JP2002043267A - 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び基板処理装置 - Google Patents
基板洗浄装置、基板洗浄方法及び基板処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 パターン形成面の洗浄に使用された回転ロー
ル型洗浄部材の汚染の進みを遅くでき、交換時期を長く
することができる基板洗浄装置、基板洗浄方法及び基板
処理装置を提供すること。 【解決手段】 回転する被洗浄基板Ｗｆの両面に回転す
る回転ロール型洗浄部材１３、１５を押し当て、洗浄液
ノズル１９から洗浄液を供給しながら基板を洗浄する基
板洗浄装置において、洗浄液ノズル１９は供給する洗浄
液に超音波エネルギーを与え及び／又はキャビテーショ
ンを発生させることができる洗浄液ノズルであり、洗浄
液ノズル１９から被洗浄基板Ｗｆ面に超音波エネルギー
を与え及び／又はキャビテーションを発生させた洗浄液
を供給しながら洗浄する。
ル型洗浄部材の汚染の進みを遅くでき、交換時期を長く
することができる基板洗浄装置、基板洗浄方法及び基板
処理装置を提供すること。 【解決手段】 回転する被洗浄基板Ｗｆの両面に回転す
る回転ロール型洗浄部材１３、１５を押し当て、洗浄液
ノズル１９から洗浄液を供給しながら基板を洗浄する基
板洗浄装置において、洗浄液ノズル１９は供給する洗浄
液に超音波エネルギーを与え及び／又はキャビテーショ
ンを発生させることができる洗浄液ノズルであり、洗浄
液ノズル１９から被洗浄基板Ｗｆ面に超音波エネルギー
を与え及び／又はキャビテーションを発生させた洗浄液
を供給しながら洗浄する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体デバイス等の
デバイス製造工程で用いられる基板洗浄装置、基板洗浄
方法及び基板処理装置に関するものである。
デバイス製造工程で用いられる基板洗浄装置、基板洗浄
方法及び基板処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の基板洗浄装置として、基
板を略水平面上で回転する基板回転機構と、該基板回転
機構で回転する基板の両面に該面に略平行な回転軸まわ
りを回転する回転ロール型洗浄部材と、該基板面上に洗
浄液を供給する洗浄液ノズルを具備し、回転する基板の
両面に回転する回転ロール型洗浄部材を押し当て、洗浄
液ノズルから洗浄液を供給しながら基板を洗浄する基板
洗浄装置がある。
板を略水平面上で回転する基板回転機構と、該基板回転
機構で回転する基板の両面に該面に略平行な回転軸まわ
りを回転する回転ロール型洗浄部材と、該基板面上に洗
浄液を供給する洗浄液ノズルを具備し、回転する基板の
両面に回転する回転ロール型洗浄部材を押し当て、洗浄
液ノズルから洗浄液を供給しながら基板を洗浄する基板
洗浄装置がある。
【０００３】半導体デバイスの高集積化が進むにつれて
回路配線が微細化し、半導体ウエハ上に残留するダスト
数も極力少なくすることが要求され、超清浄化が要求さ
れている。基板研磨装置（ＣＭＰ）で研磨された半導体
基板は、研磨後搬送機構により、パターン形成面を上に
して上記構成の基板洗浄装置内に設置され、洗浄され
る。このとき半導体ウエハの研磨面であるパターン形成
面には研磨時の砥粒や削かすや砥液が付着しており、
０．２μｍ以上の粒径のパーティクルは、数万個存在す
る。これに対して、パターン形成面の反対側、即ち裏面
は研磨装置のキャリアーに保持されているため、パーテ
ィクルの存在数は数千個のレベルである。
回路配線が微細化し、半導体ウエハ上に残留するダスト
数も極力少なくすることが要求され、超清浄化が要求さ
れている。基板研磨装置（ＣＭＰ）で研磨された半導体
基板は、研磨後搬送機構により、パターン形成面を上に
して上記構成の基板洗浄装置内に設置され、洗浄され
る。このとき半導体ウエハの研磨面であるパターン形成
面には研磨時の砥粒や削かすや砥液が付着しており、
０．２μｍ以上の粒径のパーティクルは、数万個存在す
る。これに対して、パターン形成面の反対側、即ち裏面
は研磨装置のキャリアーに保持されているため、パーテ
ィクルの存在数は数千個のレベルである。
【０００４】半導体ウエハ面上のパーティクル数は、パ
ータン形成面の方が、裏面より高いレベルの清浄度が要
求される。しかしながら、上記のように基板研磨装置で
研磨後の半導体ウエハのパーティクルの残留数レベルは
上記のようにパターン形成面の方が遥かに高く、この状
態から上記基板洗浄装置で洗浄を行うと、半導体ウエハ
のパターン形成面の洗浄に使用された回転ロール型洗浄
部材は、裏面の洗浄に使用された回転ロール型洗浄部材
に比べて，汚染の進みが速く、回転ロール型洗浄部材の
交換時期が早まってしまうという問題があった。
ータン形成面の方が、裏面より高いレベルの清浄度が要
求される。しかしながら、上記のように基板研磨装置で
研磨後の半導体ウエハのパーティクルの残留数レベルは
上記のようにパターン形成面の方が遥かに高く、この状
態から上記基板洗浄装置で洗浄を行うと、半導体ウエハ
のパターン形成面の洗浄に使用された回転ロール型洗浄
部材は、裏面の洗浄に使用された回転ロール型洗浄部材
に比べて，汚染の進みが速く、回転ロール型洗浄部材の
交換時期が早まってしまうという問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の点に鑑
みてなされたもので、パターン形成面の洗浄に使用され
た回転ロール型洗浄部材の汚染の進みを遅くでき、交換
時期を長くすることができる基板洗浄装置、基板洗浄方
法及び基板処理装置を提供することを目的とする。
みてなされたもので、パターン形成面の洗浄に使用され
た回転ロール型洗浄部材の汚染の進みを遅くでき、交換
時期を長くすることができる基板洗浄装置、基板洗浄方
法及び基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項１に記載の発明は、基板を略水平面上で回転する
基板回転機構と、基板回転機構で回転する基板の両面に
略平行な回転軸まわりを回転する回転ロール型洗浄部材
と、基板面上に洗浄液を供給する洗浄液ノズルを具備
し、回転する基板の両面に回転する回転ロール型洗浄部
材を押し当て、洗浄液ノズルから洗浄液を供給しながら
基板を洗浄する基板洗浄装置において、洗浄液ノズルは
供給する洗浄液に超音波エネルギーを与え及び／又はキ
ャビテーションを発生させることができる洗浄液ノズル
であり、該洗浄液ノズルから基板面に超音波エネルギー
を与え及び／又はキャビテーションを発生させた洗浄液
を供給しながら洗浄することを特徴とする。
請求項１に記載の発明は、基板を略水平面上で回転する
基板回転機構と、基板回転機構で回転する基板の両面に
略平行な回転軸まわりを回転する回転ロール型洗浄部材
と、基板面上に洗浄液を供給する洗浄液ノズルを具備
し、回転する基板の両面に回転する回転ロール型洗浄部
材を押し当て、洗浄液ノズルから洗浄液を供給しながら
基板を洗浄する基板洗浄装置において、洗浄液ノズルは
供給する洗浄液に超音波エネルギーを与え及び／又はキ
ャビテーションを発生させることができる洗浄液ノズル
であり、該洗浄液ノズルから基板面に超音波エネルギー
を与え及び／又はキャビテーションを発生させた洗浄液
を供給しながら洗浄することを特徴とする。
【０００７】上記洗浄液ノズルから基板面に洗浄液に超
音波エネルギーを与え及び／又はキャビテーションを発
生させて供給しながら洗浄するので、この超音波エネル
ギー及び／又はキャビテーションの作用により基板面の
パーティクルの多くが回転ロール型洗浄部材に接触する
前に除去されるから、回転ロール型洗浄部材の汚染速度
は遅くなる。
音波エネルギーを与え及び／又はキャビテーションを発
生させて供給しながら洗浄するので、この超音波エネル
ギー及び／又はキャビテーションの作用により基板面の
パーティクルの多くが回転ロール型洗浄部材に接触する
前に除去されるから、回転ロール型洗浄部材の汚染速度
は遅くなる。
【０００８】請求項２に記載の発明は、請求項１記載の
基板洗浄装置による基板洗浄方法であって、洗浄液ノズ
ルから超音波エネルギーを与え及び／又はキャビテーシ
ョンを発生させた洗浄液を基板面に供給して洗浄した
後、基板の両面に回転する回転ロール型洗浄部材を押し
付けて洗浄することを特徴とする。
基板洗浄装置による基板洗浄方法であって、洗浄液ノズ
ルから超音波エネルギーを与え及び／又はキャビテーシ
ョンを発生させた洗浄液を基板面に供給して洗浄した
後、基板の両面に回転する回転ロール型洗浄部材を押し
付けて洗浄することを特徴とする。
【０００９】上記のように基板の両面に回転ロール型洗
浄部材を押し付ける前に洗浄液ノズルから超音波エネル
ギーを与え及び／又はキャビテーションを発生させた洗
浄液を基板面に供給して洗浄するので、基板面のパーテ
ィクルは殆ど除去され、残った少ないパーティクルのみ
を回転ロール型洗浄部材で除去するので、該回転ロール
型洗浄部材の汚染速度は遅くなる。
浄部材を押し付ける前に洗浄液ノズルから超音波エネル
ギーを与え及び／又はキャビテーションを発生させた洗
浄液を基板面に供給して洗浄するので、基板面のパーテ
ィクルは殆ど除去され、残った少ないパーティクルのみ
を回転ロール型洗浄部材で除去するので、該回転ロール
型洗浄部材の汚染速度は遅くなる。
【００１０】請求項３に記載の発明は、請求項１に記載
の基板洗浄装置による基板洗浄方法であって、基板の両
面に回転する回転ロール型洗浄部材を押し付けて洗浄す
る際、基板のエッジ部分面上に洗浄液ノズルから超音波
エネルギーを与え及び／又はキャビテーションを発生さ
せた洗浄液を供給して洗浄することを特徴とする。
の基板洗浄装置による基板洗浄方法であって、基板の両
面に回転する回転ロール型洗浄部材を押し付けて洗浄す
る際、基板のエッジ部分面上に洗浄液ノズルから超音波
エネルギーを与え及び／又はキャビテーションを発生さ
せた洗浄液を供給して洗浄することを特徴とする。
【００１１】基板のエッジ部分は基板の両面を洗浄する
回転ロール形洗浄部材ではパーティクルの除去を完全に
行うことが困難である。そこで上記のように基板のエッ
ジ部分面に洗浄液ノズルから超音波エネルギーを与え及
び／又はキャビテーションを発生させた洗浄液を供給す
ることにより、この部分の汚染を選択的に除去すること
ができる。
回転ロール形洗浄部材ではパーティクルの除去を完全に
行うことが困難である。そこで上記のように基板のエッ
ジ部分面に洗浄液ノズルから超音波エネルギーを与え及
び／又はキャビテーションを発生させた洗浄液を供給す
ることにより、この部分の汚染を選択的に除去すること
ができる。
【００１２】請求項４に記載の発明は、基板を研磨する
基板研磨装置と請求項１に記載の基板洗浄装置を具備
し、基板研磨装置で研磨された基板を基板洗浄装置の基
板回転機構に保持させ、回転する該回転基板の面に洗浄
液ノズルから超音波エネルギーを与え及び／又はキャビ
テーションを発生させた洗浄液を供給しながら該基板の
両面に回転する回転ロール型洗浄部材を押し当てて洗浄
することを特徴とする。
基板研磨装置と請求項１に記載の基板洗浄装置を具備
し、基板研磨装置で研磨された基板を基板洗浄装置の基
板回転機構に保持させ、回転する該回転基板の面に洗浄
液ノズルから超音波エネルギーを与え及び／又はキャビ
テーションを発生させた洗浄液を供給しながら該基板の
両面に回転する回転ロール型洗浄部材を押し当てて洗浄
することを特徴とする。
【００１３】上記のように基板研磨装置で研磨された基
板面に超音波エネルギーを与え及び／又はキャビテーシ
ョンを発生させた洗浄液を供給しながら洗浄するので、
基板面上の残留パーティクルが極めて少なくできると共
に、基板洗浄装置の回転ロール型洗浄部材の汚染速度は
遅くなる。
板面に超音波エネルギーを与え及び／又はキャビテーシ
ョンを発生させた洗浄液を供給しながら洗浄するので、
基板面上の残留パーティクルが極めて少なくできると共
に、基板洗浄装置の回転ロール型洗浄部材の汚染速度は
遅くなる。
【００１４】請求項５に記載の発明は、請求項４に記載
の基板処理装置における基板洗浄方法であって、基板研
磨装置で研磨された基板を、基板洗浄装置で洗浄液ノズ
ルから超音波エネルギーを与え及び／又はキャビテーシ
ョンを発生させた洗浄液を基板面の研磨面に供給して洗
浄した後、基板の両面に回転する回転ロール型洗浄部材
を押し付けて洗浄するか又は、基板の両面に回転する回
転ロール型洗浄部材を押し付け、かつ基板の研磨面のエ
ッジ部分に洗浄液ノズルから超音波エネルギーを与え及
び／又はキャビテーションを発生させた洗浄液を供給し
て洗浄することを特徴とする。
の基板処理装置における基板洗浄方法であって、基板研
磨装置で研磨された基板を、基板洗浄装置で洗浄液ノズ
ルから超音波エネルギーを与え及び／又はキャビテーシ
ョンを発生させた洗浄液を基板面の研磨面に供給して洗
浄した後、基板の両面に回転する回転ロール型洗浄部材
を押し付けて洗浄するか又は、基板の両面に回転する回
転ロール型洗浄部材を押し付け、かつ基板の研磨面のエ
ッジ部分に洗浄液ノズルから超音波エネルギーを与え及
び／又はキャビテーションを発生させた洗浄液を供給し
て洗浄することを特徴とする。
【００１５】上記のように、洗浄液ノズルから超音波エ
ネルギーを与え及び／又はキャビテーションを発生させ
た洗浄液を基板面の研磨面に供給して洗浄した後、基板
の両面に回転する回転ロール型洗浄部材を押し付けて洗
浄するか又は、基板の両面に回転する回転ロール型洗浄
部材を押し付け、かつ基板の研磨面のエッジ部分に洗浄
液ノズルから超音波エネルギーを与え及び／又はキャビ
テーションを発生させた洗浄液を供給して洗浄するの
で、請求項２、３に記載の発明と同様、回転ロール型洗
浄部材の汚染速度は遅くなる。
ネルギーを与え及び／又はキャビテーションを発生させ
た洗浄液を基板面の研磨面に供給して洗浄した後、基板
の両面に回転する回転ロール型洗浄部材を押し付けて洗
浄するか又は、基板の両面に回転する回転ロール型洗浄
部材を押し付け、かつ基板の研磨面のエッジ部分に洗浄
液ノズルから超音波エネルギーを与え及び／又はキャビ
テーションを発生させた洗浄液を供給して洗浄するの
で、請求項２、３に記載の発明と同様、回転ロール型洗
浄部材の汚染速度は遅くなる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態例を図
面に基いて説明する。図１は本発明に係る基板洗浄装置
の概略構成を示す外観図である。本基板洗浄装置１０は
半導体ウエハ等円板状の被洗浄基板Ｗｆの外周縁を支持
して回転する複数本（図では６本）のスピンドル（回転
機構を具備する保持部材）１１と、ロール状であって被
洗浄基板Ｗｆの上下に配設された２本のロール型洗浄部
材１３、１５と、被洗浄基板Ｗｆの面に平行な回転シャ
フト１３ｂ、１５ｂを被洗浄基板Ｗｆに対して接近又は
離間させ且つ矢印Ｆ1、Ｆ2方向へそれぞれ回転される駆
動機構１７、１８と、被洗浄基板Ｗｆの表面に洗浄液を
供給する洗浄液ノズル１９を具備する。
面に基いて説明する。図１は本発明に係る基板洗浄装置
の概略構成を示す外観図である。本基板洗浄装置１０は
半導体ウエハ等円板状の被洗浄基板Ｗｆの外周縁を支持
して回転する複数本（図では６本）のスピンドル（回転
機構を具備する保持部材）１１と、ロール状であって被
洗浄基板Ｗｆの上下に配設された２本のロール型洗浄部
材１３、１５と、被洗浄基板Ｗｆの面に平行な回転シャ
フト１３ｂ、１５ｂを被洗浄基板Ｗｆに対して接近又は
離間させ且つ矢印Ｆ1、Ｆ2方向へそれぞれ回転される駆
動機構１７、１８と、被洗浄基板Ｗｆの表面に洗浄液を
供給する洗浄液ノズル１９を具備する。
【００１７】上記洗浄液ノズル１９は後に詳述する洗浄
液に超音波エネルギーを与えて噴出する超音波ノズル又
は、洗浄液にキャビテーションを発生させて噴出するキ
ャビテーションノズル又は、洗浄液に超音波エネルギー
を与えると共にキャビテーションを発生させて噴出する
超音波キャビテーションノズルを用いる。該洗浄液ノズ
ル１９は洗浄アーム２０に取付けられ、揺動軸２１によ
り矢印Ａに示す方向に揺動しながら、洗浄液を被洗浄基
板Ｗｆの表面に供給する。また、洗浄液ノズル１９は被
洗浄基板Ｗｆ上方の所定位置に静止したり、待避位置に
待避できるようになっている。また、図示は省略するが
被洗浄基板Ｗｆの下面（裏面）にも洗浄液を供給する洗
浄液ノズルが設けられている。但し、この洗浄液ノズル
から供給される洗浄液には上記のような超音波エネルギ
ーを与えたり、キャビテーションを発生させる必要はな
い。また、洗浄液ノズルを揺動させる必要もない。
液に超音波エネルギーを与えて噴出する超音波ノズル又
は、洗浄液にキャビテーションを発生させて噴出するキ
ャビテーションノズル又は、洗浄液に超音波エネルギー
を与えると共にキャビテーションを発生させて噴出する
超音波キャビテーションノズルを用いる。該洗浄液ノズ
ル１９は洗浄アーム２０に取付けられ、揺動軸２１によ
り矢印Ａに示す方向に揺動しながら、洗浄液を被洗浄基
板Ｗｆの表面に供給する。また、洗浄液ノズル１９は被
洗浄基板Ｗｆ上方の所定位置に静止したり、待避位置に
待避できるようになっている。また、図示は省略するが
被洗浄基板Ｗｆの下面（裏面）にも洗浄液を供給する洗
浄液ノズルが設けられている。但し、この洗浄液ノズル
から供給される洗浄液には上記のような超音波エネルギ
ーを与えたり、キャビテーションを発生させる必要はな
い。また、洗浄液ノズルを揺動させる必要もない。
【００１８】ロール型洗浄部材１３、１５は、多孔質の
ＰＶＦ製スポンジによりなる円筒体１３ａ、１５ａにシ
ャフト１３ｂ、１５ｂを通した構成である。円筒体１３
ａ、１５ａを構成するスポンジに形成される孔の平均直
径は、実験結果から小さいほどロール型洗浄部材１３、
１５のダスト（パーティクル）除去能力が高いことが解
っており、最も好ましくは、１１０μｍ以下である。円
筒体１３ａ、１５ａは、発泡ウレタン製のものでもよ
い。駆動機構１７、１８は図示しない移動機構により矢
印Ｂに示すように、それぞれ上下に移動して被洗浄基板
Ｗｆから離間すると共に、矢印Ｃに示すように移動し待
避位置に待避することができるようになっている。
ＰＶＦ製スポンジによりなる円筒体１３ａ、１５ａにシ
ャフト１３ｂ、１５ｂを通した構成である。円筒体１３
ａ、１５ａを構成するスポンジに形成される孔の平均直
径は、実験結果から小さいほどロール型洗浄部材１３、
１５のダスト（パーティクル）除去能力が高いことが解
っており、最も好ましくは、１１０μｍ以下である。円
筒体１３ａ、１５ａは、発泡ウレタン製のものでもよ
い。駆動機構１７、１８は図示しない移動機構により矢
印Ｂに示すように、それぞれ上下に移動して被洗浄基板
Ｗｆから離間すると共に、矢印Ｃに示すように移動し待
避位置に待避することができるようになっている。
【００１９】被洗浄基板Ｗｆを洗浄するには、先ず被洗
浄基板Ｗｆをその洗浄面を上にして外周をスピンドル１
１の上部のコマ１２に設けた円周溝１２ａ内に収納して
押付け、各コマ１２を同一回転速度で高速回転させるこ
とで被洗浄基板Ｗｆを矢印Ｅに示す方向に略一定の回転
速度で回転させる。次に２本の回転するロール型洗浄部
材１３、１５で被洗浄基板Ｗｆを挟むように該被洗浄基
板Ｗｆの上下面にそれぞれ当接させ、同時に洗浄液ノズ
ル１９から、超音波エネルギーを与えた洗浄液を噴射す
るか、キャビテーションを発生させた洗浄液を噴射する
か、超音波エネルギーを与えると共にキャビテーション
を発生させた洗浄液を噴射する。また、この時被洗浄基
板Ｗｆの下面にも図示しない洗浄液ノズルから洗浄液を
供給する。これにより、被洗浄基板Ｗｆの上下面に付着
していたパーティクルは除去され洗浄液と共に流され
る。
浄基板Ｗｆをその洗浄面を上にして外周をスピンドル１
１の上部のコマ１２に設けた円周溝１２ａ内に収納して
押付け、各コマ１２を同一回転速度で高速回転させるこ
とで被洗浄基板Ｗｆを矢印Ｅに示す方向に略一定の回転
速度で回転させる。次に２本の回転するロール型洗浄部
材１３、１５で被洗浄基板Ｗｆを挟むように該被洗浄基
板Ｗｆの上下面にそれぞれ当接させ、同時に洗浄液ノズ
ル１９から、超音波エネルギーを与えた洗浄液を噴射す
るか、キャビテーションを発生させた洗浄液を噴射する
か、超音波エネルギーを与えると共にキャビテーション
を発生させた洗浄液を噴射する。また、この時被洗浄基
板Ｗｆの下面にも図示しない洗浄液ノズルから洗浄液を
供給する。これにより、被洗浄基板Ｗｆの上下面に付着
していたパーティクルは除去され洗浄液と共に流され
る。
【００２０】基板研磨装置（ＣＭＰ）で研磨された半導
体ウエハ等の被研磨基板の研磨面には上記のように０．
２μｍ以上の粒径のパーティクルが数万個存在するか
ら、上記のようにこの研磨面を上にして、該研磨面に洗
浄液ノズル１９から超音波エネルギーを与え又はキャビ
テーションを発生させ又は超音波エネルギーを与えると
共にキャビテーションを発生させた洗浄液を供給して洗
浄させることにより、この超音波エネルギーやキャビテ
ーションの作用により、被洗浄基板Ｗｆの研磨面に残留
するパーティクルの多くはロール型洗浄部材１３に接触
する前に除去され、ロール型洗浄部材１３の汚染速度は
遅くなる。
体ウエハ等の被研磨基板の研磨面には上記のように０．
２μｍ以上の粒径のパーティクルが数万個存在するか
ら、上記のようにこの研磨面を上にして、該研磨面に洗
浄液ノズル１９から超音波エネルギーを与え又はキャビ
テーションを発生させ又は超音波エネルギーを与えると
共にキャビテーションを発生させた洗浄液を供給して洗
浄させることにより、この超音波エネルギーやキャビテ
ーションの作用により、被洗浄基板Ｗｆの研磨面に残留
するパーティクルの多くはロール型洗浄部材１３に接触
する前に除去され、ロール型洗浄部材１３の汚染速度は
遅くなる。
【００２１】また、上記のように基板研磨装置で研磨さ
れた被洗浄基板Ｗｆの研磨面の残留パーティクルの数が
その反対側面の残留パーティクルに比較して遥かに多い
ことから、図２（ａ）及び（ｂ）に示すようなプロセス
で洗浄してもよい。即ち、図２（ａ）に示すように被洗
浄基板Ｗｆの研磨面を上にしてスピンドル１１上部のコ
マ１２にセットして回転させ、初めに研磨面に、超音波
エネルギーを与え及び／又はキャビテーションを発生さ
せた洗浄液を供給して、研磨面を洗浄する。その後、図
２（ｂ）に示すように、２本の回転するロール型洗浄部
材１３、１５を被洗浄基板Ｗｆの上下面にそれぞれ当接
させ、洗浄液ノズル１９及び洗浄液ノズル２２から上下
面に洗浄液を供給しながら、洗浄する。
れた被洗浄基板Ｗｆの研磨面の残留パーティクルの数が
その反対側面の残留パーティクルに比較して遥かに多い
ことから、図２（ａ）及び（ｂ）に示すようなプロセス
で洗浄してもよい。即ち、図２（ａ）に示すように被洗
浄基板Ｗｆの研磨面を上にしてスピンドル１１上部のコ
マ１２にセットして回転させ、初めに研磨面に、超音波
エネルギーを与え及び／又はキャビテーションを発生さ
せた洗浄液を供給して、研磨面を洗浄する。その後、図
２（ｂ）に示すように、２本の回転するロール型洗浄部
材１３、１５を被洗浄基板Ｗｆの上下面にそれぞれ当接
させ、洗浄液ノズル１９及び洗浄液ノズル２２から上下
面に洗浄液を供給しながら、洗浄する。
【００２２】上記のようにロール型洗浄部材１３、１５
による被洗浄基板Ｗｆの上下面を洗浄する前に、研磨面
に洗浄液ノズル１９から超音波エネルギーを与え及び／
又はキャビテーションを発生させた洗浄液を供給して洗
浄することにより、超音波エネルギーやキャビテーショ
ンの作用により，研磨面に残留するパーティクルの殆ど
が除去され、洗浄液と共に流れ去った後をロール型洗浄
部材１３で除去することになるので、該ロール型洗浄部
材１３の汚染速度は遅くなり、長寿命化が図れる。な
お、図２（ｂ）の後洗浄では、洗浄液ノズル１９及び洗
浄液ノズル２２から噴出する洗浄液には超音波エネルギ
ーを与えたり、キャビテーションを発生させたりする必
要はない。勿論、超音波エネルギーを与えたり、キャビ
テーションを発生させてもよいことは当然である。尚、
本実施例では洗浄液として超純水を使用しているが他に
薬液等種々のものを、被洗浄基板の種類や汚染度に応じ
て適応してよい。
による被洗浄基板Ｗｆの上下面を洗浄する前に、研磨面
に洗浄液ノズル１９から超音波エネルギーを与え及び／
又はキャビテーションを発生させた洗浄液を供給して洗
浄することにより、超音波エネルギーやキャビテーショ
ンの作用により，研磨面に残留するパーティクルの殆ど
が除去され、洗浄液と共に流れ去った後をロール型洗浄
部材１３で除去することになるので、該ロール型洗浄部
材１３の汚染速度は遅くなり、長寿命化が図れる。な
お、図２（ｂ）の後洗浄では、洗浄液ノズル１９及び洗
浄液ノズル２２から噴出する洗浄液には超音波エネルギ
ーを与えたり、キャビテーションを発生させたりする必
要はない。勿論、超音波エネルギーを与えたり、キャビ
テーションを発生させてもよいことは当然である。尚、
本実施例では洗浄液として超純水を使用しているが他に
薬液等種々のものを、被洗浄基板の種類や汚染度に応じ
て適応してよい。
【００２３】また、上記のように被洗浄基板Ｗｆの外周
をスピンドル１１上部のコマ１２に設けた円周溝１２ａ
内に収納して押付け、各コマ１２を高速回転させ被洗浄
基板Ｗｆを回転させて洗浄する基板洗浄装置では、被洗
浄基板Ｗｆの外周、即ちエッジ部が常時コマ１２の円周
溝１２ａに接触するため、該エッジ部に多くのパーティ
クルが付着する。そこでロール型洗浄部材１３、１５を
被洗浄基板Ｗｆの上下面にそれぞれ当接させ洗浄する
際、洗浄液ノズル１９を被洗浄基板Ｗｆのエッジ部上方
に静止させ、該洗浄液ノズル１９からエッジ部上面に超
音波エネルギーを与え及び／又はキャビテーションを発
生させた洗浄液を供給することにより、この部分を選択
的に洗浄するとよい。ここでエッジ部分とは基板端部及
び端部に近い側面部を総称している。
をスピンドル１１上部のコマ１２に設けた円周溝１２ａ
内に収納して押付け、各コマ１２を高速回転させ被洗浄
基板Ｗｆを回転させて洗浄する基板洗浄装置では、被洗
浄基板Ｗｆの外周、即ちエッジ部が常時コマ１２の円周
溝１２ａに接触するため、該エッジ部に多くのパーティ
クルが付着する。そこでロール型洗浄部材１３、１５を
被洗浄基板Ｗｆの上下面にそれぞれ当接させ洗浄する
際、洗浄液ノズル１９を被洗浄基板Ｗｆのエッジ部上方
に静止させ、該洗浄液ノズル１９からエッジ部上面に超
音波エネルギーを与え及び／又はキャビテーションを発
生させた洗浄液を供給することにより、この部分を選択
的に洗浄するとよい。ここでエッジ部分とは基板端部及
び端部に近い側面部を総称している。
【００２４】図３は洗浄液に超音波エネルギーを与える
洗浄液ノズル（超音波洗浄液ノズル）１９の構成例を示
す図である。洗浄液ノズル１９はノズル本体１９−１を
具備し、該ノズル本体１９−１内部に超音波振動子１９
−２が収納されている。該超音波振動子１９−２は、洗
浄液に５００Ｈｚ〜１．５ＭＨｚの振動を与える。該超
音波振動子１９−２を起動した状態で洗浄液注入口１９
−３から高圧の洗浄液（例えば、超純水）を注入するこ
とにより、超音波エネルギーが与えられた洗浄液が噴射
口１９−４から被洗浄基板Ｗｆの面に供給される。
洗浄液ノズル（超音波洗浄液ノズル）１９の構成例を示
す図である。洗浄液ノズル１９はノズル本体１９−１を
具備し、該ノズル本体１９−１内部に超音波振動子１９
−２が収納されている。該超音波振動子１９−２は、洗
浄液に５００Ｈｚ〜１．５ＭＨｚの振動を与える。該超
音波振動子１９−２を起動した状態で洗浄液注入口１９
−３から高圧の洗浄液（例えば、超純水）を注入するこ
とにより、超音波エネルギーが与えられた洗浄液が噴射
口１９−４から被洗浄基板Ｗｆの面に供給される。
【００２５】図４は洗浄液にキャビテーションを発生さ
せる洗浄液ノズル（キャビテーション洗浄液ノズル）１
９の構成例を示す図である。洗浄液ノズル１９は低圧ノ
ズル１９−５と高圧ノズル１９−８を具備する。低圧ノ
ズル１９−５の洗浄液注入口１９−６から１〜２ｋｇ／
ｃｍ2の低圧の洗浄液（例えば、超純水）を注入すると
同時に高圧ノズル１９−８の洗浄液注入口１９−９から
３０〜１５０ｋｇ／ｃｍ2の高圧の洗浄液（例えば、超
純水）を注入すること、低圧ノズル１９−５の洗浄液噴
射口１９−７から噴射される低速噴射洗浄液流中を高圧
ノズル１９−８の洗浄液噴射口１９−１０から噴射され
る高速噴射洗浄液流が通過することになり、両噴射洗浄
液流の境界面でキャビテーションが発生する。そしてキ
ャビテーションが破壊する位置に被洗浄基板の表面を位
置させることにより、パーティクルにキャビテーション
の破壊エネルギーが与えられ、該パーティクルは被洗浄
基板の表面から剥離される。
せる洗浄液ノズル（キャビテーション洗浄液ノズル）１
９の構成例を示す図である。洗浄液ノズル１９は低圧ノ
ズル１９−５と高圧ノズル１９−８を具備する。低圧ノ
ズル１９−５の洗浄液注入口１９−６から１〜２ｋｇ／
ｃｍ2の低圧の洗浄液（例えば、超純水）を注入すると
同時に高圧ノズル１９−８の洗浄液注入口１９−９から
３０〜１５０ｋｇ／ｃｍ2の高圧の洗浄液（例えば、超
純水）を注入すること、低圧ノズル１９−５の洗浄液噴
射口１９−７から噴射される低速噴射洗浄液流中を高圧
ノズル１９−８の洗浄液噴射口１９−１０から噴射され
る高速噴射洗浄液流が通過することになり、両噴射洗浄
液流の境界面でキャビテーションが発生する。そしてキ
ャビテーションが破壊する位置に被洗浄基板の表面を位
置させることにより、パーティクルにキャビテーション
の破壊エネルギーが与えられ、該パーティクルは被洗浄
基板の表面から剥離される。
【００２６】なお、上記例では洗浄液ノズル１９は洗浄
液に超音波エネルギーを与える場合、又はキャビテーシ
ョンを発生させる場合の構成例を示したが、図示は省略
するが、洗浄液に超音波エネルギーを与えると同時にキ
ャビテーションを発生させる構成とすることは当然なが
ら可能である。
液に超音波エネルギーを与える場合、又はキャビテーシ
ョンを発生させる場合の構成例を示したが、図示は省略
するが、洗浄液に超音波エネルギーを与えると同時にキ
ャビテーションを発生させる構成とすることは当然なが
ら可能である。
【００２７】図５は上記構成の基板洗浄装置を具備する
基板処理装置の平面構成例を示す図である。なお、ここ
では洗浄する基板及び研磨する基板を全て被処理基板Ｗ
ｆとする。本基板処理装置は研磨部１００と洗浄部２０
０とによって構成される。研磨部１００は研磨装置１１
０と被処理基板Ｗｆの受け渡しを行うワーク受渡装置１
２０が配置されている。研磨装置１１０は中央にターン
テーブル１１１を設置し、その一方側にトップリング１
１２を取付けた研磨ユニット１１３、他方側にドレッシ
ングツール１１４を取付けたドレッシングユニット１１
５が配置された構成である。また、洗浄部２００は、中
央に矢印Ｚ方向に移動可能な２台の搬送ロボット２１０
及び２２０が配置され、その一方側に１次の基板洗浄装
置１０、２次の基板洗浄装置３０及び洗浄機能付スピン
乾燥装置６０を並列に配置し、他方に被処理基板Ｗｆを
反転させる２台のワーク反転機２０１、ワーク反転機２
０２が配置されている。
基板処理装置の平面構成例を示す図である。なお、ここ
では洗浄する基板及び研磨する基板を全て被処理基板Ｗ
ｆとする。本基板処理装置は研磨部１００と洗浄部２０
０とによって構成される。研磨部１００は研磨装置１１
０と被処理基板Ｗｆの受け渡しを行うワーク受渡装置１
２０が配置されている。研磨装置１１０は中央にターン
テーブル１１１を設置し、その一方側にトップリング１
１２を取付けた研磨ユニット１１３、他方側にドレッシ
ングツール１１４を取付けたドレッシングユニット１１
５が配置された構成である。また、洗浄部２００は、中
央に矢印Ｚ方向に移動可能な２台の搬送ロボット２１０
及び２２０が配置され、その一方側に１次の基板洗浄装
置１０、２次の基板洗浄装置３０及び洗浄機能付スピン
乾燥装置６０を並列に配置し、他方に被処理基板Ｗｆを
反転させる２台のワーク反転機２０１、ワーク反転機２
０２が配置されている。
【００２８】図６は洗浄部２００の内部詳細を示す要部
斜視図である。図示するように、搬送ロボット２１０、
２２０は、何れもその上面に２組ずつアーム機構２１
１、２２１を取付けて構成されている。アーム機構２１
１、２２１の各々の先端には、それぞれ被処理基板Ｗｆ
を保持するハンド２１２、２１３、２２２、２２３が取
付けられている。なお、ハンド２１２と２１３は上下に
重なるように配置され、ハンド２２２と２２３も上下に
重なるように配置される。
斜視図である。図示するように、搬送ロボット２１０、
２２０は、何れもその上面に２組ずつアーム機構２１
１、２２１を取付けて構成されている。アーム機構２１
１、２２１の各々の先端には、それぞれ被処理基板Ｗｆ
を保持するハンド２１２、２１３、２２２、２２３が取
付けられている。なお、ハンド２１２と２１３は上下に
重なるように配置され、ハンド２２２と２２３も上下に
重なるように配置される。
【００２９】１次の基板洗浄装置１０は図１に示す構成
の基板洗浄装置である。２次の基板洗浄装置３０は図７
に示すように、ペンシル型の基板洗浄装置であり、回転
チャック機構３１、ペンシル型ブラシ洗浄機構４１を備
える。回転チャック機構３１は、その上部に円板状の被
処理基板Ｗｆの外周を挟持するチャック爪３３を有し、
また回転駆動軸３５によって矢印Ｇに示す方向に回転駆
動される。回転チャック機構３１のチャック爪３３は、
被処理基板Ｗｆをロボットのハンドにより搬入搬出でき
るように、図７では省略されているが、開閉機構が設け
られている。
の基板洗浄装置である。２次の基板洗浄装置３０は図７
に示すように、ペンシル型の基板洗浄装置であり、回転
チャック機構３１、ペンシル型ブラシ洗浄機構４１を備
える。回転チャック機構３１は、その上部に円板状の被
処理基板Ｗｆの外周を挟持するチャック爪３３を有し、
また回転駆動軸３５によって矢印Ｇに示す方向に回転駆
動される。回転チャック機構３１のチャック爪３３は、
被処理基板Ｗｆをロボットのハンドにより搬入搬出でき
るように、図７では省略されているが、開閉機構が設け
られている。
【００３０】ペンシル型ブラシ洗浄機構４１は、図７に
示すように、シャフト４３に一端が支持された揺動アー
ム４５を具備し、該揺動アーム４５の他端に被処理基板
Ｗｆの洗浄面に向かって鉛直下方に突出する回転駆動軸
４９を設け、該回転駆動軸４９の下端に多孔質のＰＶＦ
製スポンジで構成されたペンシル型洗浄部材５１を取付
けて構成される。このペンシル型の洗浄部材５１を構成
する材料は、発泡ポリウレタンとすることも可能であ
る。ペンシル型洗浄部材５１は、被処理基板Ｗｆとの接
触面が水平となる底面を有する略円柱状に形成される。
ペンシル型洗浄部材５１の寸法は、例えば、高さ約５ｍ
ｍ、外径約２０ｍｍである。また、スポンジに形成され
た微小孔の平均径は、約１１０μｍである。微小孔の平
均直径が小さくなればなるほどスポンジの効果が大きく
なるので、好ましい孔径は、８０μｍより小である。
示すように、シャフト４３に一端が支持された揺動アー
ム４５を具備し、該揺動アーム４５の他端に被処理基板
Ｗｆの洗浄面に向かって鉛直下方に突出する回転駆動軸
４９を設け、該回転駆動軸４９の下端に多孔質のＰＶＦ
製スポンジで構成されたペンシル型洗浄部材５１を取付
けて構成される。このペンシル型の洗浄部材５１を構成
する材料は、発泡ポリウレタンとすることも可能であ
る。ペンシル型洗浄部材５１は、被処理基板Ｗｆとの接
触面が水平となる底面を有する略円柱状に形成される。
ペンシル型洗浄部材５１の寸法は、例えば、高さ約５ｍ
ｍ、外径約２０ｍｍである。また、スポンジに形成され
た微小孔の平均径は、約１１０μｍである。微小孔の平
均直径が小さくなればなるほどスポンジの効果が大きく
なるので、好ましい孔径は、８０μｍより小である。
【００３１】軸４３は、矢印Ｈに示すように、上下に昇
降でき、また軸４３の回動により揺動アーム４５は、矢
印Ｉに示す方向に揺動し、更にまた回転駆動軸４９の回
転によりペンシル型洗浄部材５１は矢印Ｊに示す方向に
回転する。２次の基板洗浄装置３０は、更に洗浄液を供
給する洗浄液ノズル５５を具備する。また、ペンシル型
ブラシ洗浄機構４１の停止時にペンシル型洗浄部材５１
を収納し洗浄するため、カップ状のブラシ収納部５３を
具備する。
降でき、また軸４３の回動により揺動アーム４５は、矢
印Ｉに示す方向に揺動し、更にまた回転駆動軸４９の回
転によりペンシル型洗浄部材５１は矢印Ｊに示す方向に
回転する。２次の基板洗浄装置３０は、更に洗浄液を供
給する洗浄液ノズル５５を具備する。また、ペンシル型
ブラシ洗浄機構４１の停止時にペンシル型洗浄部材５１
を収納し洗浄するため、カップ状のブラシ収納部５３を
具備する。
【００３２】図８は、洗浄機能付スピン乾燥装置６０の
要部を示す図である。図８に示すように、洗浄機能付ス
ピン乾燥装置６０は、回転チャック機構６１及び洗浄液
ノズル６３を具備する。該洗浄液ノズル６３は、図１に
示す洗浄アーム２０と同様の揺動する洗浄アームの先端
に取付けられ、洗浄アーム２０と同様に被処理基板Ｗｆ
の表面を移動しながら低速で回転する被処理基板Ｗｆの
表面へ洗浄液を噴射する。洗浄液噴射後、回転チャック
機構６１を矢印Ｋに示す方向に高速回転させることによ
り、被処理基板Ｗｆを高速回転させ、スピン乾燥させる
ことができる。洗浄液ノズル６３には洗浄液ノズル１９
と同様、超音波エネルギーを与え及び／又はキャビテー
ションを発生させた洗浄液を噴射するノズルを用いる。
要部を示す図である。図８に示すように、洗浄機能付ス
ピン乾燥装置６０は、回転チャック機構６１及び洗浄液
ノズル６３を具備する。該洗浄液ノズル６３は、図１に
示す洗浄アーム２０と同様の揺動する洗浄アームの先端
に取付けられ、洗浄アーム２０と同様に被処理基板Ｗｆ
の表面を移動しながら低速で回転する被処理基板Ｗｆの
表面へ洗浄液を噴射する。洗浄液噴射後、回転チャック
機構６１を矢印Ｋに示す方向に高速回転させることによ
り、被処理基板Ｗｆを高速回転させ、スピン乾燥させる
ことができる。洗浄液ノズル６３には洗浄液ノズル１９
と同様、超音波エネルギーを与え及び／又はキャビテー
ションを発生させた洗浄液を噴射するノズルを用いる。
【００３３】次に、図５に示す基板処理装置の動作を説
明する。研磨前の被処理基板Ｗｆを収納したカセット２
３０から搬送ロボット２２０のハンド２２２(図６参照)
で被処理基板Ｗｆを１枚ずつ取出してワーク反転機２０
２に渡し、被処理基板Ｗｆを反転させ研磨させる面（例
えば、回路パターン形成面）を下向きにする。更に、被
処理基板Ｗｆはワーク反転機２０２から搬送ロボット２
１０のハンド２１２に渡され研磨部１００のワーク受渡
装置１２０へ搬送される。
明する。研磨前の被処理基板Ｗｆを収納したカセット２
３０から搬送ロボット２２０のハンド２２２(図６参照)
で被処理基板Ｗｆを１枚ずつ取出してワーク反転機２０
２に渡し、被処理基板Ｗｆを反転させ研磨させる面（例
えば、回路パターン形成面）を下向きにする。更に、被
処理基板Ｗｆはワーク反転機２０２から搬送ロボット２
１０のハンド２１２に渡され研磨部１００のワーク受渡
装置１２０へ搬送される。
【００３４】ワーク受渡装置１２０上の被処理基板Ｗｆ
は、矢印Ｌに示すように、回動する研磨ユニット１１３
のトップリング１１２の下面に保持されターンテーブル
１１１上に移動され、回転する研磨面１１６上で研磨さ
れる。この時研磨面１１６上には、図示しない砥液供給
管から砥液が供給される。研磨後の被処理基板Ｗｆは再
びワーク受渡装置１２０に戻され、搬送ロボット２１０
のハンド２１３（図６参照）によってワーク反転機２０
１に渡されてリンス液でリンスされながら反転された
後、ハンド２１３によって１次の基板洗浄装置１０へ移
送される。
は、矢印Ｌに示すように、回動する研磨ユニット１１３
のトップリング１１２の下面に保持されターンテーブル
１１１上に移動され、回転する研磨面１１６上で研磨さ
れる。この時研磨面１１６上には、図示しない砥液供給
管から砥液が供給される。研磨後の被処理基板Ｗｆは再
びワーク受渡装置１２０に戻され、搬送ロボット２１０
のハンド２１３（図６参照）によってワーク反転機２０
１に渡されてリンス液でリンスされながら反転された
後、ハンド２１３によって１次の基板洗浄装置１０へ移
送される。
【００３５】上記のように回転する被処理基板Ｗｆの上
下面に回転するロール型洗浄部材１３、１５を当接さ
せ、洗浄液ノズル１９から超音波エネルギーを与えて及
び／又はキャビテーションを発生させた洗浄液が噴射さ
れ、被処理基板Ｗｆの上下面に付着していたパーティク
ルを除去し洗浄液と共に流される。また、このロール型
洗浄部材１３、１５による洗浄の前に被処理基板Ｗｆの
上面に洗浄液ノズル１９から超音波エネルギーを与えて
及び／又はキャビテーションを発生させた洗浄液を噴射
させ洗浄することにより、研磨面に残留する多数のパー
ティクルは除去されるから、ロール型洗浄部材１３の汚
染を遅くすることができる。
下面に回転するロール型洗浄部材１３、１５を当接さ
せ、洗浄液ノズル１９から超音波エネルギーを与えて及
び／又はキャビテーションを発生させた洗浄液が噴射さ
れ、被処理基板Ｗｆの上下面に付着していたパーティク
ルを除去し洗浄液と共に流される。また、このロール型
洗浄部材１３、１５による洗浄の前に被処理基板Ｗｆの
上面に洗浄液ノズル１９から超音波エネルギーを与えて
及び／又はキャビテーションを発生させた洗浄液を噴射
させ洗浄することにより、研磨面に残留する多数のパー
ティクルは除去されるから、ロール型洗浄部材１３の汚
染を遅くすることができる。
【００３６】また、ロール型洗浄部材１３、１５で被処
理基板Ｗｆを洗浄する際、洗浄液ノズル１９を被処理基
板Ｗｆのエッジ部上方に静止させ、該洗浄液ノズル１９
からエッジ部上面に超音波エネルギーを与え及び／又は
キャビテーションを発生させた洗浄液を供給することに
より、この部分を選択的に洗浄する。これにより、被処
理基板Ｗｆの外周、即ちエッジ部が常時コマ１２の円周
溝１２ａに接触するため、該エッジ部に付着する多くの
パーティクルを除去することができる。このようにして
１次の基板洗浄装置１０で洗浄された被処理基板Ｗｆは
搬送ロボット２１０のハンド２１２によって、１次の基
板洗浄装置１０から２次の基板洗浄装置３０に移送され
る。
理基板Ｗｆを洗浄する際、洗浄液ノズル１９を被処理基
板Ｗｆのエッジ部上方に静止させ、該洗浄液ノズル１９
からエッジ部上面に超音波エネルギーを与え及び／又は
キャビテーションを発生させた洗浄液を供給することに
より、この部分を選択的に洗浄する。これにより、被処
理基板Ｗｆの外周、即ちエッジ部が常時コマ１２の円周
溝１２ａに接触するため、該エッジ部に付着する多くの
パーティクルを除去することができる。このようにして
１次の基板洗浄装置１０で洗浄された被処理基板Ｗｆは
搬送ロボット２１０のハンド２１２によって、１次の基
板洗浄装置１０から２次の基板洗浄装置３０に移送され
る。
【００３７】２次の基板洗浄装置３０では、被処理基板
Ｗｆの外周をチャック３３で把持し、この状態で駆動軸
３５を回転駆動することで回転チャック機構３１全体を
高速回転し、これにより被処理基板Ｗｆを５００〜１５
００ｒｐｍにおける所定回転数で回転する。回転チャッ
ク機構３１による被処理基板Ｗｆの処理時の回転数は回
転駆動軸３５に接続される図示しない駆動モータのその
回転制御装置により、数千ｒｐｍ程度の許容回転数の範
囲で選択することができる。被処理基板Ｗｆの上面は、
回転状態にあるペンシル型洗浄部材５１の回転状態にあ
る被処理基板Ｗｆの上面に当接し、洗浄液ノズル５５か
ら洗浄液を供給し、同時に揺動アーム４５を揺動するこ
とにより、洗浄する。
Ｗｆの外周をチャック３３で把持し、この状態で駆動軸
３５を回転駆動することで回転チャック機構３１全体を
高速回転し、これにより被処理基板Ｗｆを５００〜１５
００ｒｐｍにおける所定回転数で回転する。回転チャッ
ク機構３１による被処理基板Ｗｆの処理時の回転数は回
転駆動軸３５に接続される図示しない駆動モータのその
回転制御装置により、数千ｒｐｍ程度の許容回転数の範
囲で選択することができる。被処理基板Ｗｆの上面は、
回転状態にあるペンシル型洗浄部材５１の回転状態にあ
る被処理基板Ｗｆの上面に当接し、洗浄液ノズル５５か
ら洗浄液を供給し、同時に揺動アーム４５を揺動するこ
とにより、洗浄する。
【００３８】上記２次の基板洗浄装置３０で洗浄された
被処理基板Ｗｆは搬送ロボット２２０のハンド２２３で
洗浄機能付きスピン乾燥装置６０に搬送される。スピン
乾燥装置６０では回転チャック機構６１で保持され回転
する被処理基板Ｗｆの上面に洗浄液ノズル６３から超音
波エネルギーを与え及び／又はキャビテーションを発生
させた洗浄液を噴射して洗浄した後、被処理基板Ｗｆを
高速回転させ、スピン乾燥させる。乾燥した被処理基板
Ｗｆは搬送ロボット２２０のハンド２２２で元のカセッ
ト２３０に戻される。なお、このスピン乾燥させる機能
は、２次の基板洗浄装置３０の回転チャック機構３１全
体を高速回転させることにより、行うことができるか
ら、スピン乾燥は２次の基板洗浄装置３０で行い洗浄機
能付きスピン乾燥装置６０を省略してもよい。
被処理基板Ｗｆは搬送ロボット２２０のハンド２２３で
洗浄機能付きスピン乾燥装置６０に搬送される。スピン
乾燥装置６０では回転チャック機構６１で保持され回転
する被処理基板Ｗｆの上面に洗浄液ノズル６３から超音
波エネルギーを与え及び／又はキャビテーションを発生
させた洗浄液を噴射して洗浄した後、被処理基板Ｗｆを
高速回転させ、スピン乾燥させる。乾燥した被処理基板
Ｗｆは搬送ロボット２２０のハンド２２２で元のカセッ
ト２３０に戻される。なお、このスピン乾燥させる機能
は、２次の基板洗浄装置３０の回転チャック機構３１全
体を高速回転させることにより、行うことができるか
ら、スピン乾燥は２次の基板洗浄装置３０で行い洗浄機
能付きスピン乾燥装置６０を省略してもよい。
【００３９】
【発明の効果】以上、説明したように各請求項に記載の
発明によれば下記のような優れた効果が得られる。
発明によれば下記のような優れた効果が得られる。
【００４０】請求項１に記載の発明によれば、洗浄液ノ
ズルから基板面に超音波エネルギーを与え及び／又はキ
ャビテーションを発生させた洗浄液を供給しながら洗浄
するので、この超音波エネルギー及び／又はキャビテー
ションの作用により基板面のパーティクルが除去される
から、回転ロール型洗浄部材の汚染速度は遅くなり、回
転ロール型洗浄部材を長時間使用することができ、長寿
命化が図れる。
ズルから基板面に超音波エネルギーを与え及び／又はキ
ャビテーションを発生させた洗浄液を供給しながら洗浄
するので、この超音波エネルギー及び／又はキャビテー
ションの作用により基板面のパーティクルが除去される
から、回転ロール型洗浄部材の汚染速度は遅くなり、回
転ロール型洗浄部材を長時間使用することができ、長寿
命化が図れる。
【００４１】請求項２に記載の発明によれば、基板の両
面に回転ロール型洗浄部材を押し付ける前に洗浄液ノズ
ルから超音波エネルギーを与え及び／又はキャビテーシ
ョンを発生させた洗浄液を基板面に供給して洗浄するの
で、基板面のパーティクルは殆ど除去され、残った少な
いパーティクルのみを回転ロール型洗浄部材で除去する
ので、該回転ロール型洗浄部材の汚染速度は遅くなり、
回転ロール型洗浄部材を長時間使用することができ、長
寿命化が図れる。
面に回転ロール型洗浄部材を押し付ける前に洗浄液ノズ
ルから超音波エネルギーを与え及び／又はキャビテーシ
ョンを発生させた洗浄液を基板面に供給して洗浄するの
で、基板面のパーティクルは殆ど除去され、残った少な
いパーティクルのみを回転ロール型洗浄部材で除去する
ので、該回転ロール型洗浄部材の汚染速度は遅くなり、
回転ロール型洗浄部材を長時間使用することができ、長
寿命化が図れる。
【００４２】請求項３に記載の発明によれば、基板のエ
ッジ部分面に洗浄液ノズルから超音波エネルギーを与え
及び／又はキャビテーションを発生させた洗浄液を供給
することにより、基板の両面を洗浄する回転ロール形洗
浄部材ではパーティクルの除去を完全に行うことが困難
である基板エッジ部分の汚染が選択的に除去でき、回転
ロール型洗浄部材の汚染速度は遅くなり、回転ロール型
洗浄部材を長時間使用することができ、長寿命化が図れ
る。
ッジ部分面に洗浄液ノズルから超音波エネルギーを与え
及び／又はキャビテーションを発生させた洗浄液を供給
することにより、基板の両面を洗浄する回転ロール形洗
浄部材ではパーティクルの除去を完全に行うことが困難
である基板エッジ部分の汚染が選択的に除去でき、回転
ロール型洗浄部材の汚染速度は遅くなり、回転ロール型
洗浄部材を長時間使用することができ、長寿命化が図れ
る。
【００４３】請求項４に記載の発明によれば、基板研磨
装置で研磨された基板の研磨面に超音波エネルギーを与
え及び／又はキャビテーションを発生させた洗浄液を供
給しながら洗浄するので、基板の研磨面上の残留パーテ
ィクルが極めて少ない処理ができるとともに、基板洗浄
装置の回転ロール型洗浄部材の汚染速度は遅くなり、回
転ロール型洗浄部材を長時間使用することができ、長寿
命化が図れる。
装置で研磨された基板の研磨面に超音波エネルギーを与
え及び／又はキャビテーションを発生させた洗浄液を供
給しながら洗浄するので、基板の研磨面上の残留パーテ
ィクルが極めて少ない処理ができるとともに、基板洗浄
装置の回転ロール型洗浄部材の汚染速度は遅くなり、回
転ロール型洗浄部材を長時間使用することができ、長寿
命化が図れる。
【００４４】請求項５に記載の発明によれば、洗浄液ノ
ズルから超音波エネルギーを与え及び／又はキャビテー
ションを発生させた洗浄液を基板面の研磨面に供給して
洗浄した後、基板の両面に回転する回転ロール型洗浄部
材を押し付けて洗浄するか又は、基板の両面に回転する
回転ロール型洗浄部材を押し付け、基板の研磨面のエッ
ジ部分に洗浄液ノズルから超音波エネルギーを与え及び
／又はキャビテーションを発生させた洗浄液を供給して
洗浄するので、請求項２、３に記載の発明と同様、回転
ロール型洗浄部材の汚染速度は遅くなり、回転ロール型
洗浄部材を長時間使用することができ、長寿命化が図れ
る。
ズルから超音波エネルギーを与え及び／又はキャビテー
ションを発生させた洗浄液を基板面の研磨面に供給して
洗浄した後、基板の両面に回転する回転ロール型洗浄部
材を押し付けて洗浄するか又は、基板の両面に回転する
回転ロール型洗浄部材を押し付け、基板の研磨面のエッ
ジ部分に洗浄液ノズルから超音波エネルギーを与え及び
／又はキャビテーションを発生させた洗浄液を供給して
洗浄するので、請求項２、３に記載の発明と同様、回転
ロール型洗浄部材の汚染速度は遅くなり、回転ロール型
洗浄部材を長時間使用することができ、長寿命化が図れ
る。
【図１】本発明に係る基板洗浄装置の概略構成を示す外
観図である。
観図である。
【図２】本発明に係る基板洗浄方法のプロセスを説明す
るための図である。
るための図である。
【図３】洗浄液に超音波エネルギーを与える洗浄液ノズ
ルの構成例を示す図である。
ルの構成例を示す図である。
【図４】洗浄液にキャビテーションを発生させる洗浄液
ノズルの構成例を示す図である。
ノズルの構成例を示す図である。
【図５】本発明に係る基板処理装置の平面構成例を示す
図である。
図である。
【図６】図５に示す基板処理装置の洗浄部の内部詳細を
示す要部斜視図である。
示す要部斜視図である。
【図７】図５に示す基板処理装置の２次の基板洗浄装置
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図８】図５に示す基板処理装置の洗浄機能付きスピン
乾燥装置の構成を示す図である。
乾燥装置の構成を示す図である。
１０ 基板洗浄装置 １１ スピンドル １２ コマ １３ ロール型洗浄部材 １５ ロール型洗浄部材 １７ 駆動機構 １８ 駆動機構 １９ 洗浄液ノズル ２０ 洗浄アーム ２１ 揺動軸 ３０ ２次の基板洗浄装置 ６０ 洗浄機能付きスピン乾燥装置 １００ 研磨部 １１０ 研磨装置 １１３ 研磨ユニット １１５ ドレッシングユニット １２０ ワーク受渡装置 ２００ 洗浄部 ２０１ ワーク反転機 ２０２ ワーク反転機 ２１０ 搬送ロボット ２２０ 搬送ロボット ２３０ カセット
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ０８Ｂ 3/04 Ｂ０８Ｂ 3/04 Ａ 3/12 3/12 Ｃ 7/04 7/04 Ａ Ｆターム(参考） 3B116 AA03 AB01 AB27 AB34 AB42 BA01 BA08 BA13 BA15 BB22 BB45 BB55 BB85 CC01 CC03 3B201 AA03 AB01 AB27 AB34 AB42 BA01 BA08 BA13 BA15 BB22 BB45 BB55 BB85 BB93 CB01 CB25 CC01 CC13
Claims (5)
- 【請求項１】 基板を略水平面上で回転する基板回転機
構と、該基板回転機構で回転する基板の両面に略平行な
回転軸まわりを回転する回転ロール型洗浄部材と、該基
板面上に洗浄液を供給する洗浄液ノズルを具備し、回転
する前記基板の両面に回転する前記回転ロール型洗浄部
材を押し当て、前記洗浄液ノズルから洗浄液を供給しな
がら該基板を洗浄する基板洗浄装置において、 前記洗浄液ノズルは供給する洗浄液に超音波エネルギー
を与え及び／又はキャビテーションを発生させることが
できる洗浄液ノズルであり、該洗浄液ノズルから前記基
板面に超音波エネルギーを与え及び／又はキャビテーシ
ョンを発生させた洗浄液を供給しながら洗浄することを
特徴とする基板洗浄装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の基板洗浄装置による基板
洗浄方法であって、 前記洗浄液ノズルから超音波エネルギーを与え及び／又
はキャビテーションを発生させた洗浄液を前記基板面に
供給して洗浄した後、前記基板の両面に回転する前記回
転ロール型洗浄部材を押し付けて洗浄することを特徴と
する基板洗浄方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の基板洗浄装置による基
板洗浄方法であって、前記基板の両面に回転する前記回
転ロール型洗浄部材を押し付けて洗浄する際、前記基板
のエッジ部分面上に前記洗浄液ノズルから超音波エネル
ギーを与え及び／又はキャビテーションを発生させた洗
浄液を供給して洗浄することを特徴とする基板洗浄方
法。 - 【請求項４】 基板を研磨する基板研磨装置と請求項１
に記載の基板洗浄装置を具備し、 前記基板研磨装置で研磨された前記基板を前記基板洗浄
装置の基板回転機構に保持させ、回転する該回転基板の
面に前記洗浄液ノズルから超音波エネルギーを与え及び
／又はキャビテーションを発生させた洗浄液を供給しな
がら該基板の両面に回転する前記回転ロール型洗浄部材
を押し当てて洗浄することを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項５】 請求項４に記載の基板処理装置における
基板洗浄方法であって、 前記基板研磨装置で研磨された前記基板を、前記基板洗
浄装置で前記洗浄液ノズルから超音波エネルギーを与え
及び／又はキャビテーションを発生させた洗浄液を前記
基板面の研磨面に供給して洗浄した後、基板の両面に回
転する前記回転ロール型洗浄部材を押し付けて洗浄する
か又は、前記基板の両面に回転する前記回転ロール型洗
浄部材を押し付け、前記基板の研磨面のエッジ部分に前
記洗浄液ノズルから超音波エネルギーを与え及び／又は
キャビテーションを発生させた洗浄液を供給して洗浄す
ることを特徴とする基板洗浄方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000220824A JP2002043267A (ja) | 2000-07-21 | 2000-07-21 | 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び基板処理装置 |
| US09/907,716 US20020007840A1 (en) | 2000-07-21 | 2001-07-19 | Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method and substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000220824A JP2002043267A (ja) | 2000-07-21 | 2000-07-21 | 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002043267A true JP2002043267A (ja) | 2002-02-08 |
| JP2002043267A5 JP2002043267A5 (ja) | 2005-07-21 |
Family
ID=18715358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000220824A Pending JP2002043267A (ja) | 2000-07-21 | 2000-07-21 | 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び基板処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020007840A1 (ja) |
| JP (1) | JP2002043267A (ja) |
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| KR20150004751A (ko) * | 2013-07-03 | 2015-01-13 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법 |
| KR20150010659A (ko) | 2013-07-19 | 2015-01-28 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 세정기, 기판 세정 장치, 세정이 끝난 기판의 제조 방법 및 기판 처리 장치 |
| KR101554767B1 (ko) | 2011-05-25 | 2015-09-21 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 세정 방법 및 롤 세정 부재 |
| JP2016082195A (ja) * | 2014-10-22 | 2016-05-16 | Ｔｏｗａ株式会社 | 切断装置及び切断方法 |
| WO2019150683A1 (ja) * | 2018-01-31 | 2019-08-08 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置、基板処理装置、超音波洗浄液供給装置および記録媒体 |
| KR20220113440A (ko) | 2019-12-11 | 2022-08-12 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 세정 시스템 및 기판 세정 방법 |
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| KR100734669B1 (ko) * | 2003-08-08 | 2007-07-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 및 그 장치 |
| US7731800B2 (en) * | 2004-07-07 | 2010-06-08 | Nano Om, Llc | Systems and methods for single integrated substrate cleaning and rinsing |
| US7993485B2 (en) * | 2005-12-09 | 2011-08-09 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for processing a substrate |
| US20070131653A1 (en) * | 2005-12-09 | 2007-06-14 | Ettinger Gary C | Methods and apparatus for processing a substrate |
| US20070238393A1 (en) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Shin Ho S | Methods and apparatus for polishing an edge of a substrate |
| US20080293337A1 (en) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for polishing a notch of a substrate by substrate vibration |
| TW200908122A (en) * | 2007-05-21 | 2009-02-16 | Applied Materials Inc | Methods and apparatus for using a rolling backing pad for substrate polishing |
| US8142260B2 (en) | 2007-05-21 | 2012-03-27 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for removal of films and flakes from the edge of both sides of a substrate using backing pads |
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| JP2008288600A (ja) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Applied Materials Inc | 基板の縁部除外領域の大きさを制御する方法及び装置 |
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-
2000
- 2000-07-21 JP JP2000220824A patent/JP2002043267A/ja active Pending
-
2001
- 2001-07-19 US US09/907,716 patent/US20020007840A1/en not_active Abandoned
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