JP2003515257A - 化学蒸着により窒化アルミニウムで被覆した部材 - Google Patents
化学蒸着により窒化アルミニウムで被覆した部材Info
- Publication number
- JP2003515257A JP2003515257A JP2001539937A JP2001539937A JP2003515257A JP 2003515257 A JP2003515257 A JP 2003515257A JP 2001539937 A JP2001539937 A JP 2001539937A JP 2001539937 A JP2001539937 A JP 2001539937A JP 2003515257 A JP2003515257 A JP 2003515257A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- pyrolytic
- boron nitride
- member according
- graphite
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims abstract description 16
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 title claims abstract description 13
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 29
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 16
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 11
- 230000006378 damage Effects 0.000 claims description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 210000002808 connective tissue Anatomy 0.000 claims 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 6
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
- H05B3/12—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
- H05B3/14—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
- H05B3/141—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds
- H05B3/143—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds applied to semiconductors, e.g. wafers heating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0272—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/301—AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/301—AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C23C16/303—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
- H05B3/12—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
- H05B3/14—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
- H05B3/145—Carbon only, e.g. carbon black, graphite
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/30—Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
らに詳細には、そのように被覆した加熱装置、ウエハキャリヤ及び静電気チャッ
クに関する。
着及び選択的除去が必要である。シリコンウエハにこれら薄膜を形成する装置に
は様々な構成要素が使用され、それら構成要素には加熱要素、静電気チャック及
びウエハキャリヤが含まれる。 ウエハの被覆工程において、ウエハ或いはチップに被覆される物質は蒸着チャ
ンバ内の装置、例えば加熱装置などにも蒸着する。このため定期的な洗浄が必要
で、この洗浄には一般に高エネルギーガスプラズマが使用される。最も攻撃的な
プラズマは、NF3等のフッ素系ガスを使用したものである。この処理により生
成されるフッ化プラズマはチャンバを洗浄するが、一方で装置の構成要素に化学
的な破壊作用を及ぼす。この侵食により構成要素及び装置の寿命が制限される。
適当な耐性を持つ被覆を使用することにより、構成要素及び装置の耐用年数を延
ばすことが望まれる。
キャリヤなどとして使用される。該部材は基板及び黒鉛要素からなる本体と、化
学蒸着による窒化アルミニウムの外膜を有する。外膜は例えばフッ化プラズマな
どの化学的侵食から部材を保護する。
囲は、下限と上限がそれぞれ単独で、好ましくは少なくとも5であることと、好
ましくは25未満であることを意味する。本明細書中及び請求の範囲で使用され
ているように、「隣接する」という語は、2つの層又は物体の間に挿入された層
が存在する場合に、直接接しているという意味と、近くにあるという意味の両方
を含んでいる。後者の場合が図3で示されている。ここで窒化アルミニウムの外
部層16は熱分解窒化ホウ素からなる基板10及び熱分解黒鉛からなる抵抗体1
2に隣接しており、熱分解窒化ホウ素の層14が基板10と外部層16の間に挿
入されている。
やウエハキャリヤや類似の部材として使用される。いずれの場合も、部材は基板
及び黒鉛要素を含む本体と、それに隣接して化学蒸着による窒化アルミニウムの
被膜を有する。
ション(Advanced Ceramics Corporation)がBoralectricという商
品名で提供している、熱分解窒化ホウ素(PBN)からなる、当該技術分野にお
いて公知の抵抗加熱部材を示している。加熱部材は抵抗体8及び1対の接続柱1
1を有し、例えば、表層を化学蒸着する間シリコンウエハを加熱するために使用
される。接続柱はそれらの基部の電源から抵抗体へ電気を伝える役割を果たす。
このPBN加熱部材及びその構造と使用については、米国特許第5343022
号に詳細に記載されており、参照によりその内容を本明細書に包含する。
、約0.02−0.12インチ、さらに好適には約0.05インチの厚さを持つ
PBN基板10と、該基板上に約0.001−0.006インチ、さらに好適に
は約0.002−0.003インチの厚さを持つ導電性の湾曲した熱分解黒鉛(
PG)要素12とを有している。加熱器内の熱分解黒鉛要素は、熱分解黒鉛から
なる抵抗要素であるか、公知の典型的な抵抗を有する加熱部材である。PG抵抗
要素は化学蒸着(CVD)によって提供され、通常機械加工により所望の形状(
湾曲)に形成される。基板及び抵抗要素は抵抗体の本体を形成する。本体のほぼ
全体は、加熱装置全体に実行されたCVDにより供給された約0.005−0.
04インチ、さらに好適には約0.01−0.02インチの厚さを持つ均質な保
護PBN膜14で覆われている。該PBN膜14は酸化に対する耐性があり、電
気絶縁性と化学的及び機械的な保護とを供給し、さらに炭素による汚染の可能性
を最小化する。これについて、米国特許第5882730号及び同第57027
64号を参照し、参照によりその内容を本明細書に包含する。
ウム(CVD−AlN)の保護外膜16で被覆したものを図解している。図3に
示すように、本体は基板10及びPG要素12を有している。該本体はPBN層
及びCVD−AlNで被覆されている。部材の外表面の全体又はほぼ全体は、最
も外側にあるCVD−AlNの被膜で覆われている。
蒸着によるウエハ表面の物質層生成が含まれるので、該部材もまた加工中に同物
質で被覆されることになり、定期的な洗浄の必要性が生じる。通常ウエハ表面の
物質層生成が部材に損傷を与えることはない。しかしながら、NF3プラズマな
どの強い洗浄成分がこれら部材の洗浄にしばしば使用される。この洗浄は、典型
的には30−40工程時間、つまり30−40時間ウエハ加工を行った後行われ
る。このとき部材には、一般に1−2洗浄時間又はそれ未満のプラズマ洗浄を施
す。PBNでのみ被覆されている部材は、一般にNF3プラズマに50−100
洗浄時間曝すことにより損傷を受け、取替えが必要になる。CVD−AlN被膜
はPBN被膜に比べNF3プラズマの破壊作用に非常に強い耐性を有しており、
試験的にNF3プラズマを使用して12−24時間洗浄を行った後、所見できる
損傷はなかった。本発明による部材は好適には、少なくとも10、25、50、
100、200、300、400、500、600、700、800、900、
1000、1500、2000、3000及び4000時間にわたる洗浄時間、
つまりNF3プラズマによる破壊作用を受ける時間を経ても、有効に耐久する、
すなわち、部材を保護された状態に保ち、該被覆した部材を取り替える必要が生
じないほど、十分なCVD−AlNの被膜を有する。これを達成するために、C
VD−AlN外膜16は好適には10−100ミクロン、さらに好適には30−
80ミクロン、最適には50−60ミクロンの厚さである。
8号、同第5672420号、同第4239819号、同第5178911号、
同第4172754号及び同第5356608号を参照し、これら特許の記載内
容を参照により本明細書に包含する。図4はAlCl3及びNH3を使用したC
VD−AlN工程を図解している。概略すると、蒸着工程は蒸着チャンバ52と
接続する塩素処理チャンバ44を有する反応器40内で行われる。蒸着チャンバ
は真空チャンバ54内に配設され、該真空チャンバ54は1つ以上の真空ポンプ
に接続している。処理を開始する前に、被覆基板58を蒸着チャンバ内に配置し
、塩素処理チャンバ44にアルミニウム粒子48の床を敷き、その後真空チャン
バ及び蒸着チャンバを排気しておく。
400度の間に加熱する。塩素(Cl2)及び窒素(N2)ガスを、パイプ42
を介して塩素処理チャンバに導入する。この温度において、アルミニウムと塩素
が反応し、塩化アルミニウムガスを生成する: 3 Cl2 + 2 Al ――> 2 AlCl3
処理により排気されており、内圧は約1−10トル、好ましくは約2トルという
低圧になっている。アンモニア(NH3)及び水素(H2)を入口50から蒸着
チャンバに注入する。抵抗加熱器56により、温度を700度から800度の間
、好ましくは750度に維持する。その後、塩化アルミニウムとアンモニアを反
応させて生成したAlNで被覆基板58を被覆する: AlCl3 + NH3 ――> AlN + 3 HCl
る。化学蒸着による窒化アルミニウムの被膜は焼結やホットプレスによる被膜よ
りも、濃度及び純度で優れ、また本質的に均一な厚さを有している。上述の方法
で作られた被膜は窒化アルミニウムの理論的結晶質濃度の85−90%の濃度を
有している(理論的AlN結晶質濃度=3.26g/cc)。蒸着チャンバをさ
らに高温の900度にして生成した被膜の濃度はさらに高く、理論的結晶質濃度
の97−100%となる。他の技術及び材料を使用した他のCVD−AlN被膜
工程も、当該技術分野において公知であり、それらすべてを参照により本明細書
に包含する。
AlN膜18に代えて、図3の加熱装置を使用することができ、この実施例を図
5に示す。CVD−AlN膜18の厚さは、好適には約10−100マイクロメ
ータ、さらに好適には約30−80マイクロメータ、最適には約50−60マイ
クロメータであり、また約5−50マイクロメータでもよい。
5のPBN基板10の代わりに、(1)PBNで被覆した黒鉛プレート(黒鉛プ
レートの厚さは約0.10−0.75インチか又は0.12−0.50インチ、
及びPBN膜の厚さは約0.005−0.035インチ、さらに好適には約0.
015−0.020インチ)、(2)厚さ0.10−0.75インチ、さらに好
適には約0.25−0.50インチのホットプレスによる窒化ホウ素(BN)プ
レート、又は(3)PBNで被覆したホットプレスによるBNプレート(ホット
プレスによるBNプレートの厚さは約0.10−0.75インチ、さらに好適に
は約0.25−0.50インチ、及びPBN膜の厚さは約0.005−0.03
5インチ、さらに好適には約0.01−0.02インチ)を使用することもでき
る。
物質からできている。図6の加熱装置は、ホットプレス、鋳造又はその他の従来
技術により形成された、約0.05−0.5インチ、さらに好適には約0.1−
0.2インチの厚さを持つAlNバルク基板20を有している。加熱装置はまた
、CVDによる約0.001−0.006インチ、さらに好適には約0.002
−0.003インチの厚さを持ち、PG抵抗要素12に類似の熱分解黒鉛抵抗要
素22を有し、さらに厚さ約10−100マイクロメータ、さらに好適には約3
0−80マイクロメータ、最適には約50−60マイクロメータのCVD−Al
N外膜24を有する。或いは、図6は、厚さ約0.05−0.5インチ、さらに
好適には約0.1−0.2インチの同様のAlNバルク基板20と、厚さ約0.
001−0.006インチ、さらに好適には0.約002−0.003インチの
1つ以上のCVD熱分解黒鉛静電気チャック電極22と、約10−100マイク
ロメータ、さらに好適には約30−80マイクロメータ、最適には約50−60
マイクロメータのCVD−AlN外膜24とを有する静電気チャックでもよい。
静電気チャックの構造設計及びその操作に関しては、米国特許第5591269
号、同第5566043号、同第5663865号、同第5606484号、同
第5155652号、同第5665260号、同第5909355号及び同第5
693581号を参照し、それらの内容を参照により本明細書に包含する。
とができる。図7はそのような結合装置を図解したものであり、AlNバルク基
板20と同じ物質からなり同じ厚さを持つ支持基板26と、前記抵抗要素22と
同じ材料からなり同じ厚さを持つ発熱層28と、前述で静電気チャック要素又は
電極として設定された熱分解黒鉛導体又は静電気チャック電極22と同じ物質か
らなり同じ厚さを持つ静電気チャックのための電極30と、CVD−AlN外膜
24と同じ材料からなり同じ厚さを持つ被覆層32を示している。
図7に示した加熱要素と静電気チャックの結合装置を、処理工程においてウエハ
をある位置から別の位置へ移動するためのウエハキャリヤとして使用することが
できる。この場合、図解した実施例のいずれもが、アーム(図示しない)を有し
、加熱器又はチャック又は過熱器/チャックを所望の位置へ搬送する手段をさら
に有する。図に示したウエハキャリヤの部分(被覆した本体)は、チップ及びウ
エハを別の位置に搬送する際に、へらの平らな部分に類似した機能を担う。加熱
要素を内蔵するウエハキャリヤは、ウエハを所望の温度に予熱すること又は所望
の温度で保温することができる。静電気チャックを内蔵するウエハキャリアは、
高速の移動及び処理時間の短縮を可能にする。図7に示したようなどちらの機能
も内蔵するウエハキャリアは、両者の利点を併せ持っている。しかしながら、ウ
エハキャリアをうまく標準チップ又はウエハラックに組み込むためには、被覆し
た本体の厚さが全体で約3mm未満でなければならない。よって、本発明による
結合したウエハキャリヤの厚さは、全体で本体全体の厚さより薄い3mm未満で
なければならない。
明の範囲から逸脱することなく、実施例には様々な変形及び部品の配置換えが可
能である。
分的に切開した図である。
Claims (20)
- 【請求項1】 基板と該基板に隣接する熱分解黒鉛とを有する本体と、化学
蒸着により形成した窒化アルミニウムの外膜とを有する部材であって、加熱要素
、静電気チャック及びウエハキャリヤから選択された用途に使用され、該外膜は
洗浄成分による化学的破壊作用から部材を保護する目的で施されている部材。 - 【請求項2】 外膜の厚さが約10−100マイクロメータである請求項1
に記載の部材。 - 【請求項3】 前記外膜は部材外表面のほぼ全体を覆っている請求項1に記
載の部材。 - 【請求項4】 前記熱分解黒鉛要素は電極を有している請求項1に記載の部
材。 - 【請求項5】 前記熱分解黒鉛要素は抵抗加熱要素を有している請求項1に
記載の部材。 - 【請求項6】 前記抵抗加熱要素の厚さは約0.001−0.006インチ
である請求項5に記載の部材。 - 【請求項7】 基板は熱分解窒化ホウ素プレートである請求項1に記載の部
材。 - 【請求項8】 基板は黒鉛プレートであって、さらに熱分解窒化ホウ素の被
膜を有する請求項1に記載の部材。 - 【請求項9】 基板はホットプレスによる窒化ホウ素プレートである請求項
1に記載の部材。 - 【請求項10】 基板はさらに熱分解窒化ホウ素の被膜を有する請求項9に
記載の部材。 - 【請求項11】 本体に隣接し、本体と外膜の間に配置された熱分解窒化ホ
ウ素の層をさらに有する請求項1に記載の部材。 - 【請求項12】 基板は熱分解窒化ホウ素プレートである請求項11に記載
の部材。 - 【請求項13】 基板は黒鉛プレートであって、さらに熱分解窒化ホウ素の
被膜を有する請求項11に記載の部材。 - 【請求項14】 基板はホットプレスによる窒化ホウ素プレートである請求
項11に記載の部材。 - 【請求項15】 基板はさらに熱分解窒化ホウ素の被膜を有する請求項14
に記載の部材。 - 【請求項16】 基板は窒化アルミニウムである請求項1に記載の部材。
- 【請求項17】 第2の熱分解黒鉛要素は基板に隣接して配置され、該基板
が2つの熱分解黒鉛要素の間に配置されている請求項16に記載の部材。 - 【請求項18】 第1の熱分解黒鉛要素が抵抗加熱要素であり、第2の熱分
解黒鉛要素が電極である請求項17に記載の部材。 - 【請求項19】 洗浄成分はNF3プラズマである請求項1に記載の部材。
- 【請求項20】 外膜は部材を少なくとも100時間の洗浄時間にわたり有
効に耐久させることができる請求項1に記載の部材。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16697199P | 1999-11-23 | 1999-11-23 | |
US60/166,971 | 1999-11-23 | ||
PCT/US2000/042236 WO2001038600A1 (en) | 1999-11-23 | 2000-11-22 | Articles coated with aluminum nitride by chemical vapor deposition |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003515257A true JP2003515257A (ja) | 2003-04-22 |
Family
ID=22605409
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001539937A Pending JP2003515257A (ja) | 1999-11-23 | 2000-11-22 | 化学蒸着により窒化アルミニウムで被覆した部材 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6410172B1 (ja) |
EP (1) | EP1244821A4 (ja) |
JP (1) | JP2003515257A (ja) |
KR (1) | KR100809500B1 (ja) |
WO (1) | WO2001038600A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7645340B2 (en) | 2002-04-09 | 2010-01-12 | Tokyo University Agriculture And Technology Tlo Co., Ltd. | Vapor phase growth method for A1-containing III-V group compound semiconductor, and method and device for producing A1-containing III-V group compound semiconductor |
JP2011117054A (ja) * | 2009-12-07 | 2011-06-16 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置用のアルミナ部材及びプラズマ処理装置用のアルミナ部材の製造方法 |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001072094A1 (en) * | 2000-03-20 | 2001-09-27 | Tokyo Electron Limited | High speed photoresist stripping chamber |
US6623563B2 (en) * | 2001-01-02 | 2003-09-23 | Applied Materials, Inc. | Susceptor with bi-metal effect |
US6554907B2 (en) | 2001-01-02 | 2003-04-29 | Applied Materials, Inc. | Susceptor with internal support |
US20030010292A1 (en) * | 2001-07-16 | 2003-01-16 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with dielectric coating |
JP3963788B2 (ja) * | 2002-06-20 | 2007-08-22 | 信越化学工業株式会社 | 静電吸着機能を有する加熱装置 |
US20040074898A1 (en) * | 2002-10-21 | 2004-04-22 | Mariner John T. | Encapsulated graphite heater and process |
WO2004068541A2 (en) | 2003-01-17 | 2004-08-12 | General Electric Company | Wafer handling apparatus |
US20050064247A1 (en) * | 2003-06-25 | 2005-03-24 | Ajit Sane | Composite refractory metal carbide coating on a substrate and method for making thereof |
WO2006005067A2 (en) * | 2004-07-07 | 2006-01-12 | General Electric Company | Protective coating on a substrate and method of making thereof |
US20060096946A1 (en) * | 2004-11-10 | 2006-05-11 | General Electric Company | Encapsulated wafer processing device and process for making thereof |
KR101329630B1 (ko) | 2006-04-13 | 2013-11-14 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 가열소자 |
US20080141938A1 (en) * | 2006-12-13 | 2008-06-19 | General Electric Company | Processing apparatus, coated article and method |
US7741584B2 (en) | 2007-01-21 | 2010-06-22 | Momentive Performance Materials Inc. | Encapsulated graphite heater and process |
US7929269B2 (en) * | 2008-09-04 | 2011-04-19 | Momentive Performance Materials Inc. | Wafer processing apparatus having a tunable electrical resistivity |
JP2011225949A (ja) * | 2010-04-21 | 2011-11-10 | Ibiden Co Ltd | 炭素部品および炭素部品の製造方法 |
JP2012096931A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 窒化アルミニウムを被覆した耐蝕性部材およびその製造方法 |
US8778783B2 (en) | 2011-05-20 | 2014-07-15 | Applied Materials, Inc. | Methods for improved growth of group III nitride buffer layers |
US8980002B2 (en) | 2011-05-20 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Methods for improved growth of group III nitride semiconductor compounds |
US8853086B2 (en) * | 2011-05-20 | 2014-10-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for pretreatment of group III-nitride depositions |
JP2012240192A (ja) * | 2011-05-24 | 2012-12-10 | Rohm & Haas Co | 向上した品質の多スペクトル硫化亜鉛 |
JP2013004247A (ja) * | 2011-06-15 | 2013-01-07 | Shin Etsu Chem Co Ltd | セラミックスヒーター |
JP5915026B2 (ja) * | 2011-08-26 | 2016-05-11 | 住友大阪セメント株式会社 | 温度測定用板状体及びそれを備えた温度測定装置 |
US20160174302A1 (en) * | 2013-07-15 | 2016-06-16 | Momentive Performance Materials Inc. | Coated graphite heater configuration |
US10154542B2 (en) | 2015-10-19 | 2018-12-11 | Watlow Electric Manufacturing Company | Composite device with cylindrical anisotropic thermal conductivity |
US10237921B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-03-19 | Momentive Performance Materials Inc. | Cylindrical heater |
JP2023014880A (ja) * | 2021-07-19 | 2023-01-31 | キオクシア株式会社 | 成膜装置および基板支持装置 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4172754A (en) | 1978-07-17 | 1979-10-30 | National Research Development Corporation | Synthesis of aluminum nitride |
US4239819A (en) | 1978-12-11 | 1980-12-16 | Chemetal Corporation | Deposition method and products |
JPS63186422A (ja) | 1987-01-28 | 1988-08-02 | Tadahiro Omi | ウエハサセプタ装置 |
US4950558A (en) | 1987-10-01 | 1990-08-21 | Gte Laboratories Incorporated | Oxidation resistant high temperature thermal cycling resistant coatings on silicon-based substrates and process for the production thereof |
US5573742A (en) | 1987-10-29 | 1996-11-12 | Martin Marietta Corporation | Method for the preparation of high purity aluminum nitride |
US5178911A (en) | 1989-11-30 | 1993-01-12 | The President And Fellows Of Harvard College | Process for chemical vapor deposition of main group metal nitrides |
EP0493089B1 (en) * | 1990-12-25 | 1998-09-16 | Ngk Insulators, Ltd. | Wafer heating apparatus and method for producing the same |
US5155652A (en) | 1991-05-02 | 1992-10-13 | International Business Machines Corporation | Temperature cycling ceramic electrostatic chuck |
JPH0661335A (ja) * | 1992-08-04 | 1994-03-04 | Ulvac Japan Ltd | 半導体製造装置用の基板保持プレート |
US5343022A (en) | 1992-09-29 | 1994-08-30 | Advanced Ceramics Corporation | Pyrolytic boron nitride heating unit |
NL9300389A (nl) | 1993-03-04 | 1994-10-03 | Xycarb Bv | Substraatdrager. |
JPH0711446A (ja) | 1993-05-27 | 1995-01-13 | Applied Materials Inc | 気相成長用サセプタ装置 |
JP2749759B2 (ja) | 1993-06-23 | 1998-05-13 | 信越化学工業株式会社 | 静電チャック付セラミックスヒーター |
US5591269A (en) | 1993-06-24 | 1997-01-07 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
JPH0786379A (ja) * | 1993-09-13 | 1995-03-31 | Kyocera Corp | 半導体製造用サセプタ |
JP2642858B2 (ja) | 1993-12-20 | 1997-08-20 | 日本碍子株式会社 | セラミックスヒーター及び加熱装置 |
JPH07172963A (ja) | 1993-12-22 | 1995-07-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱分解窒化ホウ素被覆複層成形体及びその製造方法 |
JPH07297268A (ja) | 1993-12-27 | 1995-11-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 静電チャック付セラミックスヒーター |
JPH07307377A (ja) | 1993-12-27 | 1995-11-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 静電チャック付セラミックスヒーター |
US5705080A (en) | 1994-07-06 | 1998-01-06 | Applied Materials, Inc. | Plasma-inert cover and plasma cleaning process |
JP3606472B2 (ja) | 1994-07-12 | 2005-01-05 | 信越化学工業株式会社 | 熱分解窒化ホウ素被覆複層成形体及びその製造方法 |
JPH08227933A (ja) | 1995-02-20 | 1996-09-03 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 静電吸着機能を有するウエハ加熱装置 |
JP2720381B2 (ja) | 1995-10-03 | 1998-03-04 | アドバンス・セラミックス・インターナショナル コーポレーション | 任意の電気抵抗率を有する熱分解窒化ホウ素成形体の製造方法 |
JP2756944B2 (ja) * | 1996-01-23 | 1998-05-25 | アドバンス・セラミックス・インターナショナル コーポレーション | セラミックス静電チャック |
GB9602873D0 (en) | 1996-02-13 | 1996-04-10 | Dow Corning Sa | Heating elements and process for manufacture thereof |
US5672420A (en) | 1996-03-22 | 1997-09-30 | Lockheed Martin Energy Systems, Inc. | High temperature ceramic articles having corrosion resistant coating |
US5837058A (en) | 1996-07-12 | 1998-11-17 | Applied Materials, Inc. | High temperature susceptor |
JPH10134941A (ja) | 1996-10-29 | 1998-05-22 | Ngk Insulators Ltd | セラミックヒーター |
US5909355A (en) | 1997-12-02 | 1999-06-01 | Applied Materials, Inc. | Ceramic electrostatic chuck and method of fabricating same |
JPH11354260A (ja) * | 1998-06-11 | 1999-12-24 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 複層セラミックスヒータ |
-
2000
- 2000-11-21 US US09/717,546 patent/US6410172B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-11-22 KR KR1020027006472A patent/KR100809500B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-11-22 JP JP2001539937A patent/JP2003515257A/ja active Pending
- 2000-11-22 EP EP00991031A patent/EP1244821A4/en not_active Withdrawn
- 2000-11-22 WO PCT/US2000/042236 patent/WO2001038600A1/en active Application Filing
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7645340B2 (en) | 2002-04-09 | 2010-01-12 | Tokyo University Agriculture And Technology Tlo Co., Ltd. | Vapor phase growth method for A1-containing III-V group compound semiconductor, and method and device for producing A1-containing III-V group compound semiconductor |
JP2011117054A (ja) * | 2009-12-07 | 2011-06-16 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置用のアルミナ部材及びプラズマ処理装置用のアルミナ部材の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20020068542A (ko) | 2002-08-27 |
KR100809500B1 (ko) | 2008-03-04 |
WO2001038600A1 (en) | 2001-05-31 |
US6410172B1 (en) | 2002-06-25 |
EP1244821A1 (en) | 2002-10-02 |
EP1244821A4 (en) | 2007-06-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2003515257A (ja) | 化学蒸着により窒化アルミニウムで被覆した部材 | |
EP0691420B1 (en) | Plasma cleaning process employing a plasma-inert cover | |
US5665260A (en) | Ceramic electrostatic chuck with built-in heater | |
TWI267563B (en) | Diamond coatings on reactor wall and method of manufacturing thereof | |
US7446284B2 (en) | Etch resistant wafer processing apparatus and method for producing the same | |
TW406348B (en) | Cover layer for a substrate support chuck and method of fabricating same, and a support apparatus with the cover layer | |
TWI381415B (zh) | 半導體材料處理裝置之氧化釔鍍膜陶瓷元件以及製造該等元件之方法 | |
TW472289B (en) | Diamond coated parts in a plasma reactor | |
JP4031732B2 (ja) | 静電チャック | |
JPH08227933A (ja) | 静電吸着機能を有するウエハ加熱装置 | |
JPH1070180A (ja) | ワークピースを支持する装置及び離間用マスクを構成する方法 | |
KR20150006405A (ko) | 내부식성 적층 세라믹스 부재 | |
EP0806798A2 (en) | Substrate support chuck having a contaminant containment layer and method of fabricating same | |
JP2007531997A (ja) | 基板処理方法 | |
EP0680075B1 (en) | Electrode for generating plasma and method for manufacturing the electrode | |
JPH05251365A (ja) | 耐蝕性部材 | |
JP2007317820A (ja) | 静電吸着装置 | |
JP2008159900A (ja) | 静電チャック付きセラミックヒーター | |
JP3929140B2 (ja) | 耐蝕性部材およびその製造方法 | |
US6387551B1 (en) | Structural body and method of producing the same | |
JP3784180B2 (ja) | 耐食性部材 | |
JP3078671B2 (ja) | 耐蝕性部材、その使用方法およびその製造方法 | |
JPH1160356A (ja) | 窒化アルミニウム複合基材及びこれを用いた窒化アルミニウム複合発熱体、窒化アルミニウム複合静電チャック、窒化アルミニウム複合ヒータ付静電チャック | |
JP3869160B2 (ja) | 複層セラミックスヒータおよびその製造方法 | |
JP2000109989A (ja) | プラズマ処理装置の内壁保護部材 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20070209 |
|
RD12 | Notification of acceptance of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7432 Effective date: 20070223 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070426 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20070907 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071010 |