JP2912913B1 - Plate heating device - Google Patents
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Abstract
【要約】
【課題】 加熱物である板体を保持する保持部の裏面か
らの放熱を効果的に防止することができ、しかもリフレ
クタを使用しても板体側への金属元素や金属イオンの飛
散等がなく、リフレクタの酸化もなく、さらにより幅の
広い加熱手段を使用することができる板体加熱装置。
【解決手段】 板体加熱装置は、薄型平板状の加熱物ａ
をその背面側から加熱するものである。この加熱装置
は、内部に気密な空間が形成され、加熱物ａを載せる平
坦な加熱部２を有する耐熱性の加熱物支持部材１と、こ
の加熱物支持部材１の前記加熱部２の背後の空間部に設
けられ、加熱物支持部材１を加熱する加熱手段と、前記
加熱物支持部材１の中にあって、前記加熱部２に対して
加熱手段より背後に設けられ、熱を反射するリフレクタ
３と、加熱物支持部材１の内部の空間を排気する排気手
段とを有する。加熱物支持部材１の少なくとも加熱部２
は、シリコン含浸シリコンカーバイトやセラミックから
なる。Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To effectively prevent heat radiation from a back surface of a holding portion for holding a plate, which is a heated object, and to scatter metal elements and metal ions to the plate even when a reflector is used. A plate heating device that does not have any other features, does not oxidize the reflector, and can use a wider heating means. SOLUTION: The plate heating device comprises a thin flat heating object a.
Is heated from the back side. This heating device has a heat-resistant heating object support member 1 having an airtight space formed therein and having a flat heating portion 2 on which a heating object a is placed, and a heating member support member 1 behind the heating portion 2. A heating means provided in the space portion for heating the heated object support member 1; and a reflector provided in the heated object support member 1 and provided behind the heating means for the heating section 2 and reflecting heat. 3 and an exhaust means for exhausting a space inside the heated object support member 1. At least the heating section 2 of the heating object support member 1
Is made of silicon-impregnated silicon carbide or ceramic.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
薄型平板状の加熱物を高温に加熱する板体加熱装置に関
し、特に大面積の半導体ウエハ等の加熱物を高温に加熱
するのに適した板体加熱装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plate heating apparatus for heating a thin flat heating object such as a semiconductor wafer to a high temperature, and particularly suitable for heating a heating object such as a large-area semiconductor wafer to a high temperature. And a plate heating device.
【０００２】[0002]
【発明の属する技術分野】現在、半導体メーカは２００
０年を目標に１２インチウエハの量産体制を目指してい
る。シリコンウェハの供給にはほばメドがつき、現在は
それを使用した半導体の製造技術、例えば製造装置開発
とその評価に移ろうとしている。そのプロセス技術の根
幹をなす技術は基板加熱ヒータであり、（ａ）熱均一
性、（ｂ）クリーン性、（ｃ）信頼性が求められてい
る。BACKGROUND OF THE INVENTION At present, there are 200 semiconductor manufacturers.
The company is aiming for a mass production system for 12-inch wafers with a target of 0 years. The supply of silicon wafers has become almost uncertain, and now we are moving to semiconductor manufacturing technology using it, for example, development of manufacturing equipment and its evaluation. The technology that forms the basis of the process technology is a substrate heater, and (a) thermal uniformity, (b) cleanness, and (c) reliability are required.
【０００３】従来から使用されている板体加熱手段とし
ては、電気抵抗加熱、誘導加熱、ランプ加熱の３
つの手段が使われてきている。１２インチの大面積ウエ
ハに対応できる加熱手段としては、前記（ａ）熱均一
性、（ｂ）クリーン性、（ｃ）信頼性の観点から、電
気抵抗加熱と誘導加熱の改良型で装置開発が進められ
いる。従来の板体加熱に使用されるホットプレートは、
熱均一性、クリーン性を保つために、ウエハを保持する
サセプタと称されるトレイに入れてから、ホットプレー
トの上に保持する方法が採られていた。このため、熱の
昇降レスポンスや熱伝導効率が悪く、またホットプレー
ト自体の温度もかなり高めに設定する必要があった。Conventionally used plate heating means include electric resistance heating, induction heating and lamp heating.
Two measures have been used. From the viewpoints of (a) thermal uniformity, (b) cleanness, and (c) reliability, a heating device that can be used for a 12-inch large-area wafer has been developed with improved electric resistance heating and induction heating. It is going on. The hot plate used for conventional plate heating is
In order to maintain thermal uniformity and cleanness, a method has been adopted in which a wafer is placed in a tray called a susceptor for holding the wafer and then held on a hot plate. For this reason, the heat elevating response and the heat conduction efficiency are poor, and the temperature of the hot plate itself needs to be set at a considerably high temperature.
【０００４】このサセブタはこれまではカーボン材が使
われてきたが、最近はＳｉＣ焼結体またはそれのＳｉ含
浸体が使われるようになってきている。これはウエハの
加熱温度が高温で有ればあるほど量産性が望めるためで
ある。この高温化に対し、カーポンはウエハの温度即ち
シリコンの温度が高くなると、ウエハと化学反応を起こ
してＳｉＣになってしまうので、使用ができない。[0004] Although carbon materials have been used for the sass pig, a SiC sintered body or a Si impregnated body thereof has recently been used. This is because the higher the heating temperature of the wafer, the more mass productivity can be expected. When the temperature of the wafer, that is, the temperature of silicon is increased in response to the increase in temperature, the carton chemically reacts with the wafer and becomes SiC, and thus cannot be used.
【０００５】高温物体の熱は対流、熱伝導、幅射の３つ
の放熱現象で失われるので、省エネルギのためには、一
つの放熱現象による熱の喪失でも減らすことが得策であ
る。そこで真空での放熱現象は、幅射だけになるのでウ
エハは減圧状態で加熱する方法がとられる。しかし、加
熱物を空間に浮かせておくことは出来ないのでヒータの
保持材が必要となる。ところがこの保持材を伝送して熱
伝導による損失が起こるので、これを防ぐために保持部
はなるべく細く、そして中心に寄る蓮形構造になる。[0005] Since heat of a high-temperature object is lost by three heat radiation phenomena of convection, heat conduction and radiation, it is advisable to reduce even heat loss due to one heat radiation phenomenon in order to save energy. Therefore, since the heat radiation phenomenon in a vacuum is only radiation, the wafer is heated under reduced pressure. However, since a heated object cannot be floated in a space, a holding material for the heater is required. However, since the transmission of the holding material causes loss due to heat conduction, in order to prevent the loss, the holding portion is made as thin as possible and has a lotus-shaped structure close to the center.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとしている課題】しかし、前記のよ
うな蓮形構造の場合、ウエハ保持材の裏側からは放射熱
の約半分が失われるので、その放熱を防止するためのリ
フレクタを必要とする。リフレクタはその枚数が多い程
がその効果が大きい。しかし、リフレクタ効果の大きい
金、銀、銅などの金属は蒸気圧が高く、半導体では最も
嫌われる金属である。またアルミは融点が低すぎるた
め、１０００℃というような高温加熱に使用できない。
他方、高融点材料であるモリブデン等は、加熱により大
気中で酸化されやすい。そのため、リフレクタを使った
省エネルギーには自ずと限界があった。However, in the case of a lotus-shaped structure as described above, since about half of the radiant heat is lost from the back side of the wafer holding member, a reflector for preventing the heat radiation is required. . The greater the number of reflectors, the greater the effect. However, metals such as gold, silver, and copper, which have a large reflector effect, have high vapor pressures and are the most hated metals in semiconductors. Also, aluminum cannot be used for high-temperature heating such as 1000 ° C. because its melting point is too low.
On the other hand, molybdenum or the like, which is a high melting point material, is easily oxidized in the atmosphere by heating. Therefore, there was naturally a limit to energy saving using reflectors.
【０００７】本発明は、前記従来の板体加熱装置の課題
に鑑み、加熱物である板体を保持する保持部の裏面から
の放熱を効果的に防止することができ、しかもリフレク
タを使用しても板体側への金属元素や金属イオンの飛散
等がなく、リフレクタの酸化もなく、さらにより幅の広
い加熱手段を使用することができる板体加熱装置を提供
することを目的とする。The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the conventional plate heating apparatus, and can effectively prevent heat radiation from the back surface of a holding portion for holding a plate, which is a heating object, and use a reflector. It is another object of the present invention to provide a plate heating apparatus which does not scatter metal elements or metal ions to the plate body side, does not oxidize the reflector, and can use a wider heating means.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明では、前記の目的
を達成するため、加熱物ａを載せる平坦な加熱部２を有
する耐熱性の加熱物支持部材１の内部に空間を形成し、
この加熱物支持部材１の内部の空間を排気手段で排気し
て真空にすると共に、この真空とされた加熱部２の背後
の空間部に加熱物支持部材１を加熱する加熱手段と熱を
反射するリフレクタ３とを配置したものである。これに
より、加熱物ａの背後側の対流や熱伝導による熱放出を
防止すると共に、リフレクタ３を形成する金属元素やイ
オンの加熱物ａへの影響やその酸化を防止できるように
した。According to the present invention, in order to achieve the above object, a space is formed inside a heat-resistant heating object support member 1 having a flat heating section 2 on which a heating object a is placed.
The space inside the heated object support member 1 is evacuated by an exhaust means to create a vacuum, and the heating means for heating the heated object support member 1 is reflected in a space behind the evacuated heating unit 2 and reflects heat. And a reflector 3 to be arranged. As a result, heat release due to convection and heat conduction behind the heating object a is prevented, and the influence of the metal elements and ions forming the reflector 3 on the heating object a and the oxidation thereof are prevented.
【０００９】すなわち、本発明による板体加熱装置は、
薄型平板状の加熱物ａをその背面側から加熱するもので
あって、内部に気密な空間が形成され、加熱物ａを載せ
る平坦な加熱部２を有する耐熱性の加熱物支持部材１
と、この加熱物支持部材１の前記加熱部２の背後の空間
部に設けられ、加熱物支持部材１を加熱する加熱手段
と、前記加熱物支持部材１の中にあって、前記加熱部２
に対して加熱手段より背後に設けられ、熱を反射するリ
フレクタ３と、加熱物支持部材１の内部の空間を排気す
る排気手段とを有することを特徴とする。加熱物支持部
材１の少なくとも加熱部２は、シリコン含浸シリコンカ
ーバイトやセラミックからなる。That is, the plate heating apparatus according to the present invention comprises:
A heat-resistant heating object supporting member 1 for heating a thin flat heating object a from the back side, having an airtight space therein and having a flat heating section 2 on which the heating object a is placed.
A heating means provided in a space behind the heating unit 2 of the heated object support member 1 for heating the heated object support member 1;
And a reflector 3 provided behind the heating means and reflecting heat, and an exhaust means for exhausting a space inside the heated object support member 1. At least the heating section 2 of the heating object support member 1 is made of silicon-impregnated silicon carbide or ceramic.
【００１０】このような板体加熱装置は、加熱物ａを載
せる平坦な加熱部２を有する耐熱性の加熱物支持部材１
の内部に空間が形成され、この空間が真空にされるた
め、加熱物ａの背後からの対流や熱伝導による放熱が無
くなる。さらに、この真空とされた空間内に加熱手段と
リフレクタ３を配置しているため、加熱手段やリフレク
タ３を構成する金属等の元素やイオンが加熱物ａのある
空間側に飛散することない。従って、加熱物ａがそれら
の元素やイオンによって影響を受けることがない。そし
て、加熱物ａの背後からの唯一の放熱現象である熱輻射
は、リフレクタ３により輻射熱が反射されることから、
加熱物ａの背後からの放熱がごく小さくなる。Such a plate heating apparatus has a heat-resistant heating object support member 1 having a flat heating section 2 on which a heating object a is placed.
Is formed and the space is evacuated, so that convection from behind the heating object a and heat radiation due to heat conduction are eliminated. Further, since the heating means and the reflector 3 are arranged in the vacuumed space, elements such as metals and ions constituting the heating means and the reflector 3 do not scatter to the space side where the heating object a is located. Therefore, the heating object a is not affected by those elements and ions. The heat radiation, which is the only heat radiation phenomenon from behind the heating object a, is reflected by the reflector 3 radiant heat.
The heat radiation from behind the heating object a becomes very small.
【００１１】さらに、本発明による板体加熱装置は、薄
型平板状の加熱物ａをその背面側から加熱するものであ
って、内部に気密な空間が形成され、加熱物支持部材１
の加熱部２に載せられた加熱物ａに対向して配置された
耐熱性の加熱物対向部材２１と、この加熱物対向部材２
１の前記加熱物ａと対向した対向部２２の背後の空間部
に設けられ、対向部２２と対向する加熱物ａを加熱する
加熱手段と、前記加熱物対向部材２１の中にあって、前
記対向部２２に対して加熱手段より背後に設けられ、熱
を反射するリフレクタ２３と、加熱物対向部材２１の内
部の空間を排気する排気手段とを有することを特徴とす
る。加熱物対向部材２１の少なくとも対向部２２は、シ
リコン含浸シリコンカーバイトやセラミックからなる。Further, the plate heating apparatus according to the present invention heats a thin flat plate-shaped heating object a from the back side thereof.
And a heat-resistant heated object facing member 21 arranged to face the heated object a placed on the heating section 2 of the heating member 2.
A heating means provided in a space behind the facing portion 22 facing the heating object a and heating the heating material a facing the facing portion 22; It has a reflector 23 provided behind the heating means with respect to the facing part 22 and reflecting heat, and an exhaust means for exhausting the space inside the heated object facing member 21. At least the facing portion 22 of the heating object facing member 21 is made of silicon-impregnated silicon carbide or ceramic.
【００１２】このような板体加熱装置は、加熱物ａに対
向した対向部２２を有する耐熱性の加熱物対向部材２１
の内部に空間が形成され、この空間が真空にされるた
め、加熱物ａの正面からの対流や熱伝導による放熱が抑
えられる。さらに、この真空とされた空間内に加熱手段
とリフレクタ２３を配置しているため、加熱手段やリフ
レクタ２３を構成する金属等の元素やイオンが加熱物ａ
のある空間側に飛散することない。従って、加熱物ａが
それらの元素やイオンによって影響を受けることがな
い。そして、加熱物ａの正面からの唯一の放熱現象であ
る熱輻射は、リフレクタ２３により輻射熱が反射される
ことから、加熱物ａの正面からの放熱がごく小さくな
る。Such a plate heating apparatus has a heat-resistant heated object facing member 21 having an opposed portion 22 facing an object to be heated a.
Is formed and the space is evacuated, so that heat radiation due to convection and heat conduction from the front of the heating object a is suppressed. Further, since the heating means and the reflector 23 are arranged in the vacuumed space, elements and ions such as metal constituting the heating means and the reflector 23 are heated.
It does not scatter on the side of the space where there is. Therefore, the heating object a is not affected by those elements and ions. The heat radiation, which is the only heat radiation phenomenon from the front of the heating object a, is reflected by the reflector 23, so that the heat radiation from the front of the heating object a is extremely small.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】次に、図面を参照しながら、本発
明の実施の形態について、具体的且つ詳細に説明する。
図１は、本発明による板体加熱装置を使用した半導体製
造装置の例を示すものであり、ここでは半導体製造装置
としてＣＶＤ装置が例示されている。減圧容器６は、図
示していない真空ポンプに接続され、その内部が真空状
態とされる。また、この減圧容器６には、図示していな
いマスフローコントローラを介して反応性ガスの供給源
が接続されており、このガス供給源から減圧容器６内に
半導体の原料となる反応性ガスが導入される。Embodiments of the present invention will now be described specifically and in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 shows an example of a semiconductor manufacturing apparatus using a plate heating apparatus according to the present invention. Here, a CVD apparatus is illustrated as the semiconductor manufacturing apparatus. The decompression container 6 is connected to a vacuum pump (not shown), and the inside thereof is evacuated. A supply source of a reactive gas is connected to the depressurized container 6 via a mass flow controller (not shown), and a reactive gas serving as a semiconductor material is introduced into the depressurized container 6 from the gas supply source. Is done.
【００１４】この減圧容器６の壁には、冷却液通路７が
形成され、この冷却液通路７に水等の冷却液を通すこと
により、減圧容器６を冷却できるようになっている。こ
の減圧容器６の底部側には、加熱物ａを載せる平坦な加
熱部２を有する耐熱性の加熱物支持部材１が設置され、
その内部は同加熱物支持部材１により、その外側の減圧
容器６と気密に仕切られた空間を有する。より具体的に
は、加熱物支持部材１は、上面側が加熱部２により閉じ
られ、下面側が開口した円筒形状を有しており、加熱部
２の平坦な上面は、シリコンウエハ等の薄板状の加熱物
ａより広くなっている。加熱物支持部材１の下縁部は、
減圧容器６の内底面に当てられて固定されると共に、真
空シール材８により気密にシールされている。A cooling liquid passage 7 is formed in the wall of the decompression container 6, and the decompression container 6 can be cooled by passing a cooling liquid such as water through the cooling liquid passage 7. On the bottom side of the decompression container 6, a heat-resistant heating object support member 1 having a flat heating unit 2 on which a heating object a is placed is installed,
The inside has a space which is air-tightly separated from the decompression container 6 on the outside by the heated object support member 1. More specifically, the heating object support member 1 has a cylindrical shape whose upper surface side is closed by the heating unit 2 and whose lower surface side is open. The flat upper surface of the heating unit 2 has a thin plate shape such as a silicon wafer. It is wider than the heating object a. The lower edge of the heated object support member 1 is
It is fixed by being applied to the inner bottom surface of the decompression container 6 and hermetically sealed by a vacuum seal material 8.
【００１５】加熱物支持部材１はその全体または少なく
とも加熱部２がシリコン含浸シリコンカーバイトやアル
ミナ、窒化珪素等のセラミックからなる。後述するよう
に、電子衝撃により加熱物ａを加熱する場合において、
加熱物支持部材１がセラミックのような絶縁体からなる
場合は、その加熱部２の内面に導体膜を形成し、この導
体膜を減圧容器６に接地する。The heating member support member 1 as a whole or at least the heating portion 2 is made of silicon-impregnated silicon carbide, ceramic such as alumina, silicon nitride or the like. As will be described later, when heating the heating object a by electron impact,
When the heating object support member 1 is made of an insulator such as ceramic, a conductor film is formed on the inner surface of the heating unit 2, and the conductor film is grounded to the decompression vessel 6.
【００１６】減圧容器６の底部には、排気通路４が形成
され、この排気通路４に接続された真空ポンプ５によ
り、加熱物支持部材１の内部の空間が排気され、真空に
される。さらに、この加熱物支持部材１の内部には、加
熱手段としてのフィラメント９とリフレクタ３が設置さ
れている。An evacuation passage 4 is formed at the bottom of the decompression vessel 6, and a vacuum pump 5 connected to the evacuation passage 4 evacuates a space inside the heated object support member 1 to be evacuated. Further, inside the heated object support member 1, a filament 9 and a reflector 3 as heating means are provided.
【００１７】フィラメント９は、加熱物支持部材１の加
熱部２の背後に設けられ、このフィラメント９には、絶
縁シール端子１６を介してフィラメント加熱電源１０が
接続されている。さらに、このフィラメント９と加熱部
２との間には、減圧容器６及び加熱物支持部材１を介し
て電子加速電源１１の加速電圧が印加されている。なお
加熱部２は、加熱物支持部材１及び減圧容器６を介して
接地され、フィラメント９に対して正電位に保持され
る。The filament 9 is provided behind the heating section 2 of the heating object support member 1, and a filament heating power supply 10 is connected to the filament 9 via an insulating seal terminal 16. Further, an acceleration voltage of an electron acceleration power supply 11 is applied between the filament 9 and the heating unit 2 via the decompression container 6 and the heated object support member 1. Note that the heating unit 2 is grounded via the heated object support member 1 and the decompression container 6, and is maintained at a positive potential with respect to the filament 9.
【００１８】リフレクタ３は、加熱物支持部材１の加熱
部２に対しフィラメント９の背後側に設けられている。
このリフレクタ３は、金、銀等の反射率の高い金属、ま
たはモリブデン等の融点の高い金属で形成され、少なく
ともその加熱物支持部材１の加熱部２に対向した面は、
鏡面となっており、赤外線を反射する。このリフレクタ
３は、多重に配置することができる。The reflector 3 is provided behind the filament 9 with respect to the heating section 2 of the heating object supporting member 1.
The reflector 3 is formed of a metal having a high reflectivity such as gold or silver, or a metal having a high melting point such as molybdenum.
It is a mirror surface and reflects infrared rays. The reflectors 3 can be multiplexed.
【００１９】前記加熱物支持部材１の加熱部２の平坦な
上面には、シリコンウエハ等の薄形平板状の加熱物ａが
載せられる。さらに、この加熱物ａを載せる加熱部２に
対向するその上側と、加熱部２を囲むその周囲には、リ
フレクタ１２が配置されている。このリフレクタ１２の
少なくとも加熱物支持部材１の加熱部２に向した面は、
鏡面となっており、赤外線を反射する。このリフレクタ
１２もまた、多重に配置することができる。On the flat upper surface of the heating section 2 of the heating object support member 1, a thin flat heating object a such as a silicon wafer is placed. Further, a reflector 12 is arranged on the upper side facing the heating unit 2 on which the heating object a is placed and on the periphery surrounding the heating unit 2. At least a surface of the reflector 12 facing the heating section 2 of the heated object support member 1 is
It is a mirror surface and reflects infrared rays. This reflector 12 can also be multiplexed.
【００２０】このような板体加熱装置では、減圧容器６
及び加熱物支持部材１の内部空間を減圧し、真空とす
る。次に、加熱手段であるフィラメント９から熱電子を
放出し、これを電子加速電源１１で印加される加速電圧
により加熱物支持部材１の加熱部２に衝突させる。この
電子衝撃により、加熱物支持部材１の加熱部２が加熱さ
れ、この加熱部２の上面に載せられている加熱物ａが加
熱される。In such a plate heating device, the decompression vessel 6
Then, the internal space of the heated object support member 1 is decompressed to a vacuum. Next, thermoelectrons are emitted from the filament 9 serving as a heating means, and are caused to collide with the heating unit 2 of the heated object support member 1 by the acceleration voltage applied by the electron acceleration power supply 11. Due to the electron impact, the heating section 2 of the heating object support member 1 is heated, and the heating object a placed on the upper surface of the heating section 2 is heated.
【００２１】このとき、加熱物支持部材１の内部は、真
空の空間となっているため、加熱物支持部材１の加熱部
２からその背後へは、対流による熱放出がなされず、輻
射による熱放出のみがなされる。そしてこの加熱部２の
背後へ放射された輻射熱は、リフレクタ３で加熱物支持
部材１の加熱部２へ向けて反射されるため、リフレクタ
３の背面への熱の放出が防止され、加熱物ａを効率的に
加熱することができる。これにより、加熱物ａを短時間
で高温に加熱することができる。At this time, since the inside of the heated object support member 1 is a vacuum space, heat is not released from the heating portion 2 of the heated object support member 1 to the back thereof by convection, but heat is radiated. Only release occurs. The radiant heat radiated to the back of the heating unit 2 is reflected by the reflector 3 toward the heating unit 2 of the heating object support member 1, so that heat is prevented from being emitted to the rear surface of the reflector 3 and the heating object a Can be efficiently heated. Thereby, the heating object a can be heated to a high temperature in a short time.
【００２２】加熱物ａを加熱した状態で、例えば減圧容
器にシラン等のプロセスガスを導入し、加熱物ａの表面
にシリコン薄膜を堆積させ、加熱物ａの表面に半導体加
工を施すことができる。図１において、矢印はプロセス
ガスの流れを示し、ドットは、プロセスガス雰囲気を示
す。加熱物ａの表面や加熱物支持部材１の周囲から放射
される輻射熱は、減圧容器６内のリフレクタ１２により
反射され、減圧容器６の外部への放熱が防止される。In a state in which the heating object a is heated, a process gas such as silane is introduced into, for example, a decompression vessel, a silicon thin film is deposited on the surface of the heating object a, and semiconductor processing can be performed on the surface of the heating object a. . In FIG. 1, the arrows indicate the flow of the process gas, and the dots indicate the process gas atmosphere. The radiant heat radiated from the surface of the heating object a and the periphery of the heating object support member 1 is reflected by the reflector 12 in the decompression container 6, so that heat radiation to the outside of the decompression container 6 is prevented.
【００２３】図２は、本発明による板体加熱装置の他の
例を示すものであり、図１と同じ部分は同じ符号で示し
てある。この図２に示した例では、減圧容器６は図示し
ておらず、そのステージ部１７のみが示されているが、
実際には、このステージ部１７の両側からその上にわた
って減圧容器で囲まれていることはもちろんである。FIG. 2 shows another example of the plate heating apparatus according to the present invention, and the same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. In the example shown in FIG. 2, the decompression container 6 is not shown, and only the stage portion 17 is shown.
Actually, the stage 17 is, of course, surrounded by a decompression container from both sides to above the stage.
【００２４】この図２に示した例では、加熱物支持部材
１の加熱部２を電子衝撃により加熱するのに代えて、電
気抵抗加熱により発生した輻射熱によりで加熱するよう
にしている。すなわち、フィラメント９に代えて、加熱
物支持部材１の内部空間に抵抗加熱ヒータ１３を設置
し、この抵抗加熱ヒータ１３に絶縁シール端子１６を介
してヒータ電源１５を接続している。この抵抗加熱ヒー
タ１３の背後にリフレクタ３を配置していることは、前
記図１と同様である。なお、図２において、矢印は輻射
熱の放射を示し、ドットは、プロセスガス雰囲気を示
す。In the example shown in FIG. 2, the heating section 2 of the heating object supporting member 1 is heated by radiant heat generated by electric resistance heating, instead of being heated by electron impact. That is, instead of the filament 9, a resistance heater 13 is provided in the internal space of the heated object support member 1, and a heater power supply 15 is connected to the resistance heater 13 via an insulating seal terminal 16. The arrangement of the reflector 3 behind the resistance heater 13 is the same as in FIG. In FIG. 2, arrows indicate radiation heat radiation, and dots indicate a process gas atmosphere.
【００２５】図３は、本発明による板体加熱装置の他の
例を示すものであり、図１及び図２と同じ部分は同じ符
号で示してある。この図３に示した例では、図２と同様
に、減圧容器６は図示しておらず、そのステージ部１７
のみが示されているが、実際には、このステージ部１７
の両側からその上にわたって減圧容器で囲まれているこ
とはもちろんである。また、この図３では、加熱物支持
部材１の加熱部２の上に加熱物が搭載されていないが、
加熱物を加熱するときは、図１及び図２と同様に、支持
部材１の加熱部２の上に加熱物が搭載される。FIG. 3 shows another example of the plate heating apparatus according to the present invention, and the same parts as those in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals. In the example shown in FIG. 3, the depressurizing container 6 is not shown as in FIG.
Only the stage section 17 is shown.
It is a matter of course that both sides are surrounded by a vacuum container from above. Further, in FIG. 3, the heating object is not mounted on the heating section 2 of the heating object support member 1,
When heating the heated object, the heated object is mounted on the heating section 2 of the support member 1 as in FIGS. 1 and 2.
【００２６】この図３に示した例では、図１と同様に、
加熱物支持部材１の内部空間にフィラメント９ａ、９ｂ
を配置し、加熱物支持部材１の加熱部２を電子衝撃によ
り加熱するものである。ここでは、平面円形のフィラメ
ント９ａ、９ｂを同心状に２つ配置し、フィラメント加
熱電源１０にこれらのフィラメント９ａ、９ｂを並列に
接続している。各フィラメント９ａ、９ｂは、絶縁シー
ル端子１６を介してフィラメント加熱電源１０に接続さ
れているが、第二のフィラメント９ｂとフィラメント加
熱電源１０との間にはスイッチ１８が挿入されている。
このスイッチ１８の切り換えにより、第一のフィラメン
ト９ａのみから熱電子を放出するか、または双方のフィ
ラメント９ａ、９ｂから熱電子を放出するか適宜選択す
ることができる。In the example shown in FIG. 3, similar to FIG.
The filaments 9a, 9b
Are arranged, and the heating unit 2 of the heated object support member 1 is heated by electron impact. Here, two planar circular filaments 9a and 9b are arranged concentrically, and these filaments 9a and 9b are connected in parallel to a filament heating power supply 10. Each of the filaments 9a and 9b is connected to a filament heating power supply 10 via an insulating seal terminal 16, and a switch 18 is inserted between the second filament 9b and the filament heating power supply 10.
By switching the switch 18, it is possible to appropriately select whether to emit thermoelectrons only from the first filament 9a or to emit thermoelectrons from both filaments 9a and 9b.
【００２７】この図３に示した例では、第一のフィラメ
ント９ａのみから熱電子を放出するか、または双方のフ
ィラメント９ａ、９ｂから熱電子を放出するか選択する
ことで、熱電子を放出する位置等を変えることができ
る。また万一、第一のフィラメント９ａが断線した場合
でも、第二のフィラメント９ｂを使用して加熱物の加熱
が可能である。これらのフィラメント９ａ、９ｂの背後
にリフレクタ３を配置していることは、前記図１と同様
である。In the example shown in FIG. 3, thermionic electrons are emitted by selecting whether thermionic electrons are emitted only from the first filament 9a or thermionic electrons are emitted from both filaments 9a and 9b. The position can be changed. Even if the first filament 9a is broken, the heating object can be heated using the second filament 9b. The arrangement of the reflector 3 behind these filaments 9a, 9b is the same as in FIG.
【００２８】図４は、本発明による板体加熱装置の他の
例を示すものであり、図１〜図３と同じ部分は同じ符号
で示してある。この図４に示した例では、図３と同様
に、減圧容器６は図示しておらず、そのステージ部１７
のみが示されているが、実際には、このステージ部１７
の両側からその上にわたって減圧容器で囲まれているこ
とはもちろんである。また、この図４では、加熱物支持
部材１の加熱部２の上に加熱物が搭載されていないが、
加熱物を加熱するときは、図１及び図２と同様に、支持
部材１の加熱部２の上に加熱物が搭載される。FIG. 4 shows another example of the plate heating apparatus according to the present invention, and the same parts as those in FIGS. 1 to 3 are denoted by the same reference numerals. In the example shown in FIG. 4, the decompression container 6 is not shown, as in FIG.
Only the stage section 17 is shown.
It is a matter of course that both sides are surrounded by a vacuum container from above. Further, in FIG. 4, although the heating object is not mounted on the heating unit 2 of the heating object support member 1,
When heating the heated object, the heated object is mounted on the heating section 2 of the support member 1 as in FIGS. 1 and 2.
【００２９】この図４に示した例では、図１及び図３と
同様に、加熱物支持部材１の内部空間にフィラメント９
ａ、９ｃを配置し、加熱物支持部材１の加熱部２を電子
衝撃により加熱するものである。ここでは、平面円形の
メインフィラメント９ａの中心に、サブフィラメント９
ｃを配置し、それぞれのフィラメント９ａ、９ｃに絶縁
シール端子１６を介してフィラメント加熱電源１０ａ、
１０ｃを接続している。In the example shown in FIG. 4, as in FIGS. 1 and 3, the filament 9
a and 9c are arranged to heat the heating portion 2 of the heated object support member 1 by electron impact. Here, the sub-filament 9 is placed at the center of the planar circular main filament 9a.
c, and a filament heating power source 10a,
10c is connected.
【００３０】この図４に示した例では、メインフィラメ
ント９ａから熱電子を放出すると共に、その中心にある
サブフィラメント９ｃからも熱電子を放出するので、加
熱物支持部材１の加熱部２の中心部における温度の低下
を防止することができる。これらのフィラメント９ａ、
９ｃの背後にリフレクタ３を配置していることは、前記
図１及び図３と同様である。In the example shown in FIG. 4, since thermionic electrons are emitted from the main filament 9a and also from the sub-filament 9c at the center thereof, the center of the heating portion 2 of the heated object support member 1 is heated. It is possible to prevent a decrease in temperature in the part. These filaments 9a,
The arrangement of the reflector 3 behind 9c is the same as in FIG. 1 and FIG.
【００３１】図５は、本発明による板体加熱装置の他の
例を示すものであり、図１〜図４と同じ部分は同じ符号
で示してある。この図５に示した例は、前記図１に示し
た板体加熱装置において、加熱物支持部材１の加熱部２
の上に搭載した加熱物ａと対向して、減圧容器６内に設
けたリフレクタ１２に代えて、加熱物支持部材１と同様
の構成を有する加熱物対向部材２１を上下逆向きに配置
したものである。FIG. 5 shows another example of the plate heating apparatus according to the present invention, and the same parts as those in FIGS. 1 to 4 are denoted by the same reference numerals. The example shown in FIG. 5 is different from the plate heating apparatus shown in FIG.
A heating object facing member 21 having the same configuration as the heating object support member 1 is disposed in an upside-down direction in place of the reflector 12 provided in the decompression container 6 so as to face the heating object a mounted on the heating object a. It is.
【００３２】すなわち、減圧容器６の上部側には、加熱
物ａと対向する平坦な対向部２２を有する耐熱性の加熱
物対向部材２１が設置され、その内部は同加熱物対向部
材２１により、その外側の減圧容器６と気密に仕切られ
た空間を有する。より具体的には、加熱物対向部材２１
は、下面側が対向部２２により閉じられ、上面側が開口
した円筒形状を有しており、対向部２２の平坦な下面
は、シリコンウエハ等の薄板状の加熱物ａより広く、そ
の加熱物ａと対向している。加熱物対向部材２１の下縁
部は、減圧容器６の内上面に当てられて固定されると共
に、真空シール材２８により真空シールされている。That is, on the upper side of the decompression vessel 6, a heat-resistant heated object facing member 21 having a flat facing portion 22 facing the heated object a is installed. It has a space that is airtightly partitioned from the decompression container 6 on the outside. More specifically, the heating object facing member 21
Has a cylindrical shape in which the lower surface side is closed by the facing portion 22 and the upper surface side is open, and the flat lower surface of the facing portion 22 is wider than a thin plate-like heating object a such as a silicon wafer. Are facing each other. The lower edge portion of the heated object facing member 21 is applied to and fixed to the inner upper surface of the decompression container 6, and is vacuum-sealed by the vacuum seal material 28.
【００３３】図示の加熱物対向部材２１は、その下の加
熱物支持部材１と全く同じ材質で、且つ上下逆になって
いる以外は同じ形状を有しているが、必ずしもそうでな
くもよい。また後述するように、電子衝撃により対向部
２２を加熱する場合において、加熱物対向部材２１がセ
ラミックのような絶縁体からなる場合は、その対向部２
２の内面に導体膜を形成し、この導体膜を減圧容器６に
接地する。The illustrated heating object facing member 21 is made of exactly the same material as that of the heating object supporting member 1 thereunder, and has the same shape except that it is upside down, but this is not necessarily required. . As will be described later, when the facing portion 22 is heated by electron impact, when the heated object facing member 21 is made of an insulator such as ceramic, the facing portion 2 is heated.
2, a conductor film is formed on the inner surface of the container 2, and this conductor film is grounded to the decompression container 6.
【００３４】減圧容器６の上部には、排気通路２４が形
成され、この排気通路２４に接続された真空ポンプ２５
により、加熱物対向部材２１の内部の空間が排気され、
真空にされる。さらに、この加熱物対向部材１の内部に
は、加熱手段としてのフィラメント２９とリフレクタ２
３が設置されている。An evacuation passage 24 is formed in the upper part of the decompression container 6, and a vacuum pump 25 connected to the evacuation passage 24
Thereby, the space inside the heated object facing member 21 is exhausted,
Vacuum is applied. Further, inside the heated object facing member 1, a filament 29 as a heating means and a reflector 2 are provided.
3 are installed.
【００３５】フィラメント２９は、加熱物対向部材２１
の対向部２２の背後に設けられ、このフィラメント２９
には、絶縁シール端子３６を介してフィラメント加熱電
源３０が接続されている。さらに、このフィラメント２
９と対向部２２との間には、減圧容器６及び加熱物対向
部材２１を介して電子加速電源１１の加速電圧が印加さ
れている。なお対向部２２は、加熱物対向部材２１及び
減圧容器６を介して接地され、フィラメント２９に対し
て正電位に保持される。The filament 29 is connected to the heating object facing member 21.
This filament 29 is provided behind the facing portion 22 of
Is connected to a filament heating power source 30 via an insulating seal terminal 36. Furthermore, this filament 2
The acceleration voltage of the electron acceleration power supply 11 is applied between the counter 9 and the opposing portion 22 via the decompression container 6 and the heated object opposing member 21. The opposing portion 22 is grounded via the heated object opposing member 21 and the decompression container 6, and is maintained at a positive potential with respect to the filament 29.
【００３６】リフレクタ２３は、加熱物対向部材２１の
対向部２２に対しフィラメント２９の背後側に設けられ
ている。このリフレクタ２３の少なくとも加熱物対向部
材２１が、金や銀等の高反射率を有する金属、またはモ
リブデン等の高融点金属からなり、その対向部２に対向
した面は、鏡面となっており、赤外線を反射する。この
リフレクタ２３は、多重に配置することができる。図示
の加熱物対向部材２１の内部に配置したフィラメント２
９とリフレクタ２３は、その下の加熱物支持部材１の内
部に配置したフィラメント９とリフレクタ３と、上下が
逆なだけで、同じ配置と形状を有しているが、必ずしも
そうでなくもよい。The reflector 23 is provided behind the filament 29 with respect to the facing portion 22 of the heated object facing member 21. At least the heated object facing member 21 of the reflector 23 is made of a metal having high reflectivity such as gold or silver, or a high melting point metal such as molybdenum, and the surface facing the facing portion 2 is a mirror surface, Reflects infrared light. The reflectors 23 can be multiplexed. Filament 2 arranged inside heated object facing member 21 shown
9 and the reflector 23 have the same arrangement and shape, except that the filament 9 and the reflector 3 arranged inside the heated object support member 1 below are upside down, but this is not necessarily required. .
【００３７】このような板体加熱装置では、減圧容器
６、加熱物支持部材１の内部空間及び加熱物対向部材２
１の内部空間を減圧し、真空とする。そして、加熱手段
であるフィラメント９から熱電子を放出し、電子衝撃に
より、加熱物支持部材１の加熱部２の上面に載せられて
いる加熱物ａを加熱することは図１の例と同様である。In such a plate heating apparatus, the decompression vessel 6, the internal space of the heated object support member 1, and the heated object facing member 2
The internal space of 1 is decompressed and evacuated. Then, the thermoelectrons are emitted from the filament 9 as the heating means, and the heating object a placed on the upper surface of the heating section 2 of the heating object support member 1 is heated by the electron impact in the same manner as in the example of FIG. is there.
【００３８】他方、加熱物対向部材２１側でも、加熱手
段であるフィラメント２９から熱電子を放出し、これを
電子加速電源１１で印加される加速電圧により加熱物対
向部材２１の対向部２２に衝突させる。この電子衝撃に
より、加熱物対向部材２１の対向部２が加熱され、この
対向部２２から放射される輻射熱により、同対向部２２
と対向している加熱物ａが加熱される。On the other hand, also on the side of the heated object facing member 21, thermions are emitted from the filament 29, which is the heating means, and collide with the facing portion 22 of the heated object facing member 21 by the acceleration voltage applied by the electron acceleration power supply 11. Let it. Due to this electron impact, the facing portion 2 of the heated object facing member 21 is heated, and the radiant heat radiated from the facing portion 22 causes the facing portion 22 to be heated.
Is heated.
【００３９】このとき、加熱物対向部材２１の内部は、
真空の空間となっているため、加熱物対向部材２１の対
向部２２からその背後へは、対流による熱放出がなされ
ず、輻射による熱放出のみがなされる。そしてこの対向
部２２の背後へ放射された輻射熱は、リフレクタ２３で
加熱物対向部材２１の対向部２２へ向けて反射されるた
め、リフレクタ２３の背面への熱の放出が防止され、加
熱物ａを効率的に加熱することができる。これにより、
加熱物ａに対向してリフレクタ１２を配置した場合にく
らべ、上方に放射される熱エネルギ損失が小さくなり、
さらに短時間に高温に加熱することが可能となる。At this time, the inside of the heated object facing member 21
Since the space is a vacuum space, heat is not released from the facing portion 22 of the heated object facing member 21 to the back thereof by convection, but is released only by radiation. The radiant heat radiated behind the facing portion 22 is reflected by the reflector 23 toward the facing portion 22 of the heating object facing member 21, so that the release of heat to the rear surface of the reflector 23 is prevented, and the heating object a Can be efficiently heated. This allows
The heat energy loss radiated upward is smaller than when the reflector 12 is arranged facing the heating object a,
Further, it becomes possible to heat to a high temperature in a short time.
【００４０】[0040]
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、加
熱物ａを保持する保持部２の裏面からの放熱を効果的に
防止することができ、しかもリフレクタ３を使用しても
板体側への金属元素や金属イオンの飛散等がなく、リフ
レクタの酸化もなく、さらにより幅の広い加熱手段を使
用することができる板体加熱装置が得られる。As described above, according to the present invention, heat can be effectively prevented from being released from the back surface of the holding portion 2 for holding the heating object a. Thus, there is obtained a plate heating apparatus which does not scatter metal elements or metal ions to the surface, does not oxidize the reflector, and can use a wider heating means.
【図１】本発明による板体加熱装置とそれを使用した板
体加工装置の例を示す概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a plate heating apparatus and a plate processing apparatus using the same according to the present invention.
【図２】本発明による板体加熱装置の他の例を示す概略
断面図である。FIG. 2 is a schematic sectional view showing another example of the plate heating device according to the present invention.
【図３】本発明による板体加熱装置の他の例を示す概略
断面図である。FIG. 3 is a schematic sectional view showing another example of the plate heating device according to the present invention.
【図４】本発明による板体加熱装置の他の例を示す概略
断面図である。FIG. 4 is a schematic sectional view showing another example of the plate heating device according to the present invention.
【図５】本発明による板体加熱装置とそれを使用した板
体加工装置の他の例を示す概略断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing another example of a plate heating apparatus according to the present invention and a plate processing apparatus using the same.
１ 加熱物支持部材 ２ 加熱物支持部材の加熱部 ３ リフレクタ ５ 真空ポンプ ９ フィラメント ９ａ フィラメント ９ｂ フィラメント ９ｃ フィラメント １３ 抵抗加熱ヒータ ２１ 加熱物対向部材 ２２ 加熱物対向部材の対向部 ２３ リフレクタ ２５ 真空ポンプ ２９ フィラメント ａ 加熱物 REFERENCE SIGNS LIST 1 heated object support member 2 heated object support member heating section 3 reflector 5 vacuum pump 9 filament 9a filament 9b filament 9c filament 13 resistance heater 21 heated object facing member 22 facing portion of heated object facing member 23 reflector 25 vacuum pump 29 filament a heated object
Claims (6)
から加熱する平板加熱装置において、内部に気密な空間
が形成され、加熱物（ａ）を載せる平坦な加熱部（２）
を有する耐熱性の加熱物支持部材（１）と、この加熱物
支持部材（１）の前記加熱部（２）の背後の空間部に設
けられ、加熱物支持部材（１）を加熱する加熱手段と、
前記加熱物支持部材（１）の中にあって、前記加熱部
（２）に対して加熱手段より背後に設けられ、熱を反射
するリフレクタ（３）と、加熱物支持部材（１）の内部
の空間を排気する排気手段とを有することを特徴とする
板体加熱装置。In a flat plate heating apparatus for heating a thin flat heating object (a) from the back side thereof, an airtight space is formed therein, and a flat heating section (2) on which the heating object (a) is placed.
And a heating means provided in a space behind the heating section (2) of the heated object support member (1) for heating the heated object support member (1). When,
A reflector (3) provided in the heating object support member (1) behind the heating means with respect to the heating section (2) and reflecting heat, and an inside of the heating object support member (1); An exhaust means for exhausting the space defined by the above.
部（２）は、シリコン含浸シリコンカーバイトであるこ
とを特徴とする請求項１に記載の板体加熱装置。2. The plate heating apparatus according to claim 1, wherein at least the heating section (2) of the heated object support member (1) is a silicon impregnated silicon carbide.
部（２）は、セラミックであることを特徴とする請求項
１に記載の板体加熱装置。3. The plate heating apparatus according to claim 1, wherein at least the heating section (2) of the heating object support member (1) is made of ceramic.
から加熱する平板加熱装置において、内部に気密な空間
が形成され、加熱物支持部材１の加熱部（２）に載せら
れた加熱物（ａ）に対向して配置された耐熱性の加熱物
対向部材（２１）と、この加熱物対向部材（２１）の前
記加熱物（ａ）と対向した対向部（２２）の背後の空間
部に設けられ、対向部（２２）と対向する加熱物（ａ）
を加熱する加熱手段と、前記加熱物対向部材（２１）の
中にあって、前記対向部（２２）に対して加熱手段より
背後に設けられ、熱を反射するリフレクタ（２３）と、
加熱物対向部材（２１）の内部の空間を排気する排気手
段とを有することを特徴とする板体加熱装置。4. A flat plate heating apparatus for heating a thin flat plate-shaped heating object (a) from the back side thereof has an airtight space formed therein and is mounted on a heating section (2) of a heating object support member 1. A heat-resistant heated object facing member (21) arranged to face the heated object (a), and a back portion of the facing portion (22) of the heated object facing member (21) facing the heated object (a). Heated object (a) provided in the space and facing the facing portion (22)
A reflector (23) which is provided in the heated object facing member (21), is provided behind the heating means with respect to the facing portion (22), and reflects heat;
A plate heating device, comprising: an exhaust means for exhausting a space inside the heated object facing member (21).
向部（２２）は、シリコン含浸シリコンカーバイトであ
ることを特徴とする請求項４に記載の板体加熱装置。5. The plate heating apparatus according to claim 4, wherein at least the facing portion (22) of the heating object facing member (21) is a silicon impregnated silicon carbide.
向部（２２）は、セラミックであることを特徴とする請
求項４に記載の板体加熱装置。6. The plate heating apparatus according to claim 4, wherein at least the opposed portion (22) of the heated object facing member (21) is made of ceramic.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15410598A JP2912913B1 (en) | 1998-06-03 | 1998-06-03 | Plate heating device |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
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| JPH11345776A JPH11345776A (en) | 1999-12-14 |
Family
ID=15577041
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Country Status (1)
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| JP (1) | JP2912913B1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7732739B2 (en) | 2004-10-19 | 2010-06-08 | Canon Anelva Corporation | Substrate heat treatment apparatus and substrate transfer tray used in substrate heat treatment |
| US7897523B2 (en) | 2008-01-30 | 2011-03-01 | Canon Anelva Engineering Corporation | Substrate heating apparatus, heating method, and semiconductor device manufacturing method |
| US8032015B2 (en) | 2008-02-13 | 2011-10-04 | Canon Anelva Corporation | Heating apparatus, heating method, and semiconductor device manufacturing method |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4394303B2 (en) * | 2001-04-11 | 2010-01-06 | 新明和工業株式会社 | Vacuum gate valve |
| KR100543711B1 (en) * | 2004-06-19 | 2006-01-20 | 삼성전자주식회사 | Heat treatment apparatus |
| JP4582816B2 (en) | 2008-06-27 | 2010-11-17 | キヤノンアネルバ株式会社 | Vacuum heating device |
| JP5581124B2 (en) * | 2010-06-14 | 2014-08-27 | 助川電気工業株式会社 | Rear electron impact heating device |
-
1998
- 1998-06-03 JP JP15410598A patent/JP2912913B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7732739B2 (en) | 2004-10-19 | 2010-06-08 | Canon Anelva Corporation | Substrate heat treatment apparatus and substrate transfer tray used in substrate heat treatment |
| US7897523B2 (en) | 2008-01-30 | 2011-03-01 | Canon Anelva Engineering Corporation | Substrate heating apparatus, heating method, and semiconductor device manufacturing method |
| US8032015B2 (en) | 2008-02-13 | 2011-10-04 | Canon Anelva Corporation | Heating apparatus, heating method, and semiconductor device manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11345776A (en) | 1999-12-14 |
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