JP2915001B2 - 記録再生用摺動部材 - Google Patents
記録再生用摺動部材Info
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- JP2915001B2 JP2915001B2 JP1145310A JP14531089A JP2915001B2 JP 2915001 B2 JP2915001 B2 JP 2915001B2 JP 1145310 A JP1145310 A JP 1145310A JP 14531089 A JP14531089 A JP 14531089A JP 2915001 B2 JP2915001 B2 JP 2915001B2
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- Japan
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- diamond
- reproducing
- sliding member
- disk
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Description
【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は、磁気又は光記録再生用媒体を装着するため
の部材及び記録再生装置における摺動部材の改良に関す
る。
の部材及び記録再生装置における摺動部材の改良に関す
る。
さらに詳しくは、本発明は光又は磁気ディスクの回転
ハブの摺動部分の耐摩擦性で耐摩耗性の摺動部材に関す
る。
ハブの摺動部分の耐摩擦性で耐摩耗性の摺動部材に関す
る。
（従来の技術） 光ディスクや磁気ディスクでは記録媒体を環状に構成
しこれを支持して駆動するためにその中央孔に金属製の
回転ハブを嵌合固定する。回転ハブは装置側からスピン
ドルピンを受けるための中央孔と偏心位置にある駆動ピ
ンを受けるための軸はずれの孔とを有し、駆動ピンはデ
ィスクを記録再生装置に装着すれば自動的にハブの面を
摺動して軸はずれの孔に嵌合する。このときハブの表面
には摩耗、擦り傷、粉落ちが発生する。
しこれを支持して駆動するためにその中央孔に金属製の
回転ハブを嵌合固定する。回転ハブは装置側からスピン
ドルピンを受けるための中央孔と偏心位置にある駆動ピ
ンを受けるための軸はずれの孔とを有し、駆動ピンはデ
ィスクを記録再生装置に装着すれば自動的にハブの面を
摺動して軸はずれの孔に嵌合する。このときハブの表面
には摩耗、擦り傷、粉落ちが発生する。
第１図は磁気ディスク装置の分解構造の概要を示し、
上ケース11、下ケース12の間に、回転ハブ13を中央孔に
嵌合固定した磁気ディスク14、およびその両側のライナ
ーシート15、16を収納して成る。回転ハブ13は再生装置
側の中心スピンドルピン（図示せず）を受け入れるため
の四角形中央孔17と偏心位置にある駆動ピン（図示せ
ず）を受け入れる軸はずれの四角形の孔18を有する。デ
ィスク装置を記録再生装置に装着すれば自動的にスピン
ドルピンおよび駆動ピンはこれらの孔に侵入しようとす
るがこれらのピンは必ずしも孔17、18と正しく整列して
いないから、駆動ピンはハブ13の面を摺動しながら回転
して孔の位置を探して嵌合するに至る。回転ハブ13は通
常ステンレス鋼（SUS430）又はそれにめっき（例えば硬
質クロムめっき）をほどこしたものなどが使用されてい
るが、駆動ピンやスピンドルピンと接触する部分が何度
も使用している間に次第に摩耗して粉落ちを生じ、これ
がディスク面に付着すると擬記録やドロップアウトを生
じ、情報の記録読み取りにおける誤動作を生じることに
成る。シャッター等も使用毎に摺動するため耐久性にし
ないと上述の問題を発生する。
上ケース11、下ケース12の間に、回転ハブ13を中央孔に
嵌合固定した磁気ディスク14、およびその両側のライナ
ーシート15、16を収納して成る。回転ハブ13は再生装置
側の中心スピンドルピン（図示せず）を受け入れるため
の四角形中央孔17と偏心位置にある駆動ピン（図示せ
ず）を受け入れる軸はずれの四角形の孔18を有する。デ
ィスク装置を記録再生装置に装着すれば自動的にスピン
ドルピンおよび駆動ピンはこれらの孔に侵入しようとす
るがこれらのピンは必ずしも孔17、18と正しく整列して
いないから、駆動ピンはハブ13の面を摺動しながら回転
して孔の位置を探して嵌合するに至る。回転ハブ13は通
常ステンレス鋼（SUS430）又はそれにめっき（例えば硬
質クロムめっき）をほどこしたものなどが使用されてい
るが、駆動ピンやスピンドルピンと接触する部分が何度
も使用している間に次第に摩耗して粉落ちを生じ、これ
がディスク面に付着すると擬記録やドロップアウトを生
じ、情報の記録読み取りにおける誤動作を生じることに
成る。シャッター等も使用毎に摺動するため耐久性にし
ないと上述の問題を発生する。
そのほか磁気テープとの接触による磁気ヘッドの摩擦
及び摩耗とその粉落ちによる同様な問題もある。一般
に、磁気記録再生装置、光ディスク記録再生装置等にお
ける摺動部材では、それが記録媒体に近接した位置にあ
る場合には摺動部材の摩耗による粉落ちで情報の記録又
は再生に誤差が生じる問題があり、出来るだけ耐摩耗性
の摺動部材が望まれ、実際摺動部材の素材を工夫するこ
とにより相当に耐摩耗性の良いものが得られているが、
費用の点で簡便に製造できることが更に望ましい。
及び摩耗とその粉落ちによる同様な問題もある。一般
に、磁気記録再生装置、光ディスク記録再生装置等にお
ける摺動部材では、それが記録媒体に近接した位置にあ
る場合には摺動部材の摩耗による粉落ちで情報の記録又
は再生に誤差が生じる問題があり、出来るだけ耐摩耗性
の摺動部材が望まれ、実際摺動部材の素材を工夫するこ
とにより相当に耐摩耗性の良いものが得られているが、
費用の点で簡便に製造できることが更に望ましい。
（発明の目的） 従って、本発明の目的は、光又は磁気ディスク等の磁
気又は光記録再生装置における、光又は磁気ディスクの
回転ハブの他の部分と摺動する部分の摺動部材の摩擦を
低下し又耐摩耗性を向上する安価な手段を提供すること
にある。
気又は光記録再生装置における、光又は磁気ディスクの
回転ハブの他の部分と摺動する部分の摺動部材の摩擦を
低下し又耐摩耗性を向上する安価な手段を提供すること
にある。
（発明の構成の概要） 本発明は記録再生用ディスクの回転ハブの、駆動ピン
が摺動する摺動部の表面上にダイヤモンド結晶構造では
ないダイヤモンド様被覆を形成して成ることを特徴とす
る記録再生媒体用摺動部材を提供する。
が摺動する摺動部の表面上にダイヤモンド結晶構造では
ないダイヤモンド様被覆を形成して成ることを特徴とす
る記録再生媒体用摺動部材を提供する。
本発明は又真空中に炭化水素原料ガス又は分解又は反
応により炭化水素を生成し得る原料ガスを導入し、これ
を熱及び電界によりイオン化させてイオンビームを形成
し、該イオンビームを記録再生用ディスクの回転ハブの
摺動部の表面上にダイヤモンド結晶構造ではないダイヤ
モンド様薄膜を形成させることを特徴とする摺動部材の
製造方法を提供する。
応により炭化水素を生成し得る原料ガスを導入し、これ
を熱及び電界によりイオン化させてイオンビームを形成
し、該イオンビームを記録再生用ディスクの回転ハブの
摺動部の表面上にダイヤモンド結晶構造ではないダイヤ
モンド様薄膜を形成させることを特徴とする摺動部材の
製造方法を提供する。
本発明の摺動部材は光ディスク又は磁気ディスク装置
のディスクを支持する回転ハブに適用される。上記の構
成によると、記録再生装置に使用する摺動部材は、生産
性良く、安価に低摩擦性及び耐摩耗性の良いダイヤモン
ド様膜で被覆することができる。
のディスクを支持する回転ハブに適用される。上記の構
成によると、記録再生装置に使用する摺動部材は、生産
性良く、安価に低摩擦性及び耐摩耗性の良いダイヤモン
ド様膜で被覆することができる。
本発明に適するダイヤモンド様膜は種々の方法で成膜
することが出来るが、好ましくはイオン化蒸着法が好適
に使用できる。すなわち、真空中に炭化水素原料ガス又
は分解又は反応により炭化水素を生成し得る原料ガスを
導入し、これをイオン化させ、これを摺動部材の表面部
分中基体となる金属の面に導いてそこに析出させてダイ
ヤモンド様薄膜を形成させる方法により、摺動部材を構
成出来る。この方法は低温度で実施でき、且つ結晶性の
良い膜を生成できる点及び量産がしやすい点で、他の方
法よりも好ましい。
することが出来るが、好ましくはイオン化蒸着法が好適
に使用できる。すなわち、真空中に炭化水素原料ガス又
は分解又は反応により炭化水素を生成し得る原料ガスを
導入し、これをイオン化させ、これを摺動部材の表面部
分中基体となる金属の面に導いてそこに析出させてダイ
ヤモンド様薄膜を形成させる方法により、摺動部材を構
成出来る。この方法は低温度で実施でき、且つ結晶性の
良い膜を生成できる点及び量産がしやすい点で、他の方
法よりも好ましい。
（発明の具体的な説明） 上に簡単に述べたように、本発明は記録再生装置用の
摺動部材の表面にダイヤモンド様膜を形成することを特
徴とする。成膜方法は特にイオン化蒸着法によるダイヤ
モンド様膜生成法が好適である。
摺動部材の表面にダイヤモンド様膜を形成することを特
徴とする。成膜方法は特にイオン化蒸着法によるダイヤ
モンド様膜生成法が好適である。
イオン化蒸着法は炭化水素原料ガス又は分解又は反応
により炭化水素を生成し得る原料ガス（ここに炭化水素
とはメタン、エタン、プロパン等の飽和炭化水素、エチ
レン、プロピレン、アセチレン等の不飽和炭化水素等が
あり、分解して炭化水素を生成し得る原料ガスはメチル
アルコール、エチルアルコール等のアルコール類、アセ
トン、メチルエチルケトン等のケトン類などがあり、又
反応して炭化水素ガスを生成する原料ガスには一酸化炭
素、二酸化炭素と水素との混合ガス等がある。また前記
原料にはヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスあるい
は水素、酸素、窒素、水、一酸化炭素、二酸化炭素、等
の少なくとも一種を含ませることができる）を陰極−対
陰極間のアーク放電、陰極熱フィラメント−対陰極間の
熱電子放出によるイオン化等の手段でイオン化してイオ
ン流とし、この流れを電場で加速して基板に差し向ける
ことによりダイヤモンド様薄膜を製膜する方法であり、
特開昭59-174507号、特願昭63-59376号、同63-59377号
等に記載されている通り、イオン化蒸着法は基体温度と
して従来のような700℃以上の高温度を用いる必要がな
く（例えば「表面化学」第５巻第108号（1984年）第108
-115頁の各種の方法参照）、製膜能率も良く、製膜され
たダイヤモンド様膜が良好な表面性、高硬度、高熱伝導
性、高屈折率を有し、仕上表面処理が不要である等、優
れた方法である。
により炭化水素を生成し得る原料ガス（ここに炭化水素
とはメタン、エタン、プロパン等の飽和炭化水素、エチ
レン、プロピレン、アセチレン等の不飽和炭化水素等が
あり、分解して炭化水素を生成し得る原料ガスはメチル
アルコール、エチルアルコール等のアルコール類、アセ
トン、メチルエチルケトン等のケトン類などがあり、又
反応して炭化水素ガスを生成する原料ガスには一酸化炭
素、二酸化炭素と水素との混合ガス等がある。また前記
原料にはヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスあるい
は水素、酸素、窒素、水、一酸化炭素、二酸化炭素、等
の少なくとも一種を含ませることができる）を陰極−対
陰極間のアーク放電、陰極熱フィラメント−対陰極間の
熱電子放出によるイオン化等の手段でイオン化してイオ
ン流とし、この流れを電場で加速して基板に差し向ける
ことによりダイヤモンド様薄膜を製膜する方法であり、
特開昭59-174507号、特願昭63-59376号、同63-59377号
等に記載されている通り、イオン化蒸着法は基体温度と
して従来のような700℃以上の高温度を用いる必要がな
く（例えば「表面化学」第５巻第108号（1984年）第108
-115頁の各種の方法参照）、製膜能率も良く、製膜され
たダイヤモンド様膜が良好な表面性、高硬度、高熱伝導
性、高屈折率を有し、仕上表面処理が不要である等、優
れた方法である。
なおイオンビームを固定し基板を移動するか、逆に基
板を固定しイオン化された炭化水素のプラズマ状のイオ
ンビームを元の方向に対してほぼ直角な方向に偏向走査
することにより広い基板に対してダイヤモンド様薄膜の
成膜を実施できる。このような偏向磁界は、イオン流の
加速方向にたいして交差する方向の磁界を生じる永久磁
石又は電磁石を用いることにより形成することができ
る。本発明の基本技術であるイオン化蒸着法は、特願昭
63-59377号及び同63-59376号等に記載されており、本発
明の実施例ではこれらに記載された装置を基本とした方
法及び装置を用いる。
板を固定しイオン化された炭化水素のプラズマ状のイオ
ンビームを元の方向に対してほぼ直角な方向に偏向走査
することにより広い基板に対してダイヤモンド様薄膜の
成膜を実施できる。このような偏向磁界は、イオン流の
加速方向にたいして交差する方向の磁界を生じる永久磁
石又は電磁石を用いることにより形成することができ
る。本発明の基本技術であるイオン化蒸着法は、特願昭
63-59377号及び同63-59376号等に記載されており、本発
明の実施例ではこれらに記載された装置を基本とした方
法及び装置を用いる。
製膜装置の概要 第２図に製膜装置の好ましい例を示す。図中30は真空
容器、31はチャンバーであり、排気系38に接続されて10
-6Torr程度までの高真空に引かれる。32は適当な駆動手
段により一定方向に送られる基板Ｓの裏面に設けられた
電極であり、この場合電圧Vaが与えられている。33はグ
リッドでイオンの加速を行なうのに使用される。34は熱
陰極フィラメントであり、交流電源Ifによって加熱され
て熱電子を発生し、また負電位に維持されている。35は
原料である炭化水素ガスの供給口である。また、フィラ
メント34を取囲んで対電極36が配置され、フィラメント
との間に電圧Vdを与える。フィラメント34、対電極36及
び供給口35の周りを取り囲んでイオン化ガスの閉じ込め
用の磁界を発生する電磁コイル39が配置されている。従
ってVd、Va及びコイルの電流を調整することにより膜質
を変えることができる。
容器、31はチャンバーであり、排気系38に接続されて10
-6Torr程度までの高真空に引かれる。32は適当な駆動手
段により一定方向に送られる基板Ｓの裏面に設けられた
電極であり、この場合電圧Vaが与えられている。33はグ
リッドでイオンの加速を行なうのに使用される。34は熱
陰極フィラメントであり、交流電源Ifによって加熱され
て熱電子を発生し、また負電位に維持されている。35は
原料である炭化水素ガスの供給口である。また、フィラ
メント34を取囲んで対電極36が配置され、フィラメント
との間に電圧Vdを与える。フィラメント34、対電極36及
び供給口35の周りを取り囲んでイオン化ガスの閉じ込め
用の磁界を発生する電磁コイル39が配置されている。従
ってVd、Va及びコイルの電流を調整することにより膜質
を変えることができる。
なお第３図においては、炭化水素ガスの原料導入通路
37にプラズマ励起室36が設けられており、これによりイ
オン化装置の効率を高めている。プラズマ励起は例えば
マイクロ波、高周波（RF波）、放射線、紫外線などが利
用できる。
37にプラズマ励起室36が設けられており、これによりイ
オン化装置の効率を高めている。プラズマ励起は例えば
マイクロ波、高周波（RF波）、放射線、紫外線などが利
用できる。
また、第３図に示したように第２図の構成の一部を変
更して固定又は可変強度の磁石40をフィラメント34の上
部に配置してプラズマ状のイオンビームの偏向用に用い
ても良い。磁石40の磁界強度は固定又は可変にし、磁石
の磁界はイオン流の走行方向にたいして交差する方向に
する。このようにしてCH3 +、CH4 +イオン等の所望するイ
オンに対して偏向角度θを得る。固定の場合一方、質量
がこれらのイオンと大きく異なるイオン例えば水素イオ
ンはさらに大きく曲げられ、また中性粒子や重質の多量
体イオンは直進する。従って、直進方向にマスクを配置
すれば結晶性の高いイオンのみが基板Ｓに付着する。
更して固定又は可変強度の磁石40をフィラメント34の上
部に配置してプラズマ状のイオンビームの偏向用に用い
ても良い。磁石40の磁界強度は固定又は可変にし、磁石
の磁界はイオン流の走行方向にたいして交差する方向に
する。このようにしてCH3 +、CH4 +イオン等の所望するイ
オンに対して偏向角度θを得る。固定の場合一方、質量
がこれらのイオンと大きく異なるイオン例えば水素イオ
ンはさらに大きく曲げられ、また中性粒子や重質の多量
体イオンは直進する。従って、直進方向にマスクを配置
すれば結晶性の高いイオンのみが基板Ｓに付着する。
製膜方法 第３図の装置によって製膜方法を詳しく説明する。先
ず、チャンバー31内を10-6Torrまで高真空とし、ガス供
給通路37のバルブを操作して所定流量のメタンガス、そ
れと水素との混合ガス、或いはそれとAr、He、Ne等のキ
ャリアガス等を各供給口35から導入しながら排気系38を
調整して所定のガス圧例えば10-1Torrとする。一方、複
数の熱陰極フイラメント34には交流電流Ifを流して加熱
し、フイラメント34と対陰極36の間には電位差Vdを印加
して放電を形成する。供給口35から供給されたメタンガ
スは熱分解されるとともにフィラメントからの熱電子と
衝突してプラスのイオンと電子を生じる。この電子は別
の熱分解粒子と衝突する。電磁コイルの磁界による閉じ
込め作用の下に、このような現象を繰り返すことにより
メタンガスは熱分解物質のプラスイオンと成る。
ず、チャンバー31内を10-6Torrまで高真空とし、ガス供
給通路37のバルブを操作して所定流量のメタンガス、そ
れと水素との混合ガス、或いはそれとAr、He、Ne等のキ
ャリアガス等を各供給口35から導入しながら排気系38を
調整して所定のガス圧例えば10-1Torrとする。一方、複
数の熱陰極フイラメント34には交流電流Ifを流して加熱
し、フイラメント34と対陰極36の間には電位差Vdを印加
して放電を形成する。供給口35から供給されたメタンガ
スは熱分解されるとともにフィラメントからの熱電子と
衝突してプラスのイオンと電子を生じる。この電子は別
の熱分解粒子と衝突する。電磁コイルの磁界による閉じ
込め作用の下に、このような現象を繰り返すことにより
メタンガスは熱分解物質のプラスイオンと成る。
プラスイオンは電極32、グリッド36に印加された負電
位Vaにより引き寄せられ、ゆっくりと移動している基体
Ｓの方へ向けて加速され、基板に衝突して製膜反応を行
ない、ダイヤモンド様薄膜を形成する。所望により、上
に述べた固定磁石を利用して更に品質の良い薄膜を得る
ことができる。
位Vaにより引き寄せられ、ゆっくりと移動している基体
Ｓの方へ向けて加速され、基板に衝突して製膜反応を行
ない、ダイヤモンド様薄膜を形成する。所望により、上
に述べた固定磁石を利用して更に品質の良い薄膜を得る
ことができる。
なお、各部の電位、電流、温度等の条件については先
に引用した特許出願や特許公報のほか公知の資料を参照
されたい。
に引用した特許出願や特許公報のほか公知の資料を参照
されたい。
形成する膜の厚さは好ましくは100〜10,000Åであ
り、厚さが上記の範囲よりも薄いと耐摩耗性が減じ又厚
すぎても効果が増大せず製造時間が長くなる。
り、厚さが上記の範囲よりも薄いと耐摩耗性が減じ又厚
すぎても効果が増大せず製造時間が長くなる。
また、予め有機溶剤による超音波洗浄等によりダイヤ
モンド様膜を形成する基体を清浄化しても良い。
モンド様膜を形成する基体を清浄化しても良い。
次に本発明の実施例を説明する。
実施例１ 第２図に示した装置を使用し第１図に示したディスク
ハブを製作した。先ずディスクハブの形の基体をステン
レス鋼から製作し、この基体を第２図に示し上に説明し
た製膜装置に装入し、真空容器10内を10-6Torrに排気し
てからメタンガスを導入しガス圧を10-1Torrとして熱陰
極フィラメントに放電を起こさせた。電磁コイル19の磁
束密度は400ガウス、基板電圧−300V、基板温度200℃と
した。またフィラメント14には電流25Aを流した。
ハブを製作した。先ずディスクハブの形の基体をステン
レス鋼から製作し、この基体を第２図に示し上に説明し
た製膜装置に装入し、真空容器10内を10-6Torrに排気し
てからメタンガスを導入しガス圧を10-1Torrとして熱陰
極フィラメントに放電を起こさせた。電磁コイル19の磁
束密度は400ガウス、基板電圧−300V、基板温度200℃と
した。またフィラメント14には電流25Aを流した。
フィラメントはコイル状としその幅3mm、その周りを
取り囲む電極との隙間8mmとし、送り速度40mm/hrとし
た。
取り囲む電極との隙間8mmとし、送り速度40mm/hrとし
た。
If＝175A、Vc＝30V、Vd＝−30Vの条件で、膜厚約0.5
μｍの膜厚になるまでダイヤモンド様薄膜の製膜を行な
った。諸特性の測定結果を表１に示す。
μｍの膜厚になるまでダイヤモンド様薄膜の製膜を行な
った。諸特性の測定結果を表１に示す。
なお、チャッキングトルクはディスク駆動ピンとの摺
動時に摩擦によって生じるトルクで１万回着脱試験を行
なった後の値を示す。振れ幅はチャッキングトルクの振
れ幅である。表面傷深さは１万回着脱試験を行なった後
の値を示す。ビッカース硬度は加重10gで測定した。
動時に摩擦によって生じるトルクで１万回着脱試験を行
なった後の値を示す。振れ幅はチャッキングトルクの振
れ幅である。表面傷深さは１万回着脱試験を行なった後
の値を示す。ビッカース硬度は加重10gで測定した。
（作用効果） 本発明の摺動部材は光ディスク又は磁気ディスク装置
のディスクを支持する回転ハブ等に適用したとき、摺動
部材は、生産性良く、安価に耐摩擦性及び耐摩耗性の良
いダイヤモンド様薄膜で被覆することができる。
のディスクを支持する回転ハブ等に適用したとき、摺動
部材は、生産性良く、安価に耐摩擦性及び耐摩耗性の良
いダイヤモンド様薄膜で被覆することができる。
第１図は、従来のディスクハブを備えた磁気ディスクケ
ースの分解斜視図、第２図は本発明のダイヤモンド様薄
膜の製造装置の一例を示す断面図、及び第３図はダイヤ
モンド様薄膜の製造装置の他の例を示す断面図である。
ースの分解斜視図、第２図は本発明のダイヤモンド様薄
膜の製造装置の一例を示す断面図、及び第３図はダイヤ
モンド様薄膜の製造装置の他の例を示す断面図である。
フロントページの続き (72)発明者 中山 正俊 東京都中央区日本橋１丁目13番１号 テ ィーディーケイ株式会社内 (72)発明者 柴原 正典 東京都中央区日本橋１丁目13番１号 テ ィーディーケイ株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−234397（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−234396（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−7391（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−193112（ＪＰ，Ａ) 実開 昭58−90533（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 23/03 G11B 23/087 C30B 29/04
Claims (2)
- 【請求項１】記録再生用ディスクの回転ハブの、駆動ピ
ンが摺動する摺動部の表面上にダイヤモンドとは結晶構
造の異なるダイヤモンド様被覆を形成して成ることを特
徴とする記録再生媒体用摺動部材。 - 【請求項２】真空中に炭化水素原料ガス又は分解又は反
応により炭化水素を生成し得る原料ガスを導入し、これ
を熱及び電界によりイオン化させてイオンビームを形成
し、該イオンビームを記録再生用ディスクの回転ハブの
摺動部の表面上にダイヤモンドとは結晶構造の異なるダ
イヤモンド様薄膜を形成させることを特徴とする第１項
記載の摺動部材の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1145310A JP2915001B2 (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 記録再生用摺動部材 |
| JP10236602A JPH11134838A (ja) | 1989-06-09 | 1998-08-10 | 記録再生用摺動部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1145310A JP2915001B2 (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 記録再生用摺動部材 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10236602A Division JPH11134838A (ja) | 1989-06-09 | 1998-08-10 | 記録再生用摺動部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0312886A JPH0312886A (ja) | 1991-01-21 |
| JP2915001B2 true JP2915001B2 (ja) | 1999-07-05 |
Family
ID=15382198
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1145310A Expired - Fee Related JP2915001B2 (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 記録再生用摺動部材 |
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|---|---|---|---|
| JP10236602A Pending JPH11134838A (ja) | 1989-06-09 | 1998-08-10 | 記録再生用摺動部材 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JP2915001B2 (ja) |
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1998
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Also Published As
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