JP2966127B2 - レジストパターンの形成方法 - Google Patents
レジストパターンの形成方法Info
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- JP2966127B2 JP2966127B2 JP5146091A JP5146091A JP2966127B2 JP 2966127 B2 JP2966127 B2 JP 2966127B2 JP 5146091 A JP5146091 A JP 5146091A JP 5146091 A JP5146091 A JP 5146091A JP 2966127 B2 JP2966127 B2 JP 2966127B2
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【０００１】［発明の目的］
【０００２】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の製造工
程に利用されるレジストパターンの形成方法に関する。
程に利用されるレジストパターンの形成方法に関する。
【０００３】
【従来の技術】近年、ＬＳＩデバイスの微細化傾向が進
んでおり、従来の光学式リソグラフィーでは実現困難な
サブミクロン領域での微細パターン形成を成し得るリソ
グラフィー技術として、電子線や遠紫外光（エキシマー
レーザー等）によるリソグラフィーが注目されている。
んでおり、従来の光学式リソグラフィーでは実現困難な
サブミクロン領域での微細パターン形成を成し得るリソ
グラフィー技術として、電子線や遠紫外光（エキシマー
レーザー等）によるリソグラフィーが注目されている。
【０００４】そこで、このようなリソグラフィー技術を
実用化することのできるレジスト材料として、従来のレ
ジスト材料とは異なる特性を有する化学増幅型と呼ばれ
る高感度のレジスト材料が登場し期待されている。
実用化することのできるレジスト材料として、従来のレ
ジスト材料とは異なる特性を有する化学増幅型と呼ばれ
る高感度のレジスト材料が登場し期待されている。
【０００５】この化学増幅型のレジスト材料は酸の触媒
反応を利用して感度及び解像度の向上を図ったものであ
り、例えば化学増幅型のネガ型レジスト材料は、樹脂と
架橋剤と酸発生剤とから構成される。このレジスト材料
に露光を行うと酸発生剤から酸が発生する。この後、加
熱処理（露光後ベーク処理、以下、「ＰＥＢ処理」と呼
ぶ）することにより、酸が前記レジスト材料中を拡散し
ながら架橋剤に作用してこの中に活性点を作り出す。こ
の活性点を介して樹脂との架橋が進み、その結果、架橋
部分は現像液に対して難溶化し、現像後パターンが形成
される。
反応を利用して感度及び解像度の向上を図ったものであ
り、例えば化学増幅型のネガ型レジスト材料は、樹脂と
架橋剤と酸発生剤とから構成される。このレジスト材料
に露光を行うと酸発生剤から酸が発生する。この後、加
熱処理（露光後ベーク処理、以下、「ＰＥＢ処理」と呼
ぶ）することにより、酸が前記レジスト材料中を拡散し
ながら架橋剤に作用してこの中に活性点を作り出す。こ
の活性点を介して樹脂との架橋が進み、その結果、架橋
部分は現像液に対して難溶化し、現像後パターンが形成
される。
【０００６】このような化学増幅型のレジスト材料にあ
っては、文献「M.P.deGrandpre,K.Graziano,S.D.Thomps
on,H.Liu and L.Blum,1988,SPIE,923,P.158 〜p.171 」
に報告されているように、化学増幅型レジスト材料に特
有のＰＥＢ処理工程がパターンニング特性に大きな影響
を与えることが知られている。
っては、文献「M.P.deGrandpre,K.Graziano,S.D.Thomps
on,H.Liu and L.Blum,1988,SPIE,923,P.158 〜p.171 」
に報告されているように、化学増幅型レジスト材料に特
有のＰＥＢ処理工程がパターンニング特性に大きな影響
を与えることが知られている。
【０００７】また、プリベーク処理工程におけるレジス
ト材料中における溶媒の除去の程度がパターン精度やパ
ターン形状に影響していることが考えられている。
ト材料中における溶媒の除去の程度がパターン精度やパ
ターン形状に影響していることが考えられている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら化学増幅
型のレジスト材料における従来のレジストプロセスにあ
っては、プリベーク処理工程及びＰＥＢ処理工程におけ
る加熱処理温度の最適化がなされておらず、レジストパ
ターンの精度や形状が劣化するといった不具合を招いて
いた。
型のレジスト材料における従来のレジストプロセスにあ
っては、プリベーク処理工程及びＰＥＢ処理工程におけ
る加熱処理温度の最適化がなされておらず、レジストパ
ターンの精度や形状が劣化するといった不具合を招いて
いた。
【０００９】そこで、この発明は、上記に鑑みてなされ
たものであり、その目的とするところは、化学増幅型の
レジスト材料におけるパターンの寸法精度の向上ならび
にパターン形状の改善を達成し得るレジストパターンの
形成方法を提供することにある。
たものであり、その目的とするところは、化学増幅型の
レジスト材料におけるパターンの寸法精度の向上ならび
にパターン形状の改善を達成し得るレジストパターンの
形成方法を提供することにある。
【００１０】［発明の構成］
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、被処理層上に化学増幅型のレジスト層
を塗布形成する塗布工程と、前記塗布工程後のレジスト
層を被処理層を含む基板に接触した熱伝導体によって加
熱処理温度Ｔ1 で加熱しベーク処理を行なう露光前加熱
処理工程と、前記露光前加熱処理工程後のレジスト層に
パターンを露光する露光工程と、前記露光工程後のレジ
スト層を被処理層を含む基板に接触した熱伝導体によっ
て加熱処理温度Ｔ3で加熱し露光後ベーク処理を行なう
露光後加熱処理工程と、前記露光後加熱処理工程後のレ
ジスト層を現像する現像工程とを有し、加熱処理温度Ｔ
1 及びＴ3 が前記化学増幅型のレジスト層中における溶
媒の蒸発量が最大となる最低加熱温度Ｔ2 に対して、Ｔ
1 ≧Ｔ2かつＴ1 ≧Ｔ3 となるように設定されてなる。
に、この発明は、被処理層上に化学増幅型のレジスト層
を塗布形成する塗布工程と、前記塗布工程後のレジスト
層を被処理層を含む基板に接触した熱伝導体によって加
熱処理温度Ｔ1 で加熱しベーク処理を行なう露光前加熱
処理工程と、前記露光前加熱処理工程後のレジスト層に
パターンを露光する露光工程と、前記露光工程後のレジ
スト層を被処理層を含む基板に接触した熱伝導体によっ
て加熱処理温度Ｔ3で加熱し露光後ベーク処理を行なう
露光後加熱処理工程と、前記露光後加熱処理工程後のレ
ジスト層を現像する現像工程とを有し、加熱処理温度Ｔ
1 及びＴ3 が前記化学増幅型のレジスト層中における溶
媒の蒸発量が最大となる最低加熱温度Ｔ2 に対して、Ｔ
1 ≧Ｔ2かつＴ1 ≧Ｔ3 となるように設定されてなる。
【００１２】
【作用】上述したこの発明に係るレジストパターンの形
成方法において、被処理層上に１μm 程度の膜厚で塗布
形成された化学増幅型のレジスト材料に対して、図１に
示すように、レジスト材料中の溶媒の蒸発量が最大とな
る最低加熱温度Ｔ2 以下となる例えば８５℃程度の温度
で１分間程度の露光前ベーク処理を施した試料と、前記
最低加熱温度Ｔ2 以上となる例えば１２５℃程度の温度
で１分間程度の同処理を施した試料における気体成分
は、図２のガスクロマトログラフ／マススペクトロスコ
ピーに示すような分析結果が得られた。なお、図２
（ａ）は前者の試料、同図（ｂ）は後者の試料の分析結
果である。
成方法において、被処理層上に１μm 程度の膜厚で塗布
形成された化学増幅型のレジスト材料に対して、図１に
示すように、レジスト材料中の溶媒の蒸発量が最大とな
る最低加熱温度Ｔ2 以下となる例えば８５℃程度の温度
で１分間程度の露光前ベーク処理を施した試料と、前記
最低加熱温度Ｔ2 以上となる例えば１２５℃程度の温度
で１分間程度の同処理を施した試料における気体成分
は、図２のガスクロマトログラフ／マススペクトロスコ
ピーに示すような分析結果が得られた。なお、図２
（ａ）は前者の試料、同図（ｂ）は後者の試料の分析結
果である。
【００１３】図２において、図２（ａ）及び同図（ｂ）
において共通のピークの成分は空気であり、同図（ａ）
にのみ表われているピークの成分はレジスト材料中の溶
媒であることが、マススペクトロスコピーによって判明
している。
において共通のピークの成分は空気であり、同図（ａ）
にのみ表われているピークの成分はレジスト材料中の溶
媒であることが、マススペクトロスコピーによって判明
している。
【００１４】これらのことから、露光前ベーク処理にお
ける処理温度がレジスト材料中における溶媒の除去の程
度を決定する主要因であることが明らかとなる。
ける処理温度がレジスト材料中における溶媒の除去の程
度を決定する主要因であることが明らかとなる。
【００１５】また、上述した両試料に対して同条件によ
り露光処理、露光後ベーク（ＰＥＢ）処理及び現像処理
を施した際のパターニング特性にあっては、レジスト材
料中における溶媒の除去程度がパターンニング精度やパ
ターニング形状に著しい影響を与えていることが確認さ
れる。
り露光処理、露光後ベーク（ＰＥＢ）処理及び現像処理
を施した際のパターニング特性にあっては、レジスト材
料中における溶媒の除去程度がパターンニング精度やパ
ターニング形状に著しい影響を与えていることが確認さ
れる。
【００１６】したがって、この発明のレジストパターン
の形成方法にあっては、露光前ベーク処理の加熱処理温
度Ｔ1 を上述した最低加熱温度Ｔ2 と同等もしくは高く
（Ｔ1 ≧Ｔ2 ）設定することによって、パターン露光前
にレジスト材料中の残留溶媒を十分に蒸発させて除去
し、かつ露光後ベーク処理の加熱処理温度Ｔ3 を上述し
た露光前ベーク処理の加熱処理温度Ｔ1 と同等もしくは
低く（Ｔ1 ≧Ｔ3 ）設定することによって露光後ベーク
処理中にレジスト材料中からの新たな溶媒の蒸発を抑制
するようにしている。
の形成方法にあっては、露光前ベーク処理の加熱処理温
度Ｔ1 を上述した最低加熱温度Ｔ2 と同等もしくは高く
（Ｔ1 ≧Ｔ2 ）設定することによって、パターン露光前
にレジスト材料中の残留溶媒を十分に蒸発させて除去
し、かつ露光後ベーク処理の加熱処理温度Ｔ3 を上述し
た露光前ベーク処理の加熱処理温度Ｔ1 と同等もしくは
低く（Ｔ1 ≧Ｔ3 ）設定することによって露光後ベーク
処理中にレジスト材料中からの新たな溶媒の蒸発を抑制
するようにしている。
【００１７】また、この発明にあっては、露光前後のそ
れぞれのベーク処理において、被処理層を含む基板に接
触した熱伝導体によってレジスト材料を加熱処理するこ
とによって、レジスト材料の温度を瞬時にかつ均一に上
昇させて、レジスト材料中の溶媒を短時間で効率的に除
去するようにしている。
れぞれのベーク処理において、被処理層を含む基板に接
触した熱伝導体によってレジスト材料を加熱処理するこ
とによって、レジスト材料の温度を瞬時にかつ均一に上
昇させて、レジスト材料中の溶媒を短時間で効率的に除
去するようにしている。
【００１８】
【実施例】以下、図面を用いてこの発明の実施例を説明
する。
する。
【００１９】図３はこの発明に係るレジストパターンの
形成方法の一実施例におけるレジストパターン及び比較
パターンを示す断面図である。
形成方法の一実施例におけるレジストパターン及び比較
パターンを示す断面図である。
【００２０】図３（ａ）に示すレジストパターン２は、
シリコンの半導体基板１上に、例えばＳＡＬ６０１−Ｅ
Ｒ７（シップレー社製、商品名）の化学増幅型のレジス
ト材料を１μm 程度の膜厚で塗布し、レジスト材料が塗
布された基板１をホットプレート上に載置して、図１に
示したレジスト層中における溶媒の蒸発量が最大となる
最低加熱温度と同等程度の１２５℃の加熱温度で１分間
のプリベーク処理を行ない、４０ＫｅＶ程度の加速エネ
ルギーの電子線により、設計寸法が０．２５μm のライ
ン／スペースパターンを描画露光し、再び基板１をホッ
トプレート上に載置し、露光前ベーク処理の加熱処理温
度よりも低い１１５℃の加熱温度で２分間のＰＥＢ処理
を行ない、温度１５℃で６分間の現像処理を行なって得
られたレジストパターンである。
シリコンの半導体基板１上に、例えばＳＡＬ６０１−Ｅ
Ｒ７（シップレー社製、商品名）の化学増幅型のレジス
ト材料を１μm 程度の膜厚で塗布し、レジスト材料が塗
布された基板１をホットプレート上に載置して、図１に
示したレジスト層中における溶媒の蒸発量が最大となる
最低加熱温度と同等程度の１２５℃の加熱温度で１分間
のプリベーク処理を行ない、４０ＫｅＶ程度の加速エネ
ルギーの電子線により、設計寸法が０．２５μm のライ
ン／スペースパターンを描画露光し、再び基板１をホッ
トプレート上に載置し、露光前ベーク処理の加熱処理温
度よりも低い１１５℃の加熱温度で２分間のＰＥＢ処理
を行ない、温度１５℃で６分間の現像処理を行なって得
られたレジストパターンである。
【００２１】図３（ｂ）に示すレジストパターン３は、
プリベーク処理を８５℃程度の加熱温度で行なう以外は
同図（ａ）に示したと同じ条件で形成して得られるレジ
ストパターンである。
プリベーク処理を８５℃程度の加熱温度で行なう以外は
同図（ａ）に示したと同じ条件で形成して得られるレジ
ストパターンである。
【００２２】図３（ａ）と同図（ｂ）から明らかなよう
に、プリベーク処理における加熱処理温度をレジスト層
中における溶媒の蒸発量が最大となる最低加熱温度と同
等もしくは高く設定し、ＰＥＢ処理における加熱処理温
度を露光前ベーク処理の加熱処理温度よりも低く設定す
ることによって、設計寸法が正確に実現され、パターン
の側壁を垂直に形成できる。
に、プリベーク処理における加熱処理温度をレジスト層
中における溶媒の蒸発量が最大となる最低加熱温度と同
等もしくは高く設定し、ＰＥＢ処理における加熱処理温
度を露光前ベーク処理の加熱処理温度よりも低く設定す
ることによって、設計寸法が正確に実現され、パターン
の側壁を垂直に形成できる。
【００２３】このことは、図３（ａ）に示すレジストパ
ターン２にあっては、プリベーク処理においてレジスト
材料中の溶媒を十分に蒸発させて除去し、そのような状
態で露光し、レジスト材料中の溶媒の蒸発が抑制された
状態でＰＥＢ処理を行なうのに対して、図３（ｂ）に示
すレジストパターンにあっては、プリベーク処理におい
て加熱温度が低いためレジスト材料中の溶媒を十分に蒸
発させて除去できず、レジスト材料中に溶媒が残存する
状態で露光及びＰＥＢ処理を行なっているためである。
ターン２にあっては、プリベーク処理においてレジスト
材料中の溶媒を十分に蒸発させて除去し、そのような状
態で露光し、レジスト材料中の溶媒の蒸発が抑制された
状態でＰＥＢ処理を行なうのに対して、図３（ｂ）に示
すレジストパターンにあっては、プリベーク処理におい
て加熱温度が低いためレジスト材料中の溶媒を十分に蒸
発させて除去できず、レジスト材料中に溶媒が残存する
状態で露光及びＰＥＢ処理を行なっているためである。
【００２４】次に、レジスト材料の膜厚を変えて上述し
たと同様にパターンの形成を行なった結果について説明
する。
たと同様にパターンの形成を行なった結果について説明
する。
【００２５】図３（ｃ）に示すレジストパターン４は、
レジスト材料の膜厚を０．５μm 程度としたこと以外は
図３（ａ）に示したと同一条件で形成されたレジストパ
ターンであり、図３（ｄ）に示すレジストパターン５
は、レジスト材料の膜厚を０．５μm 程度としたこと以
外は図３（ｂ）に示したと同一条件で形成されたレジス
トパターンである。
レジスト材料の膜厚を０．５μm 程度としたこと以外は
図３（ａ）に示したと同一条件で形成されたレジストパ
ターンであり、図３（ｄ）に示すレジストパターン５
は、レジスト材料の膜厚を０．５μm 程度としたこと以
外は図３（ｂ）に示したと同一条件で形成されたレジス
トパターンである。
【００２６】図３（ｃ）及び同図（ｄ）から明らかなよ
うに、プリベーク処理における加熱処理温度の違いがパ
ターニング特性に与える影響が軽減されてはいるが、プ
リベーク処理における加熱処理温度をレジスト層中にお
ける溶媒の蒸発量が最大となる最低加熱温度よりも低く
設定すると、やはりパターニング特性に多少の劣化が見
られる。このことは、プリベーク処理における加熱温度
の違いによるレジスト材料中の溶媒の除去効果がレジス
トの膜厚が厚いほど顕著に現われるということを示して
いる。
うに、プリベーク処理における加熱処理温度の違いがパ
ターニング特性に与える影響が軽減されてはいるが、プ
リベーク処理における加熱処理温度をレジスト層中にお
ける溶媒の蒸発量が最大となる最低加熱温度よりも低く
設定すると、やはりパターニング特性に多少の劣化が見
られる。このことは、プリベーク処理における加熱温度
の違いによるレジスト材料中の溶媒の除去効果がレジス
トの膜厚が厚いほど顕著に現われるということを示して
いる。
【００２７】図４はこの発明の他の実施例を示す図であ
り、図４（ａ）に示すレジストパターン６は、基板１上
に配線等に用いられるＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕからなる合金層
７を堆積形成し、この合金層７上に前述したと同一の化
学増幅型のレジスト材料を０．５μm 程度の膜厚で塗布
したものに対して図３（ａ）に示したと同一の条件で形
成されて得られたレジストパターンであり、図４（ｂ）
に示すレジストパターン８はプリベーク処理における加
熱処理温度を８５℃程度の温度で行なう以外は図４
（ａ）と同一の条件で形成されて得られたレジストパタ
ーンである。
り、図４（ａ）に示すレジストパターン６は、基板１上
に配線等に用いられるＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕからなる合金層
７を堆積形成し、この合金層７上に前述したと同一の化
学増幅型のレジスト材料を０．５μm 程度の膜厚で塗布
したものに対して図３（ａ）に示したと同一の条件で形
成されて得られたレジストパターンであり、図４（ｂ）
に示すレジストパターン８はプリベーク処理における加
熱処理温度を８５℃程度の温度で行なう以外は図４
（ａ）と同一の条件で形成されて得られたレジストパタ
ーンである。
【００２８】図４（ａ）及び同図（ｂ）から明らかなよ
うに、レジストパターンが形成される下地が合金層７の
ような場合においては、プリベーク処理における加熱処
理温度が低い場合には、図４（ｂ）に見られるように、
レジストパターン８の下部においてパターンの欠落が生
じており、プリベーク処理における加熱処理温度の違い
がパターン形状に著しく影響することが認められる。
うに、レジストパターンが形成される下地が合金層７の
ような場合においては、プリベーク処理における加熱処
理温度が低い場合には、図４（ｂ）に見られるように、
レジストパターン８の下部においてパターンの欠落が生
じており、プリベーク処理における加熱処理温度の違い
がパターン形状に著しく影響することが認められる。
【００２９】図５はこの発明の他の実施例におけるパタ
ーン精度の測定結果を示す図である。
ーン精度の測定結果を示す図である。
【００３０】図５（ａ）は、シリコンの半導体基板上に
例えばＳＮＲ２４８−１．０（シップレー社製、商品
名）の化学増幅型のレジスト材料を１．０μm 程度の膜
厚で塗布し、ホットプレート上でこのレジスト材料のレ
ジスト層中における溶媒の蒸発量が最大となる最低加熱
温度Ｔ2 と同等程度の１２０℃の加熱温度で９０秒間の
プリベーク処理を行ない、ＮＡ＝０．４２のＫｒＦエキ
シマーレーザーステッパーでパターンを露光し、ホット
プレート上で１２０℃程度の加熱温度で１分間のＰＥＢ
処理を行ない、アルカリ現像液で２分間の現像処理を行
なって得られたレジストパターンのマスクリニアリティ
の測定結果であり、図５（ｂ）はプリベーク処理におけ
る加熱処理温度を１００℃程度に設定した以外は図５
（ａ）と同一条件で形成して得られたレジストパターン
のマスクリニアリティの測定結果である。
例えばＳＮＲ２４８−１．０（シップレー社製、商品
名）の化学増幅型のレジスト材料を１．０μm 程度の膜
厚で塗布し、ホットプレート上でこのレジスト材料のレ
ジスト層中における溶媒の蒸発量が最大となる最低加熱
温度Ｔ2 と同等程度の１２０℃の加熱温度で９０秒間の
プリベーク処理を行ない、ＮＡ＝０．４２のＫｒＦエキ
シマーレーザーステッパーでパターンを露光し、ホット
プレート上で１２０℃程度の加熱温度で１分間のＰＥＢ
処理を行ない、アルカリ現像液で２分間の現像処理を行
なって得られたレジストパターンのマスクリニアリティ
の測定結果であり、図５（ｂ）はプリベーク処理におけ
る加熱処理温度を１００℃程度に設定した以外は図５
（ａ）と同一条件で形成して得られたレジストパターン
のマスクリニアリティの測定結果である。
【００３１】図５（ａ）と図５（ｂ）から明らかなよう
に、プリベーク処理における加熱温度をレジスト層中に
おける溶媒の蒸発量が最大となる最低加熱温度に設定し
た場合の方がパターン精度が向上していることがわか
る。このことは、上述したレジスト材料の溶媒であるジ
エチレングリコールジメチルエーテルがプリベーク処理
における１２０℃の加熱温度で十分に蒸発して除去され
ているためである。
に、プリベーク処理における加熱温度をレジスト層中に
おける溶媒の蒸発量が最大となる最低加熱温度に設定し
た場合の方がパターン精度が向上していることがわか
る。このことは、上述したレジスト材料の溶媒であるジ
エチレングリコールジメチルエーテルがプリベーク処理
における１２０℃の加熱温度で十分に蒸発して除去され
ているためである。
【００３２】このように、プリベーク処理及びＰＥＢ処
理における加熱温度を上述した実施例で示したように設
定制御することによって、明らかにパターン精度の向上
及びパターン形状の改善を図ることが可能となる。
理における加熱温度を上述した実施例で示したように設
定制御することによって、明らかにパターン精度の向上
及びパターン形状の改善を図ることが可能となる。
【００３３】なお、上記実施例において、プリベーク処
理における加熱時間は、レジスト材料に含まれる溶媒の
特性によっても異なるが、レジスト層中における溶媒の
蒸発量が最大となる最低加熱温度と同等もしくは高い温
度で溶媒が十分に蒸発可能となる時間、例えば少なくと
も１分間以上に設定すればよい。
理における加熱時間は、レジスト材料に含まれる溶媒の
特性によっても異なるが、レジスト層中における溶媒の
蒸発量が最大となる最低加熱温度と同等もしくは高い温
度で溶媒が十分に蒸発可能となる時間、例えば少なくと
も１分間以上に設定すればよい。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、露光前加熱処理の加熱温度を最低加熱温度と同等も
しくは高く設定し、露光後加熱処理の加熱温度をレジス
ト層中における溶媒の蒸発量が最大となる最低加熱温度
と同等もしくは低く設定するようにしたので、露光前加
熱処理においてレジスト材料中の溶媒を十分に蒸発させ
て除去し、露光後加熱処理においてレジスト材料中にお
ける溶媒の蒸発を抑制することが可能となる。これによ
り、パターン精度の向上ならびにパターン形状の改善を
図ることができる。
ば、露光前加熱処理の加熱温度を最低加熱温度と同等も
しくは高く設定し、露光後加熱処理の加熱温度をレジス
ト層中における溶媒の蒸発量が最大となる最低加熱温度
と同等もしくは低く設定するようにしたので、露光前加
熱処理においてレジスト材料中の溶媒を十分に蒸発させ
て除去し、露光後加熱処理においてレジスト材料中にお
ける溶媒の蒸発を抑制することが可能となる。これによ
り、パターン精度の向上ならびにパターン形状の改善を
図ることができる。
【００３５】また、露光前後の加熱処理を被処理層を含
む基板に接触した熱伝導体からの加熱によって行なうよ
うにしたので、レジスト材料中の溶媒を短時間かつ効率
的に蒸発させて除去することが可能となる。
む基板に接触した熱伝導体からの加熱によって行なうよ
うにしたので、レジスト材料中の溶媒を短時間かつ効率
的に蒸発させて除去することが可能となる。
【図１】この発明の一実施例に係るレジストパターンの
形成方法に使用される化学増幅型レジスト材料に含まれ
る溶媒の蒸発量とプリベーク温度との関係を示す図であ
る。
形成方法に使用される化学増幅型レジスト材料に含まれ
る溶媒の蒸発量とプリベーク温度との関係を示す図であ
る。
【図２】化学増幅型レジスト材料に含まれる溶媒の蒸発
温度に係る特性を示す図である。
温度に係る特性を示す図である。
【図３】この発明に係るレジストパターンの形成方法の
一実施例におけるレジストパターン及び比較パターンを
示す図である。
一実施例におけるレジストパターン及び比較パターンを
示す図である。
【図４】この発明に係るレジストパターンの形成方法の
一実施例におけるレジストパターン及び比較パターンを
示す図である。
一実施例におけるレジストパターン及び比較パターンを
示す図である。
【図５】この発明のレジストパターンの形成方法に係る
パターン精度を示す図である。
パターン精度を示す図である。
１ 半導体基板 ２，３，４，５，６，８ レジストパターン ７ 合金層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森 一朗 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１ 株式 会社東芝 総合研究所内 (56)参考文献 特開 平４−342260（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−15849（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−38028（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (1)
- 【請求項１】 被処理層上に化学増幅型のレジスト層を
塗布形成する塗布工程と、前記塗布工程後のレジスト層
を被処理層を含む基板に接触した熱伝導体によって加熱
処理温度Ｔ1 で加熱しベーク処理を行なう露光前加熱処
理工程と、前記露光前加熱処理工程後のレジスト層にパ
ターンを露光する露光工程と、前記露光工程後のレジス
ト層を被処理層を含む基板に接触した熱伝導体によって
加熱処理温度Ｔ3 で加熱し露光後ベーク処理を行なう露
光後加熱処理工程と、前記露光後加熱処理工程後のレジ
スト層を現像する現像工程とを有し、加熱処理温度Ｔ1
及びＴ3 が前記化学増幅型のレジスト層中における溶媒
の蒸発量が最大となる最低加熱温度Ｔ2 に対して、 Ｔ1 ≧Ｔ2 かつＴ1 ≧Ｔ3 となるように設定されてなることを特徴とするレジスト
パターンの形成方法。
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| JP5146091A JP2966127B2 (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | レジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP5146091A JP2966127B2 (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | レジストパターンの形成方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JPH04363016A JPH04363016A (ja) | 1992-12-15 |
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-
1991
- 1991-03-15 JP JP5146091A patent/JP2966127B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04363016A (ja) | 1992-12-15 |
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