JPH06177009A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
- Publication number
- JPH06177009A JPH06177009A JP4349772A JP34977292A JPH06177009A JP H06177009 A JPH06177009 A JP H06177009A JP 4349772 A JP4349772 A JP 4349772A JP 34977292 A JP34977292 A JP 34977292A JP H06177009 A JPH06177009 A JP H06177009A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- mask
- optical system
- projection
- exposure apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡単な構成で小型光束を用いて大型基板上へ
のつなぎ目のない露光を可能とし、高精度のパターンを
形成するとともに露光工程を効率良く行いスループット
を向上させた投影露光装置を提供する。 【構成】 マスク上のパターンを光学系を用いて基板上
に露光する投影露光装置において、マスク１１０を露光
する照明光学系１２１と、該照明光学系１２１により照
射され上記マスク１１０を透過した光１３１を基板１１
１に露光する投影光学系１２２と、前記照明光学系１２
１および前記投影光学系１２２を上記マスク１１０およ
び基板１１１に対して縦横方向に同期して移動させる移
動手段と、を備えている。
のつなぎ目のない露光を可能とし、高精度のパターンを
形成するとともに露光工程を効率良く行いスループット
を向上させた投影露光装置を提供する。 【構成】 マスク上のパターンを光学系を用いて基板上
に露光する投影露光装置において、マスク１１０を露光
する照明光学系１２１と、該照明光学系１２１により照
射され上記マスク１１０を透過した光１３１を基板１１
１に露光する投影光学系１２２と、前記照明光学系１２
１および前記投影光学系１２２を上記マスク１１０およ
び基板１１１に対して縦横方向に同期して移動させる移
動手段と、を備えている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マスク（レチクルを含
む）上に形成されたパターンを基板上に露光転写するた
めの投影露光装置に関し、特に液晶パネル用投影露光装
置のようにマスクのパターンを大型基板上に投影露光す
るための投影露光装置の改良に関するものである。
む）上に形成されたパターンを基板上に露光転写するた
めの投影露光装置に関し、特に液晶パネル用投影露光装
置のようにマスクのパターンを大型基板上に投影露光す
るための投影露光装置の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶パネル製造工程あるいは半導体素子
製造工程において、マスク上にパターニングを施しこれ
を光学系を介してガラス基板やウエハ基板等に投影露光
して転写し所望のパターンを基板上に形成している。
製造工程において、マスク上にパターニングを施しこれ
を光学系を介してガラス基板やウエハ基板等に投影露光
して転写し所望のパターンを基板上に形成している。
【０００３】従来大型の液晶ディスプレイパネルの基板
等にパターンを形成する場合、ステッパ等を用いて、例
えば「最新液晶ディスプレイの製造装置と応用技術」、
発行：ミマツデータシステム、第８章第２項、大型基板
露光装置、間潤治著、に開示されているように、１つの
画面を適当な数の露光ショット領域に分割し、これらの
領域を順番にステージを移動して露光を行い画面合成に
より全画面にわたるパターンを基板上に形成していた。
等にパターンを形成する場合、ステッパ等を用いて、例
えば「最新液晶ディスプレイの製造装置と応用技術」、
発行：ミマツデータシステム、第８章第２項、大型基板
露光装置、間潤治著、に開示されているように、１つの
画面を適当な数の露光ショット領域に分割し、これらの
領域を順番にステージを移動して露光を行い画面合成に
より全画面にわたるパターンを基板上に形成していた。
【０００４】また、別の従来の液晶パネルの露光方式と
して、例えば「最新液晶ディスプレイの製造装置と応用
技術」、発行：ミマツデータシステム、第８章第１項、
吉成秀樹著、にミラープロジェクション露光装置が開示
されている。この方式はマスクと基板とを一体で移動さ
せ、マスク幅と等しい幅を持つスリット状の光束をマス
ク上で一方向に走査させることにより露光を行うもので
ある。
して、例えば「最新液晶ディスプレイの製造装置と応用
技術」、発行：ミマツデータシステム、第８章第１項、
吉成秀樹著、にミラープロジェクション露光装置が開示
されている。この方式はマスクと基板とを一体で移動さ
せ、マスク幅と等しい幅を持つスリット状の光束をマス
ク上で一方向に走査させることにより露光を行うもので
ある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来のステッパを用いた画面分割方式の露光装置において
は、大型基板に高密度で高精度の微細パターンを投影露
光しようとするとき、分割部分にパターンのつなぎ目が
できてしまい液晶パネルとしての画面に問題が生ずる。
このつなぎ目を少なくするために１ショットの露光領域
をできる限り大きくすることが考えられるが、そのため
には投影光学系は高精度を維持しつつ大口径のものが必
要になり、装置構成が大型化するとともにコストアップ
の要因となっていた。またつなぎ目におけるつなぎ合せ
精度を確保するため、アライメント機構を設け１ショッ
ト毎にアライメント動作を行う必要があった。このため
工程数が増えるとともに装置構成がさらに複雑大型化
し、コストの上昇およびスループットの低下を来してい
た。
来のステッパを用いた画面分割方式の露光装置において
は、大型基板に高密度で高精度の微細パターンを投影露
光しようとするとき、分割部分にパターンのつなぎ目が
できてしまい液晶パネルとしての画面に問題が生ずる。
このつなぎ目を少なくするために１ショットの露光領域
をできる限り大きくすることが考えられるが、そのため
には投影光学系は高精度を維持しつつ大口径のものが必
要になり、装置構成が大型化するとともにコストアップ
の要因となっていた。またつなぎ目におけるつなぎ合せ
精度を確保するため、アライメント機構を設け１ショッ
ト毎にアライメント動作を行う必要があった。このため
工程数が増えるとともに装置構成がさらに複雑大型化
し、コストの上昇およびスループットの低下を来してい
た。
【０００６】また、前述の従来のミラープロジェクショ
ン方式の露光装置においては、投影光学系（反射光学
系）として、マスク全面を投影できる大型のものが必要
となり、装置が大型化するという問題があった。
ン方式の露光装置においては、投影光学系（反射光学
系）として、マスク全面を投影できる大型のものが必要
となり、装置が大型化するという問題があった。
【０００７】本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされ
たものであって、簡単な構成で小型光束を用いて大型基
板上へのつなぎ目のない露光を可能とし、高精度のパタ
ーンを形成するとともに露光工程を効率良く行いスルー
プットを向上させた投影露光装置の提供を目的とする。
たものであって、簡単な構成で小型光束を用いて大型基
板上へのつなぎ目のない露光を可能とし、高精度のパタ
ーンを形成するとともに露光工程を効率良く行いスルー
プットを向上させた投影露光装置の提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明では、マスク上のパターンを光学系を用いて
基板上に露光する投影露光装置において、露光光をマス
クに照射する照明光学系と、該照明光学系により照射さ
れ上記マスクを透過した光を基板に露光する投影光学系
と、前記照明光学系および前記投影光学系を上記マスク
および基板に対して縦横方向に同期して移動させる移動
手段と、を備えている。
め、本発明では、マスク上のパターンを光学系を用いて
基板上に露光する投影露光装置において、露光光をマス
クに照射する照明光学系と、該照明光学系により照射さ
れ上記マスクを透過した光を基板に露光する投影光学系
と、前記照明光学系および前記投影光学系を上記マスク
および基板に対して縦横方向に同期して移動させる移動
手段と、を備えている。
【０００９】好ましい実施例においては、前記移動手段
は、前記照明光学系および投影光学系とを相互に固定し
た状態で両光学系を移動させる。本発明ではさらに、マ
スク上のパターンを光学系を用いて基板上に露光する投
影露光装置において、露光光をマスクに照射する照明光
学系と、該照明光学系により照射され上記マスクを透過
した光を基板に露光する投影光学系とを、上記マスクお
よび基板に対して縦横方向に同期して移動させる第１の
移動手段と、上記基板を縦横方向に移動させる第２の移
動手段とを備えている。
は、前記照明光学系および投影光学系とを相互に固定し
た状態で両光学系を移動させる。本発明ではさらに、マ
スク上のパターンを光学系を用いて基板上に露光する投
影露光装置において、露光光をマスクに照射する照明光
学系と、該照明光学系により照射され上記マスクを透過
した光を基板に露光する投影光学系とを、上記マスクお
よび基板に対して縦横方向に同期して移動させる第１の
移動手段と、上記基板を縦横方向に移動させる第２の移
動手段とを備えている。
【００１０】好ましい実施例においては、前記第１の移
動手段は、前記照明光学系および投影光学系とを相互に
固定した状態で両光学系を移動させる。さらに好ましい
実施例においては、前記第２の移動手段は、前記マスク
に対し前記基板を移動可能としかつこれらのマスクおよ
び基板を相互に固定した状態でこれらのマスクおよび基
板を移動可能としている。
動手段は、前記照明光学系および投影光学系とを相互に
固定した状態で両光学系を移動させる。さらに好ましい
実施例においては、前記第２の移動手段は、前記マスク
に対し前記基板を移動可能としかつこれらのマスクおよ
び基板を相互に固定した状態でこれらのマスクおよび基
板を移動可能としている。
【００１１】本発明に係る投影露光装置を用いて露光を
行う場合、上記マスクより上記基板が大きい場合に、上
記基板上の所定の位置に上記照明光学系および投影光学
系を上記第１の移動手段により移動させてマスクパター
ンの露光を行い、次いで上記基板を上記第２の移動手段
により移動させて上記各光学系およびマスクに対し新た
な露光位置を設定する。
行う場合、上記マスクより上記基板が大きい場合に、上
記基板上の所定の位置に上記照明光学系および投影光学
系を上記第１の移動手段により移動させてマスクパター
ンの露光を行い、次いで上記基板を上記第２の移動手段
により移動させて上記各光学系およびマスクに対し新た
な露光位置を設定する。
【００１２】以上のような本発明の基本構成を図１に示
す。即ち、本発明では、マスク上のパターンを光学系を
用いて基板上に露光する投影露光装置において、マスク
１１０を露光する照明光学系１２１と、該照明光学系１
２１により照射され上記マスク１１０を透過した光１３
１を基板１１１に露光する投影光学系１２２と、前記照
明光学系１２１および前記投影光学系１２２を上記マス
ク１１０および基板１１１に対して縦横方向に同期して
移動させる移動手段と、を備えている。マスク１１０と
基板１１１は一体で移動可能としてもよい。露光光源１
２０とマスク１１０間に設けた照明光学系２１と、マス
ク１１０と基板１１１間に設けた投影光学系１２２と
を、矢印Ａのように、一体で移動可能な構成とする。
す。即ち、本発明では、マスク上のパターンを光学系を
用いて基板上に露光する投影露光装置において、マスク
１１０を露光する照明光学系１２１と、該照明光学系１
２１により照射され上記マスク１１０を透過した光１３
１を基板１１１に露光する投影光学系１２２と、前記照
明光学系１２１および前記投影光学系１２２を上記マス
ク１１０および基板１１１に対して縦横方向に同期して
移動させる移動手段と、を備えている。マスク１１０と
基板１１１は一体で移動可能としてもよい。露光光源１
２０とマスク１１０間に設けた照明光学系２１と、マス
ク１１０と基板１１１間に設けた投影光学系１２２と
を、矢印Ａのように、一体で移動可能な構成とする。
【００１３】
【作用】露光光源１２０から射出した光束１３１は、照
明光学系１２１を通してマスク１１０より小さい光束と
して、このマスク１１０の全面を矢印のように縦横に移
動しながら走査する。投影光学系１２２がこの照明光学
系１２１と一体で移動して基板１１１上を走査し基板１
１１上にマスク１１０のパターンを露光転写する。
明光学系１２１を通してマスク１１０より小さい光束と
して、このマスク１１０の全面を矢印のように縦横に移
動しながら走査する。投影光学系１２２がこの照明光学
系１２１と一体で移動して基板１１１上を走査し基板１
１１上にマスク１１０のパターンを露光転写する。
【００１４】これにより、基板上の各露光領域周辺部に
おけるパターンのつなぎ合せがなくなり、これに伴い各
露光時のアライメント機構およびアライメント動作が不
要になる。このようにアライメント動作が不要になると
ともに露光光の連続的な走査により連続露光が可能とな
ってスループットが向上する。
おけるパターンのつなぎ合せがなくなり、これに伴い各
露光時のアライメント機構およびアライメント動作が不
要になる。このようにアライメント動作が不要になると
ともに露光光の連続的な走査により連続露光が可能とな
ってスループットが向上する。
【００１５】また、小さい光束により大型基板の露光が
可能になるため、エキシマレーザ等を光源として用い、
簡単なビーム整形を行って投影露光を行うことができ
る。従って、装置構造が簡単になり小型化が達成され
る。
可能になるため、エキシマレーザ等を光源として用い、
簡単なビーム整形を行って投影露光を行うことができ
る。従って、装置構造が簡単になり小型化が達成され
る。
【００１６】
【実施例】図２は本発明の実施例に係る投影露光装置の
構成図である。この投影露光装置は、露光光源１として
エキシマレーザ（ＫｒＦ２４９ｎｍ）を用いた等倍投影
露光装置である。光源１から射出した光束４１は、ビー
ム整形器２により、マスク（レチクル）６上に形成され
たパターンより小さい光束に整形され、反射ミラー３，
４および照明光学系レンズ５を介してマスク６を照射す
る。マスク６を通過した光束は投影光学系レンズ７を介
してガラス基板８を照射する。
構成図である。この投影露光装置は、露光光源１として
エキシマレーザ（ＫｒＦ２４９ｎｍ）を用いた等倍投影
露光装置である。光源１から射出した光束４１は、ビー
ム整形器２により、マスク（レチクル）６上に形成され
たパターンより小さい光束に整形され、反射ミラー３，
４および照明光学系レンズ５を介してマスク６を照射す
る。マスク６を通過した光束は投影光学系レンズ７を介
してガラス基板８を照射する。
【００１７】ガラス基板８のパターニングは、光束４１
がマスク６上を矢印４５に示す経路に沿って走査するこ
とにより行われる。光束４１によるＸ方向の走査は、反
射ミラー４と照明光学系レンズ５が固定されているステ
ージ９および投影光学系レンズ７が固定されているステ
ージ１０の２つのステージ９，１０が同時にＸ方向に移
動することにより行われる。また、光束４１によるＹ方
向の走査は、反射ミラー３およびステージ９，１０を搭
載するステージ１１をＹ方向に移動することにより行わ
れる。
がマスク６上を矢印４５に示す経路に沿って走査するこ
とにより行われる。光束４１によるＸ方向の走査は、反
射ミラー４と照明光学系レンズ５が固定されているステ
ージ９および投影光学系レンズ７が固定されているステ
ージ１０の２つのステージ９，１０が同時にＸ方向に移
動することにより行われる。また、光束４１によるＹ方
向の走査は、反射ミラー３およびステージ９，１０を搭
載するステージ１１をＹ方向に移動することにより行わ
れる。
【００１８】光束による走査中は、マスク６とガラス基
板８は相互に固定される。この場合、マスク６とガラス
基板８との位置合せは、予め各々相対位置合せされてい
るアライメントマーク検出光学系１２と１４および１３
と１５を用いて次のように行われる。即ち、アライメン
トマーク検出光学系１２によりマスク６上のアライメン
トマーク６１の位置を検出し、アライメントマーク検出
光学系１４によりガラス基板８上のアライメントマーク
８１の位置を検出する。またアライメントマーク検出光
学系１３によりマスク６上のアライメントマーク６２の
位置を検出し、アライメントマーク検出光学系１５によ
りガラス基板８上のアライメントマーク８２の位置を検
出する。このようにして検出したマスク６上のアライメ
ントマーク６１とガラス基板８上のアライメントマーク
８１との位置誤差量を計測し、またマスク６上のアライ
メントマーク６２とガラス基板８上のアライメントマー
ク８２との位置誤差量を計測する。これらの誤差量に基
づいて微動ステージ１６を駆動し位置誤差を補正してマ
スク６とガラス基板８との位置合せを行う。
板８は相互に固定される。この場合、マスク６とガラス
基板８との位置合せは、予め各々相対位置合せされてい
るアライメントマーク検出光学系１２と１４および１３
と１５を用いて次のように行われる。即ち、アライメン
トマーク検出光学系１２によりマスク６上のアライメン
トマーク６１の位置を検出し、アライメントマーク検出
光学系１４によりガラス基板８上のアライメントマーク
８１の位置を検出する。またアライメントマーク検出光
学系１３によりマスク６上のアライメントマーク６２の
位置を検出し、アライメントマーク検出光学系１５によ
りガラス基板８上のアライメントマーク８２の位置を検
出する。このようにして検出したマスク６上のアライメ
ントマーク６１とガラス基板８上のアライメントマーク
８１との位置誤差量を計測し、またマスク６上のアライ
メントマーク６２とガラス基板８上のアライメントマー
ク８２との位置誤差量を計測する。これらの誤差量に基
づいて微動ステージ１６を駆動し位置誤差を補正してマ
スク６とガラス基板８との位置合せを行う。
【００１９】このようにアライメントが行われた後、マ
スク６のパターンは小さい光束４１によりいくつかに分
割されて露光されるが、その露光領域の境界において
は、マスク６とガラス基板８とが相互に固定されている
ため、パターンずれによるつなぎ合せは発生せず、マス
ク６と同等の寸法をもつパターンがガラス基板８上に形
成される。
スク６のパターンは小さい光束４１によりいくつかに分
割されて露光されるが、その露光領域の境界において
は、マスク６とガラス基板８とが相互に固定されている
ため、パターンずれによるつなぎ合せは発生せず、マス
ク６と同等の寸法をもつパターンがガラス基板８上に形
成される。
【００２０】図３は本発明の別の実施例に係る投影露光
装置の構成図である。この実施例はマスクより大きい基
板上にマスクパターンを露光転写する場合の例である。
露光領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを有する基板８は微動ステージ
１６を介してＸ方向の粗動ステージ１０９上に搭載さ
れ、このＸ方向粗動ステージ１０９はＹ方向粗動ステー
ジ２１上に搭載される。
装置の構成図である。この実施例はマスクより大きい基
板上にマスクパターンを露光転写する場合の例である。
露光領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを有する基板８は微動ステージ
１６を介してＸ方向の粗動ステージ１０９上に搭載さ
れ、このＸ方向粗動ステージ１０９はＹ方向粗動ステー
ジ２１上に搭載される。
【００２１】露光を行う場合、まず領域Ａを前述の図２
の場合と同様にして露光する。その後、ステージ１０
９，２１を駆動して基板８を移動し、領域Ｂ、Ｃ、Ｄを
順次露光する。この場合、領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの境界に
おいてつなぎ合せ誤差が発生するので、この誤差を最小
にするため、Ａ領域を露光後Ｂ領域を露光する際に再び
マスク６と基板８との位置合せを行うことが必要にな
る。
の場合と同様にして露光する。その後、ステージ１０
９，２１を駆動して基板８を移動し、領域Ｂ、Ｃ、Ｄを
順次露光する。この場合、領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの境界に
おいてつなぎ合せ誤差が発生するので、この誤差を最小
にするため、Ａ領域を露光後Ｂ領域を露光する際に再び
マスク６と基板８との位置合せを行うことが必要にな
る。
【００２２】Ｂ領域におけるマスク６と基板８との位置
合せは、まずステージ２１により基板上のアライメント
マーク９３，９４をアライメントマーク検出光学系１
５，１９で検出できる位置まで基板８を移動させる。次
に、Ａ領域の位置合せと同様に、予めおのおの位置合せ
されているアライメントマーク検出光学系１３と１５お
よび１７と１９を用いて、マスク６上のアライメントマ
ーク６２と基板８上のアライメントマーク９３を検出し
てその位置誤差量を計測し、またマスク６上のアライメ
ントマーク６３と基板８上のアライメントマーク９４を
検出してその位置誤差量を計測し、これらの誤差量に基
づいて微動ステージ１６を駆動し位置誤差を補正してマ
スク６を基板８のＢ領域に位置合せさせる。
合せは、まずステージ２１により基板上のアライメント
マーク９３，９４をアライメントマーク検出光学系１
５，１９で検出できる位置まで基板８を移動させる。次
に、Ａ領域の位置合せと同様に、予めおのおの位置合せ
されているアライメントマーク検出光学系１３と１５お
よび１７と１９を用いて、マスク６上のアライメントマ
ーク６２と基板８上のアライメントマーク９３を検出し
てその位置誤差量を計測し、またマスク６上のアライメ
ントマーク６３と基板８上のアライメントマーク９４を
検出してその位置誤差量を計測し、これらの誤差量に基
づいて微動ステージ１６を駆動し位置誤差を補正してマ
スク６を基板８のＢ領域に位置合せさせる。
【００２３】Ｃ、Ｄ領域の露光についても同様に位置合
せが行われる。即ち、Ｃ領域の位置合せは、アライメン
トマーク検出光学系１７，１８，１９，２０およびアラ
イメントマーク６３，６４，９５，９６を用いて行わ
れ、Ｄ領域の位置合せは、アライメントマーク検出光学
系１８，１２，２０，１４およびアライメントマーク６
４，６１，９７，９８を用いて行われる。
せが行われる。即ち、Ｃ領域の位置合せは、アライメン
トマーク検出光学系１７，１８，１９，２０およびアラ
イメントマーク６３，６４，９５，９６を用いて行わ
れ、Ｄ領域の位置合せは、アライメントマーク検出光学
系１８，１２，２０，１４およびアライメントマーク６
４，６１，９７，９８を用いて行われる。
【００２４】なお、上記各実施例において、照明光学系
レンズ５と投影光学系レンズ７とを介して基板８上を
Ｘ、Ｙ方向に走査して露光を行う場合、Ｘ方向の走査は
両光学系レンズ５，７をそれぞれステージ９，１０上で
同時にＸ方向に移動させて行い、Ｙ方向の走査は両光学
系レンズ５，７が搭載されたステージ１１をＹ方向に移
動させて行っていたが、両光学系レンズ５，７を搭載し
たステージ１１をＸ、Ｙ両方向に移動可能に構成して両
光学系レンズ５，７を位置合せした状態で相互に固定し
ステージ１１をＸ、Ｙ方向に移動させて基板を走査して
もよい。
レンズ５と投影光学系レンズ７とを介して基板８上を
Ｘ、Ｙ方向に走査して露光を行う場合、Ｘ方向の走査は
両光学系レンズ５，７をそれぞれステージ９，１０上で
同時にＸ方向に移動させて行い、Ｙ方向の走査は両光学
系レンズ５，７が搭載されたステージ１１をＹ方向に移
動させて行っていたが、両光学系レンズ５，７を搭載し
たステージ１１をＸ、Ｙ両方向に移動可能に構成して両
光学系レンズ５，７を位置合せした状態で相互に固定し
ステージ１１をＸ、Ｙ方向に移動させて基板を走査して
もよい。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、マスクと基板とを相互に位置合せした状態で、かつ
マスク上方に設けた照明光学系とマスクと基板間に設け
た投影光学系とを相互に固定した状態（相対位置が固定
された状態）で、これらの光学系を移動させて基板上を
走査することにより露光を行うため、パターンに沿って
縦横方向に連続的な走査が可能となり、基板上の各露光
領域周辺部におけるパターンのつなぎ合せをなくすこと
ができる。従って、マスクと基板が等しい大きさの場合
には、アライメント機構およびアライメント動作が不要
になる。このようにアライメント動作が不要になるとと
もに露光光の連続的な走査により連続露光が可能となっ
てスループットが向上する。また、基板がマスクより大
きい場合であっても、基板上の各露光領域周辺部のつな
ぎ合せを少なくすることができ、アライメント動作を減
少させてスループットの上昇を図ることができる。
は、マスクと基板とを相互に位置合せした状態で、かつ
マスク上方に設けた照明光学系とマスクと基板間に設け
た投影光学系とを相互に固定した状態（相対位置が固定
された状態）で、これらの光学系を移動させて基板上を
走査することにより露光を行うため、パターンに沿って
縦横方向に連続的な走査が可能となり、基板上の各露光
領域周辺部におけるパターンのつなぎ合せをなくすこと
ができる。従って、マスクと基板が等しい大きさの場合
には、アライメント機構およびアライメント動作が不要
になる。このようにアライメント動作が不要になるとと
もに露光光の連続的な走査により連続露光が可能となっ
てスループットが向上する。また、基板がマスクより大
きい場合であっても、基板上の各露光領域周辺部のつな
ぎ合せを少なくすることができ、アライメント動作を減
少させてスループットの上昇を図ることができる。
【００２６】また、小さい光束により大型基板の露光が
可能になるため、エキシマレーザ等を光源として用い、
簡単なビーム整形を行って投影露光を行うことができ
る。従って、照明光学系および投影光学系の構造を簡素
化しさらにステージ機構を小型で簡単な構造とすること
ができて、装置全体の構造が簡単になり小型化が達成さ
れる。
可能になるため、エキシマレーザ等を光源として用い、
簡単なビーム整形を行って投影露光を行うことができ
る。従って、照明光学系および投影光学系の構造を簡素
化しさらにステージ機構を小型で簡単な構造とすること
ができて、装置全体の構造が簡単になり小型化が達成さ
れる。
【図１】 本発明の基本構成説明図である。
【図２】 本発明の実施例に係る投影露光装置の構成図
である。
である。
【図３】 本発明の別の実施例に係る投影露光装置の構
成図である。
成図である。
１：露光光源、２：ビーム整形器、５：照明光学系レン
ズ、６：マスク、７：投影光学系レンズ、８：ガラス基
板、９，１０，１１，２１，１０９：粗動ステージ、１
６：微動ステージ、１１０：マスク、１１１：基板、１
２０：露光光源、１２１：照明光学系、１２２：投影光
学系、１３１：光束。
ズ、６：マスク、７：投影光学系レンズ、８：ガラス基
板、９，１０，１１，２１，１０９：粗動ステージ、１
６：微動ステージ、１１０：マスク、１１１：基板、１
２０：露光光源、１２１：照明光学系、１２２：投影光
学系、１３１：光束。
Claims (7)
- 【請求項１】 マスク上のパターンを光学系を用いて基
板上に露光する投影露光装置において、露光光をマスク
に照射する照明光学系と、該照明光学系により照射され
上記マスクを透過した光を基板に露光する投影光学系
と、前記照明光学系および前記投影光学系を上記マスク
および基板に対して縦横方向に同期して移動させる移動
手段と、を備えたことを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項２】 前記移動手段は、前記照明光学系および
投影光学系とを相互に固定した状態で両光学系を移動さ
せることを特徴とする請求項１に記載の投影露光装置。 - 【請求項３】 マスク上のパターンを光学系を用いて基
板上に露光する投影露光装置において、露光光をマスク
に照射する照明光学系と、該照明光学系により照射され
上記マスクを透過した光を基板に露光する投影光学系と
を、上記マスクおよび基板に対して縦横方向に同期して
移動させる第１の移動手段と、上記基板を縦横方向に移
動させる第２の移動手段とを備えたことを特徴とする投
影露光装置。 - 【請求項４】 前記第１の移動手段は、前記照明光学系
および投影光学系とを相互に固定した状態で両光学系を
移動させることを特徴とする請求項３に記載の投影露光
装置。 - 【請求項５】 前記第２の移動手段は、前記マスクに対
し前記基板を移動可能としかつこれらのマスクおよび基
板を相互に固定した状態でこれらのマスクおよび基板を
移動可能としたことを特徴とする請求項４に記載の投影
露光装置。 - 【請求項６】 上記基板上へのマスクパターンの露光
は、相互に固定された状態の上記照明光学系と投影光学
系とを介して前記基板とマスクとを同期して移動させて
行うことを特徴とする請求項１または３に記載の投影露
光装置。 - 【請求項７】 上記マスクより上記基板が大きい場合
に、上記基板上の所定の位置に上記照明光学系および投
影光学系を上記第１の移動手段により移動させてマスク
パターンの露光を行い、次いで上記基板を上記第２の移
動手段により移動させて上記各光学系およびマスクに対
し新たな露光位置を設定してマスクパターンの露光を行
うことを特徴とする請求項３に記載の投影露光装置を用
いた露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4349772A JPH06177009A (ja) | 1992-12-02 | 1992-12-02 | 投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4349772A JPH06177009A (ja) | 1992-12-02 | 1992-12-02 | 投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06177009A true JPH06177009A (ja) | 1994-06-24 |
Family
ID=18406011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4349772A Pending JPH06177009A (ja) | 1992-12-02 | 1992-12-02 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06177009A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003142379A (ja) * | 2001-11-05 | 2003-05-16 | Hitachi Ltd | パターン露光方法及びその装置並びに電子装置の製造方法及び電子装置 |
| JP2016191869A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法 |
| WO2020121468A1 (ja) * | 2018-12-13 | 2020-06-18 | ギガフォトン株式会社 | レーザ加工装置及び被加工物の加工方法 |
| WO2020152796A1 (ja) * | 2019-01-23 | 2020-07-30 | ギガフォトン株式会社 | レーザ加工装置及び被加工物の加工方法 |
-
1992
- 1992-12-02 JP JP4349772A patent/JPH06177009A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003142379A (ja) * | 2001-11-05 | 2003-05-16 | Hitachi Ltd | パターン露光方法及びその装置並びに電子装置の製造方法及び電子装置 |
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| WO2020121468A1 (ja) * | 2018-12-13 | 2020-06-18 | ギガフォトン株式会社 | レーザ加工装置及び被加工物の加工方法 |
| CN112970155A (zh) * | 2018-12-13 | 2021-06-15 | 极光先进雷射株式会社 | 激光加工装置和被加工物的加工方法 |
| JPWO2020121468A1 (ja) * | 2018-12-13 | 2021-10-28 | ギガフォトン株式会社 | レーザ加工装置及び被加工物の加工方法 |
| CN112970155B (zh) * | 2018-12-13 | 2023-10-20 | 极光先进雷射株式会社 | 激光加工装置和被加工物的加工方法 |
| WO2020152796A1 (ja) * | 2019-01-23 | 2020-07-30 | ギガフォトン株式会社 | レーザ加工装置及び被加工物の加工方法 |
| CN113169502A (zh) * | 2019-01-23 | 2021-07-23 | 极光先进雷射株式会社 | 激光加工装置和被加工物的加工方法 |
| JPWO2020152796A1 (ja) * | 2019-01-23 | 2021-12-02 | ギガフォトン株式会社 | レーザ加工装置及び被加工物の加工方法 |
| CN113169502B (zh) * | 2019-01-23 | 2023-09-08 | 极光先进雷射株式会社 | 激光加工装置和被加工物的加工方法 |
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