JP3013645B2 - 原料供給装置 - Google Patents

原料供給装置

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JP3013645B2
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浩司 高田
利巳 幅崎
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/012Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
    • C03B37/014Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
    • C03B37/01413Reactant delivery systems
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2207/00Glass deposition burners
    • C03B2207/80Feeding the burner or the burner-heated deposition site
    • C03B2207/85Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from liquid glass precursors, e.g. directly by heating the liquid
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  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光ファイバ用母材等を
安定に製造するために用いられるガラスの原料供給装置
に関する。
【0002】
【従来の技術】光ファイバを製造するにはVAD法、O
VD法あるいは内付け法等によって、多孔質ガラス母材
を形成し、これを脱水・透明化して線引きする方法がと
られている。近年、光ファイバの長尺化あるいは効率的
に製造するための必要性から大量のガラス原料を連続的
に供給する方法が開発された(特開昭59−92933
号公報)。このような原料供給装置は図2に示すよう
に、供給ラインから送られた原料液は一旦サービスタン
ク5に貯えられる。サービスタンク5には加圧用ライン
からパイプ6bを通って加圧ガスが導入され、このガス
圧によって原料液はパイプ6cを通って原料タンク1に
圧送される。原料液はヒータ2によって沸点以上に加熱
され、気化された原料ガスはパイプ6d,流量制御装置
4を通って連続的に反応容器へ送られる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このような原料供給装
置を用いてより多くの原料ガスを安定に供給するには、
原料液により多くの熱を与えて気化速度を上げる方法が
とられる。しかし、ヒータの熱量を増大していくと原料
タンクの内壁面から発生する気泡の発生周期が短かくな
り、かつ発生する気泡の径が大きくなり気泡同士の干渉
が生じる。従って、ヒータの熱量を大きくしすぎると内
壁面に気泡膜が形成される。その結果、ヒータから供給
される熱は気泡膜によってさえぎられて原料液へ伝わり
にくくなり、原料ガスの発生量に限界ができるため安定
に供給することができない場合があった。そこで本発明
は、かかる問題点を解決した原料供給装置を提供するこ
とを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、パイプを通し
て圧送されるガラスの原料液を収容し、該原料液を収容
する底面及び側面を有し、該側面の外周に加熱用ヒータ
が設けられた原料タンクと、該原料タンク内で気化した
原料ガスを反応容器まで導くパイプとを備えた原料供給
装置であって、前記側面は、内壁面の厚さに複数の凹凸
が設けられ、前記側面の外周に設けられたヒータで加熱
され、前記側面のヒータが上下方向に分割して設けら
れ、上側の該ヒータは下側の該ヒータに対し熱量を低く
加熱制御される原料供給装置である。
【0005】
【作用】上記の構成によれば、原料タンクはその内壁面
に凹凸が設けられているので、壁面と原料液との接触面
が増大して熱効率が向上する。また、原料タンクの側面
ヒータは上下方向に分割して設けられ、別々の温度を加
えることによって気泡同士の干渉が生じにくくなること
を実験的に確認した。その結果、タンク内壁面と原料液
との間の熱伝達効率が向上し、従来より多くの原料ガス
を安定に反応容器へ供給することができる。
【0006】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の実施例を
説明する。図1は光ファイバ用母材を製造する場合のガ
ラス原料供給装置の概略図であり、供給ラインから送ら
れた原料液は一旦サービスタンク5に貯えられる。サー
ビスタンク5には加圧用ラインからパイプ6bを通って
Ar,N2等の不活性ガスが導入され、このガス圧によ
って原料液はパイプ6cを通って原料タンク1に圧送さ
れる。原料液は、底面ヒータ2c及び側面ヒータ2a,
2bによって沸点以上に加熱され、気化された原料ガス
はパイプ6d、流量制御装置4を通ってSiCl4ある
いはGeCl4等のガラス微粒子を生成する反応容器へ
送られる。
【0007】上記の原料タンク1はその内壁面に凹凸が
設けられ、熱源と原料液の接触面を増大して熱伝達効率
を改善している。また、原料タンク1の外周に設けられ
たヒータは底面ヒータ2c、側面ヒータ2a、2bが独
立して取付けられ、別々に加熱される。特に上側のヒー
タ2aを下側のヒータ2bに対して熱量を低く加熱制御
することによって気泡同士の干渉が生じにくくなり、熱
伝達効率を向上することができる。ステンレススチール
製の原料タンク1の内壁面にピッチ12mm、深さ6m
mの凹凸を設けた。外周のヒータは底面ヒータ2c及び
側面ヒータ2a,2bはそれぞれ650wとし、分割し
て設けた。この原料タンクの中にSiCl4の原料液を
入れ、ヒータによって加熱しながら熱量に対する原料ガ
スの発生量を測定した。測定結果は図3に示すように、
(1)側面ヒータ2aは他のヒータより低い熱量を加え
た場合及び、(2)全てのヒータに同じ熱量を加えた場
合は、(3)従来の方法(内壁面が平らであり、全ての
ヒータに同じ熱量を加えた場合)に比べて原料ガスの発
生量が増加したことがわかる。
【0008】
【発明の効果】以上説明したように発明の原料タンクは
その側面の内壁面の厚さに複数の凹凸が設けられている
ので、壁面と原料液との接触面が増大して熱効率が向上
する。また、原料タンクの側面ヒータは上下方向に分割
して設けられ、上側のヒータを下側のヒータに対し熱量
を低く制御される温度を加えることによって内壁面から
発生する気泡同士の干渉が生じにくくなることを確認し
た。その結果、タンク内壁面と原料液との間の熱伝達効
率が向上し、従来以上に多くの原料ガスを安定に反応容
器へ供給することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る実施例の構成を示す概略図であ
る。
【図2】従来の構成を示す概略図である。
【図3】ヒータの熱量に対する原料ガスの発生量を示す
図である。
【符号の説明】
1:原料タンク 2,2a,2b,2c:ヒータ 3:凹凸 4:流量制御装置 5:サービスタンク 6a,6b,6c,6d:パイプ 7a,7b,7c,7d:開閉弁
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−83666(JP,A) 特開 平1−156741(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C03B 37/018 C03B 8/04

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 パイプを通して圧送されるガラスの原
    料液を収容し、該原料液を収容する底面及び側面を有
    し、該側面の外周に加熱用ヒータが設けられた原料タン
    クと、該原料タンク内で気化した原料ガスを反応容器ま
    で導くパイプとを備えた原料供給装置であって、前記側
    面は、内壁面の厚さに複数の凹凸が設けられ、前記側面
    の外周に設けられたヒータで加熱され、前記側面のヒー
    タが上下方向に分割して設けられ、上側の該ヒータは下
    側の該ヒータに対し熱量を低く加熱制御されることを特
    徴とする原料供給装置。
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