JP3033111B2 - 磁気センサ - Google Patents
磁気センサInfo
- Publication number
- JP3033111B2 JP3033111B2 JP2057678A JP5767890A JP3033111B2 JP 3033111 B2 JP3033111 B2 JP 3033111B2 JP 2057678 A JP2057678 A JP 2057678A JP 5767890 A JP5767890 A JP 5767890A JP 3033111 B2 JP3033111 B2 JP 3033111B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pair
- elements
- magnetic sensor
- wave sensor
- sensor block
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、測長ないし測角用の磁気エンコーダ等に
好適な、磁気センサに関する。
好適な、磁気センサに関する。
[発明の概要] この発明は、正弦波信号出力部及び余弦波信号出力部
を有する磁気センサにおいて、各信号出力部を形成する
複数の磁気抵抗素子を同数ずつ交互に配列することによ
り、両信号出力部を空間的に接近させて、各信号間の位
相差の精度を向上させ、レベル差を低減すると共に、セ
ンサの形状を小型化するようにしたものである。
を有する磁気センサにおいて、各信号出力部を形成する
複数の磁気抵抗素子を同数ずつ交互に配列することによ
り、両信号出力部を空間的に接近させて、各信号間の位
相差の精度を向上させ、レベル差を低減すると共に、セ
ンサの形状を小型化するようにしたものである。
[従来の技術] 従来、測長ないし測角用の磁気エンコーダとして、第
5図に示すように、記録波長がλの磁気スケール(1)
に対向して、サイン波信号発生用及びコサイン波信号発
生用の磁気センサブロック(10)及び(20)を配置した
磁気センサが知られている。
5図に示すように、記録波長がλの磁気スケール(1)
に対向して、サイン波信号発生用及びコサイン波信号発
生用の磁気センサブロック(10)及び(20)を配置した
磁気センサが知られている。
磁気センサブロック(10),(20)は、図示を省略し
たガラス等の絶縁基板上に、複数の磁気抵抗効果素子
(Magneto−Resistive Effect Element)が所定の距離
で配設されて構成される。このMR素子は、例えばNi−F
e,Ni−Co等の強磁性体薄膜から形成される。
たガラス等の絶縁基板上に、複数の磁気抵抗効果素子
(Magneto−Resistive Effect Element)が所定の距離
で配設されて構成される。このMR素子は、例えばNi−F
e,Ni−Co等の強磁性体薄膜から形成される。
この従来例では、磁気センサブロック(10),(20)
の各8個のMR素子(11)〜(18),(21)〜(28)が第
6図,第7図に示すように配置され、接続される。
の各8個のMR素子(11)〜(18),(21)〜(28)が第
6図,第7図に示すように配置され、接続される。
即ち、磁気センサブロック(10)では、それぞれλ/2
間隔のMR素子(11),(12);(17),(18)が2個ず
つU字状に接続される。第2,第3及び第6,第7のMR素子
(12),(13)及び(16),(17)は、間隔がそれぞれ
λ/4の奇数倍に設定されると共に、それぞれの他端がU
字状に接続される。また、第1,第5のMR素子(11),
(15)の間隔もλ/4の奇数倍に設定される。
間隔のMR素子(11),(12);(17),(18)が2個ず
つU字状に接続される。第2,第3及び第6,第7のMR素子
(12),(13)及び(16),(17)は、間隔がそれぞれ
λ/4の奇数倍に設定されると共に、それぞれの他端がU
字状に接続される。また、第1,第5のMR素子(11),
(15)の間隔もλ/4の奇数倍に設定される。
第1,第5のMR素子(11),(15)の他端が電源端子V
に接続され、第4,第8のMR素子(14),(18)の他端が
接地端子Eに接続される。第2,第3及び第6,第7のMR素
子(12),(13)及び(16),(17)の各接続中点が信
号端子(10a),(10b)にそれぞれ接続される。
に接続され、第4,第8のMR素子(14),(18)の他端が
接地端子Eに接続される。第2,第3及び第6,第7のMR素
子(12),(13)及び(16),(17)の各接続中点が信
号端子(10a),(10b)にそれぞれ接続される。
第7図に示すように、磁気センサブロック(10)の第
1〜第4のMR端子(11)〜(14)と、第5〜第8のMR素
子(15)〜(18)とが、電源端子Vと接地端子Eの間に
ブリッジ接続され、信号端子(10a),(10b)に作動増
幅器(19)が接続される。
1〜第4のMR端子(11)〜(14)と、第5〜第8のMR素
子(15)〜(18)とが、電源端子Vと接地端子Eの間に
ブリッジ接続され、信号端子(10a),(10b)に作動増
幅器(19)が接続される。
他方の磁気センサブロック(20)も上述と同様に構成
され、両磁気センサブロック(10),(20)の各第1の
MR素子(11),(21)の距離D0はλ/8の奇数倍に設定さ
れる。
され、両磁気センサブロック(10),(20)の各第1の
MR素子(11),(21)の距離D0はλ/8の奇数倍に設定さ
れる。
磁気スケール(1)から、次の(1)式で表される磁
場がMR素子に印加されると、ゼロバイアスで動作するMR
素子の抵抗値が印加磁場の2乗に比例して減少し、次の
(2)式で表される出力信号成分が得られる。
場がMR素子に印加されると、ゼロバイアスで動作するMR
素子の抵抗値が印加磁場の2乗に比例して減少し、次の
(2)式で表される出力信号成分が得られる。
H=Ha・sinθm ‥‥(1) R=(ΔR/2)(Ha/Hs)2・cos2θm ‥‥(2) Hs:飽和磁場 磁気スケール(1)と磁気センサブロック(10)の相
対位置が第5図に示すようであるとき、スケール(1)
の磁場が印加されるMR素子(13),(14);(15),
(16)の抵抗値が減少して、磁場が印加されないMR素子
(11),(12);(17),(18)の抵抗値は変化しな
い。
対位置が第5図に示すようであるとき、スケール(1)
の磁場が印加されるMR素子(13),(14);(15),
(16)の抵抗値が減少して、磁場が印加されないMR素子
(11),(12);(17),(18)の抵抗値は変化しな
い。
上述の従来例では、内挿分割の技法により、磁気セン
サブロック(10),(20)が発生するサイン波信号及び
コサイン波信号から、相互に位相が異なる複数の信号を
合成し、各合成信号のゼロクロス点を検出することによ
り、所要の分解能を有する検出パルス列を得ている。
サブロック(10),(20)が発生するサイン波信号及び
コサイン波信号から、相互に位相が異なる複数の信号を
合成し、各合成信号のゼロクロス点を検出することによ
り、所要の分解能を有する検出パルス列を得ている。
そして、各MR素子をブリッジ接続することにより、低
周波の減衰、偶数次高調波・温度特性の相殺等で、信号
歪みが低減され、また、差動接続することにより、直流
成分・同相ノイズが除去される。
周波の減衰、偶数次高調波・温度特性の相殺等で、信号
歪みが低減され、また、差動接続することにより、直流
成分・同相ノイズが除去される。
[発明が解決しようとする課題] ところが、従来の磁気センサでは、前述のように、各
磁気センサブロック(10),(20)が、所定の位相関係
を満足する位置に配設された一団のMR素子(11)〜(1
8),(21)〜(28)からそれぞれ構成されているた
め、両センサブロック(10),(20)が空間的に離れて
しまう。
磁気センサブロック(10),(20)が、所定の位相関係
を満足する位置に配設された一団のMR素子(11)〜(1
8),(21)〜(28)からそれぞれ構成されているた
め、両センサブロック(10),(20)が空間的に離れて
しまう。
例えば、λ=80μmの場合、両センサブロック(1
0),(20)の各第1のMR素子(11),(21)の距離
が、D0=730μmにもなる。
0),(20)の各第1のMR素子(11),(21)の距離
が、D0=730μmにもなる。
両センサブロック(10),(20)が空間的に離れる
と、磁気センサの形状を小型化することが困難であると
共に、MR素子蒸着用のマスクの加工精度,熱膨張,スケ
ール・センサ間のアジマス等により、各センサブロック
(10),(20)から出力される、サイン波信号及びコサ
イン波信号間の位相差の精度が低下するという問題があ
った。
と、磁気センサの形状を小型化することが困難であると
共に、MR素子蒸着用のマスクの加工精度,熱膨張,スケ
ール・センサ間のアジマス等により、各センサブロック
(10),(20)から出力される、サイン波信号及びコサ
イン波信号間の位相差の精度が低下するという問題があ
った。
また、磁気スケールの記録むらにより、サイン波信号
及びコサイン波信号間に、非定常的なレベル差が発生し
て、内挿分割時のパルス列の分解能が低下するという問
題があった。
及びコサイン波信号間に、非定常的なレベル差が発生し
て、内挿分割時のパルス列の分解能が低下するという問
題があった。
かかる点に鑑み、この発明の目的は、両磁気センサブ
ロックを空間的に接近させて、各信号間の位相差の精度
を向上させ、レベル差を低減すると共に、形状を小型化
した磁気センサを提供するところにある。
ロックを空間的に接近させて、各信号間の位相差の精度
を向上させ、レベル差を低減すると共に、形状を小型化
した磁気センサを提供するところにある。
[課題を解決するための手段] この発明の磁気センサは、基盤上にそれぞれ所定の間
隔で配列された複数の磁気抵抗素子の内、それぞれ所定
数の磁気抵抗素子がサイン波センサブロック(10)およ
びコサイン波センサブロック(20)を形成するようにな
された磁気センサにおいて、上記サイン波センサブロッ
クを形成する磁気抵抗素子の第1及び第2の各ペア(1
1)〜(14)と、上記コサイン波センサブロックを形成
する磁気抵抗素子の第1及び第2の各ペア(21)〜(2
4)と、上記サイン波センサブロックを形成する磁気抵
抗素子の第3及び第4の各ペア(15)〜(18)と、上記
コサイン波センサブロックを形成する磁気抵抗素子の第
3及び第4の各ペア(25)〜(28)とをそれぞれ直列に
接続して4グループを形成し、1/2波長間隔に接続され
た上記各グループの各ペア間を所定の距離として、1つ
のグループの各ペア間に他のグループの各ペアが介挿配
置され、上記サイン波センサブロックの第1のペアと上
記コサイン波センサブロックの第1のペアとの距離は1/
8波長の奇数倍に設定され、同一グループの第1のペア
と、第2のペアとの間隔はそれぞれ1/4波長の奇数倍に
設定され、同一センサブロックの第1のペア、第3のペ
アとの間隔はそれぞれ1/4波長の奇数倍に設定され、上
記サイン波センサブロックの各ペアと、上記コサイン波
センサブロックの各ペアとを同数ずつ交互に配列したも
のである。
隔で配列された複数の磁気抵抗素子の内、それぞれ所定
数の磁気抵抗素子がサイン波センサブロック(10)およ
びコサイン波センサブロック(20)を形成するようにな
された磁気センサにおいて、上記サイン波センサブロッ
クを形成する磁気抵抗素子の第1及び第2の各ペア(1
1)〜(14)と、上記コサイン波センサブロックを形成
する磁気抵抗素子の第1及び第2の各ペア(21)〜(2
4)と、上記サイン波センサブロックを形成する磁気抵
抗素子の第3及び第4の各ペア(15)〜(18)と、上記
コサイン波センサブロックを形成する磁気抵抗素子の第
3及び第4の各ペア(25)〜(28)とをそれぞれ直列に
接続して4グループを形成し、1/2波長間隔に接続され
た上記各グループの各ペア間を所定の距離として、1つ
のグループの各ペア間に他のグループの各ペアが介挿配
置され、上記サイン波センサブロックの第1のペアと上
記コサイン波センサブロックの第1のペアとの距離は1/
8波長の奇数倍に設定され、同一グループの第1のペア
と、第2のペアとの間隔はそれぞれ1/4波長の奇数倍に
設定され、同一センサブロックの第1のペア、第3のペ
アとの間隔はそれぞれ1/4波長の奇数倍に設定され、上
記サイン波センサブロックの各ペアと、上記コサイン波
センサブロックの各ペアとを同数ずつ交互に配列したも
のである。
[作用] かかる構成によれば、両信号出力部が空間的に接近し
て、各信号間の位相差の精度が向上し、レベル差が低減
すると共に、センサの形状が小型化される。
て、各信号間の位相差の精度が向上し、レベル差が低減
すると共に、センサの形状が小型化される。
[実施例] 以下、第1図を参照しながら、この発明による磁気セ
ンサの一実施例の前提について説明する。
ンサの一実施例の前提について説明する。
この発明の一実施例の前提の構成を第1図に示す。こ
の第1図において、前出第6図に対応する部分には同一
の符号を付ける。
の第1図において、前出第6図に対応する部分には同一
の符号を付ける。
第1図においては、両磁気センサブロック(10)及び
(20)の各第1〜第4のMR素子(11)〜(14)及び(2
1)〜(24)と、第5〜第8のMR素子(15)〜(18)及
び(25)〜(28)とが、前出第6図と同様にそれぞれ直
列に接続される。各直列グループの4個のMR素子、例え
ば(11)〜(14)の相対配置は前出第6図と同様であ
る。
(20)の各第1〜第4のMR素子(11)〜(14)及び(2
1)〜(24)と、第5〜第8のMR素子(15)〜(18)及
び(25)〜(28)とが、前出第6図と同様にそれぞれ直
列に接続される。各直列グループの4個のMR素子、例え
ば(11)〜(14)の相対配置は前出第6図と同様であ
る。
第1図では、サイン波用センサブロック(10)の第2
グループのMR素子(15)〜(18)と、コサイン波用セン
サブロック(20)の第1グループのMR素子(21)〜(2
4)とが、前出第6図の従来例とほぼ入れ替わって配設
されて、両センサブロック(10)及び(20)の各第1の
MR素子(11)及び(21)の距離D1が、従来例と同様に、
λ/8の奇数倍に設定される。
グループのMR素子(15)〜(18)と、コサイン波用セン
サブロック(20)の第1グループのMR素子(21)〜(2
4)とが、前出第6図の従来例とほぼ入れ替わって配設
されて、両センサブロック(10)及び(20)の各第1の
MR素子(11)及び(21)の距離D1が、従来例と同様に、
λ/8の奇数倍に設定される。
また、同一センサブロックの第1,第5のMR素子、例え
ば(11),(15)の間隔はλ/4の奇数倍に設定される。
ば(11),(15)の間隔はλ/4の奇数倍に設定される。
上述のように、両センサブロック(10),(20)の各
第1,第2のグループが交互に配設されて、両センサブロ
ック(10),(20)の各第1のMR素子(11),(21)の
距離D1は、従来例の対応する距離D0に比べて半減し、サ
イン波信号及びコサイン波信号間の位相差の精度が向上
すると共に、レベル差が低減する。
第1,第2のグループが交互に配設されて、両センサブロ
ック(10),(20)の各第1のMR素子(11),(21)の
距離D1は、従来例の対応する距離D0に比べて半減し、サ
イン波信号及びコサイン波信号間の位相差の精度が向上
すると共に、レベル差が低減する。
次に、第2図を参照しながら、この発明の実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
この発明の実施例の構成を第2図示す。この第2図に
おいて、前出第1図,第6図に対応する部分には同一の
符号を付ける。
おいて、前出第1図,第6図に対応する部分には同一の
符号を付ける。
第2図の実施例においては、両磁気センサブロック
(10)及び(20)の各第1〜第4のMR素子(11)〜(1
4)及び(21)〜(24)と、第5〜第8のMR素子(15)
〜(18)及び(25)〜(28)とが、それぞれ直列に接続
されて、4グループが形成される。
(10)及び(20)の各第1〜第4のMR素子(11)〜(1
4)及び(21)〜(24)と、第5〜第8のMR素子(15)
〜(18)及び(25)〜(28)とが、それぞれ直列に接続
されて、4グループが形成される。
第2図の実施例では、λ/2間隔でU字状に接続された
各グループのペアのMR素子が、各ペア間の距離を拡大さ
れて、一つのグループのペア間に他のグループのペアが
介挿配置される。この場合、両センサブロック(10)及
び(20)の各第1のMR素子(11)及び(21)の距離D2
は、従来例と同様に、λ/8の奇数倍に設定される。
各グループのペアのMR素子が、各ペア間の距離を拡大さ
れて、一つのグループのペア間に他のグループのペアが
介挿配置される。この場合、両センサブロック(10)及
び(20)の各第1のMR素子(11)及び(21)の距離D2
は、従来例と同様に、λ/8の奇数倍に設定される。
また、同一グループの第1,第3のMR素子、例えば(1
1),(13);(21),(23)の間隔はそれぞれλ/4の
奇数倍に設定され、同一センサブロックの第1,第5のMR
素子、例えば(11),(15)の間隔もλ/4の奇数倍に設
定される。
1),(13);(21),(23)の間隔はそれぞれλ/4の
奇数倍に設定され、同一センサブロックの第1,第5のMR
素子、例えば(11),(15)の間隔もλ/4の奇数倍に設
定される。
上述のように、この実施例では、サイン波用センサブ
ロック(10)とコサイン波用センサブロック(20)との
各MR素子ペア、例えば(11),(12);(13),(14)
と(21),(22);(23),(24)とが交互に配設され
て、両センサブロック(10),(20)の各第1のMR素子
(11),(21)の距離D2は、第1図の実施例の対応距離
D1に比べても半減し、サイン波信号及びコサイン波信号
間の位相差の精度が更に向上すると共に、レベル差が更
に低減する。
ロック(10)とコサイン波用センサブロック(20)との
各MR素子ペア、例えば(11),(12);(13),(14)
と(21),(22);(23),(24)とが交互に配設され
て、両センサブロック(10),(20)の各第1のMR素子
(11),(21)の距離D2は、第1図の実施例の対応距離
D1に比べても半減し、サイン波信号及びコサイン波信号
間の位相差の精度が更に向上すると共に、レベル差が更
に低減する。
第1図及び第2図の実施例では、同一グループのペア
のMR素子、例えば(11),(12);(13),(14)が相
互に離れて配設されている。両図に示すように、同一グ
ループの第1,第3のMR素子、例えば(11),(13)の間
隔はλ/4の奇数倍に設定されればよいのであるから、n
=0として、最小間隔のλ/4とすることができる。
のMR素子、例えば(11),(12);(13),(14)が相
互に離れて配設されている。両図に示すように、同一グ
ループの第1,第3のMR素子、例えば(11),(13)の間
隔はλ/4の奇数倍に設定されればよいのであるから、n
=0として、最小間隔のλ/4とすることができる。
一方、ペアのMR素子、例えば(11),(12)の間隔
は、前述のようにλ/2であるから、同一グループの第1,
第3のMR素子の間隔をλ/4の最小倍に設定することによ
り、第3図に示すように、同一グループのペアのMR素
子、例えば(11),(12);(13),(14)を交互に配
設することができて、4個のMR素子からなる各グループ
の占有長が縮小され、磁気センサの形状を一層小型化す
ることができる。
は、前述のようにλ/2であるから、同一グループの第1,
第3のMR素子の間隔をλ/4の最小倍に設定することによ
り、第3図に示すように、同一グループのペアのMR素
子、例えば(11),(12);(13),(14)を交互に配
設することができて、4個のMR素子からなる各グループ
の占有長が縮小され、磁気センサの形状を一層小型化す
ることができる。
なお、この場合は、MR素子層とは別に、接続用の配線
層を設けることが必要となる。
層を設けることが必要となる。
次に、第4図を参照しながら、他の磁気センサについ
て説明する。
て説明する。
他の磁気センサの構成を第4図に示す。この第4図に
おいて、前出第1図〜第3図,第6図に対応する部分に
は同一の符号を付ける。
おいて、前出第1図〜第3図,第6図に対応する部分に
は同一の符号を付ける。
第4図においては、サイン波用とコサイン波用の両磁
気センサブロック(10),(20)の各第1のMR素子(1
1),(21)の距離Dがλ/8の奇数倍に設定されること
に着目して、両センサブロック(10),(20)の各第1
のMR素子(11),(21)の距離D3を、第3図と同様、λ
/8の最小倍に設定する。
気センサブロック(10),(20)の各第1のMR素子(1
1),(21)の距離Dがλ/8の奇数倍に設定されること
に着目して、両センサブロック(10),(20)の各第1
のMR素子(11),(21)の距離D3を、第3図と同様、λ
/8の最小倍に設定する。
また、同一グループの第1,第3のMR素子、例えば(1
1),(13);(21),(23)の間隔はそれぞれλ/4の
奇数倍に設定され、同一センサブロックの第1,第5のMR
素子、例えば(11),(15)の間隔もλ/4の奇数倍に設
定される。
1),(13);(21),(23)の間隔はそれぞれλ/4の
奇数倍に設定され、同一センサブロックの第1,第5のMR
素子、例えば(11),(15)の間隔もλ/4の奇数倍に設
定される。
これにより、第4図では、両センサブロック(10),
(20)の、それぞれλ/2間隔の、各ペアのMR素子、例え
ば(11),(12);(21),(22)を交互に配設するこ
とができて、8個のMR素子からなる各センサブロック
(10),(20)の占有長が短縮されると共に、各センサ
ブロック(10),(20)が殆ど重なり合って、磁気セン
サの形状を格段に小型化することができる。
(20)の、それぞれλ/2間隔の、各ペアのMR素子、例え
ば(11),(12);(21),(22)を交互に配設するこ
とができて、8個のMR素子からなる各センサブロック
(10),(20)の占有長が短縮されると共に、各センサ
ブロック(10),(20)が殆ど重なり合って、磁気セン
サの形状を格段に小型化することができる。
例えば、λ=80μmの場合、磁気センサの全長が、L
=230μmにも短縮されると共に、各センサブロック(1
0),(20)間の距離が、D3=10μmにも短縮される。
=230μmにも短縮されると共に、各センサブロック(1
0),(20)間の距離が、D3=10μmにも短縮される。
また、サイン波信号及びコサイン波信号間の位相差の
精度が更に向上すると共に、レベル差が更に低減する。
精度が更に向上すると共に、レベル差が更に低減する。
なお、この場合も、MR素子層とは別に、接続用の配線
層を設けることが必要である。
層を設けることが必要である。
[発明の効果] この発明によれば、両センサブロックの第1のペアの
距離を短くすることができ、サイン波信号及びコサイン
波信号間の位相差の精度を向上させると共に、レベル差
を低減させることにより、形状が小型の磁気センサを得
ることができるという効果を奏する。
距離を短くすることができ、サイン波信号及びコサイン
波信号間の位相差の精度を向上させると共に、レベル差
を低減させることにより、形状が小型の磁気センサを得
ることができるという効果を奏する。
第1図はこの発明による磁気センサの一実施例の前提の
構成を示す略線平面図、第2図はこの発明の実施例の構
成を示す略線平面図、第3図は他の磁気センサの要部の
構成を示す略線平面図、第4図は他の磁気センサの構成
を示す略線平面図、第5図及び第6図は従来の磁気セン
サの構成例を示す略線概念図及び略線平面図、第7図は
この発明の説明のための結線図である。 (10)は正弦波信号出力部、(20)は余弦波信号出力
部、(11)〜(18),(21)〜(28)は磁気抵抗素子で
ある。
構成を示す略線平面図、第2図はこの発明の実施例の構
成を示す略線平面図、第3図は他の磁気センサの要部の
構成を示す略線平面図、第4図は他の磁気センサの構成
を示す略線平面図、第5図及び第6図は従来の磁気セン
サの構成例を示す略線概念図及び略線平面図、第7図は
この発明の説明のための結線図である。 (10)は正弦波信号出力部、(20)は余弦波信号出力
部、(11)〜(18),(21)〜(28)は磁気抵抗素子で
ある。
Claims (1)
- 【請求項1】基盤上にそれぞれ所定の間隔で配列された
複数の磁気抵抗素子の内、それぞれ所定数の磁気抵抗素
子がサイン波センサブロックおよびコサイン波センサブ
ロックを形成するようになされた磁気センサにおいて、 上記サイン波センサブロックを形成する磁気抵抗素子の
第1及び第2の各ペアと、上記コサイン波センサブロッ
クを形成する磁気抵抗素子の第1及び第2の各ペアと、
上記サイン波センサブロックを形成する磁気抵抗素子の
第3及び第4の各ペアと、上記コサイン波センサブロッ
クを形成する磁気抵抗素子の第3及び第4の各ペアとを
それぞれ直列に接続して4グループを形成し、 1/2波長間隔に接続された上記各グループの各ペア間を
所定の距離として、1つのグループの各ペア間に他のグ
ループの各ペアが介挿配置され、 上記サイン波センサブロックの第1のペアと上記コサイ
ン波センサブロックの第1のペアとの距離は1/8波長の
奇数倍に設定され、 同一グループの第1のペアと、第2のペアとの間隔はそ
れぞれ1/4波長の奇数倍に設定され、同一センサブロッ
クの第1のペア、第3のペアとの間隔はそれぞれ1/4波
長の奇数倍に設定され、 上記サイン波センサブロックの各ペアと、上記コサイン
波センサブロックの各ペアとを同数ずつ交互に配列した
ことを特徴とする磁気センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2057678A JP3033111B2 (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | 磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2057678A JP3033111B2 (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | 磁気センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03257326A JPH03257326A (ja) | 1991-11-15 |
JP3033111B2 true JP3033111B2 (ja) | 2000-04-17 |
Family
ID=13062588
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2057678A Expired - Fee Related JP3033111B2 (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | 磁気センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3033111B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4203073C2 (de) * | 1992-02-04 | 1994-12-15 | Heidenhain Gmbh Dr Johannes | Positionsmeßeinrichtung |
TWI393867B (zh) | 2007-04-20 | 2013-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | 磁性式旋轉角檢測器 |
-
1990
- 1990-03-08 JP JP2057678A patent/JP3033111B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03257326A (ja) | 1991-11-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4944292B2 (ja) | 位置依存振幅符号化を有する位置検出器 | |
US5243280A (en) | Magnetic sensor and position detector | |
JPH0252807B2 (ja) | ||
JP3367230B2 (ja) | 位置検出装置 | |
JPH0755502A (ja) | 位置測定装置 | |
JPS58154612A (ja) | 変位量検出装置 | |
JP3033111B2 (ja) | 磁気センサ | |
JP3029783B2 (ja) | 磁気検出装置 | |
JP6276074B2 (ja) | 位置検出装置 | |
JPS58154613A (ja) | 変位量検出装置 | |
JPS59147213A (ja) | 磁気回転センサ | |
US6307366B1 (en) | Object position sensor using magnetic effect device | |
JP3004926B2 (ja) | 磁気エンコーダ | |
JP2021177164A (ja) | 磁気式エンコーダ | |
JP2722605B2 (ja) | 磁気エンコーダ | |
JPS63311117A (ja) | 位置検出用磁気センサ | |
JP3016468B2 (ja) | 磁電変換装置 | |
JPS6184504A (ja) | 位置検出装置の磁気センサ | |
JP3029581B2 (ja) | 磁気エンコーダ | |
JPH0330089B2 (ja) | ||
JPH0549045B2 (ja) | ||
JPS594646B2 (ja) | 分割型磁電変換素子 | |
JPH05346329A (ja) | 磁気センサー | |
JPH0511442Y2 (ja) | ||
JP2000105134A (ja) | 磁気式エンコーダ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |