JPS594646B2 - 分割型磁電変換素子 - Google Patents
分割型磁電変換素子Info
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- JPS594646B2 JPS594646B2 JP9589480A JP9589480A JPS594646B2 JP S594646 B2 JPS594646 B2 JP S594646B2 JP 9589480 A JP9589480 A JP 9589480A JP 9589480 A JP9589480 A JP 9589480A JP S594646 B2 JPS594646 B2 JP S594646B2
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- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は波長選択性を有する磁電変換素子に関するもの
である。
である。
本出願人は先に「特願昭４８−第７９６５５号」により
新規な構造を有する磁電変換素子を提案した。
新規な構造を有する磁電変換素子を提案した。
そこで先ず上記出願に係る磁電変換素子についてその概
略を説明する。第１図は構造を示すもので、ガラス等よ
り成る０ 基板１の表面に、’ニッケルコバルトのよう
な磁気抵抗の異方性効果を有する強磁性体Ａ、Ｂの薄膜
が形成されている。
略を説明する。第１図は構造を示すもので、ガラス等よ
り成る０ 基板１の表面に、’ニッケルコバルトのよう
な磁気抵抗の異方性効果を有する強磁性体Ａ、Ｂの薄膜
が形成されている。
この強磁性体Ａ、Ｂは例えば櫛歯パターン状に強磁性材
料を蒸着するか又は全面に蒸着した後、エッチングして
形成することが５ できる。この強磁性体Ａ、Ｂは主電
流通路となる複数の直線部分２Ａ、２Ｂと、これらを連
結する屈出部３Ａ、３Ｂとから夫々構成されており、上
記直線部分２Ａ、２Ｂは互いに略直交するように配され
ている。また直線部分２Ａ、２Ｂの各端部９４Ａ、４Ｂ
は接続されていて強磁性体Ａ、Ｂは直列接続となつてい
る。上記接続部に出力端子５が形成され、さらに直線部
分２Ａ、２Ｂの他端部６Ａ、６Ｂに夫々電流端子７Ａ、
ＴＢが形成されている。５ 第２図は動作原理図で、電
流端子７Ａ、７Ｂが電源Ｓに接続され、且つ一方の電流
端子７Ｂはアースされており、全体として磁電変換回路
９を構成している。
料を蒸着するか又は全面に蒸着した後、エッチングして
形成することが５ できる。この強磁性体Ａ、Ｂは主電
流通路となる複数の直線部分２Ａ、２Ｂと、これらを連
結する屈出部３Ａ、３Ｂとから夫々構成されており、上
記直線部分２Ａ、２Ｂは互いに略直交するように配され
ている。また直線部分２Ａ、２Ｂの各端部９４Ａ、４Ｂ
は接続されていて強磁性体Ａ、Ｂは直列接続となつてい
る。上記接続部に出力端子５が形成され、さらに直線部
分２Ａ、２Ｂの他端部６Ａ、６Ｂに夫々電流端子７Ａ、
ＴＢが形成されている。５ 第２図は動作原理図で、電
流端子７Ａ、７Ｂが電源Ｓに接続され、且つ一方の電流
端子７Ｂはアースされており、全体として磁電変換回路
９を構成している。
今、強磁性体Ａ、Ｂを飽和磁化させるに充分なフ 強さ
の磁界Ｈを、強磁性体Ａ、Ｂのなす平面において、強磁
性体Ａの直線部分２Ａの方向、即ち電流方向に対して角
度θを以つて加えると、強磁性体Ａ、Ｂの各電気抵抗ρ
ＡＰＢが変化し、その変化は角度θにより次式で表わさ
れる。
の磁界Ｈを、強磁性体Ａ、Ｂのなす平面において、強磁
性体Ａの直線部分２Ａの方向、即ち電流方向に対して角
度θを以つて加えると、強磁性体Ａ、Ｂの各電気抵抗ρ
ＡＰＢが変化し、その変化は角度θにより次式で表わさ
れる。
ρＡ＝ρ土ｓｉｎ２θ＋ρ／、ｃｏｓ２θ ・・・・・
・ １ρＢ＝ρ土ｃｏｓ２θ＋ρ７ｓｉｎ２θ ・・・
・・・ ２但し、ρ士は強磁性体Ａ，Ｂを電流と垂直方
向に飽和磁化したときの強磁性体Ａ，Ｂの電気抵抗、ρ
７は同じく電流と平行方向に飽和磁化したときの強磁性
体Ａ，Ｂの電気抵抗である。
・ １ρＢ＝ρ土ｃｏｓ２θ＋ρ７ｓｉｎ２θ ・・・
・・・ ２但し、ρ士は強磁性体Ａ，Ｂを電流と垂直方
向に飽和磁化したときの強磁性体Ａ，Ｂの電気抵抗、ρ
７は同じく電流と平行方向に飽和磁化したときの強磁性
体Ａ，Ｂの電気抵抗である。
また出力端子５の電圧Ｖθは、強磁性体Ａ，Ｂは直列接
続であるから、電源電圧を。
続であるから、電源電圧を。
とすれば次式で表わされる。３式に１２を代入して整理
すると、 となる。
すると、 となる。
この４式において右辺第１項は基準電圧を表し、この第
２項は変化量Δθを表するものとなり、で表わされる。
２項は変化量Δθを表するものとなり、で表わされる。
但し２ρｏ＝ρ９＋ρ土とし、ρｏは消磁状態の電気抵
抗である。従つて出力端子５の電圧Ｖθは、磁界Ｈの方
向により変化し、その出力変化は第３図のように、０よ
，１８０、で最小値、９０第，２７０うで最大値をとる
正弦波形となる。
抗である。従つて出力端子５の電圧Ｖθは、磁界Ｈの方
向により変化し、その出力変化は第３図のように、０よ
，１８０、で最小値、９０第，２７０うで最大値をとる
正弦波形となる。
第４図は等価回路を示すもので、強磁性体Ａ，Ｂを可変
抵抗とし、その抵抗値が磁界Ｈの方向により変化するも
のとして考えることができる。
抵抗とし、その抵抗値が磁界Ｈの方向により変化するも
のとして考えることができる。
磁電変換素子は以上のような構成、動作を有するもので
あるが、本発明はこの磁電変換素子にさらに波長選択機
能を持たせるようにしたものである。波長選択機能とは
、互いに周波数の異る複数の信号が合成された信号があ
る場合、その合成信号から特定の周波数成分の信号のみ
を選択的に検出する機能を云う。
あるが、本発明はこの磁電変換素子にさらに波長選択機
能を持たせるようにしたものである。波長選択機能とは
、互いに周波数の異る複数の信号が合成された信号があ
る場合、その合成信号から特定の周波数成分の信号のみ
を選択的に検出する機能を云う。
例えばＮＳ磁極が所定波長で周期的に繰り返される磁気
信号が記録された磁気スケールがある場合、この磁気ス
ケールを波長選択機能を持つマルチギヤツプ磁気ヘツド
等で読み取ると、ギヤツプ間距離の２倍、４倍、６倍・
・・の波長成分のみを選択的に検出することができる。
従来は上記磁気スケールに対して波長選択性を有する検
出素子として、上述のマルチギヤツプ磁気ヘツドが用い
られている。しかしながらマルチギヤツプ磁気ヘツドは
温度変化や外部磁界の影響を受け易い。また巻線を必要
とすること、磁束応答型とするために可飽和鉄心を用い
た磁気変調又は磁気飽和型検出方式をとらなければなら
ないこと等により、装置の構成が複雑となり、高価なも
のとなる等の欠点があつた。本発明は上記欠点を除去す
ることのできるもので、以下本発明の実施例を図面と共
に説明する。
信号が記録された磁気スケールがある場合、この磁気ス
ケールを波長選択機能を持つマルチギヤツプ磁気ヘツド
等で読み取ると、ギヤツプ間距離の２倍、４倍、６倍・
・・の波長成分のみを選択的に検出することができる。
従来は上記磁気スケールに対して波長選択性を有する検
出素子として、上述のマルチギヤツプ磁気ヘツドが用い
られている。しかしながらマルチギヤツプ磁気ヘツドは
温度変化や外部磁界の影響を受け易い。また巻線を必要
とすること、磁束応答型とするために可飽和鉄心を用い
た磁気変調又は磁気飽和型検出方式をとらなければなら
ないこと等により、装置の構成が複雑となり、高価なも
のとなる等の欠点があつた。本発明は上記欠点を除去す
ることのできるもので、以下本発明の実施例を図面と共
に説明する。
第５図は第１の実施例を示すもので、２０は本発明によ
る分割型磁電変換素子、１０は磁気記録媒体で、前述し
た繰り返し磁気信号ｅが所定波長λｍで且つ磁電変換素
子２０を飽和磁化させるのに充分な大きさの磁界を以つ
て記録されている。磁電変換素子２０は、第１図の強磁
性体Ａ素子を導体１２により複数個直列接続して成る素
子群ＳＡと、第１図の強磁性体Ｂ素子を導体１２′によ
り複数個直列接続して成る素子群ＳＢとにより構成され
ている。素子群ＳＡ及び素子群ＳＢの各素子は夫々λｅ
１の間隔で配されている。尚、各素子には−ｎ・・・・
・・−ｊ・・・・・・−１，０，＋１・・・・・・＋ｊ
・・・・・・＋ｎの番号を付してある。また各素子は夫
々巾２を有している。素子群ＳＡの一方の端子１３と素
子群ＳＢの一方の端子１３′とを導体１４により接続し
て出力端子１５を導出し、各々の他方の端子１６，１６
′を電源１７に接続し、端子１６′をアースしてある。
素子群ＳＡ及びＳＢは基板の表裏面に同番号の各素子が
重なるようにしてパターンを形成してもよいし、あるい
は基板の表面に絶縁層を挟んで多層構造とするようにし
てもよい。
る分割型磁電変換素子、１０は磁気記録媒体で、前述し
た繰り返し磁気信号ｅが所定波長λｍで且つ磁電変換素
子２０を飽和磁化させるのに充分な大きさの磁界を以つ
て記録されている。磁電変換素子２０は、第１図の強磁
性体Ａ素子を導体１２により複数個直列接続して成る素
子群ＳＡと、第１図の強磁性体Ｂ素子を導体１２′によ
り複数個直列接続して成る素子群ＳＢとにより構成され
ている。素子群ＳＡ及び素子群ＳＢの各素子は夫々λｅ
１の間隔で配されている。尚、各素子には−ｎ・・・・
・・−ｊ・・・・・・−１，０，＋１・・・・・・＋ｊ
・・・・・・＋ｎの番号を付してある。また各素子は夫
々巾２を有している。素子群ＳＡの一方の端子１３と素
子群ＳＢの一方の端子１３′とを導体１４により接続し
て出力端子１５を導出し、各々の他方の端子１６，１６
′を電源１７に接続し、端子１６′をアースしてある。
素子群ＳＡ及びＳＢは基板の表裏面に同番号の各素子が
重なるようにしてパターンを形成してもよいし、あるい
は基板の表面に絶縁層を挟んで多層構造とするようにし
てもよい。
尚、磁電変換素子２０は磁気記録媒体１０に充分近接し
て配されているものとする。第６図は第２の実施例を示
すもので、第５図の素子群ＳＢを素子群ＳＡの右側に配
置した構成となつている。
て配されているものとする。第６図は第２の実施例を示
すもので、第５図の素子群ＳＢを素子群ＳＡの右側に配
置した構成となつている。
この場合端子１３′と１６とを接続してこの接続点から
出力端子１５を導出すると共に、端子１３に電源１７を
接続しさらに端子１６′をアースしている。また素子群
ＳＡの＋ｎ番目の素子と素子群ＳＢの−ｎ番目の素子と
の間隔をλｅ１としてある。今、磁気記録媒体１０を固
定してλｅ１を変化させるものとして考える。
出力端子１５を導出すると共に、端子１３に電源１７を
接続しさらに端子１６′をアースしている。また素子群
ＳＡの＋ｎ番目の素子と素子群ＳＢの−ｎ番目の素子と
の間隔をλｅ１としてある。今、磁気記録媒体１０を固
定してλｅ１を変化させるものとして考える。
この場合出力端子１５の出力１圧は、例えば第７図のよ
うに変化して、λＥ，＝〒ｋ（ｋ＝１，２，３・・・・
・・）のときに最大出力（２ｎ＋１）が得られる。この
とき磁電変換素子２０は波長選択性を有することになる
。以下上記のことについて数式を用いて解析する。今、
０〜±ｊ〜±ｎの各素子に対して、その前後の１波長の
各磁極の磁界が作用するものと近似して、各素子に対す
る夫々の合成磁界を求め、各合成磁界の方向により第１
，２式によつて定まる各素子の電気抵抗を求め、さらに
素子群ＳＡについての全抵抗ρＡＯ、素子群Ｓについて
の全抵抗ρＢＯを求めると次式のようになる。但しｘ：
０番目の素子から磁気記録媒体１０の長手方向への距離
。
うに変化して、λＥ，＝〒ｋ（ｋ＝１，２，３・・・・
・・）のときに最大出力（２ｎ＋１）が得られる。この
とき磁電変換素子２０は波長選択性を有することになる
。以下上記のことについて数式を用いて解析する。今、
０〜±ｊ〜±ｎの各素子に対して、その前後の１波長の
各磁極の磁界が作用するものと近似して、各素子に対す
る夫々の合成磁界を求め、各合成磁界の方向により第１
，２式によつて定まる各素子の電気抵抗を求め、さらに
素子群ＳＡについての全抵抗ρＡＯ、素子群Ｓについて
の全抵抗ρＢＯを求めると次式のようになる。但しｘ：
０番目の素子から磁気記録媒体１０の長手方向への距離
。
上記第６，７式を用いて第３式により出力電圧ＶｅＯを
求めると、となる。
求めると、となる。
この８式の右辺第１項は基準電圧を表わし、第２項は出
力電圧の変化分ΔＶｅＯを表わす。このΔＶθ０のａ項
は素子の固有値により決まる定数であり、ｂ項は素子の
巾ｌによる損失、ｃ項は波長選択特性、ｄ項は出力電圧
の大きさを夫々表わすものとなる。そこで上記ｃ項の波
長選択特性をＷｓとして再記すると、この第９式により
Ｗｓが最大値となる場合について考えると、第２項が最
大となるときのλｅ／λｍを求めればよい。
力電圧の変化分ΔＶｅＯを表わす。このΔＶθ０のａ項
は素子の固有値により決まる定数であり、ｂ項は素子の
巾ｌによる損失、ｃ項は波長選択特性、ｄ項は出力電圧
の大きさを夫々表わすものとなる。そこで上記ｃ項の波
長選択特性をＷｓとして再記すると、この第９式により
Ｗｓが最大値となる場合について考えると、第２項が最
大となるときのλｅ／λｍを求めればよい。
この第２項のＣＯｓ２π（ｎ＋１）λｅ／λｍはｎの値
に拘らずλＥ，／λｍが１／２の整数倍のとき最大振巾
となり、λＥ，／λｍ＝１／２ｋ（ｋ＝１，２，３・・
・・・・）とすると、但し＋１のときはｋ：偶数又は奇
数、ｎ：奇数。
に拘らずλＥ，／λｍが１／２の整数倍のとき最大振巾
となり、λＥ，／λｍ＝１／２ｋ（ｋ＝１，２，３・・
・・・・）とすると、但し＋１のときはｋ：偶数又は奇
数、ｎ：奇数。
−１のときはｋ：奇数、ｎ：偶数となる。次にＳｉｎ２
πｎλｅｌ／λｍ／Ｓｉｎ２πλＥ，／λｍは、λｅｌ
／λｍ＝１／２ｋで不足となるが、λｅｌ／λｍ＝１／
２ｋ±εと置いてε→ｏの極限をとると、ｌ）：一 −
ー一 Ｔ４Ｐ− １− １ハ一 −、但し、＋ｎのとき
はｋ：偶数又は奇数、ｎ：奇数。
πｎλｅｌ／λｍ／Ｓｉｎ２πλＥ，／λｍは、λｅｌ
／λｍ＝１／２ｋで不足となるが、λｅｌ／λｍ＝１／
２ｋ±εと置いてε→ｏの極限をとると、ｌ）：一 −
ー一 Ｔ４Ｐ− １− １ハ一 −、但し、＋ｎのとき
はｋ：偶数又は奇数、ｎ：奇数。
−ｎのときはｋ：奇数、ｎ：偶数。となり、この項もλ
ｅ／λｍ＝１／２ｋのとき最大振巾となることが判る。
ｅ／λｍ＝１／２ｋのとき最大振巾となることが判る。
結局Ｗｓが最大値をとるのはλＥ，／λｍ＝１０々ｋの
ときであり、その値は上記第＠，＠式の結果を第９式に
代入して、となる。
ときであり、その値は上記第＠，＠式の結果を第９式に
代入して、となる。
この値はＮ，ｋの偶数、奇数に拘らないものとなる。第
７図は前記第９式をｎ＝５の場合について、０．５くλ
Ｅ，／λｍく１の範囲で表した波長選択特性曲線である
。
７図は前記第９式をｎ＝５の場合について、０．５くλ
Ｅ，／λｍく１の範囲で表した波長選択特性曲線である
。
次に上述した波長選択性を図により説明する。
第８図は素子群ＳＡ，ＳＢを夫々２個の素子で構成した
場合の磁電変換素子２０と磁気信号ｅとの関係を示すも
のである。図において、実線で示すように各素子間がλ
Ｅ，／λｍ＝１／２、即ちｋ＝１のとき、図の位置では
磁電変換素子２０に働く信号磁界Ｈの方向はθ＝９０゜
となる。従つてこのとき出力端子１５には第３図に基い
て最大出力が得られる。また、各素子間隔が点線で示す
ように変つた場合には、各素子に働く信号磁界Ｈの方向
は夫々異つたものとなり、この場合は最大の出力とはな
らない。従つてこの磁電変換素子２０はλｅ１／λｍ＝
１／２で波長選択性を有することになる。その他ｋ＝２
，３，４・・・・・・でも波長選択性を有することは勿
論である。第９図、第１０図は第３の実施例及び第４の
実施例を示すものである。
場合の磁電変換素子２０と磁気信号ｅとの関係を示すも
のである。図において、実線で示すように各素子間がλ
Ｅ，／λｍ＝１／２、即ちｋ＝１のとき、図の位置では
磁電変換素子２０に働く信号磁界Ｈの方向はθ＝９０゜
となる。従つてこのとき出力端子１５には第３図に基い
て最大出力が得られる。また、各素子間隔が点線で示す
ように変つた場合には、各素子に働く信号磁界Ｈの方向
は夫々異つたものとなり、この場合は最大の出力とはな
らない。従つてこの磁電変換素子２０はλｅ１／λｍ＝
１／２で波長選択性を有することになる。その他ｋ＝２
，３，４・・・・・・でも波長選択性を有することは勿
論である。第９図、第１０図は第３の実施例及び第４の
実施例を示すものである。
この場合は各素子群を第１図の強磁性体Ａのみ又はＢの
みで構成したものである。即ち、第９図の場合では、素
子群ＳＡ，ＳＡ′を強磁性体Ａのみで構成してあり、第
１０図の場合は素子群ＳＢ，ＳＢ′を強磁性体Ｂのみで
構成してある。また素子群ＳＡ．ｌ５ＳＡ′と間隔及び
素 λｍ子群ＳＢとＳＢ′との間隔λｅ
１をλＥ２−ーアｋ＋λｍ了としている。
みで構成したものである。即ち、第９図の場合では、素
子群ＳＡ，ＳＡ′を強磁性体Ａのみで構成してあり、第
１０図の場合は素子群ＳＢ，ＳＢ′を強磁性体Ｂのみで
構成してある。また素子群ＳＡ．ｌ５ＳＡ′と間隔及び
素 λｍ子群ＳＢとＳＢ′との間隔λｅ
１をλＥ２−ーアｋ＋λｍ了としている。
また素子群ＳＡ，ＳＡ′，ＳＢ，ＳＢを夫々構成する素
子間隔は、第５図及び第６図のλｍ場合と同様にλｅ１
−７ｋとしてある。
子間隔は、第５図及び第６図のλｍ場合と同様にλｅ１
−７ｋとしてある。
尚、素子群ＳＡ，ＳＢを第５図のように接続して、同一
基板の表裏面に形成したり、又は多層構造してもよい。
この第３及び第４の実施例の場合は、各素子に対する磁
気信号ｅの関係は第１１図に示すものとなる。
基板の表裏面に形成したり、又は多層構造してもよい。
この第３及び第４の実施例の場合は、各素子に対する磁
気信号ｅの関係は第１１図に示すものとなる。
但し第１１図は実質的にｎ＝０、ｋ＝１の場合である。
図において、素子Ａ（又はＢ）に対する信号磁界Ｈの方
向は９０゜で最大出力をとる方向にある。また素子Ｎ（
又はＲ′）に対しては磁界の方向は０゜（又は１８０゜
）であるが、これは素子Ｂ（又はＡ）に対して９０゜（
又は２７０こ）の信号磁界Ｈが作用していることと等価
に考えることができる。従つて素子Ｎ（又はＢ′）は素
子Ｂ（又はＡ）と同じ役割をすることになり、この第１
１図の状態では磁電変換素子２０は最大出力をとり波長
選択性を有することになる。本発明は、磁気抵抗の異方
性効果を有する強磁性体から成る電流通路が基板上に形
成されて成る素子（例えば強磁性体Ａ又はＢから成る素
子）の複数個を夫々所定間隔λｅ１を隔て且つ上記電流
通路の方向を揃えて（例えば強磁性体Ａのみを用いるこ
と）直列接続して成る第１の素子群と、上記素子の複数
個を夫々上記間隔λＥ，を隔て且つ上記電流通路の方向
を上記方向と略直交する方向に揃えて（例えば強磁性体
Ｂのみを用いること）直列接続して成る第２の素子群と
を上記間隔λｅ１を隔てて直列接続し、上記接続部に出
力端子（例えば出力端子１５）を設けると共に上記第１
及び第２の素子群の上記接続部と反対側の一端に電流供
給端子（例えば電流供給端子１３，１６）を夫夫設けて
成り、上記間隔λｅ１を上記第１及び第２の素子群が近
接配置される磁気記録媒体に記録λＥｋされた磁気信号
の波長λｍに対して廿−ｌ（ｋ＝１，２，３・・・）の
関係に選び且つ上記第１の素子群の上記電流通路をその
方向が上記磁気信号の記録方向（±ｘ方向）に対して略
直交するように形成したことを特徴とする分割型磁電変
換素子に係るものである。
図において、素子Ａ（又はＢ）に対する信号磁界Ｈの方
向は９０゜で最大出力をとる方向にある。また素子Ｎ（
又はＲ′）に対しては磁界の方向は０゜（又は１８０゜
）であるが、これは素子Ｂ（又はＡ）に対して９０゜（
又は２７０こ）の信号磁界Ｈが作用していることと等価
に考えることができる。従つて素子Ｎ（又はＢ′）は素
子Ｂ（又はＡ）と同じ役割をすることになり、この第１
１図の状態では磁電変換素子２０は最大出力をとり波長
選択性を有することになる。本発明は、磁気抵抗の異方
性効果を有する強磁性体から成る電流通路が基板上に形
成されて成る素子（例えば強磁性体Ａ又はＢから成る素
子）の複数個を夫々所定間隔λｅ１を隔て且つ上記電流
通路の方向を揃えて（例えば強磁性体Ａのみを用いるこ
と）直列接続して成る第１の素子群と、上記素子の複数
個を夫々上記間隔λＥ，を隔て且つ上記電流通路の方向
を上記方向と略直交する方向に揃えて（例えば強磁性体
Ｂのみを用いること）直列接続して成る第２の素子群と
を上記間隔λｅ１を隔てて直列接続し、上記接続部に出
力端子（例えば出力端子１５）を設けると共に上記第１
及び第２の素子群の上記接続部と反対側の一端に電流供
給端子（例えば電流供給端子１３，１６）を夫夫設けて
成り、上記間隔λｅ１を上記第１及び第２の素子群が近
接配置される磁気記録媒体に記録λＥｋされた磁気信号
の波長λｍに対して廿−ｌ（ｋ＝１，２，３・・・）の
関係に選び且つ上記第１の素子群の上記電流通路をその
方向が上記磁気信号の記録方向（±ｘ方向）に対して略
直交するように形成したことを特徴とする分割型磁電変
換素子に係るものである。
従つて本発明によれば、磁電変換素子に、繰り返し磁気
信号に対する波長選択性を持たせることができる。繰り
返し磁気信号は、例えばターンテーブルの周面に記録さ
れて速度制御に用いられたり、磁気スケールの目盛等と
して用いられているが、一般に正確な波長を以つて記録
することが困難である。このため検出される信号の周波
数が変化してしまうが、本発明による磁電変換素子を検
出手段として用いれば、その波長選択性により、記録信
号の数Ｈｚ毎に最大出力が得られるので、この点を数波
長分の長さとして正確に検出することができる。また磁
電変換素子は飽和磁界中で用いるため外部磁界の影響を
受けることがない。さらに各素子は温度により抵抗が変
化することが、第４式に於いてρ，，，ρ＋が同時に変
化するためΔρ及びρ。の温度変化は極めて小となり出
力電圧には影響を与えることがない。その他マルチギヤ
ツプ磁気ヘツドのように巻線等を必要とせず検出装置の
構成が簡単になり安価に提供することができる等の利点
を得ることができる。
信号に対する波長選択性を持たせることができる。繰り
返し磁気信号は、例えばターンテーブルの周面に記録さ
れて速度制御に用いられたり、磁気スケールの目盛等と
して用いられているが、一般に正確な波長を以つて記録
することが困難である。このため検出される信号の周波
数が変化してしまうが、本発明による磁電変換素子を検
出手段として用いれば、その波長選択性により、記録信
号の数Ｈｚ毎に最大出力が得られるので、この点を数波
長分の長さとして正確に検出することができる。また磁
電変換素子は飽和磁界中で用いるため外部磁界の影響を
受けることがない。さらに各素子は温度により抵抗が変
化することが、第４式に於いてρ，，，ρ＋が同時に変
化するためΔρ及びρ。の温度変化は極めて小となり出
力電圧には影響を与えることがない。その他マルチギヤ
ツプ磁気ヘツドのように巻線等を必要とせず検出装置の
構成が簡単になり安価に提供することができる等の利点
を得ることができる。
第１図は磁電変換素子の構造を示す平面図、第２図は原
理的回路図、第３図は出力電圧波形図、第４図は等価回
路図、第５図は本発明による磁電変換素子の構成を示す
第１の実施例図、第６図は第２の実施例図、第７図イ，
口は信号磁界と素子及び出力電圧との関係を示す図、第
８図は素子を２個とした場合の磁電変換素子と繰り返し
磁気信号との関係を示す図、第９図は第３の実施例を示
す図、第１０図は第４の実施例を示す図、第１１図は第
３，４の実施例について、信号磁界と素子との関係を示
す図である。 なお図面に用いられる符号において、Ａ，Ｂ・・・・・
・強磁性体、１０・・・・・・繰り返し磁気信号、１５
・・・゜゜゜出力端子・ＳＡ・ＳＢ・・・・・・素子群
、２０・・・・・・分割型磁電変換素子である。
理的回路図、第３図は出力電圧波形図、第４図は等価回
路図、第５図は本発明による磁電変換素子の構成を示す
第１の実施例図、第６図は第２の実施例図、第７図イ，
口は信号磁界と素子及び出力電圧との関係を示す図、第
８図は素子を２個とした場合の磁電変換素子と繰り返し
磁気信号との関係を示す図、第９図は第３の実施例を示
す図、第１０図は第４の実施例を示す図、第１１図は第
３，４の実施例について、信号磁界と素子との関係を示
す図である。 なお図面に用いられる符号において、Ａ，Ｂ・・・・・
・強磁性体、１０・・・・・・繰り返し磁気信号、１５
・・・゜゜゜出力端子・ＳＡ・ＳＢ・・・・・・素子群
、２０・・・・・・分割型磁電変換素子である。
Claims (1)
- １ 磁気抵抗の異方性効果を有する強磁性体から成る電
流通路が基板上に形成されて成る素子の複数個を夫々所
定間隔λｅ＿１を隔て且つ上記電流通路の方向を揃えて
直列接続して成る第１の素子群と、上記素子の複数個を
夫々上記間隔λｅ＿１を隔て且つ上記電流通路の方向を
上記方向と略直交する方向に揃えて直列接続して成る第
２の素子群とを上記間隔λｅ＿１を隔てて直列接続し、
上記接続部に出力端子を設けると共に上記第１及び第２
の素子群の上記接続部と反対側の一端に電流供給端子を
夫々設けて成り、上記間隔λｅ＿１を上記第１及び第２
の素子群が近接配置される磁気記録媒体に記録された磁
気信号の波長λｍに対して（λｅ＿１）／（λｍ）＝（
ｋ）／（２）（ｋ＝１，２，３……）の関係に選び且つ
上記第１の素子群の上記電流通路をその方向が上記磁気
信号の記録方向に対して略直交するように形成したこと
を特徴とする分割型磁電変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9589480A JPS594646B2 (ja) | 1980-07-14 | 1980-07-14 | 分割型磁電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9589480A JPS594646B2 (ja) | 1980-07-14 | 1980-07-14 | 分割型磁電変換素子 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12961673A Division JPS561567B2 (ja) | 1973-11-17 | 1973-11-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5696215A JPS5696215A (en) | 1981-08-04 |
| JPS594646B2 true JPS594646B2 (ja) | 1984-01-31 |
Family
ID=14150009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9589480A Expired JPS594646B2 (ja) | 1980-07-14 | 1980-07-14 | 分割型磁電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS594646B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS624189U (ja) * | 1985-06-21 | 1987-01-12 | ||
| JPS642489U (ja) * | 1987-06-24 | 1989-01-09 | ||
| JPH0539659Y2 (ja) * | 1987-09-19 | 1993-10-07 |
-
1980
- 1980-07-14 JP JP9589480A patent/JPS594646B2/ja not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS624189U (ja) * | 1985-06-21 | 1987-01-12 | ||
| JPS642489U (ja) * | 1987-06-24 | 1989-01-09 | ||
| JPH0539659Y2 (ja) * | 1987-09-19 | 1993-10-07 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5696215A (en) | 1981-08-04 |
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