JP2745145B2 - Bonding method for sputtering target - Google Patents
Bonding method for sputtering targetInfo
- Publication number
- JP2745145B2 JP2745145B2 JP1071377A JP7137789A JP2745145B2 JP 2745145 B2 JP2745145 B2 JP 2745145B2 JP 1071377 A JP1071377 A JP 1071377A JP 7137789 A JP7137789 A JP 7137789A JP 2745145 B2 JP2745145 B2 JP 2745145B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- backing plate
- bonding material
- resin
- based bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、薄膜形成に用いるスパッタ用ターゲットの
接合方法に関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for bonding a sputtering target used for forming a thin film.
（従来の技術） スパッタリング法は、真空中にArガスを導入し、陰極
に負電位を与えてグロー放電を発生させる。ここで生成
したAr+イオンはターゲット（陰極）に衝突し、ターゲ
ットをスパッタし、被スパッタ粒子は対向した陽極上の
基板上に堆積し薄膜を形成する。(Prior Art) In a sputtering method, an Ar gas is introduced into a vacuum and a negative potential is applied to a cathode to generate a glow discharge. The generated Ar + ions collide with the target (cathode) and sputter the target, and the sputtered particles are deposited on the substrate on the opposed anode to form a thin film.
このスパッタリング法で用いられるターゲットは、従
来、第２図に示すように、ターゲット１とバッキングプ
レート２とをボンディング材３によって接合している。In the target used in this sputtering method, a target 1 and a backing plate 2 are conventionally bonded by a bonding material 3, as shown in FIG.
一般にバッキングプレートは純銅あるいは銅系合金が
使用され、ボンディング材はメタル系ボンディング材を
用いることが多い。Generally, pure copper or a copper-based alloy is used for the backing plate, and a metal-based bonding material is often used as the bonding material.
しかし、セラミックス、ガラス、金属間化合物等のタ
ーゲット（以下非金属系ターゲットという）はバッキン
グプレートとメタル系ボンディング材で接合する場合、
そのボンデイング材の融点以上に加熱して接合するが、
それを室温まで冷却するとターゲットとバッキングプレ
ートの熱膨脹率の違いにより大きく反りが発生する。However, when a target such as ceramics, glass, or an intermetallic compound (hereinafter referred to as a non-metallic target) is bonded to a backing plate with a metal-based bonding material,
Joining by heating above the melting point of the bonding material,
When it is cooled to room temperature, a large warp occurs due to the difference in thermal expansion coefficient between the target and the backing plate.
この反りは一般的には機械的な力により修正され平ら
に戻されるが、上記のような非金属系ターゲットはこの
反り戻しの時に割れてしまうことが多い。This warpage is generally corrected by mechanical force and returned flat, but the non-metallic target as described above often breaks at the time of this warping.
このような場合、樹脂系ボンデイング材を用いて非金
属系ターゲットとバッキングプレートを接合すると、そ
れらの熱膨脹率の違いを緩和でき、反りの発生がないた
めターゲットが割れることはない。In such a case, when the non-metallic target and the backing plate are joined using a resin-based bonding material, the difference in the coefficient of thermal expansion between them can be reduced, and the target does not crack because no warpage occurs.
樹脂系ボンディング材は導電性樹脂あるいは非導電性
樹脂が目的に応じて使用される。As the resin-based bonding material, a conductive resin or a non-conductive resin is used according to the purpose.
一般的にバッキングプレートはその上に接合されたタ
ーゲットを使い終ったのちは、そのターゲットをバッキ
ングプレートから剥離し、さらに新しいターゲットを接
合して使用する。Generally, after the backing plate has used the target bonded thereon, the target is peeled off from the backing plate, and a new target is bonded and used.
このようにバッキングプレートは繰り返して使用され
るが、メタル系ボンディング材を用いた場合はそのボン
ディング材の融点以上に加熱することによって容易にタ
ーゲットをバッキングプレートから剥離することができ
る。As described above, the backing plate is used repeatedly. When a metal-based bonding material is used, the target can be easily separated from the backing plate by heating the bonding material to a temperature equal to or higher than the melting point of the bonding material.
しかし、樹脂系ボンディング材を用いた場合はなかな
かターゲットをバッキングプレートから剥離できない欠
点がある。However, when a resin-based bonding material is used, there is a disadvantage that the target cannot be easily separated from the backing plate.
一般に樹脂系ボンディング材は最高でも約150℃程度
の加熱で硬化する樹脂を使用するが、この樹脂は一旦硬
化すると熱を用いても化学薬品を用いてもなかなか軟化
させたり溶解させることは困難である。Generally, resin-based bonding materials use a resin that cures at a maximum of about 150 ° C, but once cured, it is difficult to soften or dissolve even with heat or chemicals. is there.
（解決しようとする問題点） 本発明は、樹脂系ボンディング材を用いた場合、上記
の欠点を除去しターゲットをバッキングプレートから容
易に剥離することができるスパッタ用ターゲットの接合
方法を提供しようとするものである。(Problems to be Solved) The present invention intends to provide a bonding method of a sputtering target which can remove the above-mentioned disadvantages and easily peel off the target from the backing plate when a resin-based bonding material is used. Things.
（問題を解決するための手段） 本発明は、バッキングプレート上に低融点の金属層あ
るいは合金層を設け、その上に樹脂系ボンディング材を
用いてターゲットを接合したものである。(Means for Solving the Problems) In the present invention, a low-melting metal layer or an alloy layer is provided on a backing plate, and a target is bonded thereon using a resin-based bonding material.
このように、バッキングプレートとターゲットとの接
合層を二層にすることによって、ターゲットを使用し終
ったのちは低融点の金属層あるいは合金層を加熱により
融解することによりターゲットをバッキングプレートか
ら容易に剥離することができる。As described above, by making the bonding layer between the backing plate and the target into two layers, the target can be easily removed from the backing plate by melting the low-melting metal layer or the alloy layer by heating after the use of the target. Can be peeled.
低融点の金属層あるいは合金層にはインジウム、半田
のような金属を用いることができる。ただし樹脂系ボン
ディング材の硬化温度より高い融点の金属あるいは合金
を使用する。A metal such as indium or solder can be used for the low melting point metal layer or alloy layer. However, a metal or alloy having a melting point higher than the curing temperature of the resin-based bonding material is used.
第１図は本発明になるスパッタ用ターゲットの接合を
表す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing the joining of the sputtering target according to the present invention.
本発明を第１図にしがって詳細に説明する。 The present invention will be described in detail with reference to FIG.
図において、バッキングプレート２の上に低融点の金
属層あるいは合金層５を形成し、その上に樹脂系ボンデ
ィング材４によってターゲット１を接合する。In the figure, a low-melting metal layer or alloy layer 5 is formed on a backing plate 2, and a target 1 is bonded thereon with a resin-based bonding material 4.
ターゲットを使用し終ったのちは、加熱によって金属
層あるいは合金層を融解すれば容易にターゲットをバッ
キングプレートから剥離することができる。樹脂はター
ゲットに付着したままでよい。After using the target, the target can be easily peeled from the backing plate by melting the metal layer or alloy layer by heating. The resin may remain attached to the target.
また、接合の際、非金属系ターゲットは樹脂系ボンデ
ィング材を用いているので反ることはないため、ターゲ
ットが割れることとはない。Also, at the time of joining, the non-metallic target does not warp because the resin-based bonding material is used, so that the target does not crack.
さらに、非金属系ターゲットを樹脂系ボンディング材
を用いて接合した場合、例えば、接合不良で再接合を要
するような場合がある。このような場合、無理やりター
ゲットを剥離しなければならないためターゲットが割れ
ることが多いが、本発明によれば、容易にターゲットが
剥離できターゲットが割れることがないため、極めて容
易に再接合ができる。Further, when a non-metallic target is joined using a resin-based bonding material, for example, there is a case where rejoining is required due to poor joining. In such a case, the target often has to be peeled because the target has to be forcibly peeled off. However, according to the present invention, the target can be easily peeled off and the target is not broken, so that re-joining can be performed very easily.
（実施例） 寸法160mm×430mm厚さ5mmの無酸素銅をバッキングプ
レートとし、その上にインジウム（融点153℃）の層を
形成した。インジウム層の厚さは100μ以下であった。(Example) Oxygen-free copper having a size of 160 mm × 430 mm and a thickness of 5 mm was used as a backing plate, and an indium (melting point: 153 ° C) layer was formed thereon. The thickness of the indium layer was 100 μ or less.
そのインジウム層の上に寸法145mm×400mm厚さ5mmのS
iO2のターゲットを硬化温度130℃の熱硬化性シリコン樹
脂を用いて130℃で接合した。145mm × 400mm 5mm thick S on the indium layer
An iO2 target was bonded at 130 ° C. using a thermosetting silicone resin having a curing temperature of 130 ° C.
これを室温まで冷却したが、反りは発生せずターゲッ
トの割れもなかった。This was cooled to room temperature, but no warping occurred and the target did not crack.
これをさらに、160℃に加熱したところ、インジウム
は融解しターゲットをバッキングプレートから容易に剥
離することができた。When this was further heated to 160 ° C., the indium melted and the target could be easily separated from the backing plate.
また、SiO2ターゲットは剥離の際割れることもなかっ
た。Further, the SiO2 target did not crack when peeled.
（発明の効果） 樹脂系ボンディング材を用いてターゲットとバッキン
グプレートを接合する場合、本発明によれば、ターゲッ
トをパッキングプレートから容易に剥離することができ
る特徴がある。(Effect of the Invention) When the target and the backing plate are joined using a resin-based bonding material, the present invention has a feature that the target can be easily peeled from the packing plate.
また、バッキングプレートに非金属系ターゲットを接
合したり剥離する場合、ターゲットが割れない利点があ
る。Further, when a non-metallic target is bonded to or peeled from the backing plate, there is an advantage that the target is not cracked.
さらに、ターゲットが粉末焼結体の場合、メタル系ボ
ンディング材を用いてバッキングプレートと接合する
と、そのメタル系ボンディング材がターゲットの内部に
拡散され、それによって形成された膜特性に悪影響を与
える欠点があるが、本発明によれば、その上に樹脂層が
設けられているためこのような拡散を防止することがで
きる特徴がある。Furthermore, when the target is a powdered sintered body, when the metal-based bonding material is joined to the backing plate, the metal-based bonding material is diffused into the target, which adversely affects the characteristics of the formed film. However, according to the present invention, there is a feature that such diffusion can be prevented since the resin layer is provided thereon.
第１図は本発明になるスパッタ用ターゲットの接合を表
す断面図である。 図において、１はターゲット、２はバッキングプレー
ト、４は樹脂系ボンディング材、５は低融点の金属層あ
るいは合金層である。 第２図は従来の一般的なスパッタ用ターゲットの接合を
表す断面図である。 図において、３はボンディング材である。FIG. 1 is a sectional view showing the joining of the sputtering target according to the present invention. In the figure, 1 is a target, 2 is a backing plate, 4 is a resin-based bonding material, and 5 is a low melting point metal layer or alloy layer. FIG. 2 is a cross-sectional view showing the bonding of a conventional general sputtering target. In the figure, 3 is a bonding material.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−47863（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−59478（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−97472（ＪＰ，Ａ) 実願 昭52−130775号（実開 昭54− 59046号）の願書に添付した明細書及び 図面の内容を撮影したマイクロフィルム （ＪＰ，Ｕ) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-64-47863 (JP, A) JP-A-2-59478 (JP, A) JP-A-55-97472 (JP, A) Jpn. Microfilm (JP, U) photographing the contents of the specification and drawings attached to the application for No. 130775 (Japanese Utility Model Application No. 54-59046)
Claims (1)
ボンディング材を用いて接合する場合、バッキングプレ
ートと樹脂系ボンディング材の間に低融点の金属層ある
いは合金層を設けることを特徴とするスパッタ用ターゲ
ットの接合方法。When a target and a backing plate are joined using a resin-based bonding material, a low-melting metal layer or an alloy layer is provided between the backing plate and the resin-based bonding material. Joining method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1071377A JP2745145B2 (en) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | Bonding method for sputtering target |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1071377A JP2745145B2 (en) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | Bonding method for sputtering target |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02250961A JPH02250961A (en) | 1990-10-08 |
| JP2745145B2 true JP2745145B2 (en) | 1998-04-28 |
Family
ID=13458751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1071377A Expired - Lifetime JP2745145B2 (en) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | Bonding method for sputtering target |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2745145B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7550055B2 (en) * | 2005-05-31 | 2009-06-23 | Applied Materials, Inc. | Elastomer bonding of large area sputtering target |
| JP2020105613A (en) * | 2018-12-28 | 2020-07-09 | 株式会社アルバック | Target assembly and manufacturing method of the same |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0259478A (en) * | 1988-08-24 | 1990-02-28 | Hitachi Chem Co Ltd | Bonded body of metallic sheet and target for superconducting ceramic and formation of superconducting thin film |
-
1989
- 1989-03-23 JP JP1071377A patent/JP2745145B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02250961A (en) | 1990-10-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5215639A (en) | Composite sputtering target structures and process for producing such structures | |
| EP0630423B1 (en) | Method of bonding a sputter target-backing plate assembly | |
| US5653856A (en) | Methods of bonding targets to backing plate members using gallium based solder pastes and target/backing plate assemblies bonded thereby | |
| US5593082A (en) | Methods of bonding targets to backing plate members using solder pastes and target/backing plate assemblies bonded thereby | |
| KR100824928B1 (en) | Friction fit target assembly for high power sputtering operation | |
| KR100642034B1 (en) | Low temperature sputter target bonding method and target assemblies produced thereby | |
| JP4672834B2 (en) | Method for joining sputtering target to receiving plate | |
| US20230360897A1 (en) | Sputtering target-backing plate assembly, manufacturing method therefor, and recovery method for sputtering target | |
| JPH10121232A (en) | Sputtering target | |
| JP2745145B2 (en) | Bonding method for sputtering target | |
| WO2002036846A2 (en) | Sputtering target assemblies | |
| JP2001064771A (en) | Sputtering target | |
| GB2053763A (en) | Soldering a non-solderable sputtering target to a metallic support | |
| JP2004270019A (en) | Division-type sputtering target | |
| JPS6018749B2 (en) | Target for sputtering | |
| JP4152506B2 (en) | Sputtering target assembly | |
| JPH0243362A (en) | Joined body of sputtering target and backing plate | |
| JP2001164361A (en) | Sputtering target cooling structure | |
| JP7024128B1 (en) | Sputtering target-backing plate joint, its manufacturing method and recovery method of sputtering target | |
| JPS63270460A (en) | Sputtering target | |
| TW202214893A (en) | Sputtering target-backing plate assembly, method for manufacturing the same, and sputtering target recovery method | |
| JPH02267261A (en) | Production of target for sputtering | |
| JPH0254761A (en) | Sputtering target and its production | |
| JPH06293963A (en) | Backing plate for ito sputtering target | |
| JP2002252390A (en) | Electrode-forming method for piezoelectric component |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090213 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100213 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100213 Year of fee payment: 12 |