JP2844505B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、耐久性、走行性に優れ
た保護層を有する強磁性薄膜型磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、映像信号、デジタル信号など
を含む多量の情報信号を記録する媒体として、非磁性支
持体上にコバルト，ニッケル，クロム，鉄あるいはこれ
らを主成分とする合金ないしは酸化物の薄膜を真空蒸
着、スパッタリング，イオンプレーティング，メッキな
どの方法で形成せしめた強磁性薄膜型記録媒体の開発が
進められており、一部実用化しているものもある。

【０００３】しかし、このような薄膜型磁気記録媒体は
従来の塗布型記録媒体に比べて、抗磁力や角型比などの
磁気特性において優れているものの、磁気ヘッドとのせ
ん動摩擦、テープの場合のガイドピン及び固定ポスト等
との接触によるせん動摩擦などによって、強磁性薄膜表
面が磨耗しやすく、動的耐久性に難点がある。このた
め、磁性薄膜表面に、例えば、せん動摩擦を小さくする
ために低摩擦係数の潤滑層を塗布するなど、各種の保護
層を設けることが数多く提案されている。かかる潤滑層
としてはカーボン鎖を有する有機化合物やフッ素基を分
子内に有する有機化合物が用いられている。

【０００４】上記保護層においては膜厚は厚いほうが耐
磨耗性に優れるが、磁性層と磁気ヘッド間のスペーシン
グが大きくなり、電磁変換特性に悪影響を及ぼす。電磁
変換特性から見れば、かかる保護層の膜厚は精々５００
Å以下であることが要求され、中でも、特に短波長での
記録再生においては、スペーシングによる影響がでやす
いため、保護層の膜厚は１００Å以下、できれば更に薄
いことが望ましい。

【０００５】更にかかる保護層において、その膜厚及び
面内密度はできるかぎり一定且つ均一であることが走行
面からも、また電磁変換特性面からも要求される。かか
る観点から、例えば、脂肪酸金属塩からなる単分子膜ま
たは単分子累積膜を保護層とした磁気記録媒体が特開昭
６１−４８１１９号公報に開示されているほか、Ｊ．Ｓ
ＥＴＯらによっても述べられている（シン・ソリッド・
フィルムス（Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ）１９
８５年、１３４巻、１０１頁）。また、重合性物質の単
分子膜または単分子累積膜を用いた磁気記録媒体につい
て、特開昭６１−４８１２４５号公報に開示されてい
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術に述べら
れた脂肪酸金属塩や重合性物質の単分子膜又は単分子累
積膜を利用した保護層では、前記スペーシングの問題は
解決できるが、脂肪酸金属塩を用いる場合においては、
その膜中にピンホール等の欠陥を生じ、このことが原因
となって機械耐久性や潤滑効果の低下を招く場合があっ
た。

【０００７】一方、重合性物質を用いる場合において
は、一旦保護層を形成したのちに重合を行うため、保護
層内の重合度に関し、局所的な変動をもたらし、これが
原因となって均質な潤滑効果を得にくい場合があった。
更に、利用可能な材料は重合性部位を有するものに限定
され、その選択範囲が狭めせられている。更には、重合
時における膜の体積変化（膨張又は収縮）をゼロにする
ことは事実上極めて困難であり、かかる体積変化に伴っ
て、膜中に亀裂等の欠陥が生じ、先の脂肪酸金属塩を用
いる場合と同様、該欠陥が原因となって機械耐久性や潤
滑効果の低減を招く場合があった。

【０００８】また、保護層表面の潤滑性を向上させるた
めに、脂肪酸金属塩や重合性物質の分子の一部又は全部
をフッ素基で置換し、表面エネルギーを下げることが考
えられるが、かかるフッ素置換物の単分子膜は単分子累
積膜を作成する場合、該フッ素置換物が互いに反発する
ため、均質さを保ったまま、膜内の分子密度を高めるこ
とは必ずしも容易ではなかった。

【０００９】また、一般に上記単分子膜又は単分子累積
膜を作成する手法としては、ラングミュアーブロジェッ
ト（ＬＢ）法によるのが簡単であるが、特に前記フッ素
置換物をかかるＬＢ法によって成膜する際には、前述し
た分子の反発をうまく緩和するために、特別な金属イオ
ンを導入するなど、その膜材料や、成膜条件は非常に限
定されたものとなり、汎用性に乏しい。

【００１０】本発明の目的は、このような従来の問題点
を解決するためになされたものであり、強磁性薄膜表面
に膜厚が薄く且つ耐磨耗性に優れた保護層を設けること
により、電磁変換特性及び走行性の良い磁気記録媒体を
比較的簡単且つ安定に提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、支持体
上に磁性層と有機保護層とを有する磁気記録媒体におい
て、該有機保護層が、ポリアミド酸と、下記一般式
（１）〜（３）のいずれかで表わされる第１のアルキル
アミンと、下記一般式（４）〜（６）のいずれかで表わ
される第２のアルキルアミンとからなる単分子膜又はそ
の累積膜であることを特徴とする磁気記録媒体である。

【００１２】

【化３】

【００１３】（式中、Ｘ，Ｙは−Ｈ，−ＣＨ₃ ，−Ｃ₂
Ｈ₅ のいずれかを表わし、ｐ，ｑ，ｗは２６以下の整数
で、１２≦ｐ≦２６、１５≦ｐ＋ｑ≦５２，１７≦ｐ＋
ｑ＋ｗ≦６０である。）

【００１４】

【化４】

【００１５】（式中、Ｘ，Ｙは−Ｈ，−ＣＨ_３ ，−Ｃ
_２ Ｈ_５ のいずれかを表わし、ｐ′，ｑ′，ｗ′は１
６以下の整数で、１≦ｐ′≦１１、４≦ｐ′＋ｑ′≦１
４，４≦ｐ′＋ｑ′＋ｗ′≦１６である。）

【００１６】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
磁気記録媒体によれば、有機保護層を形成する単分子膜
又はその累積膜を、ポリアミド酸と第１のアルキルアミ
ンと混合して作成したポリアミド酸アルキルアミン塩を
マトリックス材とし、かかるマトリックス材に第２のア
ルキルアミンを添加することによって、上記マトリック
ス材中に存在する第１のアルキルアミン分子間の空間を
第２のアルキルアミンで埋めた構成をとることにより、
かかる単分子膜又は単分子累積膜の機械的強度、配向
性、均一性、面内密度を向上させることが可能になり、
保護層として用いたときに、保護層表面の潤滑性が向上
し、走行性のよい磁気記録媒体が得られる。

【００１７】また、本発明においては、ポリアミド酸と
第１のアルキルアミンに第２のアルキルアミンを混合す
ることによって形成される有機保護層の単分子膜又は単
分子累積膜は、従来公知の塗布法などを用いることも可
能であるが、本発明においてはラングミュアーブロジェ
ット（ＬＢ）法を用いるのが好ましい。本発明によれ
ば、ＬＢ法を用いることにより、上記単分子膜又は単分
子累積膜を安定にかつ高速に行なうことが可能になため
に、保護層が強固かつ安定なものとなるだけでなく、磁
性層表面の凸凹を保護層がカバーすることで、磁気記録
媒体表面の平坦性を確保することも可能になった。

【００１８】より詳しくは、有機保護層として、前記一
般式（１）〜（３）のいずれかで表わされる第１のアル
キルアミンと、前記一般式（４）〜（６）のいずれかで
表わされる第２のアルキルアミンとからなる単分子膜又
はその累積膜を用いることで均一な膜厚を有し、耐磨耗
性に優れた磁気記録媒体を実現した。

【００１９】本発明で用いられるポリアミド酸は、カル
ボン酸無水物とジアミンとを縮合反応させることによっ
て得られる。カルボン酸無水物としては、例えば、ピロ
メリット酸無水物、３，３′、４，４′−ビフェニルテ
トラカルボン酸無水物、３，３′，４，４′−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸無水物、２，２−ビス（３，４
−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−
ヘキサフルオロプロパン酸無水物等が挙げられる。

【００２０】ジアミンとしては、フェニレンジアミン、
４，４′−オキシジアニリン、４，４′−ジオキシフェ
ニレンジアニリン、４，４′−フェニレンジアニリン、
４，４′−チオジアニリン、４，４′−サルフォニルジ
アニリン、４，４′−メチレンジアニリン、２−ビス
（４−アミノフェニル）−１，１，１，３，３，３、−
ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビス（３−アミノプ
ロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン
などが挙げられる。

【００２１】さらにかかるポリアミド酸は、そのポリマ
ー主鎖中に前述の構造単位が一部含まれていてもよいの
で、２種以上のカルボン酸無水物及び／又は、２種以上
のジアミンを用いた共重合体ポリアミド酸の利用も可能
である。

【００２２】本発明において、上記アルキルアミンに
は、前記一般式（１）〜（３）のいずれかで表わされる
第１のアルキルアミンと、前記一般式（４）〜（６）の
いずれかで表わされる第２のアルキルアミンの１〜３級
のアルキルアミン、更に、アルキル基の一部又は全部が
ハロゲン置換されているもの、アルキル鎖の一部が水酸
基に置換されているもの、分岐型アルキル基、ベンゼン
環等の環状構造を有しているものなどを用いることが可
能である。

【００２３】特に、上記ポリアミド酸、第１のアルキル
アミン、第２のアルキルアミンのうち、少なくとも１つ
以上、若しくは全てについてその分子内にフッ素基を有
している場合、さらに潤滑性を向上させることが容易で
ある。

【００２４】前記一般式（１）〜（３）のいずれかで表
わされる第１のアルキルアミンの具体例としては、Ｎ，
Ｎ−ジメチルオクタデシルアミン、Ｎ−メチルージーｎ
ーオクタデシルアミン、トリ−ｎ−ヘキシルアミン等が
挙げられる。

【００２５】また、前記一般式（４）〜（６）のいずれ
かで表わされる第２のアルキルアミンの具体例として
は、２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロブチ
ルアミン、へプタフロロブチルアミン、パーフルオロト
リヘキシルアミン等が挙げられる。

【００２６】また、本発明においては、有機保護層を形
成する単分子膜又はその累積膜を、ポリアミド酸、第１
のアルキルアミンおよび第２のアルキルアミンを混合す
ることによって形成されるが、これら分子の混合比とし
ては、ポリアミド酸のカルボキシル基をすべてアミン塩
化させる程度とすることが好ましい。即ち、ポリアミド
酸の１繰り返し単位当たり通常２個のカルボキシル基が
存在するが、この場合ポリアミド酸の繰り返し単位数の
総和：第１のアルキルアミンのモル数＝１：１から１：
３、より好ましくは１：２から１：２．５とすることが
望ましい。第２のアルキルアミンのモル数は、ポリアミ
ド酸の繰り返し単位数の総和：第２のアルキルアミンの
モル数＝１：２から１：１００００、より好ましくは
１：１０から１：１０００とすることが望ましい。

【００２７】この時の溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチル
アセトアミド（ＤＭＡＣ）など、ポリアミド酸およびア
ミンが充分に溶解し、かつ水面上にかかる溶液を展開す
ることが可能な溶媒であれば何を用いてもよく、また、
混合溶媒でもよい。

【００２８】また、濃度も特に制限はないが、展開性の
面から、１×１０^-5〜１×１０^-3繰り返し単位数／ｌの
範囲とすることが好ましい。

【００２９】以上のようにして作成したポリアミド酸混
合アミン塩の溶液を水面上に静かに展開する。この時、
水相としては、２〜２５℃の純水が一般に用いられる
が、各種金属イオンの添加や酸、アルカリを加えてｐＨ
の調整を行なっても構わない。次に、水面上に展開した
ポリアミド酸アミン塩混合溶媒を圧縮し、水面上にポリ
アミド酸混合アミン塩の単分子膜を形成する。

【００３０】かかる単分子膜を表面圧を一定に保ったま
ま、水面上単分子膜を横切る方向に浸漬し、引き続き引
き上げることにより２層のＹ型単分子膜を支持体上に累
積することができる。

【００３１】ポリアミド酸アミン塩の単分子膜を基板上
にうつしとるには、上述した垂直浸漬法の他、水平付着
法、回転円筒法等の方法によることもできる。

【００３２】本発明の磁気記録媒体を構成する支持体、
とりわけ非磁性支持体としては、通常ポリエチレンテレ
フタレート，ポリカーボネート，ポリアセテート，ポリ
アミド，ポリイミドなどの比較的耐熱性の良好なプラス
チックの厚さ３〜４０μｍ程度のフィルムが好ましく用
いられるが、その他非磁性金属箔等も必要に応じて用い
ることができ、基本的には所望の平滑な磁性層形成面を
有する任意の固体材料が用いられる。

【００３３】これら非磁性支持体には、その上に強磁性
体薄膜を形成するに先立ち、接着性向上、磁気特性向
上、その他の目的で必要に応じてコロナ処理，プライマ
ー処理、あるいはパーマロイで代表される透磁層等の下
地層を形成してもよい。また、これら非磁性支持体の磁
性層形成面とは反対側の面に非磁性のバックコート層を
設けてもよい。

【００３４】強磁性体薄膜は、上記したように必要に応
じて下地処理を行なった非磁性支持体上に、一般にスパ
ッタリングなどの蒸着により、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉなどを
主成分とする強磁性体金属あるいは合金の厚さが０．０
１〜２．０μｍの薄膜を形成することにより得られる。
これら強磁性体薄膜は、必要に応じて非磁性支持体の両
面に形成することもできる。本発明の磁気記録媒体にお
いては、上記した強磁性体薄膜表面の酸化処理によって
表面活性化ないしは金属表面層を酸化してもよい。

【００３５】磁気記録層表面の酸化処理方法としては、
通常金属その他の材料を比較的緩慢に表層から部分酸化
せしめることができる方法であれば何等制限されない
が、中でも特に好ましい方法として酸素プラズマ処理
法，陽極酸化処理法，オゾン雰囲気中での紫外線照射に
よる酸化処理法等が使用される。酸化処理表面は金属表
面の活性化状態、表層部の安定な酸化物状態ともに有効
であった。

【００３６】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明
する。

【００３７】実施例１ 内容量３００リットルの重合釜に３，３′、４，４′−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物；２０モル、ピロ
メリット酸二無水物；８０モル、パラフェニレンジアミ
ン；７０モル、及び４，４′−ジアミノジフェニルエー
テル；３０モルを原料として厚さ１０μｍの芳香族ポリ
イミド膜のベースフィルムを製造した。この芳香族ポリ
イミドフィルムについて種々の物性を測定したが、その
結果、引っ張り弾性定数が４９０ｋｇ／ｍｍ² 、熱膨張
係数α（１００〜３００℃）が１．６×１０^-5ｃｍ／ｃ
ｍ／℃、Ｒｚは８０Åであった。

【００３８】この芳香族ポリイミドフィルムをベースフ
ィルムとして使用し、電子ビーム加熱装置を有する磁気
テープの連続成膜装置により、当該ベースフィルムの温
度を２００℃として１．１μｍ／ｓｅｃの成膜速度で約
０．４μｍ厚に形成したのち、その上部に酸素１０％を
含むアルゴンガス中でＣｏをスパッタし、酸化コバルト
薄膜を８０Å厚に形成した。

【００３９】次に、まず、下記の（７）式で表されるポ
リアミド酸をＤＭＡＣに溶解させた。（単量体換算濃度
１×１０^-3Ｍ）

【００４０】

【化５】

【００４１】続いて、別途用意したＮ，Ｎ−ジメチルオ
クタデシルアミンの同溶媒による１×１０^-3Ｍ溶液と
２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロブチルア
ミンの同溶媒による１×１０^-3Ｍ溶液を１：２：２（Ｖ
／Ｖ）に混合して、ポリアミド酸混合アミン塩溶液を調
製した。かかる溶液を水温２０℃の純水からなる水相上
に展開し、水面上に単分子膜を形成した。溶媒蒸発除去
後、表面圧を２５ｍＮ／ｍにまで高めた。表面圧を一定
に保ちながら、上述磁気シートを水面を横切る方向に速
度５ｍｍ／ｍｉｎで静かに浸漬した後、続いて５ｍｍ／
ｍｉｎで静かに引き上げて２層のＹ型単分子累積膜を作
成した。かかる操作を繰り返して、４層（膜厚＝６０
Å）のポリアミド酸混合アミン塩の単分子累積膜を形成
し、有機保護層とした。

【００４２】かかる工程をへた、磁気シートを８．０ｍ
ｍ幅にスリットした。このテープのカールは、１／ｒ＜
０．１ｍｍ^-1と小さく、実用上問題のない量であった。
かくして得られたテープを一方ではそのまま、他方では
７０℃、９０％ＲＨのなかに２００時間保存して得られ
た２種のテープ試料について評価したところ、いずれの
試料についても早送り走行においてはシンチング、テー
プ折れともに全くなく、大変良好であった。また、６０
分間のスチル画再生中も出力変動が１ｄＢ以内であり、
大変良好であった。尚、７０℃、９０％ＲＨ保存による
画質の劣化、出力低下は認められなかった。

【００４３】一方、かかる有機保護層の形成を省略した
試料では、７０℃、９０％ＲＨ、２００時間の環境試験
後のスチル画再生では１５分で大幅に画質が乱れ、出力
が低下してしまった。

【００４４】実施例２ 実施例１と同様にして厚さ８０Åの酸化コバルト膜を有
する芳香族ポリイミドフィルムを形成した。次に、実施
例１と同様のポリアミド酸をＤＭＡＣに溶解し、別途用
意したＮ，Ｎ−ジメチルオクタデシルアミンの同溶媒に
よる１×１０^-3Ｍ溶液と２，２，３，３，４，４，４−
ヘプタフルオロブチルアミンの同溶媒による１×１０^-3
Ｍ溶液を１：２：１０（Ｖ／Ｖ）に混合して、ポリアミ
ド酸混合アミン塩溶液を調製した。

【００４５】かかる溶液を水温２０℃の純水からなる水
相上に展開し、水面上に単分子膜を形成した。溶媒蒸発
除去後、表面圧を２５ｍＮ／ｍにまで高めた。表面圧を
一定に保ちながら、上述磁気シートを水面を横切る方向
に速度５０ｍｍ／ｍｉｎで静かに浸漬した後、続いて５
０ｍｍ／ｍｉｎで静かに引き上げて２層（膜厚＝３０
Å）のＹ型単分子累積膜を作成し、有機保護層とした。

【００４６】かかる磁気シートをビデオフロッピーディ
スク用に直径４７ｍｍに打ち抜いた。かくして得た磁気
フロッピーディスクを用いて録画再生２００万回及びス
チル画５０時間の連続再生テストをそれぞれ行なったと
ころ、いずれのテストにおいても、出力変化が当初に比
べ、１ｄＢ以内であり、大変良好であった。また、７０
℃、９０％ＲＨ、２００時間の環境試験後に同様の再生
テストを行なったが、出力変化が当初に比べ、１ｄＢ以
内であり大変良好であった。

【００４７】実施例３ 実施例１と同様にして厚さ８０Åの酸化コバルト膜を有
する芳香族ポリイミドフィルムを形成した。次に、下記
の（８）式で表されるポリアミド酸をＤＭＡＣに溶解さ
せた。

【００４８】

【化６】

【００４９】続いて、別途用意したＮ−メチルージーｎ
ーオクタデシルアミンの同溶媒による１×１０^-3Ｍ溶液
と２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロブチル
アミンの同溶媒による１×１０^-3Ｍ溶液を、１：２：１
０（Ｖ／Ｖ）に混合して、ポリアミド酸混合アミン塩溶
液を調製した。かかる溶液を水温２０℃の純水からなる
水相上に展開し、水面上に単分子膜を形成した。

【００５０】溶媒蒸発除去後、表面圧を２５ｍＮ／ｍに
まで高めた。表面圧を一定に保ちながら、上述磁気シー
トを水面を横切る方向に速度１０ｍｍ／ｍｉｎで静かに
浸漬した後、続いて１０ｍｍ／ｍｉｎで静かに引き上げ
て２層のＹ型単分子累積膜を作成した。かかる操作を繰
り返して、４層（膜厚＝６０Å）のポリアミド酸混合ア
ミン塩の単分子累積膜を形成し、有機保護層とした。か
かる工程をへた、磁気シートを８．０ｍｍ幅にスリット
した。このテープのカールは、１／ｒ＜０．１ｍｍ^-1と
小さく、実用上問題のない量であった。

【００５１】かくして得られたテープを一方はそのま
ま、他方では７０℃、９０％ＲＨのなかに２００時間保
存して得られた２種のテープ試料について評価したとこ
ろ、いずれの試料についても早送り走行においてはシン
チング、テープ折れともに全くなく、大変良好であっ
た。また、６０分間のスチル画再生中も出力変動が１ｄ
Ｂ以内であり、大変良好であった。尚、７０℃、９０％
ＲＨ保存による画質の劣化、出力低下は認められなかっ
た。

【００５２】実施例４ 実施例１と同様にして厚さ８０Åの酸化コバルト膜を有
する芳香族ポリイミドフィルムを形成した。次に、下記
の（９）式で表されるポリアミド酸をＤＭＡＣに溶解さ
せた。

【００５３】

【化７】

【００５４】続いて、別途用意したＮ，Ｎ−ジメチルオ
クタデシルアミンの同溶媒による１×１０^-3Ｍ溶液とへ
プタフロロブチルアミンの同溶媒による１×１０^-3Ｍ溶
液を１：２：１０（Ｖ／Ｎ）に混合して、ポリアミド酸
混合アミン塩溶液を調整した。かかる溶液を水温２０℃
の純水からなる水相上に展開し、水面上に単分子膜を形
成した。

【００５５】溶媒蒸発除去後、表面圧を２５ｍＮ／ｍに
まで高めた。表面圧を一定に保ちながら、上述磁気シー
トを水面を横切る方向に速度１０ｍｍ／ｍｉｎで静かに
浸漬した後、続いて１０ｍｍ／ｍｉｎで静かに引き上げ
て２層のＹ型単分子累積膜を作成した。かかる操作を繰
り返して、４層（膜厚＝６０Å）のポリアミド酸混合ア
ミン塩の単分子累積膜を形成し、有機保護層とした。か
かる工程をへた、磁気シートを８．０ｍｍ幅にスリット
した。このテープのカールは、１／ｒ＜０．１ｍｍ^-1と
小さく、実用上問題のない量であった。

【００５６】かくしてえられたテープを一方ではそのま
ま、他方では７０℃、９０％ＲＨのなかに２００時間保
存して得られた２種のテープ試料について評価したとこ
ろ、いずれの試料についても早送り走行においてはシン
チング、テープ折れともに全くなく、大変良好であっ
た。また、６０分間のスチル画再生中も出力変動が１ｄ
Ｂ以内であり、大変良好であった。尚、７０℃、９０％
ＲＨ保存による画質の劣化、出力低下は認められなかっ
た。

【００５７】実施例５ 実施例１と同様にして厚さ８０Åの酸化コバルト膜を有
する芳香族ポリイミドフィルムを形成した。次に、実施
例４と同様のポリアミド酸をＤＭＡＣに溶解させた。続
いて、別途用意したＮ−メチルージーｎーオクタデシル
アミンの同溶媒による１×１０^-3Ｍ溶液と２，２，３，
３，４，４，４−ヘプタフルオロブチルアミンの同溶媒
による１×１０^-3Ｍ溶液を、１：２：１０（Ｖ／Ｖ）に
混合して、ポリアミド酸混合アミン塩溶液を調製した。
かかる溶液を水温２０℃の純水からなる水相上に展開
し、水面上に単分子膜を形成した。

【００５８】溶媒蒸発除去後、表面圧を２５ｍＮ／ｍに
まで高めた。表面圧を一定に保ちながら、上述磁気シー
トを水面を横切る方向に速度１０ｍｍ／ｍｉｎで静かに
浸漬した後、続いて１０ｍｍ／ｍｉｎで静かに引き上げ
て２層（膜厚＝３０Å）のポリアミド酸混合アミン塩の
Ｙ型単分子累積膜を形成し、有機保護層とした。かかる
工程をへた、磁気シートを８．０ｍｍ幅にスリットし
た。このテープのカールは、１／ｒ＜０．１ｍｍ^-1と小
さく、実用上問題のない量であった。

【００５９】かくして得られたテープを一方はそのま
ま、他方では７０℃、９０％ＲＨのなかに２００時間保
存して得られた２種のテープ試料について評価したとこ
ろ、いずれの試料についても早送り走行においてはシン
チング、テープ折れともに全くなく、大変良好であっ
た。また、６０分間のスチル画再生中も出力変動が１ｄ
Ｂ以内であり、大変良好であった。尚、７０℃、９０％
ＲＨ保存による画質の劣化、出力低下は認められなかっ
た。

【００６０】実施例６ 実施例１と同様にして厚さ８０Åの酸化コバルト膜を有
する芳香族ポリイミドフィルムを形成した。次に、実施
例１と同様のポリアミド酸をＤＭＡＣに溶解し、別途用
意したＮ，Ｎ−ジメチルオクタデシルアミンの同溶媒に
よる１×１０^−３Ｍ溶液と２，２，３，３，４，４，４
−ヘプタフルオロブチルアミンの同溶媒による１×１０
^−３Ｍ溶液を１：２：１０（Ｖ／Ｖ）に混合して、ポリ
アミド酸混合アミン塩溶液を調製した。

【００６１】ここで、上記磁気シートを、水温２０℃の
純水からなる水相上の水面を横切る方向に静かに浸漬し
た後、前記溶液をかかる水相上に展開し、水面上に単分
子膜を形成した。溶媒蒸発除去後、表面圧を２５ｍＮ／
ｍにまで高めた。表面圧を一定に保ちながら、１０ｍｍ
／ｍｉｎで静かに引き上げて１層（膜厚＝１５Å）の単
分子膜を作成し、有機保護層とした。

【００６２】かかる磁気シートをビデオフロッピーディ
スク用に直径４７ｍｍに打ち抜いた。かくして得た磁気
フロッピーディスクを用いて録画再生２００万回及びス
チル画５０時間の連続再生テストをそれぞれ行なったと
ころ、いずれのテストにおいても、出力変化が当初に比
べ、１ｄＢ以内であり、大変良好であった。また、７０
℃、９０％ＲＨ、２００時間の環境試験後に同様の再生
テストを行なったが、出力変化が当初に比べ、１ｄＢ以
内であり大変良好であった。

【００６３】

【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、有
機保護層としてポリアミド酸と、特定の２種のアルキル
アミンからなる単分子膜又はその累積膜を用いることに
より、 保護層の薄膜化 耐磨耗性の向上 磁気記録媒体表面の平坦化 が実現し、走行性および電磁変換特性の良好な磁気記録
媒体を提供することができる効果が得られる。

フロントページの続き (72)発明者 柳沢 芳浩 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 河田 春紀 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−206021（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G11B 5/72 C10M 133/10 C10N 40:18 ＷＰＩ／Ｌ（ＱＵＥＳＴＥＬ)

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持体上に磁性層と有機保護層とを有す
   る磁気記録媒体において、該有機保護層が、ポリアミド
   酸と、下記一般式（１）〜（３）のいずれかで表わされ
   る第１のアルキルアミンと、下記一般式（４）〜（６）
   のいずれかで表わされる第２のアルキルアミンとからな
   る単分子膜又はその累積膜であることを特徴とする磁気
   記録媒体。 【化１】 （式中、Ｘ，Ｙは−Ｈ，−ＣＨ_３ ，−Ｃ_２ Ｈ_５ の
   いずれかを表わし、ｐ，ｑ，ｗは２６以下の整数で、１
   ２≦ｐ≦２６、１５≦ｐ＋ｑ≦５２，１７≦ｐ＋ｑ＋ｗ
   ≦６０である。） 【化２】 （式中、Ｘ，Ｙは−Ｈ，−ＣＨ_３ ，−Ｃ_２ Ｈ_５ の
   いずれかを表わし、ｐ′，ｑ′，ｗ′は１６以下の整数
   で、１≦ｐ′≦１１、４≦ｐ′＋ｑ′≦１４，４≦ｐ′
   ＋ｑ′＋ｗ′≦１６である。）
2. 【請求項２】 前記有機保護層がラングミュアーブロジ
   ェット法により形成されることを特徴とする請求項１記
   載の磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 前記ポリアミド酸が分子内にフッ素基を
   有していることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒
   体。
4. 【請求項４】 前記第１のアルキルアミンの分子中の水
   素の一部又は全部がフッ素で置換されていることを特徴
   とする請求項１記載の磁気記録媒体。
5. 【請求項５】 前記第２のアルキルアミンの分子中の水
   素の一部又は全部がフッ素で置換されていることを特徴
   とする請求項１記載の磁気記録媒体。
6. 【請求項６】 前記有機保護層の厚さが１００Å以下で
   あることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。