JP2832017B2

JP2832017B2 - 光情報処理装置

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Publication number: JP2832017B2
Application number: JP63246313A
Authority: JP
Inventors: 理小山
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1988-09-30
Filing date: 1988-09-30
Publication date: 1998-12-02
Anticipated expiration: 2013-12-02
Also published as: JPH0293501A

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の分野〕本発明は光情報処理装置に関し、特に半導体レーザか
ら出射した光束の形状を変換するのに好適なプリズム光
学系を用いた光情報処理装置に関するものである。

〔従来の技術〕

従来、光ヘツドにより光情報記録媒体上に情報の記録
・再生を行う光情報処理装置では、該媒体上に１μｍ程
度のスポツトを結像させるための単色光源として、半導
体レーザが広く使用されている。

半導体レーザよりの光束は、一般的に縦横比が1:2程
度の楕円形の断面形状を有している。特に、記録・再生
を行う光ヘツドでは記録時に高出力が必要となるために
レーザからの光束を有効に利用する必要がある。

このためには、半導体レーザからスポツトを集光する
レンズの間に三角プリズムを配置し、ビーム形状を整形
することが従来より知られている（特開昭56−41号公
報）。第８図を用いてこれを説明する。第８図におい
て、10は半導体レーザ、11は半導体レーザからの光束を
平行とするコリメータレンズ、18はビーム整形プリズム
である。ビーム整形プリズム18により（Ｂ）に示す様な
楕円形状の光束（断面Ｂ−Ｂ′）は（Ｃ）に示す様なほ
ぼ真円形状の光束（断面Ｃ−Ｃ′）に整形される。

ところで、半導体レーザは、発振波長が温度や出力に
依存するという問題点がある。例えば一般的な半導体レ
ーザでは、10℃温度が上昇すると3nm程度波長が長い方
に移動し、出力を3mWから30mWに増加させるとやはり３
〜4nm波長が長い方に移動する。

第９図を用いてその問題点を説明する。第９図におい
て、18はビーム整形プリズム、12は対物レンズ、13は光
情報記録媒体である光デイスクである。例えば情報再生
時に波長λ_０の半導体レーザからの光束は、ビーム整形
プリズム18でビーム整形された後対物レンズ12によりデ
イスク13の情報トラツク上に正確に結像されていたとす
る（図面実線）。ここで、記録時にレーザの出力を切り
換えると波長はλ_０＋Δλ₀nm（Δλ_０＝３〜4nm）に変
化するので、ビーム整形プリズム18のガラスの分散によ
り屈折角が変わり、デイスクの情報トラツク上のスポツ
トが0.3〜0.4μｍ、デイスク半径方向にはずれてしま
う。この波長変化はナノセカンドオーダーで起こるの
で、トラツキングサーボの追従は不可能であり、情報の
記録・再生に重大な支障をきたす。また、温度変化によ
る波長変動でもサーボ信号にオフセツトが生ずるなど同
様に情報の記録・再生に影響がでる。この問題点を解決
するため、従来よりビーム整形プリズム18を分散の異な
る２種のガラスよりなる接合プリズムとすることが知ら
れている（特開昭60−234247号公報）。その接合プリズ
ムを用いた光情報処理装置の構成を第10図に示す。第10
図において、三角プリズム19に材質LaSF−16を用い、三
角プリズム20に材質SF11の直角二等辺三角形のものを用
い、さらにプリズム20の斜辺21にはハーフミラーとして
の機能を有する蒸着層を形成している。

これら２つの材質の異なるプリズム19,20を貼り合せ
ることにより色消しプリズムとすることができ、かつ、
楕円形状の強度分布を有する半導体レーザ10からの光束
をコリメータレンズ11により平行光に変換後、プリズム
19に所定角度θ_０で入射させることによりほぼ円形の強
度分布をもつ光束に変換できる。対物レンズ12によって
光情報記録媒体13上に微小光スポツトとして集光された
光束は、該媒体13によって反射され、対物レンズ12を再
び経てプリズム20のハーフミラー面21で反射され検出光
学系に向う。14は光検出器15に光束を集光させるレン
ズ、16は15の出力を増幅する増幅器であり所望の信号
（RF信号やサーボ信号）17を得る。第10図ではプリズム
19,20の組み合せにより、例えば入出射光束の拡大率を
２とする場合には、プリズム19の頂角をα＝76.167゜、
プリズム19への入射光角度をθ_０＝63.315゜とすれば、
半導体レーザの発振波長λ＝830nmが３〜4nm変化しても
プリズム20からの出射光ずれは0.4秒程度に抑えられ
る。これは対物レンズ12により光情報記録媒体13上に集
光される光スポツトのずれに換算して0.01μｍ以下であ
り、情報の記録・再生にほとんど影響を与えない。

ところが、このように材質の異なるプリズムを貼り合
せ、しかもその接合面にハーフミラーや偏光ビームスプ
リツタとして機能する蒸着層を形成した場合、温度変化
が生ずると２つのガラスの膨張係数の違いにより接合面
が歪み、その面を透過したり反射したりする光束の波面
に収差が生ずる。この波面収差により記録媒体上のスポ
ツト形状が変化しRF信号の品質が低下したり、或いは光
検出器15上のスポツト形状が変化し、サーボ信号にオフ
セツトが生じたりして、情報の正確な記録・再生に支障
をきたす。接合面の歪みが波面収差に与える影響は、そ
の面（蒸着層）を光束が透過する場合より反射する場合
の方がはるかに大きい。よって第10図の例では、ハーフ
ミラー面21で反射された波面に収差が発生し、光検出器
上のスポツト形状が温度変化に伴い変化してサーボ信号
にオフセツトを生ずる。

上記問題点を解決するには、膨張係数の等しい材質の
異なるガラスを選択すれば良いが、実際にはプリズムか
らの出射光の角度ずれを緩和する様な分散のガラスを選
びかつそれらの膨張係数を等しくするのは非常に困難で
ある。

また、プリズム20を必ずしも直角二等辺三角形とする
ことができないので、その場合には光ヘツドの検出光学
系の構成の自由度が制限される。

〔発明の概要〕

本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的
とするところは、従来のプリズム光学系あるいはこれを
用いる装置における上述の如き問題を解消し、光束の波
長変化および温度変化に対して光学的性質の変化しない
プリズム光学系を用いる光情報処理装置を提供すること
にある。

本発明の上記目的は、半導体レーザと、該半導体レー
ザからの光束を平行光束とするコリメータレンズと、前
記平行光束の形状を補正し、かつ、光情報記録媒体から
の反射光束を取り出すビームスプリッタとして機能する
プリズム光学系と、該プリズム光学系からの光束を前記
光情報記録媒体に集束させる対物レンズと、前記プリズ
ム光学系で取り出された前記反射光束を受光する光検出
器とを有する光情報処理装置において、前記プリズム光学系は、硝材の異なる第１のプリズム
と第２プリズムを貼り合わせ、かつ、硝材の同じ前記第
２プリズムと第３プリズムを貼り合わせて構成され、前記第１プリズムは、前記平行光束が入射する入射面
と該第１プリズムで屈折された光束が出射する出射面と
を有し、前記入射面が前記半導体レーザからの光束の偏
光方向に垂直な方向に平行となり、かつ、前記出射面が
前記第１プリズムで屈折された光束に対し垂直でないよ
うに配設され、前記第２プリズムと前記第３プリズム
は、ハーフミラー又は偏光ビームスプリッタとして機能
する蒸着膜を介して貼り合わせて構成され、前記第１プリズムに入射角θ_０で入射した基準波長λ
_１の前記平行光束が前記入射面で屈折される角度θ₁₁と
前記第１プリズムの前記入射面と前記出射面とがなす角
度αとの関係は、αθ₁₁であり、前記第１プリズムの前記基準波長λ_１と変化後の波長
λ_２（λ_１≠λ_２）における屈折率を各々n₁₁,n₁₂と
し、前記第２プリズムの基準波長λ_１と変化後の波長λ
_２（λ_１≠λ_２）における屈折率を各々n₂₁,n₂₂をした
とき、 Δn₁＝n₁₁−n₁₂ Δn₂＝n₂₁−n₂₂ Δn₁/Δn₂＞1.5 なる条件を満たす、ことによって達成される。

［実施例］以下、本発明を図示の実施例に基づいて説明する。

本発明のプリズム光学系の第１実施例を第１図に示
す。第１図において、１は第１のプリズム、２は第２の
プリズム、３は第３のプリズムである。４は光源である
半導体レーザ（図示せず）からの光束を光束平行化光学
系であるコリメータレンズ（図示せず）によって平行光
束としたものである。５は第２のプリズムと第３のプリ
ズムの接合面であり、ハーフミラー又は偏光ビームスプ
リツタの機能をもつ蒸着層が設けられている。１のプリ
ズムと２のプリズムは硝材が異なっていて、１及び２の
プリズムにより半導体レーザからの楕円状光束をほぼビ
ーム整形の比率２で円形の光束に整形し（断面Ｂ−Ｂ′
→Ｃ−Ｃ′）かつ半導体レーザ波長変化時の第３のプリ
ズムから光束集光光学系である対物レンズ（図示せず）
への射出光束の角度ずれをほぼ０としている。３のプリ
ズムは２のプリズムと同じ硝材であり、２と３の接合面
５の面は温度変化による歪み等を受けにくい構成となっ
ている。ここで、半導体レーザ（不図示）の偏光面は紙
面に平行（Ｐ偏光方向）としている。

第１図示のプリズム光学系を半導体レーザを光源とす
る光情報処理装置に用いた場合には次のような構成とな
る。

半導体レーザと、該レーザからの光束を平行化するレ
ンズと、該平行化された光束の形状を補正しかつ光情報
記録媒体からの反射光束を取り出すビームスプリツター
として機能するプリズム光学系と、該プリズム光学系か
ら出力される光束を光情報記録媒体に集束させる対物レ
ンズと、上記プリズム光学系で取り出された上記反射光
束を受光する光検出器とを有する光情報処理装置におい
て、前記プリズム光学系は、硝材の異なる第１と第２の
プリズムを貼り合わせ、かつ、硝材の同じ第２と第３の
プリズムを貼り合わせて構成され、前記第１のプリズム
は、前記平行化された光束が入射する入射面と該プリズ
ムで屈折された光束が出射する出射面とを有し、該入射
面が前記レーザからの光ビームの偏光方向に垂直な方向
に平行となり、かつ該出射面が該プリズムで屈折された
光束に対し垂直でないように配設され、前記第２と第３
のプリズムはハーフミラー又は偏光ビームスプリツタと
して機能する蒸着膜を介して貼り合わせて構成されてい
る。

第１図について更に詳細に説明する。プリズム１に対
する光束の入射角をθ_０、プリズム１の頂角（第１のプ
リズムの入射面と出射面とがなす角度）をα、光源であ
る半導体レーザの波長をλとする。λ＝λ_１（基準波
長）の場合のプリズム１の硝材の屈折率をn₁₁、プリズ
ム２の硝材の屈折率をn₂₁（最初の添字はプリズム番
号、後の添字は波長番号）とし、プリズムの各面での屈
折角を各々θ₁₁、θ₂₁、θ₃₁（最初の添字は屈折角の番
号、後の添字は波長番号）とする。同様にして半導体レ
ーザの波長がλ＝λ_２（λ_１≠λ_２）と変化した場合の
プリズム１の硝材の屈折率をn₁₂、プリズム２の硝材の
屈折率をn₂₂、プリズムの各面での屈折角を各々θ₁₂、
θ₂₂、θ₃₂とする。

まず、λ＝λ_１の場合、スネルの法則により各面で
は、 sinθ_０＝n₁₁sinθ₁₁ …… n₁₁sinθ₂₁＝n₂₁sinθ₃₁ …… λ＝λ_２の場合では同様にして、 sinθ_０＝n₁₂sinθ₁₂ …… n₁₂sinθ₂₂＝n₂₂sinθ₃₂ …… 一方幾何的な関係より θ₂₁−θ₁₁＝θ₂₂−θ₁₂＝α …… ここで波長変化によるプリズムからの射出光束の角度
ずれを０とするためには、 θ₃₁＝θ₃₂ …… とすれば良いから、および，を用いて、 n₁₁sin（α＋θ₁₁）＝n₂₁sinθ₃₁ … n₁₂sin（α＋θ₁₂）＝n₂₂sinθ₃₂ … ，およびを用いて、，を用いて整理して、式をみたす様な屈折率をもつ硝材とプリズム１の頂
角α、プリズム１に対する光束の入射角θ_０を選んでや
れば良い。

また、ビーム整形の拡大率をβとすれば、各面の屈折
率を用いて以下の様にあらわせる。

ビーム整形の拡大率をで選びかつを満足する様な
らば、λ_１→λ_２の波長変化において、プリズムからの
出射光束の角度ずれをほぼ０とするビーム整形プリズム
が得られる。以下に第１実施例におけるプリズムの硝材
の例を２つ示す。また、第２図（ａ），（ｂ）にその具
体例の概略図を示す。

（例１）１のプリズムの硝材はSF11｛ｎ（λ＝835nm）＝1.762
81,n（λ＝820nm）＝1.76359,n（λ＝850nm）＝1.7620
6｝，頂角α＝18.66゜、２のプリズムの硝材はSK15｛ｎ
（λ＝835nm）＝1.61439,n（λ＝820nm）＝1.61474,n
（λ＝850nm）＝1.61406｝、プリズム１に対する光束の
入射角θ_０＝69.0゜である。３のプリズムは２のプリズ
ムと同じ硝材である。

この例１では、θ₁₁＝31.98゜であり、λ_１＝835nm,
λ_２＝820nmの場合、Δn₁/Δn₂＝2.23となり、λ_１＝83
5nm,λ_２＝850nm場合、Δn₁/Δn₂＝2.27となる。

（例２）１のプリズムの硝材はSFS1｛ｎ（λ＝835nm）＝1.891
96,n（λ＝820nm）＝1.89304,n（λ＝850nm）＝1.8909
4｝，頂角α＝10.48゜、２のプリズムの硝材はBK7｛ｎ
（λ＝835nm）＝1.50965,n（λ＝820nm）＝1.50993,n
（λ＝850nm）＝1.50938｝、プリズム１に対する光束の
入射角θ_０＝70.6゜である。３のプリズムは２のプリズ
ムと同じ硝材である。

この例２では、θ₁₁＝29.90゜であり、λ_１＝835nm,
λ_２＝820nmの場合、Δn₁/Δn₂＝3.86となり、λ_１＝83
5nm,λ_２＝850nmの場合、Δn₁/Δn₂＝3.78となる。

以上説明した実施例においては、ビーム拡大率β＝
２、半導体レーザの波長をλ＝835nmとして、これより
±15nmの波長変動が生じても、プリズムからの射出光束
の角度ずれはほぼ０である。

第３図に第１図のプリズム光学系の実施例を発展させ
た例を示す。第３図は、プリズム３の後に直角プリズム
7,8を接合し、7,8接合面にはミラー９を蒸着して光束を
90゜折り曲げている。これは光ヘツド全体を薄型にする
ためである。更に、1,2,3,7,8の５個のプリズムを一体
とすることにより光ヘツドへのアセンブリの工程を著し
く短縮できる。

第４図は第３図のプリズム光学系を用いた光情報処理
装置の光ヘツドの構成を示す図である。半導体レーザ10
からの光束は、コリメータレンズ11により平行光束とさ
れる。楕円形状の強度分布をもつコリメータレンズ11か
らの光束４をビーム整形プリズム１及び２でほぼ円形の
強度分布をもつ光束へと変換する。もちろんプリズム1,
2は上述した実施例に示した様な異なる硝材及び適当な
頂角，光束の入射角を有していて、半導体レーザ10から
の光の波長が温度変化やパワー切り換えによって多少変
動してもビーム射出角の変化は発生しない。プリズム2,
3の接合面はハーフミラー或いは偏光ビームスプリツタ
などの蒸着膜５が設けられており、プリズム2,3が同一
の硝材よりなるため温度変化などによる面の歪みに起因
する波面収差の発生を低減している。プリズム３を通過
した光束は、プリズム7,8の接合面のミラー９によって
光路を直角に折り曲げられ対物レンズ12へと入射する。
対物レンズ12により光情報記録媒体13上に微小なスポツ
トとして集光された光束は、媒体からRF情報及びサーボ
情報（フオーカス，トラツキング）を得て反射され再び
対物レンズ12へ入射する。この光束は往路と逆に進み、
プリズム2,3の接合面に設けられた蒸着膜５で検出系の
方向に折りまげられる。この際プリズム2,3が同一の硝
材よりなるため、蒸着膜５からの反射光束は温度変化な
どによる面の歪みに起因する波面収差の影響を受けにく
く、集光レンズ14により光検出器15に安定して集光され
る。さらに、図示しないが、公知の光情報記録媒体に応
じたRF信号検出系、サーボ信号検出系（フオーカス，ト
ラツキング）が第４図に加わる。光検出器15からの光電
変換された信号は増幅器16で増幅され、前述の所望の信
号17として取り出される。

第５図に本発明のプリズム光学系の他の参考例を示
す。上述した参考例と同様にビーム整形の拡大率をで
選びかつを満足する構成である。以下に第５図示の参
考例におけるプリズムの硝材の例を２つ示す。また、第
６図（ａ），（ｂ）にその具体例の概略図を示す。

（例３）１のプリズムの硝材はFK5｛ｎ（λ＝835nm）＝1.4816
7,n（λ＝820nm）＝1.48192,n（λ＝850nm）＝1.4814
3｝，頂角α＝83.41゜、２のプリズムの硝材はF16｛ｎ
（λ＝835nm）＝1.58016,n（λ＝820nm）＝1.58063,n
（λ＝850nm）＝1.57971｝、プリズム１に対する光束の
入射角θ_０＝65.2゜である。３のプリズムは２のプリズ
ムと同じ硝材である。

この例３では、θ₁₁＝37.78゜であり、λ_１＝835nm,
λ_２＝820nmの場合、Δn₁/Δn₂＝0.53となり、λ_１＝83
5nm,λ_２＝850nmの場合、Δn₁/Δn₂＝0.53となる。

（例４）１のプリズムの硝材はFK01｛ｎ（λ＝835nm）＝1.492
05,n（λ＝820nm）＝1.49225,n（λ＝850nm）＝1.4918
5｝，頂角α＝70.84゜、２のプリズムの硝材はF16｛ｎ
（λ＝835nm）＝1.58016,n（λ＝820nm）＝1.58063,n
（λ＝850nm）＝1.57971｝でプリズム１に対する光束の
入射角θ_０＝67.0゜である。３のプリズムは２のプリズ
ムと同じ硝材である。

この例４では、θ₁₁＝39.28゜であり、λ_１＝835nm,
λ_２＝820nmの場合、Δn₁/Δn₂＝0.43となり、λ_１＝83
5nm,λ_２＝850nmの場合、Δn₁/Δn₂＝0.44となる。以上
説明した参考例においては、ビーム拡大率β＝２、半導
体レーザの波長をλ＝835nmとして、これより±15nmの
波長変動が生じても、プリズムからの射出光束の角度ず
れはほぼ０である。

第５図に示す参考例では、半導体レーザからの光束の
プリズムに対する入射方向と検出器への光束の向きが第
１図に示す実施例と逆になっているので、両者から光ヘ
ツドの構成によってよりコンパクトになる方を選択する
ことができる。

また第５図に示す参考例についてもプリズム３の後に
直角プリズム7,8を接合し、7,8の接合面にはミラー９を
蒸着して、光束を90゜折り曲げることができる。また、
第４図に示す様な薄型の光ヘツドを構成することもでき
る。

第７図（ａ），（ｂ）は本発明のプリズム光学系（例
１）と従来の公知（特開昭60−234247号公報）のビーム
整形プリズムの大きさを比較している図である。プリズ
ムが１枚増えているにもかかわずほぼ同程度の大きさで
あることがわかる。

本発明のプリズム光学系を上述した実施例，参考例の
様にコンパクトな形状にまとめるために必要な構成を以
下に示す。

まず、第１のプリズムに入射角θ_０で入射した基準波
長λ＝λ_１の光束が第１面でθ₁₁の角度で屈折された場
合を考える。スネルの法則により前述式が成り立つ。
第１のプリズムの頂角αと上記説明したθ₁₁を用いて場
合分けをすると、αθ₁₁の場合は第１図に示す構成と
なり、αθ₁₁の場合は第５図に示す構成となる。

αθ₁₁の場合（第１図に示す構成） αを小さくすればコンパクトな形状となることがわか
る。変化後の波長をλ＝λ_２（λ_２＞λ_１）として、プ
リズム１のガラスの各波長における屈折率を各々n₁₁,n
₁₂、プリズム２のガラスの各波長における屈折率を各々
n₂₁,n₂₂とすれば、式よりαを小さくするためには、とすれば良い。つまり、Δn₁＞Δn₂とすればよい。即
ち、プリズム１には、分散の大きなガラス例えばSF,F,L
aSF,LaF,BaSFなどを選択し、プリズム２には分散の小さ
なガラス例えばFK,BK,K,BaK,SK,LaKなどを選択すれば良
い。これは第２図（ａ），（ｂ）を参照し、例２が例１
よりコンパクト化されていることでも明らかである。

をより詳細にあらわすと以下の条件を満たすことが
より好ましい。

αθ₁₁の場合（第５図に示す構成）やはりαを小さくすればコンパクトな形状となること
がわかる。式によりαを小さくするためには、とすれば良い。つまり、Δn₁＜Δn₂とすればよい。即ち
プリズム１には、分散の小さなガラス例えばSF,F,LaSF,
LaF,BaSFなどを選択し、プリズム２には分散の大きなガ
ラス例えばFK,BK,K,BaK,SK,LaKなどを選択すれば良い。
これは第６図（ａ），（ｂ）を参照し、例４が例３より
コンパクト化されていることでも明らかである。

〔発明の効果〕以上説明したように、本発明によれば、プリズム光学
系を、硝材の異なる第１のプリズムと第２プリズムを貼
り合わせ、かつ、硝材の同じ前記第２プリズムと第３プ
リズムを貼り合わせて構成し、更に、特許請求の範囲に
示される条件を満たすことによって、（１）波長変化や温度変化に対して光学的性質の変化し
ないプリズム光学系を提供することができる（２）温度変化に対し安定な波面のビームスプリツタ機
能を有するプリズム光学系を提供することができる（３）色消しビーム整形プリズム（第１と第２のプリズ
ム）とビームスプリツタ（第２と第３のプリズム）と機
能分割できるので光ヘツドの自由度を大きくとることが
できる（４）従来の色消しビーム整形ビームスプリツタプリズ
ムと同程度にコンパクト化することができる等の効果を有するものである。また、上記プリズム光学
系を光情報処理装置に適用した場合には、光源の波長が
大きく変化した場合や装置の温度が大きく変化した場合
にも、その影響を受けない装置を提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のプリズム光学系の第１実施例を示す
図、第２図（ａ），（ｂ）は第１実施例の具体例を示す
図、第３図は第１実施例を発展させた例を示す図、第４
図は第３図のプリズム光学系を用いた光情報処理装置を
示す図、第５図は本発明のプリズム光学系の他の参考例
を示す図、第６図（ａ），（ｂ）は第５図の参考例の具
体例を示す図、第７図（ａ），（ｂ）は本発明のプリズ
ム光学系と従来のビーム整形プリズムの大きさを比較す
る図、第８図はビーム整形プリズムを説明する図、第９
図はプリズムからの射出光束の角度ずれを説明する図、
第10図は従来の光情報処理装置を示す図である。１……第１のプリズム２……第２のプリズム３……第３のプリズム

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体レーザと、該半導体レーザからの光
束を平行光束とするコリメータレンズと、前記平行光束
の形状を補正し、かつ、光情報記録媒体からの反射光束
を取り出すビームスプリッタとして機能するプリズム光
学系と、該プリズム光学系からの光束を前記光情報記録
媒体に集束させる対物レンズと、前記プリズム光学系で
取り出された前記反射光束を受光する光検出器とを有す
る光情報処理装置において、前記プリズム光学系は、硝材の異なる第１のプリズムと
第２プリズムを貼り合わせ、かつ、硝材の同じ前記第２
プリズムと第３プリズムを貼り合わせて構成され、前記第１プリズムは、前記平行光束が入射する入射面と
該第１プリズムで屈折された光束が出射する出射面とを
有し、前記入射面が前記半導体レーザからの光束の偏光
方向に垂直な方向に平行となり、かつ、前記出射面が前
記第１プリズムで屈折された光束に対し垂直でないよう
に配設され、前記第２プリズムと前記第３プリズムは、
ハーフミラー又は偏光ビームスプリッタとして機能する
蒸着膜を介して貼り合わせて構成され、前記第１プリズムに入射角θ_０で入射した基準波長λ_１
の前記平行光束が前記入射面で屈折される角度θ₁₁と前
記第１プリズムの前記入射面と前記出射面とがなす角度
αとの関係は、αθ₁₁であり、前記第１プリズムの前記基準波長λ_１と変化後の波長λ
_２（λ_１≠λ_２）における屈折率を各々n₁₁,n₁₂とし、
前記第２プリズムの基準波長λ_１と変化後の波長λ
_２（λ_１≠λ_２）における屈折率を各々n₂₁,n₂₂をした
とき、 Δn₁＝n₁₁−n₁₂ Δn₂＝n₂₁−n₂₂ Δn₁/Δn₂＞1.5 なる条件を満たすことを特徴とする光情報処理装置。