JP2010219542A - 半導体製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 少なくとも上面に光透過性窓を設けた反応室と、光透過性窓に対応する反応室外側に配置されたランプ加熱装置と、ランプ加熱装置と光透過性窓との間に設けられ、光透過性窓の窓枠を構成する耐熱性低熱伝導部材と、耐熱制定熱伝導部材と光透過性窓の間に設けられた窓押さえ込み部と、とを有する。
【選択図】 図1
Description
縁部材や光透過性窓部材等がある。
本発明の実施形態1の構成を、図1に示す。このMMT装置は、シャワー板3、上蓋4
及びその上方の構造を除き、基本的に図6の装置と同じ構成となっている。
周波を印加することで、ドーム状の上容器2内部にプラズマができる。図6に示す如く、下容器1内には基板載置台たるサセプタ5が配置され、この上にシリコンウェハなどの被処理基板6が設置される。上容器2内部に生成されたプラズマは拡散され、被処理基板6上においてほぼ均一なプラズマ密度となり、均一な処理が可能となる。
50の周囲であるため、その局所的な部分に冷却水を流すことで、上蓋縁部材41を中心とする周辺部材の温度上昇を低減させることができる点にある。光源から放射された光(熱)を冷却水へ多く吸収させるために、上蓋縁部材41の材質は熱伝導率の高い材質、例えばアルミニウムを用いる。
図4に本発明の第二の実施形態の構成を、また図5にその一部を拡大して示す。この第二の実施形態は、ランプ加熱装置50を上蓋12に取り付ける構造が熱の消散が良好なピン構造(ピン74)と成っている点において、図2の場合と異なっている。
5 サセプタ
6 被処理基板
9 Oリング
10 処理容器
17 プラズマ生成手段
20 反応室(処理室)
41 上蓋縁部材
42 光透過性窓部材
43 段差部
44 テフロン(登録商標)製シール材
45 Oリング
50 ランプ加熱装置
51 取付部材
52 段差部
60 フランジ板
61 冷却液の通路
62 キャップ
71 取付部材
72 内向フランジ部
73 取付部材
74 ピン
Claims (2)
- 少なくとも上面に光透過性窓を設けた反応室と、
前記反応室の外周囲に配置される放電用電極と、
前記放電用電極の外周囲に配置される磁界形成手段と、
前記光透過性窓に対応する反応室外側に配置されたランプ加熱装置と、
前記ランプ加熱装置と前記光透過性窓との間に設けられ、前記光透過性窓の窓枠を構成する耐熱性低熱伝導部材と、
前記耐熱制定熱伝導部材と前記光透過性窓の間に設けられた窓押さえ込み部と、
前記反応室内の前記ランプ加熱装置に対向させて被処理基板をランプ加熱装置からの光照射を受けるように載置する基板載置台と、
前記反応室内にガスを供給するガス供給管とを有する半導体製造装置。 - 前記窓枠は、耐熱性熱伝導部材のほかに第二の熱伝導部材を有し、
前記第二の熱伝導部材は、前記耐熱制定熱伝導部材により熱伝導率が高い材質であり、
前記第二の熱伝導部材は、冷却流路が設けられることを特徴とする請求項1記載の半導体製造装置。
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