JP2988000B2 - 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ - Google Patents
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタInfo
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
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- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
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- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Description
ーラトランジスタに関するものである。
(導電度変調型MOSFET)において、特開平2−1
38774号公報にはアノードショート構成にてターン
オフ時のスイッチング特性を改善する技術が開示されて
いる。これは、図15に示すように、ドレイン層26内
にドレイン領域とは導電型の異なる拡散層27を形成
し、この拡散層27にドレイン電極28をコンタクトさ
せている。
すると、ドレイン層26からベース層29への正孔の注
入が抑制され、導電変調の効果が充分得られずオン電圧
が高くなってしまう。この発明の目的は、オン電圧を下
げたままで、ベース層に蓄積したキャリアを速やかに消
滅させてターンオフ時のスイッチング速度を速くするこ
とができる絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを提供
することにある。
と、前記半導体基板の表面に選択的に形成された第1導
電型のベース層と、前記ベース層の表面に選択的に形成
された第2導電型のソース層と、前記半導体基板の表面
に形成された第1導電型のドレイン層と、前記半導体基
板の表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極
と、前記ソース層とベース層に同時にコンタクトして配
設されたソース電極と、前記ドレイン層にコンタクトし
て配設されたドレイン電極とを有する絶縁ゲート型バイ
ポーラトランジスタにおいて、前記ベース層と前記ドレ
イン層との間の半導体基板の表面に、選択的に複数個の
第2導電型の拡散層を、所定距離だけ離間させ、かつ電
気的に接続して形成し、前記拡散層の一部に前記ドレイ
ン電極が抵抗を介してコンタクトしている絶縁ゲート型
バイポーラトランジスタをその要旨とするものである。
また、前記拡散層は、所定のジャンクション臨界電界と
なるように前記第1導電型のベース層に対して所定距離
だけ離間し、対向配置されている絶縁ゲートバイポーラ
トランジスタをその要旨とするものである。
キャリア密度がドレイン層の不純物濃度よりも大きくな
ると、ドレイン層の注入効率が低下するが、拡散層によ
り電子をドレインにバイパスする構造をもつため過剰に
キャリア密度が高くなることもなく、ドレイン層の注入
効果の低下が抑えられる。又、ターンオフ時に、ゲート
電極の下のチャネル領域の反転層が消失してソース層か
らの電子注入がなくなった状態で、素子内に蓄積された
電子は低注入になるまでベース層内の拡散層に排出さ
れ、正孔はベース層を通ってソース層に抜ける。よっ
て、短絡抵抗を介して蓄積キャリアの消失動作が行われ
ることになり、ターンオフ時のスイッチング速度は速い
ものとなる。
に従って説明する。図1は横型の絶縁ゲート型バイポー
ラトランジスタ(導電変調型MOSFET)の平面図を
示し、図2には図1のA−A断面を示す。図3は図1の
B−B断面を示す。
成長による高抵抗n- 型ベース層2が形成され、半導体
基板を構成している。尚、シリコン基板1はp- 又はp
+ 型でもよい。n- 型ベース層2の表面にはp型ベース
層3が形成され、その中に選択的にn + 型ソース層4が
形成されている。又、n- 型ベース層2の表面にはp+
型ドレイン層5が形成されている。そして、p型ベース
層3におけるn+ 型ソース層4とn- 型ベース層2に挟
まれた領域をチャネル領域6として、この上にゲート絶
縁膜7を介してゲート電極8が配置されている。ソース
電極9はn+型ソース層4とp型ベース層3に同時にコ
ンタクトするように配設され、ドレイン電極10はp+
型ドレイン層5にコンタクトさせている。
ベース層3とp+ 型ドレイン層5との間には島状の拡散
層としてのn+型バッファ層11,12,13が一列に
選択的に形成されている。各n+ 型バッファ層11,1
2,13は縦・横がW1,W2よりなる方形に形成さ
れ、p型ベース層3から距離Laだけ離間しているとと
もにp+ 型ドレイン層5から距離Lbだけ離間してい
る。又、n+ 型バッファ層11と12とは距離Lw1だけ
離間し、n+ 型バッファ層12と13とは距離Lw2だけ
離間している。そして、各n+ 型バッファ層11,1
2,13は配線材14にて電気的に接続され、同電位と
なっている。
タクト用n+ 型層15が形成され、コンタクト用n+ 型
層15はバルク抵抗16にてn+ 型バッファ層11,1
2,13と接続されている(図3参照)。同バルク抵抗
16はドレイン電極10にて接続されている。つまり、
これらの配線されたn+ 型バッファ層11,12,13
はn- 型ベース層2の広がりバルク抵抗16を介して、
コンタクト用n+ 層15を経由してドレイン電極10に
接続されている。
n-型ベース層2への配設は、平面的にマスクパターン
で形成でき、n+型バッファ層11,12,13の面積
(=W1・W2)及び距離Lb はキャリア排出能力に関
与するものである。又、n+ 型バッファ層11,12,
13の間隔Lw1,Lw2を適切にとることにより、ソース
からドレインへのキャリア導通路の妨げとならない。さ
らに、距離Laは本素子の耐圧に関係するため、DーS
間耐圧設計によって決まるものである。
イポーラトランジスタの作用を説明する。ターンオン動
作はゲート電極8にソース電極9に対して正のバイアス
を印加し、チャネル領域6を反転させソース電極9から
電子をn-型ベース層2に注入することにより行われ
る。そして、n- 型ベース層2に注入された電子のうち
の一部は、選択的に形成されたn+ 型バッファ層11,
12,13に流入し、残りはp+ 型ドレイン層5に注入
される。このn+ 型バッファ層11,12,13に流入
した電子はバルク抵抗16を介してドレイン電極10へ
流れ、p+ 型ドレイン層5に注入された電子は正孔のn
- 型ベース2への注入を引き起こす。これにより、n-
型ベース層2内で導電変調が起こる。このとき、n+ 型
バッファ層11,12,13はp+型ドレイン層5から
は離れて配設され、又、バルク抵抗16にて接続されて
いるため、電子電流が抵抗16に流れればn+ 型バッフ
ァ層11,12,13の電位がp+ 型ドレイン層5に対
して下がる。
内のキャリア密度がp+ 型ドレイン層5の不純物濃度よ
りも大きくなると、p+ 型ドレイン層5の注入効率が低
下するが、n+ 型バッファ層11,12,13により電
子をドレインにバイパスする構造をもつため過剰にキャ
リア密度が高くなることもなく、p+ 型ドレイン層5の
注入効果の低下を抑える。このことは、p+ 型ドレイン
層5〜n- 型ベース層2〜p型ベース層3からなるpn
pトランジスタの電流利得を零とするアノード・ショー
ト構造とは異なり、図4に示すように、電子電流がバル
ク抵抗16に流れpnpトランジスタTr1のエミッタ
(p+ 型ドレイン層5)〜ベース(n- 型ベース層2)
の間にバイアス抵抗Rをもった構造をなしていることと
なる。
負バイアス又は零バイアスを与えることにより行われ
る。これにより、ゲート電極8下のチャネル領域6の反
転層が消失してn + 型ソース層4からの電子注入がなく
なる。この状態で、素子内に蓄積された電子は低注入に
なるまではn-型ベース層2内のn+型バッファ層11,
12,13に排出され、正孔はp型ベース層3を通って
ソース電極9に抜ける。即ち、先述のpnpトランジス
タTr1のベース・エミッタ間の短絡抵抗Rを介して蓄積
キャリアの消失動作が行われることになり、ターンオフ
時のスイッチング速度は速いものとなる。
ト型バイポーラトランジスタにおいてp型ベース層3と
p+型ドレイン層5との間を半導体基板の表面に、選択
的にn+型バッファ層11,12,13を形成して、こ
のn+型バッファ層11,12,13にドレイン電極1
0を抵抗16を介してコンタクトした。その結果、ター
ンオン時に、大電流が流れてn-型ベース層2内のキャ
リア密度がp+型ドレイン層5の不純物濃度よりも大き
くなるとp+型ドレイン層の注入効率が低下するが、n+
型バッファ層11,12,13により電子をドレインに
バイパスする構造をもつため過剰にキャリア密度が高く
なることもなく、p+型ドレイン層5の注入効果の低下
が抑えられる。又、ターンオフ時にゲート電極8下のチ
ャネル領域6の反転層が消失してn + 型ソース層4から
の電子注入がなくなった状態で、素子内に蓄積された電
子は低注入になるまでn-型ベース層2内のn+型バッフ
ァ層11,12,13に排出され、正孔はp型ベース層
3を通ってn+型ソース層4に抜ける。つまり、短絡抵
抗16を介して蓄積キャリアの消失動作が行われること
になり、ターンオフ時のスイッチング速度は速いものと
なる。
のではなく、例えば、図5,6のように実施してもよ
い。つまり、n+ 型バッファ層17がp型ベース層3
(n+ 型ソース層4、ゲート電極8の無い部分)から距
離Lをもって対向配置されている。そして、n+ 型バッ
ファ層17はn+ 型バッファ層11,12,13と同電
位となるように配線されている。
零バイアスを与え、トランジスタをオフにしドレイン電
極10の電位をソース電極9に対して上昇させていく
と、図7に示すように、p型ベース層3とn- 型ベース
層2に外部電界を打ち消すように空乏層が広がる。この
時、ドレイン・ソース間電位が上昇すると、空乏層がn
- 型ベース層2中を広がるが、図8に示すように、n+
型バッファ層17が存在すると、n+ 型バッファ層17
にて空乏層の広がりが抑えられ、p型ベース層3とn-
型ベース層2とのジャンクション臨界電界Ecを越える
と、そのジャンクションはブレイクダウンする。ブレイ
クダウン電流は、抵抗16を通してドレインからソース
側に流れるため、n+ 型バッファ層17の電位はドレイ
ンに対して低いものとなる。このようにして、n+ 型バ
ッファ層17の配置位置(L寸法の調整)によりブレイ
クダウン電圧を適宜調整できることとなる。尚、n+ 型
バッファ層17は配線にてn+ 型バッファ層11〜13
に接続されているためp型ドレインとn- ベース層を順
方向にバイアスする。
る。即ち、DーS間の電位クランプ回路となる。又、電
位クランプ回路において、あくまでも基準電圧はツェナ
ダイオード部分Dz であり、主たるクランプ回路はp+
型ドレイン層5とn- 型ベース層2とp型ベース層3か
らなるpnpトランジスタTr1のため、抵抗Rにかかる
負荷は小さい。
に、n+ 型バッファ層17,18,19の形状は矩形と
ならなくても円形等でもよい。又、図10においては、
n+ 型ソース層4からn- 型ベース層2に注入された電
子のうち、チャネル外部へ流出しようとしたものを捕獲
するようにn+ 型バッファ層20,21を配設してい
る。
ファ層22は列状に並んでなくてもよく、n- 型ベース
層2にn+ 型バッファ層22をランダムに配設し、キャ
リアの抜き取り効率を高めてもよい。さらには、n+ 型
バッファ層からドレイン電極には、抵抗を介して接続さ
れるが、その抵抗の形成方法として、図12に示すよう
に、n+ 型バッファ層23を利用したり、図13に示す
ように、ポリシリコン抵抗24を利用したり、図14に
示すように、外部抵抗25によってもよい。
オン電圧を下げたままで、ベース層に蓄積したキャリア
を速やかに消滅させてターンオフ時のスイッチング速度
を速くすることができる優れた効果を発揮する。
の平面図である。
の等価回路である。
平面図である。
等価回路である。
スタの平面図である。
スタの平面図である。
の平面図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 半導体基板と、 前記半導体基板の表面に選択的に形成された第1導電型
のベース層と、 前記ベース層の表面に選択的に形成された第2導電型の
ソース層と、 前記半導体基板の表面に形成された第1導電型のドレイ
ン層と、 前記半導体基板の表面にゲート絶縁膜を介して形成され
たゲート電極と、 前記ソース層とベース層に同時にコンタクトして配設さ
れたソース電極と、 前記ドレイン層にコンタクトして配設されたドレイン電
極とを有する絶縁ゲート型バイポーラトランジスタにお
いて、 前記ベース層と前記ドレイン層との間の半導体基板の表
面に、選択的に複数個の第2導電型の拡散層を、所定距
離だけ離間させ、かつ電気的に接続して形成し、前記 拡散層の一部に前記ドレイン電極が抵抗を介してコ
ンタクトしていることを特徴とする絶縁ゲート型バイポ
ーラトランジスタ。 - 【請求項2】 前記拡散層は、所定のジャンクション臨
界電界となるように前記第1導電型のベース層に対して
所定距離だけ離間し、対向配置されていることを特徴と
する請求項1に記載の絶縁ゲートバイポーラトランジス
タ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3116317A JP2988000B2 (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3116317A JP2988000B2 (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04343475A JPH04343475A (ja) | 1992-11-30 |
JP2988000B2 true JP2988000B2 (ja) | 1999-12-06 |
Family
ID=14683998
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3116317A Expired - Lifetime JP2988000B2 (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2988000B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005136208A (ja) * | 2003-10-30 | 2005-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-05-21 JP JP3116317A patent/JP2988000B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04343475A (ja) | 1992-11-30 |
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