JP2001201862A - 周辺露光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 周辺露光装置のスループットおよび稼働率を
向上する。 【解決手段】 光源ユニット１４Ａは支持部材１２Ａに
沿って、光源ユニット１４Ｂは支持部材１２Ｂに沿って
それぞれ図の±Ｘ方向に移動可能である。両光源ユニッ
ト１４Ａ、１４Ｂからビームを出射しつつ、支持部材１
２Ａ、１２Ｂを図の±Ｙ方向に走行させることにより、
ガラス基板Ｇの周辺部のフォトレジストが露光される。
光源ユニット１４Ａ、１４Ｂのうち、一方を消灯させた
状態のときに、他方の光源ユニットにより周辺露光動作
を続行する。これにより、一方の光源ユニットのランプ
を交換する際に必要となるランプのクールダウンおよび
ウオームアップ期間中は、他方の光源ユニットのみによ
る周辺露光動作の継続が可能となる。また、一つの線上
に沿う露光対象領域を露光する際に、両光源ユニット１
４Ａ、１４Ｂは上記一つの線上に沿ってタンデムに移動
することも可能である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＣＤ（液晶表示
装置）やＰＤＰ（プラズマ表示パネル）などに用いられ
るガラスプレートやＩＣ基板等を製作する過程におい
て、フォトレジストの塗布された基板上で回路パターン
等が露光される領域以外の部分に塗布されているフォト
レジストに光を照射する周辺露光装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示パネル等を製造する際の一工程
であるリソグラフィ工程においては、投影光学系が内部
に組み込まれている投影露光装置が用いられる。マスク
に形成されているパターンの像は、この投影光学系によ
り基板上のフォトレジスト塗布面に投影される。この基
板には、上述したプロセスによってパターンが露光され
る部分、すなわちパターン領域と、上記パターンの露光
されない領域、すなわち非パターン領域とを有する。こ
の非パターン領域には、光を照射する必要がある。理由
は、基板にポジ型レジストが塗布されていることによ
る。つまり、ポジレジストの未露光部分は、現像後も基
板上に残る。特に、スピンコートによってフォトレジス
トを基板上に塗布した場合、その膜厚は基板中央部より
も周辺部の方で厚くなる。一般に、基板の周辺部は非パ
ターン領域であることが多く、除去されずに残っている
フォトレジストは膜厚が厚いほど剥がれやすいという性
質を有している。このポジレジストが後の処理工程中に
剥離し、細片（パーティクル）となって飛散することが
ある。このパーティクルは、液晶表示パネル等、露光対
象の基板の歩留まりを低下させる要因となっている。ま
た、たとえ剥離を生じなくても、ＣＶＤなどの後処理を
基板に施す際に、基板周辺部等にフォトレジストが残っ
ているとパターン領域に形成される薄膜の膜厚の不均一
をもたらすこともある。

【０００３】そこで、非パターン領域のフォトレジスト
に光を照射して感光させ、後に続く現像工程において不
要なレジストを除去することが一般に行われている。こ
のように、基板上の非パターン領域に光を照射するもの
として、光源から出射するスポット光を走査させて基板
上の非パターン領域に光を照射する装置が種々提案され
ている。以下、本明細書中では、基板上の非パターン領
域に光を照射する装置を「周辺露光装置」と称する。ま
た、基板上の非パターン領域で光の照射される部分を
「周辺露光領域」と称する。

【０００４】基板上に形成されるパターンの精細化にと
もない、投影露光装置には、より短波長のものが用いら
れるようになってきている。これにともない、基板に塗
布されるフォトレジストの感光波長帯域も短波長側にシ
フトしている。したがって、周辺露光装置に用いられる
光源もｇ線やｉ線等の短波長の光を出射するものが用い
られている。

【０００５】上述したフォトレジストに対応可能な周辺
露光装置に用いられる光源としては、生産効率の向上を
目的として、高輝度のもの、たとえば超高圧水銀灯など
が用いられる。理由は、フォトレジストに対して同じド
ーズ量を与えようとしたときに、大光量の光源を用いれ
ばそれだけ短い露光時間で済むからである。つまり、光
源から出射されるスポット光を走査させる際の速度を上
げることができ、これにより短時間のうちに周辺露光領
域への光の照射を済ますことができるからである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記周辺露
光装置にはさらなる生産効率の向上が求められるように
なってきており、露光に要する時間をさらに短縮してス
ループットを向上させるのに加えて、稼働率を向上させ
ることが要求されている。

【０００７】稼働率を低下させる要因の一つとして、光
源のランプを交換する間の装置停止時間がある。これに
ついて説明すると、超高圧水銀灯は大光量の光とともに
高熱を発する。このため、発光を停止させてからランプ
交換が可能な程度に温度が下がるまでの間（クールダウ
ン中）、暫く放置する必要がある。また、ランプの交換
を終え、点灯を開始してから波長および光量が安定する
までの間（ウオームアップ中）、やはり暫く放置する必
要がある。この間、周辺露光装置は作動を停止せざるを
得ず、基板の処理数は大幅に低下することになる。

【０００８】本発明の目的は、上述した課題に鑑みてな
されたもので、周辺露光装置のスループットおよび稼働
率を向上させることにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】一実施の形態を示す図１
〜図３および図６に対応付けて以下の発明を説明する。 （１） 請求項１に記載の発明は、パターンを形成すべ
きパターン領域とパターン領域とは異なる非パターン領
域とを有する感光基板Ｇの非パターン領域に露光光を照
射するための複数の照明ユニット１４Ａ、１４Ｂを有す
る周辺露光装置に適用される。そして、複数の照明ユニ
ット１４Ａ、１４Ｂの個々の状態に応じて、複数の照明
ユニット１４Ａ、１４Ｂのうち所定の照明ユニットを選
択して露光する露光制御部１００を有することにより上
述した目的を達成する。 （２） 請求項２に記載の発明に係る周辺露光装置は、
露光制御部１００が、所定の照明ユニットとして、複数
の照明ユニット１４Ａ、１４Ｂのうちの少なくとも一つ
を選択するものである。 （３） 請求項３に記載の発明に係る周辺露光装置は、
露光制御部１００が、メインテナンス中または照射準備
中の照明ユニット１４Ａまたは１４Ｂを選択対象から除
外するものである。 （４） 請求項４に記載の発明に係る周辺露光装置は、
露光制御部１００が、照明ユニット１４Ａ、１４Ｂの照
明光量に基づいて、所定の照明ユニットを選択するもの
である。 （５） 請求項５に記載の発明に係る周辺露光装置は、
露光制御部１００が、所定の照明ユニットとして、所定
の照射光量を照射可能な照明ユニット１４Ａまたは１４
Ｂを選択するものである。 （６） 請求項６に記載の発明に係る周辺露光装置は、
露光制御部１００が、選択された照明ユニット１４Ａ、
１４Ｂに応じて、非パターン領域を露光する際の一連の
露光動作を変えるものである。 （７） 請求項７に記載の発明に係る周辺露光装置は、
露光制御部１００が、選択された照明ユニット１４Ａ、
１４Ｂの数に応じて、非パターン領域を露光する際の一
連の露光動作を変えるものである。 （８） 請求項８に記載の発明に係る周辺露光装置は、
照明ユニット１４Ａ（１４Ｂ）が、光源４０Ａ（４０
Ｂ）と集光光学系６５Ａ、６６Ａ（６５Ｂ、６６Ｂ）と
を有し；露光制御部１００は、光源４０Ａ（４０Ｂ）の
状態に応じて、所定の照明ユニット１４Ａ、１４Ｂを選
択するものである。 （９） 一実施の形態を示す図３、図６および図７に対
応付けて説明すると、請求項９に記載の発明は、パター
ンを形成すべきパターン領域とパターン領域とは異なる
非パターン領域とを有する感光基板Ｇの非パターン領域
に露光光を照射するための複数の照明ユニット１４Ａ、
１４Ｂを有する周辺露光装置に適用される。そして、非
パターン領域中で同一線上に延在する露光対象部分ＰＡ
を露光する際に、複数の照明ユニット１４Ａ、１４Ｂの
うち少なくとも二つを同一線上に沿って感光基板Ｇと相
対移動させるものである。 （１０） 一実施の形態を示す図１〜図３および図６に
対応付けて説明すると、請求項１０に記載の発明は、パ
ターンを形成すべきパターン領域とパターン領域とは異
なる非パターン領域とを有する感光基板Ｇの非パターン
領域に露光光を照射するための照明ユニット１４Ａ、１
４Ｂを複数備えた周辺露光装置を用い、非パターン領域
を照明ユニット１４Ａ、１４Ｂから出射される露光光で
露光する露光方法に適用される。そして、複数の照明ユ
ニット１４Ａ、１４Ｂの個々の状態に応じて、感光基板
Ｇを露光する照明ユニット１４Ａ、１４Ｂを選択して露
光するものである。

【００１０】なお、本発明の構成を説明する上記課題を
解決するための手段の項では、本発明を分かり易くする
ために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本
発明が実施の形態に限定されるものではない。

【００１１】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施の形態に係
る周辺露光装置の概略的構成を説明する平面図である。
図１において、紙面左右方向にＸ軸を、上下方向にＹ軸
を、紙面に直交する方向にＺ軸をとり、以下の説明では
これらの座標軸に沿う方向を適宜Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方
向と称する。また、必要に応じ、座標値の増える方向を
プラスＸ方向、プラスＹ方向、プラスＺ方向などと称す
る。他の図においても、適宜図１に示す座標軸と一致さ
せるようにして座標軸が示してある。

【００１２】− 主走査方向駆動機構 − 定盤２の上面の四隅には４本の支柱６Ａ、６Ｂ、６Ｃお
よび６Ｄが固定されている。支柱６Ａおよび６Ｃの上端
にはガイドレール８Ａが、支柱６Ｂおよび６Ｄの上端に
はガイドレール８Ｂが、それぞれＹ方向に沿って掛け渡
されて固定されている。

【００１３】ガイドレール８Ａおよび８Ｂの間には２つ
の支持部材１２Ａおよび１２ＢがＸ方向に沿って掛け渡
されている。ガイドレール８Ａの内部には、主走査モー
タ３０Ａ、３１Ａ（図１では不図示、図６参照）によっ
て互いに独立して回転駆動される送りネジ機構（不図
示）がＹ方向に沿って内蔵されている。また、ガイドレ
ール８Ｂの内部には、主走査モータ３０Ｂ、３１Ｂ（図
１では不図示、図７参照）によって互いに独立して回転
駆動される送りネジ機構（不図示）がＹ方向に沿って内
蔵されている。主走査モータ３０Ａおよび３０Ｂを正逆
転することにより、支持部材１２Ａを±Ｙ方向（以下、
本明細書中では図１の±Ｙ方向を「主走査方向」と称す
る）に移動させることが可能となっている。同様に、主
走査モータ３１Ａおよび３１Ｂを正逆転することによ
り、支持部材１２Ｂを±Ｙ方向に移動させることが可能
となっている。

【００１４】− 副走査方向駆動機構 − 光源ユニット１４Ａは支持部材１２Ａによって、そして
光源ユニット１４Ｂは支持部材１２Ｂによって、それぞ
れ±Ｘ方向に移動可能に支持されている。また、支持部
材１２Ａの内部には副走査モータ３２Ａ（図１では不図
示、図６参照）によって回転駆動される送りネジ機構
（不図示）がＸ方向に沿って内蔵されている。同様に、
支持部材１２Ｂの内部には副走査モータ３２Ｂ（図１で
は不図示、図６参照）によって回転駆動される送りネジ
機構（不図示）がＸ方向に沿って内蔵されている。これ
らの副走査モータ３２Ａおよび３２Ｂを独立して正逆転
させることにより、光源ユニット１４Ａおよび１４Ｂを
それぞれ独立して±Ｘ方向（以下、本明細書中では図１
における±Ｘ方向を「副走査方向」と称する）に駆動可
能となっている。

【００１５】以上に説明した主走査方向駆動機構および
副走査方向駆動機構により、光源ユニット１４Ａおよび
１４Ｂは互いに独立してＸＹ平面に沿う２次元の方向に
移動可能に構成されている。

【００１６】− 光量センサ − 光量センサ４８は、光源ユニット１４Ａ、１４Ｂから出
射される光束の光量を測定するためのセンサである。こ
の光量センサ４８により、周辺露光動作に先だって光源
ユニット１４Ａ、１４Ｂから出射される光束の光量が順
次測定される。なお、光量センサ４８で光源ユニット１
４Ａ、１４Ｂから出射される光束の光量を測定する理由
については後で説明する。

【００１７】− プレートホルダ − 図１に示すIIの方向より見た様子を示す図２を参照して
説明すると、露光対象物のガラス基板Ｇが載置されるプ
レートホルダ４は、定盤２に固定されているプレートホ
ルダ支持部５によってＺ軸回りに回動可能に支持されて
いる。プレートホルダ４の上面には、複数の突起４ａが
設けられている。これら複数の突起４ａの高さは、ほぼ
同じに揃えられている。また、これら複数の突起４ａの
上面には不図示の管路を介して負圧源に接続されている
孔が明けられており、プレートホルダ４に露光対象物の
ガラス基板Ｇが載置された後、吸着、固定される。

【００１８】− 光源ユニット − 図３は、光源ユニット１４Ａおよび１４Ｂの内部構成を
概略的に説明する図であり、Ｚ軸に平行な方向に延在す
る光源ユニット１４Ａ（１４Ｂ）の光軸を含む面での断
面を示す。なお、光源ユニット１４Ａ、１４Ｂは同じ構
成を有しているので、図３においては光源ユニット１４
Ｂの構成要素については括弧付きの符号を付し、光源ユ
ニット１４Ａの構成のみについて説明する。

【００１９】光源ユニット１４Ａの内部には、超高圧水
銀ランプ４０Ａが反射鏡６２Ａの内部に固定されてい
る。反射鏡６２Ａの下方にはリレーレンズ６６Ａおよび
投影レンズ６５Ａが固定され、超高圧水銀ランプ４０Ａ
から出射された光束は反射鏡６２Ａで集光された後、リ
レーレンズ６６Ａ、投影レンズ６５Ａを介してガラス基
板Ｇの感光面、すなわちフォトレジストの塗布された面
に導かれる。

【００２０】シャッタアクチュエータ３４Ａにより、Ｘ
Ｙ平面に沿う方向に駆動されるシャッタ６３Ａは、超高
圧水銀ランプ４０Ａから出射された光をリレーレンズ６
６Ａの入射面に導く状態と遮る状態とに切り換えるため
のものである。一般に、超高圧水銀ランプから発せられ
る光が安定するまでには、ランプ点灯を開始してから数
十分のウオーミングアップ時間を必要とする。このた
め、周辺露光装置が稼働を開始した後、超高圧水銀ラン
プ４０Ａから発せられる光の照射を一時的に停止させる
必要がある場合には、超高圧水銀ランプ４０Ａを消灯さ
せることはせずに、シャッタ６３Ａにて遮光する。

【００２１】ブラインドアクチュエータ３６Ａによって
駆動されるブラインド６４Ａは、ガラス基板Ｇに照射す
る光束を矩形に整形するとともに、光源ユニット１４
Ａ、１４Ｂの走査方向に直交する方向に沿う光束の幅を
調節する機能を有する。このブラインド６４Ａは、投影
レンズ６５Ａの光出射面とガラス基板Ｇのフォトレジス
ト塗布面との間で、できるだけフォトレジスト塗布面に
近接させるようにして配置される。なお、このブライン
ド６４Ａは、投影レンズ６５Ａに関して、フォトレジス
ト塗布面と共役の位置（図３において矢印Ｃで示す位
置）に配置してもよい。

【００２２】− ローダ − 以下で図４、図５を参照して説明するローダ７０は、周
辺露光装置に内蔵されるものであっても、そうでなくて
もよいが、ここでは周辺露光装置の外（近傍）に設置さ
れるものとして説明する。なお、図４および図５におい
て周辺露光装置は、定盤２０、プレートホルダ４および
プレートホルダ支持部５のみが図示され、他の構成要素
の図示は省略されている。

【００２３】ローダ７０は、周辺露光装置と他の装置、
たとえばコータ・デベロッパや液晶露光装置等との間で
露光対象物のガラス基板Ｇを搬送するために用いられる
ものである。そして、床面等に設置される基部７５の上
にスカラロボットのアーム７２が設置されている。アー
ム７２は、ＸＹ平面に平行な面方向、±Ｚ方向、そして
Ｚ軸回りに動作の自由度を有している。このアーム７２
の先端には、コの字状の搬送枠７３が固定されている。
ガラス基板Ｇは、搬送枠７３の腕部７３ａで支持された
状態で搬送される。

【００２４】引き続き図４および図５を参照し、ガラス
基板Ｇをプレートホルダ４に載置する際のローダ７０の
動作を説明する。先述したように、プレートホルダ４に
は複数の突起４ａが設けられており、ローダ７０はアー
ム７２および基板Ｇが突起４ａと衝突することのないよ
うに、突起４ａの僅か上方の空間内で腕部７３ａで支持
されたガラス基板Ｇを搬送する。そして、ガラス基板Ｇ
がプレートホルダ４上の所定位置に達すると、ローダ７
０はアーム７２をマイナスＺ方向に動かし、ガラス基板
Ｇを降下させる。この過程でガラス基板Ｇは複数の突起
４ａと接触し、続いてガラス基板Ｇは突起４ａの上面へ
真空吸着される。その後、ローダ７０はアーム７２をマ
イナスＹ方向に移動させて周辺露光装置の外へ退避させ
る。そして、後で説明するように周辺露光装置が作動を
開始する。

【００２５】− 制御回路 − 図６は、以上に説明した周辺露光装置の動作制御を行う
制御回路の概略的構成を説明するブロック図である。周
辺露光装置の動作を統括制御する制御部１００には、主
走査モータ３０Ａ、３０Ｂ、３１Ａおよび３１Ｂ、副走
査モータ３２Ａおよび３２Ｂ、シャッタアクチュエータ
３４Ａおよび３４Ｂ、ブラインドアクチュエータ３６Ａ
および３６Ｂ、そして超高圧水銀ランプ４０Ａおよび４
０Ｂが接続されている。制御部１００にはさらに、電磁
式方向切換弁５０、光量センサ４８、ステージアクチュ
エータ５２、発光停止スイッチ４９そして発光再開スイ
ッチ５１が接続されている。電磁式方向切換弁５０は、
突起４ａのそれぞれに開けられている孔と不図示の負圧
源との間を連通する状態と遮断する状態とに切り換える
ためのものである。ステージアクチュエータ５２は、プ
レートホルダ４をＺ軸に平行な回転軸まわりに回転する
ためのものである。発光停止スイッチ４９は、オペレー
タによって操作されるスイッチであり、超高圧水銀ラン
プ４０Ａおよび４０Ｂのうち、任意のものを消灯するよ
うに設定するためのスイッチである。発光再開スイッチ
５１は、オペレータによって操作されるスイッチであ
り、発光停止スイッチ４９によって消灯するように設定
されていた超高圧水銀ランプ４０Ａまたは４０Ｂの点灯
を再開するように設定するためのスイッチである。

【００２６】制御部１００にはまた、ホストコンピュー
タ２００が接続されている。このホストコンピュータ２
００は、周辺露光装置を含む複数の装置にそれぞれ組み
込まれている制御回路と通信を行って製造プロセスを統
括制御するためのものであり、周辺露光装置の外部に設
置されるものである。制御部１００は、プレートホルダ
４に露光対象のガラス基板Ｇが載置され、ホストコンピ
ュータ２００から上記ガラス基板Ｇを露光する際のプロ
セスシーケンスやガラス基板Ｇの露光面に与えるドーズ
量等の制御パラメータ等（レシピ）の情報を入力するの
に応じて以下に説明する露光動作の制御を開始する。

【００２７】− 周辺露光装置の動作 − 以上のように構成される周辺露光装置の動作について図
１〜図６を適宜参照しながら説明する。なお、以下の動
作説明では、超高圧水銀ランプ４０Ａおよび４０Ｂは点
灯開始してから相当の時間が経過してウオームアップが
完了し、安定状態、すなわち周辺露光が行える状態にあ
るものとする。

【００２８】ホストコンピュータ２００から入力したレ
シピに従い、制御部１００は周辺露光動作制御を開始す
る。ここでは先ず、矩形の外形形状を有するガラス基板
Ｇの周囲、四辺を「ロ」の字状に露光する場合について
説明する。ガラス基板Ｇがプレートホルダ４に載置され
た後、制御部１００は電磁式方向切換弁５０を制御して
複数の突起４ａに空けられている孔と不図示の負圧源と
を連通させる。これにより、ガラス基板Ｇはプレートホ
ルダ４に吸着、固定される。

【００２９】制御部１００は、主走査モータ３０Ａ、３
０Ｂ、３１Ａ、３１Ｂそして副走査モータ３２Ａ、３２
Ｂを回転させ、光源ユニット１４Ａおよび１４Ｂの光射
出部を順次光量センサ４８の上方に位置させ、各光源ユ
ニットから出射される光束の光量を計測する。制御部１
００は、計測して得られた値を一時的に記憶する。

【００３０】続いて制御部１００は、ホストコンピュー
タ２００から入力したレシピの情報中に含まれるドーズ
量（露光量）に基づき、光源ユニット１４Ａおよび１４
Ｂをガラス基板Ｇに対して相対移動させる際の移動速度
を算出する。

【００３１】制御部１００は、シャッタアクチュエータ
３４Ａ、３４Ｂを制御してシャッタ６３Ａおよび６３Ｂ
を閉じ、光源ユニット１４Ａ、１４Ｂから光束が出射し
ない状態とする。続いて制御部１００は、主走査モータ
３０Ａ、３０Ｂ、３１Ａ、３１Ｂおよび副走査モータ３
２Ａ、３２Ｂを制御し、光源ユニット１４Ａ、１４Ｂを
主走査方向および副走査方向に駆動して位置決めをす
る。つまり、光源ユニット１４Ａおよび１４Ｂの光束出
射位置を周辺露光開始位置と一致させる。続いて制御部
１００は、ホストコンピュータ２００から入力したレシ
ピに基づいてブラインドアクチュエータ３６Ａ、３６Ｂ
を制御し、周辺露光領域の幅に合わせて光源ユニット１
４Ａ、１４Ｂから出射される光束のビーム幅を調節す
る。

【００３２】制御部１００は、シャッタアクチュエータ
３４Ａ、３４Ｂを制御してシャッタ６３Ａ、６３Ｂを開
き、光源ユニット１４Ａ、１４Ｂから光束が出射する状
態とし、続いて主走査モータ３０Ａ、３０Ｂ、３１Ａ、
３１Ｂを制御して光源ユニット１４Ａ、１４Ｂを主走査
方向に走査させる。光源ユニット１４Ａおよび１４Ｂ
は、それぞれ支持部材１２Ａ、１２Ｂで保持された状態
でガラス基板Ｇの上方をほぼ一定の速度で走査し、ガラ
ス基板Ｇの２辺（図１においてＹ方向に沿う２辺）の周
辺露光を完了する。

【００３３】上述のようにして、ガラス基板Ｇの対向す
る２辺の周辺露光が完了するのにともない、制御部１０
０はシャッタアクチュエータ３４Ａ、３４Ｂを制御して
シャッタ６３Ａ、６３Ｂを閉じ、光源ユニット１４Ａ、
１４Ｂからの光束の出射を停止させる。

【００３４】続いて制御部１００は、ステージアクチュ
エータ５２を制御してプレートホルダ４をＺ軸に平行な
回転軸まわりに９０度回転させる。そして、ホストコン
ピュータ２００から入力したレシピに従い、制御部１０
０は副走査モータ３２Ａ、３２Ｂそしてブラインドアク
チュエータ３６Ａ、３６Ｂを制御して光源ユニット１４
Ａ、１４Ｂの光軸間距離を変更するとともにビームサイ
ズの変更を行う。

【００３５】上述したプレートホルダ４の回転、光源ユ
ニット１４Ａ、１４Ｂの光軸間距離の変更、そしてビー
ムサイズの変更に続き、制御部１００は主走査モータ３
０Ａ、３０Ｂ、３１Ａ、３１Ｂを制御して光源ユニット
１４Ａ、１４Ｂを主走査方向に移動させ、光束の出射部
を次の周辺露光の開始位置に移動させる。

【００３６】続いて制御部１００は、シャッタアクチュ
エータ３４Ａおよび３４Ｂを制御してシャッタ６３Ａ、
６３Ｂを開き、光源ユニット１４Ａ、１４Ｂから光束が
出射する状態とした上で主走査モータ３０Ａ、３０Ｂ、
３１Ａ、３１Ｂを制御し、光源ユニット１４Ａ、１４Ｂ
を主走査方向に走査させる。

【００３７】制御部１００による以上の制御動作によ
り、ガラス基板Ｇの４辺（「ロ」の字状）の周辺露光が
完了する。なお、以上ではガラス基板Ｇの４辺の周辺露
光を行う際に、制御部１００がブラインドアクチュエー
タ３６Ａ、３６Ｂを制御してビームサイズを周辺露光領
域の幅に応じて変化させる例について説明したが、必ず
しもビームサイズを変化させる必要はない。つまり、ガ
ラス基板Ｇの四辺の周辺露光を行う場合、ビームサイズ
は狭めずにおき、余分な光束はガラス基板Ｇの外側に逃
がしてしまってもよい。

【００３８】周辺露光領域のパターン形状が「ロ」の字
状でなく、たとえば、いわゆる「目」の字、「日」の
字、「田」の字状のものである場合、あるいはこれらを
複合した形状のパターンである場合、制御部１００は引
き続いて上述した周辺露光の動作を繰り返し行う。この
とき制御部１００は、周辺露光領域のパターンを形成す
るラインの数が偶数本ある場合には光源ユニット１４
Ａ、１４Ｂの双方を走査させて露光を行う。一方、周辺
露光領域のパターンを構成するラインの数が奇数本の場
合には、図７を参照して以下に説明する三つの方法のう
ちのいずれかで残る１本のラインの露光が行われる。な
お、図７は、図１に示される周辺露光装置の一部を示し
ており、光源ユニット１４Ａ、１４Ｂの近辺のみを示し
ている。

【００３９】（１） 光源ユニットを一つだけ用いて周
辺露光を行う方法 光源ユニット１４Ａ、１４Ｂのうちのいずれか一つを用
いて周辺露光を行う場合、制御部１００は、各光源ユニ
ット１４Ａ、１４Ｂから出射される光束の光量の計測結
果に基づいて、より多い光量の光束を出射可能な光源ユ
ニットを用いて周辺露光を行う。このように光量の多い
方の光源ユニットを用いることにより、走査速度を高め
ることができるので、周辺露光装置のスループットを高
めることができる。 （２） 光源ユニットを縦列に並べて走査させ、周辺露
光を行う方法 この方法は、図７（ａ）に示すように周辺露光領域のパ
ターンＰＡを形成するラインの延在方向に沿って二つの
光源ユニット１４Ａおよび１４Ｂが縦列になるようにし
て周辺露光を行う方法である。一つのライン上を、上述
のように複数の光源ユニット１４Ａ、１４Ｂを縦列に走
査させることで、各光源ユニット１４Ａ、１４Ｂ一つあ
たりのドーズ量を減じることができる。つまり、走査速
度を高めることができるので、周辺露光に要する時間を
短縮することが可能となり、露光装置のスループットを
向上させることができる。 （３） 周辺露光領域のパターンを形成する１本のライ
ンを複数の光源ユニットで分担して周辺露光する方法 この方法は、上記（２）の方法に似た方法であり、周辺
露光領域のパターンＰＡを形成するラインのうちの１本
を露光する際に、複数の光源ユニット１４Ａ、１４Ｂが
上記１本のラインの上を沿うように移動して周辺露光を
行う方法である。そして、上記（２）の方法と相違する
のは、図７（ｂ）に示されるように、一つのパターンＰ
Ａに沿って周辺露光する際に、これら複数の光源ユニッ
ト１４Ａ、１４Ｂによる露光領域が分担されている点で
ある。この場合、走査速度を上げることはできないが、
複数の光源ユニット１４Ａ、１４Ｂが１本のライン上の
異なる領域を分担して周辺露光を行い、しかもほぼ同時
に露光が行われるので、周辺露光を終えるまでの光源ユ
ニット１４Ａ、１４Ｂそれぞれの走査距離を短縮するこ
とができる。したがって、周辺露光に要する時間を短縮
することができる。

【００４０】上記方法のうち、（１）の方法で周辺露光
領域のパターンを形成するラインのうちの１本の露光が
行われる場合、周辺露光動作にあずからない方の光源ユ
ニットは、周辺露光動作にあずかる方の光源ユニットと
干渉しないように移動する。

【００４１】− ランプ交換時に継続して行われる周辺
露光動作 − 超高圧水銀ランプ４０Ａ、４０Ｂのうちのいずれかが交
換の必要を生じた場合、本発明に係る周辺露光装置では
交換対象となっていない方の超高圧水銀ランプで周辺露
光動作を継続することができる。以下では、そのときの
周辺露光動作について図８および図９を参照して説明す
る。なお、以下では交換対象が超高圧水銀ランプ１４
Ａ、１４Ｂのうちの１４Ａであるものとして説明をす
る。

【００４２】図８は、本発明の実施の形態に係る周辺露
光装置の作動シーケンスの一例を概略的に示すタイミン
グチャートである。図８に示される作動シーケンスは、
図６に示す制御部１００によって制御される。図９
（ａ）には周辺露光領域のパターンＰＡの一例が、図９
（ｂ）および図９（ｃ）には図８に示す作動シーケンス
によって周辺露光領域のパターンＰＡを形成する各ライ
ンが露光される様子が順を追って示されている。図９
（ａ）に示される周辺露光領域のパターンＰＡは、図の
縦方向に延在する１番〜４番のラインと横方向に延在す
る５番〜８番のラインとで構成される。以下ではこれら
のラインを単に「ライン１」、「ライン２」、…、と称
する。

【００４３】先ず、通常の周辺露光動作について図８お
よび図９（ｂ）を参照して説明する。本実施の形態にお
いて、通常は二つの光源ユニット１４Ａ、１４Ｂによっ
て周辺露光が行われるので、１回の主走査で２本のライ
ンの露光が行われる。すなわち、主走査の往路でライン
１、ライン４の露光がほぼ同時に行われ、復路でライン
２、ライン３の露光がほぼ同時に行われる。図８におい
て、主走査の動作タイミングを示すグラフ中に１４、２
３、５８、６７、…と記されているが、これは１回の主
走査に際して上述のようにライン１とライン４、ライン
２とライン３、ライン５とライン８、ライン６とライン
７がそれぞれほぼ同時に露光される様子を示している。
続いてプレートホルダ４が９０度回転され、主走査の往
路でライン５、ライン８の露光がほぼ同時に行われ、復
路でライン６、ライン７の露光がほぼ同時に行われる。
以上の露光動作が図９（ｂ）の手順Ａ、Ｂ、ＣおよびＤ
に図示されている。このとき、ガラス基板Ｇへ光を照射
する／しないの切り換えは制御部１００がシャッタアク
チュエータ３４Ａ、３４Ｂ（図６）を制御することで行
われ、超高圧水銀ランプ４０Ａ、４０Ｂは常時点灯状態
となっている。

【００４４】続いて、上述した周辺露光動作が行われて
いる最中にオペレータが発光停止スイッチ４９（図６）
を操作して超高圧水銀ランプ４０Ａを消灯させる設定を
した場合における制御部１００の制御動作について説明
する。

【００４５】例えば、図８に示されるようにライン２、
ライン３の露光動作中（図８において符号Ａで示される
タイミング）にオペレータが発光停止スイッチ４９を操
作して超高圧水銀ランプ４０Ａを消灯する設定をした場
合、その時点で超高圧水銀ランプ４０Ａは消灯しない。
そして、オペレータが上述のように発光停止スイッチ４
９を操作した時点で行われていた露光が完了した後のタ
イミング（図８において符号Ｂで示されるタイミング）
で超高圧水銀ランプ４０Ａの消灯が行われる。したがっ
て、周辺露光途中で超高圧水銀ランプ４０Ａが消灯して
しまってガラス基板Ｇが不良品となってしまうことがな
い。加えて、現在行われている周辺露光動作がどこまで
進んでいるかを気にすることなく、オペレータは上述し
た操作をすることができるので、周辺露光装置の操作性
を向上させることができる。

【００４６】超高圧水銀ランプ４０Ａを消灯した後、制
御部１００は以下で説明する単独光源による周辺露光動
作の制御を行う。

【００４７】新たなガラス基板Ｇがプレートホルダ４に
載置された後、制御部１００は主走査モータ３０Ａ、３
１Ａおよび副走査モータ３２Ａを制御して光源ユニット
１４Ａを周辺露光動作範囲の外に動かす。なお、この光
源ユニット１４Ａは、上述のように周辺露光動作範囲の
外には動かさず、光源ユニット１４Ｂの動きと干渉しな
いようにしながら動き続けるものであってもよい。この
場合、ランプ交換時のみ光源ユニット１４Ａが周辺露光
動作範囲の外に退避し、停止するようにすればよい。続
いて制御部１００は、主走査モータ３０Ｂ、３１Ｂおよ
び副走査モータ３２Ｂを制御して光源ユニット１４Ｂの
光出射部をライン１の露光開始位置に移動させる。その
後、制御部１００は、主走査モータ３０Ｂ、３１Ｂおよ
び副走査モータ３２Ｂを制御して光源ユニット１４Ｂの
主走査動作および副走査動作を交互に行わせる。上記制
御動作に際して制御部１００は、光源ユニット１４Ｂの
主走査動作中にのみシャッタアクチュエータ３４Ｂを制
御して光源ユニット１４Ｂから光束を出射させる。この
ようにして周辺露光動作が行われる際の露光手順の一例
を図９（ｃ）に示す。図９（ｃ）の手順Ｐ〜Ｗに示され
るように、光源ユニットがすべては点灯していない状態
であっても、ライン４、ライン３、ライン２、ライン
１、ライン５、ライン６、ライン７、ライン８と、消灯
していない方の光源ユニット１４Ｂを用いて周辺露光動
作が継続して行われる。このときの様子が図８中の主走
査の動作タイミングを示すグラフ中で右側の部分に示さ
れている。すなわち、このグラフ中で４、３、２、１、
５、６、７、８と記されている部分があるが、これは１
回の主走査でライン４、ライン３、ライン２、…が順次
単独で露光される様子を示している。

【００４８】光源ユニット１４Ｂのみを用いての上記周
辺露光動作に際し、光源ユニット１４Ａは周辺露光動作
にあずかる光源ユニット１４Ｂと干渉しない位置に移動
するので、周辺露光動作を継続して行うことができる。
このとき、二つの光源ユニットを用いる場合に比べれば
スループットは低下するものの、周辺露光動作を継続し
て行うことができるので、ランプ交換にともなう周辺露
光装置の稼働率の低下を最低限に抑止することができ
る。

【００４９】オペレータは、超高圧水銀ランプ４０Ａが
消灯してから所定の時間が経過し、交換可能な程度にま
で超高圧水銀ランプ４０Ａの温度が低下したら、この超
高圧水銀ランプ４０Ａを新たなものに交換する。このと
き、光源ユニット１４Ａは、周辺露光動作にあずかる光
源ユニット１４Ｂの動作範囲の外に位置しているので、
ランプ交換の際にも、周辺露光装置の動作を継続させる
ことができる。超高圧水銀ランプ４０Ａを新しいものに
交換した後、オペレータは発光再開スイッチ５１（図
６）を操作して超高圧水銀ランプ４０Ａの点灯を開始す
るように設定する。制御部１００は、オペレータによる
上記設定を検知するとシャッタ６３Ａを閉じた状態で超
高圧水銀ランプ４０Ａへの通電を再開する。

【００５０】− ランプ点灯再開後の周辺露光動作 − 超高圧水銀ランプ４０Ａへの通電再開後、所定時間が経
過して超高圧水銀ランプ４０Ａのウオームアップが完了
するまでは、新たなガラス基板Ｇがセットされるたびに
上述した光源ユニット１４Ｂのみを用いての周辺露光動
作が繰り返し行われる。制御部１００は、超高圧水銀ラ
ンプ４０Ａの作動が安定したことを検出した後、切りの
よいところですべての光源ユニット１４Ａ、１４Ｂを用
いての周辺露光動作を再開する。ここで、「きりのよい
ところ」とは、たとえば超高圧水銀ランプ４０Ａの作動
安定を検出した時点で行われている周辺露光動作が完了
し、新たなガラス基板Ｇに対する周辺露光動作が開始さ
れる時点を示す。この「きりのよいところ」に関し、周
辺露光装置の稼働率低下をできるだけ抑制する観点から
は、超高圧水銀ランプ４０Ａの作動安定を検出した時点
で行われている周辺露光動作が完了した直後に行われる
周辺露光動作の開始時であることが望ましい。しかし、
数回の周辺露光動作を見送った後にすべての光源ユニッ
ト１４Ａ、１４Ｂを用いての周辺露光動作を再開するも
のであってもよい。なお、光源ユニット１４Ａの上記復
帰タイミング制御に関し、超高圧水銀ランプ４０Ａの作
動安定を検出した時点で行われている光源ユニット１４
Ｂのみによる走査が完了した後、まだ残っている周辺露
光対象のパターン（ライン）に対して光源ユニット１４
Ａ、１４Ｂを用いて周辺露光するものであってもよい。

【００５１】以上で説明した発光停止スイッチ４９およ
び発光再開スイッチ５１に関しては、不図示のコンソー
ル上に設けられるものであってもよいし、キーボード等
（不図示）をオペレータが操作するものであってもよ
い。あるいは、周辺露光装置の動作状態を表示するディ
スプレイ（不図示）に設けられるタッチパネル等をオペ
レータが操作するものであってもよい。

【００５２】制御部１００が超高圧水銀ランプ４０Ａ、
４０Ｂの作動の安定を検出する方法としては、この超高
圧水銀ランプに印加される電圧と超高圧水銀ランプ中を
流れる電流とを測定し、これらの測定結果が予め定めら
れた値に達したことを検知する方法がある。あるいは超
高圧水銀ランプの点灯開始後の経過時間を計測し、この
時間が予め定められた値に達したことを検知するもので
あってもよい。その他、輝度センサや放射温度測定セン
サ等を設け、これらのセンサから出力される信号の大き
さに基づいて超高圧水銀ランプの作動が安定したことを
検出してもよい。

【００５３】以上に説明した、消灯中の超高圧水銀ラン
プの点灯再開後に行われる周辺露光動作について図１０
を参照して説明する。図１０は、消灯中の超高圧水銀ラ
ンプ４０Ａが点灯を再開した後に行われる周辺露光装置
の作動シーケンスの一例を概略的に示すタイミングチャ
ートである。図１０において、符号αを付したタイミン
グで行われる基板交換の後に行われる周辺露光動作の途
中でオペレータが発光再開スイッチ５１を操作し、超高
圧水銀ランプ４０Ａの点灯を再開する設定をする。この
設定に応じ、制御部１００は超高圧水銀ランプ４０Ａへ
の通電を開始する（図１０で符号Ａを付したタイミン
グ）。制御部１００は、超高圧水銀ランプ４０Ａの作動
安定化完了を上述した方法によって検出する（図１０で
符号Ｂを付したタイミング）。その後、新たなガラス基
板Ｇがプレートホルダ４に載置されるのにともない（図
１０で符号βを付したタイミング）、制御部１００はす
べての光源ユニットを用いての周辺露光動作を開始す
る。

【００５４】以上に説明したように、オペレータは周辺
露光装置の動作状態を気にすることなく、消灯中の超高
圧水銀ランプ４０Ａの点灯再開の設定を行うことができ
るので操作性を高めることができる。そして、点灯を再
開した超高圧水銀ランプ４０Ａがウォームアップを完了
した後に、制御部１００は複数の光源ユニット１４Ａ、
１４Ｂを用いての周辺露光動作が自動的に再開されるの
で、発光状態の不安定な状態で周辺露光が行われること
がない。したがって、超高圧水銀ランプの交換作業にと
もなって周辺露光途中のガラス基板Ｇの不良を生じるこ
とがない。また、超高圧水銀ランプ４０Ａの交換につい
ては、交換可能になったことを示す表示や、オペレータ
コールを行う。あるいは、オペレータが待機するまで
は、交換可能であっても点灯している方で継続して露光
してもよい。

【００５５】以上のようにして、交換対象の超高圧水銀
ランプ４０Ａを消灯してからクールダウンが完了するの
を待って新たな超高圧水銀ランプ４０Ａに交換し、点灯
を開始してからウォームアップを完了するまでの間は残
りの超高圧水銀ランプ４０Ｂで周辺露光を継続すること
ができる。このため、光源ランプの交換作業にともなう
周辺露光装置の処理能力の低下を最小限にとどめること
が可能となる。

【００５６】以上では、光源ユニット１４Ａ、１４Ｂの
いずれもが露光対象のガラス基板Ｇの全露光対象領域上
を移動可能なものであるものを例として説明したが、本
発明は以上に説明した実施の形態に限られるものではな
い。たとえば、図１を参照して説明すると、ガラス基板
ＧのＹ方向に延在する中心線を境にして、光源ユニット
１４Ａは左側の領域のみを移動可能であり、光源ユニッ
ト１４Ｂは右側の領域のみを移動可能な構成としてもよ
い。この場合、単独の光源ユニットを用いて周辺露光を
行う際に、図９（ｃ）に示されるような手順で周辺露光
を行うことはできないので、図１１を参照して以下に説
明する手順で周辺露光を行えばよい。

【００５７】図１１（ａ）は、図９（ａ）と同様に周辺
露光領域のパターンＰＡの一例を図示したものであり、
図１１（ｂ）は周辺露光領域のパターンＰＡを形成する
ライン１〜ライン８が順次露光される様子を、順を追っ
て示したものである。例えば超高圧水銀ランプ４０Ａが
交換の対象となっている場合、制御部１００は光源ユニ
ット１４Ｂのみを用いて以下のように周辺露光の動作制
御を行う。すなわち、制御部１００は、ライン４、ライ
ン３の露光を順次行い（手順Ｋ）、プレートホルダ４を
図１において時計回りの方向に９０度回転させる。続い
て制御部１００は、ライン５、ライン６の露光を順次行
い（手順Ｌ）、プレートホルダ４をさらに時計回り方向
に９０度回転させ、ライン１、ライン２の露光を順次行
う（手順Ｍ）。制御部１００は、さらにプレートホルダ
４を時計回り方向に９０度回転させ、ライン８、ライン
７の露光を行う（手順Ｎ）。

【００５８】以上のようにして周辺露光領域のパターン
ＰＡを構成するすべてのラインについて露光を行なった
後、制御部１００はプレートホルダ４を反時計回りの方
向に２７０度回転させて初期位置に戻す。なお、上述の
ように反時計回りの方向に２７０度回転させてプレート
ホルダ４を初期位置に戻すのに代えて、時計回りの方向
へプレートホルダ４をさらに９０度回転させてもよい。
この場合、次のガラス基板Ｇに対して行われる周辺露光
に際しては上述したのと逆の方向にプレートホルダ４を
回転させることが望ましい。このようにプレートホルダ
４の回転を制御することにより、プレートホルダ４に接
続される空圧系統の配管や電気系統の配線等がよじれる
ことがない。

【００５９】以上では、周辺露光装置が二つの光源ユニ
ット１４Ａ、１４Ｂを有するものとして説明したが、光
源ユニットの数は３以上としてもよい。この場合、すべ
ての光源ユニットを用いて周辺露光を行うときに、周辺
露光領域のパターンを形成するラインの数と光源ユニッ
トの数との関係によっては最後に残るライン数が半端に
なる。このようなときには、周辺露光領域のパターンを
形成するラインの数を周辺露光にあずかる光源ユニット
の数で割ったときの余りの数のパターンを一部の光源ユ
ニットで露光すればよい。

【００６０】また、以上では、超高圧水銀ランプ４０Ａ
を交換して再度使用可能となるまでの間、光源ユニット
１４Ｂのみを用いて周辺露光を行う際に、主走査方向に
光源ユニット１４Ｂを走査させる例について説明した
が、この例において光源ユニット１４Ｂを副走査方向に
も走査させて周辺露光を行うものであってもよい。すな
わち、光源ユニット１４Ａ、１４Ｂは、支持部材１２Ａ
または１２Ｂに支持された状態で主走査方向に略直交す
る副走査方向に移動可能である。これを利用し、図１に
示されるようにガラス基板Ｇが載置されているときに、
長辺側の周辺露光に際しては主走査方向に、短辺側の周
辺露光に際しては副走査方向に、それぞれ光源ユニット
１４Ｂを走査させてもよい。この場合、光源ユニットか
ら出射される光束のビームサイズは、２次元方向に変え
ることが可能なように構成しておくことが望ましい。以
上では超高圧水銀ランプ４０Ａが交換対象である場合に
超高圧水銀ランプ４０Ｂで周辺露光を行う例について説
明したが、超高圧水銀ランプ４０Ｂが交換対象のときに
は光源ユニット１４Ａのみで周辺露光を行うことができ
るのはもちろんである。

【００６１】以上の説明では、光源ユニット１４Ａおよ
び１４Ｂから出射される光束の光量を検出するために、
定盤２上に光量センサ４８が設けられる例について説明
したが、光源ユニット１４Ａ、１４Ｂのそれぞれに内蔵
するものであってもよい。

【００６２】複数の光源ユニットを主走査方向および副
走査方向に駆動するためのものとして、以上に説明した
送りネジ機構のみならず、リニアモータやベルト駆動機
構等、他のアクチュエータや機構等を用いるものであっ
てもよい。

【００６３】以上では、ＬＣＤパネルやＰＤＰパネル等
に用いられるガラス基板の周辺露光動作を行うものにつ
いて説明したが、ウェーハ等、他の基板の周辺露光を行
うものに適用することも可能である。

【００６４】以上では、直線状のラインの露光を行うも
のについて説明したが、光源ユニット１４Ａ、１４Ｂを
駆動する際に、主走査方向に沿う駆動と副走査方向に沿
う駆動とを組み合わせることで、周辺露光の対象となる
非パターン領域が曲線や折れ線に沿うようなものに対し
ても露光可能である。

【００６５】また、以上では複数の光源ユニット１４
Ａ、１４Ｂが支持部材１２Ａ、１２Ｂによりそれぞれ独
立して主走査方向に駆動される例について説明したが、
一つの支持部材上で複数の光源ユニットが副走査方向に
移動可能に支持されるものであってもよい。この場合、
複数の光源ユニットを独立して主走査方向に駆動するこ
とはできないので、図７を参照して説明した露光を行う
ことはできない。しかし、たとえばいずれかの光源ユニ
ットがウォーミングアップ中に、残りの光源ユニットを
用いて、図９、図１１を参照して説明した方法で露光を
行うことができる。

【００６６】以上の発明の実施の形態と請求項との対応
において、超高圧水銀ランプ４０Ａ、４０Ｂが光源を、
リレーレンズ６６Ａ、６６Ｂおよび投影レンズ６５Ａ、
６５Ｂが集光光学系を、光源ユニット１４Ａおよび１４
Ｂが照明ユニットを、ガラス基板Ｇが感光基板を、制御
部１００が露光制御部をそれぞれ構成する。

【００６７】

【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれば
以下の効果を奏する。 （１） 請求項１または１０に記載の発明によれば、複
数の照明ユニットの個々の状態に応じて、複数の照明ユ
ニットのうち所定の照明ユニットを選択して露光するこ
とにより、たとえばメインテンス中であったり、照射準
備中であったり、光量が低下している等の照明ユニット
以外のものを選択して露光を行うことができ、露光装置
の稼働率低下を抑制できる。 （２） 請求項２に記載の発明によれば、露光制御部は
所定の照明ユニットとして、複数の照明ユニットのうち
の少なくとも一つを選択することにより、少なくとも一
つの照明ユニットで露光動作を継続することができ、露
光装置の稼働率低下を抑制することができる。 （３） 請求項３に記載の発明によれば、露光制御部は
メインテナンス中または照射準備中の照明ユニットを選
択対象から除外することにより、残りの照明ユニットで
露光を継続して行うことができ、露光装置の稼働率低下
を抑制することができる。 （４） 請求項４に記載の発明によれば、露光制御部が
照明ユニットの照明光量に基づいて所定の照明ユニット
を選択することにより、たとえば光量の多い照明ユニッ
トを選択すれば露光に要する時間を短縮することがで
き、露光装置のスループットを向上させることができ
る。 （５） 請求項５に記載の発明によれば、露光制御部が
所定の照明ユニットとして、所定の照射光量を照射可能
な照明ユニットを選択することにより、露光に要する時
間が伸びるのを抑制することができる。 （６） 請求項６に記載の発明によれば、露光制御部
が、選択された照明ユニットに応じて非パターン領域を
露光する際の一連の露光動作を変えることにより、選択
された照明ユニットの数、状態、光量等に応じて最適の
手順で露光動作を行うことができ、露光時間を短縮して
露光装置のスループットを向上させることができる。 （７） 請求項７に記載の発明によれば、露光制御部
が、選択された照明ユニットの数に応じて、非パターン
領域を露光する際の一連の露光動作を変えることによ
り、選択された照明ユニットの数に応じて最適の手順で
露光動作を行うことができ、露光時間を短縮して露光装
置のスループットを向上させることができる。 （８） 請求項８に記載の発明によれば、照明ユニット
は、光源と集光光学系とを有し、露光制御部は、光源の
状態に応じて所定の照明ユニットを選択することによ
り、たとえばメインテンス中であったり、消灯中であっ
たり、照射準備中であったり、光量が低下している等の
光源の状態に応じて照明ユニットを選択することによ
り、露光装置の稼働率低下を抑制することが可能とな
る。 （９） 請求項９に記載の発明によれば、感光基板の非
パターン領域中で同一線上に延在する露光対象部分を露
光する際に、複数の照明ユニットのうち少なくとも二つ
を上記同一線上に沿って感光基板と相対移動させること
により、露光時間を短縮して露光装置のスループットを
向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 図１は、本発明の実施の形態に係る周辺露光
装置の概略的構成を説明する平面図である。

【図２】 図２は、本発明の実施の形態に係る周辺露光
装置の概略的構成を説明する部分断面図である。

【図３】 図３は、光源ユニットの構成例を概略的に示
す縦断面図である。

【図４】 図４は、本実施の形態に係る周辺露光装置と
他の装置との間で露光対象物を受け渡しするローダを説
明する図である。

【図５】 図５は、露光対象物がローダによって周辺露
光装置にセットされる様子を説明する図である。

【図６】 図６は、本発明の実施の形態に係る周辺露光
装置の制御回路を概略的に示すブロック図である。

【図７】 図７は、同一線上に延在する露光対象部分の
露光をする際に、複数の照明ユニットを上記同一線上に
沿って移動させる様子を説明する図である。

【図８】 図８は、本発明の実施の形態に係る周辺露光
装置の動作シーケンスを示す図であり、露光動作の途中
で二つの光源ユニットのうちの一つが消灯される際の様
子を説明する図である。

【図９】 図９は、一部の光源ユニットのみを用いて周
辺露光が行われる様子の一例を順を追って示す図であ
る。

【図１０】 図１０は、本発明の実施の形態に係る周辺
露光装置の動作シーケンスを示す図であり、露光動作か
ら離れていた光源ユニットを用いての露光動作が再開さ
れる様子を説明する図である。

【図１１】 図１１は、一部の光源ユニットのみを用い
て周辺露光が行われる様子の他の例を示す図である。

【符号の説明】

２ … 定盤 ４ … プレートホルダ ５ …
プレートホルダ支持部 ８Ａ、８Ｂ … ガイドレール １２Ａ、１２Ｂ …
支持部材 １４Ａ、１４Ｂ … 光源ユニット ３０Ａ、３０Ｂ、３１Ａ、３１Ｂ … 主走査モータ ３２Ａ、３２Ｂ … 副走査モータ ３４Ａ、３４Ｂ … シャッタアクチュエータ ３６Ａ、３６Ｂ … ブラインドアクチュエータ ４０Ａ、４０Ｂ … 超高圧水銀ランプ ４８ … 光量センサ ４９ … 発光停止スイッ
チ ５１ … 発光再開スイッチ ５２ … ステージア
クチュエータ ７０ … ローダ １００ … 制御部 ２００ … ホストコンピュータ

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】パターンを形成すべきパターン領域と前記
   パターン領域とは異なる非パターン領域とを有する感光
   基板の前記非パターン領域に露光光を照射するための複
   数の照明ユニットを有する周辺露光装置において、 前記複数の照明ユニットの個々の状態に応じて、前記複
   数の照明ユニットのうち所定の照明ユニットを選択して
   露光する露光制御部を有することを特徴とする周辺露光
   装置。
2. 【請求項２】請求項１に記載の周辺露光装置において、 前記露光制御部は、前記所定の照明ユニットとして、前
   記複数の照明ユニットのうちの少なくとも一つを選択す
   ることを特徴とする周辺露光装置。
3. 【請求項３】請求項１または２に記載の周辺露光装置に
   おいて、 前記露光制御部は、メインテナンス中または照射準備中
   の照明ユニットを選択対象から除外することを特徴とす
   る周辺露光装置。
4. 【請求項４】請求項１または２に記載の周辺露光装置に
   おいて、 前記露光制御部は、前記照明ユニットの照明光量に基づ
   いて、前記所定の照明ユニットを選択することを特徴と
   する周辺露光装置。
5. 【請求項５】請求項４に記載の周辺露光装置において、 前記露光制御部は、前記所定の照明ユニットとして、所
   定の照射光量を照射可能な照明ユニットを選択すること
   を特徴とする周辺露光装置。
6. 【請求項６】請求項１〜５のいずれか１項に記載の周辺
   露光装置において、 前記露光制御部は、前記選択された照明ユニットに応じ
   て、前記非パターン領域を露光する際の一連の露光動作
   を変えることを特徴とする周辺露光装置。
7. 【請求項７】請求項６に記載の周辺露光装置において、 前記露光制御部は、前記選択された照明ユニットの数に
   応じて、前記非パターン領域を露光する際の一連の露光
   動作を変えることを特徴とする周辺露光装置。
8. 【請求項８】請求項６に記載の周辺露光装置において、 前記照明ユニットは、光源と集光光学系とを有し、 前記露光制御部は、前記光源の状態に応じて、前記所定
   の照明ユニットを選択することを特徴とする周辺露光装
   置。
9. 【請求項９】パターンを形成すべきパターン領域と前記
   パターン領域とは異なる非パターン領域とを有する感光
   基板の前記非パターン領域に露光光を照射するための複
   数の照明ユニットを有する周辺露光装置において、 前記非パターン領域中で同一線上に延在する露光対象部
   分を露光する際に、前記複数の照明ユニットのうち少な
   くとも二つを前記同一線上に沿って前記感光基板と相対
   移動させることを特徴とする周辺露光装置。
10. 【請求項１０】パターンを形成すべきパターン領域と前
    記パターン領域とは異なる非パターン領域とを有する感
    光基板の前記非パターン領域に露光光を照射するための
    照明ユニットを複数備えた周辺露光装置を用い、前記非
    パターン領域を前記照明ユニットから出射される露光光
    で露光する露光方法において、 前記複数の照明ユニットの個々の状態に応じて、前記感
    光基板を露光する照明ユニットを選択して露光すること
    を特徴とする露光方法。