導体集積装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8112386A JP3061172B2 (ja) | 1996-05-07 | 1996-05-07 | 半導体集積装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2263083A Division JP2938955B2 (ja) | 1990-10-02 | 1990-10-02 | 半導体集積装置の配線方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08274181A JPH08274181A (ja) | 1996-10-18 |
| JP3061172B2 true JP3061172B2 (ja) | 2000-07-10 |
Family
ID=14585387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8112386A Expired - Lifetime JP3061172B2 (ja) | 1996-05-07 | 1996-05-07 | 半導体集積装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3061172B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4745697B2 (ja) | 2005-03-29 | 2011-08-10 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 複数の配線層を有する半導体回路の端子層設定方法、端子層設定プログラム、配線端子延長処理プログラム、および、その端子層を設定に用いられる端子延長用コンポーネント |
-
1996
- 1996-05-07 JP JP8112386A patent/JP3061172B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08274181A (ja) | 1996-10-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5994777A (en) | Method and support structure for air bridge wiring of an integrated circuit | |
| US5877091A (en) | Multilayer routing method and structure for semiconductor integrated circuit | |
| EP0026233B1 (en) | Semiconductor integrated circuit and wiring method therefor | |
| JP2938955B2 (ja) | 半導体集積装置の配線方法 | |
| CN100401511C (zh) | 集成电路及集成电路的电连接再选路方法 | |
| JPH0750817B2 (ja) | 配線相互接続構造体 | |
| JP2001127162A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JP3061172B2 (ja) | 半導体集積装置 | |
| JPS61292341A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH0571137B2 (ja) | ||
| JP2874518B2 (ja) | 半導体装置及びその配線設計方法 | |
| JP2003076735A (ja) | 配線設計方法 | |
| JP3027949B2 (ja) | 半導体集積回路の自動配線方法 | |
| JP3367635B2 (ja) | 集積回路の配線経路決定方法 | |
| CN117829084B (zh) | 一种三维网格绕线方法 | |
| JP3621570B2 (ja) | 半導体装置の配線方法 | |
| KR100621814B1 (ko) | 반도체 디바이스를 패키징하기 위한 컴퓨터로 구현된 방법 및 반도체 다이를 패키징하는 컴퓨터로 구현된 방법 | |
| JPS5870554A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JP3060609B2 (ja) | 集積回路の配線設計方法 | |
| JPS63308371A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JPH0563085A (ja) | 半導体装置の自動配線方法 | |
| JPH0316241A (ja) | 半導体装置及びその配線の自動形成方法 | |
| JP3578615B2 (ja) | 半導体集積回路のレイアウト方法 | |
| JPH0815184B2 (ja) | 半導体集積回路の配線方法 | |
| JP2947219B2 (ja) | スタンダードセル方式の半導体集積回路の配線構造 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080428 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090428 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090428 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100428 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110428 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110428 Year of fee payment: 11 |