JP3152857B2 - 静電チャック - Google Patents
静電チャックInfo
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- JP3152857B2 JP3152857B2 JP3979095A JP3979095A JP3152857B2 JP 3152857 B2 JP3152857 B2 JP 3152857B2 JP 3979095 A JP3979095 A JP 3979095A JP 3979095 A JP3979095 A JP 3979095A JP 3152857 B2 JP3152857 B2 JP 3152857B2
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- Japan
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- electrostatic chuck
- group
- resistor layer
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- Ceramic Products (AREA)
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置等にお
いてウエハを静電的に吸着保持して処理したり、搬送す
るための静電チャックに関するものである。
いてウエハを静電的に吸着保持して処理したり、搬送す
るための静電チャックに関するものである。
【０００２】
【従来技術】従来より、半導体製造用装置において、シ
リコンウエハ等の半導体を成膜やエッチングするために
はシリコンウエハの平坦度を保ちながら保持する必要が
あるが、このような保持手段としては機械式、真空吸着
式、静電吸着式が提案されている。これらの保持手段の
中で静電的にシリコンウエハを保持することのできる静
電チャックはシリコンウエハの加工を行うに際して要求
される加工面の平坦度や平向度を容易に実現することが
でき、さらにシリコンウエハを真空中で加工処理するこ
とができるため、半導体の製造に際して最も多用されて
いる。
リコンウエハ等の半導体を成膜やエッチングするために
はシリコンウエハの平坦度を保ちながら保持する必要が
あるが、このような保持手段としては機械式、真空吸着
式、静電吸着式が提案されている。これらの保持手段の
中で静電的にシリコンウエハを保持することのできる静
電チャックはシリコンウエハの加工を行うに際して要求
される加工面の平坦度や平向度を容易に実現することが
でき、さらにシリコンウエハを真空中で加工処理するこ
とができるため、半導体の製造に際して最も多用されて
いる。
【０００３】従来の静電チャックは、電極板の上にアル
ミナ、サファイヤ等からなる絶縁層を形成したもの（特
開昭６０ー２６１３７７号）、絶縁性基体の上に導電層
を形成しその上に絶縁層を形成したもの（特開平４ー３
４９５３号）、絶縁性基体内部に導電層を組み込んだも
の（特開昭６２ー９４９５３号）などが提案されてい
る。
ミナ、サファイヤ等からなる絶縁層を形成したもの（特
開昭６０ー２６１３７７号）、絶縁性基体の上に導電層
を形成しその上に絶縁層を形成したもの（特開平４ー３
４９５３号）、絶縁性基体内部に導電層を組み込んだも
の（特開昭６２ー９４９５３号）などが提案されてい
る。
【０００４】近年、半導体素子の集積回路の集積度が向
上するに従い、静電チャックの精度が高度化し、さらに
耐食性、耐摩耗性、耐熱衝撃性に優れたセラミックス製
静電チャックが要求されるようになってきた。特に窒化
アルミニウムは他のセラミックス材料に比べて耐プラズ
マ性に優れていることから、これを用いた静電チャック
が検討されている。
上するに従い、静電チャックの精度が高度化し、さらに
耐食性、耐摩耗性、耐熱衝撃性に優れたセラミックス製
静電チャックが要求されるようになってきた。特に窒化
アルミニウムは他のセラミックス材料に比べて耐プラズ
マ性に優れていることから、これを用いた静電チャック
が検討されている。
【０００５】一般に絶縁体の体積固有抵抗値は温度が上
昇するに伴い低下する傾向にある。
昇するに伴い低下する傾向にある。
【０００６】例えば窒化アルミニウムの場合には室温で
１０16Ω−ｃｍの抵抗値が３００℃で１０12Ω−ｃｍ以
下にまで減少し、残留吸着などの問題が発生して安定し
た動作を得るのは困難であり、使用温度に制限があっ
た。また、室温以下では１０16Ω−ｃｍ以上の抵抗を有
するため、実用上必要とされる吸着力が得られないなど
の問題があった。
１０16Ω−ｃｍの抵抗値が３００℃で１０12Ω−ｃｍ以
下にまで減少し、残留吸着などの問題が発生して安定し
た動作を得るのは困難であり、使用温度に制限があっ
た。また、室温以下では１０16Ω−ｃｍ以上の抵抗を有
するため、実用上必要とされる吸着力が得られないなど
の問題があった。
【０００７】そこで、特開平２ー１６０４４４号には絶
縁層を２層以上積層するとともにそれぞれの層に対応す
る電極及び電気回路、スイッチングを設けて、室温から
４００℃までの使用に耐えられるような構造が提案され
ている。また、特開平４ー３００１３７号には静電チャ
ック内にヒータ、熱電対などの温度検出器を取付け、外
部に制御部を設けて温度変化にともなって電源部を制御
して吸着力を安定させ、使用温度範囲を広げることも提
案されている。さらに、特開平５ー３１５４３５号では
誘電体層を複数の抵抗率の異なる材質で形成し、使用温
度によって電圧印加の切り替えを行う方法が提案されて
いる。
縁層を２層以上積層するとともにそれぞれの層に対応す
る電極及び電気回路、スイッチングを設けて、室温から
４００℃までの使用に耐えられるような構造が提案され
ている。また、特開平４ー３００１３７号には静電チャ
ック内にヒータ、熱電対などの温度検出器を取付け、外
部に制御部を設けて温度変化にともなって電源部を制御
して吸着力を安定させ、使用温度範囲を広げることも提
案されている。さらに、特開平５ー３１５４３５号では
誘電体層を複数の抵抗率の異なる材質で形成し、使用温
度によって電圧印加の切り替えを行う方法が提案されて
いる。
【０００８】
【発明が解決しようとする問題点】静電チャックの表面
を形成する誘電性絶縁体として、主として窒化アルミニ
ウムやアルミナなどが検討されているが、従来のこれら
の誘電性絶縁体では、室温から高温まで安定した吸着力
を得るには至っておらず、上述のように静電チャックの
構造を変えたり、電気的な制御により使用できる温度範
囲を広げようとする方法では、電気回路も複雑となり、
静電チャック自体の構造が複雑になるために製造工程が
煩雑であり、そのために製品の信頼性が低下したり、コ
ストが高くなるといった欠点があった。
を形成する誘電性絶縁体として、主として窒化アルミニ
ウムやアルミナなどが検討されているが、従来のこれら
の誘電性絶縁体では、室温から高温まで安定した吸着力
を得るには至っておらず、上述のように静電チャックの
構造を変えたり、電気的な制御により使用できる温度範
囲を広げようとする方法では、電気回路も複雑となり、
静電チャック自体の構造が複雑になるために製造工程が
煩雑であり、そのために製品の信頼性が低下したり、コ
ストが高くなるといった欠点があった。
【０００９】また、ヒータを内蔵してその温度を検知
し、印加電圧を制御する方法においても静電チャック内
に熱電対などの温度検知器を内蔵するために検知器が故
障すると使用不可能になるという問題があり、またこの
方法においてもセラミック材料の持つ特性は本質的に変
化しないことから、その使用範囲には自ずと限界があっ
た。
し、印加電圧を制御する方法においても静電チャック内
に熱電対などの温度検知器を内蔵するために検知器が故
障すると使用不可能になるという問題があり、またこの
方法においてもセラミック材料の持つ特性は本質的に変
化しないことから、その使用範囲には自ずと限界があっ
た。
【００１０】
【問題点を解決するための手段】本発明者等は、上記問
題点に対して静電チャックの表面を形成するセラミック
抵抗体層について特に静電チャックを構成する材料の観
点から検討を重ねた結果、所定の基体表面に窒化アルミ
ニウム結晶相を主相とするセラミック抵抗体層を形成
し、その抵抗体層中にＺｎ、Ｃｄなどの周期律表第２ｂ
族元素や、Ｓ、Ｓｅなどの周期律表第６ｂ族元素を含有
せしめ、２５℃における体積固有抵抗が１０7 〜１０13
Ω−ｃｍの抵抗体層を形成することにより、少なくとも
０℃から３００℃までの温度範囲においてその抵抗を安
定化できることを見いだし本発明に至った。
題点に対して静電チャックの表面を形成するセラミック
抵抗体層について特に静電チャックを構成する材料の観
点から検討を重ねた結果、所定の基体表面に窒化アルミ
ニウム結晶相を主相とするセラミック抵抗体層を形成
し、その抵抗体層中にＺｎ、Ｃｄなどの周期律表第２ｂ
族元素や、Ｓ、Ｓｅなどの周期律表第６ｂ族元素を含有
せしめ、２５℃における体積固有抵抗が１０7 〜１０13
Ω−ｃｍの抵抗体層を形成することにより、少なくとも
０℃から３００℃までの温度範囲においてその抵抗を安
定化できることを見いだし本発明に至った。
【００１１】即ち、本発明の静電チャックは、電極が配
設された基体の表面に、窒化アルミニウム結晶相を主体
とし、周期律表第２ｂ族および酸素を除く第６ｂ族元素
から選ばれる少なくとも１種の元素を含み、且つ２５℃
における体積固有抵抗が１０7 〜１０13Ω−ｃｍのセラ
ミック抵抗体層を形成したことを特徴とするものであ
る。
設された基体の表面に、窒化アルミニウム結晶相を主体
とし、周期律表第２ｂ族および酸素を除く第６ｂ族元素
から選ばれる少なくとも１種の元素を含み、且つ２５℃
における体積固有抵抗が１０7 〜１０13Ω−ｃｍのセラ
ミック抵抗体層を形成したことを特徴とするものであ
る。
【００１２】特に、セラミック抵抗体層中へのドープ元
素が周期律表第２ｂ族元素である場合、かかる元素を
０．０１〜２０原子％の割合で含有し、抵抗体層の格子
定数がドープ元素を含まない窒化アルミニウム単相の格
子定数から、ａ軸で０．００３〜０．０２０Å、ｃ軸で
０．００５〜０．０４０Åだけシフトした値を有するも
のであり、ドープ元素が酸素以外の周期律表第６ｂ族元
素である場合、０．０１〜２０原子％の割合で含有し、
該抵抗体層の格子定数がドープ元素を含まない窒化アル
ミニウム単相の格子定数から、ａ軸で０．００４〜０．
０１３Å、ｃ軸で０．００５〜０．０１８Åだけシフト
した値を有するものである。
素が周期律表第２ｂ族元素である場合、かかる元素を
０．０１〜２０原子％の割合で含有し、抵抗体層の格子
定数がドープ元素を含まない窒化アルミニウム単相の格
子定数から、ａ軸で０．００３〜０．０２０Å、ｃ軸で
０．００５〜０．０４０Åだけシフトした値を有するも
のであり、ドープ元素が酸素以外の周期律表第６ｂ族元
素である場合、０．０１〜２０原子％の割合で含有し、
該抵抗体層の格子定数がドープ元素を含まない窒化アル
ミニウム単相の格子定数から、ａ軸で０．００４〜０．
０１３Å、ｃ軸で０．００５〜０．０１８Åだけシフト
した値を有するものである。
【００１３】以下、本発明を詳述する。図１に本発明の
静電チャックの一例を示した。図１の静電チャックによ
れば、室温における体積固有抵抗が１０14Ω−ｃｍ以上
の絶縁体からなる基体１の表面に電圧が印加される電極
２を有し、さらにその電極２上にセラミック抵抗体から
なる薄層３（以下、セラミック抵抗体層という。）が形
成されている。セラミック抵抗体層３は、少なくともシ
リコンウエハ４の載置面、あるいは半導体製造装置内に
露出している基体面全体に形成される。また、基体１内
には図１に示すようにヒータ５を内蔵させてもよく、さ
らには冷却媒体の流路を設けて静電チャックを冷却する
ことも可能である。また、セラミック抵抗体層３の表面
にはシリコンウエハ４の均熱性を向上するために溝６を
形成してもよい。電極２は、高周波電源に接続すること
で高周波電極として用いることができる。
静電チャックの一例を示した。図１の静電チャックによ
れば、室温における体積固有抵抗が１０14Ω−ｃｍ以上
の絶縁体からなる基体１の表面に電圧が印加される電極
２を有し、さらにその電極２上にセラミック抵抗体から
なる薄層３（以下、セラミック抵抗体層という。）が形
成されている。セラミック抵抗体層３は、少なくともシ
リコンウエハ４の載置面、あるいは半導体製造装置内に
露出している基体面全体に形成される。また、基体１内
には図１に示すようにヒータ５を内蔵させてもよく、さ
らには冷却媒体の流路を設けて静電チャックを冷却する
ことも可能である。また、セラミック抵抗体層３の表面
にはシリコンウエハ４の均熱性を向上するために溝６を
形成してもよい。電極２は、高周波電源に接続すること
で高周波電極として用いることができる。
【００１４】本発明において、セラミック抵抗体層３
は、窒化アルミニウム結晶相を主体とし、結晶相中に周
期律表第２ｂ族元素、あるいは酸素を除く周期律表第６
ｂ族元素を含むものである。これらの元素は窒化アルミ
ニウム結晶中にドープされている。また、本発明におけ
るセラミック抵抗体層３は、上記元素のドープにより２
５℃における体積固有抵抗が１０7 〜１０13Ω−ｃｍ、
特に１０8 〜１０12Ω−ｃｍの範囲の特性を有する。こ
の周期律表第２ｂ族元素、または酸素以外の第６ｂ族元
素は、窒化アルミニウムに対して導電性を付与し体積固
有抵抗を上記の範囲に制御するためのものである。
は、窒化アルミニウム結晶相を主体とし、結晶相中に周
期律表第２ｂ族元素、あるいは酸素を除く周期律表第６
ｂ族元素を含むものである。これらの元素は窒化アルミ
ニウム結晶中にドープされている。また、本発明におけ
るセラミック抵抗体層３は、上記元素のドープにより２
５℃における体積固有抵抗が１０7 〜１０13Ω−ｃｍ、
特に１０8 〜１０12Ω−ｃｍの範囲の特性を有する。こ
の周期律表第２ｂ族元素、または酸素以外の第６ｂ族元
素は、窒化アルミニウムに対して導電性を付与し体積固
有抵抗を上記の範囲に制御するためのものである。
【００１５】ドープ元素が、周期律表第２ｂ族元素の場
合、０．０１〜２０原子％の割合で含有される。この含
有量が０．０１原子％未満では体積固有抵抗値を低くす
るのに十分ではなく、また２０原子％を越えると窒化ア
ルミニウムとしての特性が変化し、体積固有抵抗が１０
7 Ω−ｃｍより低くなり、静電チャックとして使用でき
なくなる。この周期律表第２ｂ族元素としては、Ｚｎ、
Ｃｄ，Ｈｇが挙げられ、これらの中でもＺｎが安価で且
つ成膜の制御が容易である。
合、０．０１〜２０原子％の割合で含有される。この含
有量が０．０１原子％未満では体積固有抵抗値を低くす
るのに十分ではなく、また２０原子％を越えると窒化ア
ルミニウムとしての特性が変化し、体積固有抵抗が１０
7 Ω−ｃｍより低くなり、静電チャックとして使用でき
なくなる。この周期律表第２ｂ族元素としては、Ｚｎ、
Ｃｄ，Ｈｇが挙げられ、これらの中でもＺｎが安価で且
つ成膜の制御が容易である。
【００１６】一方、ドープ元素が、酸素以外の周期律表
第６ｂ族元素の場合、０．０１〜２０原子％の割合で含
有される。この含有量が０．０１原子％未満では体積固
有抵抗値を低くするのに十分ではなく、また２０原子％
を越えると窒化アルミニウムとしての特性が変化し、体
積固有抵抗が１０7 Ω−ｃｍより低くなり、静電チャッ
クとして使用できなくなる。この周期律表第６ｂ族元素
としては、Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅが挙げられ、これらの中でも
Ｓが安価で且つ成膜の制御が容易である。
第６ｂ族元素の場合、０．０１〜２０原子％の割合で含
有される。この含有量が０．０１原子％未満では体積固
有抵抗値を低くするのに十分ではなく、また２０原子％
を越えると窒化アルミニウムとしての特性が変化し、体
積固有抵抗が１０7 Ω−ｃｍより低くなり、静電チャッ
クとして使用できなくなる。この周期律表第６ｂ族元素
としては、Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅが挙げられ、これらの中でも
Ｓが安価で且つ成膜の制御が容易である。
【００１７】なお、静電チャックとして特性の点で、こ
のセラミック抵抗体層の抵抗が１×１０7 Ω−ｃｍより
小さいとリーク電流が大きくなり、１×１０13Ω−ｃｍ
より大きいと吸着力が低下し残留吸着力が発生する場合
があるため、静電チャックの使用温度領域、例えば０℃
〜３００℃での体積固有抵抗が１×１０7 Ω−ｃｍ〜１
×１０13Ω−ｃｍの範囲にあることが望ましい。本発明
の静電チャックはこの範囲内で０℃から３００℃までが
ほぼ一定の体積固有抵抗値を示す。このうち、リーク電
流や電圧印加に対する応答性を考慮すれば１×１０8 〜
５×１０12Ω−ｃｍが、さらに耐電圧を考慮すると１×
１０9 〜５×１０11Ω−ｃｍが最も望ましい。
のセラミック抵抗体層の抵抗が１×１０7 Ω−ｃｍより
小さいとリーク電流が大きくなり、１×１０13Ω−ｃｍ
より大きいと吸着力が低下し残留吸着力が発生する場合
があるため、静電チャックの使用温度領域、例えば０℃
〜３００℃での体積固有抵抗が１×１０7 Ω−ｃｍ〜１
×１０13Ω−ｃｍの範囲にあることが望ましい。本発明
の静電チャックはこの範囲内で０℃から３００℃までが
ほぼ一定の体積固有抵抗値を示す。このうち、リーク電
流や電圧印加に対する応答性を考慮すれば１×１０8 〜
５×１０12Ω−ｃｍが、さらに耐電圧を考慮すると１×
１０9 〜５×１０11Ω−ｃｍが最も望ましい。
【００１８】更に、静電チャックとして安定した動作を
行なうためには、使用温度領域、例えば２５℃〜３００
℃の温度範囲における体積固有抵抗変化が３桁以内、好
ましくは２桁以内であるのが良い。これは、２５℃にお
ける体積固有抵抗をＲ(25 ℃) 、３００℃における体積
固有抵抗をＲ(300℃) とすると下記数１
行なうためには、使用温度領域、例えば２５℃〜３００
℃の温度範囲における体積固有抵抗変化が３桁以内、好
ましくは２桁以内であるのが良い。これは、２５℃にお
ける体積固有抵抗をＲ(25 ℃) 、３００℃における体積
固有抵抗をＲ(300℃) とすると下記数１
【００１９】
【数１】
【００２０】で表される抵抗変化ΔＲが３以下、特に２
以下であることを意味するものである。なお、−１００
℃〜３００℃においても同様の結果が期待できる。
以下であることを意味するものである。なお、−１００
℃〜３００℃においても同様の結果が期待できる。
【００２１】また、本発明によれば、上記周期律表第２
ｂ族元素や第６ｂ族元素の添加により、主相である窒化
アルミニウム結晶相の格子定数が変化する。本発明者ら
の測定によれば、含有される元素の種類によって＋側、
−側のどちらにシフトするかが変わるが、窒化アルミニ
ウム単相の格子定数（測定機器などにより変化する場合
があるが、本発明者らの測定ではａ軸３．１２０Å，ｃ
軸４．９９４Åであった。）から、第２ｂ族元素の場
合、ａ軸で０．００３〜０．０２０Å、ｃ軸で０．００
５〜０．０４０Åだけシフトした値を有し、第６ｂ族元
素の場合、ａ軸で０．００４〜０．０１３Å、ｃ軸で
０．００５〜０．０１８Åだけシフトした値を有する。
従って、この格子定数が上記の範囲より小さいレベルで
シフトしたり、上記範囲を越えてシフトする場合には、
いずれも所望の電気特性を得ることは難しいのである。
ｂ族元素や第６ｂ族元素の添加により、主相である窒化
アルミニウム結晶相の格子定数が変化する。本発明者ら
の測定によれば、含有される元素の種類によって＋側、
−側のどちらにシフトするかが変わるが、窒化アルミニ
ウム単相の格子定数（測定機器などにより変化する場合
があるが、本発明者らの測定ではａ軸３．１２０Å，ｃ
軸４．９９４Åであった。）から、第２ｂ族元素の場
合、ａ軸で０．００３〜０．０２０Å、ｃ軸で０．００
５〜０．０４０Åだけシフトした値を有し、第６ｂ族元
素の場合、ａ軸で０．００４〜０．０１３Å、ｃ軸で
０．００５〜０．０１８Åだけシフトした値を有する。
従って、この格子定数が上記の範囲より小さいレベルで
シフトしたり、上記範囲を越えてシフトする場合には、
いずれも所望の電気特性を得ることは難しいのである。
【００２２】上記のように、ＡｌおよびＮ以外の元素を
含有し、上記の電気特性を有するＡｌＮ質のセラミック
抵抗体層は、気相合成法によって容易に作製することが
できる。具体的な成膜方法としては、スパッタリング、
イオンプレーティングなどの物理気相合成法（ＰＶＤ
法）や、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ、ＭＯ（Ｍｅｔａｌ
−ｏｒｇａｎｉｃ）ＣＶＤなどの化学気相合成法（ＣＶ
Ｄ法）により形成することができるが、これらの中でも
ＣＶＤ法がよい。
含有し、上記の電気特性を有するＡｌＮ質のセラミック
抵抗体層は、気相合成法によって容易に作製することが
できる。具体的な成膜方法としては、スパッタリング、
イオンプレーティングなどの物理気相合成法（ＰＶＤ
法）や、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ、ＭＯ（Ｍｅｔａｌ
−ｏｒｇａｎｉｃ）ＣＶＤなどの化学気相合成法（ＣＶ
Ｄ法）により形成することができるが、これらの中でも
ＣＶＤ法がよい。
【００２３】例えば、含有させる元素としてＺｎを選択
し、ＣＶＤ法により成膜する場合には、原料ガスとして
Ｎ2 ガス、ＮＨ3 ガス、Ｚｎ（ＣＨ3 ）2 およびＡｌＣ
ｌ3ガスを用い、これらのガスの流量比をＮ2 ／ＡｌＣ
ｌ3 ＝５〜７０、Ｚｎ（ＣＨ3 ）2 ／ＮＨ3 ＝０．００
１〜５、ＮＨ3 ／ＡｌＣｌ3 ＝１〜１０とし、成膜温度
を８５０℃以上の比較的高めに設定することにより作製
することができる。その他、周期律表第２ｂ族元素を含
有させる場合には、上記Ｚｎ（ＣＨ3 ）2 の他には、Ｚ
ｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 、Ｃｄ（ＣＨ3 ）2 、Ｃｄ（Ｃ
2 Ｈ5 ）2 、Ｈｇ（ＣＨ3 ）2 などを用いて同様にして
作製することができる。
し、ＣＶＤ法により成膜する場合には、原料ガスとして
Ｎ2 ガス、ＮＨ3 ガス、Ｚｎ（ＣＨ3 ）2 およびＡｌＣ
ｌ3ガスを用い、これらのガスの流量比をＮ2 ／ＡｌＣ
ｌ3 ＝５〜７０、Ｚｎ（ＣＨ3 ）2 ／ＮＨ3 ＝０．００
１〜５、ＮＨ3 ／ＡｌＣｌ3 ＝１〜１０とし、成膜温度
を８５０℃以上の比較的高めに設定することにより作製
することができる。その他、周期律表第２ｂ族元素を含
有させる場合には、上記Ｚｎ（ＣＨ3 ）2 の他には、Ｚ
ｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 、Ｃｄ（ＣＨ3 ）2 、Ｃｄ（Ｃ
2 Ｈ5 ）2 、Ｈｇ（ＣＨ3 ）2 などを用いて同様にして
作製することができる。
【００２４】また、周期律表第６ｂ族元素を含有させる
場合、例えばＳ（イオウ）を含有させる場合には、原料
ガスとしてＮ2 ガス、ＮＨ3 ガス、Ｈ2 ＳおよびＡｌＣ
ｌ3ガスを用い、これらのガスの流量比をＮ2 ／ＡｌＣ
ｌ3 ＝５〜７０、Ｈ2 Ｓ／ＮＨ3 ＝０．００１〜５、Ｎ
Ｈ3 ／ＡｌＣｌ3 ＝１〜１０とし、成膜温度を８５０℃
以上の比較的高めに設定することにより作製することが
できる。その他、周期律表第６ｂ族元素を含有させる場
合には、上記Ｈ2 Ｓの他には、Ｈ2 Ｓｅ、Ｓｅ（Ｃ
Ｈ3 ）2 、Ｓｅ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 、Ｈ2 Ｔｅ、Ｔｅ（ＣＨ
3 ）2 、Ｔｅ（Ｃ2Ｈ5 ）2 などが挙げられる。
場合、例えばＳ（イオウ）を含有させる場合には、原料
ガスとしてＮ2 ガス、ＮＨ3 ガス、Ｈ2 ＳおよびＡｌＣ
ｌ3ガスを用い、これらのガスの流量比をＮ2 ／ＡｌＣ
ｌ3 ＝５〜７０、Ｈ2 Ｓ／ＮＨ3 ＝０．００１〜５、Ｎ
Ｈ3 ／ＡｌＣｌ3 ＝１〜１０とし、成膜温度を８５０℃
以上の比較的高めに設定することにより作製することが
できる。その他、周期律表第６ｂ族元素を含有させる場
合には、上記Ｈ2 Ｓの他には、Ｈ2 Ｓｅ、Ｓｅ（Ｃ
Ｈ3 ）2 、Ｓｅ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 、Ｈ2 Ｔｅ、Ｔｅ（ＣＨ
3 ）2 、Ｔｅ（Ｃ2Ｈ5 ）2 などが挙げられる。
【００２５】一方、セラミック抵抗体層が形成される静
電チャックの基体は、格別限定するものではなく、例え
ばＡｌ2 Ｏ3 、ＡｌＯＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＡｌＮ、ダイヤ
モンド、ムライト、ＺｒＯ2 などを主とするセラミック
材料が挙げられるが、これらの中でも半導体製造時の耐
プラズマ性に優れ、前記セラミック抵抗体層との密着性
に優れる点で窒化アルミニウムを主体とする焼結体、あ
るいは室温から８００℃までの熱膨張係数が４．０〜
８．０×１０-6／℃、特に４．８〜６．７×１０-6／℃
のものが抵抗体膜との密着性を考慮すると望ましい。
電チャックの基体は、格別限定するものではなく、例え
ばＡｌ2 Ｏ3 、ＡｌＯＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＡｌＮ、ダイヤ
モンド、ムライト、ＺｒＯ2 などを主とするセラミック
材料が挙げられるが、これらの中でも半導体製造時の耐
プラズマ性に優れ、前記セラミック抵抗体層との密着性
に優れる点で窒化アルミニウムを主体とする焼結体、あ
るいは室温から８００℃までの熱膨張係数が４．０〜
８．０×１０-6／℃、特に４．８〜６．７×１０-6／℃
のものが抵抗体膜との密着性を考慮すると望ましい。
【００２６】さらに、電圧が印加される電極２は、周知
の金属材料が適用でき、例えば、Ｗ、Ｍｏ、Ｍｏ−Ｍ
ｎ、Ａｇのいずれでも使用可能である。また、導電性の
セラミック材料、例えばＴｉＮ、ＳｉＣ、ＷＣ、カーボ
ンやＳｉ半導体材料（ｎ型あるいはｐ型）も電極材料と
して使用できる。その他、電極２が存在せず、基体自体
が電極能を有する場合もあり、その場合には基体１をＳ
ｉＣ、ＴｉＮ、ＷＣなどを主体とする導電性セラミック
ス、Ｗ、Ｍｏなどの金属単体およびこれらの合金、カー
ボンなどにより形成すればよい。その場合には導電性基
体そのものに直接電圧を印加することにより静電チャッ
クとして使用できる。また、絶縁性基体内にヒータを内
蔵させる場合のヒータ用材料としてはＭｏ、Ｗ、ＷＣ、
Ｍｏ−Ｍｎ、ＴｉＣ、ＴｉＮなどが用いられる。
の金属材料が適用でき、例えば、Ｗ、Ｍｏ、Ｍｏ−Ｍ
ｎ、Ａｇのいずれでも使用可能である。また、導電性の
セラミック材料、例えばＴｉＮ、ＳｉＣ、ＷＣ、カーボ
ンやＳｉ半導体材料（ｎ型あるいはｐ型）も電極材料と
して使用できる。その他、電極２が存在せず、基体自体
が電極能を有する場合もあり、その場合には基体１をＳ
ｉＣ、ＴｉＮ、ＷＣなどを主体とする導電性セラミック
ス、Ｗ、Ｍｏなどの金属単体およびこれらの合金、カー
ボンなどにより形成すればよい。その場合には導電性基
体そのものに直接電圧を印加することにより静電チャッ
クとして使用できる。また、絶縁性基体内にヒータを内
蔵させる場合のヒータ用材料としてはＭｏ、Ｗ、ＷＣ、
Ｍｏ−Ｍｎ、ＴｉＣ、ＴｉＮなどが用いられる。
【００２７】上記のような構成からなる静電チャックに
よりシリコンウエハを静電吸着するには、電極あるいは
導電性基体におよそ０．２〜２．０ｋＶの電圧を印加す
ることにより静電吸着を行うことができる。
よりシリコンウエハを静電吸着するには、電極あるいは
導電性基体におよそ０．２〜２．０ｋＶの電圧を印加す
ることにより静電吸着を行うことができる。
【００２８】
【作用】通常、窒化アルミニウムは体積固有抵抗１０14
Ω−ｃｍ以上の高絶縁体であるが、その窒化アルミニウ
ム結晶中にＺｎ、Ｃｄなどの周期律表第２ｂ族元素や、
Ｓ、Ｓｅなどの周期律表第６ｂ族元素がアルミニウムや
窒素と置換すると、半導体化し、すなわち電子の過不足
がおこりこれが導電性に寄与し結晶の導電率を高める作
用となすものと考えられる。そして、２５℃における体
積固有抵抗が１０7 〜１０13Ω−ｃｍの範囲に制御する
ことにより、静電チャックの使用条件下で優れた静電吸
着特性を得ることができる。しかも、この抵抗体層は温
度に対する抵抗変化が小さく、例えば２５℃から３００
℃までの温度変化に対する抵抗変化が３桁以下と小さ
い。その結果、この温度領域におけるウエハの吸着特性
が安定化し、また残留吸着力の発生しない静電チャック
が得られる。
Ω−ｃｍ以上の高絶縁体であるが、その窒化アルミニウ
ム結晶中にＺｎ、Ｃｄなどの周期律表第２ｂ族元素や、
Ｓ、Ｓｅなどの周期律表第６ｂ族元素がアルミニウムや
窒素と置換すると、半導体化し、すなわち電子の過不足
がおこりこれが導電性に寄与し結晶の導電率を高める作
用となすものと考えられる。そして、２５℃における体
積固有抵抗が１０7 〜１０13Ω−ｃｍの範囲に制御する
ことにより、静電チャックの使用条件下で優れた静電吸
着特性を得ることができる。しかも、この抵抗体層は温
度に対する抵抗変化が小さく、例えば２５℃から３００
℃までの温度変化に対する抵抗変化が３桁以下と小さ
い。その結果、この温度領域におけるウエハの吸着特性
が安定化し、また残留吸着力の発生しない静電チャック
が得られる。
【００２９】また、本発明によれば、静電チャックとし
て格別に複雑な構造をとる必要がなく、本発明の材料を
用いることによって静電チャック自体の構造が簡単にな
り、低コストで広範囲な温度領域における使用を可能と
し、電気回路を含めて組み込まれる装置自体の簡略化も
実現でき、また静電チャックとして信頼性、長期安定性
が保証される。
て格別に複雑な構造をとる必要がなく、本発明の材料を
用いることによって静電チャック自体の構造が簡単にな
り、低コストで広範囲な温度領域における使用を可能と
し、電気回路を含めて組み込まれる装置自体の簡略化も
実現でき、また静電チャックとして信頼性、長期安定性
が保証される。
【００３０】
実施例１ 窒化アルミニウム質焼結体からなる基体表面に電極とし
てＭｏとＭｎからなる合金をメタライズした後、その電
極を含む基体表面に化学気相合成法によってＡｌＮ膜を
形成した。ＡｌＮ膜の成膜は、基体を外熱式によって９
００℃に加熱した炉に入れ、窒素ガスを８ＳＬＭ、アン
モニアガスを１ＳＬＭに一定にし、周期律表第２ｂ族元
素含有ガスを表１に示す流量に変化させ、炉内圧力を４
０ｔｏｒｒとした。そして、塩化アルミニウム（ＡｌＣ
ｌ4 ）を０．３ＳＬＭの流量で流して反応を開始し、４
００μｍの膜厚のセラミック抵抗体層を形成した。得ら
れた抵抗体層に対して、−１００℃、０℃、２５℃およ
び３００℃における体積固有抵抗を測定した。その結果
は表１に示した。
てＭｏとＭｎからなる合金をメタライズした後、その電
極を含む基体表面に化学気相合成法によってＡｌＮ膜を
形成した。ＡｌＮ膜の成膜は、基体を外熱式によって９
００℃に加熱した炉に入れ、窒素ガスを８ＳＬＭ、アン
モニアガスを１ＳＬＭに一定にし、周期律表第２ｂ族元
素含有ガスを表１に示す流量に変化させ、炉内圧力を４
０ｔｏｒｒとした。そして、塩化アルミニウム（ＡｌＣ
ｌ4 ）を０．３ＳＬＭの流量で流して反応を開始し、４
００μｍの膜厚のセラミック抵抗体層を形成した。得ら
れた抵抗体層に対して、−１００℃、０℃、２５℃およ
び３００℃における体積固有抵抗を測定した。その結果
は表１に示した。
【００３１】また、得られた膜に対してＸ線回折測定法
でＳｉ（ＳＲＭ６４０ｂ）を標準試料として角度補正を
行い、ピークトップ法により格子定数を算出し、試料Ｎ
o.１の試料の格子定数との差を表１に示した。なお、測
定面指数は（１００）、（００２）、（１０１）、（１
０２）、（１１０）、（１０３）、（１１２）、（００
４）であった。
でＳｉ（ＳＲＭ６４０ｂ）を標準試料として角度補正を
行い、ピークトップ法により格子定数を算出し、試料Ｎ
o.１の試料の格子定数との差を表１に示した。なお、測
定面指数は（１００）、（００２）、（１０１）、（１
０２）、（１１０）、（１０３）、（１１２）、（００
４）であった。
【００３２】そして、気相成長後のセラミック抵抗体層
の表面を表面粗さＲａが０．０２ｍｍとなるように研磨
した後、電極に４００Ｖの電圧を印加した時の静電チャ
ックとしての２５℃での吸着力および３０分間電圧印加
し、電圧印加を停止した直後の残留吸着力の有無を真空
中で測定した。さらに、２５℃から３００℃までの吸着
力の変化において、その変化率が１０％以内のものを
○、それ以上のものを×として評価した。これらの測定
結果は表１に示した。
の表面を表面粗さＲａが０．０２ｍｍとなるように研磨
した後、電極に４００Ｖの電圧を印加した時の静電チャ
ックとしての２５℃での吸着力および３０分間電圧印加
し、電圧印加を停止した直後の残留吸着力の有無を真空
中で測定した。さらに、２５℃から３００℃までの吸着
力の変化において、その変化率が１０％以内のものを
○、それ以上のものを×として評価した。これらの測定
結果は表１に示した。
【００３３】
【表１】
【００３４】表１の結果から明らかなように、抵抗体層
の周期律表第２ｂ族元素量および格子定数は周期律表第
２ｂ族元素含有ガスの流量によって変化し、周期律表第
２ｂ族元素含有ガスを全く導入せず、酸素原子量も不純
物レベルの０．０００１原子％の場合（試料Ｎo.１）に
は、抵抗値も室温で５．９×１０15Ω−ｃｍの高絶縁性
であったが、周期律表第２ｂ族元素含有ガスの流量を徐
々に増加させると、室温の体積固有抵抗も低下した。し
かし、周期律表第２ｂ族元素が２０原子％を越えると
（試料Ｎo.１０）体積固有抵抗が１０7 Ω−ｃｍより低
くなりリーク電流が大きく吸着力の測定もできなかっ
た。なお、得られた抵抗体層はＸ線回折測定から（００
２）に配向するＡｌＮ膜であった。
の周期律表第２ｂ族元素量および格子定数は周期律表第
２ｂ族元素含有ガスの流量によって変化し、周期律表第
２ｂ族元素含有ガスを全く導入せず、酸素原子量も不純
物レベルの０．０００１原子％の場合（試料Ｎo.１）に
は、抵抗値も室温で５．９×１０15Ω−ｃｍの高絶縁性
であったが、周期律表第２ｂ族元素含有ガスの流量を徐
々に増加させると、室温の体積固有抵抗も低下した。し
かし、周期律表第２ｂ族元素が２０原子％を越えると
（試料Ｎo.１０）体積固有抵抗が１０7 Ω−ｃｍより低
くなりリーク電流が大きく吸着力の測定もできなかっ
た。なお、得られた抵抗体層はＸ線回折測定から（００
２）に配向するＡｌＮ膜であった。
【００３５】また、試料Ｎo.４の静電チャックの体積固
有抵抗値の温度依存性の測定結果を図２に、また試料Ｎ
o.４のＡｌＮ膜を用いて図１の静電チャックを構成し、
電極に４００Ｖの電圧を印加した時の吸着力の温度依存
性の測定結果を図３にそれぞれ示した。図２、３から明
らかなように、−１００℃から３００℃の全温度範囲に
おいて、体積固有抵抗値は３．５×１０10〜６．０×１
０10Ω・ｃｍの範囲にあり、また吸着力は図３から明ら
かなようにこの温度域で一定であり安定した吸着性を示
した。
有抵抗値の温度依存性の測定結果を図２に、また試料Ｎ
o.４のＡｌＮ膜を用いて図１の静電チャックを構成し、
電極に４００Ｖの電圧を印加した時の吸着力の温度依存
性の測定結果を図３にそれぞれ示した。図２、３から明
らかなように、−１００℃から３００℃の全温度範囲に
おいて、体積固有抵抗値は３．５×１０10〜６．０×１
０10Ω・ｃｍの範囲にあり、また吸着力は図３から明ら
かなようにこの温度域で一定であり安定した吸着性を示
した。
【００３６】これに対して、ＡｌＮ膜中にこれらの周期
律表第２ｂ族元素を不純物レベルしか含まない静電チャ
ック（試料Ｎo.１）では、測定温度の２５℃から３００
℃への変化に伴い、体積抵抗は１０15Ω−ｃｍから１０
11Ω−ｃｍまで急激に変化した。そのため、１５０℃、
２００℃では吸着力が安定化するまでの時間が長く、ま
た残留吸着力が観察された。また、２５℃における抵抗
が１０13Ω−ｃｍを超える試料Ｎo.１、２は吸着力が低
く、試料Ｎo.１０ではリーク電流が発生し、測定するこ
とができなかった。
律表第２ｂ族元素を不純物レベルしか含まない静電チャ
ック（試料Ｎo.１）では、測定温度の２５℃から３００
℃への変化に伴い、体積抵抗は１０15Ω−ｃｍから１０
11Ω−ｃｍまで急激に変化した。そのため、１５０℃、
２００℃では吸着力が安定化するまでの時間が長く、ま
た残留吸着力が観察された。また、２５℃における抵抗
が１０13Ω−ｃｍを超える試料Ｎo.１、２は吸着力が低
く、試料Ｎo.１０ではリーク電流が発生し、測定するこ
とができなかった。
【００３７】実施例２ 窒化アルミニウム質焼結体からなる基体表面に電極とし
てＭｏとＭｎからなる合金をメタライズした後、その電
極を含む基体表面に化学気相合成法によってＡｌＮ膜を
形成した。ＡｌＮ膜の成膜は、基体を外熱式によって９
００℃に加熱した炉に入れ、窒素ガスを８ＳＬＭ、アン
モニアガスを１ＳＬＭに一定にし、周期律表第６ｂ族元
素含有ガスを表１に示す流量に変化させ、炉内圧力を４
０ｔｏｒｒとした。そして、塩化アルミニウム（ＡｌＣ
ｌ4 ）を０．３ＳＬＭの流量で流して反応を開始し、４
００μｍの膜厚のセラミック抵抗体層を形成した。得ら
れた抵抗体層に対して、−１００℃、０℃、２５℃およ
び３００℃における体積固有抵抗を測定した。その結果
は表２に示した。
てＭｏとＭｎからなる合金をメタライズした後、その電
極を含む基体表面に化学気相合成法によってＡｌＮ膜を
形成した。ＡｌＮ膜の成膜は、基体を外熱式によって９
００℃に加熱した炉に入れ、窒素ガスを８ＳＬＭ、アン
モニアガスを１ＳＬＭに一定にし、周期律表第６ｂ族元
素含有ガスを表１に示す流量に変化させ、炉内圧力を４
０ｔｏｒｒとした。そして、塩化アルミニウム（ＡｌＣ
ｌ4 ）を０．３ＳＬＭの流量で流して反応を開始し、４
００μｍの膜厚のセラミック抵抗体層を形成した。得ら
れた抵抗体層に対して、−１００℃、０℃、２５℃およ
び３００℃における体積固有抵抗を測定した。その結果
は表２に示した。
【００３８】また、得られた膜に対して実施例１と同様
な方法で格子定数を算出し、試料Ｎo.１の試料の格子定
数との差を表１に示した。
な方法で格子定数を算出し、試料Ｎo.１の試料の格子定
数との差を表１に示した。
【００３９】そして、気相成長後のセラミック抵抗体層
の表面を表面粗さＲａが０．０２ｍｍとなるように研磨
した後、実施例１と同様な方法で、残留吸着力の有無お
よび２５℃から３００℃における吸着力の変化を評価し
た。これらの測定結果は表２に示した。
の表面を表面粗さＲａが０．０２ｍｍとなるように研磨
した後、実施例１と同様な方法で、残留吸着力の有無お
よび２５℃から３００℃における吸着力の変化を評価し
た。これらの測定結果は表２に示した。
【００４０】
【表２】
【００４１】表２の結果から明らかなように、抵抗体層
の周期律表第６ｂ族元素量および格子定数は周期律表第
６ｂ族元素含有ガスの流量によって変化し、周期律表第
２ｂ族元素含有ガスを全く導入せず、不純物レベルの
０．０００１原子％の場合（試料Ｎo.１８）には、抵抗
値も室温で８．８×１０15Ω−ｃｍの高絶縁性であった
が、周期律表第６ｂ族元素含有ガスの流量を徐々に増加
させると、室温の体積固有抵抗も低下した。しかし、周
期律表第６ｂ族元素が２０原子％を越える試料Ｎo.２
４、３０は膜の剥離が発生した。これは膜内の内部応力
が大きくなったためと考えられる。また、２５℃の体積
固有抵抗が１０13Ω−ｃｍより大きい試料Ｎo.１９では
吸着力が小さかった。なお、得られた抵抗体層はＸ線回
折測定から（００２）に配向するＡｌＮ膜であった。
の周期律表第６ｂ族元素量および格子定数は周期律表第
６ｂ族元素含有ガスの流量によって変化し、周期律表第
２ｂ族元素含有ガスを全く導入せず、不純物レベルの
０．０００１原子％の場合（試料Ｎo.１８）には、抵抗
値も室温で８．８×１０15Ω−ｃｍの高絶縁性であった
が、周期律表第６ｂ族元素含有ガスの流量を徐々に増加
させると、室温の体積固有抵抗も低下した。しかし、周
期律表第６ｂ族元素が２０原子％を越える試料Ｎo.２
４、３０は膜の剥離が発生した。これは膜内の内部応力
が大きくなったためと考えられる。また、２５℃の体積
固有抵抗が１０13Ω−ｃｍより大きい試料Ｎo.１９では
吸着力が小さかった。なお、得られた抵抗体層はＸ線回
折測定から（００２）に配向するＡｌＮ膜であった。
【００４２】また、試料Ｎo.２３の静電チャックの体積
固有抵抗値の温度依存性の測定結果を図４に、また試料
Ｎo.２３のＡｌＮ膜を用いて図１の静電チャックを構成
し、電極に４００Ｖの電圧を印加した時の吸着力の温度
依存性の測定結果を図５にそれぞれ示した。図４、５か
ら明らかなように、−１００℃から３００℃の全温度範
囲において、体積固有抵抗値は２．０×１０11〜２．３
×１０10Ω・ｃｍの範囲にあり、また吸着力は図５から
明らかなようにこの温度域で一定であり安定した吸着性
を示した。
固有抵抗値の温度依存性の測定結果を図４に、また試料
Ｎo.２３のＡｌＮ膜を用いて図１の静電チャックを構成
し、電極に４００Ｖの電圧を印加した時の吸着力の温度
依存性の測定結果を図５にそれぞれ示した。図４、５か
ら明らかなように、−１００℃から３００℃の全温度範
囲において、体積固有抵抗値は２．０×１０11〜２．３
×１０10Ω・ｃｍの範囲にあり、また吸着力は図５から
明らかなようにこの温度域で一定であり安定した吸着性
を示した。
【００４３】これに対して、ＡｌＮ膜中にこれらの周期
律表第６ｂ族元素を不純物レベルしか含まない静電チャ
ック（試料Ｎo.１８）では、測定温度の２５℃から３０
０℃への変化に伴い、体積抵抗は１０15Ω−ｃｍから１
０11Ω−ｃｍまで急激に変化した。そのため、１５０
℃、２００℃では吸着力が安定化するまでの時間が長
く、また残留吸着力が観察された。
律表第６ｂ族元素を不純物レベルしか含まない静電チャ
ック（試料Ｎo.１８）では、測定温度の２５℃から３０
０℃への変化に伴い、体積抵抗は１０15Ω−ｃｍから１
０11Ω−ｃｍまで急激に変化した。そのため、１５０
℃、２００℃では吸着力が安定化するまでの時間が長
く、また残留吸着力が観察された。
【００４４】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の静電チャッ
クは、高い耐プラズマ性を具備するとともに、半導体製
造時に高い吸着力を有し、しかも幅広い温度範囲で安定
した吸着特性を有するもので、静電チャックとして優れ
た信頼性と長期安定性が得られるとともに、静電チャッ
クの製造コストの低減を図ることができる。
クは、高い耐プラズマ性を具備するとともに、半導体製
造時に高い吸着力を有し、しかも幅広い温度範囲で安定
した吸着特性を有するもので、静電チャックとして優れ
た信頼性と長期安定性が得られるとともに、静電チャッ
クの製造コストの低減を図ることができる。
【図１】本発明の静電チャックの構造を示す断面図であ
る。
る。
【図２】実施例１の試料Ｎo.４のセラミック抵抗体層の
体積抵抗値の温度依存性を示す図である。
体積抵抗値の温度依存性を示す図である。
【図３】実施例１の試料Ｎo.４のセラミック抵抗体層を
具備する静電チャックの吸着力の温度依存性を示す図で
ある。
具備する静電チャックの吸着力の温度依存性を示す図で
ある。
【図４】実施例２の試料Ｎo.２３のセラミック抵抗体層
の体積抵抗値の温度依存性を示す図である。
の体積抵抗値の温度依存性を示す図である。
【図５】実施例２の試料Ｎo.２３のセラミック抵抗体層
を具備する静電チャックの吸着力の温度依存性を示す図
である。
を具備する静電チャックの吸着力の温度依存性を示す図
である。
１ 基体 ２ 電極 ３ セラミック抵抗体層 ４ シリコンウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/68 B23Q 3/15 H01C 7/00
Claims (3)
- 【請求項１】電極が配設された基体の表面に、窒化アル
ミニウム結晶相を主体とし、周期律表第２ｂ族および酸
素を除く第６ｂ族元素から選ばれる少なくとも１種の元
素を含み、且つ２５℃における体積固有抵抗が１０7 〜
１０13Ω−ｃｍのセラミック抵抗体層を形成したことを
特徴とする静電チャック。 - 【請求項２】前記セラミック抵抗体層中に、酸素を除く
周期律表第２ｂ族元素を０．０１〜２０原子％の割合で
含有し、該抵抗体層の格子定数がドープ元素を含まない
窒化アルミニウム単相の格子定数から、ａ軸で０．００
３〜０．０２０Å、ｃ軸で０．００５〜０．０４０Åだ
けシフトした値を有する請求項１記載の静電チャック。 - 【請求項３】前記セラミック抵抗体層中に、周期律表第
６ｂ族元素を０．０１〜２０原子％の割合で含有し、該
抵抗体層の格子定数がドープ元素を含まない窒化アルミ
ニウム単相の格子定数から、ａ軸で０．００４〜０．０
１３Å、ｃ軸で０．００５〜０．０１８Åだけシフトし
た値を有する請求項１記載の静電チャック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3979095A JP3152857B2 (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | 静電チャック |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3979095A JP3152857B2 (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | 静電チャック |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08236603A JPH08236603A (ja) | 1996-09-13 |
| JP3152857B2 true JP3152857B2 (ja) | 2001-04-03 |
Family
ID=12562751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3979095A Expired - Fee Related JP3152857B2 (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | 静電チャック |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3152857B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7005671B2 (en) | 2001-10-01 | 2006-02-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, electronic equipment, and organic polarizing film |
| US7465482B2 (en) | 2001-10-10 | 2008-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film, packaging material, container, lens, window, spectacles, recording medium, and deposition apparatus |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6861165B2 (en) | 2000-02-24 | 2005-03-01 | Ibiden Co., Ltd. | Aluminum nitride sintered compact, ceramic substrate, ceramic heater and electrostatic chuck |
| JP4522963B2 (ja) * | 2006-03-24 | 2010-08-11 | 日本碍子株式会社 | 加熱装置 |
-
1995
- 1995-02-28 JP JP3979095A patent/JP3152857B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7005671B2 (en) | 2001-10-01 | 2006-02-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, electronic equipment, and organic polarizing film |
| US7800099B2 (en) | 2001-10-01 | 2010-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, electronic equipment, and organic polarizing film |
| US7465482B2 (en) | 2001-10-10 | 2008-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film, packaging material, container, lens, window, spectacles, recording medium, and deposition apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08236603A (ja) | 1996-09-13 |
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