JP2939751B2 - Split sputtering target - Google Patents
Split sputtering targetInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、薄膜形成に用いるスパッタリングターゲッ
トに関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a sputtering target used for forming a thin film.
（従来の技術） スパッタリング法は、真空中にArガスを導入し、陰極
に負電位を与えてグロー放電を発生させる。ここで生成
したAr+イオンはターゲット（陰極）に衝突し、ターゲ
ットをスパッタし、被スパッタ粒子は対向した陽極上の
基板上に堆積し薄膜を形成する。(Prior Art) In a sputtering method, an Ar gas is introduced into a vacuum and a negative potential is applied to a cathode to generate a glow discharge. The generated Ar + ions collide with the target (cathode) and sputter the target, and the sputtered particles are deposited on the substrate on the opposed anode to form a thin film.
このスパッタリング法で用いられるターゲットはボン
ディング材でバッキングプレートと接合して使用され
る。The target used in this sputtering method is used by bonding it to a backing plate with a bonding material.
一般にバッキングプレートは純銅あるいは銅系合金が
使用され、ボンディング材はインジウムのような低融点
金属、半田のような合金、ロウ材、樹脂等が使用され
る。Generally, pure copper or a copper-based alloy is used for the backing plate, and a low-melting metal such as indium, an alloy such as solder, a brazing material, a resin, or the like is used for the bonding material.
近年、スパッタリング法に用いるスパッタリング装置
が益々大型化しているが、これにともなってスパッタリ
ングターゲットも大型化している。In recent years, sputtering apparatuses used for the sputtering method have been increasing in size, and accordingly, sputtering targets have also increased in size.
このため一枚のターゲットでは製作が不可能となり、
数枚のターゲットを製作しこれを継いでバッキングプレ
ートに接合する、いわゆる、分割スパッタリングターゲ
ットで大型化に対応している現状である。For this reason, it is impossible to manufacture with one target,
At present, several sputtering targets are manufactured and then joined to a backing plate, that is, a so-called split sputtering target is used to cope with an increase in size.
また、種類の異なったターゲットを同一バッキングプ
レートに接合し、スパッタリング法により薄膜を形成す
る場合がある。この場合も分割スパッタリングターゲッ
トを必要とする。In some cases, different types of targets are bonded to the same backing plate, and a thin film is formed by a sputtering method. In this case also, a split sputtering target is required.
しかし、分割スパッタリングターゲットの場合にはタ
ーゲットと他のターゲットとの継ぎ目に隙間ができ易
く、ボンディング材はバッキングプレートとの接合時に
は流動体であるため、その隙間に容易に侵入する欠点が
ある。However, in the case of a split sputtering target, a gap is easily formed at the joint between the target and another target, and the bonding material is a fluid at the time of bonding with the backing plate, so that there is a disadvantage that the bonding material easily enters the gap.
このような状態でターゲットをスパッタすると形成さ
れた膜の中にボンディング材が不純物として侵入し膜特
性を悪化させる原因となる。When the target is sputtered in such a state, the bonding material penetrates as an impurity into the formed film, which causes deterioration of the film characteristics.
これを防止するために、従来、ターゲット間の継ぎ目
を第２図に示すように、斜めに加工してターゲットを継
ぎバッキングプレートに接合している。In order to prevent this, conventionally, the joint between the targets is machined diagonally as shown in FIG. 2 to join the target to the joint backing plate.
しかし、このようにターゲットを斜めに加工すること
は継ぎ面積が増えるためターゲット間の隙間が大きく開
かないような加工精度が要求され、このため加工コスト
が著しく高くなる欠点がある。However, processing the target obliquely in this manner requires a processing accuracy such that a gap between the targets is not greatly opened due to an increase in a joint area, and there is a disadvantage that the processing cost is significantly increased.
また、このような斜め加工をすることによってターゲ
ット間の隙間が完全になくなる訳ではなく隙間の程度が
小さくなるに過ぎない。Further, by performing such oblique processing, the gap between the targets is not completely eliminated, but only the degree of the gap is reduced.
（解決しようとする問題点） 本発明は、ターゲットの斜め加工をせずに、ターゲッ
トの継ぎ日の隙間にボンディング材が侵入しない分割ス
パッタリングターゲットを提供しようとするものであ
る。(Problems to be Solved) The present invention aims to provide a split sputtering target in which a bonding material does not enter gaps between joints of a target without obliquely processing the target.
（問題を解決する手段） 本発明は、分割した無機系スパッタリングターゲット
において、ターゲット間の継ぎ目のスパッタ面の反対面
にテフロン、ポリイミド等の高分子耐熱性シートの裏打
ち材を貼付してターゲット間の隙間にボンディング材が
侵入しないようにしたものである。(Means for Solving the Problem) The present invention relates to a method for applying a polymer heat-resistant sheet backing material such as Teflon or polyimide to a split inorganic sputtering target on a surface opposite to a sputter surface of a seam between the targets. The bonding material is prevented from entering the gap.
裏打ち材としてはテフロン、ポリイミドのような高分
子耐熱性シートが好ましい。As the backing material, a polymer heat-resistant sheet such as Teflon or polyimide is preferable.
第１図は本発明になる分割スパッタリングターゲット
の断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a split sputtering target according to the present invention.
本発明を第１図にしたがって説明すると、ターゲット
１−１と１−２の継ぎ目に裏打ち材４を裏打ちし、ボン
ディング材３でバッキングプレート２に接合している。
この裏打ち材によってボンディング材がターゲット間の
隙間に侵入することを防止している。The present invention will be described with reference to FIG. 1. A backing material 4 is lined at a joint between targets 1-1 and 1-2, and the backing plate 2 is bonded to the backing plate 2 with a bonding material 3.
The backing material prevents the bonding material from entering the gap between the targets.
（実施例） 寸法127mm×300mm厚さ6mmの五酸化タンタルのターゲ
ットを３枚継ぎ、寸法152mm×950mm厚さ10mmの無酸素銅
のバッキングプレートに接合し、寸法127mm×900mm厚さ
6mmの分割スパッタリングターゲットを作成した。(Example) Three tantalum pentoxide targets of dimensions 127 mm x 300 mm and thickness of 6 mm were spliced together and joined to a backing plate of oxygen-free copper with dimensions of 152 mm x 950 mm and thickness of 10 mm, and dimensions of 127 mm x 900 mm
A 6 mm split sputtering target was prepared.
裏打ち材は幅10mm厚さ0.05mmのテフロンテープを使用
し、ターゲット間の継ぎ目は1mmの隙間をあけて裏打ち
材を貼付した。As the backing material, a Teflon tape having a width of 10 mm and a thickness of 0.05 mm was used, and the seam between the targets was attached with a 1 mm gap.
ボンディング材にはインジュウムを用いた。 Indium was used as the bonding material.
この裏打ち材はターゲットとバッキングプレートとの
接合に要する温度に充分堪え得るものであり、この裏打
ち材のためインジュウムが隙間に全く侵入しないことが
わかった。This backing material could sufficiently withstand the temperature required for bonding the target and the backing plate, and it was found that indium did not enter the gap at all because of this backing material.
（発明の効果） 本発明によれば、分割スパッタリングターゲットにお
いて、ターゲットの継ぎ目に裏打ち材が貼付してあるた
めターゲット間に隙間があってもそこにボンディング材
が侵入しない特徴がある。(Effects of the Invention) According to the present invention, in the split sputtering target, the backing material is attached to the joint of the targets, so that even if there is a gap between the targets, the bonding material does not penetrate there.
また、ターゲットの継ぎ目を斜め加工する必要がない
ため、加工コストが著しく下がる利点がある。In addition, since it is not necessary to process the target joint obliquely, there is an advantage that the processing cost is significantly reduced.
第１図は本発明になる分割スパッタリングターゲットの
断面図である。 図において、１−１、１−２はターゲット、２はバッキ
ングプレート、３はボンディング材、４は裏打ち材であ
る。 第２図は従来の分割スパッタリングターゲットの断面図
である。 図において、１−３、１−４は斜め加工したターゲット
である。FIG. 1 is a sectional view of a split sputtering target according to the present invention. In the figure, 1-1 and 1-2 are targets, 2 is a backing plate, 3 is a bonding material, and 4 is a backing material. FIG. 2 is a sectional view of a conventional split sputtering target. In the drawing, reference numerals 1-3 and 1-4 indicate obliquely processed targets.
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23C 14/34 Continuation of front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) C23C 14/34
Claims (1)
において、ターゲット間の継ぎ目のボンディングする方
の面にテフロン、ポリイミド等の高分子耐熱性シートの
裏打ち材を貼付したことを特徴とする分割スパッタリン
グターゲット。1. A split sputtering target, wherein a backing material of a polymer heat-resistant sheet such as Teflon or polyimide is stuck to a bonding surface of a joint between the targets in the split inorganic sputtering target.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1075963A JP2939751B2 (en) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | Split sputtering target |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1075963A JP2939751B2 (en) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | Split sputtering target |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02254164A JPH02254164A (en) | 1990-10-12 |
| JP2939751B2 true JP2939751B2 (en) | 1999-08-25 |
Family
ID=13591383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1075963A Expired - Lifetime JP2939751B2 (en) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | Split sputtering target |
Country Status (1)
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-
1989
- 1989-03-28 JP JP1075963A patent/JP2939751B2/en not_active Expired - Lifetime
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