JP2862385B2 - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JP2862385B2 JP2862385B2 JP3048101A JP4810191A JP2862385B2 JP 2862385 B2 JP2862385 B2 JP 2862385B2 JP 3048101 A JP3048101 A JP 3048101A JP 4810191 A JP4810191 A JP 4810191A JP 2862385 B2 JP2862385 B2 JP 2862385B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- exposure
- light
- illumination system
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
- G03F7/2026—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction
- G03F7/2028—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction of an edge bead on wafers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、投影光学系を介してマ
スクと基板を走査露光することによりマスク上のパター
ンを基板上に投影露光する露光装置、特には大型の液晶
表示パネルを製造するために用いられる液晶表示パネル
製造用の露光装置に関する。
スクと基板を走査露光することによりマスク上のパター
ンを基板上に投影露光する露光装置、特には大型の液晶
表示パネルを製造するために用いられる液晶表示パネル
製造用の露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示パネル、特にパソコン向けの大
市場が期待される１０インチ前後の液晶表示パネルを製
造するために利用される露光装置としては、解像力が良
い及び生産性が高いという利点から、投影光学系に対し
てマスクと基板を移動させながらマスクと基板を走査露
光することにより、マスク上のパターンを基板上に投影
露光するタイプの露光装置が使用されている。
市場が期待される１０インチ前後の液晶表示パネルを製
造するために利用される露光装置としては、解像力が良
い及び生産性が高いという利点から、投影光学系に対し
てマスクと基板を移動させながらマスクと基板を走査露
光することにより、マスク上のパターンを基板上に投影
露光するタイプの露光装置が使用されている。
【０００３】この種の装置は、例えば非常に高い面精度
に研磨された３つのミラーを有する周知の投影系を備え
ており、この投影系で得られる円弧スリット状の良像域
を用いてマスクに形成されているパターンの全体像を基
板に転写するために、マスクと基板を投影系を介して走
査露光している。この種の装置で露光できる領域の大き
さは、走査方向（Ｙ方向）は投影系に対してマスクと基
板を移動する距離により決定され、走査方向に直交する
方向（Ｘ方向）は投影系で得られるスリットのＸ方向の
幅により決定される。
に研磨された３つのミラーを有する周知の投影系を備え
ており、この投影系で得られる円弧スリット状の良像域
を用いてマスクに形成されているパターンの全体像を基
板に転写するために、マスクと基板を投影系を介して走
査露光している。この種の装置で露光できる領域の大き
さは、走査方向（Ｙ方向）は投影系に対してマスクと基
板を移動する距離により決定され、走査方向に直交する
方向（Ｘ方向）は投影系で得られるスリットのＸ方向の
幅により決定される。
【０００４】また、液晶表示パネルは、マスクのパター
ンが基板上のフォトレジストに転写されると共に、ＩＣ
やＬＳＩのような半導体装置を製造するプロセスと同様
なプロセスを経ることにより製造される。該基板は液晶
の駆動を制御するための画素駆動回路として利用され
る。
ンが基板上のフォトレジストに転写されると共に、ＩＣ
やＬＳＩのような半導体装置を製造するプロセスと同様
なプロセスを経ることにより製造される。該基板は液晶
の駆動を制御するための画素駆動回路として利用され
る。
【０００５】ところで、液晶表示パネル製造用の露光装
置においては、液晶表示パネルを製造するために必要な
露光領域は、理論的には表示パネルの画素パターン部と
その周辺に設けられる電極パターン部をカバーする大き
さであればよい。しかし、大型の基板では、通常、基板
周辺部でのレジスト塗布ムラが大きくなるため、液晶表
示パネルとなる部分を露光するのに必要な露光領域より
大きなサイズの基板を必要とする。現在、１０インチ程
度の大きさの液晶表示パネルは、横３２０mm×縦４００
mmの大型基板からの２面取りが標準になりつつあるが、
その様な大型基板で、液晶表示パネル部のみを露光した
場合、以下のような不都合が生じる。
置においては、液晶表示パネルを製造するために必要な
露光領域は、理論的には表示パネルの画素パターン部と
その周辺に設けられる電極パターン部をカバーする大き
さであればよい。しかし、大型の基板では、通常、基板
周辺部でのレジスト塗布ムラが大きくなるため、液晶表
示パネルとなる部分を露光するのに必要な露光領域より
大きなサイズの基板を必要とする。現在、１０インチ程
度の大きさの液晶表示パネルは、横３２０mm×縦４００
mmの大型基板からの２面取りが標準になりつつあるが、
その様な大型基板で、液晶表示パネル部のみを露光した
場合、以下のような不都合が生じる。
【０００６】通常、液晶表示パネルの製造のために基板
を露光する際、使用されるレジストはポジ型であり、周
辺部に光が当らないと工程（レイヤー）ごとのレジスト
膜が周辺部に積層されていく。積層された膜は、露光装
置内で基板を搬送用のカセットから搬出入する時、カセ
ットのスロット部と接触して剥離しゴミとなり、また基
板をスクライブする際にもゴミとなって発生する。この
ゴミが基板表面（フォトレジストが塗布される側）に付
着したままパターン転写が行なわれると、液晶パネルの
歩留まりは極端に落ちてしまう。
を露光する際、使用されるレジストはポジ型であり、周
辺部に光が当らないと工程（レイヤー）ごとのレジスト
膜が周辺部に積層されていく。積層された膜は、露光装
置内で基板を搬送用のカセットから搬出入する時、カセ
ットのスロット部と接触して剥離しゴミとなり、また基
板をスクライブする際にもゴミとなって発生する。この
ゴミが基板表面（フォトレジストが塗布される側）に付
着したままパターン転写が行なわれると、液晶パネルの
歩留まりは極端に落ちてしまう。
【０００７】この問題を解消するためには、基板上の液
晶表示パネル部の周辺部のフォトレジストにも光を当て
て、レジスト膜が積層されないようにすれば良い。従
来、液晶表示パネルを製造するメーカーでは、解像力が
必要な液晶表示パネル部のみを前述のミラー投影型や周
知のレンズ投影型の露光装置で露光し、周辺部は液晶表
示パネルを露光するのに必要な解像力は得られないが、
大画面を一括で露光可能なプロキシミティー方式の露光
装置を使用して周辺部を露光している。
晶表示パネル部の周辺部のフォトレジストにも光を当て
て、レジスト膜が積層されないようにすれば良い。従
来、液晶表示パネルを製造するメーカーでは、解像力が
必要な液晶表示パネル部のみを前述のミラー投影型や周
知のレンズ投影型の露光装置で露光し、周辺部は液晶表
示パネルを露光するのに必要な解像力は得られないが、
大画面を一括で露光可能なプロキシミティー方式の露光
装置を使用して周辺部を露光している。
【０００８】
【発明が解決しようとしている課題】しかし、周辺部を
別の露光装置で露光する場合には、基板に対してある一
つの工程のパターンニングを行なう際、２種類の露光装
置のそれぞれで１回づつの露光を行なう必要があり、生
産性は大巾に低下してしまう。
別の露光装置で露光する場合には、基板に対してある一
つの工程のパターンニングを行なう際、２種類の露光装
置のそれぞれで１回づつの露光を行なう必要があり、生
産性は大巾に低下してしまう。
【０００９】一方、周辺部の露光を液晶表示パネル部を
露光する露光装置で行なうことを考える場合、走査型の
露光装置では、縦（Ｙ）方向は基板を移動する距離を延
長することにより周辺部に光を当てることが可能であ
り、横（Ｘ）方向は投影系により得られるスリットのＸ
方向の幅を拡大すれば周辺部に光を当てることが可能で
ある。
露光する露光装置で行なうことを考える場合、走査型の
露光装置では、縦（Ｙ）方向は基板を移動する距離を延
長することにより周辺部に光を当てることが可能であ
り、横（Ｘ）方向は投影系により得られるスリットのＸ
方向の幅を拡大すれば周辺部に光を当てることが可能で
ある。
【００１０】マスクと基板を一体的に走査する距離を延
長することは、マスクと基板の移動を案内する走査ガイ
ドを延長すればよく、容易に達成可能である。しかし、
横方向の円弧スリットの幅を拡大することは不可能では
ないが非常に難しいものである。その理由として以下の
２点がある。
長することは、マスクと基板の移動を案内する走査ガイ
ドを延長すればよく、容易に達成可能である。しかし、
横方向の円弧スリットの幅を拡大することは不可能では
ないが非常に難しいものである。その理由として以下の
２点がある。
【００１１】１．円弧スリットの幅は、製造したい大き
さの液晶表示パネルを効率良く露光できる幅、例えば１
０インチのパネルを製造するための露光装置では約２８
０mmにする必要がある。円弧スリットの幅を基板の横サ
イズである３２０mm迄拡大すると、スリット幅の面積が
広がって、パターン転写用の照明光（露光光）が基板上
で拡散され照度が低下するので、液晶表示パネル部を露
光する際の露光時間が長くかかり、生産性が低下してし
まう。
さの液晶表示パネルを効率良く露光できる幅、例えば１
０インチのパネルを製造するための露光装置では約２８
０mmにする必要がある。円弧スリットの幅を基板の横サ
イズである３２０mm迄拡大すると、スリット幅の面積が
広がって、パターン転写用の照明光（露光光）が基板上
で拡散され照度が低下するので、液晶表示パネル部を露
光する際の露光時間が長くかかり、生産性が低下してし
まう。
【００１２】２．スリット幅を拡大するためには投影光
学系を大きくしなければならず、加工が困難となる。こ
の場合には、露光装置自体も大きくなり、広いフットス
ペースが必要となる。液晶表示装置用の露光装置は、半
導体製造用の露光装置と同様にクリーンルーム内に設置
されるので、装置自体が大型化するのは好ましくない。
学系を大きくしなければならず、加工が困難となる。こ
の場合には、露光装置自体も大きくなり、広いフットス
ペースが必要となる。液晶表示装置用の露光装置は、半
導体製造用の露光装置と同様にクリーンルーム内に設置
されるので、装置自体が大型化するのは好ましくない。
【００１３】本発明は、このような事情に鑑みなされた
ものであり、その目的は、パターン部と周辺部の両方を
生産性を低下させることなく露光することが可能で、且
つ装置自体は小型な露光装置を提供することにある。
ものであり、その目的は、パターン部と周辺部の両方を
生産性を低下させることなく露光することが可能で、且
つ装置自体は小型な露光装置を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の露光装置は、マスクを露光光によりスリ
ット状に照明するための第１照明系と、前記マスクのス
リット状に照明された部分の像を基板上に投影するため
の投影光学系と、前記マスクに形成されているパターン
の像を前記投影光学系を介して前記基板に投影露光する
するために前記第１照明系からの露光光で前記マスクを
スリット状に照明しながら前記マスクと前記基板を前記
投影光学系に対して移動させる際、前記第１照明系から
の露光光が照射されない前記基板の周辺部分を照明する
ための第２照明系を有することを特徴とする。
めに、本発明の露光装置は、マスクを露光光によりスリ
ット状に照明するための第１照明系と、前記マスクのス
リット状に照明された部分の像を基板上に投影するため
の投影光学系と、前記マスクに形成されているパターン
の像を前記投影光学系を介して前記基板に投影露光する
するために前記第１照明系からの露光光で前記マスクを
スリット状に照明しながら前記マスクと前記基板を前記
投影光学系に対して移動させる際、前記第１照明系から
の露光光が照射されない前記基板の周辺部分を照明する
ための第２照明系を有することを特徴とする。
【００１５】
【実施例】図１は本発明の露光装置の一実施例を示す。
この露光装置は液晶表示パネル製造用のものである。液
晶表示パネル用の基板は、各行程（レイヤー）のフォト
レジストの露光ごとに半導体装置の製造プロセスと同様
なプロセスで処理されて、その表面に液晶駆動用の画素
電極を含む回路が形成されるものであり、この露光装置
は、そのプロセスの中で基板に回路形成用のパターンを
焼付け転写するために利用されるものである。
この露光装置は液晶表示パネル製造用のものである。液
晶表示パネル用の基板は、各行程（レイヤー）のフォト
レジストの露光ごとに半導体装置の製造プロセスと同様
なプロセスで処理されて、その表面に液晶駆動用の画素
電極を含む回路が形成されるものであり、この露光装置
は、そのプロセスの中で基板に回路形成用のパターンを
焼付け転写するために利用されるものである。
【００１６】図１において、１は基板６の表面に塗布さ
れているフォトレジストを感光させる波長の光を照明光
（露光光）として発生するための照明系で、この照明系
１からの露光光１９はマスク５に形成されている回路形
成用パターンを基板６の液晶表示パネル部６ａ（図２参
照）に焼付けるために利用される。照明系１からの露光
光は、マスク５及び基板６を円弧スリット状（図２参
照）に照明する。
れているフォトレジストを感光させる波長の光を照明光
（露光光）として発生するための照明系で、この照明系
１からの露光光１９はマスク５に形成されている回路形
成用パターンを基板６の液晶表示パネル部６ａ（図２参
照）に焼付けるために利用される。照明系１からの露光
光は、マスク５及び基板６を円弧スリット状（図２参
照）に照明する。
【００１７】２は超高圧水銀ランプ、３は照明系１から
の露光光のマスク５への照射を制御するためのシャッタ
ーで、不図示の制御回路からの動作指令に応じて自動的
に開閉し、露光光１９の通過と遮断を制御する。超高圧
水銀ランプ２とシャッター３は照明系１に含まれてい
る。
の露光光のマスク５への照射を制御するためのシャッタ
ーで、不図示の制御回路からの動作指令に応じて自動的
に開閉し、露光光１９の通過と遮断を制御する。超高圧
水銀ランプ２とシャッター３は照明系１に含まれてい
る。
【００１８】４は凸面ミラー、凹面ミラー、及び台形ミ
ラーを有する周知のミラー投影光学系で、照明系１から
の露光光１９で円弧スリット状に照明された部分のマス
ク５の像を基板６上に結像させる。７はマスク５と基板
６を一体的に保持するためのキャリッジ、８，８’はキ
ャリッジ７をＹ方向（走査方向）に移動可能に支持する
エアーベアリングガイド、９はキャリッジ７を投影系４
に対してＹ方向に移動するためのリニアモータである。
ラーを有する周知のミラー投影光学系で、照明系１から
の露光光１９で円弧スリット状に照明された部分のマス
ク５の像を基板６上に結像させる。７はマスク５と基板
６を一体的に保持するためのキャリッジ、８，８’はキ
ャリッジ７をＹ方向（走査方向）に移動可能に支持する
エアーベアリングガイド、９はキャリッジ７を投影系４
に対してＹ方向に移動するためのリニアモータである。
【００１９】マスク５及び基板６はそれぞれＸＹ面に実
質的に平行にキヤリツジ７に保持されると共に、Ｚ軸方
向に関して投影系４の両側に配置され、マスク５は投影
系４の物体面に、且つ基板６は投影系４の像面に実質的
に位置している。エアーベアリングガイド８，８’は、
それぞれＹ軸方向に伸びたガイドレールと静圧空気をガ
イドレールに向けて噴出するためのパツドが固着されて
いるスライダーを有しており、それぞれのガイドレール
はベース１０の上面に固定され、スライダーはキヤリツ
ジ７の底面に固定されている。エアーベアリングガイド
８はＸ及びＺ軸方向に関してキヤリツジ７の変位を拘束
するタイプであり、エアーベアリングガイド８’はベー
ス１０上のキヤリツジ７を鉛直方向（Ｚ方向）に関して
支持するためのみに利用されている。
質的に平行にキヤリツジ７に保持されると共に、Ｚ軸方
向に関して投影系４の両側に配置され、マスク５は投影
系４の物体面に、且つ基板６は投影系４の像面に実質的
に位置している。エアーベアリングガイド８，８’は、
それぞれＹ軸方向に伸びたガイドレールと静圧空気をガ
イドレールに向けて噴出するためのパツドが固着されて
いるスライダーを有しており、それぞれのガイドレール
はベース１０の上面に固定され、スライダーはキヤリツ
ジ７の底面に固定されている。エアーベアリングガイド
８はＸ及びＺ軸方向に関してキヤリツジ７の変位を拘束
するタイプであり、エアーベアリングガイド８’はベー
ス１０上のキヤリツジ７を鉛直方向（Ｚ方向）に関して
支持するためのみに利用されている。
【００２０】従って、照明系１からの露光光１９でマス
ク５を照明しながらキャリッジ７をリニアモータ９によ
りＹ軸方向に移動させて、マスク５に形成されているパ
ターンの全体の像を投影系４を介して基板６上のフォト
レジストに焼付ける際には、キャリッジ７はエアーベア
リングガイド８のガイドレールによりベース１０に対す
る位置が規制される。リニアモータ９は、ムービングコ
イル、ムービングマグネットのどちらのタイプでも良い
が、Ｘ軸方向に関してエアーベアリングガイド８，８’
の間に設けられると共に、その可動部がキヤリツジ７の
底面に、且つその固定部がベース１０の上面にそれぞれ
固定されている。なお、１１，１１’はベース１０を床
に対して支持するための防振台である。
ク５を照明しながらキャリッジ７をリニアモータ９によ
りＹ軸方向に移動させて、マスク５に形成されているパ
ターンの全体の像を投影系４を介して基板６上のフォト
レジストに焼付ける際には、キャリッジ７はエアーベア
リングガイド８のガイドレールによりベース１０に対す
る位置が規制される。リニアモータ９は、ムービングコ
イル、ムービングマグネットのどちらのタイプでも良い
が、Ｘ軸方向に関してエアーベアリングガイド８，８’
の間に設けられると共に、その可動部がキヤリツジ７の
底面に、且つその固定部がベース１０の上面にそれぞれ
固定されている。なお、１１，１１’はベース１０を床
に対して支持するための防振台である。
【００２１】１２は照明系１と同様に基板６の表面に塗
布されているフォトレジストを感光させる波長の光を照
明光として発生するための照明系で、この照明系１２か
らの照明光１８，１８’は、図２に示す如く、基板６上
の液晶表示パネル部６ａ以外の周辺部６ｂ，６ｂ’を露
光するのに用いられる。周辺部６ｂ，６ｂ’は基板６上
でＸ軸方向に関して液晶表示パネル部６ａの両側に位置
すると共に、Ｙ軸方向（走査方向）に関して基板６の一
端から他端まで長く伸びた帯状である。
布されているフォトレジストを感光させる波長の光を照
明光として発生するための照明系で、この照明系１２か
らの照明光１８，１８’は、図２に示す如く、基板６上
の液晶表示パネル部６ａ以外の周辺部６ｂ，６ｂ’を露
光するのに用いられる。周辺部６ｂ，６ｂ’は基板６上
でＸ軸方向に関して液晶表示パネル部６ａの両側に位置
すると共に、Ｙ軸方向（走査方向）に関して基板６の一
端から他端まで長く伸びた帯状である。
【００２２】照明系１２内には超高圧水銀ランプ１３が
設けられている。また、この照明系１２において、１
４，１４’は超高圧水銀ランプ１３で発生した光をそれ
ぞれ異なった位置に集光するためのレンズ、１５，１
５’はレンズ１４，１４’のそれぞれで集光された光の
ＮＤフィルター２０，２０’側への通過と遮断を制御す
るためのシャッターで、これらのシャッター１５，１
５’は、不図示の制御回路からの動作指令に応じて自動
的に開閉する。また、シャッター１５，１５’のそれぞ
れは、他に対して独立に開閉が制御されるように、それ
ぞれ別の駆動源を有している。
設けられている。また、この照明系１２において、１
４，１４’は超高圧水銀ランプ１３で発生した光をそれ
ぞれ異なった位置に集光するためのレンズ、１５，１
５’はレンズ１４，１４’のそれぞれで集光された光の
ＮＤフィルター２０，２０’側への通過と遮断を制御す
るためのシャッターで、これらのシャッター１５，１
５’は、不図示の制御回路からの動作指令に応じて自動
的に開閉する。また、シャッター１５，１５’のそれぞ
れは、他に対して独立に開閉が制御されるように、それ
ぞれ別の駆動源を有している。
【００２３】ＮＤフィルター２０，２０’のそれぞれ
は、通過する光の量（強度）を任意に調整できるように
するために、濃度が異なる複数部分からなるものや、濃
度が連続的に変化しているようなものであり、それぞ
れ、シャッター１５，１５’を通過した光に対して不図
示の駆動源により位置が調整されて、そこを通過する光
の量の調整を可能としている。
は、通過する光の量（強度）を任意に調整できるように
するために、濃度が異なる複数部分からなるものや、濃
度が連続的に変化しているようなものであり、それぞ
れ、シャッター１５，１５’を通過した光に対して不図
示の駆動源により位置が調整されて、そこを通過する光
の量の調整を可能としている。
【００２４】１６，１６’はＮＤフィルター２０，２
０’のそれぞれを通過した光を照明光学系１７，１７’
に伝達するための伝達用光学系で、周知のファイバーま
たはライトパイプで構成されている。照明光学系１７，
１７’はそれぞれＺ軸方向に関しては投影系４と基板６
の間に配置され、Ｘ軸方向に関しては投影系４からのス
リット状の露光光１９の両側に配置されている。また、
照明光学系１７，１７’はそれぞれ伝達用光学系１６，
１６’からの光を基板周辺部照明光１８，１８’として
集光するためのコンデンサーレンズと、照明光１８，１
８’を基板６の周辺部６ｂ，６ｂ’の方向に向けるため
のミラーを有している。
０’のそれぞれを通過した光を照明光学系１７，１７’
に伝達するための伝達用光学系で、周知のファイバーま
たはライトパイプで構成されている。照明光学系１７，
１７’はそれぞれＺ軸方向に関しては投影系４と基板６
の間に配置され、Ｘ軸方向に関しては投影系４からのス
リット状の露光光１９の両側に配置されている。また、
照明光学系１７，１７’はそれぞれ伝達用光学系１６，
１６’からの光を基板周辺部照明光１８，１８’として
集光するためのコンデンサーレンズと、照明光１８，１
８’を基板６の周辺部６ｂ，６ｂ’の方向に向けるため
のミラーを有している。
【００２５】照明光学系１７，１７’からの照明光１
８，１８’は、周辺部６ｂ，６ｂ’上に光スポット状に
照射され、図２に示す如く、投影系４により結像された
円弧スリット状の露光光１９の両端にＹ軸方向に少しず
れて配置される。なお、照明光学系１７，１７’のコン
デンサーレンズまたはミラーは、照明光１８，１８’に
よる光スポットが露光光１９で露光されない基板６の周
辺部６ｂ，６ｂ’上に照射されるように、その位置また
は傾きが調整される。
８，１８’は、周辺部６ｂ，６ｂ’上に光スポット状に
照射され、図２に示す如く、投影系４により結像された
円弧スリット状の露光光１９の両端にＹ軸方向に少しず
れて配置される。なお、照明光学系１７，１７’のコン
デンサーレンズまたはミラーは、照明光１８，１８’に
よる光スポットが露光光１９で露光されない基板６の周
辺部６ｂ，６ｂ’上に照射されるように、その位置また
は傾きが調整される。
【００２６】また、照明光１８，１８’の基板６上での
照度は、基板６上に塗布されているフォトレジストを感
光させるのに充分なように、先に説明した照明系１２の
ＮＤフィルター２０，２０’を用いて調整されている。
従って、投影系４を介してマスク５のパターンの像を基
板６に焼付ける際、照明系１のシャッター３のオープン
と実質的に同時に照明系１２の２つのシャッター１５，
１５’をオープンし、ミラー投影光学系４を通過した露
光光１９を基板６の表示パネル部６ａに照射すると同時
に、照明光学系１７，１７’からの照明光１８，１８’
を周辺部６ｂ，６ｂ’に照射すれば、リニアモータ１８
によってキャリッジ７がＹ方向（走査方向）に移動され
ることにより、表示パネル部６ａと同時に周辺部６ｂ，
６ｂ’も露光されることになる。
照度は、基板６上に塗布されているフォトレジストを感
光させるのに充分なように、先に説明した照明系１２の
ＮＤフィルター２０，２０’を用いて調整されている。
従って、投影系４を介してマスク５のパターンの像を基
板６に焼付ける際、照明系１のシャッター３のオープン
と実質的に同時に照明系１２の２つのシャッター１５，
１５’をオープンし、ミラー投影光学系４を通過した露
光光１９を基板６の表示パネル部６ａに照射すると同時
に、照明光学系１７，１７’からの照明光１８，１８’
を周辺部６ｂ，６ｂ’に照射すれば、リニアモータ１８
によってキャリッジ７がＹ方向（走査方向）に移動され
ることにより、表示パネル部６ａと同時に周辺部６ｂ，
６ｂ’も露光されることになる。
【００２７】表示パネル部６ａと同時に周辺部６ｂ，６
ｂ’を露光したくない時は、照明系１２の２つのシャッ
ター１５，１５’をオープンせずに、キャリッジ７をＹ
方向に移動させれば良く、周辺部６ｂ，６ｂ’の一方の
みを露光したい時は、シャッター１５，１５’の内、露
光したい方の周辺部に対応する側だけをシャッター３の
オープンに実質的に同期させてオープンした後、キャリ
ッジ７をＹ方向に移動すれば良い。
ｂ’を露光したくない時は、照明系１２の２つのシャッ
ター１５，１５’をオープンせずに、キャリッジ７をＹ
方向に移動させれば良く、周辺部６ｂ，６ｂ’の一方の
みを露光したい時は、シャッター１５，１５’の内、露
光したい方の周辺部に対応する側だけをシャッター３の
オープンに実質的に同期させてオープンした後、キャリ
ッジ７をＹ方向に移動すれば良い。
【００２８】［他の実施例］先の実施例では、表示パネ
ル部６ａを露光するための第１の照明系１の水銀灯２
と、周辺部６ｂ，６ｂ’を露光するための第２の照明系
１２の水銀灯１３を別異なものとしているが、水銀灯１
３を使用せずに、露光光用の水銀灯２から表示パネル部
６ａを露光する露光光と、周辺部６ｂ，６ｂ’を露光す
る照明光を得るようにしても良い。この例の場合には、
レンズ１４，１４’、シャッター１５，１５’、及びＮ
Ｄフィルター２０，２０’を超高圧水銀灯２に対して設
け、後は先の実施例と同様に伝達用光学系１６，１６’
を介して照明光学系１７，１７’に照明光を導くように
すれば良い。
ル部６ａを露光するための第１の照明系１の水銀灯２
と、周辺部６ｂ，６ｂ’を露光するための第２の照明系
１２の水銀灯１３を別異なものとしているが、水銀灯１
３を使用せずに、露光光用の水銀灯２から表示パネル部
６ａを露光する露光光と、周辺部６ｂ，６ｂ’を露光す
る照明光を得るようにしても良い。この例の場合には、
レンズ１４，１４’、シャッター１５，１５’、及びＮ
Ｄフィルター２０，２０’を超高圧水銀灯２に対して設
け、後は先の実施例と同様に伝達用光学系１６，１６’
を介して照明光学系１７，１７’に照明光を導くように
すれば良い。
【００２９】
【発明の効果】以上説明した如く、本発明によれば、パ
ターン部と周辺部の両方を生産性を低下させることなく
露光することが可能となる。また、そのために、露光装
置自体が大型となってしまうことがない。従って、本発
明を液晶表示パネル製造用の露光装置に適用した場合に
は、液晶表示パネルの製造コストを大幅に下げる効果が
ある。
ターン部と周辺部の両方を生産性を低下させることなく
露光することが可能となる。また、そのために、露光装
置自体が大型となってしまうことがない。従って、本発
明を液晶表示パネル製造用の露光装置に適用した場合に
は、液晶表示パネルの製造コストを大幅に下げる効果が
ある。
【図１】本発明に係る露光装置の一実施例を示す図であ
る。
る。
【図２】本実施例による基板の露光状態を示す図であ
る。
る。
１ 照明系 ３ シャッター ４ ミラー投影光学系 ５ マスク ６ 基板 ７ キャリッジ １２ 照明系 １５，１５’ シャッター １６，１６’ 伝達用光学系 １７，１７’ 照明光学系 １８，１８’ 照明光 １９ 露光光
Claims (6)
- 【請求項１】 マスクを露光光によりスリット状に照明
するための第１照明系と、前記マスクのスリット状に照
明された部分の像を基板上に投影するための投影光学系
と、前記マスクに形成されているパターンの像を前記投
影光学系を介して前記基板に投影露光するするために前
記第１照明系からの露光光で前記マスクをスリット状に
照明しながら前記マスクと前記基板を前記投影光学系に
対して移動させる際、前記第１照明系からの露光光が照
射されない前記基板の周辺部分を照明するための第２照
明系を有することを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 前記第２照明系は前記投影光学系を介す
ることなく前記基板の周辺部分を光スポットにより照明
するための光学系を有することを特徴とする請求項１の
露光装置。 - 【請求項３】 前記第１および第２照明系のそれぞれは
シャッターを有し、前記第１照明系のシャッターと前記
第２照明系のシャッターは同期して動作することを特徴
とする請求項１の露光装置。 - 【請求項４】 前記第２照明系は前記基板の周辺部分の
それぞれを別の光スポットにより照明すると共に、前記
スポットごとに設けられるシャッターを個別に制御する
ことを特徴とする請求項１の露光装置。 - 【請求項５】 前記第２照明系は光ファイバまたはライ
トパイプを有することを特徴とする請求項１の露光装
置。 - 【請求項６】 前記第２照明系は前記基板の周辺部分を
光スポットにより照明すると共に、前記光スポットの強
度を可変とすることを特徴とする請求項１の露光装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3048101A JP2862385B2 (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | 露光装置 |
| DE69220985T DE69220985T2 (de) | 1991-03-13 | 1992-03-05 | Belichtungsapparat mit zwei Beleuchtungssystemen und diesen verwendendes Belichtungsverfahren |
| EP92301916A EP0503847B1 (en) | 1991-03-13 | 1992-03-05 | Exposure apparatus including two illuminating systems and exposure process using the same |
| US08/134,857 US5359389A (en) | 1991-03-13 | 1993-10-13 | Exposure apparatus including two illuminating systems and exposure process using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3048101A JP2862385B2 (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04283726A JPH04283726A (ja) | 1992-10-08 |
| JP2862385B2 true JP2862385B2 (ja) | 1999-03-03 |
Family
ID=12793927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3048101A Expired - Fee Related JP2862385B2 (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | 露光装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5359389A (ja) |
| EP (1) | EP0503847B1 (ja) |
| JP (1) | JP2862385B2 (ja) |
| DE (1) | DE69220985T2 (ja) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6078381A (en) | 1993-02-01 | 2000-06-20 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus |
| US5345870A (en) * | 1993-02-10 | 1994-09-13 | Miles Inc. | "Direct-to-press" positive lithographic printing plate and method for making same |
| JP3339149B2 (ja) * | 1993-12-08 | 2002-10-28 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置ならびに露光方法 |
| JP3384068B2 (ja) * | 1993-12-22 | 2003-03-10 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置 |
| JP3376690B2 (ja) * | 1994-04-28 | 2003-02-10 | 株式会社ニコン | 露光装置、及び該装置を用いた露光方法 |
| JP3484684B2 (ja) * | 1994-11-01 | 2004-01-06 | 株式会社ニコン | ステージ装置及び走査型露光装置 |
| US6721034B1 (en) | 1994-06-16 | 2004-04-13 | Nikon Corporation | Stage unit, drive table, and scanning exposure apparatus using the same |
| US5850280A (en) * | 1994-06-16 | 1998-12-15 | Nikon Corporation | Stage unit, drive table, and scanning exposure and apparatus using same |
| JP3445374B2 (ja) * | 1994-09-06 | 2003-09-08 | 富士写真フイルム株式会社 | 写真プリンタの可変マスク機構および可変マスク機構のマスク位置決め方法 |
| US5563684A (en) * | 1994-11-30 | 1996-10-08 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Adaptive wafer modulator for placing a selected pattern on a semiconductor wafer |
| JP3506158B2 (ja) | 1995-04-14 | 2004-03-15 | 株式会社ニコン | 露光装置及び走査型露光装置、並びに走査露光方法 |
| DE69608204T2 (de) * | 1995-05-30 | 2001-01-04 | Asm Lithography Bv | Lithographisches gerät mit einem sowie horizontal als auch vertikal justierbaren maskenhalter |
| TW318255B (ja) | 1995-05-30 | 1997-10-21 | Philips Electronics Nv | |
| JP3237522B2 (ja) * | 1996-02-05 | 2001-12-10 | ウシオ電機株式会社 | ウエハ周辺露光方法および装置 |
| US6239861B1 (en) * | 1996-11-19 | 2001-05-29 | Nikon Corporation | Exposure method and scanning type exposure apparatus |
| US5933216A (en) * | 1997-10-16 | 1999-08-03 | Anvik Corporation | Double-sided patterning system using dual-wavelength output of an excimer laser |
| JP3363787B2 (ja) * | 1998-05-02 | 2003-01-08 | キヤノン株式会社 | 露光方法および露光装置 |
| KR100597043B1 (ko) | 2001-05-08 | 2006-07-04 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 광학적 노광방법, 디바이스제조방법 및 리소그래피투영장치 |
| WO2003032081A1 (en) * | 2001-10-09 | 2003-04-17 | Ultratech Stepper, Inc. | Method and apparatus for optically defining an exposure exclusion region on a photosensitive workpiece |
| JP4565799B2 (ja) * | 2002-07-01 | 2010-10-20 | 大林精工株式会社 | 横電界方式液晶表示装置、その製造方法、走査露光装置およびミックス走査露光装置 |
| JP4280509B2 (ja) * | 2003-01-31 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 投影露光用マスク、投影露光用マスクの製造方法、投影露光装置および投影露光方法 |
| JP3689698B2 (ja) * | 2003-01-31 | 2005-08-31 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置、投影露光方法および被露光部材の製造方法 |
| KR100550352B1 (ko) * | 2004-07-02 | 2006-02-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판의 노광방법 및 이를 이용하는 노광 장치 |
| US8767179B2 (en) * | 2009-12-15 | 2014-07-01 | Micron Technology, Inc. | Imaging methods in scanning photolithography and a scanning photolithography device used in printing an image of a reticle onto a photosensitive substrate |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1516152A (fr) * | 1967-01-25 | 1968-03-08 | Thomson Houston Comp Francaise | Perfectionnements aux bancs photographiques répétiteurs |
| FR2075386A5 (ja) * | 1970-01-10 | 1971-10-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | |
| JPS4943337B1 (ja) * | 1970-09-03 | 1974-11-20 | ||
| JPS4926590B1 (ja) * | 1970-09-03 | 1974-07-10 | ||
| US4620785A (en) * | 1982-12-01 | 1986-11-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Sheet-like member having alignment marks and an alignment apparatus for the same |
| US4822975A (en) * | 1984-01-30 | 1989-04-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for scanning exposure |
| JPS60201626A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-12 | Canon Inc | 位置合わせ装置 |
| US4785192A (en) * | 1984-06-21 | 1988-11-15 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Maintaining optical signals in prescribed alignment with respect to workpiece in movable equipment |
| US4814830A (en) * | 1985-04-01 | 1989-03-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Flat panel display device and manufacturing of the same |
| JPH0622192B2 (ja) * | 1985-04-25 | 1994-03-23 | キヤノン株式会社 | 表示パネル製造方法 |
| US4676630A (en) * | 1985-04-25 | 1987-06-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| US4748477A (en) * | 1985-04-30 | 1988-05-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| US4696889A (en) * | 1985-08-23 | 1987-09-29 | Yevick George J | Method of photoforming optical patterns for VLSI devices |
| US4770972A (en) * | 1987-05-19 | 1988-09-13 | The Mead Corporation | Imaging process involving hardening of imaging web border area photosensitive microcapsules and an apparatus useful therein |
| JPH0617978B2 (ja) * | 1987-08-07 | 1994-03-09 | シャープ株式会社 | 補助露光装置を有する画像形成装置 |
| US4769680A (en) * | 1987-10-22 | 1988-09-06 | Mrs Technology, Inc. | Apparatus and method for making large area electronic devices, such as flat panel displays and the like, using correlated, aligned dual optical systems |
-
1991
- 1991-03-13 JP JP3048101A patent/JP2862385B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-03-05 DE DE69220985T patent/DE69220985T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-03-05 EP EP92301916A patent/EP0503847B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-10-13 US US08/134,857 patent/US5359389A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69220985D1 (de) | 1997-08-28 |
| EP0503847A3 (en) | 1992-12-30 |
| US5359389A (en) | 1994-10-25 |
| DE69220985T2 (de) | 1997-11-27 |
| EP0503847A2 (en) | 1992-09-16 |
| EP0503847B1 (en) | 1997-07-23 |
| JPH04283726A (ja) | 1992-10-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2862385B2 (ja) | 露光装置 | |
| US4998134A (en) | Exposure apparatus | |
| US5760881A (en) | Exposure apparatus with light shielding portion for plotosensitive elements | |
| KR100420195B1 (ko) | 주사형노광장치,주사노광방법및마이크로디바이스의제조방법 | |
| US4708466A (en) | Exposure apparatus | |
| JPH0922863A (ja) | 走査露光装置及び方法並びにそれを用いたデバイス製造方法 | |
| JPS61251025A (ja) | 投影露光装置 | |
| JP2001176785A (ja) | 周辺露光装置 | |
| JP3209294B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP4759290B2 (ja) | 露光装置及び方法 | |
| JP3175059B2 (ja) | 周辺露光装置及び方法 | |
| JP2001201862A (ja) | 周辺露光装置 | |
| US6239861B1 (en) | Exposure method and scanning type exposure apparatus | |
| JPH11212266A (ja) | 走査型露光装置 | |
| JP2001215717A (ja) | 走査露光方法および走査型露光装置 | |
| JP3770959B2 (ja) | 投影型ステッパ露光装置およびそれを用いた露光方法 | |
| JP5499398B2 (ja) | 露光装置及び露光方法 | |
| JP2656204B2 (ja) | マスク交換装置 | |
| JPH08222495A (ja) | 走査型投影露光方法及び装置 | |
| KR100503130B1 (ko) | 스캔 방식 노광 설비의 마스크 | |
| JPH0982633A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPH11233428A (ja) | 露光装置および素子製造方法 | |
| JPH09289147A (ja) | 走査型露光方法及び装置 | |
| JPH06177009A (ja) | 投影露光装置 | |
| JP2000250226A (ja) | 露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081211 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081211 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091211 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |