JP2947468B2 - 複合電子回路装置 - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子回路装置、特
に、複数の電子部品を回路基板上に積層して固着した複
合電子回路装置に関する。
に、複数の電子部品を回路基板上に積層して固着した複
合電子回路装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図7に示すように、従来の電子回路装置
では、樹脂封止体(パッケージ)(1)から複数の金属
製リード(2)を導出させた複数の電子部品(3)を回
路基板(4)上に個別に搭載していた。
では、樹脂封止体(パッケージ)(1)から複数の金属
製リード(2)を導出させた複数の電子部品(3)を回
路基板(4)上に個別に搭載していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この種の電
子回路装置にも、高集積化(高密度実装化)の要求が高
まっている。従来の電子回路装置では、複数の電子部品
を直立して搭載(配置)するため、回路基板(4)の有
効実装面積が制限され、このため高密度実装化に限界が
あった。
子回路装置にも、高集積化(高密度実装化)の要求が高
まっている。従来の電子回路装置では、複数の電子部品
を直立して搭載(配置)するため、回路基板(4)の有
効実装面積が制限され、このため高密度実装化に限界が
あった。
【0004】本発明は、電子部品の高密度実装化が可能
な複合電子回路装置を提供することを目的とする。
な複合電子回路装置を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明による複合電子回
路装置は、第1の電子回路(28)を封止する第1の絶
縁物封止体(30)を備え且つ回路基板(11)に固着
される第1の半導体装置(12)と、第2の電子回路
(41)を封止する第2の絶縁物封止体(43)を備え
且つ第1の絶縁物封止体(30)に固着された第2の半
導体装置(13)とを備え、第1の絶縁物封止体(3
0)から導出された第1のリード(25)は回路基板
(11)の配線導体(15)に電気的に接続され、第2
の絶縁物封止体(43)から導出された第2のリード
(39、40、56)は回路基板(11)の異なる配線
導体(18、19)に電気的に接続される。第1の絶縁
物封止体(30)の一方の主面(30a)に第1の金属
製接着層(31、32、33)を形成し、第1の金属製
接着層(31、32、33)をろう材(45)によって
回路基板(11)に接着する。第1の絶縁物封止体(3
0)の他方の主面(30b)に第2の金属製接着層(3
4、35、54)を形成し、第2の半導体装置(13)
をろう材(46)によって第2の金属製接着層(34、
35、54)に接着する。
路装置は、第1の電子回路(28)を封止する第1の絶
縁物封止体(30)を備え且つ回路基板(11)に固着
される第1の半導体装置(12)と、第2の電子回路
(41)を封止する第2の絶縁物封止体(43)を備え
且つ第1の絶縁物封止体(30)に固着された第2の半
導体装置(13)とを備え、第1の絶縁物封止体(3
0)から導出された第1のリード(25)は回路基板
(11)の配線導体(15)に電気的に接続され、第2
の絶縁物封止体(43)から導出された第2のリード
(39、40、56)は回路基板(11)の異なる配線
導体(18、19)に電気的に接続される。第1の絶縁
物封止体(30)の一方の主面(30a)に第1の金属
製接着層(31、32、33)を形成し、第1の金属製
接着層(31、32、33)をろう材(45)によって
回路基板(11)に接着する。第1の絶縁物封止体(3
0)の他方の主面(30b)に第2の金属製接着層(3
4、35、54)を形成し、第2の半導体装置(13)
をろう材(46)によって第2の金属製接着層(34、
35、54)に接着する。
【0006】本発明によれば、回路基板(11)に固着
した第1の半導体装置(12)の第1の絶縁物封止体
(30)の上に第2の半導体装置(13)の第2の絶縁
物封止体(43)を積層して固着するので、回路基板
(11)の単位面積当たりの実装密度を増加することが
できる。
した第1の半導体装置(12)の第1の絶縁物封止体
(30)の上に第2の半導体装置(13)の第2の絶縁
物封止体(43)を積層して固着するので、回路基板
(11)の単位面積当たりの実装密度を増加することが
できる。
【0007】本発明の実施の形態では、第2のリード
(39、40)をろう材(46)によって第2の金属製
接着層(34、35)に接着し、第2のリード(39、
40)により第1の絶縁物封止体(30)と第2の絶縁
物封止体(43)との間に間隙(26)が形成される。
第2のリード(39、40)は、第2の金属製接着層
(34、35)と、第1の絶縁物封止体(30)の側面
(30c、30d)に形成した接続部(36、37)
と、第1の金属製接着層(32、33)とを介して配線
導体(18、19)に電気的に接続される。第1のリー
ド(25)は第1の絶縁物封止体(30)から略90°
の角度で折り曲げられて回路基板(11)の配線導体
(15)に接続されたスルーホール(44)に電気的に
接続される。この実施の形態では、第1の半導体装置
(12)の第1の金属製接着層(32、33)及び第2
の金属製接着層(34、35)並びに接続部(36、3
7)が第2の半導体装置(13)の配線導体を兼ねるの
で、複雑な電気的配線に省スペースで対応できる。ま
た、第1の絶縁物封止体(30)と第2の絶縁物封止体
(43)との間に形成される間隙(26)により放熱性
が向上する。
(39、40)をろう材(46)によって第2の金属製
接着層(34、35)に接着し、第2のリード(39、
40)により第1の絶縁物封止体(30)と第2の絶縁
物封止体(43)との間に間隙(26)が形成される。
第2のリード(39、40)は、第2の金属製接着層
(34、35)と、第1の絶縁物封止体(30)の側面
(30c、30d)に形成した接続部(36、37)
と、第1の金属製接着層(32、33)とを介して配線
導体(18、19)に電気的に接続される。第1のリー
ド(25)は第1の絶縁物封止体(30)から略90°
の角度で折り曲げられて回路基板(11)の配線導体
(15)に接続されたスルーホール(44)に電気的に
接続される。この実施の形態では、第1の半導体装置
(12)の第1の金属製接着層(32、33)及び第2
の金属製接着層(34、35)並びに接続部(36、3
7)が第2の半導体装置(13)の配線導体を兼ねるの
で、複雑な電気的配線に省スペースで対応できる。ま
た、第1の絶縁物封止体(30)と第2の絶縁物封止体
(43)との間に形成される間隙(26)により放熱性
が向上する。
【0008】本発明の他の実施の形態では、第2の絶縁
物封止体(43)の一方の主面(43b)に第3の金属
製接着層(59)を形成し、第3の金属製接着層(5
9)をろう材(46)によって第2の金属製接着層(5
4)に接着する。第2のリード(56)は第2の絶縁物
封止体(43)から略90°の角度で折り曲げられて回
路基板(11)の配線導体(18)に接続されたスルー
ホール(44)に電気的に接続される。
物封止体(43)の一方の主面(43b)に第3の金属
製接着層(59)を形成し、第3の金属製接着層(5
9)をろう材(46)によって第2の金属製接着層(5
4)に接着する。第2のリード(56)は第2の絶縁物
封止体(43)から略90°の角度で折り曲げられて回
路基板(11)の配線導体(18)に接続されたスルー
ホール(44)に電気的に接続される。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明による複合電子回路装置の
第1の実施の形態を図1〜図5について説明する。第1
の実施の形態による複合電子回路装置は、図1に示すよ
うに回路基板(11)と、複数の半導体装置(12、1
3)とから構成される。
第1の実施の形態を図1〜図5について説明する。第1
の実施の形態による複合電子回路装置は、図1に示すよ
うに回路基板(11)と、複数の半導体装置(12、1
3)とから構成される。
【0010】例えばエポキシ樹脂等から成る板材により
形成された回路基板(11)の一方の主面には、図2に
示すように、相互に電気的に分離して銅等の導電性金属
から形成された3個の配線導体(15)と、対向して形
成された一対の配線導体(18、19)と、一対の配線
導体(18、19)の間にH形平面形状に形成された第
1の電極(20)とが印刷等によって設けられる。第1
の電極(20)は、配線導体(15、18、19)から
離間した位置に島状に形成される。配線導体(18、1
9)にはそれぞれ第2の電極(21)及び第3の電極
(22)が設けられる。3個の配線導体(15)の各一
端に形成されたランド(15a)にはスルーホール(4
4)が形成される。3個のスルーホール(44)の各内
壁に銅メッキにより形成された接続部(15b)を介し
てランド(15a)は回路基板(11)の他方の主面に
形成された電極(23)に電気的に接続される。
形成された回路基板(11)の一方の主面には、図2に
示すように、相互に電気的に分離して銅等の導電性金属
から形成された3個の配線導体(15)と、対向して形
成された一対の配線導体(18、19)と、一対の配線
導体(18、19)の間にH形平面形状に形成された第
1の電極(20)とが印刷等によって設けられる。第1
の電極(20)は、配線導体(15、18、19)から
離間した位置に島状に形成される。配線導体(18、1
9)にはそれぞれ第2の電極(21)及び第3の電極
(22)が設けられる。3個の配線導体(15)の各一
端に形成されたランド(15a)にはスルーホール(4
4)が形成される。3個のスルーホール(44)の各内
壁に銅メッキにより形成された接続部(15b)を介し
てランド(15a)は回路基板(11)の他方の主面に
形成された電極(23)に電気的に接続される。
【0011】第1の電子部品としての半導体装置(1
2)は、一方の主面(30a)及び他方の主面(30
b)を有する樹脂封止体等の絶縁物封止体(30)と、
絶縁物封止体(30)から導出された3個の第1のリー
ド(25)とを備えている。
2)は、一方の主面(30a)及び他方の主面(30
b)を有する樹脂封止体等の絶縁物封止体(30)と、
絶縁物封止体(30)から導出された3個の第1のリー
ド(25)とを備えている。
【0012】図1に示すように、半導体装置(12)の
絶縁物封止体(30)内には、支持板(24)と、支持
板(24)の一方の端部側に並置された3個の第1のリ
ード(25)の各一端と、支持板(24)に載置された
第1の電子回路を構成する半導体素子(28)と、半導
体素子(28)と第1のリード(25)のいずれかとを
電気的に接続する金属細線(29)とが設けられる。3
個の第1のリード(25)の各々は回路基板(11)に
向かって折り曲げられ、3個の第1のリード(25)の
各他端は、回路基板(11)の対応するスルーホール
(44)に挿入され、配線導体(15)のランド(15
a)及び電極(23)に半田(60)によってろう付け
される。絶縁物封止体(30)は、支持板(24)の全
面、第1のリード(25)の一端、半導体素子(28)
及び金属細線(29)を封止する。図3に示すように、
半導体装置(12)の絶縁物封止体(30)の一方の主
面(30a)には、第1の金属製接着層として、第1の
接着層(31)、第2の接着層(32)及び第3の接着
層(33)が形成される。第1の接着層(31)は、絶
縁物封止体(30)の一対の長辺に隣接する一対の切欠
部(31a、31b)と共にH形平面形状に形成され
る。第2の接着層(32)及び第3の接着層(33)
は、第1の接着層(31)から電気的に離間して切欠部
(31a、31b)内に形成される。半導体装置(1
2)の絶縁物封止体(30)の一方の主面(30a)に
形成された第1の金属製接着層としての第1の接着層
(31)、第2の接着層(32)、第3の接着層(3
3)は、それぞれ回路基板(11)の一方の主面に形成
された第1の電極(20)、第2の電極(21)、第3
の電極(22)にろう材(半田)(45)によって接着
される。また、図4に示すように、絶縁物封止体(3
0)の他方の主面(30b)には、第2の金属製接着層
としての第4の接着層(34)及び第5の接着層(3
5)が形成され、絶縁物封止体(30)の側面(30
c、30d)には第1の接続部(36)及び第2の接続
部(37)が形成される。第1の接着層(31)、第2
の接着層(32)、第3の接着層(33)、第4の接着
層(34)、第5の接着層(35)、第1の接続部(3
6)及び第2の接続部(37)は導電性材料、例えば銅
等の無電解メッキ法によって形成することができる。絶
縁物封止体(30)の一方の主面(30a)に形成され
た第1の金属製接着層としての第2の接着層(32)は
第1の接続部(36)を介して絶縁物封止体(30)の
他方の主面(30b)に形成された第2の金属製接着層
としての第4の接着層(34)に電気的に接続される。
同様に、絶縁物封止体(30)の一方の主面(30a)
に形成された第1の金属製接着層としての第3の接着層
(33)は第2の接続部(37)を介して絶縁物封止体
(30)の他方の主面(30b)に形成された第2の金
属製接着層としての第5の接着層(35)に電気的に接
続される。
絶縁物封止体(30)内には、支持板(24)と、支持
板(24)の一方の端部側に並置された3個の第1のリ
ード(25)の各一端と、支持板(24)に載置された
第1の電子回路を構成する半導体素子(28)と、半導
体素子(28)と第1のリード(25)のいずれかとを
電気的に接続する金属細線(29)とが設けられる。3
個の第1のリード(25)の各々は回路基板(11)に
向かって折り曲げられ、3個の第1のリード(25)の
各他端は、回路基板(11)の対応するスルーホール
(44)に挿入され、配線導体(15)のランド(15
a)及び電極(23)に半田(60)によってろう付け
される。絶縁物封止体(30)は、支持板(24)の全
面、第1のリード(25)の一端、半導体素子(28)
及び金属細線(29)を封止する。図3に示すように、
半導体装置(12)の絶縁物封止体(30)の一方の主
面(30a)には、第1の金属製接着層として、第1の
接着層(31)、第2の接着層(32)及び第3の接着
層(33)が形成される。第1の接着層(31)は、絶
縁物封止体(30)の一対の長辺に隣接する一対の切欠
部(31a、31b)と共にH形平面形状に形成され
る。第2の接着層(32)及び第3の接着層(33)
は、第1の接着層(31)から電気的に離間して切欠部
(31a、31b)内に形成される。半導体装置(1
2)の絶縁物封止体(30)の一方の主面(30a)に
形成された第1の金属製接着層としての第1の接着層
(31)、第2の接着層(32)、第3の接着層(3
3)は、それぞれ回路基板(11)の一方の主面に形成
された第1の電極(20)、第2の電極(21)、第3
の電極(22)にろう材(半田)(45)によって接着
される。また、図4に示すように、絶縁物封止体(3
0)の他方の主面(30b)には、第2の金属製接着層
としての第4の接着層(34)及び第5の接着層(3
5)が形成され、絶縁物封止体(30)の側面(30
c、30d)には第1の接続部(36)及び第2の接続
部(37)が形成される。第1の接着層(31)、第2
の接着層(32)、第3の接着層(33)、第4の接着
層(34)、第5の接着層(35)、第1の接続部(3
6)及び第2の接続部(37)は導電性材料、例えば銅
等の無電解メッキ法によって形成することができる。絶
縁物封止体(30)の一方の主面(30a)に形成され
た第1の金属製接着層としての第2の接着層(32)は
第1の接続部(36)を介して絶縁物封止体(30)の
他方の主面(30b)に形成された第2の金属製接着層
としての第4の接着層(34)に電気的に接続される。
同様に、絶縁物封止体(30)の一方の主面(30a)
に形成された第1の金属製接着層としての第3の接着層
(33)は第2の接続部(37)を介して絶縁物封止体
(30)の他方の主面(30b)に形成された第2の金
属製接着層としての第5の接着層(35)に電気的に接
続される。
【0013】半導体装置(12)の絶縁物封止体(3
0)の他方の主面(30b)に配置された第2の電子部
品としての半導体装置(13)は、図5に示すように、
樹脂封止体等の絶縁物封止体(43)と、絶縁物封止体
(43)の対向する側面(43a)から導出された一対
の第2のリード(39、40)とを有する。第2のリー
ド(39、40)は、間隙(26)を形成して絶縁物封
止体(43)の下面に折り曲げられ、第2のリード(3
9、40)の折り曲げ端部は、それぞれ半導体装置(1
2)の第2の金属製接着層としての第4の接着層(3
4)と第5の接着層(35)にろう材(半田)(46)
によって接着される。半導体装置(13)の絶縁物封止
体(43)内には、支持板(38)と、支持板(38)
の一方の端部に連結された第2のリード(39)の一端
と、支持板(38)の他方の端部側に離間して配置され
た第2のリード(40)の一端と、支持板(38)に載
置された第2の電子回路を構成する半導体素子(41)
と、半導体素子(41)とリード(40)とを電気的に
接続する金属細線(42)とが設けられる。絶縁物封止
体(43)は、支持板(38)の全面と、第2のリード
(39、40)の一端と、半導体素子(41)と、金属
細線(42)とを封止する。
0)の他方の主面(30b)に配置された第2の電子部
品としての半導体装置(13)は、図5に示すように、
樹脂封止体等の絶縁物封止体(43)と、絶縁物封止体
(43)の対向する側面(43a)から導出された一対
の第2のリード(39、40)とを有する。第2のリー
ド(39、40)は、間隙(26)を形成して絶縁物封
止体(43)の下面に折り曲げられ、第2のリード(3
9、40)の折り曲げ端部は、それぞれ半導体装置(1
2)の第2の金属製接着層としての第4の接着層(3
4)と第5の接着層(35)にろう材(半田)(46)
によって接着される。半導体装置(13)の絶縁物封止
体(43)内には、支持板(38)と、支持板(38)
の一方の端部に連結された第2のリード(39)の一端
と、支持板(38)の他方の端部側に離間して配置され
た第2のリード(40)の一端と、支持板(38)に載
置された第2の電子回路を構成する半導体素子(41)
と、半導体素子(41)とリード(40)とを電気的に
接続する金属細線(42)とが設けられる。絶縁物封止
体(43)は、支持板(38)の全面と、第2のリード
(39、40)の一端と、半導体素子(41)と、金属
細線(42)とを封止する。
【0014】本実施の形態では、以下の作用・効果が得
られる。 (1) 2つの半導体装置(12、13)を垂直に重ね
て配置できるので、電子部品の高密度実装が可能であ
る。 (2) 第1の半導体装置(12)の第2の接着層(第
1の金属製接着層)(32)、第3の接着層(第1の金
属製接着層)(33)、第4の接着層(第2の金属製接
着層)(34)及び第5の接着層(第2の金属製接着
層)(35)並びに第1の接続部(36)及び第2の接
続部(37)が第2の半導体装置(13)の配線導体を
兼ねるので、複雑な電気的配線に省スペースで対応でき
る。 (3) 第1の半導体装置(12)の他方の主面(30
b)と第2の半導体装置(13)の下面との間に形成さ
れる間隙(26)により放熱性が向上する。
られる。 (1) 2つの半導体装置(12、13)を垂直に重ね
て配置できるので、電子部品の高密度実装が可能であ
る。 (2) 第1の半導体装置(12)の第2の接着層(第
1の金属製接着層)(32)、第3の接着層(第1の金
属製接着層)(33)、第4の接着層(第2の金属製接
着層)(34)及び第5の接着層(第2の金属製接着
層)(35)並びに第1の接続部(36)及び第2の接
続部(37)が第2の半導体装置(13)の配線導体を
兼ねるので、複雑な電気的配線に省スペースで対応でき
る。 (3) 第1の半導体装置(12)の他方の主面(30
b)と第2の半導体装置(13)の下面との間に形成さ
れる間隙(26)により放熱性が向上する。
【0015】図6は、本発明による複合電子回路装置の
第2の実施の形態を示す。図6に示すように、第1の半
導体装置(12)と第2の半導体装置(13)とが回路
基板(11)上に垂直に積層して配置される。
第2の実施の形態を示す。図6に示すように、第1の半
導体装置(12)と第2の半導体装置(13)とが回路
基板(11)上に垂直に積層して配置される。
【0016】半導体装置(12)は、絶縁物封止体(3
0)と、絶縁物封止体(30)の一方の側面から導出さ
れた複数の第1のリード(25)とを有し、各リード
(25)の先端は回路基板(11)に形成されたスルー
ホール(44)に半田(60)によってろう付けされて
いる。また、半導体装置(12)の絶縁物封止体(3
0)の一方の主面(30a)に形成された第1の金属製
接着層(31)は、回路基板(11)の電極(20)に
ろう材(45)よって接着される。また、半導体装置
(12)の絶縁物封止体(30)の他方の主面(30
b)に形成された第2の金属製接着層(54)には、半
導体装置(13)の絶縁物封止体(43)の下面(43
b)に形成された第3の金属製接着層(59)がろう材
(46)によって接着される。半導体装置(13)は、
絶縁物封止体(43)と、絶縁物封止体(43)の一方
の側面から導出された複数のリード(56)を有し、各
リード(56)は回路基板(11)に形成された他のス
ルーホール(44)に半田(58)によって接着され
る。本実施形態の電子回路装置でも、電子部品の高密度
実装が可能である。
0)と、絶縁物封止体(30)の一方の側面から導出さ
れた複数の第1のリード(25)とを有し、各リード
(25)の先端は回路基板(11)に形成されたスルー
ホール(44)に半田(60)によってろう付けされて
いる。また、半導体装置(12)の絶縁物封止体(3
0)の一方の主面(30a)に形成された第1の金属製
接着層(31)は、回路基板(11)の電極(20)に
ろう材(45)よって接着される。また、半導体装置
(12)の絶縁物封止体(30)の他方の主面(30
b)に形成された第2の金属製接着層(54)には、半
導体装置(13)の絶縁物封止体(43)の下面(43
b)に形成された第3の金属製接着層(59)がろう材
(46)によって接着される。半導体装置(13)は、
絶縁物封止体(43)と、絶縁物封止体(43)の一方
の側面から導出された複数のリード(56)を有し、各
リード(56)は回路基板(11)に形成された他のス
ルーホール(44)に半田(58)によって接着され
る。本実施形態の電子回路装置でも、電子部品の高密度
実装が可能である。
【0017】本発明の実施の形態では、更に変更が可能
である。例えば、第2の半導体装置(13)の上に第3
以上の半導体装置を更に積層し固着することができる。
である。例えば、第2の半導体装置(13)の上に第3
以上の半導体装置を更に積層し固着することができる。
【0018】
【発明の効果】本発明による複合電子回路装置では、複
数の半導体装置を垂直に重ねて配置できるので、電子部
品の高密度実装が可能である。
数の半導体装置を垂直に重ねて配置できるので、電子部
品の高密度実装が可能である。
【図1】 本発明による複合電子回路装置の側面図
【図2】 図1に示す回路基板の平面図
【図3】 第1の半導体装置の底面図
【図4】 第1の半導体装置の平面図
【図5】 図1のV−V線に沿う断面図
【図6】 本発明の他の実施の形態を示す複合電子回路
装置の側面図
装置の側面図
【図7】 従来の電子回路装置の側面図
(11)・・回路基板、 (12)・・第1の半導体装
置、 (13)・・第2の半導体装置、 (15)・・
配線導体、 (18、19)・・配線導体、(21、2
2)・・電極、 (25)・・第1のリード、 (2
6)・・間隙、(28)・・半導体素子(第1の電子回
路)、 (30)・・第1の絶縁物封止体、 (30
a)・・一方の主面、 (30b)・・他方の主面、
(30c、30d)・・側面、 (31)・・第1の接
着層(第1の金属製接着層)、 (32)・・第2の接
着層(第1の金属製接着層)、 (33)・・第3の接
着層(第1の金属製接着層)、 (34)・・第4の接
着層(第2の金属製接着層)、 (35)・・第5の接
着層(第2の金属製接着層)、 (36、37)・・接
続部、 (39、40、56)・・第2のリード、
(41)・・半導体素子(第2の電子回路)、 (4
3)・・第2の絶縁物封止体、 (43a)・・側面、
(43b)・・一方の主面、 (44)・・スルーホ
ール、 (45、46)・・ろう材、 (54)・・第
2の金属製接着層、 (59)・・第3の金属製接着
層、
置、 (13)・・第2の半導体装置、 (15)・・
配線導体、 (18、19)・・配線導体、(21、2
2)・・電極、 (25)・・第1のリード、 (2
6)・・間隙、(28)・・半導体素子(第1の電子回
路)、 (30)・・第1の絶縁物封止体、 (30
a)・・一方の主面、 (30b)・・他方の主面、
(30c、30d)・・側面、 (31)・・第1の接
着層(第1の金属製接着層)、 (32)・・第2の接
着層(第1の金属製接着層)、 (33)・・第3の接
着層(第1の金属製接着層)、 (34)・・第4の接
着層(第2の金属製接着層)、 (35)・・第5の接
着層(第2の金属製接着層)、 (36、37)・・接
続部、 (39、40、56)・・第2のリード、
(41)・・半導体素子(第2の電子回路)、 (4
3)・・第2の絶縁物封止体、 (43a)・・側面、
(43b)・・一方の主面、 (44)・・スルーホ
ール、 (45、46)・・ろう材、 (54)・・第
2の金属製接着層、 (59)・・第3の金属製接着
層、
Claims (5)
- 【請求項1】 第1の電子回路を封止する第1の絶縁物
封止体を備え且つ回路基板に固着される第1の半導体装
置と、第2の電子回路を封止する第2の絶縁物封止体を
備え且つ前記第1の絶縁物封止体に固着された第2の半
導体装置とを備え、前記第1の絶縁物封止体から導出さ
れた第1のリードは前記回路基板の配線導体に電気的に
接続され、前記第2の絶縁物封止体から導出された第2
のリードは前記回路基板の異なる配線導体に電気的に接
続された複合電子回路装置において、 前記第1の絶縁物封止体の一方の主面に第1の金属製接
着層を形成し、 前記第1の金属製接着層をろう材によって前記回路基板
に接着し、 前記第1の絶縁物封止体の他方の主面に第2の金属製接
着層を形成し、 前記第2の半導体装置をろう材によって前記第2の金属
製接着層に接着したことを特徴とする複合電子回路装
置。 - 【請求項2】 前記第2のリードを前記ろう材によって
前記第2の金属製接着層に接着し、 前記第2のリードにより前記第1の絶縁物封止体と前記
第2の絶縁物封止体との間に間隙が形成され、 前記第2のリードは、前記第2の金属製接着層と、前記
第1の絶縁物封止体の側面に形成した接続部と、前記第
1の金属製接着層とを介して前記配線導体に電気的に接
続された請求項1に記載の複合電子回路装置。 - 【請求項3】 前記第1のリードは前記第1の絶縁物封
止体から略90°の角度で折り曲げられて前記回路基板
の配線導体に接続されたスルーホールに電気的に接続さ
れた請求項1又は2に記載の複合電子回路装置。 - 【請求項4】 前記第2の絶縁物封止体の一方の主面に
第3の金属製接着層を形成し、 前記第3の金属製接着層を前記ろう材によって前記第2
の金属製接着層に接着した請求項1に記載の複合電子回
路装置。 - 【請求項5】 前記第2のリードは前記第2の絶縁物封
止体から略90°の角度で折り曲げられて前記回路基板
の配線導体に接続されたスルーホールに電気的に接続さ
れた請求項4に記載の複合電子回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30760997A JP2947468B2 (ja) | 1997-11-10 | 1997-11-10 | 複合電子回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30760997A JP2947468B2 (ja) | 1997-11-10 | 1997-11-10 | 複合電子回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11145378A JPH11145378A (ja) | 1999-05-28 |
JP2947468B2 true JP2947468B2 (ja) | 1999-09-13 |
Family
ID=17971105
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30760997A Expired - Fee Related JP2947468B2 (ja) | 1997-11-10 | 1997-11-10 | 複合電子回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2947468B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6149982B2 (ja) * | 2013-06-28 | 2017-06-21 | 株式会社デンソー | 電子装置 |
-
1997
- 1997-11-10 JP JP30760997A patent/JP2947468B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11145378A (ja) | 1999-05-28 |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |