JP2912913B1

JP2912913B1 - 板体加熱装置

Info

Publication number: JP2912913B1
Application number: JP15410598A
Authority: JP
Inventors: 文夫渡辺
Original assignee: Sukegawa Electric Co Ltd
Current assignee: Sukegawa Electric Co Ltd
Priority date: 1998-06-03
Filing date: 1998-06-03
Publication date: 1999-06-28
Anticipated expiration: 2018-06-03
Also published as: JPH11345776A

Abstract

【要約】【課題】加熱物である板体を保持する保持部の裏面か
らの放熱を効果的に防止することができ、しかもリフレ
クタを使用しても板体側への金属元素や金属イオンの飛
散等がなく、リフレクタの酸化もなく、さらにより幅の
広い加熱手段を使用することができる板体加熱装置。【解決手段】板体加熱装置は、薄型平板状の加熱物ａ
をその背面側から加熱するものである。この加熱装置
は、内部に気密な空間が形成され、加熱物ａを載せる平
坦な加熱部２を有する耐熱性の加熱物支持部材１と、こ
の加熱物支持部材１の前記加熱部２の背後の空間部に設
けられ、加熱物支持部材１を加熱する加熱手段と、前記
加熱物支持部材１の中にあって、前記加熱部２に対して
加熱手段より背後に設けられ、熱を反射するリフレクタ
３と、加熱物支持部材１の内部の空間を排気する排気手
段とを有する。加熱物支持部材１の少なくとも加熱部２
は、シリコン含浸シリコンカーバイトやセラミックから
なる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
薄型平板状の加熱物を高温に加熱する板体加熱装置に関
し、特に大面積の半導体ウエハ等の加熱物を高温に加熱
するのに適した板体加熱装置に関する。

【０００２】

【発明の属する技術分野】現在、半導体メーカは２００
０年を目標に１２インチウエハの量産体制を目指してい
る。シリコンウェハの供給にはほばメドがつき、現在は
それを使用した半導体の製造技術、例えば製造装置開発
とその評価に移ろうとしている。そのプロセス技術の根
幹をなす技術は基板加熱ヒータであり、（ａ）熱均一
性、（ｂ）クリーン性、（ｃ）信頼性が求められてい
る。

【０００３】従来から使用されている板体加熱手段とし
ては、電気抵抗加熱、誘導加熱、ランプ加熱の３
つの手段が使われてきている。１２インチの大面積ウエ
ハに対応できる加熱手段としては、前記（ａ）熱均一
性、（ｂ）クリーン性、（ｃ）信頼性の観点から、電
気抵抗加熱と誘導加熱の改良型で装置開発が進められ
いる。従来の板体加熱に使用されるホットプレートは、
熱均一性、クリーン性を保つために、ウエハを保持する
サセプタと称されるトレイに入れてから、ホットプレー
トの上に保持する方法が採られていた。このため、熱の
昇降レスポンスや熱伝導効率が悪く、またホットプレー
ト自体の温度もかなり高めに設定する必要があった。

【０００４】このサセブタはこれまではカーボン材が使
われてきたが、最近はＳｉＣ焼結体またはそれのＳｉ含
浸体が使われるようになってきている。これはウエハの
加熱温度が高温で有ればあるほど量産性が望めるためで
ある。この高温化に対し、カーポンはウエハの温度即ち
シリコンの温度が高くなると、ウエハと化学反応を起こ
してＳｉＣになってしまうので、使用ができない。

【０００５】高温物体の熱は対流、熱伝導、幅射の３つ
の放熱現象で失われるので、省エネルギのためには、一
つの放熱現象による熱の喪失でも減らすことが得策であ
る。そこで真空での放熱現象は、幅射だけになるのでウ
エハは減圧状態で加熱する方法がとられる。しかし、加
熱物を空間に浮かせておくことは出来ないのでヒータの
保持材が必要となる。ところがこの保持材を伝送して熱
伝導による損失が起こるので、これを防ぐために保持部
はなるべく細く、そして中心に寄る蓮形構造になる。

【０００６】

【発明が解決しようとしている課題】しかし、前記のよ
うな蓮形構造の場合、ウエハ保持材の裏側からは放射熱
の約半分が失われるので、その放熱を防止するためのリ
フレクタを必要とする。リフレクタはその枚数が多い程
がその効果が大きい。しかし、リフレクタ効果の大きい
金、銀、銅などの金属は蒸気圧が高く、半導体では最も
嫌われる金属である。またアルミは融点が低すぎるた
め、１０００℃というような高温加熱に使用できない。
他方、高融点材料であるモリブデン等は、加熱により大
気中で酸化されやすい。そのため、リフレクタを使った
省エネルギーには自ずと限界があった。

【０００７】本発明は、前記従来の板体加熱装置の課題
に鑑み、加熱物である板体を保持する保持部の裏面から
の放熱を効果的に防止することができ、しかもリフレク
タを使用しても板体側への金属元素や金属イオンの飛散
等がなく、リフレクタの酸化もなく、さらにより幅の広
い加熱手段を使用することができる板体加熱装置を提供
することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明では、前記の目的
を達成するため、加熱物ａを載せる平坦な加熱部２を有
する耐熱性の加熱物支持部材１の内部に空間を形成し、
この加熱物支持部材１の内部の空間を排気手段で排気し
て真空にすると共に、この真空とされた加熱部２の背後
の空間部に加熱物支持部材１を加熱する加熱手段と熱を
反射するリフレクタ３とを配置したものである。これに
より、加熱物ａの背後側の対流や熱伝導による熱放出を
防止すると共に、リフレクタ３を形成する金属元素やイ
オンの加熱物ａへの影響やその酸化を防止できるように
した。

【０００９】すなわち、本発明による板体加熱装置は、
薄型平板状の加熱物ａをその背面側から加熱するもので
あって、内部に気密な空間が形成され、加熱物ａを載せ
る平坦な加熱部２を有する耐熱性の加熱物支持部材１
と、この加熱物支持部材１の前記加熱部２の背後の空間
部に設けられ、加熱物支持部材１を加熱する加熱手段
と、前記加熱物支持部材１の中にあって、前記加熱部２
に対して加熱手段より背後に設けられ、熱を反射するリ
フレクタ３と、加熱物支持部材１の内部の空間を排気す
る排気手段とを有することを特徴とする。加熱物支持部
材１の少なくとも加熱部２は、シリコン含浸シリコンカ
ーバイトやセラミックからなる。

【００１０】このような板体加熱装置は、加熱物ａを載
せる平坦な加熱部２を有する耐熱性の加熱物支持部材１
の内部に空間が形成され、この空間が真空にされるた
め、加熱物ａの背後からの対流や熱伝導による放熱が無
くなる。さらに、この真空とされた空間内に加熱手段と
リフレクタ３を配置しているため、加熱手段やリフレク
タ３を構成する金属等の元素やイオンが加熱物ａのある
空間側に飛散することない。従って、加熱物ａがそれら
の元素やイオンによって影響を受けることがない。そし
て、加熱物ａの背後からの唯一の放熱現象である熱輻射
は、リフレクタ３により輻射熱が反射されることから、
加熱物ａの背後からの放熱がごく小さくなる。

【００１１】さらに、本発明による板体加熱装置は、薄
型平板状の加熱物ａをその背面側から加熱するものであ
って、内部に気密な空間が形成され、加熱物支持部材１
の加熱部２に載せられた加熱物ａに対向して配置された
耐熱性の加熱物対向部材２１と、この加熱物対向部材２
１の前記加熱物ａと対向した対向部２２の背後の空間部
に設けられ、対向部２２と対向する加熱物ａを加熱する
加熱手段と、前記加熱物対向部材２１の中にあって、前
記対向部２２に対して加熱手段より背後に設けられ、熱
を反射するリフレクタ２３と、加熱物対向部材２１の内
部の空間を排気する排気手段とを有することを特徴とす
る。加熱物対向部材２１の少なくとも対向部２２は、シ
リコン含浸シリコンカーバイトやセラミックからなる。

【００１２】このような板体加熱装置は、加熱物ａに対
向した対向部２２を有する耐熱性の加熱物対向部材２１
の内部に空間が形成され、この空間が真空にされるた
め、加熱物ａの正面からの対流や熱伝導による放熱が抑
えられる。さらに、この真空とされた空間内に加熱手段
とリフレクタ２３を配置しているため、加熱手段やリフ
レクタ２３を構成する金属等の元素やイオンが加熱物ａ
のある空間側に飛散することない。従って、加熱物ａが
それらの元素やイオンによって影響を受けることがな
い。そして、加熱物ａの正面からの唯一の放熱現象であ
る熱輻射は、リフレクタ２３により輻射熱が反射される
ことから、加熱物ａの正面からの放熱がごく小さくな
る。

【００１３】

【発明の実施の形態】次に、図面を参照しながら、本発
明の実施の形態について、具体的且つ詳細に説明する。
図１は、本発明による板体加熱装置を使用した半導体製
造装置の例を示すものであり、ここでは半導体製造装置
としてＣＶＤ装置が例示されている。減圧容器６は、図
示していない真空ポンプに接続され、その内部が真空状
態とされる。また、この減圧容器６には、図示していな
いマスフローコントローラを介して反応性ガスの供給源
が接続されており、このガス供給源から減圧容器６内に
半導体の原料となる反応性ガスが導入される。

【００１４】この減圧容器６の壁には、冷却液通路７が
形成され、この冷却液通路７に水等の冷却液を通すこと
により、減圧容器６を冷却できるようになっている。こ
の減圧容器６の底部側には、加熱物ａを載せる平坦な加
熱部２を有する耐熱性の加熱物支持部材１が設置され、
その内部は同加熱物支持部材１により、その外側の減圧
容器６と気密に仕切られた空間を有する。より具体的に
は、加熱物支持部材１は、上面側が加熱部２により閉じ
られ、下面側が開口した円筒形状を有しており、加熱部
２の平坦な上面は、シリコンウエハ等の薄板状の加熱物
ａより広くなっている。加熱物支持部材１の下縁部は、
減圧容器６の内底面に当てられて固定されると共に、真
空シール材８により気密にシールされている。

【００１５】加熱物支持部材１はその全体または少なく
とも加熱部２がシリコン含浸シリコンカーバイトやアル
ミナ、窒化珪素等のセラミックからなる。後述するよう
に、電子衝撃により加熱物ａを加熱する場合において、
加熱物支持部材１がセラミックのような絶縁体からなる
場合は、その加熱部２の内面に導体膜を形成し、この導
体膜を減圧容器６に接地する。

【００１６】減圧容器６の底部には、排気通路４が形成
され、この排気通路４に接続された真空ポンプ５によ
り、加熱物支持部材１の内部の空間が排気され、真空に
される。さらに、この加熱物支持部材１の内部には、加
熱手段としてのフィラメント９とリフレクタ３が設置さ
れている。

【００１７】フィラメント９は、加熱物支持部材１の加
熱部２の背後に設けられ、このフィラメント９には、絶
縁シール端子１６を介してフィラメント加熱電源１０が
接続されている。さらに、このフィラメント９と加熱部
２との間には、減圧容器６及び加熱物支持部材１を介し
て電子加速電源１１の加速電圧が印加されている。なお
加熱部２は、加熱物支持部材１及び減圧容器６を介して
接地され、フィラメント９に対して正電位に保持され
る。

【００１８】リフレクタ３は、加熱物支持部材１の加熱
部２に対しフィラメント９の背後側に設けられている。
このリフレクタ３は、金、銀等の反射率の高い金属、ま
たはモリブデン等の融点の高い金属で形成され、少なく
ともその加熱物支持部材１の加熱部２に対向した面は、
鏡面となっており、赤外線を反射する。このリフレクタ
３は、多重に配置することができる。

【００１９】前記加熱物支持部材１の加熱部２の平坦な
上面には、シリコンウエハ等の薄形平板状の加熱物ａが
載せられる。さらに、この加熱物ａを載せる加熱部２に
対向するその上側と、加熱部２を囲むその周囲には、リ
フレクタ１２が配置されている。このリフレクタ１２の
少なくとも加熱物支持部材１の加熱部２に向した面は、
鏡面となっており、赤外線を反射する。このリフレクタ
１２もまた、多重に配置することができる。

【００２０】このような板体加熱装置では、減圧容器６
及び加熱物支持部材１の内部空間を減圧し、真空とす
る。次に、加熱手段であるフィラメント９から熱電子を
放出し、これを電子加速電源１１で印加される加速電圧
により加熱物支持部材１の加熱部２に衝突させる。この
電子衝撃により、加熱物支持部材１の加熱部２が加熱さ
れ、この加熱部２の上面に載せられている加熱物ａが加
熱される。

【００２１】このとき、加熱物支持部材１の内部は、真
空の空間となっているため、加熱物支持部材１の加熱部
２からその背後へは、対流による熱放出がなされず、輻
射による熱放出のみがなされる。そしてこの加熱部２の
背後へ放射された輻射熱は、リフレクタ３で加熱物支持
部材１の加熱部２へ向けて反射されるため、リフレクタ
３の背面への熱の放出が防止され、加熱物ａを効率的に
加熱することができる。これにより、加熱物ａを短時間
で高温に加熱することができる。

【００２２】加熱物ａを加熱した状態で、例えば減圧容
器にシラン等のプロセスガスを導入し、加熱物ａの表面
にシリコン薄膜を堆積させ、加熱物ａの表面に半導体加
工を施すことができる。図１において、矢印はプロセス
ガスの流れを示し、ドットは、プロセスガス雰囲気を示
す。加熱物ａの表面や加熱物支持部材１の周囲から放射
される輻射熱は、減圧容器６内のリフレクタ１２により
反射され、減圧容器６の外部への放熱が防止される。

【００２３】図２は、本発明による板体加熱装置の他の
例を示すものであり、図１と同じ部分は同じ符号で示し
てある。この図２に示した例では、減圧容器６は図示し
ておらず、そのステージ部１７のみが示されているが、
実際には、このステージ部１７の両側からその上にわた
って減圧容器で囲まれていることはもちろんである。

【００２４】この図２に示した例では、加熱物支持部材
１の加熱部２を電子衝撃により加熱するのに代えて、電
気抵抗加熱により発生した輻射熱によりで加熱するよう
にしている。すなわち、フィラメント９に代えて、加熱
物支持部材１の内部空間に抵抗加熱ヒータ１３を設置
し、この抵抗加熱ヒータ１３に絶縁シール端子１６を介
してヒータ電源１５を接続している。この抵抗加熱ヒー
タ１３の背後にリフレクタ３を配置していることは、前
記図１と同様である。なお、図２において、矢印は輻射
熱の放射を示し、ドットは、プロセスガス雰囲気を示
す。

【００２５】図３は、本発明による板体加熱装置の他の
例を示すものであり、図１及び図２と同じ部分は同じ符
号で示してある。この図３に示した例では、図２と同様
に、減圧容器６は図示しておらず、そのステージ部１７
のみが示されているが、実際には、このステージ部１７
の両側からその上にわたって減圧容器で囲まれているこ
とはもちろんである。また、この図３では、加熱物支持
部材１の加熱部２の上に加熱物が搭載されていないが、
加熱物を加熱するときは、図１及び図２と同様に、支持
部材１の加熱部２の上に加熱物が搭載される。

【００２６】この図３に示した例では、図１と同様に、
加熱物支持部材１の内部空間にフィラメント９ａ、９ｂ
を配置し、加熱物支持部材１の加熱部２を電子衝撃によ
り加熱するものである。ここでは、平面円形のフィラメ
ント９ａ、９ｂを同心状に２つ配置し、フィラメント加
熱電源１０にこれらのフィラメント９ａ、９ｂを並列に
接続している。各フィラメント９ａ、９ｂは、絶縁シー
ル端子１６を介してフィラメント加熱電源１０に接続さ
れているが、第二のフィラメント９ｂとフィラメント加
熱電源１０との間にはスイッチ１８が挿入されている。
このスイッチ１８の切り換えにより、第一のフィラメン
ト９ａのみから熱電子を放出するか、または双方のフィ
ラメント９ａ、９ｂから熱電子を放出するか適宜選択す
ることができる。

【００２７】この図３に示した例では、第一のフィラメ
ント９ａのみから熱電子を放出するか、または双方のフ
ィラメント９ａ、９ｂから熱電子を放出するか選択する
ことで、熱電子を放出する位置等を変えることができ
る。また万一、第一のフィラメント９ａが断線した場合
でも、第二のフィラメント９ｂを使用して加熱物の加熱
が可能である。これらのフィラメント９ａ、９ｂの背後
にリフレクタ３を配置していることは、前記図１と同様
である。

【００２８】図４は、本発明による板体加熱装置の他の
例を示すものであり、図１〜図３と同じ部分は同じ符号
で示してある。この図４に示した例では、図３と同様
に、減圧容器６は図示しておらず、そのステージ部１７
のみが示されているが、実際には、このステージ部１７
の両側からその上にわたって減圧容器で囲まれているこ
とはもちろんである。また、この図４では、加熱物支持
部材１の加熱部２の上に加熱物が搭載されていないが、
加熱物を加熱するときは、図１及び図２と同様に、支持
部材１の加熱部２の上に加熱物が搭載される。

【００２９】この図４に示した例では、図１及び図３と
同様に、加熱物支持部材１の内部空間にフィラメント９
ａ、９ｃを配置し、加熱物支持部材１の加熱部２を電子
衝撃により加熱するものである。ここでは、平面円形の
メインフィラメント９ａの中心に、サブフィラメント９
ｃを配置し、それぞれのフィラメント９ａ、９ｃに絶縁
シール端子１６を介してフィラメント加熱電源１０ａ、
１０ｃを接続している。

【００３０】この図４に示した例では、メインフィラメ
ント９ａから熱電子を放出すると共に、その中心にある
サブフィラメント９ｃからも熱電子を放出するので、加
熱物支持部材１の加熱部２の中心部における温度の低下
を防止することができる。これらのフィラメント９ａ、
９ｃの背後にリフレクタ３を配置していることは、前記
図１及び図３と同様である。

【００３１】図５は、本発明による板体加熱装置の他の
例を示すものであり、図１〜図４と同じ部分は同じ符号
で示してある。この図５に示した例は、前記図１に示し
た板体加熱装置において、加熱物支持部材１の加熱部２
の上に搭載した加熱物ａと対向して、減圧容器６内に設
けたリフレクタ１２に代えて、加熱物支持部材１と同様
の構成を有する加熱物対向部材２１を上下逆向きに配置
したものである。

【００３２】すなわち、減圧容器６の上部側には、加熱
物ａと対向する平坦な対向部２２を有する耐熱性の加熱
物対向部材２１が設置され、その内部は同加熱物対向部
材２１により、その外側の減圧容器６と気密に仕切られ
た空間を有する。より具体的には、加熱物対向部材２１
は、下面側が対向部２２により閉じられ、上面側が開口
した円筒形状を有しており、対向部２２の平坦な下面
は、シリコンウエハ等の薄板状の加熱物ａより広く、そ
の加熱物ａと対向している。加熱物対向部材２１の下縁
部は、減圧容器６の内上面に当てられて固定されると共
に、真空シール材２８により真空シールされている。

【００３３】図示の加熱物対向部材２１は、その下の加
熱物支持部材１と全く同じ材質で、且つ上下逆になって
いる以外は同じ形状を有しているが、必ずしもそうでな
くもよい。また後述するように、電子衝撃により対向部
２２を加熱する場合において、加熱物対向部材２１がセ
ラミックのような絶縁体からなる場合は、その対向部２
２の内面に導体膜を形成し、この導体膜を減圧容器６に
接地する。

【００３４】減圧容器６の上部には、排気通路２４が形
成され、この排気通路２４に接続された真空ポンプ２５
により、加熱物対向部材２１の内部の空間が排気され、
真空にされる。さらに、この加熱物対向部材１の内部に
は、加熱手段としてのフィラメント２９とリフレクタ２
３が設置されている。

【００３５】フィラメント２９は、加熱物対向部材２１
の対向部２２の背後に設けられ、このフィラメント２９
には、絶縁シール端子３６を介してフィラメント加熱電
源３０が接続されている。さらに、このフィラメント２
９と対向部２２との間には、減圧容器６及び加熱物対向
部材２１を介して電子加速電源１１の加速電圧が印加さ
れている。なお対向部２２は、加熱物対向部材２１及び
減圧容器６を介して接地され、フィラメント２９に対し
て正電位に保持される。

【００３６】リフレクタ２３は、加熱物対向部材２１の
対向部２２に対しフィラメント２９の背後側に設けられ
ている。このリフレクタ２３の少なくとも加熱物対向部
材２１が、金や銀等の高反射率を有する金属、またはモ
リブデン等の高融点金属からなり、その対向部２に対向
した面は、鏡面となっており、赤外線を反射する。この
リフレクタ２３は、多重に配置することができる。図示
の加熱物対向部材２１の内部に配置したフィラメント２
９とリフレクタ２３は、その下の加熱物支持部材１の内
部に配置したフィラメント９とリフレクタ３と、上下が
逆なだけで、同じ配置と形状を有しているが、必ずしも
そうでなくもよい。

【００３７】このような板体加熱装置では、減圧容器
６、加熱物支持部材１の内部空間及び加熱物対向部材２
１の内部空間を減圧し、真空とする。そして、加熱手段
であるフィラメント９から熱電子を放出し、電子衝撃に
より、加熱物支持部材１の加熱部２の上面に載せられて
いる加熱物ａを加熱することは図１の例と同様である。

【００３８】他方、加熱物対向部材２１側でも、加熱手
段であるフィラメント２９から熱電子を放出し、これを
電子加速電源１１で印加される加速電圧により加熱物対
向部材２１の対向部２２に衝突させる。この電子衝撃に
より、加熱物対向部材２１の対向部２が加熱され、この
対向部２２から放射される輻射熱により、同対向部２２
と対向している加熱物ａが加熱される。

【００３９】このとき、加熱物対向部材２１の内部は、
真空の空間となっているため、加熱物対向部材２１の対
向部２２からその背後へは、対流による熱放出がなされ
ず、輻射による熱放出のみがなされる。そしてこの対向
部２２の背後へ放射された輻射熱は、リフレクタ２３で
加熱物対向部材２１の対向部２２へ向けて反射されるた
め、リフレクタ２３の背面への熱の放出が防止され、加
熱物ａを効率的に加熱することができる。これにより、
加熱物ａに対向してリフレクタ１２を配置した場合にく
らべ、上方に放射される熱エネルギ損失が小さくなり、
さらに短時間に高温に加熱することが可能となる。

【００４０】

【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、加
熱物ａを保持する保持部２の裏面からの放熱を効果的に
防止することができ、しかもリフレクタ３を使用しても
板体側への金属元素や金属イオンの飛散等がなく、リフ
レクタの酸化もなく、さらにより幅の広い加熱手段を使
用することができる板体加熱装置が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による板体加熱装置とそれを使用した板
体加工装置の例を示す概略断面図である。

【図２】本発明による板体加熱装置の他の例を示す概略
断面図である。

【図３】本発明による板体加熱装置の他の例を示す概略
断面図である。

【図４】本発明による板体加熱装置の他の例を示す概略
断面図である。

【図５】本発明による板体加熱装置とそれを使用した板
体加工装置の他の例を示す概略断面図である。

【符号の説明】

１加熱物支持部材２加熱物支持部材の加熱部３リフレクタ５真空ポンプ９フィラメント９ａフィラメント９ｂフィラメント９ｃフィラメント１３抵抗加熱ヒータ２１加熱物対向部材２２加熱物対向部材の対向部２３リフレクタ２５真空ポンプ２９フィラメントａ加熱物

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】薄型平板状の加熱物（ａ）をその背面側
から加熱する平板加熱装置において、内部に気密な空間
が形成され、加熱物（ａ）を載せる平坦な加熱部（２）
を有する耐熱性の加熱物支持部材（１）と、この加熱物
支持部材（１）の前記加熱部（２）の背後の空間部に設
けられ、加熱物支持部材（１）を加熱する加熱手段と、
前記加熱物支持部材（１）の中にあって、前記加熱部
（２）に対して加熱手段より背後に設けられ、熱を反射
するリフレクタ（３）と、加熱物支持部材（１）の内部
の空間を排気する排気手段とを有することを特徴とする
板体加熱装置。
【請求項２】加熱物支持部材（１）の少なくとも加熱
部（２）は、シリコン含浸シリコンカーバイトであるこ
とを特徴とする請求項１に記載の板体加熱装置。
【請求項３】加熱物支持部材（１）の少なくとも加熱
部（２）は、セラミックであることを特徴とする請求項
１に記載の板体加熱装置。
【請求項４】薄型平板状の加熱物（ａ）をその背面側
から加熱する平板加熱装置において、内部に気密な空間
が形成され、加熱物支持部材１の加熱部（２）に載せら
れた加熱物（ａ）に対向して配置された耐熱性の加熱物
対向部材（２１）と、この加熱物対向部材（２１）の前
記加熱物（ａ）と対向した対向部（２２）の背後の空間
部に設けられ、対向部（２２）と対向する加熱物（ａ）
を加熱する加熱手段と、前記加熱物対向部材（２１）の
中にあって、前記対向部（２２）に対して加熱手段より
背後に設けられ、熱を反射するリフレクタ（２３）と、
加熱物対向部材（２１）の内部の空間を排気する排気手
段とを有することを特徴とする板体加熱装置。
【請求項５】加熱物対向部材（２１）の少なくとも対
向部（２２）は、シリコン含浸シリコンカーバイトであ
ることを特徴とする請求項４に記載の板体加熱装置。
【請求項６】加熱物対向部材（２１）の少なくとも対
向部（２２）は、セラミックであることを特徴とする請
求項４に記載の板体加熱装置。